TRABAJO DE INVESTIGACION No 2:

EL TRANSISTOR POLAR

CALDERON BARRERA JUAN JOSE GRUPO 1523

FECHA: 06/09/2016
 INDICE
Construccin del transistor bipolar .......... 3
OPERACIN BASICA DEL
TRANSISTOR BIPOLAR .......................... 4
Parmetros y rangos de operacin. ........ 5
CONCLUSION ............................................ 6
BIBLIOGRAFIA........................................... 6
Construccin del transistor bipolar
El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son
de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un
metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la

unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin

del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente,
tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin
del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector
(C), segn corresponda.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del
emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base
escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la
unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran .

El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un

dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el
transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a
que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo
activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso
sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el
valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las
tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que
el colector est ligeramentedopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de
reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est
polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la
tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin
base-emisor deben provenir del emisor.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

OPERACIN BASICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Dispositivo que amplifica la intensidad de corriente se caracteriza por que la corriente de
salida es controlada por la corriente de entrada y amplificada en un factor llamado . De ah
que se dice que la corriente de salida es una variable que depende tanto de la intensidad de
corriente a la entrada como de la del transistor.

El BJT se comporta como un gran nodo en el cual se cumple la ley de Kirchhoff de corrientes:

Corriente entrante= corriente saliente

Corriente de emisor = corriente de base + corriente de colector

= +
Sin embargo, la corriente de colector esta formada por dos componentes: los portadores
mayoritarios y los minoritarios. A la corriente minoritaria se le denomina Ico por lo que:

= +

Parmetros y rangos de operacin.

En un transistor bipolar uno de los aspectos ms interesantes para su anlisis y uso es el conocer
las relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE, IB e IC). En la ecuacin I tenemos una
primera relacin. Otras relaciones se pueden obtener definiendo una serie de parmetros
dependientes de la estructura del propio transistor. Definimos los parmetros y (de continua)
como la relacin existente entre la corriente de colector y la de emisor, o la de emisor y la de base,
es decir:

= =

Operando podemos relacionar ambos parmetros de la siguiente forma:

= = = = /(1 )

(1 )

En general el parmetro ser muy prximo a la unidad1 (la corriente de emisor ser similar a la
de colector) y el parmetro tendr un valor elevado (normalmente > 100).

A partir de las ecuaciones anteriores se puede obtener una ms que es til cuando se trabaja con
pequeas corrientes de polarizacin, en las que el efecto de la corriente inversa que circula entre
colector y base puede no ser despreciable:

= + (+1) 0

En esta ecuacin se ha denominado IC0 a la corriente inversa de saturacin de la unin colector

base, la cual, en general se puede aproximar por ICn, y corresponde a la corriente que circulara
por dicha unin polarizada en inversa si se deja al aire el terminal de emisor.
CONCLUSION
El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales.

La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al

desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica.

Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o
BICMOS.

BIBLIOGRAFIA

http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el2207/wmarinCH03.pdf

http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar#Estructura