DISEO DE AMPLIFICADORES

DE POTENCIA DE AUDIO

Norberto Guillermo Muio

Prentice Hall
Per Argentina Brasil Chile Colombia Costa Rica Espaa
Guatemala Mxico Puerto Rico Venezuela
.

MUII\IO, Norberto

ndice I
DISE,;:io DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO
Primera edicin. Buenos Aires, Prentice Hall - Pearson Education, 2011
ISBN: 978-987-615-096-5
Formato: 17 x 23 cm
X+ 118 = 128 pginas
1. Ingeniera Electrnica. l. Muio, Norberto
CDD621.3

EDICIN:
Magdalena Browne, Constanza Larraaga
magdalena.browne@pearsoned.cl Presentacin ix
DISEO Y DIAGRAMACIN:
Carlos E. Capuay R.
DISEO DE PORTADA:
Carlos E. Capuay R.

Clasificacin de los amplificadores electrnicos , 3

D.R. 2010 por Pearson Education de Argentina
Av. Belgrano 615, Piso 11 Clasificacin de los amplificadores segn su clase 4
(C 1092M6) - Ciudad Autnoma de Buenos Aires

Primera Edicin, 2011 Distorsin 6

ISBN: 978-987-615-096-5
Distorsin de frecuencia 7
Queda hecho el depsito que dispone la ley 11. 723 Distorsin de amplitud 7

Reservados todos los derechos. Ni la totalidad ni parte de esta publicacin pueden reproducirse,
Distorsin armnica 7
registrarseo transmitirse, por un sistema de recuperacinde informacin en ninguna forma ni por Distorsin de fase 8
ningn medio, sea electrnico, mecnico, fotoquimlco, magntico o electroptico, por fotocopia,
grabacin o cualquier otro, sin permiso previo por escrito del editor. Distorsin por intermodulacin 8
Impreso en.Arqenna por Grfica Pintar S.A /T-Tres S.R.L Diferencia entre un amplificador de seales dbiles
Buenos Aires, Febrero 2011.
y uno de seales fuertes g

Potencia entregada por la fuente de alimentacin 1o

Rendimiento de u~ amplificador clase A con carga resistiva 11

Rendimiento de un amplificador clase A con carga inductiva 13

Amplificadores de simetra complementaria : 15

Funcionamiento considerando el semiciclo positivo
de la seal de entrada 16
mlll DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /VV'-.'------
NORBERTO GUILLERMO MUIO --

Funcionamiento considerando el semiciclo negativo Determinacin de la Av 47

de la seal de entrada .. .. 17
Clculo de los capacitores de acoplamiento y de los tirabotas 53
Rendimiento mximo terico de un amplificador
Clculo de la capacidad de compensacin Ceo 60
de simetra complementaria (clase B) 18
- CIRCUITO DINMICO EN ALTA FRECUENCIA DE LA SEGUNDA ETAPA 61
Clculo de la red Zobel 63
Clculo del rendimiento mximo real del amplificador 65
Proyecto deun amplificador de potencia 23
Clculo de disipadores 65
Consideraciones generales . .. 23 Normas de montaje para los transistores de potencia 71
Comienzo del proyecto .. .. .. .. .. .. 25 Circuito del amplificador de potencia terminado 73
Clculo de Vomax .. .. 25 Puesta en marcha y calibracin del amplificador 74
Clculo de Voef mxima 25
Clculo de lomax .. .. .. 25
Adopcin del valor de Rp1 = Rp2 25 Proyecto de un amplificador de potencia Hi-Fi 83

Clculo de la fuente de alimentacin 26 Diagrama en bloques de un amplificador Hi-Fi 83

Seleccin de los transistores de salida (par complementario) 27 Clculo de Vomax 86
- CONSULTA DE MANUALES TCNICOS Y SELECCIN
Clculo de Voef mxima 86
DE LOS TRANSISTORES .. , .. , , , , , , , , , , , .. .. .. .. .. .. " " 32
Clculo de lomax 86
Clculo de R1, R2 y Rv1 . .. 33
-PIRCUITO DINMICO DE SALIDA OPERANDO T1 : 33 Se adopta Rp1 = Rp2 86
r- AMPLIFICADOR CON CARGA ACTIVA EN LUGAR DEL TIRABOTAS .. .. .. 37 Clculo de las fuentes de alimentacin 86
Seleccin del transistor excitador (T3) 37 Seleccin de los transistores de salida
-REQUISITOS PARA LA SELECCIN .. .. .. 37 (par complementario) 87
.Clculo de R3 .. .. .. .. .. .. .. 39 Seleccin de los excitadores 87
Seleccin de T4 .. 40 Seleccin de los transistores del amplificador diferencial
- REQUISITOS PARA LA SELECCIN , , , .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. " 40
de entrada (ambos) 93
Determinacin del punto Q de la etapa de entrada 41
Clculo de R7 y R8 95
Clculo de R4 .. .. .. .. .. .. .. 41
Clculo de la capacidad del filtro de ripple 96
Clculo de R5 . .. .. 41
Clculo de las resistencias del circuito de entrada
Clculo de la red de polarizacin del transistor de entrada 44
de los amplificadores diferenciales 97
MiiiM DISEfJO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE A~-----

Clculo de las resistencias de polarizacin

de los amplificadores diferenciales 101
Clculo del multiplicador de VsE
Clculo de la capacidad de compensacin Cc1 = Cc2
103
105
Presentacin I
fil

Determinacin de los diodos de proteccin 01, 02 111

Clculo de la red Zobel 111
Seleccin de los capacito res Cf3 y Cf 4 111
Clculo de C 112
Mencin sobre Lp 112
Calibracin del amplificador 113
Simulacin del presente amplificador 113

Circuito final del amplificador de potencia Hi - Fi
E
I presente libro est destinado a alumnos avanzados de nivel univer-
114 sitario de la carrera de ingeniera electrnica, profesionales de espe-
cialidades afines, tcnicos en electrnica y tcnicos superiores, y ha
sido pensado con el criterio de combinar, de forma inmediata, la teora con
la prctica.

Los proyectos presentados han sido simulados sobre plataforma de soft-

ware de CAD dedicado, corroborando las exigencias del diseo. Hoy en da
la tendencia es a utilizar circuitos integrados de potencia entre 70W y 80W
por un tema de costo, pero con limitaciones para potencias de salida mayo-
res a 100 W. Utilizando la misma filosofa para uno de los ejemplos presenta-
dos, permiten poder realizar un proyecto para potencias de salida superiores
a 100 W.

l
 .
Clasificacin
de los amplificadores
electrnicos

Existen diferentes clasificaciones para los amplificadores electrnicos, segn

qu variable se considere. Una posible clasificacin los divide en amplifica-
. dores de seales dbiles y de seales fuertes. Otra clasificacin es segn el
nivel de frecuencia de las seales a amplificar, ya sean frecuencias de audio
o videofrecuencias. Estos, a su vez, pueden ser monoetapas o multietapas,
y dentro de estos ltimos tambin pueden ser discretos, hbridos o integra-
dos. Adems, se "los tiene a lazo abierto o a lazo cerrado y dentro de los
anteriores se los clasifica tambin en balanceados y desbalanceados. Esta
ltima clasificacin es segn como est conectada su carga terminal, es de-
cir, flotante o referida a masa. Otra clasificacin se refiere a las relaciones de
las variables de salida del amplificador con las variables de entrada, lo que
resulta en amplificadores de tensin, corriente, transconductancia y transre-
sistencia. Por ltimo, segn su forma de operacin o trabajo se dividen en las
siguientes clases: A, AB, B, C, O, E, G y H. Los ltimos mencionados son
muy importantes, ya que entra en juego el rendimiento de un amplificador
electrnico, parmetro muy importante para un amplificador de potencia.
Se define el rendimiento porcentual como:

Po
r% =--x 100
PCC
 ~.:

, - DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A/V'-~--- NORBERTO GUILLERMO MUll'ilO -

---~A/V'-

en donde Po es la potencia eficaz de alterna en la carga terminal del amplifi-
cador, el cual es excitado por una seal senoidal de frecuencia igual a 1 Khz
y Pee es la potencia entregada por la fuente de alimentacin a lo largo de un
ciclo de la seal de entrada.
Clasificacin de los amplificadores
segn su clase
Los tipos de amplificadores que se utilizan como amplificadores de potencia
de audio son los clase A, AB y B bajo la forma de tratamiento directo de la
seal de entrada, es decir, en tiempo real (a diferencia de los clase Den !
adelante, que funcionan de manera distinta a los anteriores). Hay dos aspec-
tos muy importantes que se deben considerar en el momento de elegir una
!
!,
I!
clase de amplificador: el rendimiento y la distorsin. A priori se indica que el
clase A tiene el menor rendimiento y la mxima linealidad (menor distorsin)
:_\
:i
y que el clase C tiene el mejor rendimiento, pero la peor linealidad.
Cuadro comparativo:

1. Amplificador clase A: es aqul en el cual la intensidad de corriente

de colector de seal circula durante todo el ciclo respectivo de la seal Clase A
de entrada. ClaseAB
2. Amplificador clase AB: es aqul en el cual la intensidad de corriente de
Clase B
colector de seal circula durante menos de un ciclo respectivo de la seal
de entrada y ms de medio ciclo de la misma. Clase c
3. Amplificador clase B: es aqul en el cual la intensidad de corriente
de colector de seal circula durante medio ciclo respectivo de la seal Linealidad Rendimiento
de entrada.
4. Amplificador clase C: es aqul en el cual la intensidad de corriente de Grfico ilustrativo del cuadro anterior
colector de seal circula durante menos de medio ciclo respectivo dela
seal de entrada. Se lo utiliza como etapa de salida de transmisores de
comunicaciones. Clase A ClaseAB
5. Ampificador clase D: este tipo de amplificadores funciona de una ma- li@ljfofj
nera, diferente a los anteriores. Opera al corte y a la saturacin con pulsos
modulados en ancho (PWM), es decir, opera en conmutacin, donde su
. rendimientomxlrno terico es del 100%.
6. Amplificador clase E: este amplificador es similar al anterior, pero fun-
ciona con dos valores de tensin de la fuente de alimentacin, de manera
que los mismos se adaptan automticamente al nivel de la seal tratada.
7. Amplificador clase G: es el smil europeo del amplificador clase E.
8. Amplificador clase H: el principio de funcionamiento de este amplifica-
dor es similar al clase E, pero en este caso el valor de la fuente de alimen- o o
tacin es variable.
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DEAU~
Clase B
litdWil
Clase C
lii4'iAtl
o tipo de distorsin se denomina no lineal, y se la puede disminuir considera-
Distorsin
Un amplificador ideal debera funcionar de igual modo para todas las sea-
les de distinta frecuencia y amplitud con que se lo excite, respondiendo con
una seal de salida amplificada o no, y de la misma ley de variacin que la
' seal de excitacin. En la prctica no sucede lo mencionado, ya que en el
proceso de amplificar una seal se produce un fenmeno de deformacin de
dicha seal a la salida del amplificador, es decir, la salida no es una rplica
exacta a escala de la seal de excitacin de entrada. Este fenmeno es co-
nocido con el nombre de distorsin. Hay varias causas que determinan este
NORBERTO GUILLERMO MUIO -
inconveniente, dentro de las cuales se pueden mencionar: la caracterstica
de transferencia no lineal de los dispositivos semiconductores y el tratamien-
to desigual de los mismos frente a seales de diferentes frecuencias y ampli-
tudes. En base a lo descrito existen diferentes tipos de distorsin:
Distorsin de frecuencia
Una seal peridica puede ser representada o reconstruida por una suma
algebraica de diferentes seales senoidales y cosenoidales de distinta am-
. plitud y frecuencia. Se demostrar ms adelante que la ganancia de un am-
plificador no es la misma para todas las frecuencias que componen la banda
de paso de dicho amplificador, por lo tanto, habr seales que sern ms
amplificadas que otras y, entonces, la seal de salida estar distorsionada
respecto a la de excitacin.
Distorsin de amplitud
Este tipo de distorsin se debe a una amplificacin diferente para seales
de excitacin de distinta amplitud. Esto ocurre debido a que los dispositivos
activos tienen una caracterstica de transferencia no lineal, amplificando
ms las seales de menor amplitud que las de mayor amplitud, en particular
dependiendo de las caractersticas del hFE del transistor en cuestin. Este
blemente mediante el empleo de realimentacin negativa y la utilizacin de
transistores que posean una transferencia casi constante del hFE en su
entorno de trabajo sobre dicha curva.
Distorsin armnica
Esta distorsin se encuentra presente en todo tipo de amplificadores y es
especialmente indeseable en los amplificadores de audio. La misma se debe
a las caracterlsticasdlnmicas no lineales de los dispositivos activos, gene-
rndose a la salida de stos seales de diferente frecuencia (armnicas de
la fundamental) que se suman a la de la seal excitacin, lo que causa una
deformacin en la seal de salida. Esta ltima no es una rplica exacta a
escala de la seal de entrada o, dicho de otro modo, la seal de salida no es
directamente proporcional a la seal de entrada.
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV'v '------ l _____ /VV\ NORBERTO GUILLERMO MUIO -

La distorsin armnica total se calcula de la siguiente manera:

Diferencia entre un amplificador
)[(A2)"2 + (A3)"2 + (A4)"2 + ... + (An)"2] de seales dbiles y uno de seales fuertes
DA%= A1 x 100
Los amplificadores clase A son aquellos que poseen polarizacin y operan
en la regin activa para todo el ciclo de la seal de entrada. Son indispensa-
En dondeA1 es la amplitud de la componente fundamental y A2, A3, etcte- bles para el tratamiento de seales dbiles y en este caso su rendimiento no
ra, son las amplitudes relativas de las armnicas segunda, tercera, etctera, interesa especialmente, ya que el nivel de potencia de salida que se maneja
respectivamente. Cuanto menor sea el valor de la distorsin armnica, mejor es bajo a muy bajo. En presencia de un amplificador de seales dbiles para
ser la calidad del amplificador en cuestin. el caso de un transistor bipolar se tiene que:

te = ISi e(Vee + vi)/Vr : ISi e(Vee/Vr) e(vi/V,) : IC e(vi/Vr)

Distorsinde fase
Este fenmeno se presenta tambin en todos los amplificadores y se debe ic = componente total de la corriente de colector (continua+ alterna)
al tiempo de propagacin de la seal de entrada en cada una de las etapas lsi = corriente de saturacin inversa
que _componen el amplificador en cuestin. Dicho tiempo es diferente para
V BE = tensin de corriente continua de la juntura base-emisor
seales de distintas frecuencias, lo que se traduce en cada seal en par-
ticular con un desfasaje distinto. Si la seal de entrada es una poliarmnica, v.1 = tensin de corriente alterna de la juntura base-emisor
su reconstruccin a la salida del amplificador se encontrar distorsionada Vr = 25 mV a temperatura ambiente
respecto de la seal original debido a este fenmeno. El problema se agrava ie = componente alterna
si el amplificador se encuentra realimentado negativamente y el nivel de fre-
cuencia de operacin es elevado. Tanto sta como la distorsin de frecuen- Para Vr > v.1 se puede desarrollar en serie de potencias, el trmino:
cia se producen simultneamente y tienen su origen en la presencia de
componentes reactivos parsitos en los dispositivos activos.

y reemplazando
Distorsinpor intermodulacin
Esta distorsin se produce cuando un amplificador es excitado por dos ic = le (1 + vi/Vr + 0,5 (vi/Vr)2 + (1/6)(vi/Vr)3 + ... )
seales de diferente frecuencia y, a la salida de ste, se producen seales
que pueden ser armnicas o no de las anteriores, como por ejemplo, la
suma o la diferencia de las frecuencias o de sus respectivas armnicas ic = le - le= le ((1 + vi/Vr + 0,5 (vi/Vr)2 + (1/6) (vi/Vr)3 + ... -1)
(f1 +f2, f1-f2, 2f1 + 2f2, 2f1 - 2f2, etctera). Tanto la distorsin armnica
como la por intermodulacin tienen su origen en las mismas causas: la y si VT vi, se tiene prcticamente que:
no linealidad de los dispositivos activos y la velocidad de respuesta de los
mismos. En el caso particular de esta ltima tambin influye el nmero de ic = le vi/Vr = gmvi, ya que lc/Vr = gm.
etapas del amplificador de potencia y la constitucin de la red de realimen-
tacin negativa.
1
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV\~---- _____ IVV\ NORBERTOGUILLERMOMUlrilO -

Hay que recordar que vi es la seal de entrada (valor pico) desarrollada
sobre la resistencia dinmica de entrada del transistor. Cuantitativamente
v.1 debe ser menor a 25 mV en amplitud pico. Si vi es igual a 10 mV, el error
que se comete es menor al 10%. Entonces, seales de valor pico iguales o
mayores a 25 mV que se aplican sobre la resistencia dinmica de entrada
del transistor, determinan un amplificador de seales fuertes.
La segunda integral definida es nula, por lo tanto, se obtiene que:
Pee = Vcc (lea + Isa) = Vcc leo
Para generalizar en esta ltima expresin, IEa engloba la intensidad de
corriente continua total del circuito.

Potencia entregada Rendimiento de un amplificador

por la fuente de alimentacin clase A con carga resistiva
La potencia media entregada o disipada por un elemento genrico es: Se considerar un amplificador en emisor comn del tipo Isa= constante.
1 T
P =-T f O vT i T dt

vT = valor instantneo total de las tensiones puestas en juego ---:-Vcc

ir = valor instantneo total de las corrientes puestas en juego Rb

_I_
vr = Vme + v(t) e ir= lme + i(t) o tambin corresponde a:
vr = Vcc + v(t) e ir = lec + i(t)
+
Con los subndices -me- se representan los valores medios de las seales y
con los subndices -ce- se representan los valores de las seales continuas.
v(t) e i(t) son componentes alternas de valor medio nulo.
Para el caso particular de una fuente de alimentacin:

vr = Vcc, e ir= (lea+ Isa)+ ic(t) =(lea+ lso)+ le sen (t)

El rendimiento mximo terico se calcula idealizando el transistor (Vcesat = O).
Para el caso de un emisor comn con polarizacin leo = constante:
o/~ = Po x 100 = (le Vee)/2 x 100
1 T 'YJ Pee Vcc(lca + Isa)
Pee = T f Vcc (lea + Isa) + le sen (t))dt
O

1 El numerador representa el rea sombreada del tringulo rectngulo (Fig. 6),

Pee = -T [JTo Vcc (lea + Isa) dt + fTo le sen ( t ) dt] recordando que la potencia eficaz de salida es:
1 T T _ le Vce le Vce
Pee = -T [Vec (lea + Isa) f dt + le f sen(t)dt] P o- v'2 v'2
o o 2
 - 'DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /'v'V"-~----- ____ __,/\/V'--- NORBERTO GUILLERMO MUIO -

En el grfico siguiente se evidencia que para aumentar el rea del tringulo
debe disminuir la pendiente de la recta de carga dinmica. Esto se logra
aumentando el valor de RL, pero el lmite es cuando RL-+ 00, es decir, coin-
cide la pendiente de la recta de carga esttica con la pendiente de la recta
de carga dinmica. Dicho de otra manera, la resistencia total de la malla de
salida es la misma para el circuito esttico que para el dinmico. Adems,
se considera que VcEO = Vcc/2, le = leo y se reemplaza en la expresin del
rendimiento.
' Po 100 (leo Vcc)/4 x 100 = 25%
ll ' = Pee x = Vcc (leo + Isa)
r%:::: 25% (con Vcesat =O, hFE;.::: 100 y RL - 00) y, adems, sin estabilidad en
la polarizacin. Este rendimiento idealizado tiene limitaciones importantes.
La principal es que no admite resistencia de carga terminal (R/ Un rendi-
miento tpico real de este tipo de amplificador es menor o igual al 10%.
Rendimiento de un amplificador clase A
con carga inductiva
~n!e~iormente, se determin que para aumentar el rendimiento se haca co-
1~c1d1r la rect~ d~ c~rga,din~ica con la recta de carga esttica, por lo tanto,
s1 se logra disrninur aun mas la pendiente de la recta de carga dinmica
res~ecto de la esttica, el rendimiento se incrementa, Sin embargo, para
realizar ~sto debe suceder que Rd sea mayor que Rest ( de la malla de salida
~el tr~ns1stor). P~ra lograr lo anterior, se debe recurrir al empleo de carga
inductiva, es decir, en el caso de una etapa emisor comn se reemplaza la
Re por un inductor o un transformador.
Utilizando tambin la configuracin de emisor comn se presentan los circui-
tos de las Figuras 7 y 8:

GRAFICO DE LA RECTA DE CARGA ESTATICA Y DINAMICA

le

--Vcc

Ra Le

Vcc/Rest Ca2
+
Cal

Potencia eficaz +

VCEQ Vcc Vce

 - DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /VV\.~----

Cabe destacar que en este tipo de amplificadores el punto Q se encuentra

muy cerca de la zona de corte, es decir, VcEO est cerca de Vcc. Adems,
segn el nivel de requerimiento del valor de la fuente de alimentacin, el
transistor debe llevar proteccin contra sobretensiones; habitualmente un
diodo en inversa entre colector y emisor. Considerando el caso . ideal se
--Vcc tiene que:
RB RL _l 11
% = Po x 100= (leo Vcc)/2
Pee Vcc (leo + lsc)
x 100 == 50%

Con Vcssat = O, hFE ~ 100 y, adems, sin estabilidad en la polarizacin.

Entonces, el rendimiento real de este tipo de amplificador est por debajo
del 50%.
+

Amplificadores de simetra complementaria

La resistencia esttica de la malla de salida para el primer circuito se resume
en la resistencia hmica del arrollamiento del inductor, la cual es de pequeo
valor (Rest = Rbobinado). Dinmicamente XLc debe ser mucho mayor que RL
a la menor frecuencia de trabajo u operacin, de tal manera que el paralelo
es dominado por R y, por lo tanto, la carga dinmica es casi constante para
todo el rango de fr~cuencias de operacin. La limitacin de esta topologa
radica en que R L no puede ser de bajo valor, ya que esto implicara una muy
baja amplificacin. Por esta situacin se recurre al uso de un transformador
cuando la R L es de bajo valor, de tal manera que la carga total que ve el
colector del transistor respecto de masa es:
ro // (n2 R L ) == n2 R L
En el diseo actual se trata de evitar los inductores y, en menor medida, los
transformadores; por ser voluminosos, pesados y, en ciertos casos, costo-
sos. Por tal motivo se trata de evitar el empleo de amplificadores clase A con
carga inductiva, salvo aplicaciones muy sencillas como es el caso de interco-
municadores domiciliarios. A continuacin se presentar una configuracin
circuital que no utiliza transformador ni inductor, y que posee un rendimiento
muy superior al clase A con carga inductiva. Se trata de los amplificadores
de simetra complementaria, como los muestra el circuito de la Figura 9.
-- y+
TI
RL
-

Generalmente, se tiene como carga terminal (RL) a la de un parlante (40, Vin

80, etctera); n es la relacin de transformacin e igual a V1/V2 o 12/11, T2
siendo V1 la tensin del primario, V2 la tensin. del secundario y as an- -- -- v-
logamente.

1 .
 - DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /VV'-_
Funcionamiento considerando el semiciclo
positivo de la seal de entrada
Considerando el semiciclo positivo de la seal de entrada sucede lo siguien-
te: el transistor que conduce es el NPN y el PNP se encuentra cortado,
consumiendo potencia solamente de la fuente positiva (V+). De lo descrito
se puede apreciar que mientras un transistor trabaja, el otro descansa, por
lo tanto, T1 trabaja en la configuracin colector comn. Las caractersticas
principales de esta configuracin son: presentar una baja impedancia de sa-
lida y una alta de entrada, poseer una amplificacin de corriente, y tener una
amplificacin de tensin menor a la unidad (casi la unidad). Lo mencionado
anteriormente est ejemplificado en el circuito de la Figura 10.
litij;fjllj
--=- y+
T1
+
T2
--=-v-
NORBERTO GUILLERMO MUIO -
Funcionamiento considerando el semiciclo
negativo de la seal de entrada
Considerando el semiciclo negativo de la seal de entrada sucede lo si-
guiente: el transistor que conduce es el PN P y el N PN se encuentra cortado
consumiendo potencia solamente de la fuente negativa (V-). Entonces T2
tambin trabaja en la configuracin colector comn, de tal forma que el n~m-
bre de simetra complementaria deriva del funcionamiento alternativo de los
transistores de salida, es decir, se complementan en su trabajo, el cual debe
ser idntico o simtrico para cada semiciclo.
Es muy importante destacar que cada transistor consume potencia de la
fuente respectiva cuando tiene la excitacin correspondiente en su entrada,
por lo tanto, en ausencia de seal a la entrada de la etapa, ambos transis-
tores se encuentran al corte. De esta manera no hay consumo de potencia
en las respectivas fuentes de alimentacin. Lo mencionado anteriormente
vislumbra un mejor rendimiento que el clase A, ya que este ltimo siempr~
consume potencia de la fuente de alimentacin, con o sin seal de excita-
cin. El circuito de la Figura 11 ejemplifica el funcionamiento de la etapa
para el semiciclo negativo de la seal de excitacin de entrada.
liiMili
:L
l
T1
-==--v+
RL
--
rr,;
T2
-==-v-
1
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO _____ A/V\
NORBERTOGUILLERMOMUIO -

Rendimiento mximo terico de un amplificador =

El mximo valor de Vomax (V+) - Vcssatt, dado que se est idealizando

de simetra complementaria (clase B]

= =
este clculo, se considerar Vcasatt Vcesatz OV, es decir, se est ideali-
zando los transistores. A continuacin se calcula:

Como se vio anteriormente el rendimiento porcentual de un amplificador se =

Pee Pee 1 + Pee 2; pero como el funcionamiento es simtrico se tiene que
define como: Pee 2 Pee 1 =
Entonces Pee = 2 Pee 1
n% = Po x 100 =
, Pee
PCC = 2(v+) Vomax
(Vomax)2 _ :rt RL
Po= 2R -
L Po
'Y]%=--x100
Pee
Pee = Pee 1 + Pee 2
Pee 1 = t J: (V+) le sen(t) dt [t~'J!~G",.q,n~J,6
(Vomax)2/2R (V)2/2RL :rt
'Y] o/c - . 100: 100 100
Como cada una de las fuentes opera durante medio ciclo de la seal de
o 2(v+)2/:rtRL
L X
2(v+}2!:rtRL X = X

entrada, la integral la expresaremos de la siguiente manera: ri % = 78,54%

Se debe recordar que este resultado es el mximo terico, ya que en la prc-
Pee 1 =-
2:rt
1 [r (V+) le sen(mt)) drot + J2'' (V+)O dmt]
O n tica, el 11% se encuentra en el orden del 55% al 60%. Esto ocurre porque los
transistores de salida no operan en clase B, sino en AB, es decir, se les hace
circular una pequea corriente continua de colector para eliminar la distor-
=
Se considera un caso particular donde t T (perodo), de tal forma que
sin por cruce, producto de las tensiones VsE de los transistores de salida, a
=
mt mT; pero hay que recordar que rot es un ngulo y en el caso particular las cuales hay que vencer.
=
roT 2:rt, por lo tanto, se modificaron los lmites de integracin y la variable ,
de integracin (dt por drot). Volviendo a la ltima expresin, se tiene que la
segunda integral es nula, ya que no hay circulacin de corriente de colector.
Entonces se resuelve que:

1 (V+) le
Pee 1 :: -2 fn sen ( rot) drot
:rt o

La ltima integral definida da como resultado 2, entonces se tiene que:

(V+) le (V) le
Pee 1 = 2:rt 2 = :rt
Vomax
pero le= lomax e lomax = R
L
 1

1
.
'
1

1
 Proyecto!
de un amplificador I
~i
de potencia I

Consideraciones generales
Los proyectos ms interesantes son los considerados "abiertos", los cuales
se caracterizan por contar con los datos indispensables y por no poseer res-
tricciones. Para el caso del proyecto o diseo de un amplificador de potencia
deaudio se deben tener en cuenta los siguientes puntos:
1. Potencia eficaz de salida sobre la carga terminal (Po)
2. Carga terminal, parlante o combinacin de los mismos (RL)
3. Ancho de banda, especficamente fcsf y fcif
4. Impedancia de entrada del amplificador
5. Sensibilidad
6 .. Factor de Damping
7. Porcentaje mximo de distorsin armnica admisible
8. Tipo de arquitectura circuital a utilizar

El punto 6 se considera para los amplificadores de potencia del tipo Hi-Fi,

los cuales son los mejores de la especie.
El punto 7 es muy importante, ya que establece una restriccin considerando
que en el caso de un amplificador Hi-Fi, la THD% (Total Harmonic Distortion)
debe ser menor al 0,1%.
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /VV'..~----

El punto 8 influye en el nivel de la potencia de salida y el compromiso Comienzo del proyecto

econmico que conlleva el proyecto. Los amplificadores ms sencillos poseen
tres etapas, y los ms elaborados y caros, hasta cinco o seis etapas.
Clculo de Vomax
(Voef)2 Vomax (Vomax)2
Po = R ; Voef = v'2 , de tal forma que Po =
L
2R L

! illN!~litllI
1 Despejando Vomax =v'2 Po RL = V(2 15W 80) = 15,4919 V

La sensibilidad Ses el nivel de la tensin de entrada (RMS) que permite ob-

tener la potencia mxima sobre la carga terminal estipulada en el proyecto. Clculo de Voef mxima
La eleccin del circuito depende de lo mencionado anteriormente y, adems, Vomax 15,4919
de la experiencia propia del proyectista. Para este diseo se sugiere el Voe f = v'2 = V = 10,9545 V
v'2
circuito de la Figura 12, el cual consta de tres etapas:
1. Etapa de salida clase AB de simetra complementaria
Clculo de lomax
2. Etapa excitadora clase A
Vomax 15,4919 V
3. Etapa de entrada o preexcitadora clase A I omax = R = 80
= 1,9365 A
li@i@ifl L

R7
Adopcin del valor de Rp1 = Rp2
-==-vcc Tanto Rp1 como Rp2 tienen como funcin brindar proteccin trmica a los
l transistores de salida, ya que se tratan de resistores del tipo PTC (aumenta
su resistencia con el aumento de la temperatura). Rp1 protege a T1 y Rp2 a
R6
T2, pero, a su vez, su presencia en el circuito provoca una prdida de poten-
cia que va en perjuicio del rendimiento del amplificador. Cuanto mayor es el
Vo
valor de las Rp, mayor es la proteccin trmica y menor el rendimiento; por
lo tanto, se considera un valor mximo igual al 10% del valor de RL y un va-
~,__+ _ ____,
Yin C
=
lor mnimo igual al 5% de RL. Para nuestro proyecto Rp1 Rp2 deben estar
comprendidas entre 0.,40 y 0,80; teniendo presente que 5% RL s Rp s 10%
= =
RL, de tal forma que se adopta Rp1 Rp2 0,390 (valor comercial)= 0,40.
= =
Adems, se debe calcular su disipacin (lomax / 2)2 Rp1 (1,9365 / 2)2
0,390 = 0,36563W, valor comercial 0,5 W. Es necesario recordar que cada
transistor opera durante casi medio ciclo, por lo tanto, la corriente eficaz para
esta situacin es lomax/2.
 NORBERTOGUILLERMOMUIO

Clculo de la fuente de alimentacin Los del grupo 1 son los de encapsulado plstico tipo T0-92, SOT 54, los
cuales trabajan sin exigencia de disipacin de potencia; tal es el caso de los
liM'MIEI BC 547/549, los 2A98, etctera. En este grupo estadsticamente las Vcasat
estn comprendidas entre 0,2 V y 0,5 V.

=L
.izz;:
Los del grupo 2 tienen un encapsulado tipo TO 220, SOT 32, donde el co-
lector del transistor se encuentra conectado o adosado a una lmina de me-
Tl tal y el conjunto tambin posee un encapsulado plstico. Como ejemplo de
este grupo se pueden citar los transistores BD 437/438, TIP 31C, etctera.
En este grupo las Vcssat se encuentran comprendidas entre 0,5V y 1V.

0,39 Finalmente, los del grupo 3 son los de encapsulado totalmente metlico caso
TO 3. Ejemplos de estos transistores son los MJ 15001/2, 2N 3055, etctera;
o los de encapsulado tipo TIP, los cuales son hbridos; es decir, parte metli-
ca y parte plstica, como son los TIP 2955, TIP 3055, etctera. En este gru-
po las Vcssat se encuentran comprendidas entre 1 V y 2,5 V. Cabe destacar
0,39
que las vcssat se incrementan con el aumento de le.
Los transistores de salida de este primer proyecto se encuentran en el
segundo grupo, por lo tanto, se adopta la Vcssat en 1V.
T2
-=-v- 1-r5,,;te1.qJ8__ v+= Vcasatt + 16,247V = 1V + 16,247V = 17,247V
Vcc = 2v+ = 2 * 17,247V = 34,494 V

En este punto se debe normalizar el valor obtenido recientemente y llevarlo

Suponiendo que se opera con el transistor T1, es decir, si se considera el
a 35V siempre hacia arriba, nunca se lo debe disminuir. Cabe destacar que
semiciclo positivo de la seal de entrada a este transistor y con mxima
este proyecto es una primera e importante aproximacin a lo que ser el
seal, se tiene que:
amplificador final. Se debe recordar que una vez seleccionados los transis-
v+ = Vcssatt+ lomax (R L + Rp1) = vcesatt + 1,9365 A 8,390 tores de salida hay que verificar las correspondientes Vcssat y, de ser nece-
=Vcssatt + 16,247V sario, se puede aumentar la Vcc.
Al no tener seleccionados los transistores de salida, vcssatt y vcssatz son
incgnitas. No obstante, se puede salvar este inconveniente adoptando cri-
teriosamente dicho parmetro, como se detalla a continuacin. A los tran- Seleccin de los transistores de salida
sistores bipolares se los puede dividir en tres categoras segn el nivel de (par complementario)
potencia en que trabajan:
Para este fin se debe tener en cuenta lo siguiente:
1. Baja potencia
1. lcmax 3. PDmax
2. Mediana potencia
3. Alta potencia 2. BVceo 4. hFE
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO NORBERTO GUILLERMO MUIO
'--~~-------~~---_:__,/V\/'-~~~~~-

Para el primer punto se tiene que lcmax ::::. lomax =

1,9365 A (lomax = vc-r(t) = Vcc
lemax). Es obvio que el transistor a elegir debe tener una lcmax superior a
este valor de 1,9365 A, es decir, el valor determinado en principio es el piso. vs-rtt) = (Vcc/2) + Vomax sen(wt)
Ms adelante se justificar este criterio.
En el segundo punto hay que tener presente que cuando un transistor de tal forma que:
conduce, el otro se encuentra al corte, por lo tanto, BVcEO es mayor que vcst) = Vcc,.... [Vcc/2 + Vomax sen(wt)]
Vcc. Tomando un coeficiente de seguridad se puede adoptar que BVcEo ~
Vcc/0,75 y BVcEo ~ 35 / 0,75 = 46,666 V. vcstt) = Vcc/2 - Vomax sen(wt)
Posv = _21[J2lt [[Vcc/2 - Vomax sen(wt)]Vomax sen(wt)]dwt ]=
Clculo de la potencia disipada mxima por los transistores de salida:
Jt o ~
a) Para el caso de fuente nica se considera un solo transistor, ya que para
Posv =-1 [J2lt [(Vcc/2)Vomax sen(wt) - V2omax sen2(wt)] dwt
el otro el resultado es idntico.
. 2Jt o RL
La potencia disipada instantnea en el transistor es:
Se debe tener en cuenta que las integrales se deben calcular entre los
pdt(t) = ic(t) VCE(t) lmites O y n; ya que entre n y 2n las mismas son nulas debido a que no hay
Esta frmula no brinda la informacin necesaria, ya que puede tomar circulacin de la corriente de colector del transistor considerado.
distintos valores e incluso puede ser nula. Lo importante es determinar
la potencia media disipada a lo largo de un ciclo o perodo de trabajo de _ _:L_ Jlt [Vcc/2 Vomax sen(wt)] drot r [V2omax sen2(wt)] dwt _
un transistor, puesto que se debe tener presente que cada uno de los PDAV - 2Jt [ o R o R 1-
L L
transistores trabaja durante medio ciclo de la seal de entrada mientras
el otro descansa.
1
2Jt
[[
[Vcc VomaxJ
2RL
J: sen(wt) dwt] - [ v omax
R
2 lt
J0 sen 2 (wt) dwt]]
L
1 T
Posv = ,=JO vcejt) ic(t) dt
La primera integral es igual a 2 y la segunda es igual a n/2.
VcE(t) = Continua + alterna = valor total _ Vcc Vomax V2omax
P DAV-
ic(t) = Continua + alterna = valor total 2 R -
Jt
4R
L L

1 J2lt VCE( oit) ic( rot) dwt

PDAV = -2 Como se puede observar la PoAv es funcin de la amplitud de la tensin de
Jt o
salida, la cual hemos llamado Vomax, ya que todo lo dems es constante.
=
ic(t) lcmax sen(wt), porque la componente de corriente continua es muy Entonces, se debe determinar si la funcin posee un mximo, para lo cual
pequea y, por lo tanto, despreciable. Adems, se debe recordar que: se deriva la funcin respecto de Vomax y se iguala a cero. Si se encuentra
un valor que anule esta derivada, se puede estar ante la presencia de un
lcmax :::: lomax = Vomax/R .
L mximo o de un mnimo, por lo que se debe calcular la segunda derivada
VCE(t) = vc-r(t) - VE-r(t) y analizar su signo. Si el signo es positivo, se trata de un mnimo. y si es
vc-r(t) = Tensin total de colector respecto de tierra negativo tenemos un mximo.
VE-r(t) = Tensin total de emisor respecto de tierra
dPDAV o =
dVomax
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO !V'V','- _ NORBERTOGUILLERMOMUIJiJO -

l~IIU@iJJ., , 2~1_ Vcc _ Vomax = 0 Adems, se deben tener en cuenta las consideraciones hechas para fuen-
2Jt RL 2RL . te nica. Para simplificar un poco el desarrollo partimos de lo siguiente:
. d o se t'iene que: Vomax = Vcc
y reso 1 vien n P DAV
= _1 [Jlt [(v+) Vomax sen(wt)] dwt _ Jlt [V2omax sen2(wt)] dwt ] =
2Jt o R o R
A continuacin se calcular la segunda derivada y se analizar su signo. 1
+
[V Vomax] lt
L
v 2omax lt
L
.
2Jt [[ R J0 sen(wt) dwt] - [ R J 0 sen2 (rot) dwt]]

d2 PDAV - _1_ L L

d V2omax 2 RL
La primera integral es igual a 2 y la segunda es igual a Jt/2.
Como el signo es negativo el valor hallado de Vcc!Jt corresponde a un mxi-
mo de la PoAv. Reemplazando a Vomax por vcct se tiene que: v+ Vomax V2omax
P DAV= - ---
Jt RL 4RL
V2 ce
Powmax = 2n2 RL d PDAV
Se procede de manera idntica al caso anterior: d Vomax O
Como las fuentes de alimentacin generalmente no son reguladas, pueden ..Y:_ _ Vomax = 0
estar sujetas a fluctuaciones de su valor nominal debido a uctuaclones en
Jt RL 2RL
la tensin de red domiciliaria. Por tal motivo se considerar una variacin del
10% en la misma y tambin, una tolerancia en la impedancia del parlante y resolviendo se tiene que:
del 20% por dispersin de fabricacin. Entonces se tiene que: 2 v:
Vomax= ~
(1,1 Vcc)2 (1,1 Vcc)2 (1,1 Vcc)2 (1,1 35 V)2
PoAvmax- 4n2 (O 8 R) - 40 (O 8 R) = 32R - 2560 -5,79W
' L ' L L Como se puede apreciar, y es lgico, llegamos al mismo resultado que
Pawmax = 5,79 W == 5,8 W para fuente nica dado que 2 V+ es igual a Vcc. Todo el resto del anlisis
es idntico.

b) Para el caso de fuente partida, se considera un solo transistor, ya que
para el otro el resultado es idntico.
Al tener fuente partida no hay nivel de continua entre los emisores de los
transistores de salida y masa, por lo tanto, se tiene que:
VCE(t) = vc-r(t) - VE-T(t)
vc-r(t) = Tensin total de colector respecto de tierra
VE-r(t) = Tensin total de emisor respecto de tierra
vc-r(t) = v+
VE-r(t) = Vomax sen(wt), de tal forma que:
vcstt) = (v+)- Vomax sen(wt)
Es muy importante el estudio del resultado obtenido. Si calculamos para el
= =
caso de nuestro proyecto Vomax = 35 V/Jt 35V/3,1416 11,14V; este valor
es el que produce la mayor disipacin de potencia por parte de los transis-
tores de salida. Es de observar que con esta amplitud mxima de la tensin
de salida no se obtiene la mxima potencia eficaz de salida sobre la carga,
ya que este valor es de 15,SV para nuestro proyecto. En resumen, cuando
el volumen del amplificador est al 72% de su valor mximo, los transisto-
res de salida disipan la mxima potencia de salida, por lo tanto, es su peor
condicin de trabajo de todas las posibilidades que se pueden presentar.
Si trabajamos el amplificador a mximo volumen, se tiene la mxima poten-
cia eficaz (15W) de salida sobre la carga y, en esta condicin, los transisto-
res de salida disipan menos potencia, es decir, trabajan con menos exigen-
cia que para un volumen del 72%. Finalmente, se debe tener en cuenta el
1:
1

.. DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A./'V',___ _

NORBERTO GUILLERMO MUIO -

hFE y se debe seleccionar aquel par complementario que, cumpliendo con

los requisitos anteriores, posea el mayor hFE.
Clculo de R1, R2 y Rv1
A continuacin se calcular lb1max, en otras palabras, la mxima corrien-
Llegado et caso, los transistores de salida pueden ser reemplazados por
te de base de seal que excita los transistores de salida para obtener la
D'Arlingtons integrados tipo NPN y PNP, considerando el aumento en el
mxima potencia de salida sobre la carga.
costo del proyecto.
_ lc1max 1,9365 A
lb1 max - 1 + hFE1 = = 16,14 mA
CONSULTA DE MANUALES TCNICOS Y SELECCIN DE LOS TRANSISTORES 121

CIRCUITO DINMICO DE SALIDA OPERANDO T1

lcmax ~ 1,9365 A 1,5 A ?A
BVcEo ~ 46,66 V 80V 45V 60V
PoAvmax ~ 5,8W 8 W (*) 36 W (**) 15 W (***)
hFE EL MAYOR 5 120 1500
Rvl Iblmax
(*) A Te (temperatura de carcasa)= 70 C T1
(**) A Te (temperatura de carcasa)= 25 C Ic3max Vbesat
(***) A Te (temperatura de carcasa) = 70 C

T3 Rpl
El par complementario BD 139/140 no cumple con el nivel de corriente mxi-
Vo
ma, pero hay casos como ste en que el lmite de 1,5 A no es de carcter
destructivo, sino que el transistor posee un muy bajo valor de hFE y pierde
mucha eficiencia, por lo tanto, descartamos este par complementario. El par
BD 437/438 cumple todo menos la tensin de ruptura (con una tolerancia del
25%), pero si hacemos el siguiente cociente:
35
Vcc = V= o 7777 porcentualmente 77,77 % y el lmite mximo es 75%
BVcEo 45 V ' '
La diferencia es muy pequea y prcticamente no incide en la seguridad
En el circuito de la Figura 14 se puede analizar que lc3max = lb1max + I?.
operativa de los transistores. El par BD 777/778 cumple perfectamente
Esta ltima (I?) no brinda ningn beneficio, ya que es una corriente de seal
con los requisitos y, adems, el hFE es muy elevado por tratarse de un par
que se pierde a masa, por lo que debe ser lo menor posible, esto es, lb1max
D'Arlington. Finalmente, la eleccin recae en el par complementario ms
I?. El excitador T3 funciona en clase A y en este tipo de amplificador se
econmico y, tambin, en que se lo pueda conseguir en el mercado local.
debe cumplir que leos es mayor o igual a lc3max.
El proyecto se realizar en funcin del par BD 437/438, el cual desde el
Entonces, si se adopta un valor para I? y despus se lo verifica por un m-
punto de vista didctico es ideal, ya que se harn anlisis muy importantes
durante la evolucin del proyecto que llevar a conclusiones trascendentes
todo iterativo, se llega al valor final. Se supone para empezar que I? 10% =
lb1max, I? = 1,614 mA; de tal forma que lc3max = 16,14 mA + 1,614 mA =
para considerar a futuro.
17,754 mA; de tal manera que lco3 ~ 17,754 mA, por lo tanto, en principio
... DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DEAU~
~~----- /\/\~~~~~~~~~~~~~~~~------ NORBERTO GUILLERMO MUIO I

se adopta leos = 19 mA. Es probable que se tenga que aumentar este valor, Pero VcEa3 debe ser casi igual a Vcc/2, es decir, la mitad de la tensin de
pero en la medida que leos sea mayor a lc3max, el rendimiento de esta eta- fuente. Esto es lgico, ya que T3 es el excitador que debe excitar a T1 para
pa disminuye. Entonces, se concluye que se deber contemplar el perfecto el semiciclo positivo de la seal de salida y a T2 en el otro semiciclo. Dada
funcionamiento de esta etapa con el mejor rendimiento posible. esta consideracin se tiene que:
Para calcular R1, R2 y Rv1 obtenemos el circuito esttico de la Figura 15:
(R1 + R2 + Rv1) = Vcc - VcEa3 Vcc - (Vcc/2) = Vcc/2 = 17,5 V
ICQ3 leos lees 19 mA
(R1 + R2 + Rv1) = 921,05260

Para eliminar la distorsin por cruce debe existir una diferencia de potencial
-=-35V entre las bases de T1 y T2, y la misma se produce por la circulacin de leos

l a travs de Rv1.
Vsr-r - Vsz-r = lca3 Rv1
Dicha diferencia de potencial puede oscilar entre 1V y 1,5V. Tomando el
BD437 rango ms alto, esto es 1,5V = 19 mA Rv1 y despejando Rv1:

Rv1 = 78,9470, adoptando un valor comercial de 1000

1~5~A

La potencia que debe disipar dicho preset es (0,019 A)2 100 O= 36,1 mW,
por lo tanto, no hay exigencias de disipacin.
Luego, R1 + R2 = 921,053 O- 78,947 O= 842,106 O.
A continuacin se tendrn en cuenta las siguientes consideraciones para
determinar los valores de R1 y R2. En el circuito dinmico de la etapa de
salida se puede observar que R1 se encuentra en paralelo con la carga, por
consiguiente, R1 debe ser mucho mayor que 8 O. Como no se deben modi-
ficar las condicionesde salida, el criterio de diseo es R1 :?: 20 RL; R1 ~ 20
8 O, es decir, R1:?: 1600. El valor comercial es de 180 O (220 O), la potencia
a disipar es de leos" 180 O= (19 mA)2 180 O= 64,98 mW y el valor comer-
cial, 1/8W o 1/4W. Ahora se despeja R2 = 842,11 O - 180 O = 662,11 O;
= =
valor comercial 680 y potencia a disipar lca32 6800 (19 mA)2 680 O =
245,48 mW-+ 1/4W. Adems, se debe considerar que R2 debe tener el valor
lo ms elevado posible, ya que por ella circula una corriente de seal que no
brinda ningn beneficio, que debe ser lo ms pequea posible; por eso se re-
Se plantea lo siguiente: curri al uso de una configuracin bootstrap o tirabotas, la cual impone una ten-
sin pequea sobre los extremos de R2, es decir, est forzando un potencial
vcc= leos (R1 + R2 + Rv1) + VcEQ3 pequeo sobre ella e igual a:
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/V\ _ _ /\/\/\ NORBERTO GUILLERMO MUIO -

(Vsatsat + le1max Rp1) 1,2 V+ (1,9365 A 0,390) AMPLIFICADOR CON CARGA ACTIVA EN LUGAR DEL TIRABOTAS
I? = ---------= ---------=
R2 6800
?. = 1,2 V+ 0,7552 V = 2 875 mA
liiMAiil
I 6800 ' . R7

Este valor verificado es superior al adoptado 19mA - 16,14mA 2,86 mA, =

pero casi igual. No obstante, se deben tener presentes las siguientes alter-
nativas:
Eleg\r un par complementario de mayor hFE
Elegir un par complementario D'Arlington
R6
Reemplazar el bootstrap o tirabotas por una carga activa
Aumentar Vcc (disminuye el rendimiento)
Disminuir el valor de Rp1 (= Rp2) a 0,33 O Rvl Rpl Ca
R4 Vo
+
Vamos a adoptar la ltima de las opciones, ya que es la ms sencilla y este
proyecto es una primera aproximacin al amplificador real.
V!n ) +
I? =
(Vaetsat + le1max Rp1)
R2
=
1,2 V+ (1,9365 A 0,33 O)
680 O
=
T4
Ceo
Rp2
tz Cz
RL

1,2V + 0,639 V 1,839 V

I?=------=
680 o 680
O = 2,70 mA < 2,875 mA.
+
T3
En el siguiente circuito se reemplaza el tirabotas por una carga activa, la
R3
cual est compuesta por T5, T6 y R que conforman una fuente de corriente
espejo. En la prctica se utilizan fuentes de corriente ms elaboradas des-
de el punto de vista de su estabilidad esttica. En este caso, se ha utilizado
la fuente espejo por su sencillez en la aplicacin y su fcil visualizacin en
reemplazo del tirabotas, es decir, la fuente espejo reemplaza a R1, R2 y
Cb1. Los amplificadores de audio integrados modernos no utilizan la tcni-
ca del tirabotas, sino fuentes de corriente muy estables desde el punto de Seleccin del transistor excitador (T3)
vista trmico y frente a fluctuaciones de las fuentes de alimentacin. Cabe
REQUISITOS PARA LA SELE~CIN:
destacar que los amplificadores de potencia de audio integrados tienen
una difusin cada vez mayor por su bajo costo y su sencillez en la aplica- 1. iCMAX
cin prctica, en otras palabras, el circuito impreso es muy sencillo y ms 2. BVcEo
econmico. Sin embargo, cuando fallan, su reemplazo es mucho ms cos-
toso y, por ahora, son ms frgiles desde el punt<:> de vista trmico que los 3. PDmax
amplificadores discretos. 4. hFE
.. DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO AAA-----
----~/\/V\ NORBERTOGUILLERMO MUlf:10 -

1. ic3MAX = leos + lc3MAX = componente continua + componente alterna Clculo de R3

ic3MAX = 19 mA + 18,84 mA
Para ,el clculo de R3 se considerar el circuito de la Figura 17.
Se debe recordar que:
ic3MAX = lb3max + I? = 16,14 mA + 2,7 mA 14tMAifl
ic3MAX ~ 37,84 mA

2. BVcEo3 ~ Vcc/0,75 = 35 V/0,75 = 46,667 V

BVcE03 ~ 46,667 V T4

3. Pomax3_ ~ lco3 VcEo3 (es la peor condicin para un clase A) lcQ4 i lBQ3
-+
-------
Pomax3 ~ 19 mA 17,5 V= 332,5 mW T3

Pomax3 ~ 332,5 mW
R3
4. Cumpliendo con las condiciones anteriores se debe elegir el transistor de
mayor hFE.

iCMAX ~ 37,84 mA 1000 mA 400mA 400mA

BVCEO ~ 46,667 V 45V 60V 40V 13 = lco4 - 1003, pero para la estabilidad del punto Q3 se debe independizar
de las variaciones de 1003, por dispersin de fabricacin o por variaciones
Powrnax ~ 332,5 mW 800 mW (*) 360 mW (**) 625 mW (***)
de temperatura; por lo tanto, lco4 es mayor que 1003. La relacin que debe
hFE EL MAYOR 174 125 160 existir entre lca4 e 1003 depende del valor de esta ltima. Cabe destacar que
la estabilidad de la polarizacin de las etapas de este amplificador depende,
(*) A temperatura de carcasa (Te)= 45 C
(**) A temperatura ambiente (Ta ) s 25 C
fundamentalmente, de la estabilidad de la primera etapa y la consideracin
(***)A temperatura ambiente (Ta ) s 25 C
anterior es una precaucin ms; de tal manera que se puede considerar para
este caso que 51003 s lco4 s 10 1003. Se debe recordar que estas relaciones
se aplican para acoplamiento directo, de tal forma se adopta que:
La seleccin recae sobre el BC 337 lco4 = 5 1003
13 = lca4 - 1003 = 5 1003 - 1003 = 4 1003

1003 = lco3 =
19/!t = 109,195 uA
hFE3
 _DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /V'..A~----
NORBERTO GUILLERMO MUIO --

13 = 4 (109,195 uA) = 436,781 uA

Determinacin del punto Q de la etapa de entrada
R3 = VeE3 = 0,65 V = 1488160 n -+ 1500 n (valor comercial) La etapa de entrada disipar una potencia muy pequea, por lo tanto, no
13 436,781 uA '
est sujeta a embalamiento trmico y no se tiene la limitacin para VcEO
La tensin VeE3 se obtiene del manual tcnico respectivo, de la curva de de ser menor o igual que Vcc/2 (para la etapa de entrada, Vcc ser igual a
le= f (VsE). 17,5 V). Otro criterio prctico que se utiliza desde los comienzos de los di-
La potencia que debe disipar R3 es 132 R3 = (436,781 uA)2 1500 n = 286 uW, seos de las redes de polarizacin es el de adoptar una tensin sobre la
por lo tanto, se adopta una potencia de 1/8 W. resistencia de emisor igual al 20% de la tensin de alimentacin, es decir,
de 3.5 V (0,2*17,5 V). Sin embargo, tambin se debe tener en cuenta que el
valor de R4 y, por lo tanto, de R5 influirn en la amplificacin de la primera
Seleccin de T4 etapa del amplificador a lazo abierto. Esto es muy importante, ya que esta
amplificacin total a lazo abierto debe ser lo ms alta posible para que la dis-
REQUISITOS PARA LA SELECCIN: torsin sea lo ms pequea posible, como se demostrar ms adelante. Otra
1. iCMAX posibilidad es centrar el punto Q como recaudo para tener a priori excursin
2. BVceo simtrica, lo cual no es tan necesario en esta primera etapa, puesto que la
excursin de seal y la potencia disipada por el transistor de esta etapa son
3. Pomax mnimas.
4. hFE
5. Transistor de bajo ruido (etapa de entrada)
17,5 V= VEco4 + 1Eo4 R4 + 13 R3; 1Ea4 R4 = 3,5 V; 13 R3 = 0,655 V
Entonces:
VEca4 = 17,5 V - 3,5 V - 0,655 V= 13,345 V

lcrnax z 1,091 mA y se debe recordar que:

BVceo:2= 23,33 V lca4 = 0,546 mA
Powmax e 9,554 mW 625mW 300mW 500mW
hFE EL MAYOR 160 270 220 Clculo de R4
VR4 3,5 V
El pu~to 5 es muy importante para la etapa de entrada del amplific~dor, ya R4 = 1Ea4 = 0,546mA = 6.41 KQ -+ 6,8 KQ
que en sta se consideran las mejores alter~ativas ~om~ u~ transistor de
bajo ruido, de tal manera de tener el menor ruido posible intrnseco del am- Se debe recordar que en este caso IEQ4 == ICQ4
plificadora la salida. En este caso; tambin es muy importante q~e el hFE d~I
transistor de entrada sea lo ms alto posible para poder lograr la lmpedancia Clculo de RS
de entrada solicitada con holgura y, finalmente, una estabilidad muy alta de

~~:t
la polarizacin de esta etapa, ya que de sta dependen las dems p~r el Se debe recordar que:
acoplamiento directo. En principio se elige el BC ?598 por ser un transistor 1
de bajo ruido y el de mayor hFE. Avf = ~ = V = 27,386
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV"--------
@W
~~---/VV\~---~~~~~==-~==:~~---------~ ---- NORBERTO GUILLERMOMUlf:JO

Este valor de R5 es elevado e influye en la amplificacin de tensin de

Av
Pero Avf =
1 + ~ Av
la primera etapa, ya que la misma es aproximadamente - (ri3 // R3)/R5,
pero
y en un amplificador fuertemente realimentado se tiene que: ~ Av 1, ~or
ri3 = Vr = Vr hFE3 _ hFE3 = 174
lo tanto, Avf == 1 y ~ es la transferencia de la red de realimentacin negativa ls3 lca3 gm3 40 19 mA 228,947 Q
que conforma fi divisor de tensin resistivo compuesto por R4 Y R5, como lo
muestra el circuito de la Figura 18.
= =
Luego, (ri3 // R3) (228,947 Q // 1,5 KQ) 198,63 O. Como se puede
apreciar para tener amplificacin en la primera etapa, R5 debe ser me-
nor a este valor. No obstante, R5 cumple un doble rol; por un lado debe
cumplir lo anteriormente dicho y por otro, debe ser grande para obtener
una Rif elevada; Adems, se debe tener en cuenta que la amplificacin
de tensin a lazo abierto queda prcticamente determinada por las am-
plificaciones de tensin de la primera y segunda etapa, las cuales deben
BC559B ser lo ms grande posible, como se demostrar ms adelante. En primera
instancia, se adopta un valor para R5 igual a 18 O, de tal manera que la
Rv2 R4 Vo amplificacin de la primera etapa es aproximadamente igual a - (198,63
=
Q)/18 n -11,035. Como esta parte del proyecto es tentativa, este valor
calculado es aproximado y se deber verificar una vez que tambin se
compruebe el valor de Rif. Sin embargo, ahora se debe recalcular el valor
R6
de R4, recordando que:
1 R4 + R5 R4 R4
~ - RS =1 + RS = 27,386; RS = 27,386-1 = 26,386

R4 = 26,386 R5 = 26,386 18 Q = 474,948 Q -+ 470 Q (valor comercial).

Posteriormente se verificar que R4 + R5 no influyen dinmicamente sobre
1
~=
R4 + R5 _ 1 + R4
R5 - R5
= 27, 386, R4
R5
= 27 ' 386 - 1 = 26,386 la carga terminal de 8 O. Este valor difiere del calculado para obtener la
ICQ4, por lo que se adopta la solucin de dividir R4 en dos resistencias en
= =
serie: 6,41 KO 470 O+ R4*, por lo tanto, R4* 6,41 KO - 470 Q 5,94 KQ =
Despejando R5 se obtiene que: -+ 5,6 KQ (valor comercial).
= R4 . = 6,8 KQ = 257 71 Q Recalculando IE04 se tiene que R4 = 470 Q + 5,6 KQ = 6,07 KQ , de tal forma que:
RS 26,386 26,386 '
IE04 = :}7VKQ = 0,5766 mA; valor anterior 0,546 mA, siendo mnima la
diferencia.

La Figura 19 muestra el nuevo circuito para la solucin planteada

 ~,- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV\/"- _
NORBERTOGUILLERMO MUIO

liiMAIPI
R7

BC559B -=-3sv
Rv2 4700 5.6kQ Vo
_l_
R6

Iao4 6.07 kQ

R6
BC 559B
-=-11.sv
_1
Rv2

1.5 kQ

Clculo de la red de polarizacin del transistor

de entrada
A continuacin se considerar el circuito esttico de la primera etapa para
poder calcular las resistencias involucradas en la malla de entrada. stas
son ~v2, R6 y R7.

16 = 1 Bo4 + 15' lsa4 = lco4

hFE4
= 5766270mA = 0,0021355 mA = 2,1355 uA

No obstante, 16 debe ser similar a 15 para obtener una red de polarizacin

estable e independiente de lso4, por lo tanto, 15 lso4. Cuanto mayor sea
esta desigualdad, ms estable ser la polarizacin Sin embargo, el lmite lo
impone la resistencia de entrada estipulada para el amplificador, la cual es
dato del proyecto, de tal manera que se deben cumplir los dos requisitos al
mismo tiempo.
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV'v'------

Se debe contemplar tambin que Rv2, dinmicamente, se encuentra en Determinacin de la Av

paralelo con hie4, como lo muestra el circuito de la Figura 21.
liMuJ.ffl
iitMtfJI
--
Riaf Vi

Rpl
Vo
R3

R4 RL R4

-- R5

--

= =
R4 + R5 4700 + 180 4880, luego el paralelo de (R4 + RS) 11 R1 // 8 o,
es 7,540, por lo tanto, el paralelo lo domina la carga, es decir prcticamente
es8 O. '

Por otro lado, se tiene que R6 se encuentra conectada en paralelo con la

resistencia dinmica de entrada realimentada de T4, es decir, Riaf (R6 11 =
Rif), donde Rifes la resultante de una realimentacin negativa local y total,
por lo tarito, se obtiene que:
Rif = [(hie4 // Rv2) + (R4 // R5) (1 + hfe4)] (1 + ~Av) Vi

A priori se supone que Rif es mucho mayor que R6 como se verificar pos-
teriormente, por lo cual Riaf es similar a R6.
Vo*
Por otro lado, se tiene que Vcc - Va4-r = 16 (R6 + R7)
(R6 + R?) = Vcc-Va4-r = 35 V-13,1872 V = 329 5 KO
16 66,2 uA '

No obstante, se debe tener en cuenta que R6 es mayor o igual a 90 KO.

Se adopta en primera instancia que R6 = 150 KO y R7 = 180 KO.
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A./'v"'------

Reemplazando los transistores por su modelo incremental equivalente vlido Otras hiptesis simplificativas:
para seales dbiles y frecuencias medias, en el caso de la etapa de entrad~
y para las restantes que no operen en seales dbiles por su modelo equi- R 4 hfe4 18 O
o = ro4 [1 +-~(1~8-;0::-+~hi~e4-:-+..:-=-:(1:.::.50_K_O_//_R_o_sp_)_) J; Ro4 (1,5 KO // ri3)
valente para seal:
Entonces, el paralelo de las tres queda dominado por (1,5 KO // ri3)
liiMlfZI Rosp es la resistencia de salida del preamplificador. sta tiene que ser mu-
Vi 78.94
cho menor que 150 KO, ya que el preamplificador es de aplicacin universal
hfe4 Y la resistencia de entrada de ningn amplificador es capaz de modificar su
201<: ril rol
Ib4* ro4 amplfficacin, por lo tanto, el paralelo lo domina Rosp. En los preamplificado-
res comerciales se cumple.que Rosp es menor o igual a 10 KO.
680
hfe4 18 O
Ro4 = ro4 11 + -(1-8....:...0;,;__:+_:h_:ie-=-4-=+=-R-o_s_p_) J

Se procede a obtener los parmetros hbridos del manual tcnico respectivo:

hfe4 (lco4.= 0.6 mA) = 320
hie4 (lco4 = 0.6 mA) = 9 KO
hoe4 (lco4 = 0.6 mA) = 28 uS
Se tiene en la etapa de entrada 220 KO // hie4, pero 220 KO hie4. Ade-
ro4 = 1 / hoe4 = 35,714 KO
ms, despus de haber pasivado la realimentacin negativa total, queda una
realimentacin negativa local tipo corriente serie en dicha etapa. Entonces
Ro4 = 35 , 714 KO [1 + 32 18 O -
simplificando se obtiene el circuito de la Figura 25 en el que se ha conside- (18 O + 9 KO + 10 KO) ] - 46,541 KO
rado la resistencia de salida del preamplificador, el cual es el encargado de
excitar el amplificador de salida. A dicha resistencia se la denomina Rosp. Ri4 = hie4 + 18 O ( 1 + hfe4) = 9 KO + 18 O ( 1 + 320) = 14,778 KO

Vi 78.94 78.94

rol - hfe4
ro3
Ib4* ro3

l
l.SK ri3
680
680 I'?
0.33
Yo* Yo*

8
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV'A'------ _____ IV\A NORBERTOGUILLERMOMUIO -

Vb1-t
!:!,. VcE1 1 Ri1 = I? + lb1
rot !:!,. lc1 = l'l gm1 _(_;_Vr-/V-1-1)-gm-1-:--= (25mVt160V)(40 lc1) - 5000 O
De la pgina 36 se obtiene que:
!:!,. VcE3 __ 1_
ro3 !:!,. lc3 - l'l gm3 (Vr/V A3) gm3 (25mV/103,6V)(40 lco3) I? = 2,7 mA e lb1 = 16,14 mA
= 5452,63 O Vb1-t = I? 6800 +(lo+ I?) RL ::::= 2,7 mA 6800 + (1,9365 A+ 2,7 mA) 80
= 17,35 V
1 _ VT _ Vr hFE1 hFE1 150 O
n - ls1 - lc1 = grnf- 40 20 mA = 187 5 Entonces:
R 11 17,35 V 9210
.3 Vr VT hFE3 hFE3
= gm3 174
=---- 228,947 o = 2,7 mA + 16,14 mA =
n = ls3 lc3 40 19 mA
La resistencia equivalente que ro1 ve en paralelo es:
VA+ Tensin de Early. Los valores de VA1 y VA3 fueron obtenidos de los lo 8 O + le1 0.33 O + I? 80
R eq 15,5138 V+ 0,639 V+ 0,0216 V
modelos del simulador Pspice. Para el Tr1 se tiene una lc1 de reposo de ::::= le1
1,9365 A
aproximadamente 20 mA para eliminar la distorsin por cruce. Esto se debe
verificar en la prctica sobre el prototipo y, de ser necesario, proceder a re- = a,352 o
calcular con el nuevo valor de la corriente de reposo que ha eliminado la dis-
Entonces, queda demostrado que no se debe considerar a ro1, ya que
torsin por cruce y el valor Rv1, con el cual se ha logrado dicho cometido. 5000 O es mucho mayor que 8,352 o.
Se supone de entrada despreciar la ro1. Luego se comprobar que sta es
mucho ms grande que la resistencia equivalente que ro1 ve en paralelo. A continuacin se calcular la transferencia:

Ri1 se puede apreciar en el circuito de la Figura 27. Vo3 _ Vo3 lb3 lb4 _ hFE3 Jb3 [(78,940 + Ri1)//ro3] hFE4~ 1,5 KO
Vi - lb3 lb4 Vi - Jb3 [(1,5 KO + ri3) jb4] -
)<1( 1
14,78KO Yf
Vi 78.94 Vbl-t
___... Vo3 _ hFE3 [(78,940 + Ri1)//ro3] hfe4 1,5 KO = A1 A2 A3
Vo4 Vo3 lbl+I? Vi - [(1,5 KO + ri3)] 14,78 KO

.J,. hfe4 lb4* ri3

hFE3 lb)*
ro3 A1 = amplificacin de tensin a lazo abierto de etapa de entrada ( con reali-
Rosp 150K 14.78K l.5K Ril mentacin local)

A2 = amplificacin de tensin de la segunda etapa

A3 = amplificacin de tensin de la etapa de salida

vv13 = __ 17_4_3_15_[_(7_8_,9_40_+_9_21_0_:.)_\\_54_5_2._6_3 -=-] 1_,S_K_O_ 40182679,33

[(1,5 KO + 228,947 O)] 14,78 KO 14780
 . DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV'-.~----
NORBERTO GUILLERMO MUIO
~~~~~~~~~~--~-~--'

Vo* Vo* Vo3 _ Luego, recalculando D = 1 +~Av= 1 + (0,036885 2201,8797) = 82,216

V~i3 = 2718,37; pero se debe calcular Vi = y03 Vi- Av
_ Vo _ Av _ 2201,8797
Avf -v- (1 + B Av) - 82,216 = 26,781
por lo tanto, faltara:
Por otro lado, se tiene que la Avf ideal sera: Avf = -> 1/~ = 27,11
Vo* Ri1 R1 (1 + hFE1) = 9210
------::-:-=-:-
(78,940 + 9210)
Vo3 == (Rv1 + Ri1) {ri1 + [(R1 + Rp1)(1 + hFE1)]}
El l:1Avf = 27,11 - 26,78 = 0,33 y_el error relativo porcentual:
80 121
= VV0 3*= 0,921 0,81 = 0,746; l:1Avf O 33
[187,50+(8,330 121)] Er% = Avf x 100 =
27,11
x 100 = 1,217%

Se debe recordar que: Este error es el existente entre la Avf ideal (1/~) y la Avf real.
Rif = 14,78 KO * D = 14,78 KO 82,216 = 1,215 MO
~* es la Av a lazo abierto
Rof = Ro/D = {[(ro3 // Ri1) + (ri1 + 0,330)] / (1 +hFE1)} / O
Rof ={[(5452,630 // 9210) + (187,50 + 0,330)] /121} / 82,216
Vo* = 2718 37* O 746 = 2027,9 = Av
Vi ' ' Rof = [(787,9140 + 187,830)/121] I 82,216 = 0,098 o
Siempre es conveniente que la diferencia de retorno D sea lo ms grande
Luego, se calcular O= 1 + B Av= 1 + (0,036885* 2027,9) = 75,8
posible, . ya que aumenta la desensibilizacin del sistema y la Rif, y disminuye
la Rof y la distorsin.
_ Vo Av = 2027,9 = 26 7533
Avf - Vi - (1 + B Av) 75,8 ,

Al realizar este ltimo clculo se ve que la amplificacin a laz~ cerr~do es ~n

Clculo de los capacitares de acoplamiento
poco menor que la deseada (27,386). Para esto se puede evitar la influen~1a y de los tirabotas
de Rv1, conectndole un capacitar en paralelo y, de esta forma, se e~1!a La frecuencia de corte inferior es igual a:
la atenuacin de 0,921; pero, adems, se tendr que recalcular la rel~c1on
",c1=
. .-roel
.-mc1=. -+
1 1
-+ 1
-+ -1
Vo3/.Vi, la cual se modifica muy poco. Tambin la ex!s~encia d.~ Rv1 ntro-
2n' t1 t2 t3 t4
duc~ una distorsin adicional en la amplitud del sem1c~c~o pos1~1vo, ya que
en ella se produce una cada de tensin, la cual es rrnruma, Sin emb~rgo,
. 1 1 1 1
fc1 = 2nt1 + 2nt2 + 2nt3 + 2nt4 = 9 Hz+ 5 Hz+ 4 Hz+ 2 Hz
el semiciclo positivo es un poco menor en amplitud que el correspondiente
negativo. De tal forma se tiene que: r
El clculo anterior se basa en las siguientes consideraciones:
Vo* = o 81 Vo* = 2718 37 0,81 = 2201,8797 1. El capacitor de acoplamiento (Ca) de salida se calcular considerando 1
Vo3 ' ' Vi ' !I
la resistencia de salida realimentada (Rof), de esta manera ya se tie-
I'
ne en cuenta el efecto de la realimentacin negativa para la malla de 11
1,
li
salida.
11

11
 ,,. T
DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /V\A _

Aplicando el teorema estrella-tringulo con Ro3, 6800 y (ri1 + 39,930) se 3. Clculo de Cb2 1
obtiene el circuito de la Figura 31. 1
liiMAifl 1

830.35 Q

T4
Cbl
+ Vo

Rosp R6 470Q
+
180 Q 8Q


33.87 Q
(fol//6.66K) 1

1

1
!
j

1
Simplificando el circuito de la Figura 32:
l
1

ISMIUIH
-- ""---,m I
. md
hie4
hie4 1
!
1
1
1 iJ

1
11,
f

1
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /'\/\A~-----

2. Los otros dos capacitares, Cb1 y Cb2, se determinan planteando para 2. Clculo de Cb1
cada uno de ellos los circuitos equivalentes respectivos para baja
frecuencia y determinando la resistencia total equivalente paralelo que 1g:4a
cada uno de ellos ve entre sus terminales.
3. Como se trata de un proyecto se ha elegido una frecuencia de 9 Hz para
el capacitar ms grande (Ca). Lo anterior lo indica a priori la experien- TI
cia. En caso contrario, se llega a esta conclusin haciendo un clculo
previo. Luego, se reparte el resto de los capacitares en dos frecuencias
de 5 Hz. 680Q 0.33 Q

4. Si se quiere puentear dinmicamente a Rv1 se le conecta un capacitar Cbl

+ Vo
en paralelo, de tal forma que la reactancia capacitiva domine el paralelo
a la frecuencia central de trabajo. Si a este capacitar lo denominamos C1,
entonces Xc1 es mucho menor que Rv1 (78,940). Un valor posible para 180 Q 8Q
C1 es de 10 uF x 16 V.
5. Luego, se debe calcular el capacitar C2, el cual se encuentra conectado
en paralelo con 5,6 Kn. A la menor frecuencia (20 Hz) su reactancia debe
=
dominar el paralelo. Si C2 100 uF, Xc2 = 79,Sn n. Este ltimo valor es
mucho menor a 5600 n.
6. El capacitar C de acoplamiento de entrada se calcula considerando los lii4'iiitI
efectos de la realimentacin negativa en la impedancia de entrada.
ril

1. Clculo de Ca

Vo* fol

L1a ~anexin de ro1 es una aproximacin circuital y se la hace para facilitar

e calculo.
 DISEFJO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A/\/'.-------

Aplicando en este ltimo circuito el teorema estrella-tringulo con 9,4KO,

4. Clculo de c
220KO y hie4, se obtiene el circuito de la Figura 35: liiMEI
litMibi e

439.6kQ +

Cb2 Rosp (lSOK//Rif)

470Q
459.18 kQ 18.78 kQ

5. Clculo de Cf
1
1

1
1
1
Vripple l

1
i
1

1
!
1

1
1
M#M DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVv '-------
l 1 -
!

----~/\/\/\ NORBERTO GUILLERMO MUllilO - 1

2 1
Xcf = (2n: \ Cf) ; f = frecuencia de ripple = 100 Hz Si 80 KHz/fp 1, se obtiene que: 1
~
!
Vr 1 /jwCf 1 80 KHz = 2201,88 80 KHz 1
---=
Vripple
<-
R7 + (1/jwCf) - 500 fp 18 937 = 116,274, por lo tanto fp =
' 116,274
= 688 Hz

~a capacidad de compensacin se colocar en la segunda etapa, ya que 1
Se est considerando una atenuacin de 500 veces esta es la de mayor amplificacin de las tres.

. R7 180 KO
11 + JwCf R71 = 500, por lo tanto, Xcf = = = 360,7210 CIRCUITO DINMICO EN ALTA FRECUENCIA DE LA SEGUNDA ETAPA
499 499 1
; 1 1
36 721 O= (2n: 100 Hz Cf) ; Cf = -(2_n:_1_00_H_z_3_6_0,-72_1_0_) - 4,4121 uF
.;:;;.fi:j
1
Ceo
Valor comercial 4,7 uF; 6,8 uF o 10 uF x 35 V 1
i
1

Cc3
Clculo de la capacidad de compensacin Ceo
La capacidad de compensacin tiene como finalidad asegurar la estabilidad
'

del amplificador realimentado negativamente. La misma impone un polo do- 78.94 1

1
minante. La consecuencia de esto es imponer la frecuencia de corte superior
l

del amplificador realimentado (fcsf ~ 80 KHz). 1

1~~1) ,~~2) ,~~3> 1.5 K Ce3

ri3 ro3
Ril I
1

-4,2333 -642,187 0,81 + 2201,88

1
La amplificacin Av = 2201,88 es la calculada a frecuencias medias. La 1
amplificacin a frecuencias altas toma la siguiente forma:

Av
_ Av = 2201,88
- ( 1 + j f I f p) ( 1 + j f I f p)
Los datos del fabricante del BC337 respecto a sus capacidades parsitas
son:
Lo que se trata de determinar es la fp, para lo cual se sabe que el !Aval
a la frecuencia de 80 KHz (la cual es dato del proyecto) es igual a: Cc3 = 5 pF
Avf = 26,781/\/'2
Esta capacidad es para una Vcso de 1 O V, pero en el proyecto actual la Vcao
Planteando la ecuacin:
=
es de 17,5 V-0,7 ~ 16,8 V, por lo tanto, se recurre a una expresin aproxi-
mada de la capacidad Cc3, la cual es igual a:
18,937 _ 2201,88
[12 + (80 KHz I fp)2]Yi Cc3 = Ce
(1 + (VCB I 0,7 V)]l/a
-- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /V\/'. _
~~~--/\/V\_~~--_:__~~~~N~O~RB=E~RT=O~GU=IL=LE~R=MO~M=U~IO:_millllii+~~
..

Despejando Ce se tiene que: Clculo de la red Zobel

Ce= Cc3 [1 + (VCB / 0,7 V)]l/3 = 5 pF [1 + (10 V/ 0,7 V)]l/3 =
Ce= 5 pF (15,2857)113 = 5 pF * 2,48177 = 12,40886 pF
Luego se reemplaza en:
= = 412437 pF
La red Zobel es un circuito serie Rz - Cz que se conecta en paralelo con la
carga. Su funcin, en conjunto con la carga terminal (resistiva + reactancia
inductiva), es presentarle una carga casi constante e independiente de la
frecuencia a los transistores de salida. Se debe recordar que un 'parlante es
un circuito simplificado equivalente serie cuya impedancia Z = R + J. XL la
L L L'
cual vana con el valor de la frecuencia de la seal de excitacin. A continua-
I '

__ 12_:_,4_0_8_8_6__:_p_F __ 12,40886 pF
3116 8V
Ce v
= [1 + (16,8 I o,7 V)]l/3 2,924 cin, se presenta el circuito de la Figura 39.

Frecuencia de transicin para lca3 = 19 mA es igual a 260 MHz; Wr3 = 2rtfT3

lii4'1MiUI
A
Ce3 = (gm3/Wr3)- Cc3; gm3 = 40 lco3 (mA/V) = 40 * 19 (mA/V) = 760 mS
Ce3 = 465,222 pF - 4,2437pF = 460,9783 pF

ceo es la capacidad de compensacin que se agrega al dispositivo activo

para obtener el polo dominante. La capacidad total de entrada considerando Rz
la capacidad Miller es:
Ct3 = Ce3 + [(Cc3 + Ceo) (1 + IAv31)]
1
fp = 2rt (ri31115 KO) Ct3 = 688 Hz; recordar que ri3 = 228,9470
Cz

Despejando

crs = 2rt (228,9470 //1,5 KO) 688 Hz = ~164 uF B

1,46f9 uF = 460,9783 pF + [( 4,2437 pF +Ceo) 642,187]

1,46247 uF = (4,2437 pF +Ceo) 642,187

4,2437 pF +Ceo= 1,812 nF

Ceo= 1,812 nF -4,2437 pF = 1,808 nF + 2,2 nF valor comercial

ZA - B = Zz // l.L "; Zz = Rz - j XCz' zL = R + j' XL
L L
Ceo= 2,2 nF ( capacitor cermico x 50 V)
MfiM, DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/\/\.~----
~~--~/\AA~~~~~~~~-N_OR_B_ER_ro_G_u,_LL_ER_M_OM_U_I~O

(RL + j XLL) (Rz - j XCz)

ZA-B=
(RL + j XLL) + (Rz - j XCz)
= eficaz que circula por Rz es igual a 7,75 V/ 22,346 O= 0,3356 A y, por lo
tanto, la potencia que debe disipar Rz es Pd = (0,3356 A)2 10 O= 1,126 W
+ 2 W (valor comercial).
R Rz - j XCz R + j XL Rz - j2 XL XCz
~~L~~~~~L~---'L~~~-L~~:
RL + Rz + j (XLL - XCz) Clculo del rendimiento mximo real del amplificador
Po
ZA _ 8 = RL Rz {1 + [(XLL XCz)/(RL Rz)] + j[(XLL Rz) - (XCz RL)]/(RL Rz)} ri% = Pee x 100; Po= 15 W (RMS)
(RL + Rz) {1 + j[(XLL - XCz)/(RL + Rz)]} p 1 J~
ce= 2n { 0 Vcc (20mA + 19mA + 0,5mA) dwt + 2J (Vcc/2) 1,9365A sen(wt) dwt}
n

Se debe tener en cuenta que ZA - s es similar a RL (para toda la banda de p 1 J2n

ce= 2n { 0
35V 39,SmA dwt + 35V 1,9365A fnO sen(wt) dwt}
paso), pero en el caso de resonancia en donde XLL es igual a XCz se tiene

~ue: RL Rz {1 + [(XLL XCz ) I (RL Rz)]}

Pee= 2~ {35V 39,SmA f:n dwt + 35V 1,9365A J: sen (cot) dwt}
ZA - s = (
R + Rz)
L Pee = 35V 39,SmA + t 35V 1,9365A
y si Rz =RLR se tiene que: Pee= 1,3825W + 21,574248W = 22,95675W
ZA - s = 2
L {1 + [(XLL XCz) I ( R:)]}
o/c = 15W 10 -
r o 22,95675W x O - 65,34 Yo
por lo tanto, debe suceder que:
{1 + [(XLL XCz) I (RL2)]}= 2 Clculo de disipadores
(XLL XCz) I (RL2) = 1; XLL = 2 n f LL y XCz = 1 I (2 n f Cz) El comportamiento trmico de un transistor bipolar puede ser representado por
L medio de una analoga elctrica, como se describe en el circuito de la Figura 40.
y despejando Cz: Cz = _L
R2
L liM@iiI
.
La condicin de diseo es adoptar Rz igual a 8,20 o 100. Habitualmente se
Tj Rthj-a Ta
adoptaRz igual a 100 y un valor prctico para Cz es de 100nF. Es importan-
te calcular la potencia disipada por Rz, sobre todo en el caso de alta frecuen-
cia (a partir de la frecuencia de corte superior), ya que en esta situacin:
XCz = 1/(2 n 80 KHz 100 nF) = 19,984 O y lzzl = JRz2 + XCz2 Rtha-r
lzzl = V 10 2 + 19,9842 = 22,346 O

La tensin de salida pico en esta situacin ~s igual a 15,5 V/v2 =

10,96 V y el valor eficaz correspondiente es 7,75 V. Entonces, la corriente
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO l'v'\.',~----
Donde Ia generacin de potencia por parte del transistor es representada
por un generador de corriente, las diferencias de temperatura equivalen a
diferencias de potencial; y las resistencias trmicas, que se oponen a la
circulacin del calor, son representadas por resistencias elctricas.
Cuando el transistor se pone en funcionamiento tarda un cierto tiempo hasta
adquirir su rgimen trmico permanente, por lo tanto, el estudio se realiza
para esta condicin.
Tj Rthj-c Te Rthc-a Ta
j Pgt Rtha-r
En el circuito anterior ya no se tiene en cuenta la Crc, porque el estudio se
realiza para el rgimen permanente. La temperatura de juntura es dato del
fabricante, quien la brinda como la mxima temperatura (Tjmax) que puede
soportar el transist6r. Superada sta, el dispositivo se deteriora. Para los tran-
sistores. de silicio, Tjmax se encuentra entre los 150C y 200C, segn el tran-
sistor. Generalmente, los fabricantes dan los datos de Rthj-a y Rthj-c. Otra
simbologa para estas resistencias trmicas es ej-a = Rthj-a; ej-c = Rthj-c.
Clculo del disipador para los transistores 80437/80438
Datos: Pgt = 5,8 W; Tjmax = 150 C; Rthj-a = 100 C/W; Rthj-c = 3,5 C/W; a
esta ltima resistencia trmica algunos fabricantes la denominan Rthj-mb.
El primer paso consiste en determinar si el transistor en cuestin necesita un
disipador, para lo cual se realiza el siguiente planteo:
La mxima potencia que puede generar y disipar el transistor sin disipador
es:
Pdt = Tjmax - Ta
Rthj- a
Tjmax y Rthj-a son datos proporcionados por el fabricante, por consiguiente,
se debe determinar la temperatura ambiente de trabajo del dispositivo; se
supone una Ta= 25C. Es importante destacar que la Pdt depende notoria-
mente de esta temperatura y, por lo tanto, de sus variaciones.
150C- 25C
Pdt = 1 OOC/W = 1,25 W
Como se puede apreciar, sta es la mxima potencia que el transistor puede
disipar sin la necesidad de utilizar un disipador. Sin embargo, se debe tener
presente que el transistor se encuentra al lmite, ya que si aumenta la tem-
peratura ambiente, este dispositivo se deteriora; porque se supera su tem-
peratura de juntura mxima. No obstante, se verifica que Pgt es mayor que
Pdt; en nmeros 5,8 W es mayor a 1,25 W, y esto determina la necesidad
de utilizar un disipador.
En la Figura 42 se presenta un nuevo circuito que contempla el uso de un di-
sipador. Esto se resume en la aparicin de dos nuevas resistencias trmicas:
Rthc-d y Rthd-a. La primera se debe al tipo de montaje utilizado para montar
el transistor sobre el disipador y la segunda, al disipador. Se debe recordar
que el uso de ste permite aumentar el rea de contacto del transistor con el
medio ambiente, logrando una mayor transferencia de calor al mismo. Resu-
miendo, el uso del disipador permite reducir notoriamente el valor elevado de
M:M DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV'------
NORBERTO GU.ILLERMO MUIO --ml!!II--
--- !

3. Rtht = Rthj-c + [Rthc-a // (Rthc-d + Rthd-a)]

Rthc-a, dado que tratndose de resistencias trmicas, el paralelo lo dominan
1
las ms pequeas. Existen cuatro maneras de montar un transistor sobre un Rtht - Rthj-c = Rthc-a // (Rthc-d + Rthd-a) i
disipador de aluminio: 12,93C/W - 3,5C/W = 96,5C/W // (Rthc-d + Rthd-a) 1
1. Montaje directo
2. Montaje directo + grasa siliconada
9,431 C/W = 96,SC/W // (Rthc-d + Rthd-a)
3. Montaje con mica Se despeja 1

4. Montaje con mica y grasa siliconada (Rthc-d + Rthd-a) = (9,431C/W * 96,5C/W)/(96,5C/W - 9,431C/W)
+ Rthd-a) = 10,452C/W
1
(Rthc-d 1
liQIVEfi El encapsulado de los BD 437/438 es el T0-126, por lo tanto en la
l!

Rthj-c Te Rthc-a Ta siguiente tabla se obtendr la Rthc-d segn el tipo de montaje que se
Tj
elija. Para el siguiente proyecto se adoptar el montaje con mica y grasa 1
l
siliconada.
1

Rthc-d Rthd-a
4. Tabla para obtener la Rthc-d segn el encapsulado y el tipo de montaje .1
t Pgt Rtha-r

0,25 0,12 0,75 0,45

T0-3T 0,45 0,25 0,65

T0-5 0,7

T0-39 0,7

T0-59 1,5 i1
1,2 0,7 2,1
El proyecto comienza de la siguiente manera: T0-66 1,1 0,65 1,8 1,4 1~
1
1. Se adopta una temperatura Tj que debe ser menor a la especificada por TQ-90 0,5 0,3 1,15 0,9 1
slfabricante. Cuanto menor sea, ms confiable ser el comportamiento i
T0-117 2 1,7
del transistor. Para nuestro proyecto se comienza con Tj = 100C, ya que 1t
T0-126 1,4 1 2 1,5
el mximo para un proyecto permitido es de 130C.
.,r T0-152 0,8 0,5 1,4 1,2 1
!
!
2. Se calcula la resistencia trmica total: T0-202 0,8 0,5 1,4 1,2 1
Tj-Ta 100C- 25C = 12,93C/W
Rtht = Pgt T0-220 0,8 0,5 1,4 1,2
5,8W 1
SOT-32 1,4 2 1,5 !

SOT-48 1,8 1,5

1

1
-- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV\~----- _____ A/\/\ NORBERTO GUILLERMO MUIO -

A continuacin, utilizando la tabla, se tiene para Rthc-d = 1,SC/W; por lo tan-

=
to, se despeja.la Rthd-a 10,452C/W -1,SC/W = 8,952C/W == 9C/W.
1;;:;;ttll
Con este valor obtenido de la Rthd-a se debe entrar a los grficos de los
perfiles de aluminio existentes en el mercado, los cuales brindan la grfica
=
de Rthd-a f(longitud).

Rthd-a

En este proyecto, el perfil de aluminio seleccionado es el U1 (20 x 15 mm.) y

9C/W la longitud obtenida es de 60 mm para un transistor. Si se desea montar los
dos en el mismo disipador, la longitud de dicho disipador ser de 120 mm.

lx L(mm) i

Normas de montaje para los transistores

de potencia 1
1
En el eje de ordenadas se entra con el valor de la Rthd-a calculada, la cual
es de 9C/W.
T0-220 T0-3
En el eje de abcisas se obtiene "lx", la cual es la longitud que se debe cortar
,-- Tornillo T--Tornillo

B /
del perfil elegido, segn las necesidades mecnicas de montaje del encap- 1

a, /
sulado en cuestin. Esta dimensin corresponde para un solo transistor, por ~ Arandela rectangular Arandela de mica

/ //
lo tanto, el otro tendr el mismo tamao de disipador.
~ Arandela de mica Casquillo aislante
Lo que puede suceder es que se quiera montar los transistores sobre un

Ll u/
mismo disipador. En este caso, el disipador tendr el doble de longitud que Casquillo aislante Arandela plana
el calculado originalmente y el montaje se debe realizar como lo indica el 1
dibujo de la Figura 44. / / Arandela plana @//Arandelas de presin 1
<@>/ - . @/ ~ Tuercas hexagonales 1
(Q)~ Arandelas de presin @f/
@i
:J;t,-
r~ . . . . _
@....---1\tercas hexagonales Conector .
1

L:@
Conector @
.. DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/\/'s.'------
NORBERTO GUILLERMO MUIO
~~---/\/\A'-~~~~~~~~~~~~~~~-

La grasa siliconada se debe aplicar de manera racional, la mni~a e indi~-

El montaje del disipador tiene que ser de tal manera que exista la posibilidad
pensable para aumentar el rea de c_ontacto. El exceso de la misma actua
de flujo de aire desde el exterior a travs de los orificios de ventilacin del
en contra de la disipacin.
gabinete. De igual manera, si se utiliza ventilador o "cooler", la orientacin
Algunos tipos de perfiles en carcter demostrativo: del flujo de aire se debe producir de forma que atraviese longitudinalmente el
disipador y en direccin a los orificios de ventilacin de ambos lados del ga-
lii4'itiil binete en cuestin. El factor de correccin se utiliza de la siguiente forma:
(1 / F) * Rthd-a = Rthd-a-vent

PERFIL Ul r PERFIL4
. -

u
-
. .
Este ltimo valor obtenido es menor al calculado en principio, por lo tanto, se
11111111111111111111111111111
-
1
entra a la curva del disipador respectivo, obtenindose un disipador con una
- longitud lx menor.
PERFIL U2
PERFIL5
Circuito del amplificador de potencia terminado
1111111 1111111

PERFIL3
PERFIL6 . 180K
.

lllllllljlllilllllll
I!OuF
.

+
PERFIL 7 _l35V
- Vcc
1
--
11111111111111111 r 150K +
--
220uF

0.33

Vn luF
8
0,67
~+ 0.33
15
2,2nf 8
20 0,54
30 0,45 ';',' BD438 IOOnF
40 144 0,38
+
50 180 0,34 BC337
60 216 0,32 --
l.5K
70 252 0,27
80 288 0,23
90 324 0,21
-

- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO t'VV'-~----
El presente circuito fue simulado en PSPleE y se obtuvieron diferencias
mnimas que se detallan a continuacin:
Rv1 de 79,40 a 670
R3 de 1,5 KO a 1,8 KO
R2 de 6800 a 4700
De todas maneras, siempre se debe armar un prototipo y someterlo a las
mediciones pertinentes. As, se puede garantizar las especifica.es tcni-
cas del amplificador y su correcto funcionamiento.
Puesta en marcha y calibracin del amplificador
Una vez que se ha terminado de armar el prototipo del amplificador, se pro-
cede de la siguiente manera:
1. Se realiza por ltima vez, antes de las mediciones pertinentes, una ve-
rificacin ocular del conexiado de los componentes, se pone Rv1 a su
menor valor y Rv2, mediante el empleo de un hmetro, se ajusta al valor
de 209 KO.
2. Se puede conectar como carga terminal un restato de laboratorio
calibrado en 80.
3. Se procede a calibrar la tensin de la fuente de alimentacin de labo-
ratorio. En primera instancia se lo hace en vaco mediante el uso de un
voltmetro digital (sin aplicacin de excitacin de seal).
4. Luego, s conecta la fuente de alimentacin, limitndole, inicialmente,
la orriente de salida. Verificando entonces que no haya sobrecarga, se
aumenta el nivel de limitacin de corriente y con un voltmetro digital se
vuelve a ajustar la tensin de salida al valor deseado, pero con carga.
5. Se realizan las mediciones de e.e., las concernientes, en primera ins-
tancia, a los puntos Q de T3 y T4, y la tensin existente entre el nodo de
salida y masa.
6. Luego, se le deben conectar al amplificador, un generador de seales
y un osciloscopio.
7. El generador se deber ajustar para prove~r en principio una seal
senoidal de 1 OOmV pico a pico y frecuencia igual a 1 KHz.
.....
~~---/\/V\~~~~~~~~-N_O_RB_E_RT_O_GU~
8. Se visualiza con el osciloscopio la seal de salida y de entrada, verifi-
cando la normalidad de las mismas. Despus, se conecta en paralelo
con R5 (18 O) un capacitar electroltico de 10 uF x 16 V y se aprecia a
la salida la distorsin por cruce. La misma se corrige ajustando el preset
Rv1 hasta que dicha distorsin desaparece.
9. Luego, se desconecta el capacitar que se conect en paralelo con R5 y
se visualiza en el osciloscopio la seal pico a pico sobre la salida y sobre
la entrada. Se calcula Avf y se compara con el valor terico. i
!
10. A continuacin, se debe aumentar el nivel de la seal de excitacin un !
poco por encima del valor de la sensibilidad (similar a 1,2V pico a pico a 1
la entrada) para visualizar recorte en la seal de salida, luego se proce-
de a ajustar el recorte simtrico de la misma con el preset Rv2. 1
11. Se vuelve a ajustar la distorsin por cruce como en el punto 8 y se veri-
fica nuevamente el punto 10.
l
12. Despus, se excita con una seal igual a la sensibilidad y se verifica la !
seal de salida, la cual deber ser una senoidal sin ningn tipo de distor-
sin apreciable. 1
13. Finalmente, para medir la distorsin armnica total (THD) del amplifi-
cador, se debe recurrir a la utilizacin de un analizador de espectros 1
conectado a la salida del amplificador, previa verificacin de la seal
proveniente del generador de seales, y hacer su anlisis de espectros.
La medicin se comienza para una frecuencia de una seal senoidal 11
de 1 KHz y a plena potencia de salida del amplificador. Luego, se repite
1? medicin para bajas frecuencias 100 Hz - 200 Hz de la excitacin y,
finalmente, a 4 KHz - 5 KHz. Fundamentalmente, se deben medir la inci-
d~.~cia _de la segunda y tercera armnica, y aplicar la frmula del clculo 1
de THD porcentual.
14. Medicin del ancho de banda
La medicin consiste en la mensura del tiempo de establecimiento
y la flecha, para lo cual se requiere el siguiente instrumental:
Un osclloscopo
Un generador de seales
Una fuente de alimentacin de laboratorio
Un multmetro digital
Varios
 1
-- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV'v'-~-----

Circuito para la medicin liiMAikl

Vo
AMPLIFICADOR 4
Rs
~----1+ Vo2-- - -

Vs
Ose
Vol
2

t1 t2 2 4

Pa~a el tiempo _t~ (correspondiente al 10% del valor final de la seal de

salida del amplificador) se tiene que:

Vo1 = Vof [1 - e-(111Rc)]; pero Vo1 = 0,1 Vof y para t2 (para el 90%)
15. Medicin del tiempo de establecimiento Vo2 = Vof [1 - e-(t2tRc)]; pero Vo2 = 0,9 Vof
El efecto de las capacidades parsitas de los dispositivos activos ope- Reemplazando se tiene que:
rando en alta frecuencia se manifiesta integrando la seal de salida. Esto
se puede presentar como un amplificador ideal y una red R-C conectada 0,1 Vof = Vof [1 _ e-(111Rc)]
al mismo, de tal manera de tener el mismo efecto o fenmeno a la salida 0,9 Vof = Vof [1 _ e-(121Rc)J
del .ampllcador. Resumiendo:
Operando convenientemente se obtiene que:
Amplificador real = Amplificador ideal + red R-C
1 - Q,1 : e-(11/RC)
l.arespuesta transitoria de esta red R-C de tipo integradora al escaln
1 - 0,9: e-(12/RC)
de tensin es:

,,
Vc(t} = Vf [1 - e-(t/RC)] Dividiendo la prmera ecuacin por la segunda:
rt 09 e-(11/RC)
Entonces, se excita el amplificador bajo ensayo con una seal rectan-
gular y se aumenta la frecuencia de la misma hasta visualizar en el
,1 : e-(12/RC)
osciloscopio el fenmeno de integrar el flanco positivo de dicha seal 9: e[(t2-t1)/RCJ
de excitacin. Luego, se define el tiempo de establecimiento (te) como
el tiempo transcurrido entre el 10% de la amplitud final de la seal de In 9 = In e(12-11)1Rc1
salida y el 90% de la misma.
2,19722 = [(12 - 11) I RC]; pero (1 / RC) = Wcs
 .. DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO l'VV'-~----
1
NORBERTO GUILLERMOMUII\IO -

De tal forma que: In (V1 / V2) = In e(t/Rc)

2,2 =te rncs= te 2 11: fes
In (V1 I V2) = (t I RC); pero t = T/2 (T = perodo de la seal de salida)
Despejando fes (frecuencia de corte superior) se obtiene que:
Y, adems, en este caso:

fes= /~~e =:;;recordar que te= tiempo de establecimiento. (1 I RC) = OOci = 2 11: fci
Reemplazando convenientemente:

Esta ltima expresin es fcil de recordar y de realizar que se trata In ( Y1_ ) = T 2 11: fci
de medir este tiempo en el osciloscopio. V2 2

16. Medicin de la flecha: y despejando fci:

Se utiliza una seal rectangular de baja frecuencia para la excitacin, f c1=-ln

. 1 ( -V1 )
con el fin de obtener una seal de salida como la de la Figura 50. 11:T V2

Entonce~, se mid~ en el osciloscopio las amplitudes V1 y V2, y el perodo

J~
de la senal de salida. Se aplica la ltima expresin y queda determinada
la frecuencia de corte inferior.
Vl ----- --- VI

V2 -~
V2

T
-
o t

.>
La pendiente negativa en el semiciclo positivo se debe al fenmeno fsico
de la descarga de un capacitar. Matemticamente hablando se tiene que:
V2 = V1 [e-(t/Rc)]

Como se ve en la Figura 50, V1 es mayor que V2

Trasponiendo trminos se plantea que:
V1 _ 1 _ [e(11Rc)]
V2 - [e-(t1Rc)] -

 Proyecto de I
un amplificador I
B
de potencia Hi-Fi I

Un amplificador de potencia de Hi-Fi se caracteriza por tener muy baja dis-

torsin armnica. Adems, en su etapa de entrada debe haber un amplifi-
cador diferencial, cuatro o seis etapas, dos canales para la amplificacin
de la seal, fuente partida, un alto factor de damping y potencias de salida
superiores a 40 W.

Diagrama en bloques de un amplificador Hi-Fi

A continuacin se presenta un diagrama en bloques constituido por cuatro
etapas. La primera, un amplificador diferencial para ambas vas; la segun-
da, un emisor comn con carga activa; la tercera junto con la cuarta forman
un D'Arlington de tipo seguidor. La amplificacin de tensin a lazo abierto
la determinan la primera y segunda etapa, fundamentalmente esta ltima.
El amplificador diferencial debe poseer las siguientes caractersticas: ser
@:IN DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A/'V'-._-----

asimtrico y tener alta resistencia de entrada, por lo tanto, tiene resisten- lilb'l;t.itl
cias en emisor. stas introducen realimentacin negativa localmente del
R7
tipo corriente-serie, lo que aumenta la resistencia de entrada y salida de
dicha etapa, y linealiza la transferencia de la misma. Por ltimo, debe tener

I
una excelente estabilidad de la polarizacin, ya que de sta dependen las Cfl

f
R9
subsiguientes. Se debe recordar que debe haber acoplamiento directo.
La segunda etapa es un emisor comn con Re sin puentear y con carga
activa. La resistencia de emisor tiene como objetivo introducir una pequea
DI
realimentacin negativa local tipo corriente-serie para linealizar las caracte-
rsticas de transferencia de la etapa y, adems, proveer la mayor amplifica-
cin de tensin posible. La tercera y cuarta etapa conforman un D'Arlington
de tipo seguidor emisivo, cuya funcin es presentarle una carga dinmica lo Rl5

ms alta posible a la segunda etapa para obtener la mayor amplificacin de

Vin Rl7 Lp Vo
tensin por parte de sta, y adems obtener la resistencia dinmica reali-
mentada de salida lo mas pequea posible, la cual caracteriza a los mejores
amplificadores de potencia de audio. Rl6

02

R8

1Cf2 -=-v-
I

El circuito anterior se encuentra e

al D'Arlington como una etapa): ompuesto por tres etapas (si consideramos

Etapa de salida complementaria D'arlington clase AB

Etapa excitadora simtrica con carga activa clase A
Para cumplir con las descripciones anteriores, se presenta el circuito de la
Figura 52, el cual cumple con las caractersticas descritas: Etapa de entrada d'.ferencial simtrica con acoplamiento directo
@:J,W DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A/\/\---'----
~~~~-AAA~~~~~~~~N_OR_B_ER_ro_G_u,_LL_ER_M_OM_u_,~~

Clculo de Vomax Seleccin de los transistores de salida

(par complementario)
_ (Voef)2 V f _ Vomax .
Po - . R , oe - . ,
Clculo de la potencia disipada mxima por los transistores de salida:
L v2
De tal forma que: P owrnax = [1,14 (V+ V-)]2
n: (0,8 R1)
=
(1,1 64 V)2
40 (0,8 40) -
-
(70,4 V)2
128 O
-
-
38 72 W
'
_ (Vomax)2 2
P o- 2R
L

Despejando Vomax = v'2-Po R~ = .j (2 100W 40) = 28,284V

lcrnax z 7,071 A 5A 10A 8A
BVCEO ::!: 85,33 V 100 V 100V 100V
Powmax ::!: 38,72 W 65 W (*) 125 W(**) 70 W (***)
Clculo de Voef mxima hFE 4000
EL MAYOR 1500 750
Vomax 28,284 V = 20V *auna Te= 25C
Voe f = J2 = J2 ** a una Te = 25C
*** a una Te = 25C

Clculo de lomax La seleccin recae en el par D'Arlington TIP 142/147, con el TIP 142 a T1 y
a T2 por el TIP 147.
Vomax 28,284 V = A
I omax= R 71071
40
L Seleccin de los excitadores

Se.adopta Rp1 = Rp2 lb1ma

X = lomax
1 + hFE1
7,071 A
4001
= 1 ' 767 m A
Rp1 = Rp2 = 0,220

Clculo de las fuentes de alimentacin

Se realiza el clculo para una fuente, la otra es de idntica magnitud.

Considerando la fuente positiva se tiene que:

Roca4
v+ = lomax (R1 + Rp1) + Vcesat1
Vcesat1 se adopta en 2V, ya que todava no se ha seleccionado los transis-
tores de salida. Luego_ se verificar este parmetro.
v+ = 7,071 A* 4,22 o+ 2 V= 31,834 V+ se adopta 32 V; luego v: = -32 V
/"'
\ \
1
@:@
M:f:4 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO
NORBERTO GUILLERMO MUliilO
/VV"-

La etapa excitadora trabaja en clase A y se debe cumplir que lco3 es mayor

o igual a lc3, es decir, lco3 es mayor o igual a 1,767 mA. Sin embargo, se
iiMWfil debe contemplar que la magnitud de lco3 tambin determina a gm3 y sta
Ic3 .-----+---~..---. Vo3 interviene en la ganancia de tensin de esta etapa .

lbl A continuacin se plantea la amplificacin de tensin de esta etapa. (A2)

Av3 = Vo3/V3 (A2)
Roca4 Ril
Vo3 = - hFE3 lb3 (Ro3 // Roca4 // Ri1) ; a ( Ro3 // Roca4 // Ri1) = Ros3

V3
V3 = lb3 Ri3, Vi3 = lb3 ri3; Ri3 = ri3 +R3(1 + hFE3)
Se debe recordar que ri3 es la resistencia dinmica de la juntura base-
emisor del transistor excitador. Tambin se debe tener presente que
=
hFE3 lb3 gm3 Vi3.
Av3 = Vo3 = -gm3 Vi3 (Ro3 // Roca4 // Ri1)
V3 V3

liiif$1 -gm3 Ros3.\t3'"ri3 / [ri3 + R3 (1+hFE3)]

w
...-----0-----ff---1..--w Vo3
En primera instancia vamos a suponer que (Ro3 11 Roca4 // Ri1) Ros3 = =
Ri1/2 (en rigor Ros3 Ri1/2, pero en la prctica esto no ocurre), ya que no
=
se tiene el valor de Ro3 y Roca4 Ro4 y estas ltimas no se pueden des-
V3 Ri3
.. hFE3lb3 Ro3 Roca4 Ril
preciar, porque no son de elevado valor y cargan a Ri1. El hecho de suponer
=
que Ros3 Ri1 I 2 se acerca bastante a la realidad, despus se verificar
esta suposicin.
Luego se tiene que: Vi3 = V3 ri3 / [ri3 + R3 (1 +hFE3)] = V3 (ri3/Ri3)
Vi3 es la tensin pico de seal que se desarrolla en extremos de la resis-
tencia dinmica de la juntura base-emisordel transistor excitador y V3 es la
tensin pico de seal entre base y masa del transistor excitador.
=
, 4 - R 4 + Rtp Ro4. Rtp es la resistencia dinmica que impone el
=
:~~~to ~ul~plicador de VsE' yRo4 ro4 {1 + [hFE4 R4 / (ri4 + R4 + R10)]}. Av3 =
-gm3 (Ri1 I 2) ri3 -gm3 (Ri1 I 2)
=--------
[ri3 + R3 (1+hFE3)] {1 + [R3 (1+hFE3) I ri3]}
Ro4 ., la resistencia. de salida dinmica de la carga activa que involucra
aT4. Pero ri3 = (1 / gm3) hFE3 y reemplazando en la expresin anterior:
-gm3 (Ri1 I 2) -gm3 (Ri1 / 2) -(Ri1 I 2)
Av3 =-------------=-----=----
{1 + [R3 (1+hFE3) I (hFE3 / gm3)]} 1 + gm3 R3 R3
MiM DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A/V'--~----
-----/\/V\ NORBERTO GUILLERMOMUll'JO -

Esta ltima es vlida si se cumple que: gm3 R3 es mucho mayor que 1 ( en

Este ltimo anlisis demuestra que cuanto ms grande es el producto (3 Av, el
esto interviene la magnitud de lca3).
denominador de la ltima expresin se acerca ms a 1 y se independiza cada
Ri1 = ri1 + [(RL + Rp1) // ro1] (1 + hFE1) == (RL + Rp1) (1 + hFE1) vez ms de Av, la cual es la determinante de la no linealidad en el sistema.
Ri1 = (40 + 0,220) (1 + 1500) = 6,33 KO Si (3 Av> 100 +Av> 100 I (3 = 100 / 0,02 = 5000
Ri3 = ri3 + R3 (1+hFE3) Av > 5000; pero Av = A1 A2 A3
Ro3 = ro3 {1 + [ hFE3 R3 I (ri3 + R3 + R9)]} A1 = ganancia de tensin de modo diferencial de la etapa de entrada
A2 = ganancia de tensin de la segunda etapa
!J. VcE1 1 _ 1 ___;1~-:-:--:-:-:::--:-----:--::~
ro1 - !J. lc1 fl gm1 - (Vr/VA1) gm1 = (25mV/100V) (40 140 (mA/V)) A3 = ganancia de tensin del D'Arlington de salida
= 714,280
La Av la determina A1 A2, ya que A3 es menor que uno (seguidor D'Arlington),
ro1 R L + Rp1; 714,28 O 4,22 O por lo tanto:
A1 A2 > 5000
!J. VcE3 1 1 _ -----=-1-~=-=-=---=--;:-;-:~
ro3 = !J. lc3 = fl gm3 = (Vr/VA3) gm3 - (25mV/100V) (40 10 (mA/V))
Si A3 es similar a 0,8 ( valor mnimo de ganancia para este tipo de configu ..
= 10 KO racin), se debe recordar que:

VA1 = VA3 = Tensin de Early, obtenidas de los modelos de Pspice igual a 100 V. A3 = {[(RL + Rp1) (1 + hFE1)] [RL / (RL + Rp1)J} / Ri1
Falta determinar el valor de R3, para lo cual se tendr en cuenta lo siguiente: En la prctica A3 ser un poco mayor a 0,8. Es mejor de este modo, porque
se cumple mejor la siguiente desigualdad:
Avf _ Voef = 20 V = 50 A1 A2 A3 ~ 5000
- S 0,4 V
Avf = Av
1 + (3 Av
= SO si (3 Av 1 + Avt==J
' 1-1
Bajo esta condicin suceder que:
A1 A2 > 6250
(3 = 1/50 = 0,02
Se puede adoptar A 1 = -1 O y A2 = -625
Cabe destacar lo siguiente:
Se debe recordar que A2 es igual a Av3, entonces:
Av Av =--(1_/(3_) _ -625 == - [(Ri1 I 2) I R3]
Avf = 1 + (3 Av = (1 + 1/(3 Av)~ Av (1 + 1/~ Av)
625 = [(6;33 KO I 2) I R3)
Ahora se debe tener en cuenta un dato del proyecto que es la THD% in ..
dicada como menor al 1 % , por lo tanto, en una primera aproximacin se Despejando:
considerar lo siguiente: R3 = 3,165 K0/625 = s.oe4 o+ 4,7 o
(1 / ~) Se debe. recordar que R4 es igual a R3.
Avf = (1 + 1 I ~ Av)
(1 I ~) =J.!!ll = (1 /~)O 990196
(1 + 1 / 101) 1,0099 ' A continuacin se debe determinar el valor de lco3.
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/'0.~----

gm3 = 40 lca3 (mA/V), si lca3 = 10 mA entonces gm3 = 0,4 n- 1

El par 80 139 I 140 podra ser elegido a pesar de su 8VcEo menor que
_ _ _ gm3 (Ri1 / 2) n-
_ - 0,4 1 3,165 KO _ - 1266 _ _8 85,33 V; p~ro no se tendr en cuenta por poseer el menor hFE por lo tanto
Av3 - - - - - 439 o el par elegido es 80 241C/242C. ' '
1 + gm3 R3 1+0,40-1 4,7 O 2,88 '
En primera instancia como no se llega al valor estipulado de - 625, se dupli- Ahora se calcula:
ca el valor de lees = 20 mA. Recalculando gm3 y Av3 = - 531,93; tampoco ri3= (Vr / lsa3) = 475 Q = (1 / gm3) hFE3
se llega al valor estipulado.
Posteriormente se obtiene:
Seguir aumentando esta corriente no es conveniente, porque aumenta sus-
tancialmente la potencia disipada por este transistor, de tal manera que esta Ri3 = ri3 + R3 (1+hFE3) = 475 n + 4,7 n 191 = 1372,7 n.
posibilidad queda por ahora desestimada, ya que tambin disminuye el ren-
dimiento. Puede llegar a suceder que se deba aumentar lca3 y, en ese caso,
se deber mejorar la disipacin del transistor. Seleccin de los transistores del amplificador
Entonces quedaran dos alternativas: diferencial de entrada ( ambos J
Disminuir el valor de R3 La amplificacin diferencial de esta etapa es:
Aumentar la ganancia de A 1, es decir, de la etapa de entrada
Avd = - hfe Rd >
2 [Rs + hie] - - 1422
Dentro de lo posible es mejor adoptar la segunda opcin, porque si se dismi-
nuye el valor de R3, baja la magnitud de Ri3 y Ro3. Adems, existe margen
Por ?tro lado Rd = Ri3 11 Re, segn el ltimo circuito Re es igual a R9. Para
para aumentar A1, lo cual se calcula a continuacin:
:~en~ir el valor de esta resistencia deben converger varios factores y ellos
A1 A2 e?: 6250 y si A2 = Av3 = -439,58; entonces A1 c?:-14,22
Satisfacer la Avd
Como se puede apreciar, el aumento es insignificante. De acuerdo a este
ltimo anlisis queda determinado el valor de lca3 en 1 O mA y, como ope- Satisfacer la polarizacin de la malla de entrada de T3
ra en clase A, se puede calcular Powrnax del Tr3 = lco3 VcE03; pero
VcEa~ == 30 V, entonces Powmax = 0,01 A 30 V = 300 mW. Se comienza por esta ltima condicin:
lea? R9 = VsE3 + lco3 R3 = 0,8 V+ 10 mA 4,70 = 0,847 V
A continuacin se seleccionar T3 y T4, los cuales deben ser complementa-
rios: T3 ~ PNP y T4 ~ NPN. leo? R9 = 0,847 V, adems debe suceder que leo? > lso3
lso3 = 10 mA I hFE3 = 10 mA / 190 = 52;63 uA

Por lo tanto:
lcmax ~ 20mA 1 A 3A 1,SA lea? > 52,63 uA
BVCEO ~ 85,33 V 100 V 100V BOV
Se adopta tentativamente lea?= 0,9 mA. Adems, si R9 es igual a 1 2 KQ
PoAvmax ~ 300mW 30W 40W BW entonces se tiene que: ' '
hFE EL MAYOR 100 190 92
0,9 mA 1,2 KQ = 1,08 V~== 1 V= VsE3 + lco3 R3
 DISEfJO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A-AA~---- ~---~/\/V\~ No_RB_E_~_o_GU_IL_LE_R_MO_M_u_,~-

Se calcula la Rd de la etapa de entrada: De tal forma que:

Rd = R9 // Ri3 = 1,2 KO // 1,373 KO = 640,34 O R10 = R9 = 1,2 KO

Retomando la expresin de la amplificacin de modo diferencial:
Clculo de R7 y RB
- hfe Rd
Avd = 2 [Rs + hie] Por ambas circula una corriente igual a:

y despreciando Rs:
lca3 + lco7 + lco9 + lref11 + lref13 =
- hfe Rd - gm Rd 10 mA + 0,9 mA + 0,9 mA+ 1,8 mA + 3,6mA = 17,2 mA
Avd == 2 hie = 2
lref11 = 2 lco7 = 1,8 mA; lref13 = 4 lco8 = 3,6 mA
Este primer clculo es tentativo. Luego, seleccionado el transistor, se verifica
con los parmetros dinmicos obtenidos de las curvas pertinentes. La cada de tensin en ellas debe ser pequea, ya que de lo contrario se
deber aumentar la magnitud de las fuentes de alimentacin, y esto va en
- [40 lca7 (mA/V)] 640,34 O - [36 (mA/V)] 640,34 O = contra del rendimiento del amplificador y de la potencia disipada por los tran-
Avd == 2 2
sistores, especialmente los de salida. Adems, ambas enconjunto con C11
- 11,526 y C12 conforman filtros pasabajos para realizar un filtrado adicional del ripple
de la fuente de alimentacin. En principio se adopta una cada de tensin de
A continuacin se seleccionarn los transistores de los amplificadores dife- 1,5 V ( puede ser 2 V), la cual se traslada a ambas fuentes de alimentacin,
renciales y fuentes de corriente. las que pasan a valer + 33,5 V y - 33,5 V. Recalculando la potencia disipada
por los transistores D'Arlington de salida, se tiene que:
_ [1,1(\f+V-)]2 (1,167V)2 (73,7V)2
Powmax= 4 n2(0,8 R1) = 40 (0,8 40) = 12a O = 42.435 W
BVCEO~ 42,665 V 45 V 45 V 20 V 40 V Aumenta un poco la potencia disipada, pero los dispositivos activos soportan
PoAvmax ~ 300mW 800 mW 300 mW 300 mW 625 mW dicho incremento. A continuacin se calcula:
1,5 V
hFE EL MAYOR 204 260 260 112 R7 = R8 17,2 mA = 87,2 O-+ 82 O (valor comercial)

Los transistores elegidos son los 8C 5478 (NPN) y 8C 5.578 (PNP) por ser PoR7 = (17,2mA)2 82 O= 242,5888 mW
de bajo ruido, no tanto como los 8C 5498 y 8C 5598, pero se necesitan
PoR7 podra ser 1/4 W, pero como est al lmite podra utilizarse 82 O 1/2 W
transistores con un valor de 8VCEO de mayor valor que el que posee el par
8C5498/5598. Ahora se verifica la Avd con los parmetros propios de los
transistores elegidos:

A d == - hfe Rd = - 390 640,34 O = _ 14,69.

V 2 hie 2 * 8,5 KO
 NORBERTO GUILLERMO MUIO
DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO l'v'v's'--------

Clculo de la capacidad del filtro de ripple Clculo de las resistencias del circuito
de entrada de los amplificadores diferenciales
Este clculo debe cumplir con las condiciones dinmicas y estticas simul-
82Q
tneamente. En primera instancia se parte del circuito dinmico de entrada
Vor
para satisfacer la impedancia de entrada, por lo tanto, se plantea el circuito
de la Figura 57:

len +
Vio R17

--JI,- Rif
Riaf

Se debe recordar que:

S = jro = j 2 rtf; y 'tf = Cf1 R7 y 'tf = 1/rof

Adems, en este caso, la atenuacin no debe ser tan grande por tratarse de Este es un punto importante que se debe satisfacer, para lo cual se va a plan-
un amplificador diferencial. Se debe recordar que las seales de modo co- tear el circuito dinmico de entrada para modo diferencial y se calcular Riaf:
mn son rechazadas fuertemente por este tipo de amplificador. No obstante,
se adopta una atenuacin de 1 O veces, por lo tanto, se tiene que:

vorj, = _1 = 1 + 10 ===~; 10 = 2 n fr rf : 10 = 2 n fr Cf1 R7

vr+I 10 [1 + (w/rof)2]Y2 cof
;

y despejando: R17 R23 R20

10 = 10 = 194 0914 uF + 220 uF x 50 V

Cf1 = 2 :rtfr R7 2 1t 100 Hz 82 O '
 DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /'\.AA~----
NORBERTOGUILLERMOMUIO
~~--__;V\/\~-~-~~~~----~----

Slo interesa que los pares diferenciales se reemplacen por sus hie respec- fb7d + lb8d = Id
tivos, por lo tanto:
Luego, por ser una etapa simtrica debe suceder lo siguiente:
lii4%itl =
R15 R16 = R18 = R19, ya que las mismas estn para igualar las respectivas
R15 hie7 hie9 R19 mallas de entrada de cada amplificador diferencial, incluso pueden llegar a
ser un poco diferentes, pero deben ser de bajo valor o de lo contrario intro-
---.. duciran una atenuacin importante. Adems, hie? es igual a hie9 y deben
R17 R23 R20 ser similares por ser transistores complementarios a hie8 igual a hie10, por
lb7d lo tanto, se tiene que:

[2 R15 + 2 hie7] // [2 R16 + 2 hie8] = [2 R15 + 2 hie7] / 2

R22 R16 hie8 hielO R18 R f- Vx
1 -Id
Vx
-----..
Pero Id es igual a:
--
lb8d
Vx- ~ Vo
Id= R15 + hie? +R23 + (R20 // R21)
Rif = Vx
lb7d + lb8d
Riaf
I
= R22 // [R17 + Rif]
Reemplazando en la ecuacin anterior:
El ~ de la topologa tensin - serie de realimentacin negativa es: Vx
R21 Vx-~ Vo
~= R20 + R21 Rif = ------------
[R15 + hie7 + R23 + (R20 // R21)]
Por lo tanto, aplicando Thevenin con el generador Vo, se tiene la Figura 60:
[R15 + hie? +R23 + (R20 // R21 )]
=-----------~
1 - (B Vo I Vx)

pero (Vo I Vx) = Avf y Avf = Av/ (1 + B Av) y reemplazando en la anterior:

[R15 + hie? + R23 + (R20 // R21 )]

Rif = ---.,..__-=---~----------'-
R17 Ib7d R23 R20//R21 1 - [B Av I (1 + B Av)]
[R15 + hie7 +R23 + (R20 // R21)]
= ---------=-----....:...::__
1 + B Av-B Av
R16 hie8 hielO R18 1 + BAV

Pero (1 + B Av) = D y reemplazando en la ltima expresin:

t
Vx
lb8d
-- -- Rif = [R15 + hie7 +R23 + (R20 // R21)J O; pero se debe tener en cuenta que
B Av es mayor o igual a 100, entonces Des mayor o igual a 101.
@1111@ DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO i'vV'-~---- ~~~-~IVV\~~~~~~~~-N~O~RB=E~RT~O~GU~IL=LE~R~MO~M~U~IO.::._m
.. 111Ml~ll11

despejando R21;
Para los transistores de los amplificadores diferenciales se tiene que los hie
para una leo= 0,9 mA son igual a 8,5 Kn y se adopta para R15 R16 = = R21 = R20 = 100 KO = 2040,81 KO
R18 = R19 = 220 O; y adems R17 = R23 = 2,2 KO. Estas ltimas tambin 49 49
intervienen en la polarizacin de las mallas de entrada de los amplificadores
diferenciales y 'en la igualacin de dichas mallas. El valor comercial que corresponde es 2, 2 KO, pero no se lograr la ampli-
ficacin requerida, ya que:
Entonces, se procede a calcular:
n
Rif = [220 + 7,5 KO + 2,2 KO + (R20 // R21)] D; pero analizando el paralelo
1= 1 + R20 = 1 + 100 KO = 46 45 50
~ R21 2,2 KO .' <
de R20 con R21 y reemplazando en la ultima expresin:
No se cumple con la Avf, por lo tanto, una alternativa es adoptar R20 igual a
R20 R21 120 KO y verificar:
Rif = [220 O + 7,5 Kn + 2,2 KO + R20 + R21 ] D;
1=1 + 120 KO = 55 55
pero [R21 / (R20 + R21)] = ~ = 0,02 ~ . 2,2 KO '

y reemplazando en la anterior:
Rif = [220 O + 7,5 KO + 2,2 KO + 0,02 R20] D;
pero adems R20 es igual a R22 por simetra de polarizacin de ambos
amplificadores diferenciales. Se debe recordar que prcticamente R22 fija la
Riaf, en consecuencia R22 es mayor o igual a 82 KO. Se adopta R22 = R20
= 100 KO y se verifica Rif.
Rif = [220 O+ 7,5 KO + 2,2 Kn + 0,02 100 KO] O
Teniendo en cuenta que el O mnimo es 101, entonces:
Rif = 11,92 KO 101 = 1203,92 KO = 1,20392 MO.
Ahora se calcula:
Riaf = R22 // (R17 + Rif) = 100 KO // (2,2 KO + 1,20392 MO) = 92,344
A continuacin se debe detarmirrar el valor de R21 para un ~ = 0,02, recor-
dando que R20 es igual a 100 KO.
Con este valor se satisface la amplificacin Avf y, adems, es conveniente
tener un pequeo margen por encima del valor nominal de la amplificacin y
tambin mejorar an ms la Riaf, es decir, tener un valor mayor al estipulado
originalmente.
Clculo de las resistencias de polarizacin
de los amplificadores diferenciales
A continuacin se determinarn los valores de R11, R14, 02 y Dz2, los cua-
les sern idnticos a R12, R13, 01 y Dz1. Se debetener presente que T11
y T12 deben operar en la regin activa. Se debe recordar que lco7 = lco9 =
0,9 mA, adems lco11 =leo?+ lca9 =1,8 mA y, por ser fuente espejo, lco13
=
= lco11 1,8 mA. Lo mismo vale para lco8 = lco10 = o,9 mA e lco8 + lco10
KO = lca12 = 1,8 mA. Luego debe ser lca14 = lca12 por tratarse tambin de una
fuente espejo. Se plantea la siguiente ecuacin de una malla de entrada:
33,5 V - (-33,5 V)= 111 R11 + VsEa13 + (1Ea11 + 1Ea13) R14 + Vz2 + Vo2

:i-
67 V= 111 R11 + VsE013 + (1Ea11 + 1Ea13) R14 + Vz2 + Vo2
~ = R:02: R21 = 1 + ~~~ = 50;
67 V - VsEa13 - Vo2 = 111 R11 + (IE011 + 1Ea13) R14 + Vz2
por lo tanto: 67 V - 1,4 V= 111 R11 + (1Ea11 + 1Ea13) R14 + Vz2
R20 . 65,6 V= 111 R11 + (1Ea11 + IE013) R14 + Vz2
R21 = 49
@11,w DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/\/\ _
----~/\/\A N~O~RB=E~fil~O~GU=IL=LE~RM=O~M~Ul~~o~~111Mllml~
..

111 = lco13 + 2 lao13 = lca13 = 1,8 mA Clculo del multiplicador de Vse

65,6 V = 1,8 mA R11 + 3,6 mA R14 + Vz2
Se adopta en principio un diodo Zener de 16 V igual a Vz2 y su lzn mayor o
igual a 4 mA. Si es un diodo Zener de 400 mW {1N966B), su lzmax eslqual R5
a {400 mW /16 V)= 25 mA, de tal forma que:
65,6 V-16 V= 1,8 mA R11 + 3,6 mA R14 15
49,6 V= 1,8 mA R11 + 3,6 mA R14; Ve E
pero se debe recordar que T11 y T12 deben operar en la regin activa, es 18
decir, su VcEo es mayor que 0,5 V; por lo tanto, hay margen suficiente y se Rvl
T
puede adoptar una VcEo para estos transistores de 5 V. Por otro lado, la
tensin entre emisor 7 y tierra es= - VsEa7 - lso7 R15 =-
Vsea7 - {0,9 mA
I 260) 220 n =-
0,6V - 0,761 mV =- =
0,6 V y, a su vez, Ve7 - r Vc11 - r, VBEr
= =
{hFE7 260 y Vsea7 0,6 V). Estos son datos obtenidos de las hojas de da- R6
tos tcnicos del transistor BC547B.

A continuacin se calcula la tensin entre emisor 11 y tierra:

- 0,6 V - 5 V = - 5,6 V = VE13 - r

Se plantea la siguiente ecuacin: Si el cursor se encuentra en el extremo superior del preset, se tiene que:
33,5 V - (- 5,6 V)= 111 R11 + Vsea13 VBE __ VcE ( R6 + Rv1)
39,1 V= 111 R11 + 0,6 V+ 39,1 V - 0,6 V= 111 R11; RS + R6 + Rv1

por lo tanto: y en el otro extremo se tiene que:

R11 = 38,5 V/ 111 VBE = Vce R6
R5 + R6 + Rv1
R11 = '38,5 V/ 1,8 mA = 21,388 Kl + 22 Kl;

por lo tanto: operando convenientemente para cada extremo y despejando:

VcEo11 = 6,1 V Vcemin = Vse (R5 + R6 + Rv1) . - VsE (R5 + R6 + Rv1)
(R6 _+ Rv1) , Vcsmax - R6
Se debe recordar que: extremo superior extremo inferior
49,6 V = 1,8 mA R11 + 3,6 mA R14;
entonces se puede despejar R14 +
R14 = (49,6 V - 1,8 mA 22 K0)/3,6 mA = 2777,77 O + 2700 O valor
comercial
_,.,_ DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /V\A~-----

Suponiendo a VsE constante (la diferencia es mnima de un extremo al otro)

Y si Rv1 es igual a R6 se tiene que:
se puede apreciar que en cada extremo del preset dicha VsE se ve multipli-
cada por una constante diferente, por lo tanto, en cada extremo del mismo Rv! = 1,5KO +, lineal (normalizado) o 2 KO multivuelta y entonces VaE max
y valores intermedios, la VcE vara, de tal modo que calibrndolo, se ajusta es 11gual .== 3 KO * 303 uA = 0,909 V, por lo tanto, se cumple holg~damente
a voluntad dicha tensin y, por consiguiente, se elimina la distorsin por en os extremos del preset.
cruce. A continuacin, se procede a seleccionar el transistor "multiplicador"
A continuacin se calcula R5:
y a calcular R5, R6 y Rv1. Como la etapa de salida est constituida por
D'Arlingtons, la VCEmax se adopta en 3 V y la Vcsmin en 1,5 V. La lea de R5 = 9,9 KO - R6 - Rv1 = 9,9 KO - 3 KO = 6,9 KO + 6,8 KO (normalizado).
este transistor es igual a la de T3 y T4 = 10 m~. de tal forma que su Pomax La disipacin de los resistores es de 1/4 W sa'vomdcecton contraria.
= lea vese, es decir, Pomax = 10 mA 3 V= 30 mW. No hay exigencias ni
de disipacin, ni de tensin de ruptura ni tampoco con la corriente mxima,
pero es conveniente que posea un hFE aceptable. La seleccin puede re- Clculo de la capacidad de compensacin
caer en el BC547B, ya que cumple con las exigencias para el caso y su hFE Cc1 = Cc2
= 330, por lo tanto, Isa= lcc/hre = 10 mA / 330 = 30,3 uA, 15 2: 10 Isa, por
consiguiente, 15 2: 303 uA. Se consi~e~ar el transistor T4 para este clculo, teniendo presente que
Volviendo a las expresiones anteriores de vcsmax y Vcsmin y reemplazando e~ procedimiento es idntico para T3, por lo tanto, se tiene el circuito de la
Figura 62.
1 5 V = _'{_s~jJ3_?_+ R6 !_ Rv_!l_. 3 V = _'{_s~jJ3J__!_~_!_~~~L
(R6 + Rv1) ' R6 Miifi%1+1
Despreciando la Isa se puede calcular: Cc2
3V Vo4
(R5 + R6 + Rv1 ) = uA = 9,9 KO
303
V4
Por otro lado se tiene que: Roca3
1,5 V (R6 + Rv1) == 3 V R6;
Ro8
operando:
3V . (R6 + Rv1)
1,5V = R6

2 . = 1 + Rv1
R6

1 = Rv1
R6
-+ Rv1 = R6
A2 = Vo4/V4 = Vo3/V3
Se adopta R6 igual a 1,5 KO, ya que la VsE minen este caso ser:
1,5 KO * 303 uA = 0,4545 V -A continuacin tambin se verificar el valor de Av la cual es igual a
Av=A1 A2A3. ,
N111M DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /'v\/'.~----
NORBERTOGUILLERMOMUlfilO N11,W
A1 = Avd = -14,69 [Avf] = (1
1
~) = 5555 39,28
A3 = {[( R1 + Rp1 ) ( 1 + hFE1 )] [R1 I ( R1 + Rp1)] I Ri1; J2 1,4142

Ri1 = 6,33 KO; R1 = 4 O; Rp1 = 0,22 O; hFE1 = 1500; IAv - = ---::--:-:--A_1_A_2_;_:_A__;_:;3:.___~

[12 + (110 KHz/ fp)2 ]% = 39,28
por lo tanto, se tiene que:
IAv - _ 6681,876
A3 = {[(4 O+ 0,22 O) (1 + 1500)] [4 O I ( 4 O+ 0,22 O )]} / 6,33 KO [12 + (110 KHz/ fp)2 ]% = 39,28
A3 = [(4,22 O* 1501) 0,94786] / 6,33 KO = 0,9485
Si (110 KHz I fp)2 1 se obtiene que:

Retomando (recordando que A2 = Av3; A2 por ser la 2 etapa y Av3 por ser 6681,876 110 KHz
=---
el T3): 39,28 fp

_ Vo3 _ -gm3 Vi3 (Ro3 // Roca4 // Ri1) . v13 -------=

V3 ri3 y despejando fp se tiene que:
Av3- V3 - V3 , [ri3 + R3 (1+hFE3)]
fp = 110 KHz* 39,28 = 646,647 Hz
Av4 = Av3 = A2 = [-gm3 (Ri1 // Roca4 // Ro3)] {ri3 / [ri3 + R3 (1+hFE3)]}; 6681,876

tambin A2 = [-gm4 (Ri2 // Roca3 // Ro4)] { ri4 / [ ri4 + R4 (1+hFe4)]};

li@MIMI
Ro3 = Roc3::::: Ro4 = Roc4 = ro3 [1 + hFE3 (R3 / (ri3 + R3 + R9))] =

Ro3 = 10 KO [1 + 190 (4,7 O I (475 O+ 4,7 O+ 1,2 KO ))] = 15,316 KO

(Ro3 // Roca4 // Ri1) = (15,316 KO // 15,316 KO // 6,33 KO) = 3,465 KO

--------------- ------------------------------------------------------------------ 6681,876
ri3 / [ri3 + R3 (1+hFE3)] = 475 O I (475 O+ 4,7 O 191) = 0,346;

A2 = -;-Qm4 3,465 KO 0,346 = - (40 lca4) 3,465 KO 0,346 = -479,556

= =
Entonces Av= A1 A2 A3 (-14,69)(-479,556) 0,9485 6681,876. Este valor
es mayor a los 5000 que se necesitan, por lo tanto, es ms favorable para el
presente diseo.
La amplificacin a lazo abierto considerando el polo dominante toma la forma de:
I Avf / - - ...
55.55
---- --------------------------------------------- --------------
Av-= ~1 +~2f ~(p) ; se debe determinar el valor de fp
646,647 Hz 110 KHz
Como es sabido la fcsf es dato del proyecto y la misma debe ser mayor o
igual a 100 KHz. Se intenta adoptando fcsf igual a 11 O KHz. A esta frecuen-
cia la amplificacin a lazo cerrado es igual a:
 @lll:@ DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV'-~----
~~~~~IVV'-~~~~~~~~-N~O~RB=E~RT~O~G~Ul=LL=ER~M~O~MU=I=0~11
.. ~1t~@-~.
El polo dominante se sita en 646,647 Hz, por lo tanto, reemplazando el
transistor por su modelo equivalente para alta frecuencia:

Cc2

Cc2 Cc4

Cc4

Roca3
Ce4
Ro8

.j
j
d

1
A continuacin se calcula la A4 (a frecuencias medias y a lazo abierto):

A4 = - hFE4 lb4 {ro4 / [ro4 + R4 + (Roca3 // Ri2)]} (Roca3 // Ri2)

En frecuencias medias se tiene que ( esta etapa posee una realimentacin lb4 (R4 + ri4)
negat!va local tipo corriente-serie): A4 = - hFE4 {ro4 / [ro4 + R4 + (Roca3 // Ri2)]} (Roca3 // Ri2)
(R4 + ri4)
-gm4 (Roca4 // Roca3 // Ri2)
Av4 = A4
Av4=.--0 +gm4R4) ---=A2 . o'.
Roca3 semejante a Roca4 son las resistencias dinmicas de salida de cada por lo tanto, despejando:
una de las etapas que brindan la mayor amplificacin del sistema. Se debe
recordar que T3 es carga activa de T4 y viceversa. Pasivando la realimenta- D = A4 =A4 = A4
cin .neqatlva local provista por R4 (topologa corriente-serie) se obtiene el Av4 A2 - 479,566
circuito de la Figura 65, en el cual se calcular la amplificacin de tensin a
lazo abierto a frecuencias medias. A sta la denominamos A4. -hFE4 {ro4 / [ro4 + R4 + (Roca3 // Ri2)J} (Roca3 // Ri2)
D= (R4 + ri4)
-479,566
@111@ DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A/V\'------

~~~~-/VV\~~~~~~~~~NO~R=BE~RT=O=GU=IL=LE~RM=O~M=Ul~~o~ii-.1M1.ii.

190 {10KO I [10 KO + 4,70 + 4,4789 KO]} (4,4789 KO)

por lo tanto, se tiene que:
(4,70 + 4750)
D = -479,566 (Cc4 + Cc2) 1226,2358 = 1,3238 uF - 21,165 nF = 1,303 uF
(Cc4 + Cc2) 1226,2358 = 1,303 uF
(Roca3 // Ri2) = (15,316KO // 6,33KO) = 4,4789 KO
Cc4 + Cc2 = 1,0623 nF;
_ -1225, 2358 = 2 55488
D- -479, 566 '
por lo tanto, despejando Cc2 +
Ahora se pasa a calcular la frecuencia de corte superior a lazo abierto de Cc2 = 1,0623 nF - Cc4 = 1,0623 nF - 55 pF = 1,0073 nF + 1 nF
la segunda etapa:
1 fp =
646,647 Hz = =
fcs4 == 2 Jt {Ce4 + [(Cc4 + Cc2) (1 + IA41)]} ri4 . D 2,55488 Determinacin de los diodos de proteccin 01, 02
Estos diodos se utilizan para proteger los transistores de salida de algn
fcs4 = 253,102 Hz transitorio producido por efecto reactivo de la carga terminal y para que es-
tos no superen la BVcEo de dichos transistores. La eleccin recae en los
diodos 1 N4002.
253,102 Hz = 1 =
2 :rt {Ce4 + [ ( Cc4 + Cc2 ) ( 1 + IA41)]} ri4

1 = Clculo de la red Zobel

(2n:) 253,102 Hz= {Ce4 + [(Cc4 + Cc2) (1 + 1A41)]} ri4
Rz = R1, por lo tanto, Rz = 4,70

(1590,292 r/s) ri4 =

1
{Ce4 + [(Cc4 + Cc2) (1 + IA41)]}
Cz = L/ Rz 2 == 47 nF

1
(1590,292 r/s) 4750 = {Ce4 + [(Cc4 + Cc2) (1 + IA41)]} Seleccin de los capacitares Cf3 y Cf4
Estos capacitares cumplen con la finalidad de sumar una pequea estabili-
dad sobre la tensin desarrollada sobre los terminales de los diodos zener.
Del manual de BD241C + Cc4 = 55 pF yfT = 3 MHz Un valor tpico para stos es de 100 uF x 35 V.
{Ce4 ~ [(Cc4 + Cc2) (1 + IA41)]} = 1,3238 uF
{Ce4 + [(Cc4 + Cc2) 1226,2358] } = 1,3238 uF
gm4 gm4 _ 40 * 10 ( mA/V) _ pF
Ce4 = --.
COr4 - Cc4 = 2 :rt ~4 11
- Cc4 - 2 :rt * 3 MHz 55

= 21,22 nF - 55 pF
Ce4 = 21,165 nF;
il! DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV\A~----
~~~~~IV\A~~~~~~~~~N_o_RB_E_Rr_o_GU_IL_LE_R~M_O_MU~I_o~ii
.. ~~..11
Clculo de e Calibracin del amplificador
iiMWHI En este caso se debe proceder de la siguiente manera:
1. Armar la etapa del amplificador diferencial.
120K Vo
2. Alimentar con fuentes de + 33,5 / 34V y - 33,5 / -34 V.

3. Verificar las tensiones de todos sus componentes, sobre todo las de tierra
virtual.

4 .. Llegado el caso se debe recurrir a sendos preset para conectar, en tos

Rif + 2.2K
emisores de cada par diferencial, sus valores entre 47 O y 100 n para
+ lograr la calibracin deseada.

5. A continuacin, se arma la segunda etapa y se verifican las polarizacio-

nes correspondientes, comprobando las variaciones del preset que per-
mite ajustar la distorsin por cruce.

6. Luego se termina con la etapa de salida, una vez que se han verificado
Tomando s = j w se plantea: las polarizaciones de las etapas anteriores. Es conveniente agregar una
proteccin adicional a los transistores de salida. sta consiste en fusi-
1[2,2 KO + (1 I sC) ]I Rif + 2,2 KO) y adems, a la menor frecuencia de
bles para cada fuente que alimenta el amplificador en cuestin, como se
trabajo debe suceder que la reactancia capacitiva sea mucho menor que
muestra en el circuito final. La intensidad de corriente se determina de la
2,2 KO; por lo tanto, se tiene que Xc es mucho menor que 2,2 KO. Si se
adopta una C igual a 220 uF, la reactancia capacitiva para una frecuencia de
siguiente manera:
j
10 Hz es de 72,343 n, desigualdad que se cumple. Esto tambin depende
loefmax = lomax/\12 = 7,071 A/1,4142 = 5A
de la audicin del usuario y de la respuesta de su odo. Este capacitar es 7. Finalmente, se contina con el ajuste como se mencion anteriormente
modificable. para el otro amplificador. 1

M~ncin sobre Lp Simulacin del presente amplificador

La utilizacin de este inductor ocurre cuando no se emplea retardo de
conexin para los parlantes. La funcin de dicho inductor es limitar en el en-
cendido del amplificador la circulacin de un pico de corriente de salida por
los parlantes para evitar un deterioro de los mismos. El mismo se construye
sobre un resistor de 2 W y se arrollan 12 vueltas de alambre esmaltado tipo
#22 (0 0,71 mm).
La simulacin realizada por medio del software ms confiable en la actua-
lidad, el Pspice, cumple todos los requisitos a excepcin de la fcif, la cual
es de aproximadamente 7 Hz. Esto se debe a que la red de realimentacin
negativa no es la misma para toda la banda de paso, dado que se debe com-
patibilizar en parte con la polarizacin de los amplificadores diferenciales
de entrada en conjuncin con la red ~ El causante de esta situacin es el
capacitar C que se encuentra en la red de realimentacin negativa ( capacitor
e= 220 uF).
. MIM DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /V\A'------
~~~~~-/VV\~~~~~~~~_:_:N~OR~B=ER~T~O~GU=IL=LE=R=M~O~MU=IN~-O-_.
.. l li l ~~~-
Circuito final del amplificador de potencia Hi Fi Nota1: Factor de damping o amortiguamiento

El factor de damping es un parmetro de ponderacin de la calidad de un

amplificador. Este factor representa la cantidad de atenuacin que presenta
82 5A el amplificador a la energa reactiva del parlante (sobre todo en baja fre-
cuencia). En otras palabras, cuando el amplificador excita el parlante, ste
lOOnF se mueve hacia adelante y hacia atrs, y como se trata de un sistema elec-
+ _Tx50V
220uF -=-:33.5-34V tromecnico que posee inercia, una vez finalizada la excitacin por parte del

I l.2K
IN40~
l amplificador, esta inercia hace que el cono del parlante se siga moviendo.
Cuando esto sucede la bobina del parlante se desplaza por el imn (esto
tambin ocurre durante la excitacin del. parlante), generndose una fem,
la cual tiende a "volver" al amplificador, pero la misma sufre una atenuacin
IN4002 para que no perjudique la seal que genera en ese instante el amplificador.
Cuanto mayor es esta atenuacin, menor la seal (Vres) que llega al ampli-
ficador. Lo ptimo sera que esta energa reactiva fuera nula. El circuito de la
Figura 67 representa lo expuesto anteriormente y tambin se considerar la
resistencia que presenta el cable de conexin:

Lp Vo

0.22 Roaf Rcable

4ohm

(\; Vo +
<: Vreac
IN4002

IN4002
l.2K
4.7

82 5A La tensin que llega al amplificador es:

I Roaf
IOOnFx 50V
Roaf
Vres = Vreac Roaf + Rcable + R
1 I.
x 50V -=-33.5-34V
L RL [ 1 + (Roaf + Rcable) / RJ
220uF
- - Vres =----1-/_Fd _
[1 + (Roaf + Rcable) I RL J
MiiM DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO

Como se puede apreciar, cuanto mayor es Fd, menor es Vres, por lo tanto,
cuanto ms grande es Fd, mejor es la calidad del amplificador. Es importante
destacar que la Rcable incide a favor para la atenuacin de Vres, pero incide
en contra, pues disipa una pequea potencia de seal que empeora el rendi-
miento del amplificador. El cable para la conexin de los parlantes al amplifi-
cador debe ser de muy buena calidad, en lo posible de la mayor cantidad de
hilos. En la prctica es muy flexible.

Nota 2:
Si se desea cumplir con el factor de damping estipulado en el presente pro-
yecto, se deber utilizar en la etapa de salida un D'Arlington discreto con el
agregado de dos resistores para disminuir la Rb1-T, ya que se debe obtener
R
la menor Roaf. Se debe recordar que el Fd es igual a _L_ y que:
Roaf

Roaf = {[(ri1 + Rb1 - T) I (1 + hFE1 )] // (ro1)} + 0.22 n

D