ESTRUCTURA DE UN ELEMENTO SEMICONDUTOR

Diodos semiconductores de silicio de diferentes tipos

y. tamaos, identificados en el circuito impreso de
este. Dispositivo electrnico con las letras D (para
diodos con. funciones diferentes) y DZ (para el
diodo Zener).

Un diodo semiconductor de estado slido consta de

dos partes, formadas por cristales de silicio (Si) de
diferente polaridad. Un cristal de silicio en estado puro constituye un elemento qumico
tetravalente por estar compuesto por tomos de valencia +4, pero para obtener dos cristales
semiconductores de polaridad diferente es necesario doparlos durante el proceso de produccin
del diodo, aadindole a la estructura molecular de cada uno de esos cristales cierta cantidad de
impurezas pertenecientes a tomos de otros elementos qumicos (tambin semiconductores),
pero de valencias diferentes para cada una de las partes que formarn el diodo, con sus
correspondientes polaridades.

Para fabricar un diodo, primeramente uno de los cristales de silicio se dopa aadindole, como
impureza, un elemento qumico de valencia +3 (trivalente) como el galio (Ga), por ejemplo. Al final
del proceso se obtiene un semiconductor tipo-p, con polaridad positiva (P), que presentar
defecto o falta de electrones en la ltima rbita de los tomos de galio aadidos como impurezas.
En esas rbitas se formarn huecos en aquellos lugares que deban estar ocupados por los
electrones faltantes.

A continuacin, el otro cristal de silicio, que inicialmente es igual al empleado en el proceso

anterior, se dopa tambin durante el proceso de fabricacin del diodo, pero aadindole esta vez
impurezas pertenecientes a tomos de otro elemento qumico tambin semiconductor, pero de
valencia +5 (pentavalente) como, por ejemplo, antimonio (Sb). Una vez finalizado este otro
proceso de dopado se obtiene un semiconductor tipo-n, con polaridad negativa (N),
caracterizado por presentar exceso de electrones libres en la ltima rbita de los tomos de
antimonio aadidos como impurezas.
Representacin grfica de dos elementos semiconductores de cristal de silicio (Si), simplificados de
forma esquemtica. A.- Semiconductor de silicio de conduccin tipo-p, o sea, de polaridad
positiva. (P). En su estructura molecular se puede observar que en los lugares que deban ocupar
los electrones, lo que encontramos son huecos.

Cuando conectamos una batera a los extremos de un cristal semiconductor positivo, se establece
un flujo de huecos en sentido opuesto al flujo de electrones que proporciona la fuente de
energa elctrica. En la ilustracin se puede observar tambin que mientras el flujo de electrones o
corriente electrnica. Se establece del polo negativo al polo positivo de la batera, el flujo de
huecos, por el contrario, se establece en el sentido inverso a travs del cristal de silicio.

B.- Semiconductor de silicio de conduccin tipo-n, de polaridad negativa (N), con exceso de
electrones libres en su estructura molecular. Si a este tipo de semiconductor negativo le
conectamos una batera, el flujo electrnico se establecer en el mismo sentido de circulacin de
la propia fuente de suministro elctrico, o sea, del polo negativo al polo positivo.

FORMACIN DE UN DIODO DE SILICIO DE UNIN "p-n"

En el mismo momento que un cristal semiconductor de silicio (Si) de conduccin tipo-p (positivo)
se pone en contacto con otro cristal semiconductor tambin de silicio, pero de conduccin tipo-
n (negativo), se crea un diodo de empalme o de unin p-n. Si al diodo as formado le
conectamos una fuente de corriente elctrica, ste reacciona de forma diferente a como ocurre
con cada una de las dos partes semiconductoras por separado, tal como se pudo ver en el ejemplo
anterior.

Representacin grfica de las dos partes que

componen un diodo de silicio de unin p-n: a la
izquierda la parte positiva (P) y a la derecha la
negativa (N). En la ilustracin se puede apreciar la
zona de deplexin que se forma alrededor del punto
donde se unen los dos cristales semiconductores de
diferente polaridad. El punto de unin p-n de los dos cristales se denomina barrera de potencial
del diodo.

En el punto de unin p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente polaridad que forman el
diodo, se crea una barrera de potencial, cuya misin es impedir que los electrones libres
concentrados en la parte negativa salten a la parte positiva para unirse con los huecos presentes
en esa parte del semiconductor. Hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energa
necesario que le debe suministrar una fuente de energa externa conectada a los dos extremos del
diodo, no podrn atravesar esa barrera.

Por otra parte, a ambos lados de la barrera de potencial se forma una zona de deplexin
(tambin llamada zona de agotamiento, de vaciado, de carga espacial o de despoblacin). Esa es
una zona o regin aislada, libre de portadores energticos, que se origina alrededor del punto de
unin de los dos materiales semiconductores dopados de diferente forma y que poseen tambin
polaridades diferentes. La funcin de la zona de deplexin es alejar a los portadores de carga
energtica (electrones) del punto de unin p-n cuando el diodo no se encuentra energizado con la
tensin o voltaje suficiente, o cuando se energiza con una tensin o voltaje inverso.

El efecto que se crea al unir simplemente un cristal semiconductor de silicio tipo-p con otro de
tipo-n, equivale a tener conectada una batera o fuente de suministro de energa imaginaria en los
extremos del diodo. Bajo esas circunstancias la zona de deplexin que se crea a ambos lados de
la unin p-n obliga a los huecos o agujeros de la parte positiva (P) alejarse de ese punto de
empalme o unin, mientras que los electrones en exceso en la parte negativa (N) reaccionan de
igual forma alejndose tambin del propio punto, hasta tanto no adquieran la energa suficiente
que les permita atravesar la barrera de potencial.

Para que los electrones en exceso en el semiconductor con polaridad negativa (N) puedan
atravesar la barrera de potencial del diodo y saltar a la parte positiva y llenar los huecos, es
necesario energizarlos suministrndoles una corriente elctrica o diferencia de potencial en los
extremos del diodo, por medio de una batera o cualquier otra fuente de fuerza electromotriz.
Cuando la tensin aplicada al diodo de silicio alcanza 0,7 volt, el tamao de la zona de deplexin se
reduce por completo y los electrones en la parte negativa adquieren la carga energtica necesaria
que les permite atravesar la barrera de potencial. A diferencia de los diodos de silicio (Si), los de
germanio (Ge) slo requieren 0,3 volt de polarizacin directa para que la zona de deplexin se
reduzca y los electrones adquieran la carga energtica que requieren para poder atravesar la
barrera de potencial.

En la parte de arriba de esta ilustracin aparece el smbolo general

utilizado para identificar un diodo semiconductor comn y abajo
el aspecto fsico externo que presentan la mayora de los diodos
de silicio. Como se puede observar en ambas ilustraciones, el
nodo A constituye la parte positiva y el ctodo K la negativa.
En un diodo real, el extremo correspondiente al ctodo se
identifica por medio de una marca o anillo color plata impreso
junto al terminal negativo de conexin al circuito elctrico.