1.

7 Principios de operacion del BJT

El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material semiconductor. En la Figur
dos tipos de transistor bipolar:

NPN y PNP, en dicha figura tambin se ilustran sus respectivos smbolos elctricos. El transistor
Mientras que el transistor bipolar PNP contiene una delgada regin n entre dos regiones p. La ca
de la base, mientras que las capas externas conforman las regiones de colector y de emisor. Es
respectivamente.

Dependiendo de la polarizacin de las dos uniones PN que conforman los transistores bipolares
zona de corte, zona activa y zona de saturacin. Para las aplicaciones del transistor como ampli
utilizar el transistor como un interruptor electrnico se requiere operarlo en las zonas de corte (co
encendido). A continuacin se presenta una breve descripcin de cada una de estas zonas de o

Parmetros caractersticos del transistor

En este captulo, se exponen los principales parmetros que se

utilizarn para el trabajo con transistores.
Parmetro
El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se
produce en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes
del emisor.

As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una

variacin de la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de
funcionamiento, y una variacion de 8 mA en la corriente de emisor,
tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor

parte de los transistores el valor del parmetro se acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parmetro de un transistor
 La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las
corrientes de emisor y colector mucho ms elevadas, indica la
capacidad que posee un transistor para conseguir una ganancia de
corriente. As, la ganancia de corriente de un transistor es la relacin
que existe entre la variacin o incremento de la corriente de colector y
la variacin de la corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una

variacin de corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la
corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante

de unos a otros. As, nos podemos encontrar transistores de potencia
que poseen una de tan slo 20. Por otro lado, los transistores de
pequea seal pueden llegar a tener una de 400. Por todo ello, se
pueden considerar qe los valores normales de este parmetro se
encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes
de transistores, en vez de utilizarse la para identificar la ganancia de
corriente, se suele utilizar h . As por ejemplo, para el transistor de
FE

referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una h entre

FE

150 y 290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este

transistor, puede encontrarse entre estos valores.
Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos
indiquen que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?

La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara

de una forma sustanciosa con la corriente de colector. Adems, la
temperatura ambiente influye positivamente en el aumento de dicha
corriente. Hay que pensar que al aumentar la temperatura de la unin
del diodo colector aumenta el nmero de portadores minoritarios y, por
tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.
Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores
proporcionan, en las hojas de especificaciones tcnicas, curvas de
ganancia de corriente, donde se relacionan las variaciones que sufre
con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente
aumenta hasta un valor mximo mientras la corriente de colector
aumenta; sobrepasado ese lmite, para mayores valores de dicha
corriente, la ganancia decrece. Tambin, se hace observar la existencia
de tres curvas distintas, que indican diferentes condiciones de trabajo
para diferentes temperaturas ambiente.
Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta
estas variaciones de la ganancia de corriente, de lo contrario se podran
cometer errores sustanciales, que invalidaran las condiciones de
trabajo requeridas por el diseo inicial.
Relacin entre los parmetros y
Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = I /I y
C E

= I /I y teniendo en cuenta la relacin existente entre las diferentes

C B

corrientes que se dan en el transistor I = I +I , se pueden encontrar las

E C B

expresiones matemticas que relacionen ambos parmetros, tal como se

indica a continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que

tuviese una ganancia de corriente de 150, operaramos as:

Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente
cualquiera de las uniones de un transistor aparecen pequeas corrientes
inversas, que no provocarn la ruptura de dichas uniones si la tensin
que se aplica no supera los valores mximos fijados en las hojas de
especificaciones tcnicas.
1. Tensin inversa colector-base (V ) con el emisor abierto
CBO

En este caso, la unin formada por la base y el colector estn

polarizadas inversamente con la tensin V . Como ocurra
CB

con los diodos, esto provoca la circulacin de una pequea

 corriente de fuga (I ) que no ser peligrosa hasta que no se
CBO

alcance la tensin de ruptura de la unin. Normalmente esta

tensin suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin
superior a la indicada por el fabricante en sus hojas tcnicas.
Este dato suele aparecer indicado con las siglas V . CBO

2. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica

una tensin entre el colector y el emisor que es igual a la
suma de las tensiones de las fuentes de emisor a colector.
Esta fuerte diferencua de potencial provoca un pequeo flujo
de electrones que emite el emisor y que se sienten
fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El
resultado es una pequea corriente de fuga de emisor a
colector I . Al igual que ocurra anteriormente, el valor de
CEO

esta corriente est determinado por la tensin colector-base

(V ) aplicada. En las hojas tcnicas tambin aparece la
CEO

tensin mxima de funcionamiento (V ) que en ningn caso

CEO

debe ser superada, para evitar el peligro de destruccin del

semiconductor.
As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de
especificaciones tcnicas aparecen los siguientes valores
para las tensiones de ruptura: V = 30V y V = 20V, lo que
CBO CEO

significa que este transistor nunca deber operar con

tensiones superiores a estos valores especificados.
Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que
presenta ste, visto desde los bornes de entrada.
Al observar la caracterstica de transferencia del transistor,
representada en la figura de abajo, se puede ver que la intensidad de
base aumenta con la tensin base-emisor.

Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-

emisor y las de la corriente de base, que se corresponden con la tensin
y la corriente de entrada, se la denomina resistencia de entrada, es
decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la

curva caracterstica de transferencia.

Regiones de trabajo
 Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del
sentido o del signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las
uniones del transitor, ste se puede encontrar en alguna de las cuatro
regiones que se pueden observar en el grfico de la derecha. Estas
regiones son; Regin activa directa, Regin de saturacin, Regin de
corte y Regin activa inversa. A continuacin podemos observar el
comportamiento de cada una de estas regiones.
La regin activa directa corresponde a una polarizacin directa de la
unin emisor-base. Esta es la regin de operacin normal del transistor
para amplificacin.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base

procedentes del emisor podemos observar que all donde haba un
hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un in negativo inmvil. Si
desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se
carga negativamente, y se repelen los electrones procedentes del
emisor. En este caso se impedira la circulacin de la corriente, es
decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para que
haya corriente de colector.
Por tanto, por cada electrn recombiando hay que introducir un hueco
nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposicin de huecos es
lenta (corriente I pequea) la capacidad de inyectar electrones ser
B

baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad

de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominadaganancia

directa de corriente, o bien ganacia esttica de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base,
atrados por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar
la unin BC, y dar origen a la corriente de colector I
C

Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta

drsticamente el nmero de portadores minoritarios del diodo base-
colector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin

Regin activa inversa

Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a
una polarizacin directa de la unin colector-base. Esta regin es usada
raramente.

Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La
operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en
el modo aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el
transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que
existen zonas de depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas
zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto, no puede
establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores
minoritarios s pueden atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero
dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte
equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto.

Regin de saturacin
Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La
operacin den esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin
en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor
cerrado (VCE 0).

Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la mcima tensin permitida entre colector y base con
el emisor abierto (V ), o la tensin mxima permitida entre colector y
CBO

emisor con la base abierta (V ), la unin colector - base polarizada en

CEO

inverso entre en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,

denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos
trabajando con tensiones por debajo de los lmites anteriores debido a
la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base),
que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en
directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico
transversal en la zona de base que reduce el paso de dicha polarizacin
se crea un campo magntico trransversal en la zona de base que reduce
el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo
(anillo circular). La densidad de potencia que se concentra en dicha
zona es proporcional al grado de polarizacin de la base, a la corriente
de colector y a la V , y alcanzando cierto valor, se produce en los
CE

puntos calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente

aumento de las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con
efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el
nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de

salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvan la
curva de la situacin prevista (ver grfica inferior derecha).
El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la
avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se
destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas lmite en la
zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas
FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie
de cruvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un
ciclo concreto.

Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo.

Durante el toff, con la polarizacin inversa de la unin base-emisor se
produce la focalizacin de la corriente en el centro de la pastilla de Si,
en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los
lmites de I y V durante el toff vienen reflejados en las curvas
C CE

RBSOA dadas por el fabricante.

Curvas caractersticas

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis

parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres
tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de
circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un

circuito determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas,
existirn unos valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por
completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de
operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que
relacionan V con I y V con I e I . Con frecuencia, estas curvas son
BE B CE C B

facilitadas por los fabricantes.

Caractersticas V -I
BE B

Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las
variaciones de la tensin de polarizacin V sobre la corriente de base
BE

I . Estas grficas reciben el nombre de curvas caractersticas de

B

transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un

diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern
de gran ayuda para localizar averas en circuitos con transistores.

La funcin que liga V con I es la caracterstica de un diodo, y puede

BE B

aplicarse dado que la unin base - emisor, es una pn normal, igual que
la de diodo, y al polarizarla, seguir el mismo comportamiento que
aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:
Caractersticas V -ICE C

Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector,

ya que son las correspondientes a la tensin e intensidad del colector.
En la siguiente figura, se muestran una familia de curvas de colector
para diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende

exclusivamente de la de base, a travs de la relacin I =+I . Por lo
C B

tanto, en el plano V -I la representacin estar formada por rectas

CE C

horizontales (independientes de V ) para los diversos valores de I (en

CE B

este caso se ha representado el ejemplo para =100).

Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de I para no B

emborronar el grfico. Para I =0, la corriente de colector tambin debe

B

ser nula. La regin de corte est representada por el eje de abscisas. Por
contra, para V =0 el transistor entra en saturacin, luego esta regin
CE

queda representada por el eje de ordenadas.

Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar,
la realidad es un poco ms compleja, y las curvas quedarn como
representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente

independiente de la tensincolector-emisor. Para valores altos de
la corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.
 La regin de saturacin no aparece bruscamente para V =0, sino
CE

que hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar

una tensin de saturacin comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento
del transistor. Se puede comprobar que, para una tensin constante de
colector-emisor, si se producen pequeas variaciones de la corriente de
base (del orden de A) esto origina unas variaciones en la corriente de
colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce
la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin V afecta muy
CE

poco a la corriente de colector I . Si se aumenta V demasiado (por

C CE

encima de V ), la unin del colector entra en la regin de ruptura y

CEO

ste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensin V es muy

CE

pequea (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy

dbil, obtenindose una ganancia de corriente muy baja. En conclusin,
para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de corriente,
la tensin de polarizacin inversa V debe mantenerse por encima de
CE

0.7V y por debajo de la tensin de ruptura.

Recta de carga del transistor
Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una
determinada resistencia de carga y averiguar el punto de
funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del
transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de
funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn),
podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de
carga R . La tensin aplicada a esta resistencia se corresponder con la
L

tensin total aplicada por la fuente V menos la cada de tensin que se

CC

produce entre el colector y el emisor V . De esta forma obtendremos la

CE

siguiente expresin, que se corresponder con la ecuacin de la recta de

carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay
que hacer es encontrar sus extremos (I =0 y V =0).
C CE

Para V =0 CE

Para I =0
C
Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector,
obtendremos la recta de carga para una determinada resistencia de
carga R y una fuente V .
L CC

A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales:

puntos de corte, punto de saturacin, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva

correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (I =0). Dada la escasa
B

polarizacin directa a que queda sometido el diodo de emisor-base, la

corriente que aparece por el colector es prcti-
camente nula (slo circula una pequesima corriente de fuga I ). CEO

Haciendo una aproximacin, se puede decir, sin equivocarse mucho,

que el punto de corte se da en la interseccin de la recta de carga con el
eje horizontal, es decir cuando V =V .
Cecorte CC

El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la

intensidad de base de saturacin. En este punto, la corriente de colector
es la mxima que se puede dar para la operacin de transistor, dentro
de los lmites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin, se
puede decir que el punto de saturacin aparece en la interseccin de la
recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturacin se produce

tambin el efecto de saturacin en el transistor.
El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja de una forma
normal y que, normalmente, se encuentra entre la zona de corte de
saturacin. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para
una determinada corriente de base (I ), se busca el punto de
B

interseccin de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha

corriente de base.
Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un
transistor, se tiene que procurar que el transistor nunca opere por
encima de la curva de potencia mxima. Esto se consigue eligiendo
valores adecuados de la tensin de fuente V y de la resistencia de
CC

carga R , de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores,
L

est siempre por debajo de la curva de potencia mxima. En la figura

siguiente, es esquematiza esta situacin:
Obtencin de la Ganancia a partir de las curvas caractersticas
La ganancia en corriente de un transistor se defina como la relacin
que se da entre la variacin de la corriente d el colector y la variacin
de corriente de base. Para determinar dicha ganancia se puede recurrir a
las caractersticas del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas caractersticas del transistor
ensayado es la que se muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en V =20V, segn las cruvas
CE

de la figura de la izquierda, la intensidad de colector variar entre

I =28mA e I =43mA, mientras que la intensidad de base lo har entre
C C

I =0.10mA e I =0.15mA. La ganancia se calcula as:

B B

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra

trabajando el transistor, es decir, la tensin que se le est aplicando al
mismo, y con ello, la ganancia calculada, ser para esa tensin de
trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la calculada en otro
punto.
Curva de mxima potencia del transistor
Una de las aplicaciones de las curvas caractersticas de un transistor, es
que, a partir de stas se pueden determinar los lmites de
funcionamiento del mismo. Estos lmites estn determinados por una
potencia mxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su
destruccin.
Veamos en qu consiste ste fenmeno:
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que
vara en funcin dela intensidad que se le aplique a su base I . Por esta
B

resistencia variable circula una corriente I , relativamente grande, que

C

provoca en la misma una potencia calorfica o calentamiento, debido

al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la
tensin V , aplicada entre el colector y el emisor, por la instensidad de
CE

colector I . (P = V I ).
C CE C

Como esta potencia se transforma ntegramente en calor, provoca un

aumento de la temperatura en el transistor que, en el caso de salirse de
los lmites admisibles, provocar la destruccin del mismo.
La potencia mxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona
los fabricantes en las hojas de especificaciones tcnicas.
As, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia
mxima de 300mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia mxima sobre la
familia de curvas de colector, para as poder determinar para qu
tensiones de colector-emisor y corrientes de colector es posible trabajar
con el transistor sin que se deteriore.
Por ejemplo, para no superar los valores lmite, en el caso del transistor
BC107 se deber cumplir en todo momento la expresin:

Luego la curva de potencia mxima para este transistor ser tal que el
producto V I =0.3W.
CE C
En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la
familia de colector del transistor BC107, y en las que se ha aadido la
curva de potencia mxima.
La hiprbola divide a la caracterstica en dos zonas diferenciadas: la
zona prohibida de funcionami-
ento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la
cual la potencia es mayor de 300mW y, por lo tanto, es donde el
transistor corre peligro de destruccin por la accin del calor; y la zona
de trabajo, que queda por debajo de la hiprbola, y en la cual la
potencia es inferior a 300mW.
Influencia de la temperatura ambiente en la potencia mxima de
un transistor
La potencia mxima que puede disipar un transistor, en forma de calor,
depende de la temperatura mxima permitida en la unin colector
T (max). Esta temperatura nunca debe ser superada, ya que a partir de
j

ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las hojas de

caractersticas del componente. As, por ejemplo, el transistor BC107
posee una T (max) de 175C.
j

La potencia mxima a que puede trabajar un transistor tambin

depende de la temperatura ambiente. Hay que tener en cuenta que el
calor producido en las uniones se conduce a travs del encapsulado del
transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la
temperatura de este aire (temperatura ambiente), peor ser la
ventilacin del transistor, y por lo tanto, menor la potencia mxima que
se le puede exigir al mismo.
Por lo general, en las hojas de caractersticas tcnicas se indica la
potencia mxima para una temperatura ambiente de 25C.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habra que

encontrar la potencia mxima de funcionamiento para que el transistor
trabaje dentro de sus lmites de temperatura admisibles. En algunas
hojas de especificaciones tcnicas aparece la curva de reduccin, como
la que se encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25C, la
potencia mxima es de 125mW. Sin embargo, para 55C, la potencia
mxima disminuye a 50mW.
En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se
puede acoplar un disipador de calor, o aleta de refrigeracin en la
superficie de la cpsula del mismo, de esta forma, se consigue que el
calor se evace con mayor facilidad hacia el aire exterior.

El transistor como amplificador

Introduccin
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante
en la mayora de los sistemas electrnicos. En este proceso, los
transistores desarrollan un papel fundamental, pues bajo ciertas
condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de
seal mayor de la que absorben.
El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo
(red de dos puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo
mediante una serie de parmetros relativamente simples que nos
proporcionan informacin sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la

intensidad de los sonidos y de las seales en general. El amplificador
posee una entrada por donde se introduce la seal dbil y otra por
donde se alimenta con C.C. La seal de salida se ve aumentada gracias
a la aportacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas variaciones
de onda que la de entrada.
La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios,
la aportan dispositivos como el micrfono (transforman ondas sonoras
en seales elctricas que siguen las mismas variaciones que las
primeras), sensores trmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha

sido aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada
ganancia. Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la
relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el
de la entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos
tratando, se pueden observar tres tipos de ganancia:ganancia en
tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia.
De esta forma podemos definir los siguienteas parmetros:
1. Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): A = V / V v o i

2. Impedancia de entrada (ohmnios): Z = V / I

i i i

3. Impedancia de salida (ohmnios): Z = V / I (para V = 0)

o o o g

4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): A = I / I i o i

5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): A = P / P p o i

Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y

menor sea su impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de
forma que lo que es vlido para un margen de frecuencias no tiene
porqu serlo necesariamente para otro. De todas formas, en todo
amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia
permanece prcticamente constante (banda de paso del amplificador).
El margen dinmico de un amplificador es la mayor variacin simtrica
de la seal que es capaz de presentar sin distorsin a la salida;
normalmente expresado en voltios de pico (V ) o Voltios pico-pico
p

(V ).
pp
Ampliacin
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador,
se partir del circuito de la figura, en el que el transistor se conecta en
la configuracin denominada de emisor comn.

El generador V asegura que la unin base-emisor est polarizada en

eb

sentido directo. Una batera V (V >> V ) proporciona la tensin de

c c be

polarizacin inversa a la unin del emisor.

El circuito de entrada, en el que se aplicar la seal que se desea
amplificar, es el que contiene a la base y el emisor. El circuito de salida
est conectado a las terminales del colector y del emisor. R es la c

resistencia de carga del circuito de salida.

Supondremos que, cuando la tensin de entrada es nula (terminales de
entrada cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal
son I , I e I , con los sentidos indicados en la figura.
e b 0

A continuacin, se calcularn cuales son los incrementos que se

producen en dichas intensidades si se modifica ligeramente la tensin
Web, aplicando una ddp adicional a la entrada.
En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado,
es lo suficientemente pequeo para que las variaciones de intensidad
que provoca estn relacionadas linealmente con l.
Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la
aplicacin de una diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.
a. Variacin de la intensidad de salida (-I ).
0

Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida

es -I . Dicha intensidad tiene, tres componentes: I , I e I .
0 pb bb nc

Ahora bien, en un transistor polarizado en el modo activo, la

corriente I es muy superior a las otras dos (unas mil veces
pb

superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de

clculo de las variaciones en la intensidad del colector, es
admisible suponer que:
 Suponiendo que la variacin de V , incremento de V, es
eb

pequeo, la variacin de la corriente de salida es:

... y llamando transconductancia, g , al factor I /V , resulta

m 0 T

que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una

conductancia y su valor depende de la temperatura y del
punto de funcionamiento. A la temperatura ambiente, g vale m

unos 0.04 mOhmnios por mA de intensidad en el colector.

b. Variacin de la intensidad de entrada (-I ) b

La corriente de base, tiene, segn hemos expuesto, tres

componentes: I , I e I . De ellas, tan slo las dos primeras
ne bb nc

dependen directamente de la tensin V . Nos limitaremos,

eb

por tanto a calcular sus variaciones.

De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el trmino exponencial puede expresarse en

funcin de la intentsidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el trmino entre corchetes, tendremos

que:

El parmetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de

base, produce un incremento de la tensin V . As al eb

disminuir la barrera de potencial en la unin emisor-base, se

produce un aumento de huecos inyectados desde el emisor,
aumentando la concetracin de portadores minoritarios en la
base, lo que conduce a un incremento de la tasa de
recombinacin. Debido a ello, I crece.
bb
 Por otra parte, la disminucin de la barrera de potencial antes
citada, supone un incremento del nmero de electrones
inyectados en el emisor desde la base, con lo que se produce
un aumento de la corriente I . ne

c. Variacin de la tensin colector-emisor (V ). ce

La tensin colector-emisor es:

Por tanto, si V se incrementa, V variar como:

eb ce

La expresin anterior implica que el incremento de la tensin

colector-emisor puede aumentar sin lmite, sin ms que
incrementar suficientemente la resistencia de carga R . Tal
0

suposicin no es cierta cierta ya que hay que tener presente

que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado, no se
ha tenido en cuenta el efecto de la tensin de polarizacin
inversa V sobre la anchura de la base, W. Valores muy
cb

elevados de g R suponen una importante variacin de V , lo

m m cb

que modificara notablemente la anchura W, no siendo

vlidas entonces las premisas del modelo utilizado.
d. Ganancias de corriente y de tensin:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente
figura, se aplica una seal alterna de pequea amplitud, y
frecuencia lo suficientemente pequea para que puedan ser
despreciados los efectos dinmicos que no han sido tenidos
en cuenta en el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una
corriente alterna -I -AI . Es decir, sobre la corriente -I que
b b b

exista para un incremento de tensin 0, se superpone una

corriente alterna de amplitud incremento de la intensidad de
base.
De forma anloga, en el circuito de salida aparecer una
corriente alterna de amplitud igual al incremento de la
intensidad de colector, superpuesta a -I (corriente de colector
c

para un incremento de tensin 0).

Se define ganancia en intensidad como:

Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de

instensidad puede tomar valores muy elevados.
 De forma anloga, se defina la ganancia de tensin como:

En definitiva, la seal de entrada, se ve amplificada tanto en

intensidad como en tensin.

Otros datos - Limitaciones en los transistores

El transistor es un componente real y como tal tienen unos lmites

electrnicos que condicionan su utilizacin. Teniendo en cuenta que el
transistor se compone de diodos, es de suponer que los lmites sern
parecidos a los del diodo; los ms importantes son la tensin inversa
mxima, la potencia mxima y la corriente mxima.
Tensin mxima inversa: Si aumentamos en exceso la tensin
colector-emisor podemos llegar a la tensin de ruptura del diodo
base-colector y destruir el diodo.
Corriente mxima: Es anlogo al introducido para los diodos: una
corriente excesiva destruira al dispositivo.
Potencia mxima: Dependiendo de cmo este fabricado el
transistor, ser capaz de disipar un mximo de potencia.
Algunas aplicaciones de los transistores
El concepto de transistor bipolar permite una amplia variedad de
aplicaciones relacionadas con la electrnica de seal y la electrnica de
potencia. La electrnica de seal, o ms bien conocido como pequea
seal, es aqul entorno electrnico que trata seales de baja potencia,
relacionado tanto con el espectro de baja frecuencia como con el de
frecuencias medias y altas. Estamos hablando de circuitos de
rececpcin de audio, de recepcin de radio, de adaptadores de lneas de
transmisin, etc. Todas ellas poseen un denominador comn: los
nveles de potencia empleados.
Los transistores se utilizan especialmente en tres campos:
En amplificacin, ya sea de tensin o corriente. En estos casos el
transistor opera en la zona lineal de trabajo. El concepto de
amplificacin viene impuesto por las condiciones elctricas de
numerosos dispositivos electrnicos.
 En el tratamiento de la seal. Para este tipo de aplicaciones el
transistor puede operar tanto en la zona lineal como en la zona no
lineal, todo depende del tipo de aplicacin que se desee
implementar. Estamos hablando de dispositivos como los
generadores de corriente, los multiplicadores de dos seales, etc.
Como elementos adaptadores y aisladores entre etapas distintas
de un circuito elctrico. Se puede emplear el transistor para aislar
dos etapas de un determinado dispositivo y eliminar problemas
que pudieran aparecer.
Por ltimo, podemos generalizar que los transistores sin pequeos
dispositivos empleados en todo tipo de circuitos, ya sea
relacionados con la electrnica digital o analgica, ya que forman
el alma mater de los actuales microprocesadores y dems
elementos digitales.
Las tres configuraciones: base comn, emisor comn, colector
comn

Anlisis de un transistor en corriente continua

En la zona de corte el transistor no deja pasar corriente ni a la entrada
ni a la salida. En saturacin, con pequeas variaciones de tensin se
producen grandes variaciones de corriente, mientras que en activa la
corriente de colector de mantiene proporcional a la corriente de base.
Podemos pensar que en activa la corriente de colector se mantiene
proporcional a la corriente de base. Podemos pensar que en la zona
activa, si la corriente de base sufre pequeas variaciones, stas sern
transmitidas a las corrientes de colector. Esas variaciones en la
corriente de colector producirn a su vez variaciones en la tensin
colector-emisor.
Al realizar el anlisis en corriente continua, se eliminan todas las
fuentes de seal alterna y sustituiremos los componentes por su
equivalente para continua.
En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el
circuito de salida. La aplicacin por excelencia, posiblemente se
encuentra en el concepto de amplificacin: bajo determinadas
condiciones podemos conseguir que la corriente de colector sea
proporcional a la corriente de base.
Anlisis de un transistor en corriente alterna
Los transistores tienen un modelo equivalente que permite aplicar los
mtodos tradicionales de anlisis de circuitos (mallas, nodos). Estos
modelos se obtienen del estudio de las ecuaciones que rigen el
comportamiento de los transistores.
Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor
en alterna, el ms popular es del modelo en parmetros h.

A la entrada, la seal se encuentra con una resistencia h y un ie

generador de tensin pendiente de la tensin colector-emisor, h *V . A

re ce

la salida, un generador de corriente refleja la dependencia entre la

corriente de colector y la corriente de base, h *i y la resistencia
fe b

1/h representa la resistencia de salida.

oe

Trabajar con los parmetros h constituye una gran ventaja ya que

podemos sustituir el transsitor por este sencillo circuito que nos
permitir hallar la expresin de la seal de salida en funcin de la seal
de entrada y de los parmetros de transistor.
Condensadores de acoplo y desacoplo
La resistencia de un condensador al paso de una corriente elctrica
depende de la frecuencia. De ah que se hable de diferentes
comportamientos en continua y en alterna:

Condensadores de acoplo: Se utilizan para transmitir o conectar

seales alternas de un punto de un circuito a otro sin que afecte el
comportamiento en continua. En continua el condensador se abre
y por lo tanto impide que la seal alterna llegue al nodo. Sin
embargo, en alterna es un corto y l seal pasa sin problemas.
Condesadores de desacoplo:Tienen como misin proporcionar un
camino directo a masa para las seales alternas sin alterar el
comportamiento del circuito en continua.
ECCION 5 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR
Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc)
si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un
interruptor abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para calcular
un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a
encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al
voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula
la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnima:
IBSAT min = Icsat /
RBMax = Von/IBsat min
Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito
debe usar una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax.
Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff que haga que el
circuito entre en corte.


La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados
lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en
otro campo se aplican para activar y desactivar rels, en este caso como la carga es
inductiva (bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la
"patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una
proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.

Polarizacin del bjt, punto de

operacin.

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Anterior: Corte y saturacin.

La polarizacin del bjt se realiza mediante tensin

continua y consiste en preparar el transistor para que trabaje en la regin activa
dentro de un circuito en el cual se le quiere utilizar, se busca que a travs del
colector circule una cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una
tensin entre el colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a
esto se le llama obtener el punto de operacin o punto Q del transistor. La
corriente IC va depender de la corriente en la base IB que exista en la malla de
entrada, esto porque IC=*IB, la VCE depender de la malla de salida del
circuito, para ver esto ser de utilidad uso de las curvas caractersticas y la
ecuacin de recta de carga.

Para realizar los circuitos de polarizacin del bjt es importante tener en

cuenta siempre las siguientes caractersticas vistas anteriormente que son
IC=*IB, IE=IC+IB pero para los clculos se asume que IEIC esto porque IB
es muy pequea en comparacin con IC, y ademas que la tensin base
emisor VBE=0,7V.

Cuando se tiene un circuito ya polarizado y se quiere conocer su punto Q, se

hace lo sigue, a partir de la malla de entrada se puede calcular la corriente de
la base IBQ, de la malla de salida se obtiene la ecuacin de la recta de carga,
esta recta de carga se traza sobre la curva caracterstica de salida, donde se
intercepten la recta de carga con la curva correspondiente a IBQ ser el punto
de operacin del bjt, para conocer el valor de la corriente de colector en el
punto Q se traza a partir del punto de intercepcin una paralela al eje de VCE
donde corte esta al eje IC ese ser el valor de la ICQ, para conocer el valor de
la tensin colector emisor en el punto Q se traza a partir del punto de
intercepcin una paralela al eje de IC donde corte esta al eje VCE ese ser el
valor de la VCEQ.

Si lo que se quiere es realizar un circuito de polarizacin del bjt, entonces

ser necesario conocer cuanta debe ser la corriente de colector en el punto de
operacin ICQ y tambin cuanto debe ser el valor de la tensin colector emisor
en el punto de operacin VCEQ, la forma en que se procede en estos casos se
ve mas adelante.

El punto de operacin se puede ubicar en cualquier lugar de la regin

activa, eso va depender de lo que se quiera que haga el transistor,
normalmente cuando se est estudiando se dice de polarizarlo en la parte
media de la recta de carga, esto es as porque cuando se utiliza el transistor
como amplificador de seales analgicas se desea que la seal amplificada no
se obtenga distorsionada, cuando se comente sobre amplificaciones se ver
esto.

Se vern 3 tipos de polarizacin del bjt los cuales son:

Polarizacin fija del bjt.

polarizacin estabilizado en el emisor.
polarizacin por divisor de tensin.

Para ver los diferentes tipos de polarizacin se utilizar un bjt de canal

n, se buscar obtener una ecuacin en la malla de entrada y otra en la malla de
salida. Para polarizar un bjt de canal p se procede de manera similar, teniendo
en cuanta que las tensiones de polarizacin tendrn que invertirse, lo cual dar
como resultado que los sentidos de la IB y la IC tambin se invertirn.

En resumen, lo que se busca al polarizar el bjt es un nivel fijo para la

corriente del colector ICQ as como tambin un nivel fijo para la tensin colector
emisor VCEQ, en el cual opere el transistor.

.
1.- Polarizacin del bjt: polarizacin fija o en emisor comn.

El arreglo para este tipo de

polarizacin del bjt es el que se muestra en la figura, de ella se obtendrn las
ecuacines necesarias para resolver este tipo de polarizacin, de la malla de la
entrada se tiene:

VCC=IB*RB+VBE, si el valor de VCC es conocido y a la vez se conoce RB se

tendr

IB=(VCC-0,7)/RB con la cual se puede hallar IB

si lo que se conoce es IB, entonces

RB=(VCC-0,7)/IB con la cual se puede hallar RB.

adems se sabe que IC=*IB

De la malla de salida se tiene

VCC=IC*RC+VCE de aqu

VCE=VCC-IC*RC que viene a ser la ecuacin de la recta de carga

Es con las ecuaciones obtenidas y con la curva caracterstica de salida con

las que se pueden resolver y disear este tipo de circuitos para la polarizacin
del bjt en la regin activa.

En el siguiente vdeo se ve como obtener un circuito de polarizacin del bjt

por polarizacin fija, en este se buscar las resistencias adecuadas para lograr
la polarizacin en la parte media de la recta de carga, se asume que se est
buscando un circuito en el cual se quiere que por el colector circule una
corriente de 10mA en el punto de operacin y que la tensin colector emisor de
5V en el punto de operacin es la mitad del voltaje de la fuente de alimentacin
que ser de 10V, despus de hacer los clculos necesarios, los resultados se
prueban en un circuito real.

En el vdeo que sigue se parte de un circuito ya diseado, del cual se

quiere conocer el punto de operacin del transistor, es decir mediante clculos
y con la ayuda de la recta de carga se determinar la corriente de colector en el
punto de operacin ICQ y la tensin colector emisor en el punto de operacin
VCEQ.

En el vdeo siguiente se ve como es afectado el punto de operacin al

cambiar el transistor dentro del circuito por otro de la misma familia, la intencin
de este vdeo es ver como se es afectado el circuito por el cambio del .

.
.
.

2.- Polarizacin del bjt: Estabilizado en el emisor

Este tipo de polarizacin se

diferencia del anterior en que en el emisor se coloca una resistencia RE,
con esta resistencia se logra que el circuito sea mas estable en comparacin
con el de la polarizacin fija.

Se asume que VCC y el son valores que se conocen, luego dee la malla
de entrada se tiene:

VCC=IB*RB+VBE+IE*RE pero IEIC, entonces

VCC=IB*RB+VBE+IC*RE pero IC=*IB, luego

VCC=IB*RB+0,7+*IB,*RE, despejando IB

IB=(VCC-0,7)/(RB+*RE)

a *RE se le conoce como resistencia de entrada de la base, es un valor muy

importante, se usar mucho en amplificaciones, esto lo que indica es que la
base ve a la resistencia del emisor aumentada en veces.

De la malla de salida se tiene

VCC=IC*RC+VCE+IE*RE pero IEIC, entonces

VCC=IC*RC+VCE+IC*RE de aqu

VCE=VCC-IC*(RC+RE) que viene a ser la ecuacin de la recta de carga para

este circuito.

Es con las ecuaciones obtenidas y con la curva caracterstica de salida con

las que se pueden resolver y disear este tipo de circuitos para la polarizacin
del bjt en la regin activa.

En el siguiente vdeo se disea un circuito de polarizacin estabilizado en

el emisor, se supone que se necesita un circuito en el cual la ICQ y la VCEQ
son conocidos, por lo que se busca cuales son las resistencias adecuadas a
utilizar para lograr el circuito adecuado, luego los resultados se comprueban
en un circuito real.

En el vdeo que sigue se parte de un circuito ya diseado mediante la

polarizacin del bjt por estabilizacin del emisor, en el cual se quiere conocer el
punto de operacin del transistor, es decir mediante clculos y con la ayuda de
la recta de carga se determinar la corriente de colector en el punto de
operacin ICQ y la tensin colector emisor en el punto de operacin VCEQ.

En el vdeo siguiente se ve como es afectado el punto de operacin al

cambiar el transistor dentro del circuito por otro de la misma familia, la intencin
de este vdeo es ver como se es afectado el circuito por el cambio del en un
circuito de polarizacin del bjt por estabilizacin del emisor.
.
.
.

3.- Polarizacin del bjt: Divisor de tensin.

Este tipo de polarizacin es

la mas estable en comparacin con las dos anteriores, esto es porque cuando
el circuito est bien diseado este casi no se ve afectado por el cambio en el
valor de , pero para que eso ocurra se tiene que cumplir la siguiente
condicin:

*RE 10*R2

esto para que la base vea a RE aumentada en veces, luego para la malla de
entrada si R2(*RE/10), a la corriente que circule por R1 le ser mas fcil ir a
tierra a travs de R2 que a travs de RE, es decir la corriente que circule por
R2 ser prcticamente la misma que circule por R1, entonces el camino
formado por R1 y R2 ser un divisor de tensin, por lo tanto se tiene que
cumplir:

VB=(VCC*R2)/(R1+R2)
con lo cual el valor de la tensin de la base VB se conoce, luego como
VBE=VB-VE=0,7 la tensin del emisor VE es VE=VB-0,7 y con esto se puede
hallar la corriente del emisor que es

IE=VE/RE pero ICIE entonces IC=VE/RE esto es

IC=(VB-0,7)/RE

De la malla de salida se tiene

VCC=IC*RC+VCE+IE*RE pero IEIC, entonces VCC=IC*RC+VCE+IC*RE de

aqu

VCE=VCC-IC*(RC+RE) que viene a ser la ecuacin de la recta de carga para

este circuito.

Es con la condicin inicial, las ecuaciones obtenidas y con la curva

caracterstica de salida con las que se pueden resolver y disear este tipo de
circuitos para la polarizacin del bjt mediante divisor de tensin en la regin
activa, esta forma de proceder al hacer que se cumpla la condicin se le
conoce como la forma aproximada, mas adelante se dedica un vdeo a como
se puede proceder si se quiere un resultado mas exacto, aunque los resultados
no varan demasiado.

En el siguiente vdeo se disea un circuito de polarizacin divisor de

tensin, se supone que se necesita un circuito en el cual la ICQ y la VCEQ son
conocidos, por lo que se busca cuales son las resistencias adecuadas a utilizar
para lograr el circuito adecuado, luego los resultados se comprueban en un
circuito real.

En el vdeo que sigue se parte de un circuito ya diseado mediante la

polarizacin del bjt por divisor de tensin, en el cual se quiere conocer el punto
de operacin del transistor, es decir mediante clculos y con la ayuda de la
recta de carga se determinar la corriente de colector en el punto de operacin
ICQ y la tensin colector emisor en el punto de operacin VCEQ.

En el vdeo siguiente se ve como es afectado el punto de operacin al

cambiar el transistor dentro del circuito por otro de la misma familia, la intencin
de este vdeo es ver como se es afectado el circuito por el cambio del en un
circuito de polarizacin del bjt por divisor de tensin, se ver que este tipo de
polarizacin es la que menos ve afectado su punto de operacin.

En los 3 vdeos anteriores se a utilizado el mtodo aproximado para

realizar los circuitos de polarizacin del bjt por divisor de tensin, en el
siguiente vdeo se muestra como proceder si se necesita que los resultados
sean mas exactos, pero como se ver estos resultados no varan demasiado
en comparacin con los clculos aproximados.

Por ltimo se ha preparado un vdeo sobre un circuito de polarizacin del

bjt por divisor de tensin, utilizando en este caso un transistor pnp, los clculos
se realizan por el mtodo aproximado.

Anterior: Corte y saturacin.

Siguiente: El BJT en alterna.