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DIAC, UJT y PUT

Gissela J. Flores, Eric Medina, Carlos H. Ramrez, Andrea L. Rivera

AbstractoEn el siguiente artculo se describen los diferentes

tipos de transistores denominados DIAC, UJT y PUT. Se
desarrolla una descripcin general de cada uno de ellos, de qu
tipo de material estn compuestos o cul es su configuracin
interna, las curvas caractersticas de funcionamiento, como se
relacionan los valores de voltaje y corriente y como describen la
funcionabilidad del elemento, una aplicacin prctica de la forma
de uso de estos elementos, como interactan con otros elementos
permitiendo desarrollarlos de manera efectiva y competente.
ndice de trminos nodo, Base, Bidireccional, Capacitor,
Ctodo, Conductor, Corriente, DIAC, Diodo, Emisor, Resistencia,
Semiciclo, Semiconductor, SCR, Tensin, Transistor, TRIAC,
Voltaje, UJT, PUT.
I. INTRODUCTION
L A utilizacin de semiconductores ha llevado a la
simplificacin de las tareas que de otra manera tomara una
cantidad muy grandes de circuitos reproducir la efectividad de
estos, en la actualidad los semiconductores debido a la
diversidad de materiales con los que estn construidos permiten
realizar diferentes tipos de aplicaciones, todo esto dependiendo
de la cantidad de impurezas que tenga el material y la forma en
que este construido. La mayora de los equipos de
instrumentacin ms especficamente mdicos tiene una gran
cantidad de dichos elementos, muchos de estos equipos
necesitan osciladores y controles de potencia que puedan ser
manipulados no de manera directa si no que funcionen en favor
de parmetros elctricos.
Fig. 1. Diagrama elctrico y Diagrama bloque interno del DIAC.
A. Funcionamiento
Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce
corriente despus de un haber excedido su voltaje de ruptura
(VBO), cuando el dispositivo supera esta tensin, entra en la
regin de resistencia dinmica negativa. Esto resulta en una
disminucin en la cada de voltaje a travs del diodo, existe un
fuerte aumento en el nivel de corriente que es conducido por el
dispositivo. El diodo permanece en su estado de conduccin
hasta que la corriente a travs de l cae por debajo de lo que se
denomina corriente de ruptura (IBO). Debajo de la IBO, el
DIAC vuelve a su estado de alta resistencia (no conductor). Su
comportamiento es bidireccional y por lo tanto su
funcionamiento ocurre en ambas mitades de un ciclo de AC.
B. Curva caracterstica de un DIAC
Como se puede apreciar en la Fig. 2 se presenta la curva
caracterstica del DIAC, donde se describen las caractersticas
elctricas del dispositivo y la relacin este el voltaje de ruptura
VBO y la corriente de ruptura IBO.

II. DIODO PARA CORRIENTE ALTERNA (DIAC)

Es un interruptor semiconductor de onda completa o
bidireccional. Fsicamente Tiene dos terminales denominados
nodo 1(MT1) y nodo 2(MT2), puede ser fabricado como
una estructura de tres o cinco capas. En la estructura de tres
capas, una capa N en cada nodo unidos con una capa p en el
centro. La versin de tres capas del dispositivo es la ms comn
y utilizada en la mayora de las aplicaciones, puede tener una
tensin de ruptura de alrededor de 30 V. Se puede apreciar lo
anterior en la Fig. 1.
Fig. 2. Relacin entre el voltaje y la corriente dentro del DIAC
En la curva caracterstica se observa que cuando +V o V es

15 de agosto del 2017, Primera Tarea ex aula de la catedra de Carlos H. Ramrez esta con la Universidad Don Bosco, Calle Plan del Pino,
Instrumentacin para diagnstico y tratamiento mdico impartida por el Ing. Cantn Venecia, Soyapango, San Salvador (email: carlos123fall@gmail.com).
Carlos E. Alvarado. Andrea L. Rivera esta con la Universidad Don Bosco, Calle Plan del Pino,
Gissela J. Flores esta con la Universidad Don Bosco, Calle Plan del Pino, Cantn Venecia, Soyapango, San Salvador (email:
Cantn Venecia, Soyapango, San Salvador (email: gissel.joliet@gmail.com). andrea.rivera11@outlook.com).
Eric Medina esta con la Universidad Don Bosco, Calle Plan del Pino,
Cantn Venecia, Soyapango, San Salvador (email: zeromgb@gmail.com).

menor que la tensin de ruptura, el DIAC se comporta como un
circuito abierto y cuando +V o V es mayor que la tensin de
ruptura, el DIAC se comporta como un cortocircuito.
C. Aplicacin
Los DIACs se utilizan a menudo junto con TRIACs ya que
estos dispositivos generan armnicos, en general es indeseable
tener altos niveles de armnicos en un sistema de potencia.
Dado que el DIAC evita que la corriente de puerta fluya hasta
que el voltaje de ruptura haya alcanzado un cierto voltaje en
cualquier direccin, esto hace que el punto de ruptura del
TRIAC sea ms uniforme en ambas direcciones. Para los
circuitos de control la forma ms comn est representada en la
Fig. 3, en que la resistencia variable R carga el condensador C
hasta que se alcanza el voltaje de ruptura del DIAC,
producindose la descarga del condensador, esta corriente
alcanza la puerta del TRIAC y lo pone en conduccin. Esto se
produce tanto en el semiciclo positivo y negativo. El momento
de disparo lo determina el valor de R variando el tiempo de
conduccin del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media
aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz control
de potencia.
Fig. 3. Circuito tpico de control de potencia
III. TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT)
El transistor de unijuntura o transistor monounion,
fsicamente tiene tres terminales denominados emisor (E), base
uno (B1) y base dos (B2), como se muestra en la Fig. 4, este
transistor consiste de una barra de material tipo N con
conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una
conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna
parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin,
el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una
unin PN.
Fig. 4. Diagrama bloque interno y Diagrama elctrico del UJT
En un transistor UJT, El emisor est fuertemente dopado con
impurezas P y la regin N dbilmente dopado con N. Por ello,
la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia internase,
es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto, es decir
cuando no conduce).
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A. Funcionamiento
El funcionamiento del UJT, se entiende mejor cuando se
explica en forma separada, es decir, cuando el UJT est apagado
y no conduce y cuando esta encendido y conduce.
Si el emisor es alimentado con un voltaje negativo la regin
agotada aumenta y esta unin ofrece una resistencia mxima al
paso de la corriente (que tiene un valor muy pequeo) de
emisor, y no hay flujo de corriente de B1 a B2 en esta situacin
se dice que el UJT est apagado.
Si se alimenta el emisor con un voltaje positivo la regin
agotada disminuye y esta unin ofrece una resistencia mnima
al paso de la corriente de emisor, y como resultado hay un flujo
de corriente muy intenso de B1 a B2 en esta situacin se dice
que el UJT est activado.
B. Curva caracterstica de un UJT
En la Fig. 5 se presenta la curva caracterstica del UJT, donde
se describen las caractersticas elctricas de este dispositivo a
travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la
corriente de emisor (IE).
Fig. 5. Relacin entre el voltaje y la corriente de Emisor en un UJT
En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el
VE, aumenta la corriente IE hasta un punto mximo IP, ms all
del punto mximo, la corriente aumenta a medida que
disminuye la tensin en la regin de resistencia negativa, la
tensin alcanza un mnimo en el punto valle. La resistencia
RB1, resistencia de saturacin es ms bajo en el punto valle.
Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin
de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin.
C. Ejemplo de Aplicacin
Las caractersticas elctricas que posee el UJT lo hacen muy
til en muchos circuitos industriales, incluyendo
temporizadores, osciladores, generadores de onda. Una de las
aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos
en diente de sierra, cuyo esquemtico se muestra en la Fig. 6,
Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la
puerta de TRIACS y SCR.
Fig. 6. Generador de pulsos en diente de sierra mediante UJT.

En el circuito serie R-C mostrado anteriormente, despus de
un proceso de carga y descarga del capacitor, se consigue que
en el terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en forma
de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los
tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC.
Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar
el valor hmico de la resistencia variable RS, ya que de sta
depende la constante de tiempo de carga del condensador
IV. TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE (PUT)
Es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar
comn (que tiene 3 capas: NPN o PNP), tiene 4 capas. De la
Fig. 7 se puede ver que el PUT tiene una construccin de cuatro
capas. La capa P ms alta se denomina nodo (A). La capa N
junto al nodo se denomina puerta (G). La parte ms baja de la
capa N se llama ctodo (K). A diferencia del UJT, este permite
que se modifiquen los valores de RBB y VP que en el UJT son
fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados
por la terminal G por ello se le llama programable.
Fig. 7. Diagrama bloque interno y Diagrama elctrico del PUT
A. Funcionamiento
Normalmente el nodo del PUT est conectado a un voltaje
positivo y el ctodo est conectado a tierra. La compuerta est
conectada a la unin de las dos resistencias externas R1 y R2
que forman una red divisora de tensin. Es el valor de estas dos
resistencias las que determinan la tensin mxima (Vp) del
PUT. La Fig. 8 muestra un ejemplo de conexin.
Fig. 8. Configuracin tpica de un PUT.
Para pasar al modo activo desde el estado de corte hay que
elevar el voltaje entre A y K hasta llegar al valor Vp, que
depende del valor del voltaje en la compuerta G.
Cuando la tensin del nodo (Va) alcance el valor Vp, este
transistor entrar en conduccin y permanecer en este estado
hasta que Ia disminuya desde este punto. Esto se logra
reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre
G y K.
Cuando la tensin de Va se reduce hasta llegar al punto de
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valle o Valley Point, el dispositivo se satura completamente y
Va no disminuir, ah es cuando el dispositivo se comporta
como una unin PN completamente saturada.
B. Curva caracterstica de un PUT
En la Fig. 9 se puede apreciar mejor lo anteriormente dicho.
En la grfica se puede apreciar la relacin entre la tensin
mxima(Vp), la tensin de viraje(Vv) y la corriente de valle(Iv).
Una vez el PUT llegue al voltaje de viraje este volver a su
condicin inicial repitiendo el ciclo en el tiempo.
Fig. 9. Relacin entre el voltaje y la corriente del nodo de un PUT.
C. Ejemplo de aplicacin
Al igual que el UJT el PUT puede usarse como un oscilador,
aprovechando esta caracterstica se puede obtener un generador
de diente de sierra y de seal cuadrada. Las resistencias R1 y
R2 como se mencion anteriormente establecen la tensin
mxima Vp, la resistencia Rk limita la corriente del ctodo y la
resistencia R y el condensador C establecen la frecuencia del
oscilador, el condensador C se carga a travs de la resistencia R
hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp, en ese momento
el PUT entra en la regin de resistencia negativa(cuando
disminuye el voltaje y aumenta la corriente), esto permite que
el condensador se descargue entre nodo y ctodo cuando el
PUT se encuentra por debajo del voltaje Vv el dispositivo
vuelve a su condicin inicial. El circuito de esta aplicacin se
puede apreciar en la Fig. 10.
Fig. 9. Relacin entre el voltaje y la corriente del nodo de un PUT.
V. CONCLUSIN
Aun cuando los transistores se utilizan para
diferentes tipos de aplicaciones tal y como pudimos
apreciar en este trabajo la mayora funcionan
jugando con el voltaje y la corriente entre el nodo
y el ctodo en un tipo de polarizacin especifica.
La diferencia entre cada uno de ellos son los
materiales de construccin y el porcentaje de
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impurezas que se encuentren en los dopajes. Andrea L. Rivera Naci el 6 de

noviembre de 1993 en San Salvador,
estudio Bachillerato General en el
REFERENCIAS Colegio La Divina Providencia, estudio
[1] Electronics Notes, What is a DIAC? DIAC Applications, de ingls nivel bsico en el Centro
Circuits, Accedido el: 12 de agosto del 2017. [En lnea]. Cultural Salvadoreo en el ao 2012,
Disponible en: https://www.electronics-
notes.com/articles/electronic_components/scr/what-is-a-
actualmente se encuentra terminando 4
diac.php. ao de Ingeniera Biomdica en la
[2] Ruiz., . L, El transistor de Unijuntura, Universidad de Universidad Don Bosco.
Crdoba, Accedido el: 12 de agosto del 2017. [En lnea].
Disponible en:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/tran
sistoresUJT.html.
[3] Per, G. S, El transistor UJT, Slide Share, Accedido el: 12
de agosto del 2017. [En lnea]. Disponible en:
https://es.slideshare.net/pintoyin/el-transistor-ujt
[4] Circuits Today, Programmable UJT, Accedido el: 12 de
agosto del 2017. [En lnea]. Disponible en:
http://www.circuitstoday.com/programmable-ujt

Gissela J. Flores Naci en San salvador

el 31 de agosto de 1994, Bachiller general,
posee certificacin en el idioma ingles
TOEIC, actualmente estudia Ingeniera
Biomdica en la Universidad Don Bosco
de el salvador (UDB).

Eric Medina Naci el 16 de octubre de

1993 en San Salvador, Bachiller tcnico
en electrnica del Instituto Tcnico de
Exalumnos Salesianos, y actualmente
estudiante de Ingeniera Biomdica en la
Universidad Don Bosco de El Salvador.

Carlos H. Ramrez nac el 25 de octubre

de 1994 en el Hospital San Juan de Dios
de Santa Ana tengo actualmente la edad
de 21 aos. Realice todos mis estudios
pre universitarios en el Colegio Bautista
de Santa Ana; he realizado cursos de
oratoria y estudios de filosofa
comparada, realice tambin estudios de
segundo idioma ingles durante 4 aos y
tengo acreditacin