INFORME DE PRCTICA #1

REPASO ANLISIS Y SIMULACIN DE AMPLIFICADORES CON

TRANSITORES FET

ASIGNATURA:

ELECTRONICA II

NOMBRES:

MANUEL ALEJANDRO ARIAS.

JHON JAIRO AGUIRRE.1094967185

EFRAIN ANTONIO ROJAS.

PROGRAMA DE INGENIERA ELECTRNICA

FACULTAD DE INGENIERA

UNIVERSIDAD DEL QUINDO

AGOSTO 14 DE 2017
Resumen En este trabajo se analiza el funcionamiento de un amplificador de efecto de campo
donde se hallara sus parmetros ms importantes, regin de operacin, impedancias de entrada
y salida, ganancias de voltaje y corriente y por ultimo su eficiencia de transferencia de potencia.

1. INTRODUCCION
En esta prctica de laboratorio se realiz de forma terica el anlisis de un amplificador FET
(MOSFETenrequesimiento ) y se toma como referencia el transistor 2N7000 para realizar los clculos
en esta prctica no se tuvo parte experimental, simplemente fue un anlisis terico-simulado, con
el fin de encontrar las caractersticas elctricas del amplificador y la frecuencia del mismo

Por medio de los datos tericos y simulados se obtuvieron conclusiones y bases para encontrar las
razones que explican las posibles diferencias entre los mismos.

2. METODOS E INSTRUMENTOS
Como instrumentacin se hizo uso del software MULTISIM el cual se toma como apoyo para la
verificacin de resultados

Para la realizacin de la prctica se hizo fue necesario aplicar los pasos matemticos con el fin de
encontrar el comportamiento del amplificador 2N7000.

Figura 1. Amplificador con transistor FET configuracin fuente comn.

 Anlisis DC
Para el anlisis DC la frecuencia de operacin es cero, la reactancia de los condensadores tiende a
infinito, por lo que estos pueden ser representados como un circuito abierto.

Inicialmente se determina el equivalente de thevenin de la red de polarizacin, esto es

equivalentemente proporcional al voltaje y la resistencia se re dibuja en el circuito.
1 20 470
= = = 10
1 + 2 470 + 470

= 1 ||2 = 470||470K = 235K

Figura 2. Circuito de polarizacin en DC

Malla de entrada

= + ( ) (1)

10 = + (220)
Malla a la salida

= ( + ) +
20 = (490) + Recta de carga DC

Puntos de corte en la malla de entrada de la ecuacin (1)

= 0 = 10
 10
= 0 = = 45
220

Curva caracterstica

Para encontrar la curva caracterstica del transistor por el mtodo grafico es necesario encontrar
el valor de despejndolo de la siguiente ecuacin:

= ( )2 (2)

En donde = 600, = 4.5 y = 2.1, dichos valores se encuentran en el datasheet

del transistor 27000

600 5
= 2
= 2
=
( ) (4.5 2.1) 48 2

Se tabula la siguiente ecuacin para hallar la curva caracterstica

5
= ( 2.1)2
48 2

Tabla 1. Tabulacin de la ecuacin (2)

() ()

0 2.1

0.026 2.6

0.1041 3.1

0.2343 3.6

Con los puntos definidos, se grafica tanto la malla de entrada y la curva caracterstica en el mismo
plano, en un punto donde se crucen ambas curvas es la solucin del sistema.
 = 2.67

= 33.84

= (490) +

= 20 33.84(490)

= 3.4184

Figura 3. Cruce entre la malla

de entrada y la curva
caracterstica

= 0 = 20

= 0 = 40.81

Anlisis AC

Para el anlisis AC, se hace un anlisis en frecuencias relativamente altas, y la reactancia de los
capacitores tiende a cero, por lo que los capacitores se consideran como un corto, y la fuente de
polarizacin se aterriza. Como se observa en la figura 4.
 Figura 4. Amplificador en AC

Lo primero que se busca hacer es encontrar la recta de carga en AC, por esto se analiza la salida
del circuito de la figura 4.

Para incluir el punto de operacin en la ecuacin (4), se toma las componentes totales de voltaje y
corriente, posteriormente se sustituyen estas expresiones en la ecuacin (4).

= = ( || ) (4)
Se toman las componentes totales de voltaje y corriente

= + =

= + =

Remplazando en la ecuacin 4

= ( )( || ) (5)

Para trazar la recta de carga en AC, se determinan los cruces con cero de 5

= 0

= + ( || )

= 3.4184 + 33.84(257.58)

= 12.19

= 0 = +
||
3.4184
= + 33.84
257.58
= 47.11
 Figura 5. Recta de carga en DC y AC

Es notorio en la grfica de la figura # que el punto de operacin se encuentra en el lado izquierdo

por lo tanto = 3.42

Pequea Seal

Para el anlisis en pequea seal, se sustituye el transistor FET por su modelo hibrido. De la figura
(6) y determinar , , y la impedancia de entrada es equivalente a el como se
obeserva en la ecuacin (6).

la impedancia de salida, es la resistencia equivalente de al apagar como se observa en la

ecuacin (7).

= (6)

= 235

= (7)

= 270

Figura 6. Esquema en pequea seal

La ganancia de voltaje, esta definida como la relacion entre el vltaje de salida con respecto al
voltaje de entrada del amplificador.

= ( || ) = ( || ) = ( || )

Para poder encontrar el valor de la ganancia de voltaje, es necesario determinar el valor de la

transductancia , como se observa en la ecuacin (8).

5
= | = 2 (3.1 2.1) = 208 (8)
48 2

( || )
= = = ( || ) = 53.57

La ganancia de corriente, est definida como la relacin entre la corriente de salida con respecto a
la corriente de entrada del amplificador.

Para encontrar la corriente de salida del amplificador, se realiza un divisor de corriente a la salida
del amplificador, obteniendo como resultado (9).

= =
+ +

= = =
( + ) +

= 2.2483 (9)

RESPUESTA EN FRECUENCIA

Baja Frecuencia

Para analizar la respuesta en baja frecuencia se analiza el aporte de cada capacitor de manera
independiente.
 Figura 7. Esquema del circuito en baja frecuencia

Para

Para C1 los capacitores C2 y C3 se dejan en corto, como se observa en la figura (8).

Figura 8. Circuito equivalente para 1

1 1
1 = =
2 1 2(235)(100)

1 = 6.77

En la figura (9) la resistencia equivalente que ve el capacitor 2 = + , por lo que la

frecuencia que aporta el capacitor es F2

Para =
 1 1
2 = =
2( )2 2(270 + 5.6k)(4.7)

2 = 5.76

Figura 9. Circuito equivalente para 2

Para

Figura 10. Circuito equivalente para 3

En la figura (10) es evidente que la resistencia equivalente que ve el capacitor C3 es = por

lo tanto, la frecuencia que aporta el primer capacitor es F3.

1 1
3 = =
2 3 2(220)(200)

3 = 3.617

La frecuencia ms alta se encuentra con la ecuacin (10).

 1
= (10)
1
2( || )(200)

1
= = 169.13 (10.1)
1
2(220|| 208)(200)

La frecuencia ms alta entre las frecuencias bajas, se halla para poder mirar donde el filtro se treta
de estabilizar y partir de eso para hacer el diagrama de bode.

La eficiencia de transferencia de potencia del amplificador se haya utilizando las siguientes

formulas:
2 2

= = = 1.04
2 2

= = 676.8

1.04
= = = 1.536 (11)
676.8

Para la ecuacin (11) se puede concluir que estos amplificadores son muy eficientes para la
amplificacin de voltaje.

Figura 11. Seal de corriente a la entrada en el dominio del tiempo

 Figura 12. Seal del voltaje mximo del drenado a la fuente en el domino del tiempo

Figura 13. Voltaje mximo a la salida del circuito en el domino del tiempo

Se puede observar en la figuras (12) y (13) que el voltaje est desfasado en 180 esto es debido a
la ganancia

La eficiencia de transferencia de potencia del amplificador se haya utilizado las siguientes

formulas:
 2 2

= = = 1.04
2 2

= = 676.8

1.04
= = = 1.536 (11)
676.8

Para la ecuacin (11) se puede concluir que estos amplificadores son muy eficientes para
amplificar voltaje.

Figura 15. Simulacin de amplificador FET

Figura 14. Diagrama de bode

 Figura 15. Simulacin del Diagrama de bode

En la figuras (14) se puede apreciar que el diagrama tiene un comportamiento muy similar al
simulado de la figura (15), por su frecuencia ms alta que es aproximado en 170Hz

3. RESULTADOS Y DISCUSIN
Este modelo del amplificador FET obtuvo resultados cercanos entre los clculos tericos y los
hallazgos simulados en computador para elaborar una comparacin y poder discutir estos
resultados se realizaron las simulaciones y poder encontrar el punto de operacin Q ( , )

Figura 16. Punto de operacin

Teniendo en cuenta la figura (16) se comparan con los resultados hallados tericamente en la
tabla (2).

Tabla 2.Resultados obtenidos

TEORICO SIMULADO ERROR
(%)
() 33.84 32.722 3.303

() 3.4184 3.967 16.04

De acuerdo con la tabla (2) anterior se puede decir que los valores son muy aproximados esto
debido a la transductancia que vara dependiendo del transistor y en el simulador no tiene estas
especificaciones.

La figura (17) muestra la ganancia de voltaje, observando de manera ptica los voltajes pico de la
entrada con la salida.

Figura 17. Relacin de ganancia de voltaje

Teniendo en cuenta que la salida es la de menor amplitud y la de entrada viceversa se puede

aplicar la frmula de ganancia simulada de la ecuacin (12).
2.933
= = = 29.89 (12)
100.173

La ganancia terica tuvo un valor de muy alto al visto en la ecuacin (12) esto se debe
probablemente a la variacin de la transductancia que no est presente en la simulacin

En la figura (18) se puede ver la simulacin de la potencia suministrada por la carga

 Figura 18.potencia suministrada por la carga

La potencia vista en la figura (18) se aproxima al calor terico 1.04mW pero aun asi, en trminos
de error, sigue siendo muy lejano ya que se debe al del amplificador, el cual depende del
que a su vez depende de un mtodo grafico aproximado.

De acuerdo a las curvas caractersticas de transferencia ID y VGS se ven que no son lineales a
comparacin de los transistores BJT donde hay una relacin ms lineal, debido a que los FET se
controlan por tensin.

Figura 19. Curvas Id vs Vds e Id vs Vgs suministradas por el fabricante

Cuando VGS disminuye mucho, se puede observar que VGS alcanza un valor, siempre que es igual
a cero, sin importar el valor de VDS
 4. CONCLUSIONES
-los amplificadores FET son muy tiles para acoplar impedancias debido a que tienen aislada la
entrada de la salida

-en el transistor 2N7000 no se da la mxima excursin simtrica (M.E.S) ya que el punto de

operacin est ms en la regin de saturacin

-se debe tener en cuenta que estos tipos de transistores poseen un voltaje umbral de polarizacin

-cada vez que se realiza un anlisis se debe tener en cuenta el datasheet con el fin de extraer los
datos que caracterizan el comportamiento de dicho transistor en este caso MOSFET de
enriquecimiento

-la eficiencia es un factor importante que se debe tener en cuenta en los amplificadores aplicados,
en donde se busca idealmente que toda la potencia suministrada por la fuente sea la misma
suministrada por la carga

5. BIBLIOGRAFIA
C. J. Savant, M. S. Roden. Diseo Electronico. Tercera Edicion, Ed. Prentice Hall.