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Quando os tomos desses materiais se agrupam entre si, formam uma estrutura cristalina, ou
seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura
ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio de
ligaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado
com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons.
Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper as ligaes covalentes,
elas seriam materiais isolantes. Entretanto, com o aumento da temperatura, algumas ligaes
covalentes recebem energia suficiente para se romperem, fazendo com que os eltrons das
ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no interior do cristal, tornando-se
eltrons livres.
Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia, passa a
existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um eltron o
abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm conhecida como
buraco. As lacunas no tm existncia real, pois so apenas espaes vazios provocados por
eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas.
PROCESSO DE DOPAGEM
Um cristal que foi dopado com impureza doadora de eltron chamado semicondutor tipo n,
onde n est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas
num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritrios e, as lacunas,
portadores minoritrios. J o dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo
p, onde p est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons
livres num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons
livres, portadores minoritrios.
DEFINIO DE DIODO
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um dispositivo
de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno. A Figura 1 representa um diodo.
Figura 1
Cada vez que um eltron atravessa a juno, cria-se um par de ons. Os ons esto fixos na
estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ons aumenta,
a regio prxima a juno fica sem eltrons livres e lacunas. Esta regio denomina-se camada
de depleo.
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao
da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada
eltron que atravessa a juno, at que se atinja um equilbrio. A diferena de potencial atravs
da camada de depleo chamada de barreira de potencial. Os valores desta barreira para os
exemplos citados, Silcio e Germnio, so se 0,7V e 0,3V, respectivamente.
POLARIZAO
Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades. Supondo
uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao s suas extremidades. Supondo
uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o polo positivo da
bateria for colocado em contato com o material tipo p e o polo negativo em contato com o
material tipo n, e polarizao reversa caso contrrio. Na polarizao direta, para haver fluxo
livre de eltrons a tenso da bateria tem que ser maior que o efeito da camada de depleo,
chamado de tenso de joelho. J na polarizao reversa, podemos dizer que o deslocamento
de eltrons de uma camada para a outra praticamente impossvel, portanto no h corrente.
CURVA CARACTERSTICA
Para o caso de uma polarizao direta, a simbologia do diodo juntamente com a curva a ser
utilizada para descrever o comportamento do diodo em termos de corrente em funo da
tenso aplicada consta na Figura 2.
Figura 2
Para o caso de um diodo polarizado reversamente, temos a ocorrncia de uma regio de sua
curva caracterstica em que a tenso atinge a tenso de ruptura a partir da qual a corrente
aumenta sensivelmente apenas diodos prprios para tal podem trabalhar nessa regio.
Grfico 1
POTNCIA DE UM DIODO
Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada sobre o diodo pode gerar
uma alta intensidade de corrente. Em geral, um resistor usado em srie com o diodo para
limitar a corrente eltrica que passa atravs dele. Rs chamado de resistor limitador de
corrente. Quanto maior o Rs, menor a corrente que atravessa o diodo e o Rs.
Figura 3
(Equao 1)
(Equao 2)
A equao 1 indica uma relao linear entre a corrente e a tenso. Soprepondo esta curva com
a curva do diodo, tem-se o Grfico 2:
Grfico 2
a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo. Pode-se considerar dois
casos:
RESISTNCIA DIRETA
a resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o diodo. varivel, pelo
fato do diodo ter uma resistncia no linear. Por exemplo, no diodo 1N914 (Diodo de Silcio de
Uso Geral (IP810)), se for aplicada uma tenso de 0,65 V entre seus terminais existir uma
corrente I = 10 mA. Caso a tenso aplicada seja de 0,75 V a corrente correspondente ser de 30
mA. Por ltimo se a tenso for de 0,85 V, a corrente ser de 50 mA. Com isto pode-se calcular a
resistncia direta para cada tenso aplicada:
RESISTNCIA REVERSA
Tomando ainda como exemplo o 1N914, ao aplicar uma tenso de -20 V a corrente ser de 25
nA, enquanto uma tenso de -75 V implica numa corrente de 5 microA. A resistncia reversa
ser de:
Rr 1= 20/25 nA = 800MegaOhms;
Simbologia:
Aspecto:
Simbologia:
Aspecto:
Caractersticas:
Sensibilidade luz incidente, velocidade com que reagem as variaes da intensidade da luz
incidente.
Aplicaes: leitura de cdigos de barras, cartes perfurados, leitura tica dos CD Roms, e ainda,
recepo da luz modulada de um laser via fibra tica. Como extenso desta propriedade dos
diodos de serem sensveis luz tambm temos os fotodiodos sensveis a radiao nuclear que
tambm atuam com polarizao inversa. O seu smbolo igual ao dos fotodiodos e o seu
aspecto igual ao tipo quadrado visto acima em aspectos, utilizando em sua janela central a
mica.
Simbologia:
Aspecto:
Aplicaes: Sintonia eletrnica de rdios Am, Fm e TV.
Simbologia:
Aspecto:
Simbologia:
Aplicao: Uso geral em retificao de correntes e tenses. Uma srie muito importante destes
diodos a formada pelos IN4000C que comea com o 1N4001.
Diodos emissores de luz Led (Light emiting diodes): Estes diodos polarizados de
forma direta emitem luz monocromtica quando a corrente circula pela sua juno.
Simbologia:
Aspecto
- MEIA ONDA (RMO): O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (Usecundrio)
ca numa tenso pulsante positiva Ur. Este processo de converso de AC para cc, conhecido
como retificao. Na figura 4 mostrado um circuito de meia onda.
Figura 4
A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro dado por:
Vcc = 0,318 Up diodo ideal (comportamento de condutor ideal quando polarizado diretamente
e de chave aberto quando contrrio)
(Vcc = 0,318(Up Vgama) (leva-se em conta o fato de o diodo precisar de uma tenso V gama
para comear a conduzir)
- ONDA COMPLETA (Center Tape ROCT): A Figura 6 mostra um retificador de onda completa.
Observe a tomada central no enrolamento secundrio. Por causa dessa tomada, o circuito
equivalente a dois retificadores de meia onda. O retificador superior retifica o semiciclo
positivo da tenso do secundrio, enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo negativo
da tenso do secundrio.
Figura 6
Vcc = 0,636 (Up/2 Vgama) (leva-se em conta o fato de o diodo precisar de uma tenso V gama
para comear a conduzir) (Equao 4)
FREQNCIA DE SADA
Durante o semiciclo positivo da tenso U2, o diodo D3 recebe um potencial positivo em seu
anodo, e o D2 um potencial negativo no catodo. Dessa forma, D2 e D3 conduzem, D1 e D4
ficam reversamente polarizados e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da
tenso U2.
Durante o semiciclo negativo da tenso U2, o diodo D4 recebe um potencial positivo em seu
anodo, e o diodo D1 um potencial negativo no catodo, devido inverso da polaridade de U2.
Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 ficam reversamente polarizados.
Figura 8
A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Portanto, a tenso Ur
sempre positiva. Na Figura 9 so mostradas as formas de ondas sobre o resistor de carga e os
diodos, considerando os diodos ideais.
Figura 9
Na Tabela 1 feita uma comparao entre os trs tipos de retificadores, considerando situao
ideal.
A tenso de sada de um retificador sobre um resistor de carga pulsante como mostrado, por
exemplo, na Figura. Durante um ciclo completo na sada, a tenso no resistor aumenta a partir
de zero at um valor de pico e depois diminui de volta a zero. No entanto, a tenso de uma
bateria deve ser estvel. Para obter esse tipo de tenso retificada na carga, torna-se necessrio
o uso de filtro. O tipo mais comum de filtro para circuitos retificadores o filtro com capacitor
mostrado na Figura 10. O capacitor colocado em paralelo ao resistor de carga.
Figura 10
Para o entendimento do funcionamento do filtro supomos que o diodo ideal e que, antes de
ligar o circuito, o capacitor esteja descarregado. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da
tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado. Idealmente, ele funciona como
uma chave fechada. Como o diodo conecta o enrolamento secundrio ao capacitor, ele carrega
at o valor da tenso de pico Up.
Logo aps o pico positivo, o diodo para de conduzir, o que significa uma chave aberta. Isto
devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico Up. Como a tenso no secundrio
ligeiramente menor que Up, o diodo fica reversamente polarizado e no conduz. Com o diodo
aberto, o capacitor se descarrega por meio do resistor de carga. A ideia do filtro a de que o
tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o perodo do sinal de entrada. Com isso,
o capacitor perder somente uma pequena parte de sua carga durante o tempo que o diodo
estiver em corte.
O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio iniciar a subir e seja
igual a tenso no capacitor. Ele conduzir deste ponto at a tenso no secundrio atingir o
valor de pico Up. O intervalo de conduo do diodo chamado ngulo de conduo do diodo.
Durante o ngulo de conduo do diodo, o capacitor carregado novamente at Up. Nos
retificadores sem filtro, cada diodo tem um ngulo de conduo de 180.
Na Figura X mostrada na tenso sob a carga. A tenso na carga agora uma tenso cc mais
estvel. A diferena para uma tenso cc pura uma pequena ondulao (Ripple) causada pela
carga e descarga do capacitor.