Electronica Industrial
Transistor
Transistor
Mag. Hilmar Hinojosa Lazo
Transistor BJT
El transistor bipolar de unin ( BJT: Bipolar
Junction Transistor ) es un dispositivo de tres
terminales, dos uniones y doble polaridad.
Est formado por la unin de material tipo P y
tipo N a manera de capas, dando as la
clasificacin del BJT en NPN y PNP.
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Terminales del BJT
La capa asociada al terminal Emisor posee el
mayor nivel de impurezas, lo que indica alta
conductividad debida a los portadores
mayoritarios.
La capa asociada al terminal Colector est
menos dopada que la capa Emisor, por lo cual
es un poco menos conductiva que esta ltima.
La capa asociada al terminal Base posee un
ligero nivel de impurezas, lo que indica que
esta capa tiene una alta resistencia para los
portadores mayoritarios, es decir, es una capa
de baja conductividad.
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Un transistor es un dispositivo semiconductor
de tres terminales donde la seal en uno de los
terminales controla la seal en los otros dos.
Se construyen principalmente de Silicio o
Germanio.
Se utilizan en la amplificacin de seales,
fuentes de poder reguladas y como
interruptores.
Se tienen dos tipos de transistores:
BJT: Transistor Bipolar de Unin
FET: Transistor de Efecto de Campo
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Terminales del BJT
A cada capa se le asocia un terminal, y reciben
los nombres de:
E: Emisor
B: Base
C: Colector
Las capas de los extremos (de mayor espesor)
corresponden a los terminales E y C.
La capa central ( de menor espesor )
corresponde al terminal B.
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Operacin del BJT
La operacin del transistor se logra con la
polarizacin de cada unin PN o NP del
dispositivo.
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Zonas de trabajo del BJT
Zona de Corte
Se caracteriza por tener una corriente de salida
en el transistor aproximadamente igual a cero,
por lo que en esta zona el dispositivo acta
como circuito abierto ( til en interruptores ).
Zona de Saturacin
El transistor presenta un voltaje de salida
aproximadamente igual a cero, por lo que
puede representarse como un corto circuito
( til en interruptores ).
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Smbolo circuital del BJT
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Amplificador
Un amplificador es un dispositivo que eleva o
aumenta la magnitud de una seal de entrada
sin modificar su forma de onda.
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Zonas de trabajo del BJT
Zona Activa
Se define tambin como zona lineal y por ello
el transistor se ubica aqu para su uso como
amplificador de seales. La salida del transistor
tanto en corriente como el voltaje son valores
positivos.
Zona Invertida
Permite tener salidas negativas en el transistor
tanto en corriente como en voltaje. La
ubicacin del transistor en esta zona no tiene
gran utilidad en la amplificacin de seales.
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BJT PNP en la Zona Activa
La unin E-B est polarizada directamente.
La unin B-C est polarizada inversamente.
La corriente fluye desde el terminal Emisor
hacia el terminal Colector con una muy baja
corriente hacia el terminal Base.
La ecuacin para las corrientes en un BJT PNP:
IE= IB + IC
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Configuracin del BJT como
Amplificador de Seales
En el amplificador las seales son medidas con
respecto a un punto comn y como el
transistor es un dispositivo de tres terminales,
su uso en los amplificadores requiere que uno
de sus terminales sea comn a los otros dos.
Dependiendo del terminal que se tome comn
a los otros dos, se tendr:
Configuracin Base Comn
Configuracin Emisor Comn
Configuracin Colector Comn
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Configuracin Base Comn Configuracin Base Comn

La terminologa de la base comn se deriva del
hecho de que la base es comn tanto a la
entrada como a la salida de la configuracin.
La base es la terminal ms cercana a, o que se
encuentra en el potencial de tierra.
Existe una relacin de proporcionalidad entre la
corriente de salida IC y la corriente de entrada
IE, llamada factor de amplificacin de corriente
de base comn:

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Configuracin Emisor Comn Configuracin Emisor Comn

El emisor es comn o hace referencia a las
terminales tanto de entrada como de salida (en
este caso, es comn tanto al terminal de base
como al de colector).
La relacin de proporcionalidad entre la
corriente de salida IC y la corriente de entrada
IB viene expresada por el factor de
amplificacin de corriente de emisor comn:

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Configuracin Colector Comn Curva de Entrada del BJT

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Curvas de Salida del BJT Zonas de Trabajo del BJT

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