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Transstores JFET
JFET significa Junction Field Efect Transistor (Transstor de Juno com efeito de campo) o
transstor que usa um campo elctrico para controlar a condutividade de um canal de um tipo de
portador de carga no material semicondutor.
(a) (b)
Figuras1: Simbolo (a) JFET do tipo n, Simbolo (b) JFET do tipo p
2. Composio do JEFT
O JFET um tipo de transistor. Esse nome deriva do facto de que a maioria dos portadores de
cargas fluindo atravs do transstor somente de electres como o caso do JFET com canal N
de fraca dopagem e em cujas extremidades so fixados dois terminais: fonte9S) e dreno(D), ou
apenas lacunas como no caso do JFET de canal P em que fixada o terminal denominado de
porta(G).
3. Caracateristicas do JFET
Controle por Tenso: a corrente entre o dreno e a fonte controlada pela tenso aplicada
na porta, em contraste com o transstor BJT, cuja corrente de coletor controlada pela
corrente de base.
Alta Impedncia de Entrada: para que seja possvel o controle de corrente do canal n
necessrio que se produza uma polarizao reversa das junes da porta, provocando
desta forma um aumento na regio de depleo destas junes e em decorrncia disto um
estreitamento do canal; com isto, tem-se baixas correntes de porta, e consequentemente,
alta impedncia
Curvas Caractersticas: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas
de dreno e de transcondutncia
Outras Caractersticas: os transstores JFET apresentam menores ganhos em relao aos
transstores BJT e em decorrncia disto tm maior estabilidade trmica; geometricamente,
os JFET tm dimenses menores quando comparados com os transstores BJT
4. Principio de funcionamento
O termo de efeito de campo (efeito de um campo elctrico) derivado a partir do princpio de
funcionamento destes transstores no que diz respeito camada de depleo (camada de
depleo). Esta camada formada entre o semicondutor do tipo n e do tipo p, devido fuso
de electres e as lacunas nas imediaes da borda. Da mesma forma que o campo elctrico,
esta camada de depleo pode aumentar ou diminuir dependendo da tenso entre a porta para
a fonte. Na Figura 2 acima, a camada de depleo mostrada a amarelo sobre a esquerda e
para a direita (Oliveira, 1999).
Os transstores JFET esto divididos em 2 tipos das quais temos:
JFET do tipo n
Para explicar o princpio de funcionamento do JFET do tipo n revista estrutura do JFET do tipo
n. O dreno e fonte deste transstor so feitos com o semicondutor do tipo n e a porta com o
tipo p. A figura seguinte mostra como o transstor dado a uma tenso de polarizao. A
tenso de polarizao entre a porta e a fonte chamado de polarizao de voltagem inversa ou
polarizao negativa.
JFET do tipo P
Transstor JFET do tipo p tem o mesmo princpio com o JFET do tipo n, apenas os canais
utilizados um semicondutor do tipo p. Assim, a polaridade da tenso e corrente de direo
oposta, se comparado com o transstor JFET do tipo n, o smbolo do JFET do tipo p o mesmo,
apenas com diferentes setas direcionais.
Figura 4: tenso de polarizao de um JFET do tipo p
Lembra:
ID =corrente do dreno.
IDSS =corrente de dreno para fonte com porta de curto-circuito
VGS=tenso entre a porta e fonte.
VGS corte= tenso de constrio.
6. Qual seria a diferena entre BJT e JFET?
- O TBJ controlado por corrente enquanto o JFET controlado por tenso;
- O JFET possui dimenses menores em relao ao BJT, sendo mais adequado para a
construo de circuitos integrados;
- Usa-se o TBJ para obter grandes ganhos de tenso e os JFETS para altas impedncias de
entrada.