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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

INFORME FINAL

DEL PROYECTO DE INVESTIGACION

DISEO, SIMULACION Y CONSTRUCCION DE UN

INVERSOR TRIFASICO MULTINIVEL
AUTOR:

ING. RUSSELL CORDOVA RUIZ

PERIODO DE EJECUCION

01 de marzo del 2011 al 29 de febrero del 2012

RESOLUCION DE APROBACION
RR N 299-2011-R

CALLAO 2012
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INDICE

Resumen 4

I INTRODUCCION 6

1.1 Planteamiento del problema de investigacin 6

1.2 Objetivos y alcance de la investigacin 6

1.3 Importancia y justificacin de la investigacin 7

1.4 Formulacin de la hiptesis 7

II MARCO TEORICO 9

2. Introduccin 9

2.1 Los inversores Multinivel 10

2.2 Caractersticas de un inversor de cuatro etapas y ochenta y un niveles 12

2.3 Relaciones Matemticas 17

2.4 Transistores de potencia 18

III MATERIALES Y METODOS 21

3 Diseo y construccin del prototipo 22

3.1 Introduccin 22

3.1.1. Eleccin de Semiconductores y Circuito de Disparo 23

3.1.2. Caractersticas Tcnicas del Prototipo 24

3.2 Diseo Trmico Circuito de Potencia 26

 3

3.2.1. Diseo Trmico del Disipador 26

3.2.2. Diseo y Construccin del Disipador 27

3.3 Diseo y Construccin de la Tarjeta del Inversor 29

3.4 Diseo y Construccin de las Fuentes DC de los Esclavos 33

3.4.1 Diseo y Construccin de las Fuentes 33

3.4.2. Diseo Trmico de las Fuentes 35

3.5 Distribucin de Componentes 36

3.6 Simulaciones del inversor 37

IV RESULTADOS 45

V DISCUSION 47

5.1 Conclusiones 47
5.2 Recomendaciones, perspectivas y continuidad del trabajo 49

BIBLIOGRAFIA 50

ANEXOS 52
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RESUMEN

Este proyecto tiene como objetivo general disear un inversor trifsico

multinivel sencillo pero moderno.

La metodologa utilizada consiste en una investigacin bibliogrfica de las

topologas de inversores ms simples, seguida por una investigacin de la teora de

transistores de potencia y el mtodo ms adecuado de control.

Las tcnicas de Modulacin PWM (Pulse Width Modulation), usadas actualmente en casi

todos los convertidores estticos, como compensadores de reactivos, accionamiento para

maquinas elctricas, rectificadores de cuatro cuadrantes o filtros activos de potencia, no

generan una onda de voltaje y corriente perfectas. Una de las principales causas de este efecto

es la frecuencia de conmutacin a la que trabajan los semiconductores.

Los inversores multinivel son inversores de ltima tecnologa que pueden

generar corrientes o incluso voltajes sinusoidales con mucho menor contenido armnico. Si

el nmero de niveles es lo suficientemente alto, se puede obtener un voltaje (o corriente)

casi perfecto. Ms an, se puede modular en amplitud en vez de ancho de pulso (PWM), por

lo que las prdidas generadas por las armnicas de corriente pueden ser eliminadas.

Adems, la frecuencia de conmutacin y el nivel de potencia de los semiconductores se

reducen considerablemente. Dentro del contexto de utilizar los inversores multinivel para

obtener un bajo contenido armnico, se dise, simulo y construy un inversor trifsico de

81 niveles para controlar motores de corriente alterna. Este inversor consta de cuatro

puentes (un Maestro, y tres Esclavos), con sus voltajes escalados en potencia de tres, lo que

permite obtener el elevado nmero de niveles ya mencionado.

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El diseo se realiz, tomando en cuenta la disponibilidad de componentes en el mercado

as como sus respectivos modelos de PSIM, ( Power Electronics Simulator) que son

esenciales para sustentar el diseo. De no existir algn modelo en PSIM, se busc un

equivalente en bloques para realizar la simulacin.

Se realizaron pruebas con cargas resistivas, inductivas y capacitivas, para los casos en que el

voltaje de entrada disminuyera con respecto al tiempo y en el caso en que se tuvieran

cambios en la carga.

El inversor diseado es capaz de manejar corrientes de aproximadamente 14 A por fase, con

un voltaje de salida de 66 Vac eff, dando una potencia nominal de casi un KVA por fase. Para

llevar a cabo este proceso, se tuvo que disear un sistema de potencia muy compacto con

inversores individuales aislados galvnicamente, con sus sistemas de control de encendido y

fuentes de alimentacin independientes.

En sntesis, en este trabajo de investigacin se describe el proceso de diseo, simulacin y

construccin de un inversor trifsico multinivel. Una vez terminado y probado, cumpli con todos

los requerimientos especificados.

Finalmente se lleg a la conclusin de que el circuito es realizable y estable antes cambios

en la fuente y la carga as mismo lo es para cargas resistivas, capacitivas e inductivas.

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I. INTRODUCCION

1.1 PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA DE INVESTIGACIN

La tecnologa de punta, que la industria moderna utiliza en nuestros tiempos actuales y la
implementacin de la nueva Curricula de estudios de la Escuela Profesional de Ingeniera
Electrnica siendo obligatorio los cursos de::
Electrnica de Potencia I
Electrnica de Potencia II
Control de Maquinas Elctricas
Los cursos mencionados no cuentan con diseos que utilizan dispositivos semiconductores de
potencia controlados, para realizar los laboratorios que complementen la parte terica, lo que hace
que el aprendizaje sea dificultoso y lento, en consecuencia redunda negativamente en su
formacin como ingenieros.
No existen diseos inversores trifsicos multinivel, que faciliten la enseanza -aprendizaje de
tpicos de electrnica de potencia en la Escuela profesional de Ingeniera Electrnica.
Ante todas estas dificultades presentes, despus de un anlisis y observaciones encontradas es que
se plantea la problemtica en forma de pregunta:
Cmo es que la no existencia de diseos de inversores trifsicos multinivel, dificulta y hace lento
el aprendizaje del alumno, en tpicos de electrnica de potencia?

1.2 OBJETIVOS Y ALCANCES DE LA INVESTIGACION

1.2.1 OBJETIVOS
a. Objetivo General
El objetivo general del presente trabajo de investigacin consiste en el Diseo y simulacin de un
inversor trifsico multinivel que sea un diseo moderno y de fabricacin sencilla, utilizando
semiconductores de potencia Mosfets , IGBT o IGT para la conmutacin.
b. Objetivo especfico
Especficamente el objetivo del presente trabajo de investigacin, considera lo siguiente:
Anlisis de las estructuras de inversores trifsicos ms utilizadas en la actualidad de
acuerdo al diagrama de bloques, nivel tecnolgico y costo de fabricacin.
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Basados en la estructura escogida y en los voltajes DC/AC, requeridos,

definicin de las especificaciones del inversor en cuanto a eficiencia,
regulacin de voltaje y soporte de picos de carga.
Diseo del inversor trifsico multinivel de acuerdo a las especificaciones definidas.
Simulacin del circuito, rediseo y nueva simulacin hasta lograr los valores
especificados.
Construccin del inversor trifsico multinivel, considerando los dispositivos a utilizar, su
nivel tecnolgico y precio.

1.2.2 ALCANCE:
El presente trabajo de investigacin es terico, aplicado a la carrera de Ingeniera Electrnica y
se circunscribe al diseo, simulacin y construccin de un inversor trifsico multinivel. Dicho
diseo considera dispositivos semiconductores de conmutacin de potencia Mosfets, IGBTS,
etc.
Los resultados del desarrollo de este trabajo de investigacin, convencern a las autoridades de la
Facultad la adquisicin de inversores trifsicos multinivel, contribuyendo de esta manera en una
mejora de la calidad de la enseanza - aprendizaje de los alumnos de la FIEE y si es posible de
otras facultades.
Este tipo de diseo beneficiar tambin a los alumnos que escojan temas similares para su
titulacin profesional.
1.3 IMPORTANCIA Y JUSTIFICACIN DE LA INVESTIGACIN
Como la Facultad no cuenta con inversores trifsicos multinivel para la enseanza de dispositivos
de conmutacin de potencia controlada, se dificulta la enseanza - aprendizaje de los alumnos en
temas de ingeniera, en lo que se refiere al rea de Electrnica de Potencia y cursos afines.
Estas razones hacen la importancia y la justificacin del desarrollo del presente trabajo de
investigacin.
1.4 FORMULACIN DE LA HIPTESIS
En funcin de las interrogantes planteadas del problema as como los objetivos generales y
especficos que persigue el presente trabajo se plantea la siguiente hiptesis:
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"La enseanza - aprendizaje de los dispositivos semiconductores controlados de potencia, durante

las prcticas de laboratorio en lo que concierne al diseo, simulacin y construccin, necesitan de

inversores trifsicos multinivel "

En este sentido las variables que se opera son las siguientes:

Variable Dependiente: La enseanza - aprendizaje de los dispositivos semiconductores

controlados de potencia

Variable Independiente: inversor trifsico multinivel.

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II. MARCO TEORICO

2. INTRODUCCIN

La tcnica de modulacin PWM (Pulse-Width Modulation) usada actualmente

en los convertidores estticos, no entrega ondas puras. Esto es debido a las armnicas que
producen las altas frecuencias de conmutacin de los semiconductores. Los, voltajes y
corrientes no son los esperados. Porque existe contaminacin producto de armnicas,
prdidas adicionales, rizado en la corriente y gran cantidad de ruido que puede a llegar a
contaminar los sistemas de control. Esto ha llevado a muchas investigaciones en el campo
de la modulacin PWM [2, 3, 4, 5].

Los convertidores estticos actuales, aplicados al control de motores elctricos,

emplean un sistema de rectificacin - inversin para manejar la frecuencia y el voltaje.
Daos y fallas en los motores han sido puesto en evidencia por la industria debido a las altas
frecuencias PWM de los inversores. Los principales problemas son fallas en los
rodamientos del motor y prdida de la aislacin en las bobinas del motor causadas por
corrientes circulantes, desgaste dielctrico, sobretensin y descargas corona [6, 7, 8]. Las
corrientes circulantes son generadas por capacidades parsitas que se generan en las
distintas capas de las bobinas del motor. Los bruscos cambios de voltaje (dV/dt) inducen
corrientes y descargas corona en las bobinas del motor lo que provoca su desgaste
prematuro. Otro punto negativo del control PWM actual es la eficiencia, debido a las
prdidas por conmutacin de los semiconductores por las altas frecuencias con las que
operan.

La funcin principal de los convertidores multinivel es mejorar la onda de

voltaje alterno generada, usando diferentes niveles de voltaje continuo. Su funcionamiento
es tal que, al aumentar el nmero de niveles, el voltaje de salida, que est formado por
escalones de tensin, tiene mayor resolucin porque aumenta el nmero de escalones,
acercndose a una onda sinusoidal con mayor precisin. A mayor cantidad de escalones o
niveles en la onda de salida, menos DH (distorsin armnica), tiene la onda.
 10

Los convertidores multinivel, diseados para generar un gran nmero de niveles, pueden
trabajar con las tcnicas convencionales de PWM, pero adems puedes ser modulados en
amplitud, lo que produce salidas mucho ms limpias. Este mtodo de operacin permite obtener
muy buenas ondas de voltaje y corriente, eliminando la mayora de las indeseadas armnicas.
Mejor an, cada puente del convertidor funciona a baja frecuencia de conmutacin, lo cual da la
posibilidad de poder trabajar con semiconductores de menor velocidad, generando menos
prdidas por conmutacin y haciendo ms eficiente el convertidor esttico. Estas caractersticas
han dado lugar a numerosas investigaciones en este campo. el presente trabajo tiene como
objetivo disear, simular y construir un inversor trifsico multinivel, con un circuito cuya
topologa sea de la mayor sencillez posible sin abandonar su eficiencia, tal como se especifica
en los objetivos especficos.
Por estas razones, los inversores multinivel estn siendo investigados en los
ltimos aos por sus ventajas en la calidad de las ondas de voltaje y corriente, por sus bajas
prdidas de conmutacin y por su capacidad de trabajar en alto voltaje. Algunas aplicaciones
de los inversores multinivel incluyen compensadores de reactivos, control de velocidad en
motores elctricos, filtros activos de potencia y rectificadores de cuatro cuadrantes.
Un inversor es un circuito electrnico que convierte corriente directa (DC)
en alterna (AC). Los inversores se utilizan en un amplio rango de aplicaciones, desde
las pequeas, como fuentes de poder para computadora, hasta aplicaciones industriales
para manejar alta potencia.
Es debido a esta amplia gama de aplicaciones que es de gran importancia para todo
ingeniero poseer cierto conocimiento del tema. Adems este proyecto sirve como base para
determinar si es posible implementar el diseo con propsitos productivos o educativos.

2.1 LOS INVERSORES MULTINIVEL

La funcin principal de los inversores es generar un voltaje alterno a partir de una fuente de
voltaje continua. Ahora, si esa fuente de voltaje continua se dividiese en varias fuentes de
menor valor, sera posible generar un voltaje de salida alterno con niveles de tensin
escalonados utilizando Inversores Multinivel.
Los inversores multinivel, incluyen un arreglo de semiconductores y fuentes de voltaje, para
 11

formar un voltaje de salida escalonado. Las conmutaciones de los semiconductores permiten la

suma o resta de las distintas fuentes de voltaje continuo, generando una onda de voltaje de
amplitud variable. As tambin, los semiconductores trabajan con voltajes ms reducidos
La Figura 1.1 muestra algunos diagramas esquemticos de inversores con diferente nmero de
niveles, en los cuales, la accin del semiconductor est representada por un interruptor ideal
con distintas posiciones. Un inversor de dos niveles, como el mostrado en la figura 1.1(a),
genera una salida de voltaje con dos valores (niveles) distintos, VC y Cero, con respecto al
terminal negativo de la fuente (0), mientras que un mdulo de tres niveles genera tres
voltajes distintos a la salida (2VC, VC y Cero), y as sucesivamente. Las distintas posiciones
del interruptor ideal se implementan en la prctica con una cantidad de semiconductores que
est en directa relacin con el nmero de niveles.

Figura 1.1: Esquema de un Inversor de (a) dos niveles, (b) tres niveles y (c) m niveles.

Como se dijo anteriormente, los inversores multinivel constan de pequeas fuentes DC, las que
son usadas para formar una onda AC escalonada que se parezca a la onda deseada. Por ejemplo,
si se tienen diez fuentes DC de magnitudes iguales a 20 V cada una, se puede obtener una onda
compuesta de 11 niveles (cinco positivos, cinco negativos y cero, con respecto a un punto
intermedio entre las diez fuentes) que se aproxima a una onda sinusoidal de amplitud 100V
como muestra la figura 1.2:
 12

Figura 1.2: Onda de voltaje multinivel, usando 11 niveles

Con esto se puede concluir, que a mayor nmero de niveles del inversor, mayor es la cantidad
de niveles de la onda, obteniendo menor distorsin armnica.
Algunas caractersticas de los Inversores Multinivel son [15]:
a) Pueden generar voltajes de salida con muy poca distorsin y bajo dv/dt.
b) Las corrientes de entrada son de muy baja distorsin.
c) Generan pequeos voltajes de modo comn, protegiendo los motores. Ms an, utilizando
sofisticados mtodos de modulacin, el voltaje de modo comn puede ser eliminado.
d) Pueden operar con baja frecuencia de conmutacin.

2.2 CARACTERISTICAS DE UN INVERSOR DE CUATRO ETAPAS Y OCHENTA Y

UN NIVELES
Como se dijo anteriormente, los inversores multinivel pueden, si el nmero de

niveles es elevado, trabajar slo con modulacin de amplitud y prescindir del PWM,

permitiendo frecuencias de modulacin de los semiconductores muy bajas. Un elevado

nmero de niveles de escalonamiento de tensin hace, adems, la salida del inversor ms

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limpia, obteniendo ondas de corriente y voltaje casi perfectas, reduciendo a valores

despreciables las indeseadas armnicas.

Debido a que en este trabajo de investigacin, trata en particular sobre el diseo,

simulacin y construccin de un inversor trifsico de 4 etapas y 81 niveles, se ha dedicado

esta parte a explicar sus caractersticas relevantes. Un inversor del tipo puentes H en

cascada de cuatro etapas, es uno que consta de cuatro puentes H en serie, con una fuente

DC independiente para cada uno, como muestra la Figura 2.1. En el captulo II, se habl de

la maximizacin de los niveles en relacin al escalonamiento de los voltajes de un inversor

multinivel, utilizando puentes H en cascada y se dedujo que lo ptimo es utilizar una

relacin 3Vdc(i-1)= Vdci. Aplicando este escalonamiento en potencia de 3, con N = 4

puentes se obtienen 81 (34) niveles de voltaje diferentes: 40 positivos, 40 negativos y el

cero.

Debido al escalonamiento en potencia de tres, las fuentes de tensin que alimentan los

sucesivos puentes H de la cadena, decrecen rpidamente y con ello la potencia que estos

puentes entregan a la carga. De hecho, y como se ver ms adelante, slo un puente de la

cadena maneja ms del 80 % de la potencia transferida, por lo que este puente en particular

recibir el nombre de Maestro. El Maestro es el puente H que est en la parte inferior de

la Figura 2.1, ya que justamente es el que tiene el mayor voltaje. El resto de los puentes H

sern llamados Esclavos. El Maestro, adems, es el que trabaja a menor frecuencia de

conmutacin, mientras que el Esclavo superior de la cadena presenta las caractersticas

inversas, es decir, la mayor frecuencia de conmutacin, pero el menor voltaje, lo que es una

ventaja en este tipo de topologas.

 14

Figura 2.1: Inversor de tipo puentes H en cascada, de 4 etapas y 81 niveles (una fase)

La Figura 2.2 muestra las frecuencias de conmutacin resultantes en cada uno de

los cuatro puentes de una fase del inversor, para una salida de tensin sinusoidal con 81

escalones. Si las tensiones de la figura se suman, se obtendr una forma de onda

aproximadamente sinusoidal, con 40 escalones positivos, 40 negativos y un nivel cero Volts.

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Figura 2.2: Frecuencias de conmutacin de los 4 puentes en el inversor de 81 niveles.

Ntese en la figura 2.2 el escalonamiento de tensiones. La simulacin muestra

para el Maestro, un nivel mximo de alrededor de 60 Volts, para el Esclavo 1, de alrededor

de 20 Volts, para el 2 en el entorno de 7 Volts y para el 1 de poco mas de 2 Volts, es decir

se aprecia claramente el escalonamiento en potencia de 3 de las tensiones, en los cuatro

puentes de la cascada. Con 81 niveles de voltaje, el inversor puede obtener una onda

sinusoidal casi perfecta, como se aprecia en la Figura 2.3, en la que adems se muestra el

resultado con inversores de menor nmero de niveles.

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Figura 2.3: Comparacin de ondas de salida de inversores de 3, 11, 21, 31 y 81 niveles.

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2.3 RELACIONES MATEMTICAS

Un inversor con fuente de voltaje, o VSI por sus siglas en ingls, es aquel en el cual

el voltaje de entrada DC es constante e independiente de la corriente que se le debe brindar

a la carga. El inversor especifica el voltaje de salida mientras la corriente es determinada

por la carga. Es posible que sea necesario algn tipo de control de voltaje en la salida

cuando la regulacin del voltaje DC de entrada sea pobre.

La calidad de la salida de un inversor por lo general se evala en trminos del factor

de harmnicas, factor de distorsin y distorsin total de harmnicas THD. Estos

trminos se definen como:

Factor armnico de la n-sima armnica (HFn) ,el HFn, que es una medida de la

contribucin individual de esa armnica, se define as:

Para n > 1 donde V1 es el valor eficaz (rms) de la componente fundamental, y Von es

el valor eficaz de la n-sima componente armnica.

Distorsin armnica total (THD-Total Harmonic Distortion). La distorsin

armnica total, es una medida de la coincidencia de formas entre una onda y su

componente fundamental, se define como:

Factor de distorsin (DF-Distortion Factor) Se diferencia de la anterior en que

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detalla a cualquiera de las armnicas que constituye la seal, por el principio de Fourier. El

DF indica la cantidad de distorsin armnica que queda en determinada forma de onda

despus de someter a las armnicas de esa onda a una atenuacin o filtrado de segundo

orden, es decir, dividirlas entre n2. Se vuelve entonces una medida de la eficacia de la

reduccin de armnicos no deseados, y se define as:

El DF de un componente armnico individual (o el n-esimo) se define como:

para n > 1

2.4 TRANSISTORES DE POTENCIA

MOSFET de potencia

Comparado a otros dispositivos semiconductores de potencia el MOSFET

cuenta con la ventaja de tener una alta velocidad de conmutacin y una buena

eficiencia en voltajes bajos. Es el interruptor de bajo voltaje (menos de 200 V) ms

utilizado.

Posee las siguientes caractersticas:

Son rpidos dado que casi no hay carga almacenada en la regin n-.
Tienen una alta resistencia de encendido, especialmente en dispositivos de

ms de 100 V.

 19

Se restringe a niveles de potencia bajos, de 1 a 2 kW como se ve en la figura

2.4, aunque se pueden poner en paralelo para alta potencia.

Es capaz de disipar grandes cantidades de potencia

IGBT

Se utiliza en aplicaciones de media a alta potencia. El IGBT es una invencin

relativamente reciente. La primera generacin de dispositivos de los ochentas y principios

de los noventas eran relativamente lentos y tendan a fallar. La segunda generacin mejor

mucho, y la tercera rivaliz con los MOSFET en velocidad adems de ser tolerantes a

sobrecargas.

Caractersticas:

Logra baja resistencia de encendido con la desventaja de tiempos de

conmutacin ms bajos que el MOSFET pero ms rpido que los

Darlington, GTO y SCR.

Es utilizado en aplicaciones de entre 500 y 1700 V con niveles de potencia

de entre 1 y 1000 kW, figura 2.4.

Posee un coeficiente de temperatura positivo en alta corriente.

Frecuencias de conmutacin de 3 a 30 kHz.

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Figura 2.4 Comparacin de transistores de potencia

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III MATERIALES Y METODOS

Para el desarrollo de este proyecto de investigacin se utiliz la siguiente metodologa:

1. Investigacin bibliogrfica:

Se utilizan las fuentes de informacin disponibles como libros, revistas, hojas de

fabricante, internet; para establecer el marco terico necesario para el diseo del inversor as

como los componentes necesarios para el mismo.

2. Diseo:

Con la teora recopilada se escoge el mtodo de diseo apropiado que permita

simular el circuito con las herramientas disponibles.

Ya que no existe un convertidor que satisfaga todas las posibles aplicaciones, se disea el

inversor trifsico multinivel, de modo que se mantenga una estructura simple pero flexible

para su implementacin en mltiples aplicaciones.

Se estudian los componentes a utilizar considerando su nivel tecnolgico y precio,

finalmente se procede al diseo.

3. Simulacin:

Aprovechando el software , como PSIM ( Power Electronics Simulator), este programa

de simulacin presenta ventajas de velocidad de procesamiento en relacin al PSpice.

4. Rediseo y simulacin:

Si no se obtienen los resultados deseados o no es posible simular una parte

especfica del circuito se le realizan los cambios necesarios al diseo y se intenta de nuevo.
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3. DISEO Y CONSTRUCCIN DEL PROTOTIPO

3.1. INTRODUCCIN

En este captulo se describe la forma en que se llev a cabo la construccin del prototipo: un
inversor de 4 etapas y 81 niveles. El trabajo se dividi principalmente en cuatro actividades:
i) el diseo y construccin del circuito de potencia, ii) el diseo y construccin de la tarjeta
de control del circuito de potencia, iii) el diseo y construccin de las fuentes DC para los
Esclavos y iv) el diseo y construccin de la base y distribucin de componentes. Todo esto
se muestra en el diagrama de la figura 3.1.

Figura 3.1: Diagrama de las Actividades Realizadas

 23

3.1.1. ELECCIN DE SEMICONDUCTORES Y CIRCUITO DE DISPARO

Debido a que se quiere disear un inversor trifsico de cuatro etapas, los dispositivos MOSFET
requeridas para el inversor, debern ser de fcil adquisicin en el mercado nacional. De este
modo se podr contar con remplazos de rpido acceso en caso de ser necesario. Los
semiconductores seleccionados fueron: el transistor MOSFET de potencia IRF540 (100 V 28
A) para los puentes Esclavos, y el MOSFET IRFP250 (200 V 33 A) para el puente Maestro.
Con estos componentes, el inversor puede trabajar con una tensin mxima definida por los
MOSFETS utilizados en el puente principal, que es der, 200 Volts. Esto define una tensin
nominal de trabajo del puente de unos 90 Volts , y as tener un margen de seguridad adecuado.
Se utiliz provisoriamente un voltaje de 63 Volts en el Maestro pensando en la posibilidad de
utilizar como fuente de alimentacin un banco de condensadores de 63 Volts de tensin
nominal. La tabla 3.2 muestra los valores actuales y los definitivos a los que el inversor podr
trabajar dadas las capacidades de los semiconductores del sistema.

Tabla 3.2: Voltajes, Corriente contina media, y Potencias Aparentes de cada puente

Por lo tanto, el inversor tiene ahora una capacidad de 3,8 kVA, lo que permite controlar
motores de hasta 3 kW ,a cos=0,8. Una vez completadas las diferentes etapas de su
implementacin, y con las fuentes bidireccionales definitivas, podr controlar motores de
hasta 4,5 kW operando a cos=0,82.
 24

3.1.2. CARACTERSTICAS TCNICAS DEL PROTOTIPO

Los transistores MOSFET de potencia mencionados en la seccin anterior son los que
definieron la capacidad en VA del inversor multinivel. Como estos transistores deben disipar
potencia, se debe de instalarlos sobre elementos disipadores de calor. Estos elementos son
generalmente de muy alto costo, por lo que ser necesario buscar alternativas econmicas. Esto
llev a la posibilidad de utilizar perfiles de aluminio de tipo estndar, aquellos utilizados en
marcos de puertas o ventanas, y adaptarlos como disipadores. Se eligi un perfil adecuado para
tal efecto, se lleg a uno de seccin rectangular de 7,5 cm. x 2,5 cm.
Cada una de las tres fases del inversor de cuatro etapas est compuesta de ocho rectngulos de
aluminio como el descrito, de 20 cm. x 7,5 cm. x 2,5 cm. (Fig. 3.6). Estos perfiles, estn unidos
mediante separadores aislantes de baquelita de 3 cm. x 3 cm. para mantenerlos elctricamente
aislados. Sobre cada disipador se fueron montando los transistores MOSFET segn se explicar
ms adelante.
Como se mencion anteriormente, para este proyecto de investigacin, se eligieron dos tipos de
MOSFET, el IRFP250 y el IRF540. Para controlar su encendido y apagado se eligi un circuito
de compuerta que permite manejar dos transistores de una misma rama del puente H
simultneamente: el CI IR2113. A continuacin se detallan aspectos tcnicos de los MOSFET y
del controlador de compuerta.
1. IRFP250: El inversor utiliza un total de doce de estos dispositivos, cuatro para cada uno de
los tres puentes H Maestro de cada fase. Las caractersticas principales de este semiconductor
son:
33 Amperes
200 Volts
Mxima disipacin de Potencia: 180 W
Temperatura de Operacin (Tj): desde -55 a 150 C
Retardo de encendido: 18 nS
Retardo de apagado: 70 nS
Encapsulado: TO-247

2. IRF540: Los tres puentes H Esclavos de cada una de las tres fases utilizan este mismo
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semiconductor. Esto da un total de treinta y seis de estos semiconductores, cuyas caractersticas

principales son:
28 Amperes
100 Volts
Mxima disipacin de Potencia: 120 W
Temperatura de Operacin (Tj): desde -55 a 175 C
Retardo de encendido: 15 nS
Retardo de apagado: 40 nS
Encapsulado: TO-220
3. IR2113: Los transistores necesitan de circuitos de disparo para poder ser controlados.
Especficamente, los MOSFETS necesitan un voltaje VGS entre la Compuerta (Gate) y el
Surtidor (Source), de entre 10 y 20 Volts para un pleno encendido. Los dispositivos diseados
para tal efecto son los controladores de compuerta, ms conocidos por su nombre ingls de
drivers. Para este proyecto se ocuparn veinticuatro drivers IR2113, ocho para cada fase. Las
caractersticas principales de este chip son:
Rango de Voltaje bus DC: -0,3 a 625 Volts.
Rango de Voltaje para Gate: -0,3 a 25 Volts.
Mxima disipacin de Potencia: 1,6 W
Temperatura de Juntura Mxima (Tj): 150 C
Retardo de encendido: 120 nS
Retardo de apagado: 94 nS
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3.2. DISEO TRMICO CIRCUITO DE POTENCIA

Para evitar la destruccin del semiconductor, es imprescindible que nunca se

sobrepase la temperatura de juntura mxima especificada por el fabricante (125 C para el

IRFP250 y 150 C para el IRF540). As, para asegurar un funcionamiento correcto y sin

interrupciones se debe resguardar que, bajo condiciones normales de operacin, la

temperatura de juntura nunca llegue a 125 C.

3.2.1. DISEO TRMICO DEL DISIPADOR

El modelo de temperaturas se confecciona con las resistencias trmicas especificadas por el
fabricante, la resistencia trmica del disipador y la temperatura ambiente. Para el aparato en
cuestin se confeccion el modelo que se muestra en la figura 3.3.

Figura 3.3: Modelo trmico.

En el modelo, PDIS representa la potencia de prdida disipada por el MOSFET. A su vez, RJC
representa la resistencia trmica entre la juntura del MOSFET y la carcasa del aparato, RCD la
resistencia trmica entre la carcasa del aparato y el disipador de calor y RDA la resistencia
trmica entre el disipador y el ambiente (disipador de aluminio propiamente tal). Por su parte,
TJ representa la temperatura de la juntura del MOSFET, TC la temperatura de la carcasa, TD la
temperatura del disipador y TA la temperatura ambiente.
Las temperaturas de la carcasa y de las junturas del MOSFET se calculan en funcin de las
resistencias trmicas y la potencia de prdida. Estas temperaturas se determinan en forma
simblica con las siguientes ecuaciones.
TC = TA + ( R C D + R D A ). PDISP (3.1)

TJ = TA + ( R CD + R DA + R JC ). PDISP (3.2)
 27

Por otro lado, la potencia disipada total es igual a la potencia disipada por conduccin y la
potencia disipada en el diodo. Segn los datos tcnicos (Data Sheet) que se acompaan
en el Anexo y asumiendo una potencia media de 1.000 W para el Maestro
(puente de mayor potencia), con las fuentes provisorias actuales, se desprende un valor de
potencia de prdidas de 24 W.
De la potencia disipada y las ecuaciones anteriores se puede concluir que la resistencia trmica
entre el disipador de calor y el ambiente debe ser menor que 3,3 C/W, para poder mantener
todas las temperaturas dentro de los niveles establecidos por el fabricante (ver Anexo).
3.2.2. DISEO Y CONSTRUCCIN DEL DISIPADOR
Durante la operacin de los semiconductores de potencia siempre se producen prdidas en la
conmutacin y conduccin. Estas prdidas se manifiestan como calor eliminado desde las
junturas del semiconductor hacia el medio ambiente. Si el calor no encuentra una ruta expedita
para transitar hacia el medio ambiente, la temperatura del semiconductor se elevar, llegando
incluso a destruirse por este motivo.
El material elegido como disipador fue el perfil de aluminio de 20 cm. x 7,5 cm. x 2,5 cm.
Se tuvo en cuenta, segn diseo, que cada puente tiene dos MOSFETS con Drenador comn y
dos con Surtidor comn (Figura 4.4). Como la carcasa de cada MOSFET est elctricamente
conectada el Drenador, se opt por dejar un perfil completo para los MOSFET con Drenador
comn, seguido por un perfil cortado por la mitad para los MOSFET con Surtidor comn,
unidos entre s con separadores aislantes de baquelita para evitar cortocircuitos.

Figura 3.4: Diseo de uno de los Puentes H.

 28

Debido a que los perfiles de aluminio son conductores elctricos, se aprovecha esta
caracterstica para utilizarlos como parte del circuito de potencia y conectar los puentes en
cascada. La figura 3.5 muestra un esquema de estas conexiones y la figura 3.6 muestra una
fotografa de los disipadores para una fase, ya terminado.

Figura 3.5: Esquema de conexiones entre disipadores de una fase.

Figura 3.6: Fotografa del sistema disipador terminado, para una fase.
 29

3.3. DISEO Y CONSTRUCCIN DE LA TARJETA DEL INVERSOR

Para el desarrollo de esta tarjeta se utilizo el programa TraxMaker 2000, un programa
especializado en el diseo de circuitos impresos. Luego de la eleccin de este software, el
siguiente paso fue analizar y buscar las componentes necesarias que cumplieran con los
requisitos de diseo.
Se sabe que cada fase del inversor consta de cuatro puentes H conectados en serie. A su vez,
cada puente H est formado por dos circuitos de disparo, uno para controlar S1 y S3 y el otro
para controlar S2 y S4. Lo anteriormente expuesto se ilustra en la Figura 3.7.

Figura 3.7: Esquema de un puente H con sus circuitos de disparo.

Como ya se ha mencionado, el Circuito de Disparo, o Driver, se ha implementado

utilizando el circuito integrado IR2113, de International Rectifier, tal como muestra la Figura
3.8. Estos drivers tienen una notable caracterstica, pues pueden alimentar dos MOSFETs o
dos IGBTs de una misma brazo o fase, desde una referencia comn. El IR2113 permite al par
de MOSFETs (o IGBTs) trabajar con tensiones de alimentacin continua de hasta 600Vdc.
No obstante, como la configuracin especial de puentes H en cascada del inversor multinivel
utiliza fuentes de tensin continua aisladas entre s, se requiere en este caso de aislamiento
galvnico.
 30

Figura 3.8: Configuracin del driver IR2113 para dos transistores.

Debido a lo anterior, se tuvo que agregar al circuito driver, un sistema de aislamiento

mediante optoacopladores. As se tiene un sistema para los drivers, con tierras
independientes entre el control y los MOSFETs, como se muestra en la Figura 3.9. Esta
aislacin ptica se realiza con el optoacoplador digital modelo 6N137

Figura 3.9: Circuito de Disparo con aislamiento mediante optoacopladores.

Una vez definido el circuito de la Figura 3.9, se hizo el diseo del circuito impreso con
ayuda del mencionado programa TraxMaker 2000. La tarjeta de disparo desarrollada para
una solo brazo del puente H se muestra en la Figura 3.10.
 31

Figura 3.10: Tarjeta de disparo para un par de MOSFETS.

Ahora, para cada puente H se necesitan dos tarjetas impresas como la mostrada en la figura
3.10. Por lo tanto, para una fase de cuatro etapas, se necesitan ocho de estas tarjetas. La
tarjeta completa para una fase del inversor se presenta en la figura 3.11:
 32

Figura 3.11: Tarjeta de disparo para una Fase.

Las componentes utilizadas para la construccin de las tarjetas, se describen en el Anexo A.
 33

3.4. DISEO Y CONSTRUCCIN DE LAS FUENTES DC DE LOS ESCLAVOS

Como ya se destac en el captulo anterior, una de las desventajas de las topologas
multinivel de puentes H en cascada, es el uso de fuentes DC independientes para el Maestro y
para cada Esclavo. Afortunadamente, en el captulo anterior qued de manifiesto que las
fuentes de poder que alimentan los Esclavos pueden construirse tomado potencia del Maestro,
pero manteniendo la bidireccionalidad y aislacin galvnica. Adems, la tarjeta driver ya
especificada, necesita fuentes adicionales de 5 y 15 Volts para alimentar el circuito de disparo,
cada una referida a la tierra del voltaje de entrada correspondiente a cada puente.
Como se mencion en el captulo anterior, la implementacin de fuentes bidireccionales para
los Esclavos implica un trabajo extra que qued fuera de los alcances de esta proyecto, por lo
que se dise un sistema provisorio transformador/rectificador/regulador para alimentar los
Esclavos y tambin para crear las fuentes de 5 y 15 Volts.
Este diseo de las fuentes DC de los Esclavos se dividi en dos partes: el diseo y construccin
de las fuentes en s, y el diseo trmico de cada regulador. A continuacin se explicarn ambas
divisiones por separado.
3.4.1. DISEO Y CONSTRUCCIN DE LAS FUENTES
Como se dijo anteriormente, debido a que la cantidad de fuentes independientes necesarias para
esta topologa, es excesivamente grande, fue necesario hacer fuentes independientes para los
Esclavos y para los 5 y 15 Volts necesarios del circuito de disparo.
De acuerdo con los voltajes elegidos para este diseo preliminar del puente multinivel, los
reguladores elegidos para tales efectos se resumen en la Tabla 3.12 :

Tabla 3.12: Caractersticas de los reguladores usados.

 34

En el Anexo de este trabajo de investigacin, se detalla el diseo de los sistemas

transformador/regulador para cada fuente .Como se dijo anteriormente, el sistema de fuentes
DC , consta de un regulador para el Esclavo y sus respectivas alimentaciones para el circuito de
disparo. El sistema diseado es el siguiente Figura 3.13:

Figura 3.13: Esquema de las Fuentes DC para cada Esclavo.

Lo que se construy entonces, fue un circuito impreso con tres de las fuentes mostradas
anteriormente, para los tres Esclavos, incluyendo adems las fuentes de 5 y 15 Volts para el
Maestro. Esta tarjeta de circuito impreso se muestra en las Figuras 3.14.
 35

Figura 3.14: Tarjeta de las fuentes DC.

3.4.2. DISEO TRMICO DE LAS FUENTES

Anlogamente a la seccin 3.2 de este proyecto, se obtuvo el diseo trmico del sistema de
fuentes provisorias para asegurarse que todas las temperaturas de los componentes
utilizados estn dentro de los rangos que permite el fabricante.

La siguiente tabla resume el estudio trmico (Tabla 3.15) y los detalles de estos clculos pueden
ser encontrados en el Anexo.

Aplicacin Regulador Potencia Potencia Resistencia

Media Disipada Trmica
(W) (W) (C/w)
Esclavo 3 LM 317 9,3 6,9 6,7

Esclavo 2 LM 338 42,5 6,6 10,2

Esclavo 1 LM 338 114.8 28,7 1,5

Driver LM 7805 1,2 0,8 89,55

Driver LM 7815 3,7 0,7 109,43

Tabla 3.15: Diseo trmico de los reguladores

 36

3.5. DISTRIBUCIN DE COMPONENTES

La distribucin de los componentes se realiz pensando en un uso ptimo del

espacio, resguardando las distancias necesarias para los componentes de potencia.

En la figura 3.16 se puede apreciar la distribucin elegida de los componentes, la que luego
se concret en la construccin del inversor.

Figura 3.16: Vista en planta del prototipo completo.

 37

3.6. SIMULACIONES DEL INVERSOR CONSTRUIDO

En esta parte, se presentan algunas simulaciones del circuito propuesto. Estas

simulaciones fueron obtenidas usando el programa PSIM (Power Electronics Simulator),
este programa de simulacin presenta ventajas de velocidad de procesamiento en relacin al
PSpice, as como mayor nmero de componentes especializados [13].

En la seccin 2.1 de este proyecto, se describi sobre la modulacin de voltaje de los

inversores multinivel. Tambin se mostr la modulacin de voltaje de cada uno de los
cuatro puentes H, en la que se observaba el escalamiento en potencia de 3 de las
tensiones. Estos voltajes se muestran nuevamente en la Figura 3.17 y con el objeto de
apreciar, en la Figura 3.18, cmo la suma de estos cuatro oscilogramas genera la tensin
sinusoidal escalonada.

Figura 3.17: Modulacin de voltaje de los cuatro puentes H del inversor multinivel.
 38

Figura 3.18: Formacin de la onda de voltaje alterna del inversor de 81 niveles.

La figura 3.18(a) muestra la salida del inversor si slo fuese formada por la fuente DC del
Esclavo 3. Si a esa onda, se le suma el voltaje de salida del Esclavo 2 (caracterstica de la
configuracin puentes H en cascada), se obtiene la figura 3.18(b). Ahora, si a la onda de la
figura 3.18(b) se le suma la salida de voltaje del Esclavo 1, se obtiene la forma de onda de la
figura 3.18(c). Por ltimo, si a esa onda se le suma el voltaje del Maestro se obtiene la onda
senoidal que se muestra en 3.18(d).
Las corrientes en el lado de la fuente DC de cada uno de los puentes H se muestran en la
figura 3.19, donde se comparan las corrientes para una carga puramente resistiva con las
corrientes de una carga R-L (f.p.=0,11). Debe notarse que los sistemas que se comparan, tienen
el mismo valor de potencia activa.
 39

Figura 3.19: Corrientes de los puentes H para una carga (a) resistiva e (b) inductiva.

La potencia de cada uno de los puentes H, tiene la misma forma de onda que la figura 3.19
con la diferencia que cada una de las corrientes est amplificada por un valor constante, que
corresponde al valor de la fuente de alimentacin DC del puente respectivo. Se puede
demostrar que las potencias de los puentes H cambian de forma con la carga, pero los
porcentajes de participacin de cada puente sobre la potencia total no. El puente Maestro
coopera con casi el 81%, el Esclavo 1 con casi el 16%, el Esclavo 2 con menos del 3% y el
Esclavo 3 con menos del 0.5 %.

La forma de la corriente resultante para cada caso de la Figura 3.19 se puede

apreciar en la figura 3.20.
 40

Figura 3.20: Corrientes de salida del inversor para una carga (a) resistiva (b) inductiva.

Se puede apreciar que hay diferencias esperadas entre las corrientes: 1) el

retraso de fase que presenta la corriente inductiva y 2) el alisamiento de la corriente en el
segundo caso por efecto de filtrado de la carga inductiva.

Para ver las ventajas del inversor construido en relacin a tcnicas ms convencionales, se
realiz una comparacin bajo las mismas caractersticas, entre un inversor monofsico PWM y
una fase del inversor de 81 niveles construido. Ambos diagramas de simulacin generados para
el PSIM se muestran en la Figura 3.21.
 41

Figura 3.21: Diagrama en PSIM de los inversores usados para las simulaciones

La Figura 3.22 presenta una comparacin entre los voltajes de salida de ambos
inversores. La curva de voltaje de color rojo, corresponde al inversor PWM y la azul al
inversor Multinivel.

Se puede apreciar, que no hay ninguna comparacin posible en cuanto a calidad, entre la onda

del inversor PWM y la del inversor multinivel. Adems, mirando la forma del voltaje de salida

del inversor PWM, se puede concluir que las frecuencias de conmutacin de los

semiconductores son mucho mayores en esta topologa. El PWM se ve prcticamente como una

gran mancha roja en la figura, lo que puede compararse con la baja conmutacin apreciada para

cualquiera de los puentes H del multinivel. Es por esta razn que las prdidas por

conmutacin resultan menores en el inversor multinivel.

 42

Figura 3.22: Voltajes de Salida de los Inversores; en rojo: PWM; en azul 81 niveles

A continuacin, en la Figura 3.23, se comparan las corrientes para una carga R-L del inversor
PWM y del inversor Multinivel. En ambos casos la carga R-L es la misma. Se aprecia una
obvia diferencia en la calidad de la corriente generada por el inversor de 81 niveles, la cual
aparece a la vista como una sinusoide perfecta. Adems, las simulaciones muestran que el
nmero de niveles elegido es ms que suficiente para lograr corrientes casi exentas de
contenido armnico, por lo que agregar un quinto puente a la cascada (para generar 243
niveles) no tendra ningn sentido prctico. Por lo tanto, tal complejidad adicional no se
justificara. Con este tipo de corriente, se elimina el torque pulsante de un motor, mejorando su
eficiencia y evitando su desgaste. En la simulacin, el inversor PWM trabaja con una
frecuencia de la onda portadora de 10 kHz.
 43

Figura 3.23: Corrientes de Salida de los Inversores PWM (arriba) y Multinivel (abajo)

A continuacin se presentan algunas simulaciones del inversor multinivel aplicado a un

motor de 3kW. Su circuito equivalente por fase se muestra en la Figura 3.24. El motor opera
con un deslizamiento de 0,034, definido a la frecuencia de 50 Hz. En la figura 3.25 se
muestran las formas de onda de voltaje, corriente y potencia para una fase del motor. Los
resultados son tan buenos que casi parecen obtenidos desde una alimentacin sinusoidal
convencional.

Figura 3.24: Modelo del motor de induccin utilizado para las simulaciones.
 44

Figura 3.25: Formas de onda generadas por el inversor multinivel: a) voltaje y corriente del
motor de induccin, b) potencia del motor en una fase.

=
 45

IV RESULTADOS

En este Captulo, se mostrarn algunos resultados obtenidos con el prototipo

implementado. Estos resultados son preliminares, pues el sistema de control para operar

las tres fases simultneamente, el cual corresponde a otro trabajo de Investigacin, no

alcanz a estar terminado. Por esta razn, hubo que probar las tres fases

independientemente, utilizando un sistema de control provisorio, ya descrito en el

Capitulo 2.3, el cual slo permite controlar una fase a la vez. Todos los detalles en

relacin a este control, basado en tecnologa DSP, estn explicados con mayor detalle

en el Anexo de este Proyecto de Investigacin.

Tensiones de salida del inversor de 81 niveles

En la Figura 4.1 se presenta la onda de voltaje sintetizada por el inversor de 81

niveles, en tanto que en la Figura 4.2 se muestra en ms detalle un semiciclo positivo de

la onda de voltaje obtenida, donde se pueden apreciar los peldaos de tensin de la

onda escalonada. La sinusoide obtenida es pura.

Figura 4.1: Voltaje de salida escalonado del inversor

 46

Figura 4.2: Semiciclo positivo del Voltaje de Salida.

La Figura 4.3 muestra en mayor detalle an, los escalones de tensin que va generando
el inversor de 81 niveles. Puede notarse la excelente calidad de los peldaos de tensin
que se producen para formar la onda sinusoidal mostrada en las figuras anteriores. Cada
peldao debe tener la misma altura y de ello depende el perfecto escalonamiento en
potencia de tres que deben tener las tensiones de cada uno de los cuatro puentes del
inversor.

Figura 4.3: Detalle de los peldaos de la onda de voltaje alterna de salida

 47

V DISCUSION

5.1. CONCLUSIONES

Este trabajo de investigacin cumple los objetivos propuestos y se extiende ms

all de ellos, al disear un circuito inversor trifsico multinivel, capaz de suplir cargas

inductivas y capacitivas as como dejar margen para cargas mayores a 2KW.

En este trabajo de Investigacin se dise, simulo y construy un inversor de

potencia trifsico, de cuatro etapas y ochenta y un niveles, basado en la configuracin

de puentes H en serie. El diseo de este Inversor permiti construir un equipo de

potencia compacto y robusto. Dentro del Inversor, se cuenta con cuatro puentes H

conectados en serie, que son los responsables, junto al control, de formar la onda de

voltaje alterno de salida. Se dise y program un software de disparo para poder

controlar los puentes H. Tambin se disearon fuentes de tensin continua para

alimentar los puentes Esclavos.

Los resultados de las pruebas fueron satisfactorios en todo sentido. Las fuentes DC

de los Esclavos funcionaron correcta y eficientemente, entregando ondas

suficientemente planas como para no echar a perder el escalonamiento de la onda de

voltaje alterno a la salida del inversor. Ms importante an fue que se obtuvo una onda

de voltaje similar a las simulaciones propuestas en el captulo III, con mnima

distorsin armnica, tanto para el voltaje como para la corriente del inversor. Se puede

apreciar el efecto que tienen los escalones sobre la onda de voltaje.

Se puede concluir que se lograron todos los objetivos planteados para el desarrollo

de este trabajo de investigacin, respecto al inversor trifsico multinivel, en cuanto a

 48

tamao, potencia y operacin. Por otro lado, los resultados experimentales obtenidos

muestran un excelente comportamiento.

Parte del desarrollo de este equipo, que no se consider dentro del alcance de este

proyecto de investigacin, queda propuesto como trabajo a realizar en el futuro. Un

trabajo que se puede realizar con este prototipo de inversor multinivel junto con el

inversor multinivel con transformadores de salida, es un sistema AC-AC. para el

control de motores elctricos. Adems de la aplicacin antes sealada, se puede agregar

el diseo y construccin de un compensador esttico de reactivos.

Con respecto a los semiconductores que pueden ser utilizados en la construccin

de convertidores multinivel de gran potencia se puede decir que, debido a las bajas

potencias y frecuencias medias de conmutacin de los Esclavos, se pueden usar

IGBTs, y debido a la alta potencia pero baja frecuencia de conmutacin del Maestro,

se pueden usar GTOs.

El inversor construido est basado en la utilizacin de cuatro puentes H por fase, los

cuales se interconectan por medio de transformadores, y junto a un sistema de control

permiten obtener una seal sinusoidal de tensin de ochenta y un niveles (40 valores

positivos, 40 negativos y el cero). Para el sistema de control, fue necesario programar un

software de disparo bsico para realizar las pruebas. Los puentes H se han formado

empleando IGBTs como semiconductores de potencia.

Los resultados obtenidos en las pruebas realizadas fueron satisfactorios en todo sentido,

pudindose comprobar prcticamente las buenas propiedades de la tecnologa de los

inversores multinivel, comparado con los tradicionales inversores de dos niveles con
 49

modulacin por ancho de pulso. Este efecto se nota tanto en las seales de voltaje como

en las de corriente, lo que se puede observar en el captulo III de este proyecto de

investigacin.

Otra aplicacin de este inversor es como compensador esttico de reactivos.

Para aplicaciones de alta potencia los transistores IGBT superan en gran manera a los

clsicos MOSFET al poder conducir una corriente mucho mayor al mismo tiempo que

tienen una alta velocidad de conmutacin.

El entorno de simulacin PSIM destaca por su versatilidad al poder simular el

circuito de manera exitosa aun cuando no se pudo hacer en Pspice.

La seal de voltaje resultante de un inversor PWM no es una senoidal exacta ya que tiene

una forma escalonada casi imperceptible que es caracterstica de todos los inversores

controlados por PWM. Para este caso la seal se puede mejorar con

amplificadores operacionales que operen a una frecuencia ms alta.

5.2. RECOMENDACIONES, PRESPECTIVAS Y CONTINUIDAD DEL TRABAJO

Considerando las altas corriente que deben conducir los transistores es recomendable

hacer un estudio detallado de disipacin de potencia para determinar la temperatura

mxima que se alcanzar as como los disipadores de calor (radiador, ventilador,

etc.), necesarios para evitar que el circuito se sobrecaliente.

Adems se puede realizar un estudio detallado del espectro y la distorsin armnica en el

circuito, as como los diseos para eliminarlas. Un trabajo que se puede realizar con este

proyecto de investigacin es un sistema AC-AC para el control de motores elctricos, asi

como el diseo y construccin de un compensador esttico de reactivos.

 50

BIBLIOGRAFIA
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Manual. Powersim Technologies, Vancouver, Canada,

Web: http://www.powersimtech.com.

2. Leon M. Tolbert, Fang Z. Peng (2000) Multilevel Converters as a Utility Interface for

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Society Summer Meeting, July 15-20, 2000, Seattle, Washington, pp. 1271-1274

3.Bose, B; (1993) Power Electronics and Motion Control-Technology status and recent trends,

IEEE Transactions on Industry Applications,

4. J. Rodrguez, J.-S. Lai, and F. Z. Peng (2002) Multilevel Inverters: A Survey of

Topologies, Controls, and Applications. IEEE Transactions on, Industrial Electronics,

August 2002 Vol. 49 Num. 4.

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6. Keith Corzine, Yakov Familiant (2002) A New Cascaded Multilevel Hbridge Drive.

IEEE Transactions on Power Electronics, January 2002 Vol. 17, Num. 1.

7. Dixon, J; Morn, L; Bretn, A; Ros, F; (2002) Multilevel Inverter, Based on Multi-

Stage Connection of Three-Level Converters, Scaled in Power of Three. IEEE Industrial

Electronics Conference, IECON'02,5-8 Nov. 2002

8. Contardo, Jos; (1997) Filtro activo Paralelo con Control Difuso en la Barra Continua,

Proyecto para optar al Ttulo de Ingeniero Civil de Industrias, con Mencin en

Electricidad, Pontificia Universidad Catlica de Chile.

 51

9. Rotella, Mauricio; (1999) Diseo Asistido por Computador para la Construccin de un

Inversor Compacto de Alta Potencia, Proyecto

Pginas web:

10. Inversor, http://es.wikipedia.org/wiki/Inversor.

11. Inverter (electrical), http://en.wikipedia.org/wiki/Inverter_%28electrical%29.

12. Limitations of IGBT's versus MOSFET's in a phase shift full bridge, http://

www-k.ext.ti.com/srvs/cgi-bin/webcgi.exe?Company={5761bcd8-11f5-4e08-84e0-

8167176a4ed9},kb=analog,case=25378,new.

13. Modulacin por ancho de pulsoshttp://es.wikipedia.org/wiki/PWM.

14. Power semiconductor devicehttp://en.wikipedia.org/wiki/Power_semiconductor

device.

15. Pulse-width modulation, http://en.wikipedia.org/wiki/Pulse-width_modulation.

16. PWM Control Intelligent H-Bridge, http://focus.ti.com/docs/prod/folders/print/

tpic0107b.html.

17. The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), http://www.elec.gla.ac.uk/

groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html

18. Csele, M. The I2K Power Inverter, http://www.technology.niagarac. on.ca/

people/ mcsele/i2k.htm.

19. Foutz,J.Switching-Mode Power Supply Design Tutorial, http://www.

smpstech. com/tutorial/t00con.htm.

20. Goldwasser, S. Various Schematics and Diagrams, http://repairfaq.ece.drexel.

edu/REPAIR/F_samschem.html#SAMSCHEM_023, 1998.
 52

ANEXOS
 53

ANEXO A
LISTA DE COMPONENTES PRINCIPALES UTILIZADOS EN LA
CONSTRUCCIN DEL INVERSOR.
A continuacin se presenta una tabla con los principales componentes que fueron
necesarios para la creacin del inversor y fuentes DC (Tabla A.1

Componente Por Puente Por Tarjeta Sistema Completo

IRF540 (MOSFET Esclavos) 4 12 36
IRFP250 (MOSFET Maestro) 4 4 12
IR 2113 (Driver) 2 8 24
6N137 (Optoacoplador) 4 16 48
KBPC8 (Puente Rectificador 8A) 1 3
KBPC10 (Puente Rectificador 10A) 2 6
LM7805 (Regulador de Voltaje 5V) 8 24
LM7815 (Regulador de Voltaje 15V) 4 16
LM317 (Regulador Ajustable 1,5A) 1 3
LM338 (Regulador Ajustable 5A) 2 8
 54

ANEXO B
PROGRAMA DE CONTROL DEL INVERSOR
A continuacin se presenta el cdigo del programa de control usado para las pruebas,
escrito en ASSEMBLER. ste cdigo es vlido para los DSP de Texas Instruments modelo
TMS320F241. Este programa permiti generar las tensiones escalonadas para el inversor.
************************************************************************************

********************************************************************************
;
; Programa de tablas, pruebas de inversor multinivel
; TMS320F241
;
*************************************************************************
; Este programa entregar una tabla en secuencia para disparar las compuertas de
; un inversor multinivel. La frecuencia de salida se puede dejar fija (modificable
; en el programa si el pinXXX del puerto XX se encuentra en 0) o se puede modificar
; variando la entrada del conversor Anlogo/Digital N1.
;
; Para indagar acerca de los detalles de configuracin consultar manual: "systems
; and periferals" del TMS320F241
;
*************************************************************************
.include "243_dsk.h" ; Incluye la librera que contine las definiciones
; de los nombres para este DSP. Con esta el copilador
; interpreta cada nombre o instruccin como el nmero
; correspondiente.

;================================================================
; Definicin de variables.
; Estas variables se manejarn en la proyecto RAM, se ubicarn en la misma posicin
; correlativa en que se ponen aqu, pero en la mem RAM, comenzando desde la direccin
 55

; inicial del bloque que les corresponde (B1B2, expresado en el linker), 0202hex en
; este caso.2
.bss CONTADOR1, 1 ; El 1 despus de la coma indica que
; la variable ocupa un registro (16 bits)
.bss TEMP, 1
.bss TEMP1, 1
.bss TEMP2, 1
.bss ACCBAJO, 1
.bss ACCALTO, 1
.bss ANA0, 1
.bss ANA1, 1
.bss ANA2, 1
.bss ANA3, 1
;================================================================;
Definicin de variable global. Esta es visible desde cualquier parte del programa. INICIO
; indica el comienzo del programa de usuario.
.global INICIO
;================================================================
; Definicin de vectores de reset e interrupciones.
; RSVECT es el vector de reset, cuando se inicia el funcionamiento del DSP, este parte
; en la posicin que indica este vector. En este caso la posicin 1F00h es la posicin
; del punto de partida del bootloader, este detecta el estado del BIO pin y segn esto
; pasa al modo de programacin de la mem. flash o pasa al punto inicial del programa
; grabado anteriormente.
; Los vectores INIT1..INIT6 inican las posiciones de las rutinas de interrupcin de
; cada una de las 6 distintas interrupciones posibles.
.sect "vectors"
RSVECT B 1F00h
INT1 B PHANTOM
INT2 B RUTINA_INT2
INT3 B PHANTOM
 56

INT4 B PHANTOM
INT5 B PHANTOM
INT6 B PHANTOM
;================================================================
; Inicio del programa.
;================================================================
.text
;================================================================
; Configuraciones generales.
INIC
LDP #0h
CLRC SXM
CLRC OVM ; Overflow mode, 0=resultado de overfl va al acc.
SPLK #0000h, IMR ; Mascaras de interrupcin (1-6).
LDP #0E0h

SPLK #068h, WDCR ; Desabilita el Watch Dog timer.

CLRC XF
;================================================================
; Configuracin Timers
LDP #0E8h
SPLK #00000h, T1CNT ; Inicializo contadores en 1.
SPLK #00000h, T2CNT
SPLK #00031h, T1PR ; Seteo Perodo timer a 650 ciclos
SPLK #00000h, T2CON ; Seteo de control del contador 2. Deshabilitado
SPLK #01540h, T1CON ; Seteo de control del contador 1.
SPLK #00000h, GPTCON ; enciendo los pwm.
;================================================================
; Bloque de Configuracin Puertos I/O
LDP #0E1h
SPLK #00000h, OCRA ; Registro de control de puertos de entrada y
 57

SPLK #00003h, OCRB ; salida.

SPLK #0FF00h, PBDATDIR
SPLK #0FF00h, PCDATDIR
;================================================================
; Bloque de Configuracin Conversores A/D
LDP #00E0h
SPLK #00000h, ADCTRL2
SPLK #3910h, ADCTRL1 ; Se inicia conversin de datos 0 y 1
ESPERA10 BIT ADCTRL1, 7
BCND ESPERA10, NTC
LACL ADCFIFO1 ; Clear ADC FIFOs
LACL ADCFIFO1
LACL ADCFIFO2 ; Clear ADC FIFOs
LACL ADCFIFO2
;================================================================
; Seteo de interrupciones
LDP #0h
LACC IFR ; Load ACC with Interrupt flags
SACL IFR ; Clear all pending interrupt flags
CLRC INTM ; Enable interrupts
SPLK #000010b, IMR ; Desenmascaro INT2
LDP #0E8h
SPLK #080h, EVIMRA ; habilita interrupcin de periodo1.
;================================================================
; Loop principal.
LDP #04h
SPLK #0FDh, CONTADOR1
SPLK #00, TEMP
LOOP
B LOOP
;================================================================
 58

; Rutina de iterrupcin de timer 1.

RUTINA_INT2
MAR *,AR0 ; Almacenaje de datos para la int.
lAR AR0,#0200h
SST #1, *+ ; save ST1
SST #0, * ; save ST0
LDP #04h
SACL ACCBAJO
SACH ACCALTO
LDP #0E1h
LDP #0E8h
SPLK #00031h, T1PR
B FINRUT
MANUAL
NEXT1 LDP #0E0h
SPLK #00000h, ADCTRL2
SPLK #3910h, ADCTRL1 ; Se inicia conversin de datos 0 y 1
ESPERA1 BIT ADCTRL1, 7
BCND ESPERA1, NTC
SPLK #3934h, ADCTRL1 ; Se inicia conversin de datos 2 y 3
ESPERA2 BIT ADCTRL1, 7
BCND ESPERA2, NTC
LACC ADCFIFO1, 10 ; Se guardan datos 0 y 2
LDP #04h
SACH ANA0
LDP #0E0h
LACC ADCFIFO1, 10
LDP #04h
SACH ANA2
LDP #0E0h
LACC ADCFIFO2, 10 ; Se guardan datos 1 y 3
 59

LDP #04h
SACH ANA1
LDP #0E0h
LACC ADCFIFO2, 10
LDP #04h
SACH ANA3
LACL ANA0
ADD #09h
LDP #0E8h
SACL T1PR
FINRUT LDP #04h
LACL CONTADOR1
SUB #1
BCND RESET, NC
SACL CONTADOR1
B NORESET
RESET SPLK #0FDh, CONTADOR1
NORESET LACC #TABLA
ADD CONTADOR1
TBLR TEMP
LACL TEMP1
XOR TEMP
XOR #0FFFFh
AND TEMP1
SACL TEMP1

OR #0FF00h
LDP #0E1h
SETC XF
SACL PBDATDIR
LDP #04h
 60

LACL TEMP1
RPT #07
SFR
OR #0FF00h
LDP #0E1h
SACL PCDATDIR
LDP #04h
LACL TEMP
OR #0FF00h
SACL TEMP1
LACL TEMP
RPT #07
SFR
OR #0FF00h
SACL TEMP2
LACC TEMP2,16
OR TEMP1
LDP #0E1h
CLRC XF
SACL PBDATDIRDIR
SACH PCDAT
LDP #04
LACL TEMP
SACL TEMP1
LDP #0E8h ; este pedacito de rutina es el que finaliza
LACL EVIFRA ; la interrupcin, borra los flags y ese
SACL EVIFRA ; tipo de cosas.
LDP #04h
LACL ACCBAJO ; recupera el acumulador y los registros
 61

LACC ACCALTO, 16 ; de estado

MAR *,AR0
LAR AR0,#0201h
LST #0, *-
LST #1, *
CLRC INTM
RET
TABLA
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39317
.word 39317
.word 39317
.word 39317
.word 39318
.word 39318
.word 39318
.word 39318
.word 39257
.word 39257
.word 39253
.word 39253
.word 39253
.word 39254
.word 39254
 62

.word 39273
.word 39273
.word 39269
.word 39270
.word 39270
.word 38297
.word 38297
.word 38293
.word 38294
.word 38294
.word 38233
.word 38229
.word 38230
.word 38230
.word 38249
.word 38245
.word 38246
.word 38553
.word 38553
.word 38549
.word 38550
.word 38489
.word 38485
.word 38486
.word 38505
.word 38501
.word 38502
.word 38502
.word 22937
.word 22933
.word 22934
 63

.word 22873
.word 22869
.word 22870
.word 22889
.word 22885
.word 22886
.word 21913
.word 21909
.word 21910
.word 21849
.word 21845
.word 21846
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.word 21861
.word 21862
.word 22169
.word 22165
.word 22166
.word 22105
.word 22101
.word 22102
.word 22121
.word 22117
.word 22118
.word 27033
.word 27029
.word 27030
.word 26969
.word 26965
.word 26965
 64

.word 26966
.word 26985
.word 26981
.word 26982
.word 26009
.word 26005
.word 26005
.word 26006
.word 25945
.word 25941
.word 25941
.word 25942
.word 25961
.word 25957
.word 25957
.word 25958
.word 25958
.word 26265
.word 26261
.word 26261
.word 26262
.word 26262
.word 26201
.word 26201
.word 26197
.word 26197
.word 26198
.word 26198
.word 26198
.word 26217
 65

.word 26217
.word 26217
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26217
.word 26217
.word 26217
.word 26217
.word 26198
 66

.word 26198
.word 26197
.word 26197
.word 26197
.word 26201
.word 26201
.word 26262
.word 26262
.word 26261
.word 26265
.word 26265
.word 25958
.word 25958
.word 25957
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.word 25961
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.word 25941
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.word 25945
.word 26006
.word 26005
.word 26009
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.word 26982
.word 26981
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.word 26966
.word 26965
.word 26969
 67

.word 27030
.word 27029
.word 27033
.word 27033
.word 22118
.word 22117
.word 22121
.word 22102
.word 22101
.word 22105
.word 22166
.word 22165
.word 22169
.word 21862
.word 21861
.word 21865
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.word 21845
.word 21849
.word 21910
.word 21909
.word 21913
.word 22886
.word 22885
.word 22889
.word 22870
.word 22869
.word 22873
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.word 22933
 68

.word 22937
.word 38502
.word 38501
.word 38505
.word 38486
.word 38485
.word 38485
.word 38489
.word 38550
.word 38549
.word 38553
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.word 38245
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.word 38229
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.word 38294
.word 38293
.word 38293
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.word 38297
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.word 39269
.word 39269
.word 39273
.word 39273
.word 39254
 69

.word 39254
.word 39253
.word 39253
.word 39257
.word 39257
.word 39257
.word 39318
.word 39318
.word 39318
.word 39317
.word 39317
.word 39317
.word 39317
.word 39317
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
;================================================================
PHANTOM RET

Lo que aparece con la palabra .word es la tabla comentada en el captulo 2.2 y est en
hexadecimal. Aqu se encuentran los 16 bits que controlan cada fase del Inversor.
 70

ANEXO C
DISEO DE LAS FUENTES DC POR MEDIO DE REGULADORES DE VOLTAJE

Los reguladores LM 7805 y LM 7815 solo requieren de un condensador a la entrada para

obtener una onda DC limpia. Para que estos reguladores funcionen, necesitan, a lo menos,

3 Volts sobre el voltaje que regulan, as, el regulador LM 7815 necesita una entrada

continua de a lo menos 18 VDC, y el regulador LM 7805 necesita una entrada continua de

al menos 8 Volts. Ahora, antes se dijo que el voltaje de entrada DC de los reguladores era

obtenido mediante un sistema transformador-puente rectificador, sin embargo, para el

regulador de 5 Volts, se ocup como voltaje de entrada, el voltaje de salida del regulador

de 15 Volts en serie con una resistencia, as solo debemos ocupar un transformador para

obtener estos dos voltajes. El diagrama del sistema diseado es el siguiente (Figura C.1):

Figura C.1: Esquema para las Fuentes de 5 y 15 Volts.

La resistencia fue calculada considerando 1 Ampere como carga para ambos reguladores.

As, por ley de Ohm, para dejar el voltaje de entrada del regulador LM 7805 en 8 volts, se

necesita una resistencia de 7. Sin embrago, en el mercado nacional, el valor para la

resistencia que ms se le aproxima es de 6,8.

 71

Por otra parte, los reguladores ajustables en voltaje para alimentar los Esclavos, necesitan

de un circuito resistivo externo para poder regular al voltaje deseado. (Adems de los 3

Volts de entrada sobre el voltaje que regulan). A diferencia del esquema anterior, aqu no

se pueden poner los reguladores alimentados del mismo transformador por dos razones: por

la potencia necesaria en cada uno de los puentes y porque necesitan tierras independientes.

El diagrama del sistema diseado es el siguiente (Figura C.2):

Figura C.2: Esquema del circuito R-C de los reguladores ajustables para los Esclavos.

Esta configuracin entrega un rango de voltajes entre 1,2 y 20 Volts para el regulador LM

317 y entre 1,2 y 25 Volts para el regulador LM 338. Esto hace que la precisin del ajuste

de voltaje de salida no sea muy fina, ya que con el potencimetro de 5 K (R2) se recorre

el rango antes especificado. Para tener un rango de voltajes ms preciso y acotado, al

circuito resistivo antes mostrado, se le hace una pequea variacin (Figura C.3):
 72

Figura C.3: Esquema del circuito R-C modificado de los reguladores ajustables.

Aqu, el valor de la resistencia de ajuste (Rad) debe ser calculado mediante la siguiente

forma:

Vout= Vref x (1+ ( R2+Rad) / R1) + Iadj x ( R2+Rad)

As, un aumento de la resistencia, implica un aumento del valor mnimo del

rango de voltaje.

Cabe resaltar que la corriente de Ajuste (Iadj) vara dependiendo del voltaje de salida, a una

corriente de carga (Iload) constante. Esta corriente es del orden de 48uA (dato prctico).
 73

Figura C.4: Grfico de la Corriente de Ajuste vs. Temperatura.

El valor de Vref es de aproximadamente de 1,2 Volts (segn DataSheet).

En resumen, los valores de las resistencias de ajuste (Radj) son los mostrados en la Tabla

C.1:

Fuente Voltaje (V) R1 () R2 () Radj ()

[Potencimet
ro]
Esclavo 3 2,333 240 500 100
Esclavo 2 7 120 1000 100
Esclavo 1 21 120 2000 1000

Tabla C.1: Valores de las resistencias para las distintas fuentes.

 74

A continuacin se presenta una tabla resumen de los valores de cada una de las resistencias,

y los valores de voltaje mnimo y mximo de cada una de las fuentes DC (Tabla C.2):

Tabla C.2: Resumen de resistencias y rangos de voltaje

Entonces, el sistema diseado queda de la siguiente manera (Figura C.5):

Figura C.5: Esquema de las Fuentes DC para cada Esclavo.

 75

Se puede apreciar que la alimentacin DC de los Esclavos, y la alimentacin DC del

circuito de disparo de los Esclavos, ocupan transformadores distintos debido a que los

reguladores ocupan distintos valores de voltaje alterno de entrada (Anexo C) y al conectarle

un voltaje de entrada mucho mayor, esa diferencia de voltaje se transforma en energa

disipada y puede llegar a elevar la temperatura de los reguladores a valores prohibitivos.

As, un total de tres transformadores con mltiples devanados en el secundario fueron

necesarios (Anexo D).

 76

ANEXO D
CLCULO DE LOS TRANSFORMADORES DE LAS FUENTES DC

Para calcular los transformadores, fue necesario hacer un pequeo estudio,

debido a que los reguladores necesitan de 3 Volts sobre el voltaje que se quiere regular,

para un correcto funcionamiento. Los clculos y simulaciones realizadas se presentan a

continuacin.

I. Fuente de 2,33 V

Los puentes rectificadores usados, tiene una cada de voltaje (la de los

diodos que lo componen), que no es la esperada de 0,7 Volts por diodo, sino que de 1,1

Volts por diodo. Por esta razn, en las simulaciones, al lado de cada diodo se pone una

fuente DC de 1,1 Volts para hacer la simulacin lo ms real posible.

Para esta fuente, se proponen dos fuentes de voltaje: una de 10 VAC y otra de 9 VAC. A

continuacin, se detalla el estudio de cada una.

i) Transformador de 10V de Salida:

 77

Figura D.1: Circuito Simulado para la Fuente de 2,33 Volts (VAC = 10V).

Figura D.2: a) Voltaje de Entrada del Regulador, b) Corriente de Entrada del

Rectificador.

De la figura D.1, se puede apreciar el uso de un Condensador de 1500uF. De la

figura D.2, se obtiene una corriente mxima en el rectificador de 7,17A, y una corriente

efectiva de 2,88A. El voltaje mximo a la salida del rectificador es de 12,1V y el voltaje

mnimo es de 5,63V.

En la prctica funciona correctamente y su corriente efectiva es 2,34A (para ILOAD =

1,493A). Sus voltajes mximos y mnimos a la salida del rectificador son 12,8V y 5,6V

respectivamente.
 78

ii) Transformador de 9V de Salida:

Figura D.3: Circuito Simulado para la Fuente de 2,33 Volts (VAC = 9V).

Figura D.4: a) Voltaje de Entrada del Regulador, b) Corriente de Entrada del Rectificador

En este caso, se ocupa un Condensador de 2200uF para compensar la baja de

voltaje en el transformador. De la figura D.4 se obtiene una corriente mxima en el

rectificador de 8,55A, y una corriente efectiva de 3,18A. El voltaje mximo a la salida

del rectificador es de 10,69V y el voltaje mnimo es de 5,98V.

En la prctica funciona correctamente y su corriente efectiva es 2,29A (para

ILOAD = 1,493A). Los voltajes mximos y mnimos a la salida del rectificador son

9,6V y 4,4V respectivamente.

Debido a que los dos funcionan correctamente, se opt por el transformador de 10 Volts,
 79

debido a que necesitaba un condensador ms pequeo (la prueba con una fuente de 9V y

condensador de 1500uF no fue factible), lo que implica menos volumen y menor

temperatura de trabajo por los golpes de voltaje que entrega el condensador.

II. Fuente de 7 V

Para las simulaciones se ocupar una fuente de voltaje de 15 VAC, y se determinar el

condensador a ocupar.

i) Condensador del rectificador de 1500uF:

Figura D.5: Circuito Simulado para la Fuente de 7 Volts (VAC = 15V).

Figura D.6: a) Voltaje de Entrada del Regulador, b) Corriente de Entrada del

Rectificador
 80

En este caso, con un condensador de 1500uF, el voltaje de salida del rectificador de menor

valor es de 8,67V, lo que no nos entrega una diferencia de 3V para que el regulador

funcione correctamente, as que esta idea no es tomada en cuenta

.
ii) Condensador del rectificador de 2200uF:

Figura D.7: Circuito Simulado para la Fuente de 7 Volts (VAC = 15V).

Figura D.8: a) Voltaje de Entrada del Regulador, b) Corriente de Entrada del Rectificador

En este caso se ocupa un Condensador de 2200uF, y se obtiene una corriente mxima en el

rectificador de 13,91A, y una corriente efectiva de 5,37A. El voltaje mximo a la salida del
 81

rectificador es de 19,15V y el voltaje mnimo es de 11,31V.

En la prctica funciona correctamente y su corriente efectiva es 3,94A (para ILOAD =

2,515A). Los voltajes mximos y mnimos a la salida del rectificador son 18,8V y 8,8V

respectivamente.

III. Fuente de 21 V

Para las simulaciones se ocupar un condensador de 2200uF, y se determinar el valor del

transformador

i) Transformador de 30V de Salida:

Figura D.9: Circuito Simulado para la Fuente de 21 Volts (VAC = 30V).

Figura D.10: a) Voltaje de Entrada del Regulador, b) Corriente de Entrada del Rectificador
 82

En este caso se obtiene una corriente mxima en el rectificador de 26,98A, y una corriente

efectiva de 10,14A. El voltaje mximo a la salida del rectificador es de 40,3V y el voltaje

mnimo es de 25,87V.

En la prctica funciona correctamente (aunque el condensador se caliente un poco) y su

corriente efectiva es 6,44A (para ILOAD = 4,492A). Los voltajes mximos y mnimos a la

salida del rectificador son 38V y 20V respectivamente

ii) Transformador de 28V de Salida:

Figura D.11: Circuito Simulado para la Fuente de 21 Volts (VAC = 28V).

Figura D.12: a) Voltaje de Entrada del Regulador, b) Corriente de Entrada del Rectificador
 83

En este caso se obtiene una corriente mxima en el rectificador de 26A, y una corriente

efectiva de 9,84A. El voltaje mximo a la salida del rectificador es de 37,48V y el voltaje

mnimo es de 23,25V.

En la prctica no funciona correctamente (tiene unos pequeos picks) y su corriente

efectiva es 7,04A (para ILOAD = 4,528A). Los voltajes mximos y mnimos a la salida del

rectificador son 34V y 16V respectivamente.

IV. Fuentes de 15 y 5 V

Para las simulaciones se ocupar un condensador de 1500uF, y se determinar el valor del

transformador.

i) Fuentes de 15V:

Figura D.13: Circuito Simulado para la Fuente de 15 Volts (VAC = 15V).

 84

Figura D.14: a) Voltaje de Entrada del Regulador, b) Corriente de Entrada del Rectificador

En este caso se obtiene una corriente mxima en el rectificador de 3,51A, y una corriente

efectiva de 0,67A. El voltaje mximo a la salida del rectificador es de 19,15V y el voltaje

mnimo es de 17,96V.

En la prctica funciona correctamente y su corriente efectiva es 0,41A (para ILOAD =

0,1999A). Los voltajes mximos y mnimos a la salida del rectificador son 20V y 15,2V

respectivamente.

ii) Fuentes de 5V:

Figura D.15: Circuito Simulado para la Fuente de 5 Volts (VDCin = 15V).

 85

Figura D.16: a) Voltaje de Entrada del Regulador, b) Corriente de Entrada del Rectificador

En este caso se obtiene una corriente mxima en el rectificador de 2,21A, y una corriente

efectiva de 0,334A. El voltaje mximo a la salida del rectificador es de 18,6V y el voltaje

mnimo es de 18,1V.

En la prctica funciona correctamente y su corriente efectiva es 0,20A (para ILOAD =

0,0794A). Los voltajes mximos y mnimos a la salida del rectificador son 20V y 16V

respectivamente.

iii) Ambas fuentes funcionando al mismo tiempo:

 86

Figura D.17: Circuito Simulado para la Fuente de 5 y 15 Volts (VAC = 15V).

Figura D.18: a) Voltaje de Entrada a los dos Reguladores (Rojo: 15 y Azul: 5), b) Corriente
de Entrada del Rectificador
 87

En este caso se obtiene una corriente mxima en el rectificador de 3,56A, y una corriente

efectiva de 0,7A. El voltaje mximo a la salida del rectificador es de 19,15V y el voltaje

mnimo es de 17,91V. El voltaje mximo a la entrada del regulador de 5V es de 18,73V y

el voltaje mnimo es de 17,5V.

En la prctica funciona correctamente y su corriente efectiva es 0,44A (para las mismas

cargas de la simulacin). Los voltajes mximos y mnimos a la salida del rectificador son

19,2V y 15,6V respectivamente.

Los datos antes descritos, se resumen en la siguiente tabla :

Fuente Voltaje Corriente Corriente Trafo

Transformador Efectiva Trafo
2.33V 10 V 2.34 A 4A
7V 15 V 3.94 A 6A
21V 30 V 6.44 A 8A
5 y 15V 15 V 0.44 A 1A
 88

ANEDO E

HOJA DE DATOS MOSFETS IRF 540

89
 90

HOJA DE DATOS MOSFETS IRFP 250

91
 92

HOJA DE DATOS DRIVER IR 2113

93
94
95
96