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Instituto Tecnolgico de Costa Rica

Escuela de Ingeniera Electrnica EL-2207 Elementos Activos
Prof: Dr. Ing. Paola Vega Castillo

Tutora #1

1. Una muestra de silicio intrnseco est a 0K. Cul es la concentracin de

portadores de carga? Justifique su respuesta.

2. Una muestra de arseniuro de galio se dopa con estao. Si el estao sustituye

(desplaza) tomos de galio en la red cristalina de qu tipo de dopante se
trata? Qu tipo de semiconductor es?

3. La tabla 1 muestra una lista de semiconductores y sus dopantes. Para la

combinacin mostrada en cada fila de la tabla, indique si el dopante actuar
como donante o aceptor para el semiconductor correspondiente. Asuma que
todas las impurezas son substitucionales.

Tabla 1. Combinaciones de semiconductores y dopantes

Dopante Semiconductor
N Si
B Ge
Zn GaAs
S InSb
In CdS
As ZnTe

4. Una muestra de silicio a T = 300 K est dopada con boro en una concentracin
1.5x1015 cm-3 y con arsnico en 8x1014 cm-3.

a) De qu tipo es el material, P o N? Justifique su respuesta

b) Determinar el dopado neto de la muestra.

c) Calcular la concentracin de electrones y huecos

a) Repetir c) a una temperatura T= 600K, utilizando para ello la figura 1.

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Figura 1.

5. El nivel de energa de Fermi para cierto material es de 6.25 eV con respecto al

nivel de vaco a una temperatura de 300K. Los electrones en el material siguen
la distribucin de Fermi-Dirac. Para este ejercicio, suponga que EF permanece
constante con T.

a) Encontrar la probabilidad que un nivel de energa de 6.5eV con respecto

al nivel de vaco sea ocupado por un electrn.

b) Repetir para T= 950K.

c) Calcular la temperatura a la cual hay un 1% de probabilidad que un estado

de 0.3 eV debajo del nivel de Fermi est vaco de electrones.
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6. Para fabricar circuitos integrados, se dopa un oblea de silicio con una

concentracin de aceptores NA=1015cm-3.

a. Cul es la razn de atomos de silicio a tomos dopantes?

b. Cul es la razn de tomos dopantes a portadores de carga intrnsecos?

c. Cul es la concentracin de portadores minoritarios en la oblea?

d. Qu energa tiene el nivel de Fermi?

7. Calcular la probabilidad que un nivel de energa 3kT por encima de la energa

de Fermi est ocupado por un electrn a T = 300 K.

8. Cul es la probabilidad de ocupacin de los estados electrnicos a una

energa E = EF+0.0455 eV a T=300K y T=450K? Calcular el error cometido si
se usa la aproximacin de Boltzmann.