UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO

CARRERA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

SEMESTRE ACADMICO 2016-20

SLABO
I DATOS GENERALES

1.1 Nombre de la asignatura :DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

1.2 Cdigo :CIEN-546
1.3 Ciclo de estudios :05
1.4 Crditos :3
1.5 Nivel :PREGRADO
1.6 Campus : TRUJILLO,
1.7 Fecha de inicio/fin :15/08/2016 al 16/12/2016
1.8 Duracin semanas :17
1.9 Prerrequisitos :(CIEN-544 O CIEN-191)
: CARNERO ARROYO, MANUEL ANSELMO; DE LA CRUZ
1.10 Profesores
RODRIGUEZ, OSCAR MIGUEL;

II FUNDAMENTACIN

La presente asignatura de naturaleza terico - experimental ofrece al estudiante de Ingeniera Electrnica, los conocimientos

bsicos del funcionamiento de los dispositivos electrnicos. Se basa en el estudio y control de las propiedades electrnicas de

determinados slidos, con el fin de formar dispositivos complejos que transportan o almacenan cargas elctricas. Los

conocimientos alcanzados alcanzado por la fsica de los semiconductores han jugado un papel muy importante en la evolucin

de la utilizacin de los semiconductores en la electrnica. Los dispositivos semiconductores han alcanzado un nivel de

perfeccionamiento e importancia econmica, que excedi las ms altas expectativas de sus inventores. La industria electrnica

ofrece permanentemente dispositivos de mejor comportamiento, consiguiendo penetrar en mercados nunca antes considerados.

Sin embargo, para mantener esta iniciativa de crecimiento, es necesaria una amplia comprensin del funcionamiento interno de

los dispositivos semiconductores de los diferentes dispositivos electronicos como parte de los diseadores modernos de

circuitos electrnicos y sistemas.

III SUMILLA

La asignatura pertenece al rea de Formacin Bsica, de rgimen obligatorio y de naturaleza tericaexperimental. Se propone

desarrollar habilidades en el estudiante para el anlisis de los componentes electrnicos analgicos. Comprende: El estudio de

los dispositivos semiconductores: Diodo, Transistor, Mosfet, Thyristores y dispositivos opto electrnicos; y Polarizacin de

dispositivos semiconductores.
 Estos tpicos se desarrollarn en cuatro unidades de aprendizaje, que son:

UNIDAD 01: Red Cristalina. Teora Cuntica de los Electrones en Redes Peridicas.

UNIDAD 02: Fsica de los Semiconductores.

UNIDAD 03: Diodos Semiconductores.

UNIDAD 04: Transistores. Fsica de los Cristales Lquidos. Nanoelectrnica

IV COMPETENCIAS DE LA ASIGNATURA

4.1.- Da un conocimiento bsico de las caractersticas y propiedades fundamentales de la materia condensada de inters

para la electrnica.

4.2.- Proporciona al estudiante las herramientas tericas bsicas para la comprensin de los principios de funcionamiento de

los principales dispositivos electrnicos modernos, de tal manera que le permita desarrollar en forma prctica los montajes de

los circuitos electrnicos.

4.3.- Presenta y examina en forma concisa los trminos, conceptos, ecuaciones y modelos que se emplean habitualmente en

la descripcin del comportamiento operativo de los dispositivos electrnicos de estado slido.

4.4.- Familiariza al estudiante con la Fsica interna de un dispositivo electrnico, para aplicarla al diseo.

V PROGRAMACIN POR UNIDADES DE APRENDIZAJE

UNIDAD 01 RED CRISTALINA. TEORIA CUANTICA DE LOS ELECTRONES EN REDES PERIODICAS

Duracin: 15/08/2016 al 11/09/2016

N Semanas Contenidos Conceptuales Contenidos Procedimentales Contenidos Actitudinales

Introduccin general.
Estructura de la materia.
Estado condensado. Slidos
amorfos. Slidos cristalinos.
Red cristalina. Planos
cristalinos. ndices de Miller.
Red recproca. Determinacin
Semana 1
de estructuras cristalinas por
difraccin de Rayos-X.
P r a c t i c a d e
Laboratorio: Descripcin
general de los materiales e
instrumentos y detalle de las
prcticas.
Algunos aspectos de la
mecnica cuntica. El teorema
de Bloch. El modelo de
Semana 2
Kroning-Penney
Practica N1: MANEJO DE
EQUIPOS DE LABORATORIO
- Muestra inters por conocer
como esta constituida la
- R e c o n o c e c o m o e s t materia, participando
c o n s t i t u i d a l a m a t e r i a . activamente con preguntas.
- D i s t i n g u e a l o s s l i d o s Demuestra inters y
amorfos y cristalinos. responsabilidad para
- D i s t i n g u e l o s d i f e r e n t e s identificar un problema y
sistemas cristalinos y clasifica establecer soluciones.
a las redes de Bravais. -Muestra inters por conocer
- I d e n t i f i c a l o s d i f e r e n t e s como se clasifican los slidos
mtodos para determinar las cristalinos. Demuestra inters
estructuras cristalinas. y responsabilidad para
identificar un problema y
establecer soluciones.
- Muestra inters por conocer
los aspectos fundamentales
-Analiza algunos aspectos de
de la mecnica cuntica.
la mecnica cuntica y
Demuestra inters y
establece la diferencia con la
responsabilidad para
mecnica clsica.
identificar un problema y
establecer soluciones.
 La aproximacin de los
electrones cuasilibres. La
aproximacin de los
electrones fuertemente
ligados. Estados localizados
Semana 3 del electrn en un cristal.
Clasificacin de los slidos basados en su estructura
basados en la estructura
electrnica de bandas.
Practica N2: RESISTENCIAS
SEMICONDUCTORAS
PRIMERA PRACTICA
CALIFICADA
Semana 4 Practica N3: CURVA
CARACTERSTICA DEL
DIODO
UNIDAD 02 FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES
Duracin: 12/09/2016 al 09/10/2016
N Semanas Contenidos Conceptuales
Densidad de estados.
Funciones de distribucin.
Concentracin de portadores
de carga. Semiconductores
Semana 5
intrnsecos y extrnsecos.
Practica N4: CIRCUITO
RECTIFICADOR DE MEDIA Y
ONDA COMPLETA
Fenmenos de transporte en
desequilibrio estacionario.
Conduccin por arrastre y
difusin. Efecto Hall.
Semana 6
Practica N 5: CURVA
CARACTERISTICA DEL
DIODO ZENER-DIODO
TUNEL- VARICAP- LED
Proceso de generacin y
recombinacin de portadores
de carga. Campo elctrico
interno. Pseudoniveles y
psedopotenciales de Fermi.
Semana 7 Fenmenos de transporte en
desequilibrio dinmico.
Ecuaciones de continuidad.
Ecuacin de Poisson.
EXAMEN PARCIAL DE
LABORATORIO.
Semana 8 EXAMEN PARCIAL
UNIDAD 03 DIODOS SEMICONDUCTORES
Duracin: 10/10/2016 al 06/11/2016
-Muestra inters por tratar de
-Analiza los diferentes comprender como es que se
modelos de los electrones en clasifican los slidos por su
un potencial peridico. estructura de bandas de
-Clasifica a los slidos energa.
-Demuestra inters y
electrnica de bandas de responsabilidad para
energa. identificar un problema y
establecer soluciones.
- Participa con puntualidad,
orden y honestidad en las
-Resuelve una prueba objetiva
evaluaciones del curso,
sobre los temas desarrollados
demostrando sus capacidad
en la parte terica.
de analisis para solucionar
problemas planteados.
Contenidos Procedimentales Contenidos Actitudinales
- Muestra inters por la
-Distingue los
solucin de los problemas
semiconductores intrnsecos y
fsicos aplicados a la
extrnsecos.
electrnica.
-Muestra inters por
-Analiza los fenmenos de
comprender los fenmenos de
transporte en los
transporte en los
semiconductores.
semiconductores
-Describe los fenmenos de
transporte en desequilibrio - Muestra inters por
dinmico en los comprender los procesos de
semiconductores. generacin-recombinacin, y
-Analiza los diferentes por solucionar problemas
procesos de generacin- fsicos aplicados a la
reconbinacin en los electrnica
semiconductores.
SEGUN PROGRAMACION
EVALUACION ESCRITA
DE LA ESCUELA
N Semanas Contenidos Conceptuales
La unin pn en equilibrio. La
unin pn polarizado.
ecuacion del diodo.
Semana 9 Fenomenos de ruptura.
Practica N 6: CURVA
CARACTERISTICA DE UN
TRANSISTOR BIPOLAR.
Modelos del diodo para
pequea seal. El diodo en
conmutacin. Unin metal-
semiconductor. Diodos
Semana 10
Schottky.
Practica N 7: CURVAS
CARACTERISTICAS DE UN
FET.
Dispositivos optoelectrnicos:
Fotodiodos, Clulas Solares,
Semana 11 LED, Diodos lser.
Practica N 8: APLICACIONES
DEL BJT.
SEGUNDA PRACTICA
CALIFICADA.
Semana 12 Practica N 9: ESTUDIO DEL
TRANSISTOR Y SU
POLARIZACION.
UNIDAD 04 TRANSISTORES. FISICA DE LOS CRISTALES LIQUIDOS. NANOELECTRONICA.
Duracin: 07/11/2016 al 04/12/2016
N Semanas Contenidos Conceptuales
Transistor bipolar de unin.
Funcionamiento del transistor
bipolar. Curvas caractersticas
I-V de los transistores
bipolares. Modelos de
Semana 13 pequea seal. El transistor
bipolar en conmutacin.
Practica N 10:
CONFIGURACION DEL
TRANSISTOR EN EMISOR
COMUN.
Transistores unipolares de
efecto de campo. Capacidad
MOS ideal. Capacidad MOS
real. Transistor MOSFET.
Semana 14
Transistor JFET. Transistor
MESFET.Tiristores.
EXAMEN FINAL DE
LABORATORIO
Fsica de los cristales lquidos.
Aplicaciones a la Electrnica
Semana 15 Tecnologa de dispositivos
microelectrnicos. Tendencias
actuales en nanoelectrnica.
Contenidos Procedimentales Contenidos Actitudinales
- Muestra inters por
-Describe la unin pn en comprender el funcionamiento
equilibrio y polarizada. de la unin pn.
-Deduce la ecuacion del diodo. - Muestra inters por la
-Analiza los diferentes solucin de los problemas
fenmenos de ruptura. fsicos aplicados a la
electrnica.
- Modelos del diodo para
- Analiza los modelos del
pequea seal. El diodo en
diodo para pequea seal.
conmutacin. Unin metal-
- Describe la unin metal-
semiconductor. Diodos
semiconductor
Schottky
- Muestra inters por
-Describe y analiza los comprender el funcionamiento
Dispositivos optoelectrnicos. de los Dispositivos
optoelectrnicos.
- Participa con puntualidad,
orden y honestidad en las
-Resuelve una prueba objetiva
evaluaciones del curso,
sobre los temas desarrollados
demostrando sus capacidad
en la parte terica.
de analisis para solucionar
problemas planteados.
Contenidos Procedimentales Contenidos Actitudinales
Muestra inters por
-Describe el funcionamiento comprender el funcionamiento
del transistor bipolar y analiza del transistor bipolar, y por
la curva caracterstica I-V. solucionar problemas fsicos
aplicados a la electrnica.
- Muestra inters por
-Describe el funcionamiento comprender el funcionamiento
de los transistores efecto de de los transistores efecto de
campo y analiza la curva campo, y por solucionar
caracterstica I-V. problemas fsicos aplicados a
la electrnica.
-Describe la fsica de los Muestra inters por investigar
cristales lquidos y analiza sus las tendencias actuales en
aplicaciones en la industria fsica electrnica, y por
electrnica.-Analiza y discute solucionar problemas fsicos
las tendencias actuales en aplicados a la industria
nanoelectrnica electrnica.
 SEGUN PROGRAMACION
Semana 16 EXAMEN FINAL EVALUACION ESCRITA
DE LA ESCUELA
Evaluacin escrita.
Podrn rendir este examen los
estudiantes que tengan nota
promocional desaprobatoria
igual o mayor que siete (07);
esten aprobados o deseen
mejorar su promedio y que
hallan asistido de manera
regular durante el semestre
acadmico cumpliendo con el
70 % de asistncia obligatoria.
Semana 17 EXAMEN SUSTITUTORIO: SEGUN PROGRAMACION
Corresponde el contenido de
toda la asignatura. La nota del DE LA ESCUELA
examen sustiturio reemplaza
al examen parcial o final que
ms le favorezca en el clculo
del promedio promocional de
la asignatura. Si la nota del
examen sustitutorio disminuye
el promedio promocional, no
se considera para efecto de
calculo.

VI ESTRATEGIAS METODOLGICAS

La asignatura se desarrollara fomentando la interaccin entre docente y estudiante a travs de exposiciones de los temas que

figuran en el contenido de cada unidad, utilizando el mtodo deductivo-inductivo y desarrollando ejemplos de solucin de los

ejercicios y problemas para afianzar la comprensin de los tpicos a tratar. En cada unidad de aprendizaje se proporcionar un

conjunto de problemas, que los estudiantes deben desarrollar con la orientacin del profesor en las horas de prctica de

problemas. Se propiciar la interaccin entre estudiantes mediante la dinmica grupal y los trabajos de investigacin.

VII MATERIALES EDUCATIVOS Y OTROS RECURSOS DIDCTICOS

Se har uso de: Aulas, plumones, motas, proyector multimedia, transparencias, separatas, biblioteca general y biblioteca

especializada de Ingeniera Electrnica, Internet.

VIII TCNICAS, INSTRUMENTOS E INDICADORES DE EVALUACIN

FRMULA PARA EL CLCULO DE LA NOTA PROMOCIONAL(PROM)

10%*C1 + 20%*EP + 15%*C2 + 30%*C3 + 25%*EF

PARAMETROS DE EVALUACIN:

COMPONENTE C1 CALCULO: 40%*PPL+20%*TA1+40%*PPC

SUBCOMPONENTES
COD DESCRIPCIN
PPL PROMEDIO PARCIAL DE LABORATORIO
TA1 PRIMER TRABAJO DE APLICACION
PPC PRIMERA PRACTICA CALIFICADA

COMPONENTE C2 CALCULO: 40%*ACT+60%*PFC

SUBCOMPONENTES
COD DESCRIPCIN
ACT NOTA ACTITUDINAL
 PFC proyecto final del curso

COMPONENTE C3 CALCULO: 25%*SPC+60%*PFL+15%*TAF

SUBCOMPONENTES
COD DESCRIPCIN
SPC SEGUNDA PRCTICA CALIFICADA
PFL PROMEDIO FINAL DE LABORATORIO
TAF TRABAJO DE APLICACION FINAL

IX PROGRAMA DE CONSEJERA

La tutora y consejera es una actividad acadmica que tiene como propsito de orientar y apoyar a los estudiantes durante su

proceso de formacin profesional. Para este fin, consideraremos actividades para brindar al estudiante motivaciones adecuadas

para desarrollar los estilos de aprendizaje.

DIA:lunes

AULA: F205

HORA: 04:10PM - 05:55 PM

X REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

BSICA

1.J.M. Albella, J.M. Martnez-Duart.

FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA FISICA Y MICROELECTRONICA 1996

Addison-Wesley/U.A.M..

2.Rosado.

ELECTRNICA FSICA Y MICROELECTRNICA 1987

Paraninfo S.A. Madrid

3.Van der Ziel.

ELECTRNICA FSICA DEL ESTADO SLIDO 1987

Edit. Pretice Hall. Internacional. Espaa

4.Juan F. Tisza.

LOS DISPOSITIVOS ELECTRNICOS Y SUS APLICACIONES 1985

UNI.

5.Shalimova K.V.

FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES 1975

Mir. Mosc

6.McKelvey J.P.

FISICA DEL ESTADO SLIDO Y DE SEMICONDUCTORES 1975

Limusa.Mexico.
7.Kittel Charles.

INTRODUCCIN A LA FSICA DEL ESTADO SLIDO. 1982

Editorial Reverte S.A. Barcelona

8.Humberto Asmat A.

INTRODUCCIN A LA FSICA DEL ESTADO SLIDO. 2008

UNI.

FRANCO RENATO CAMPANA VALDERRAMA

LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES 2012

CONCYTEC LIMA - PERU

COMPLEMENTARIA

1.Cooke M.J.

SEMICONDUCTOR DEVICES 1990

Prentice Hall International.N.York.

2.R. B. Adler, A.C. Smith, R.L. Longini.

INTRODUCCIN A LA FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES. 1981

Edit. Reverte S. A.

3.R. Boylestad , L. Nashelsky .

ELECTRNICA TEORA DE CIRCUITOS 1994

Prentice Hall Hispanoamericana S. A.

VIRTUAL

Fisica de Semiconductores

REVISTAS CIENTFICAS

IEEE PERU

IEEE 2012