Taller IV: Electrnica anloga

2014

Respuesta en frecuencia de amplificadores CJT

Edel Madrid Arroyo

Correo-e: eemadrida@unal.edu.co

Objetivo general: Para el anlisis de alta frecuencia de los

En este informe se tiene como objetivo estudiar y amplificadores BJT se utilizar el siguiente circuito
analizar experimentalmente el comportamiento y equivalente de pequea seal. Este modelo incluye
respuesta del transistor BJT bajo los efectos de la capacitancias de dispositivos y da resultados precisos
frecuencia, ste anlisis nos permitir observar y en una amplia gama de frecuencias.
conocer los rangos bajos los cuales el transistor se
comporta de cierta forma u otra cuando la frecuencia
es variada desde valores pequeos, hasta muy altos
Objetivos especficos:
Con base en el transistor 2N3904 construir los
siguientes circuitos de polarizacin por divisor de
voltaje y analizar su respuesta en la frecuencia:
Circuito amplificador de voltaje emisor
comn.
Circuito amplificador de voltaje base comn.
Circuito amplificador seguidor con emisor
comn. Donde
Construir un circuito para el anlisis a bajas
frecuencias.
Teora
Los circuitos pedidos en la prctica son mostrados en
Los modelos BJT estn diseados para el anlisis en la parte de simulaciones, en la cual tambin hay unas
pequea seal. Algunos modelos tienen en cuenta las tablas con los resultados tericos, simulados y
capacitancias del dispositivo y pueden ser exactos en experimentales; los simulados se hallan mediante el
un amplio rango de frecuencias. Sin embargo, los uso de software LTspice y los tericos mediante el
modelos ms simples son ms fciles de usar para el uso de las siguientes frmulas halladas con el anlisis
anlisis de baja frecuencia. Para esta prctica, se de los circuitos, donde se escogen los parmetros
usar un diseo simple conocido como el modelo mostrados antes de las tablas y se meten en las
hbrido-pi. ecuaciones dando los resultados mostrados en las
tablas.
Ecuaciones del circuito amplificador de voltaje
emisor comn:

Si se conocen beta y el punto Q, el valor de r se

puede calcular mediante la ecuacin:

Donde beta es el hfe del transistor, VT es una

constante que depende de la temperatura y a
temperatura ambiente equivale a 26mV, e ICQ es la
corriente en el colector en el punto de operacin.
Ecuaciones del circuito amplificador de voltaje
base comn

Ecuaciones del circuito amplificador seguidor con

emisor comn Tabla 1
Circuito amplificador de voltaje emisor comn:

Ecuaciones del circuito para bajas frecuencias

Resultados tericos, simulados,
experimentales y porcentaje de error
Para empezar, utilicemos la configuracin del
siguiente circuito, en el cual, modificando conexiones
de la fuente, la resistencia de carga y la tierra se
pueden formar tres amplificadores de tensin
diferentes: emisor comn, base comn y emisor
En este circuito se conecta la fuente de voltaje con su
la resistencia interna en A, se conecta la carga a B y
C se conecta a tierra.
Asumiendo rx = 10, hfe = = 100, ICQ = 10mA,
VA=100V, C = 12pF, C = 2pF y aplicando las
ecuaciones dadas en la teora para el amplificador de
voltaje emisor comn nos da los parmetros
mostrados en la tabla siguiente en la parte analtica,
tambin se muestran los resultados dados por las
simulaciones y los resultados experimentales, en la
ltima columna est el porcentaje de error.

Tabla 2
Circuito amplificador de voltaje base comn

seguidor.

Haciendo el anlisis de este circuito nos da los

parmetros mostrados en la tabla siguiente en la parte
analtica, tambin se muestran los resultados dados
por las simulaciones y los resultados experimentales,
en la ltima columna est el porcentaje de error
Para este circuito se conecta el punto A a tierra, el Tabla 4
punto B con la resistencia de carga y el punto C con
la fuente de voltaje y su resistencia interna. Circuito para bajas frecuencias
Asumiendo rx = 10, hfe = = 100, ICQ = 10mA,
VA=100V, C = 12pF, C = 2pF y aplicando las
ecuaciones dadas en la teora para el amplificador de
voltaje emisor comn nos da los parmetros
mostrados en la tabla siguiente en la parte analtica,
tambin se muestran los resultados dados por las
simulaciones y los resultados experimentales, en la
ltima columna est el porcentaje de error.

En los casos anteriores, para el anlisis de alta

Tabla 3
Circuito amplificador seguidor con emisor comn
Para este circuito se conecta en el punto A la fuente
de voltaje, el punto B con el voltaje de alimentacin
del transistor y el punto C con la resistencia de carga.
Asumiendo rx = 10, hfe = = 100, ICQ = 10mA,
VA=100V, C = 12pF, C = 2pF y aplicando las
ecuaciones dadas en la teora para el amplificador de
voltaje emisor comn nos da los parmetros
mostrados en la tabla siguiente en la parte analtica,
tambin se muestran los resultados dados por las
simulaciones y los resultados experimentales, en la
ltima columna est el porcentaje de error.
frecuencia, se consideraron slo las capacitancias
internas, C y C. Esto es porque estos
condensadores aparecen a travs de la ruta de seal
(de la seal a tierra de CA) que forma un filtro de
paso bajo. El filtro paso bajo define la frecuencia de
corte superior.
En este caso vamos a considerar el efecto de los
condensadores de acoplamiento, CB, CE, y CC en la
respuesta de frecuencia. Cada uno de estos
condensadores aparece en la seal de formacin de
un filtro de paso alto. Este filtro de paso alto define la
frecuencia de corte ms baja.
Asumiendo rx = 10, hfe = = 100, VA=-100V y
aplicando las ecuaciones dadas en la teora nos da los
parmetros mostrados en las tablas siguientes en la
parte analtica, tambin se muestran los resultados
dados por las simulaciones y los resultados
experimentales, en la ltima columna est el
porcentaje de error.
Primer observemos el anlisis en DC del circuito,

mostrado en la siguiente tabla.

Tabla 5
 respuesta en la frecuencia es relativamente parecida a
la simulada.

Conclusiones
Los transistores reales no trabajan a frecuencias muy
altas, lo que limita la teora.
Las simulaciones y la teora en la mayora de los
casos son de gran ayuda porque nos predicen o nos
dan una idea de como deben ser los resultados, sin
embargo, existen casos done no se tienen en cuenta
ciertos aspectos y fallan.
A frecuencias bajas, medias y DC el funcionamiento
de los transistores es muy bueno y corroboran la
teora.

Tabla 6

Anlisis de datos
De la tabla 1 se observa que los valores teoricos,
simulados y experimentados son cercanos por lo que
el circuito en DC funciona muy bien.
De las tablas 2, 3 y 4, el anlisis general es que a
excepcin de las frecuencias de cortes, los dems
parmetros medidos experimentalmente son
relativamente parecidos y no tienen un error muy
grande con respecto a los valores simulados y
tericos, en cambio, las frecuencias de corte tienen
unos valores muy distintos a los esperados y por lo
tanto esos errores tan gigantescos, esto pudo deberse
a varias razones, tal vez, las simulaciones hechas por
el software utilizado Ltspice, que aunque tenga y
simule muchas de las caractersticas de los
transistores, no las tiene todas y por esto falla con
respecto a los valores experimentales. Por otro lado,
tal vez, la respuesta en la frecuencia de los otros
dispositivos del circuito no son la esperada, haciendo
por ejemplo, que la respuesta en la frecuencia de los
capacitores afecte el resultado final esperado. Cabe
aclarar que en la prctica, al ver que los resultados
con las frecuencias estaban dando tan diferentes, se
opt por cambiar los implementos y verificar que
tuvieran un buen funcionamiento, mas sin embargo,
los resultados fueron muy similares.
De la tabla 5 se puede observar de nuevo, que el
anlisis en DC, tanto experimental como simulado es
muy parecido al terico y por esto los porcentajes de
error son relativamente bajos.
De la tabla 6 se observa que todos lo valores son
relativamente los esperados a excepcin de la
frecuencia de corte, sin embargo, la diferencia no es
tan abismal como en los casos anteriormente
nombrados, por lo que a frecuencias bajas, la