ARSENIURO DE GALIO

Propiedades Estructurales
El Arseniuro de Galio (GaAs) es un semiconductor cuyo ordenamiento cristalino se
denomina estructura zinc-blende o cu bica centrada en las caras (fcc), similar a la
estructura diamante y del Si cristalino, pero con una base de dos atomos diferentes por
celda unidad del cristal, galio y arsenico de los grupos III y V de la tabla perio dica.
Su enlace es parcialmente ionico y como consecuencia de la distribucion de carga en el
cristal presenta propiedades piezoelectricas. Es decir, al someter el cristal a una tension
mecanica aparece un campo electrico en el mismo y viceversa, la aplicacio n de un campo
electrico conduce a una deformacio n en el cristal. En general, ambos efectos tienen lugar
simultaneamente. Por lo tanto, el caracter semiconductor o semi aislante del GaAs afecta al
comportamiento elastico del cristal, debido a la piezoelectricidad del mismo.

1. Red de Bravais: Zinc-blende(fcc)

2. Base atmica: Ga= [0,0,0], As= [, , ]
3. tomos por celda unitaria: 8 atomos, 4 Ga y 4 As
4. Constante de red: 5,6532 A
5. Distancias de enlace: 2.45
6. ngulos de enlace: 109.5
7. Nmeros de coordinacin: 4 primeros vecinos
8. Factor de empaquetamiento:0.77-77%
9. Volumen de la celda unitaria: 1.80X10^-28 m3
10. Masa de la celda unitaria: 9.60x10^-25 Kg
11. Densidad del compuesto: 5.317 g/cm3
12. Grupo de simetra: Td2-F43m
13. Operaciones de simetra: Identidad, Rotacin, reflexin, inversin, traslacin
14. Tipo de enlace: Parcialmente inico
 Materiales de ancho de banda directo tales como GaAs se utilizan en la actualidad
para el desarrollo de diodos emisores de luz (LED) y lseres que emiten en longitudes
de onda apropiados para trasmisin de datos por Internet. El GaAs es un compuesto
de gran inters en la industria de los semiconductores de materiales III-V, y juegan
un papel muy importante ya que su ancho de banda prohibida Eg se puede variar
cuando se introduce una impureza, y se vuelve semimagnetico cuando se introduce
Manganeso (Mn) en la matriz de GaAs.
La espintronica es un campo emergente que combina elementos de magnetismo
con los dispositivos electro nicos convencionales, basados en semiconductores. En
dichos sistemas, dos grados de libertad; la carga y el espi n, estan estrechamente
ligados y son utilizados simultaneamente para crear nuevas funciones. El feno meno
de magnetorresistencia gigante, el desarrollo de uniones tunel y la inyeccio n de
espi n son los resultados mas asombrosos obtenidos en este campo de la Fi sica
donde se mezclan el magnetismo con el transporte electro nico.
Desde el punto de vista tecnologico, estos materiales son de aplicacion en
dispositivos para comunicaciones opticas y circuitos de alta velocidad o alta
frecuencia, dispositivos fotovoltaicos tambien son de gran utilidad comercial en la
fabricacion de LEDs ( light- emitting diode) y en laseres de semiconductores. Como
desventajas se pueden mencionar la escasez del galio en la naturaleza que hace que
el GaAs sea un material costoso, y la toxicidad del arsenico involucrado en la
fabricacion.
Las diferencias principales que presenta respecto al silicio son la posibilidad de
obtener GaAs de alta resistividad electrica (semi aislante) y que los tiempos de vida
de los portadores son extraordinariamente cortos. Asimismo, es uno de los
semiconductores mas empleados en dispositivos optoelectro nicos y punto de
partida para las compuestos ternarios y cuaternarios de elementos de los grupos III
y V, tales como el AlGaAs.
En un semiconductor formado por dos elementos qumicos diferentes (Arseniuro de
Galio) la asimetra conlleva en general una cierta prdida de carcter covalente
puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la carga hacia uno u otro
tomo. El parmetro que determina este desplazamiento es la electronegatividad
de los tomos constituyentes. Cuanto ms diferente sea, mayor ser el
desplazamiento y el enlace ser ms inico que covalente

Via: http://www.arqhys.com/construccion/semiconductores-propiedades.html

http://www.bdigital.unal.edu.co/3975/1/01835319.2011.pdf
http://biblioteca.ucm.es/tesis/19911996/X/1/X1001401.pdf
https://www.ecured.cu/Arseniuro_de_galio
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/
http://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=8349