Radioaficionado
R ADIOAFICIONADO
Problemas en
Amplificadores de RF
Las muy bajas impedancias necesarias en los amplificadores de potencia de RF
pueden producir altas corrientes y prdidas excesivas en los componentes
pasivos de acoplamiento. En esta nota veremos cmo calcularlos y qu valores
pueden tolerarse.
Por Arnoldo Galetto
de GA Electrnica
a red de acoplamiento de entra-
L da de un amplificador de poten-
cia de RF debe intercambiar vol-
taje por corriente al bajar la impe-
dancia normalizada de 50W a los 1
2 de la entrada del transistor. Es-
ta disposicin hace que circulen co-
rrientes de RF muy intensas por los
componentes pasivos de la red
adaptadora de entrada. Por ejem-
plo, el capacitor C3, en el circuito
de la Fig.1, el que es ampliamente
usado, puede tener una corriente
de RF de 1 A o ms fluyendo a tra-
vs de l, para una potencia de en-
trada de 3 W. Esto, a su vez, ocasio-
na prdidas de potenxia (I2.R) en C3
lo que puede degradar seriamente
la ganancia del amplificador y aun
derretir la soldadura que mantiene a
C3 sobre el circuito. Este problema
se ve agravado para las frecuencia
que superan los 100MHz debido al
pequeo tamao fsico del capaci-
tor y al hecho de que el factor de
disipacin de la mayora de los die-
lctricos aumenta con la temperatu-
ra y la frecuencia.
El diseador, en su intento por
conseguir una adaptacin ptima
entre la lnea de 50W y el transistor, a
menudo tiende a ignorar estas co-
rrientes y su efecto trmico. Puede
tambin, sin intencin, tener un Q
cargado demasiado alto a la entra-
da del transistor QL, lo que incre-
mentar la corriente circulante y el
calentamiento del capacitor. Aun si
mantiene un Q razonable, puede
elegir un capacitor con una resisten-
Figura 1
Saber Electrnica N 158
cia serie demasiado elevada.
Procedimiento paso a paso.
El circuito y los valores de los dis-
positivos representan una prctica
comn.
1- Configuracin del circuito (vea
la figura 1)
2- Potencia de entrada: 3W
3- Prdida admitida en el capaci-
tor: 0,05dB (1,1%)
4- Frecuencia central de opera-
cin, fo: 300 MHz
5- Caractersticas de entrada del
transistor a fo: 2 + j 5
Rin = 2 ohm
XLin = 5 ohm
Paso I
Se calcula Reff, la resistencia pa-
ralelo efectiva de entrada de la red
sintonizada en paralelo, y que con-
tiene al capacitor C3 a la frecuen-
cia central especificada.
La ecuacin es:
Reff = (QL2 + 1) . Rin [1]
Rin es conocida porque est da-
da para la frecuencia de operacin
y por las condiciones de polariza-
cin (no se muestran en la Fig.1). Es-
93
 Radioarmador
Paso IV
Calcular el valor mximo de la
resistencia serie equivalente del
capacitor segn la disipacin
admisible I2 R

Pdiss
Rs =
I2circ

Segn las especificaciones inicia-

les, la disipacin permitida, o Pdiss,
era de 0,05dB 1,1%. Esto significa
que el capacitor puede disipar sola-
mente 33mW. Entonces:

0,033
Rs = = 0,023 ohm
(1,2)2

Paso V
Calcular el mnimo Q no cargado
requerido del capacitor:

Xc
Qmin =
Rs

La reactancia capacitiva, Xc, re-

querida por C3 a 300MHz est dada
Fig. 2 por la siguiente ecuacin:

ta Rin debe ser la apropiada para la
seal de entrada de 3W con el tran-
sistor debidamente polarizado como
para poder manejar este nivel de
seal. Se obtiene mediante medicio-
nes, ya que cualquier transistor que
trabaja con esta magnitud de seal
de entrada, lo est haciendo en for-
ma alineal. Hoy en da, los fabrican-
tes de transistores de RF suministran
estos datos en sus hojas de especifi-
caciones.
El Q del circuito cargado (QL) se
obtiene de la relacin:
XL 5 en la etapa 3 multiplicando la co-
QL = = = 2,5
Rin 2 rriente de entrada de RF hallada en
Poniendo estos valores en [1]:
Reff 14,5
empleamos el grfico de la figura 2. Xc = = = 5,8
Este grfico resuelve la ecuacin: QL 2,5
P Entonces tenemos:
Reff =
I2in
5,8
Donde P es la potencia de entra- Qmin = = 252
da dada como de 3W. 0,023
Entrando al grfico con estos valo-
res conocidos, encontramos que la valor que se puede redondear en
corriente de RF de entrada es de 300.
0,46A.
Paso VI
Paso III Elegir un capacitor apropiado.
Encontrar la corriente circulante Ahora que la resistencia serie Rs per-
mitida es conocida, el diseador
puede investigar qu tipo de capa-
el Paso II, por el Q del circuito carga- citor emplear. La capacitancia se
do (QL) hallado en el Paso I. obtiene fcilmente.

Reff = (2,52 + 1)2 = (6,25 + 1)2 = 14,5 Icirc = Iin . QL = 0,46 . 2,5 = 1,15A Reff 14,5 1
Xc = = = 5,8 =
QL 2,5 2fC
Paso II Los valores de estos tres primeros
Hallar la corriente de entrada, co- pasos pueden encontrarse tambin Despejando y operando matem-
mo se define en la Fig.1. Para esto mediante el grfico de la Fig.3. ticamente:

94 Saber Electrnica N 158

 Problemas en Amplificadores de RF
C = 91,5pF

Ya que los transistores de potencia

de RF suelen tener dos aletas o co-
nexiones de emisor para reducir la
inductancia parsita, una buena
prctica para C3 sera conectar dos
capacitores separados, uno en ca-
da aleta. Esto ayuda a mantener las
corrientes en ambas conexiones de
emisor balanceadas y relaja un tan-
to las especificaciones del capaci-
tor. En lugar de uno de 91,5pF se po-
dran emplear dos de 47pF.
El diseador debe obtener ahora
informacin real de los capacitores. Figura 3
Para ello debe obtener las hojas tc-
nicas del fabricante o debe hacer
mediciones por su cuenta en disposi-
tivos similares. La Fig.4 representa el
tipo de informacin que se obtiene.
Entrando al grfico a 300MHz e inter-
polando a 90pF se ve que la resis-
tencia serie es de alrededor de
0,038W a dicha frecuencia.
Teniendo el valor de la Rs medida
y su relacin con la capacitancia
permite seleccionar al capacitor co-
rrecto o qu compromiso tomar. Por
ejemplo, un capacitor de 47pF tiene
una Rs de 0,055.
Dos en paralelo tienen una capa-
cidad de 94pF y una Rs de solamen-
te 0,027W. Ya que el clculo hecho
en Paso IV permite solamente
0,023W. Estos dos capacitores de
47pF en paralelo se quedan algo
cortos. Una mejor solucin sera em-
plear tres capacitores de 33pF en
paralelo.
Figura 4
Paso VII
Comprobar los efectos de la tem- del transistor, ser todava ms alta. en el orden de un milsimo de una
peratura. Los valores de Qmin y Rs Este calor seguramente llegar a los pulgada cbica; y que si bien su disi-
que se obtienen de la Fig.4, se apli- capacitores, de montaje superficial pacin es de solamente 30mW, su
can solamente a una temperatura, y son realmente muy pequeos, ya densidad de potencia es de
la que normalmente es la tempera- que en un diseo tpico de rf estn 30W/in3, esto se aproxima a los
tura ambiente. apretados contra el transistor. 30w/in3 que se encuentra en la pun-
Ahora bien, los amplificadores de El calor trabajar en contra del di- ta de un soldador como el Ungar.
RF raramente trabajan a temperatu- seo, y del diseador, ya que el El objetivo de este paso final debe
ra ambiente. Normalmente son uni- Qmin bajar con la temperatura. Es- ser estimar o hacer mediciones, de
dades compactas y blindadas para to, a su vez, significa que la Rs au- modo que permitan prever el dete-
evitar la irradiacin de RF y la entra- mentar, con lo que tenemos lo ne- rioro del Qmin y de la Rs de un ca-
da de humedad, por lo que es nor- cesario para iniciar una corrida tr- pacitor .
mal que su temperatura de opera- mica que terminar en un desastre.
cin sea mucho ms alta, tal vez Para apreciar mejor la delicadeza Bibliografa:
125C. de la situacin consideremos que el The RF Capacitor Handbook.
La temperatura en la vecindad volumen de estos capacitores est ATC Corp.

Saber Electrnica N 158 95