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II Us'rItACIN GRAFICA DE LA oBSERVACIN

Anlisis de los circuitos

l_ con dodos
It-Iuq
T l-
INTRODUCCIN

El diodo cs cl ms simple dc los dispositivos no lincalcs conccrnido cn cste

Seirl Fonoid&l ill distorsirin txto. En cste capitlo cstudiarcmos las caracteristicas del circuito y las aplica-
cioncs dcl diodo dc unin, cl diodo Zencr y cl diodo Schottky. En todo el captulo
i t) : rt -i. ..,,, scn tl: Iua | ,[",n scn o1 sc hr conccditlo lu tnryol importancia a las tcni.'" 'rfitas a cr! :' " 'l'' " "
i"O :1,,, rs1 porcionan una visin de conjunto dcl funcionamiento del cicuito y a mcnudo
una percepcin intima dc su propia naturaleza no fcilmentc obtcniblc por tra-
lamicntos puramente algebraicos. Estas tcnicas grlicas incluycn un tratamicnto
complcto de las rcctas de carga dc c.c. y c,a. aplicadas a ambas sciralcs dbiles
J fucrtes. Aunque estos ntodos no suelen ser empleados cn el anlisis dc los
circuitos dc diodo, su irLro(lucci(iD aqi sirvc prra ast:lblccclos lirmcmcntc cn
el repertorio dcl alumno, cs dccir, en los rcctuuos dcl cstudiantc. Ms adelantc,
cuando lratcmos de los tansistocs, ptesentarcmos problemas adicionalcs quc
s0 solucionan ulis fhcilrncntc dr:spus dc habcl ndquirido cxpcricncin con los
diodos.

1.1 PROPTED/\DES NO LINEALES - EL DIODO IDEAL

Nornrllrntrnl.u. Ios csl.Lt(lilnt{ s t'tnritrzltn t:l cstrtrlirr rlr, lorr lir, rrrll r r,rrr',i'l'
rrrrrIr rrrorlr:|r rll lIr'rrcIrIrr lir'rrllr, rilrrrlr r'l rlrirlrrl r'l Irrrrrr rt rtt ill, tl" r'll"'L
La cara0teristicil Lcnsi(rl-0oIIi(rrl(: (l)i) (lrrl tr:sirlr)r irlIrrl srlrri rrrrrr rIlr' l"rr lrrrr
sintpltt - lcy titt Olttt (lll(: lt vr'ffri sr: ritrtrlrt rlc lirlrl rrr I | | | | | I ' I I | | I l'rrl
I I I r I

rllfrtrlir lilr, Ill r'rticlct llttutl rlt'ltr lr"rlllrlr'lr t'ltltlllr rrvl,llltl rrtt llt llllttlrr I l l l'tt
clrtclt'rslir:i tri rlIl rlirrrlo irlrrl rr| irrrliIrr Irr lrr lllrtrrr | | 1l I rr ' llr|rr \r' ' lrlrrl
I . I i,(t) rrr,rrll r'l r'rrill, r r,r lirrlrrl ,1, I ,lr,,rtr'. llrrrrrrrl, lrt l rrtl"rr rlr rrlrr' rtlt l"rt t' t r
 (o) Lr tcnsin dc la fuentc es scroidal, ur ,= Vin cos rr0, (londc yr, : 10 V. I-Iollar
y dibuj^r la forma dc on(la do lt tcnsin tlc carga. lalllr.".,,"fr. _"ai"^i".".),,
,}, ;x -; () Ilcpctir cl Iroblc))r (r) s i , -5 I 10 cos oot.

-qolucidr. l, scgurrda lcy dc Kirchholf o ley do l{s tensioncs, aplicacla aI cir_

cuito de -(a)
I figur.r 1.1-3 da
ut:inrtlua* inRt o iD: r+R
r.it | | | |t ,.t,,r,. to ,1,, fcsist.|l{.il y su ciracrcristica t]
Lsta ecuacin contionc dos incgnitas, u c i, las cuales, a su vezr sran
rciolcdr\ l,or l cracterfstica r dcl diodo, La soiucin o"*'i" !e-
lrrsuttitt r,, (ls l)osjlivit y cl {lio(l rnto la (sustitucin' dc ta curva , ",,^'
i; ;;;"i;;.';:ii;;1;":';"""t1J";:,t",:
(..,,rr{ro,,r rs r.fl;rriv., i,.s ccro,;:;;:,:";:":ll.Ji:"r,1:,;.rrf"Tj:yX:)t: "; ndica
f,iente nrodo: La caacterlstica del.diodo que slo puc<le circuiar coiente
rri,'lrrrrr.,t. ,.,r.,tr.r:rrs. r.urno trn irrcrnt,t". tlositiva en el sentido de referencia. Elto rcquiire quc , > u., Sin emlargo,
tl lonsin d(, alirircntlcin. 1.ll intcrruptor "o"r;;;;'fo.'ir- iorr.ia"o a.
p*i"nrloi", poritin".
crndo eI dio(lo est conduciendo, u:0, o sea que la'corrinte iiciia
cn s"n_
dr: la. alilncrrlacirirr y abic,[o paa rensloncs "r," "...a0" tido positivo slo cuando Di > 0, "l
negativas. c.ando rj cs negativa, ra circuracn de corriente deberra ser opucsta ar sentido
Ota forma dc considcrar cstc clcmcnto t;.;;; cuenta quc por et diodo ite eterencj; pcro el diodo no puede conducir cn estc scntido;
ail i: O cuando
slo cicula corricnLc dc p a (iis. 1.1_2),
y la". , <0.
cundo la tcnsin (rc rtinenl..cin """d;.;i;;i;;; !ir,rnt.n_.nt"
roctiun. ni ,iil; ;l;';;,,i;ic cuano ta
lista c\plicacin pucde resumirse dibujando dos circuitos, uno de los cuales
tcnsin dc ". ?1. lilldo para rr > 0 y el otro para ui < 0; tal omo
alimentcin cs ncgati\r. ('tlizat(io los circuitos dc la figua, pueden hallarsc se inaici en-ta-ngura 1 t_.l.
tas in"Ogniia.-r, e D. Asf la
coricntc i dcl diodo cs

r) aol cuando

'cuando ,r <
' > e

)'lx tensin e[ la caga ,, es

I.jg. 1.1-2 Diodo jdeat v su c.r!crrrisucx or. ur: iaR.

Los diodos ealcs ticnen caactcjsticas y linitaciones

ran del diodo idcal. Los diodos rcalcs se csiucliarin quc haccn que dille_ Dtodo
lor,r"""i*", slguientes.
De nomento sto se considerarin tos cliorios
muestran. algunas dc ras operacioncs con
iJ";i;."n i;; .;"rniio,
,,guur,o, t
seirrcs cuc sc rcarizln a nenudo con !.
simples circuitos dc diodos.

Eimplo 1.1-1. Reclfcador do moda,onda. (d) (

ns det diodo cs t^ produccin (tc una tcnsin Unl de las prjncipales aplicacio-
)

.".ri";; ;;"ii#,lfili.,n ruon," " rrg. 1.1-4 Estados conductor y Do con(luctor (ltl rfclillctrdol. diodo:
lrrncntncin,lc corricntc altcn):t_ I k0 , > 0; (r) rr < r).

\'( r'r rilil ,lc r,, r)roccs. llrrrritln rllirnci'ln, u) stlbprorluclo n

i; i,,f;;;l ;:, i;; ,i:.,iiiil,'ill;:l:,;;,1';l;,;,r;ll,:l1ii,,ill
",.iit,i,.i,,. ",,,,
Ji:l,ii,illl;,1,i: ..T,;:)lllti,;i L__tcnsiD.(lc c^rgll )/. v Iir trn\i(in (lc soirril cstrin rcp.cscnta(lns cn la fi_
grrr.l.l-5. Ol)s(1rv(.\. rrr, tl t,nrr ,lf rr(tr rt0 tnurirrr.tontr. c* tgrriii irro t,r rto trr
Irrslr rlr lrr .rrlgrr r,. t,t\ rrr ,,r(tfi \(rt,lttrl tu:ttltt\utt r rrr1ii onrlr. su vntor
Ire(llo s0 {)l)tlcno (1IvII|(,||,L| (l iifrll I)i)r cl rcrlorlo,2z.
+-l)- r lf) ., f I":' v,
r/..,,i -.
Dlodo ;\
..,,, L,.,tr,,,, ,,,. ,i tt t,,,lt ',: z,xr; v (r.r-l)
l,:l {l(srrrrr)llo , ,,r rt,, ,l(. r ,,,,,t.r ,ti, r,,li ) r.! (v,.tf t)r)t)trDll t.| :t(J)

lronto C"r;
l,jit. l l:l (tift:lliLo rcclific(lor (tc |lrc{lin
on{tr pnrn cl fifrp1,, Lr.t.
) ,' ,,,,
 l,i
relacin cntrc cl vlol.cflcllz (r.nt.s.) dc Ir tcnsin dc on (hl rcin yltcrsin
continua es tnu nic(Ii(Ll (lc lll cllrircitr (ld flltro cn lll scl)ercir dc lr tcnsin conti-
n 1r (lc los ittn)(tli(:os. [)ril cl lillro ,t(-] (ld (!jcntl)lo

, l r., lo

|.u'rms
v,d"-t 280 ! 0'011

- l0
Asi el valor elicaz dc la tcnsin dc ondulacin es aproximadamcnte el 1 % dc
Iril. 1.1 l, 1.,,1 rLuIl ,, ,t:r , , t , ik it,r rfcriIfr(lof rlct cjcrnplo 1.1-1. ln tensin continua en la salidI.
Filtros ms complicaclos cono son los lilttos C y Ios CLC que se muestran
en la figura 1.1-6r, dan na Lensin eficaz de ondulacin mucho mcnor, que puedc
(:r!culse aproximadamcnie utiliznclo cl nltodo anterior (vansc problemas_ 1,1_4
j:-,ii'
j#;*:Tj
j*i,,tli jiil},,'l :l"Tnxi";# :::n",1:: I t. t-J).
ii:"liiiti lilxii''tsl ii'ui lll el clisciro dc una lue|tc de alilucntacin usualtnente no j93ju$4_!a,esis.
tcnci^ (lc liltro It de nrodo qlre sca n1rcho mayor quc Il. Realm-etc se suelc hacer
,",".'i..1.ff;;l':.:""J;:"f,ili;;li,'(;i,f:1""::ill:'J;ix i:|;lij: ff*";*:l: quc 11, sca infinito, supininclolc del cicuito, ya que esto da por rcsultado una
s-c

t o suponsamos na]or tcnsin de saliata. En cstc cjcmplo hemos supuesto R ( Il para que sea
:i:'1i'1"'Xl,";t"';:"l;'liut*:f,'l 'i"" uno "'"'io' nttroi, poi frctible un anlisis lincal. Un circuito prictico dc fuente de alimentacin es el
9.991 ;;; li';;1 lii"ii;ift ,T.' jiT:T"*n,:J,ig"li:.':?l (lctccto dc crcsta quc estu(liarcmos en ct cjcmplo 1.1-3.
XT :..fifL
4L
,",i
: ruu/o0, lo 1.jl:::lib]:t "_;;,ff
Enronccs, si se ajust ct producto
Rc <ie moclo'que
tmlrlrtud dc ta tensin de salida y, cn la frccucncia o^ es
()) La forma de onda de )r se ha .cprescntado cn la figura 1.1-2. En cste caso
se ha aiadido una polarizacin negativx fl la seilal. L forma de onda <lc u sc ha
obtenido consideran(lo que la corrientc circular slo cuando rr sea positiva. El
ticnrpo exacto :L 1r, en cl cual empieza y termina la circulacin de coientc sc
hrlli llciondo , 0; rnl,'necs
"':Yr#\*ffi "uunuo "= '
10 cos uor : U
tcnsin de casa a ra recucncia noo, por ejempro -5 +
,iliiIi'"T,t1?l:t!t.o"'" de dondc cos (,oll : 0,5 y tolt : *
Utilizando el principio de superposicin, la tensin de salicla ser 3

,"1t
" r"-(-t;- + frsen ",0r
+ ,h*, ,,,,--,rlo;: r"n .r,,, +
)
Lucgo la teDsin de salicla consiste en una tensin continua y.,/
tensin d ondulacin w, donde J una pequea

,, : t"-- (# ,"" * + # se' z,,r .)

- ..

Ill{. 1,1-0 Irllt.r) rl(l li tflltlrIilr Fl(. 1.1-7 Ifornurs {10 or(l (lfl ('ir.uito r,f f^rlof (r)rl lr l, !1,,r ,1, l,'l r lr fl,l |l1ltr,ll,l
l)||rl!0$. n lr scnrl.

4
 r||||ri,| .)\r'|ll|, rio inllor(! (lllc cl (liodo conclucc cuando

it o,,l ". 2rn 1 !;

',a

.t

?\,il lfl l|' sl(irl lrl r'itr4lt cs

,1,5 -l {) (:os ool 2"n .-+<.ot<2nn+L

l 2;rn I ,- <."t<Zrn+f
I:l vltlr)f rf(lio (l(l r)/, s0 e olr(:Iltr:l conro nntctiolnrcntc.
/-\
,. 1 l,t3
v/..,rc
:r .) ,,,r(-,t,5 + I cos r,00 rt(o00
: o-
,t,t)(+) -t I .c,, i_
(
-
t| t/
: 1,5 i:* = u.9lr v v. -v
-
)'Eemplo 1.1-2. Rectficador d onda completa. La tcnsin D2
dc ondulacin en el
rectificador de media onda se dcbc lrincpatmcntc ,r la eonpoireDic rlc (b)
1a seal de
frecuencia JundameDtal o4. El rcctilircdoi dt ontla complcli cl
una tensir en la I.r. t.1,lr lal circuito cquivkntc dcl rcctincrdor dc ondr complcta y formas
carga que tiene una ondulacin cuya menor lreclrcncia cs 2oro, y adems cic ond^: (a) cir-
ponente de c.c. es er doble. Este tipo de cicuito, una forma la com_ (ritoi {h) fornrxs (lc onda.
clei-c"uat se indica en ra
figura 1.1-8 esj por tanto, ms encicnte pa.. ta p.oauccion rte unilcn,"ior
con pcquea ondulacin y cs el circuito rcctifiiarrot bsico dc la ,rayorlil conn'a
Iuentes de alimcntacin de corricntc continu. dc lrs l.a t,rnsin cD lo cerga l)leclc escribirsc Dr: lrrl. I-s lormas de onda dc coricnte
! tension se l]lltcstrn cn lx 0gurt 1.1-90.
Irl ,j' \j,rrullo cr \(rjr rl, lr,'rrrier lnr:r ,r, es lvasc protr. t.l-2li
Arrollamtento Arrollsmtento
pflE o secundarlo ,": ",^(i**"o. z'.ir,-fi-"o, 4,,; + . .) (1.1-3),

I.x c{rmpolerltc dc c.c. cs (2/r)yr.,, que es dos veces nayor quc cl vlor obtenido
ltilizalrdo cl rccLilic^dor (le nrccli onda. Si , Dasa a trnvs del IIltro IIC de la
fi8ura 1.1 0a, coll )olic:100 conro antcs, la tnqi4n dc ondulacin dc salida se
c,)n'.'lcrte cn
Iil
,t\tr.,,, | | 1 "')\
u, '-. ; \ i ',,',
2ol
- 1000 scn 4at +
lrir!. Ll-8 Itcctillcr(lor 1( on(tr co|)lllctr.
\ rl \'r1r)f cflc:rz (r. t.s.) (lc l l{:rrsin (lc ondulacin cs

,.:] l:::]^"1:],,]:r
., 1r'rlnsonDCtor
cr
I o dcl circuito pLrcdc explicrsc crntitrivnrncnt
sr so :.rrl,rimc
l(lc|1l Irrizllndo LIc nucvo l{ figurA 1.1_S tal conlo sc iIldiclt cu la
{"')'-'"ff
llgula 1.1-9d. E' esta flgura se corsidcra el ansIomaalor u.ro lucntc cle
oorricrtc olten rcncjada dcl prifiario cn cl circrito sccundario"o*o l-:r fclc;(ir cntrc Ir tcDsir dc ondulacin y la tensin continua cs
(lLrir.(to.r cs_tositiv, D, cs un corlocircuito y corr.,n iou,
D, uu ;i";iiii; ;i;;;. "cnt."r.
cuin(lo ur ('.)'-'
cs .cgativa, Dr cs un circuito abierto y D, un coitocircrio. 1
nn
(tc.nrgil , ticnc cl nislno snti(lo positivo conlo sc in(licn "nn "n* "o".i"nt" l" 1,r.,.,r.
x 42 x o'0024
ctr fn nff,u.,, f.i-1i", I,
collo llrlo tl otro (lc los (llodos rl o,)! cs ult cortocircuito
cll clth scririrtcto:rttcrno, quc cs consi(icr'rlllcDcntc t)lenor quc la obtcnida utillzando l 1 r'(!cllll(:f|rlrrf (1.
6
 . t|,,r lrlo:i loi, . (.tilr,.i r,li.r.1|0lir.0s |1.(lic|'(.n clcrl.jiir cn fo.r il cle
collicn_
|| r'(|||i|||ti| rrrir :r r'rrIr( l l , v r'.ro g.'.f:lrrt0,l.a s. (risponc oc corrcntc
i |i ri rr i ( : r Ir () Sonrdo do ls corienre de
descarg del condensdor
llr', r)rl, r'rr lr rrriryrrr.lrr rlr los r:rrrirrrs r.|i.r.tr.1,Iic s s,. lit.rrr,lArlrr til,o
rlc rcCtilicador
,,'rr lrllr,,. 1.,,.r , i, rrl,lr,\ LI-l .J l.l-.1 lr:u
|lr.,.s,,11:rrl,, lrrs corrrlrir"iseq s .a-
| ||i i| ( | , r ' { ()r I rilrrr) 'iis
lu. rrr r.s rr ririzirrrrrs 'rrir
r'r rarrr
rr.oducir.una tensin con-
lirrrrrr r:r'rirrrrrIrr {l..rn [.c'10 (lc (ir)l..i(].r.().llcrn,i. IisLos
circuilos bsicos tienen
r\( |lir)ri ir(lor\'{fnicr)tcs, (Jlrc Ios rllccu illlir-ilcs
Iitra rnuchas aplicaciones. til pri-
,,r'r rlr'.ll.s r:s l; viacirin (kt l l_e'sin cotLin.a cn Ia carga
con Ia coDientc
,lr.r.rrr.rr. llislrr s. rtirlc por urr cauticlird l.rnarla
rcgulacidn, iii"-r"'oafin"
_li.rrsrrr "o_o
llcgulacir'rn:
crr- varo Tcnsioll plcrrr clr6c
r enslon a plena carga
llr fucnte dr alimcntircir.tIr idcal proporcionaria ura tcnsiIr continua
aorrs-
lartc e independictltc dc lt corricrrte cle carga, o sea, l.egulacin
cero. Esto cqui_
lalo ir dccit rluc ll [rLcrtc tcn(lrja llna rcsisl.cnci{l ,lc s,rl-id,r c".0 .L
a parlir dc los
Ictrinalcs dc la carga. Sin cmbar.go, cn ]os circuitos prcticos,
la resistencia L
dcl diodo, que no sc ha tenicjo cr cuenta cn los cjentpios, y
Ia rcslstencia dcl
crrcuito dc filtro no son desprcciablas y prociucen uno ."rirt"n.l"
de salida linita.
Si la resistcncia de salida es igual a.la iesistencia de carga,
la tcns,on a pt"na
carga es igual a la mitad de la tensin cn vacio, y Ia
regu"lacin es t00 poi 100
Un segundo inconvenicnte dc estc cicuito rectilicado" 'sico -c,ranao
se utiliza
como fuente dc alimentacin cn corricntc contirua
cs quc la salicla dc corriente
continua es dircctanente proporcional a la magnitud ll. U
ta.rn de corientc altena. Como la mayoria d"e las lineas
io.ri* dc alimen_ t''
de couiente altcrna
no mantlelen una tensin absolutamente constantc, ]a
salicla de corleDte con- 0L
tinua variar proporcionalmentc. paa muchas aplicacioncs, ,
el aioao esi en cofoci.cuiro
esta variacin no
pttede tolcrcrsc,.lncJuso arrnqrrc sca relativanentc pcqueria.
Un tercei tnconve- El diodo es !n crcL'to bio o
nrentc dcl clrcurto terior es que incluso la pcqueila
tensin de ondulacin
n raca cn tos ccmplos cs nrclludo mayor quc ]a aclnitida prira
cl funciona-
mienlo corrccto dc los circuilos clccl_nicos rnris complicados.'
. , !*l"n n_umerosJs tecnics para soluciona los inconvenicnLes citados. Los
dc
l:""-Tl:-,,c., clatos v lanralcs* riuc contienen
Iectificad_ocs
rnrorJncron cc,mprcta sobrc cr-proporcionan
Proyccto dc fuenLcs dc alimcntacidn dc muchos
tpos. lrstos mtnutlcs informatr sobre cl cstado aclual
cle la tcnica y propor_
cionan una importante fucnte de infomacin nl ing"ni..o-
scccroncs 1-10 y 8.8 se cxplican distintos
p-y";iirt^. En lu, ('
'l
mloclos 1-,".o _.0.. ei comporta_
niento dc las lucntcs de alimentacin. l,'l
rl_.t?^, r:1..111.1"(;",f rr1. ,,i.r,r,,r,. ,,,,,ri o,rd: () ci.cuiioj (r) fornra o, onou parlr
t.. .,r.. , .. ,r r.r..t,. ,1,. ti"rnj,,, rt,. it..,..rrg:r . . /i:.
Ejemplo 1.1-3, El delector de cresta. I_n cornl)oncntc (lc
c.(,. ct1 lr srrli(lll (lc ur
rcctificado-.dc ordr corplota es slo el ti4,Z",ifr,:"*i"i"ii,i,"",iLi
ttc ll r.cnsir,n c rr ) r'r (..r't, rlr' 1, t,, (tr' t, ii,rrrir
(tr! {)nlLr dc c''trr(lr cl (iio(lo
ccsta dc la scnoidc dc crtrad. lll rlcltclor cli'crisla
1" urr sl_ r1)rlo(.lrc ttr) \ l)rr ( \ i ,|| i I 1I I i , , t,l (.of|(lct)sii(lor scgrririi lr u,, conocLa
|| I
corLo u,'
l)rLcstfll liI ll-
lida d0c.c. colnprl)lc *l vrlo.(lc (rcsL{ (lc I. tcnsin'rlc "rirrf,i"iif"i'rr.nuccn.,a,,,,,u r {rrnt LI tl)/,. (l jrrrl,r ,,,,/
r I

r/:.1, (.1 ro {l(,llsl(lor sc labr. car,gaclo h{sta ,, : y!,,.

sc utiliza como tucnte ctc rlirrlentrcin. I.r" "iii,:^it,i i,,,:',,u (.urrrl,r l, I
t-in)bicn cn los rcccptorcs AIf I,flra (lctcctar 1,, ";r,,i,ir.,, 'i,, li:;";
iii(. -1,i ,,,,,,,,",,"
/l/ lrrl'rir'!r l
,
.
i ,| | | I rr L 1 \ r
,
, lir l(.rj:irr (trt (.rrn(lons.r(lor no puettc iiisnrinuir
l)or(trro corr
,r,,,rr"r,l) i,,,.,,,,,",,,,,, ,,,,,t,, (r(.rirfrlrr rLl c.n<lcns^rkrr.-rlcr)c
(1c In portarlorr Ltot!tlal cn nttlitt,1. \rrll,l,, I',\,,r'.,'.",rrirrr'(rr'
(:,||||,, lr ,,,rfli l|ti. rro r)usirr por. cl (uo(ro .rr
rrrr,rle r:lr.t:rrlnr-ror,cl rrlo clr scrrli(lo i vrrso,
lll funcionrmicnLo d,:l rlctcctrr (lc c.cst:r sc cxr)ica rDris
Iririllltcnl(: | r I r | i t i | ( t , , .t r.,,,t,.,,t,,r r,, ,,r. t)r.rt,. ,t..,(.rllirf. tl(,. trnto- tir.L(:nr!ttu .tr, !Ji:;,i r,, *,, ,,,,,,,.
qiic u, : yrn sen oor y quc cl rcsistor rrc
cr'grr ,/i,, ii,iri,r,,. i,:"r,,ii"cs, {rr.rrr(l
| r
,

ll.rf r'. r'l \irl1* (l(' ,rr"ir^ r r- r'.'rr rrr. t'ryu *u.ieiiiudir it irit,1 it,,,,.,,*,,, ,," ,,,.
"., l,i,r ( l|ll(l( !rlorr,r D |lr.r ,Lr,r lr(rli,cl()s v slt (ll$l,l.0l)t(,1t ,rl),,r10 rl lrlr,rl
tLos nmcros stgnili.n clts ctr hs lt.tc.rcrnr rl nnrrl llf'|r. 'r'f r( lr, , rrr,r, Ir'1,, 1,,,,
{1,,t flt,lr Ir. ''rr lr':,isrcrclfr r,r I,rfr|.r. t,r .,,rr, /i, ,.r rrl
8
 &d
flAr'. Ll l{}/r. Iir (r c;rso (ro (rc /rr. ro sr.rr irfirit:, I. l.cnsir (lc sali(r del dctecto
if rr!)i'r'cc (.r)r{).slf fr'rfrscrrr{lir (r r:r frJ-jlr*l r.r-r0a. Su mxilna nlgnitLld Licl(r lgaf cuan(lo /n() : 0 y es
.rr.\'rrrc'l(: (La /,/, ) rl.r..lr! (:l l)rirl.r c..t,l() (l{) .i(:1{), yilIrnquc
'rsr^ r,sta iigrrra vernos
i,,rro (.r)rtr)circritr,. Sin rjnrt)rfl.j(), 1:rnn(tr) ,r (lisrlirrjyr, l,i'i",,.in cl diodo actila I dott\ |
:
o,Son vn
{ ()|)(I s r r Illt)l)ill (lisnli tyc IIII(IIIc,c|. (liorlo cs i n co.1c, y,,cir
I r I i|{ L | )
oncs clel
_qua
uoy .rn
,,,"* (1.1-11)
Ii)tl)1) l,tril.lll It)rri0Dl(! (10 {Lcs(:Nrgtr, cs (l(,(.it., sl.it t:ircul
a L,avs clc Il. La tcn- Cou cl 1ln cle hilr. Ia nrlixitna cantidad que pucdc
l'ia)r) rl(: sllirll ctltr Ios il)sLantcs /r /? (vrsc Ilg. l.l_l0c) ,li.r,ii,,t,y" disminui la envolventc
tn rrn tierrpo igullt a in Dcriodo cr la portaclra
( rllrl( nlr (l(: _y
lrct(:rllo col la ecuacin "*pon"n_ por Lu"l\l y ponentos A : ?'. EnLonccs, cn un pcriodo ir : r'r".]ii"i,"os du,(t) lrtt
rlc la Dotauora
L,L V,- |t-t,' lttt: l, , l :. f, (1.1-4)
L.u" : 0,5 a^TYn (1.1-12)
lintc los irsta'tes r y 13 cl dioo irpr.ccf rr.cvariler; coro cortocrrcuito
I ,l,jr l.fnsir del,conrie)lsxdor sigue x la ten;in de cntada. En c.cuifo tt on_
cuancio n(l) : 0, I:r srricrr crcr dctectof comienza a disminuir cxponencialmcntc
rrrirt,rir o rtzndo crcstlt crc\la es "ii" dsde cl \xlo yr- (ng. 1.1-11r) hacra cero, qe acucrclo con la elacif
VLt.ee: L(t) \L(tr)
t)
L(l): Vh.-ttrr.c
- -
(1.1-13)
: Vr,,( -(r'-r, rnc . (!,-t)lRLc)
- t;:.,uno"o (tiempo z') er diodo concrucc nuevarDenrc y
(1.1-5) l]"11i:j"i::,'i;,,:,,"I(!",t",J
! * 11, como usuatr
< . xSi7 nC >que es vlida n"* , t'ili iliii?q
tlodcrnos utilizr cl desarotto A,ut:Vn-Vhe''I'lltLc ( 1.1-14)
-:x, I'tr'rlrr rlrrc 'l < lr.(:, Iorkrll|lrs tlc tjucvo lltccl. uso rlcl <lcsllt..ollo

- !#
._ 1 * ( < l),
-(' *+;*)l
Iisto (l
v-,no - y'.Lr (1.1-6)
DosL

Paa el dctector de cresta del rcctillcacio dc oncia colnpleta cprcsetltado

cn la
1,". v,-7|- (1.1-15)
ngrrrx.1.l-10a Io durrcin dc lr p.tc. dc_dcsc"rg" .f ll_i, a casi igual
l neriodo de la ond;r se'loitll ie cntra(ti. Asi",._t,"l"i;,
_ i).,,'il, ouuu,""in lrntcs (lijimos, la vriacin de la tcnsin dc salida dcbe
". . a la tn/rxinut
rgul.L0l]10 scr Dor lo rncros
vaiacin (ic la onvolvcnte cl un ciclo a" lo poaio,f,ia". r_".
v" dicioncs pata quc clto ocurr sc halln iguatando
v,.t,oo = j"C (1.1-7) ii.i it'y ii i_j;;-'i"o qu,, ,,^"uu_
l,ll colnponcnte de c.c.
)
cle la tcnsil de carga cs lpt.oxjr)]clanentrl IILC:-: (l.l-l(;)
r,., c = vr- . ! y,.,.,,.r, t,,,,, (t * ..,t,,t,r;.,,
) (r. r -i) . si rll (l()nslIrt(r (l|l Licr rr) /ir.(. cxce(lc (ra rrjr^, r\ (l0scafgl (lcr e0lrrlcusil{L{)f
(lcrirsi{rio Ior!Lr y la saiid^
serir (lcl (lctcctor ur, tio'scguir.ri a tit?rrloli,cnrc; st rrC
Obsvese quc cuando ll (o C) sc apoxiutr a infinilo, .f/,dc sc nprorilrna rs nroor.qrc lltrl^, L)L scg..ir, rl cnvolve'tc pcro la onchrJl.i,
cono antcs hemos visto. paa cl clctcctor clc crcstr rlc .""iill"",ltori,i"
a yr,J sjvr. En la J)ricLica, usratnrcntc t norlutacin r).c(re scf cxcc-
plcta, Ia ondulacitr cs 1a rniLa{1. otld:r con_ por lo.quc sc (lcbe rdoptr rnir s()lrrci)r a" ionticnc irir:r i,,iiiii,,,,i" t.."r"n"in.,
ccraci(lrr (l_t-t{;) sc rlct)(,ri utitizur tl ttxlcr)ciit iiilii-,,,u.i,,]r,"ur,,,,,,, lu
(iuitn(lo sc utilizr c1 (lctc(:l()f ri,.,.rr\tl ,. u vr,luIt(lr.(), (.icllr1)t1),
"uurp.n,,iii,.
rlir rrortLrl:rciiiir,,,,i.,,l,,r.,,,L".
ti'l
grtrnde cot'o scr posiblc c,,' cl lltr (lJ cl.c csLi I,,,r /i/. su
^.lce y ntonces D se aproximarli mlrcho al valo de cresti.".c,,i"
iocron
t* lrrtnrrta c,nclu- jempfo 1.'l-4. circ!to fijador de.nive. Ill crcuila
dc la
Ilu los sistem.s /\l\{ clt qlc cl (lotcdo. (lc crcsLa sL! (lc'o'rillir tcrlsin
(lc cntra(l. r0prcscntado.cn-la figut.ll 1.1_1..1r full(:iona tlc nra crilijadar dt: nt):, o sulctattor,
_ (lctccL{)r (Lc c'\,o1, rlt'cicsLi (lc lx figura l.j 10.r. llclll CtLttj los dos cir.cuitos lllt.rloga I llt, (lcl dctccto
vcnte (o. dcllodulado), los poblclns 5olt .lgo clilcl.entcs. ?\qui h eotlstante son iclnticos si .l clel
ticrnpo deI detcctor. de ccsta sc rteb(. clcgir ,ti: nr,,,1,, q,," dc circuito tlj(lor sc ajust:r (lc rr{)(J,) (Jrc srr varor sea i,,nirii,,.-l,i
lrr , rlv lvctll" vrrrit'l'l ..i:.,.,,iin j,,r"u,, *"g,,,l' tlvirt)cljlc cl lt cjolt )i(,r)tr (t(,t i.ircrrjto.slponf{t os lllc /l.^ "*pjicar cuarita,
'.,,I ,l Ii' ||||)I) .III(I rr.rllslor.Irir tl i,tli)r.
rrrl L,lclllllr), r.,'
"f It(:iri (l(.scll(tll. el i(rc,r. or)scf\',,.rr(' rir',rr).rir rt..sti t:,rrrc<rtiritir cs i.rflito y rlrc
s'L{.' fIlos ,lrc l:r \(riNl r I I I ) { I rI I II I I II j
,
r (i li)r.lllll.itin) cs 'lirrl'cs
tcnsin (1(! slli(i r, u cr ." vo (rrrc ru
I)trcrl(: scr rtlityor qrc l tcnsi (lc "i'i,,,r,,
r

{rl.instrntc cn (lc D/. o\(:c{Il. (lc }/r cl riioo.c"onrn,ii".,i-"n rcfccncia Vn. En

n(l) : 0,5 cos r,,,f (1.1-e)
rjn, (onslilLrvcn(lo rrrr r,or.tocir.r.rriio (.iull)oricn(lo l^,,ii,ii"l"'rr,: "f ".in,io,r" "nnOu"_
I!s{.r os nrodul(lr cn lt porL(lorIl (lc all_ hecucncia llacin(lol pasirr.por ur cir_ cl (o(11'rrs(lor.al sc {l{rt)(lri crrr.rrr.hlstrr.l:i Lc-nsin i,,r; cntonccs
V _ V,., ;,;; mu;sra la flu_
, rriln l (lrr .on)o \:rlirl ra 1.1-12. (tor) /t, inr)itr) {.t ,{,n(Lcnsl(l{)r.d no sc
DLrc<lc ,il;;;;;;.;',,,
pt(t) t/r'll I ,(l)l )s )0t =.. ,(/) (1)s .){,t ".
(r.r,r0) t,, (\'r .l.) I V- scn oot
(l0 tlo /,,(/) . l',,,,1i i,if-,'* t,, t,nt,alttutlt ,.lir (,str (,(,rrfr.rr Iisllr ll,' ,, o rlI r,sli r(,Ifr.\,,ll rl 1. Ill ll(t|t, l.l_tll/r.
,,,,, r,s lr ! , ( .
||i,Ir
.

rrrtllrrlll rlc llr l)r)l l|(lotlt. \' rrstrItIIrI{)rtLc r. .( ,o,r. l,lt

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lf t(.nsi(ilr (l(f s|li(lll ,,. r)stji Iii(t,: \, t,;. l)cclrr()s (1nlr) fcs (lu(1
l)oftlr(lor:t rI I I)(| I || I I (I I cslli
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ur. = (VR - Viht + Vin san erat
v^
0

tb\'
ig. 1.1-11 Dctcctor de envolvcntc: (a) forma dc onda,aM; (bi vista amPliada de la salida

epreseniada en la flgura 1.1-110. El dei"ecto de envolvente es utilizado paa recu-

pcrar la sciral modula(lora tr(l) siguicndo las variacioncs lentas dc m() y prescin-
diendo de las variaciones mucho ns pidas dc la potadora de alta frecucncia.
Para poner dc mnifiesto lo que est ocurricndo, hemos representado en la
fllrfn 1.1-11/) unlI){)(:indclllo1rrdcon(lr(l(} ur ltnplIr(ln pltro rlostrnr los (lct-
lles dcl proceso dc cletcccin. La scilal cr la srlida dcl detector dc cnvolvclrtc est
dibujada en llnea llcna o continua y ha sido designada por ur. Se ve que, para que
, puecla seguil la cnvolventc dc rt, la tnsin del condcnsador debe ser capaz de
clrbiar una cantidad igual al nximo cambio de la envolvente en cl intervalo 0
(lc ticmpo rcquctido por 1a polt^dora para rccorrcr tln ciclo complcto, Estc ticnpo
(ls (lcsign!r(lo '1.(.. I ll,,\.
La velocidad (lc variacin de la cnvolvcnte cs -

f : ,'^ !# : v.(0,5--) sc' o.r

"al - rl8 l.l'12 cjrcuito jtjador dc nivcl: (d) circuito; () f(,rnrrs rc ,,!r|l rlf onrrrl| sf|li)r,rrr;
() lornras dc oDrla (c cnt.(la con rn]plill|(! vnrial,l(.

11
l3
 l.:Il los sislr'||rrs t)fii{:lifos lr fr)nlri! (lc o|l(lu (l(! cntuldu ro (rs scnoidal pero
li( n( lllr rrlllilLr(l vlfill(, (r(,ro lil rclrr(ls(:rrllr(lrr (lrr lrl li!]rrf 1.1-12c. Pala asumir
Ios c:tl bios rIc:rrrrrIiIrrrL ircluinlos fl rcsisl{rf /ir. (ltr ]ro(lo (Jtrc cl c()tr(lcnsador pucda
{l(.sr'rftjrrsti I' llri|lrlcncr flil) (:l rriv(rl (!r rl vrllor y^.
Ejonrplo 1.1-5. Puertas lgcas de diodos. L(rs (lio(los so l)[e(lcn utilizar para cons-
lilir /)r'r'lrs lrigicus (luo Iclizn irlgu|lls (lc lns ol)clrciones lgicas lrrcesariars cn
l{rs r)r(lcn|(lorcs (ligitlcs. Llls dos opcrltcioncs quc nls f1cilnrente sc rcalizan con
(li()(l{)s son l1ls (LcnoDindas Y y O. lrlt 1{ figur^ 1.1-13{1 est representado el
oi'(:lriLo flrr uDa pucL (J (lc tres cDLra(las. Ls tcnsiones de clltrda )1,,, y r3 )'
lu tcnsin clc slida u plredcr arsumi solmentc uno dc dos valores,0 o 5 V. Est
pucrt^ O opern de acucrdo con la dclinicin siguiente. a salida dc IQ pttcrla O ser
5 V si nd o ms cnradus son 5 V. Con relerencia al cicuito ver]los que sj, por ejeln-
plo,D1 : 5 V mientras De : ,3:0 V, entonces D1 es un cortocircito yt/,:5 V.
D! y D3 cstn invcisamentc polarizados. Vemos, puss, quc el circuito obedece a
la deflnicin para todas las combinaciones de las tensiones de cntrada. Se le deno-
mina puerta O porque r:5 V si ur :5 V r,O,r uz:5 V r,O,r u3: 5 \. Natual'
mentc, si ,r : D! : ur : 0 V, cDto)rccs : 0 V.
Dr
ur o- + l'.ricos qu rigen la circulacin de coniente cn un diodo semiconductor. No se
^.1
+ ,lt tlectrones cn movimicnto, la conientc cs peqeila; por lo tato, cl lnlerirl
lbl
l'ig. 1.1 13 PLrcrtas lgicAs dc diodos: (d) pLrcrl Oi () prcrta Y.
En la llgura 1.1-13b csLri rcprcscntldll una PtlcrLx Y (lc tlcs cnttltrllls (10 diodos
i\quf sc pucdc (Lar la (lcflnioin siguicltc. a salir . I /)trl. ]' s.ri 5 \ sod (lrrr.ci,)1, collo s(i il(li(iit rt llr lillrrllr 1.2-1.
\utlc crl(u\| 1rxas krs anodas sann ifllas o 5 \. (bll rck'rcn(ri1l lll (irctlito'
vemos quc si, por ejemplo, ur:0 V, clltonces D1 estllrli I)01izr(io c,r scDtid(
djccto y scri un cortocircnito. llsto conducc n lrI con(licin ), '" 0 \ indlpen
1,4
ditntcncnto (le los valores que tcngan ur y ,3. Cundo todas ls cnLracls sean 5 V,
,:d lno dc los diodos cstlrii ])loqucdo o cn corto, y la slida serii 5 V.
lin li prictica los dio(los no son idcalcs y cuando allsobelr corticntc irctlan
Ei como una batorla de 0,7 V quc conlo un cortocircuito. Si cn la puorta O rjc
tiltzrr diodos lealcs, corno cn la ligura 1.1-13c, vernos qe si , :15 V, crtonces
. .1,3 \'. Si ahora la srlida (lc csta pucrta cs Ia cntrda dc otra puert.a O, la
ldn (le ln scguDdr pucrta ser/r 3,ij V. Asf pues, una (scada o conexin scric de
i?lr p0elas darl una salida de slo 0,1 V. Idealmcnte, ios cicuitos digitales reco-
[o(crlan, o (letectari4]r, slo dos tensiones, talcs como 0 o 5 V, per.o en la prctica
rr.oocerin como 0 V cualquicr tcnsin menor que, por ejcmplo, 2,5 V. Cuardo sc
lliz una puerta dc diodo con un transistor, elproblcm{ dc la atcnuacin dc scal
.ur ?(:rbnlos dc nencionar queda climinado, yi que cl transisto amplifica ta seiral.
l)rhido a la atenuacirl prescntc cn las puetas de diodos, la lgica del diodo no
14 cilleil cll lll prctica.
I,2 INTBODUCCIN A LA TEORIA DEL DIODO
SEMICONDUCTOR !'3
I':n cst:i scccin se prcscnta una breve cxplicacin cualitativa de los conceptos
nlrnt ser riguroso ni resolver ecuaciones, El estudiante que est interesado
r.nlrii consultar cualquiera dc los numerosos textos sobre fisica de estado slido
f{t-.r prof,-rndizar en los detalles.
-\clr!alrncnte el naterial bsico utilizado cn la fabricacin de la mayor prle
,h ,lr,)dos ) tnsislores cs el silicio. Antciormcntc se uliliz ampliamentc cl
,:r.lrilio, l)ero stc ticndc a dcsaparcccl rpidamente. El silicio cs scnico dc-
t.{; rslo.s, a Lcmpcrtura nrllicnte existen muy pocos clectrones cn la l)a cla
,l L4ndLrccir dc un crisLal dc silicio. Como la corrientc es proporcioral al nirnlcro
lrrnc lrna clclacla rcsistcncia. Las bandas de conduccin y valerci dcl sili.io
l)uro sc in(lican cn la figLra 1.2-1.
Electrn
lri(. 1.2 I Il,'lr(l1rs lc cncrEla cn cl silicio a tcDrpcr.atura aDrbicntc.
.\ 0Ii (cclo rrlrsolrrlrr), lorlos los ckrctroncs cstn cn los nivclcs dc crergi.l
l lcnrl)c|lur rrrrrlrir'rrlc rtlgn clccl,Ln ticno ocllsionnltncrrto Iit suli-
r))irs l)irjos.
.tntc rltrliir l)lllr rscrl)r rlc lrr Irrrrrlrr rlc valcncia y pnsar ll It l)arId {l(i (rorl-
l.l r'lt'clrr s(f lcl)cs(lrll l)ol lln l)llnLo y la vilclllc (lcjr{lil I)of fl 1'lr'clrrr
sr'irt(li(u l)of Lur r:i:-crrlo vrrr:io o /rrcc. Si sc:rp)ir:rr rr) clnrl)o r,lrrr'lr'ico rrl trrrr
 t,rrirt IrL.iIIr|:,,|||,IiI.jI r,I lir liilItit I.:l_:, (,1 (,1(.(.1t.(in srj r)r (:vc hcit
cl tcrlrinal
l, I rlr\o rl! l:r lrrtr'i:r, r.orro r,r,:r rlr,*ilrlfrf. llrr lL.clr.rr rlr
tlr t,l,,,,io ac vlcncia
rLr.rlr' lrrrrrlririrr rrr,r,crsr: lrr.i;r (ll l._rtir.l
|,rIIi( i(:Ir|{| flr'fgil l)rr.ir lrr(l(lr r.silr'. rlr: I,, 1,,,f"]ir, a, csL posec
'"l,,,,.gia"at
l)ilsirr (:l {jl(j(llrlr ,1,, ,,iu,,f ,i" ael trueco.
Bafd de conduccin
(,r|la{ro {lsr. rLalf(r'l):rsa rl ",,
hlr.(ro, (krjfri,, Ira(io {lcLfiis rlc 1. lrrrccc como
:lr r'l lrcrrr sc rrovi(,q(, hlcia la rlr:r.ccha,
h,,,,i,,,,t t".,,,i,",i',,"g"ii*'U",^ oo*.r".
r,ir ((lr-r'r{rrtc r0ll cs (l0l)i(l, pof Ltrlo, tl nrovinricDto
tlrrrlrr rlr: r:ortlrrcciD y al movinictLo cle
,1"'lo, ]"
los huccos. FI"bl";;o;;";;"rmren "la"taon"a "n
ltr(i(los, o (lc cargas positivas, cn vcz d0 nlovinlicnLos Los dc
tlc clectores en la banda
rlr: valcncia para evitar confusin con
cl tovimiento dc elcctrores cn la banda de
c0r)duccin. La corriente convencional,
dcbida al flujo o.f".i.on.rl'" f"
(tc huecos, siguen desde luego
la dircccin del campo "' , Fig. 1.2_3 Bandas de cncrgfa rtct silicio con articin
""rri"nt" tc boro.
"l"t.i;;,
trones a la banda de conduccin del silicio. por consiguiente da (a temperatura
arabiente) todos sus electtores a la banda de conduccin del silicio, como se
nuestra en la frgura 1,2-4. Ahora, la circulacin de corriente, cuando se apliquc
u0 crrrfo clctrico, scr debida principalmcnte a la corriente de cleclroncs. Estc
nleri,rl dopado sc llama matc.ial lpo n.

trjg. 1.2: Ilovimicnr(r dcl chfLjn y (1fl lrLreco 0n cl siticio con canrpo
clcrrico apticdo.

Debc observarsc quc los clcctroDes sc nlucvcn

.Lcminal positivo quc los huecos hlcia cl terminal
niis rpiclamcnte acia cl
lidad dc- que ur clectrn Lcnga la energra
,ri"l,-y"'q"" la posibi_
leccsara para pasar a una situacin
til e en la banda cte conduccin (que.esti cosi total_enJ'viij
que la probabilidad dc que un electrn.tcnga ilu"iro *oyo,
l" "i
n;i.;.,u
una siLuacin librc cn la lancla clc "n..gi" Uu.u pn.u"
Asi la coriente debida a la ciicutacin"nt.n.in 1qu" i"i^"r* ,,.*.
..f".tiJn", "rr-".^ri conduccin Fig. 1.2-1 Bands dc cncrgi dcl silicio con fstoro
cs mayor que la corriente dcbida a la circrlacin "n-to;;"d#-cl ni)a(li(to.
" Iru".or-.n silicio. Sin
1" corriertc neta cs pequerta y, por lo taDto,
:i0,1:91 ,nat",ial ,,n sem,_ El diodo consistc cn matcriales tipo p y tipo n unidos tal como sc indica cn
concluctor. "i "s f flgura1.2-5. La nijn entc los matcrialcs tipo p y n cs la basc dal dodo dt
Para construir un dioclo sc toma silicio y se le
anadcn tomos de otro ele_
"Jrpoar. idn. La figua 1.2-5a, mucstra un diodo polarizado cliectaente y su simbolo.
,"t como.boo. Dste p.oceso se llama co1nlnar.ln
i.,llll
sc llama material dccplo Dorquc uuedc
o ff loro Los huccos de la regin p fluycn hacia la rcgin n, mientras que ios electroncs
accptar.clcctroncs de la bancla clc valcn_ dc la regin n fluycn )tacia la rcgiril . Una pcquca tcnsin V es sulicientc para
cil dcl silic.ro. A rl tcrrrcrrtur:r' .rrbicnrc, ros elccLroncs
.lc la iraDda crc valencia prod ucil Lrnii cor'icnlc clcvlrlr.
ut,**i" llenan los espacios aceptores del boo [al r.;;i;; en la figu-
a 1.2-3, puesto quc la probabilidad cic cuc los ""_" ,tc in *i,ii u"
sullcio,ll:, l tc,upcraLura ambicnrc,
"1,,"1.o,r* "nl.n.lo
p,,r,, ,;;;;;;;;; ra pcquejia
:']i:'l: "]l"ti^
Daera es muy alta. Ill resultado
cuando sc
"pii."-,,;,
.,";;;j::;;.r :#lil"ri lxx..::
es tnuy intensa, y cl matcrial
cs ahora un u"n "tJ,l"Til::j,.il",fl:l
,t
p- obsncsc quc ia conrlLrcciri. ,,,, t,,,"onuato., "ri" ,nntarint
l:']]lll,l1r
l)rl crl)illDlellt{ al nlovimicnlo de hrrccos.
,,r,,i;;;,r;..,,;iiii, ,,r,r"t,ia"""
Tomemos ahora otro trozo dc silicio y
laclrnoslc itontos (lc olro clomento,
lrtl cono fs[or.o. I,]l tsto,o s. Il''l nrn[.r.inl
au,,uAu., ,,,r,,,,, lu,.,i" ,,,,,r,,r .t.,"_
l jg. r.2-5 Ijl (liodo dc ni,jn: (() ]rolrfizuci{jrr (tifcftir; tr) x , | |I I iz :| . i (t I i \.( srl
16 I I

l7
 I
1,. lRa.r l 2-5, ,.(fsrrr l. rri.rr. ror.lizatro cn seuticlo invcrso. Los erectro-
r0$ rllr lrl rLlgi|| r lhryo lrucin ln rcgin , micnlras (luc ]os lluecos de la regin
n
fltry(ltr hlcit In r.cgin r. l,l oircrlxain dc corricntc es por lo tanto muy pequena,
r cust rlcl txtrcrio nrrnclo dc cargas cn rnovimiento. Si y, sc incrementa
ms
rllf dc lr ltnsit de rupluro del diodo, la coriente de ste aumenta conside-
1rl)luretlLc pnrr pcqucitos cambios de V,. Esta rcgin se llama regn Zener,
y lr ruptura, ruptura Zcnu o en aualqncl. Los rnecanismos de la ayalancha y
(lo Ia ruptura Zcner, son dislintos entre si. La ruptura en avalancha
se presenta
I)ara altas tensioncs inversas, y la ruptura Zdner para pequeas tensiones inver_ "
sas. Sin embargo, el efecto en cl circuito es el misno, En este libro no se har
ninguna distincin entre los dos procesos.
El proceso de ruptura en avalancha puede considerarse como un electrn
mvil que choca con un electrn frjo, dejndolo libre; estos dos electrones libean
a otros dos, etc. Ello da lugar a un gran flujo de coriente en esta rcgin.
Unos clcrrkrs nruy st:rrcillos (sil tcncr. cD cucn[a lt lcgiu Zcucr) rnucstran
que la coriente y la tensin estn relacionadas por

o:
- 1)
l"1,t'ot'"rr (1.2-1)

dondc :
i.r corricrtca l-rar's dci rliodo, A
,, : l,csin cn borrrcs rlcl diodo, V
1o : cortieDte invcrsa dc saturacit, A
q: carga del electrn, 1,6 x 10-1e C
k: constante de Boltzmann, 1,38 X 10 ,3 J/I(
?: temperatura absoluta, K
m: constante empirica que varia entrc 1 y 2 (en eslc tcxto asumil.emos
para mayor simplicidad quc m:1)
(D)
A Ia tcmperatura ambicntc (300 K), f!. l.?.1; (lrprcL.ris!ic s rlrl (ljo(lo: (d) crrrctcrfsrica rcul; (1,) osc'logran)a dr curlLrrrls-
!{rt,lrl rliodo; () caractcrislicas linc1cs por trozos o segmcDtos.
KT
V1, : : 2l-r mV (r.2-2)
--q unin cnlrc las rcgiones Lipos p y ,1, disminuye noiablcmentc la rcsistcncia in-
La ccuacin (1.2-1) cstablccc que si uD cs ncgati\a con una magnitu.l mucho \crsa. Con grandes Lensioncs i[vcrsas ticne lugar la ruptura en avalancha. Otros
mayor que k?'/q, la corriente i, es la corriente inversa cle saturacin _ 1-. cfectos cntran en juego en vaias partes dc la caracteristica del diodo, pero para
Esta corriente inversa 1, es una funcin del material, de su forma geomtrici, l rna{or parte de lines prcticos son despreciables. Las curvas de la ligura 1,2-6l
- enbargo, si u,
y de la temperatura. Sin es positiva y excede en mucho a fr?/q, 1rzidas a una escala adccuada, nuestran un rcodol en aproxirnadamente 0,2 V
la coriente diecta cs par cl gcrmanio y 0,7 V paa cl silicio (fig. 1.2-6).
Paa seriales intensas, sc considera que el diodo se comporta de acuerdo con
iD f; l.aq'DlLr : Ior|lr'l (1.2-3) ls apro\inlaciones lineales de la figura 1.2-6c. Tales aproximaciones se llaman
rr,rs rle simiiccidn lineol (tambin pueden denorninarse caractersticas lineales
La ecuacir (1.2-1) se ha rcprcscntado grlicartrente cu la figura 1.2_6a, para eJ proximadas o caractcristicas lineale( por tramos).
gcrmanjo y cl siiicio. Consi(lcrando ln ctactcrisLica invcs, hay que obscrvar quc micntas cl gcr-
Lr ctrilcl.ctisli(:ll l-cl rkr rll (li()(l(, Ljlli(x) (lili..r(: (lc l r:ulr,tr cxrorrcrr0iul rlcrbirlo nranio rrLl(sLIrr ul co(l() it 0,2 V cr sLr oa.{cLcrlstica dircctt y el silicio o 0,7 V,
a divsos cfcctos. Pra couiontcs dirccLas rclativamcntc granclcs la ,csistcncia as caracleristicas inversas, indicadas cn la flgura 1.2-7, muestran quc a la misma
lthmicn rlc los contlctos ' rlt:l nltcrial scnli(:l)n{iuclor linrcnl,l consi<lcrablc_ tcrriiu inrcrsa V., cl rliodo tlc silicio deja pasar una corientc considerablcncn lc
nentc la rcsistccia dircct. En cl sc1lido invcrso, la fuga superficial, que menor quc el diodo de germanio.
es lfi corrinte a lo largo de Ia supedicic del silicio en lugar dc a Lravs de la

18
l9

I.ig. 1.2-7 Carartersticas
diodo es I a l5 mA, micntras que la caida dc lcnsin cn cl diotlo dc silicio se
mantienc cn aproximadamcntc 0,7 V. Si sc utilizasc cl diotio cn una aDlicacin
que recibiese 100 mA cn vez dc 10 ln^, la cscala (lc corl.icnl,c quc t|rccc cr
In figua 1.2-6c tcndria quc scr rnultiplicada por uIl factor 10. En consccucnci
! tensin aproximada dc concxin, o sca, dc conmuLacin cr conduccr. aDa-
nceria aumentada de 60 mV a 0,76 V. As pucs, cn una cscah lincal dc corrientc
l caracteristica del diodo no aparcccria como exponcncial sino como llnea poli-
inversas. 6onal o lilreal por trozos, como en la flgura 1.2-6c.

1.2 1 OTRA FOFMA OE CONSIDERAR LA CARACTERISTICA U I.2.2 CIRCUTO EOUIVALENTE LINEAL POR TROZOS

l,it cclci (1.2 il) <krsr:r.ibc la ca.actcrstica dirccta del diodo. r\Iediantc
cslll (icuaci(iIl sr: rrrcrlt: hlllllrr tna rclcin ltil considerando las corientcs
y llts Lc si('1cs 0tt (los l)llntos (lilifti tes d0 Iuncionanriento. Supongamos que
llLrvli la colricnlc ir)l con lil corrcspon(licll-c Lcnsin dcl diodo ur1. Si la corrientc
rlia hasta ir", ricscanos hallar la nueva [ensin del diodo {rr' Supolemos
0r,> kTlq. Iintonces (1.2-3) da ls dos ecaciones
i: Ia'DJv'' (1.2-4a)
D2: I o'u D]rr
Dilidiendo entre si estas dos ecuaciones obtenemos
lL : E@D,-D,)tvr
IL2
Iin muchas aplicaciones la caactestica real del diodo puede ser represcn-
tadl aproxinadamente por otra lineal por trozos, como en la fiqura 1,2_ga.
Cuando estc cs cl caso, el diodo puede ser sustituido por un circuito equivalente
consislcntc cn una balcrir Vr. cu serie con un diodo ideal, colo muestra la li_
gurr 1.2-81'. Dc acuerdo con lo expucsto en la seccin 1.2-1, se tiene en cuenta
el lccho clc que el valor de V. cmpleado es una funcin del livel de coriente,
)crocn la mayoria de nuestras aplicaciones admitiremos que V :0,2 V. .'
Por ejernplo, cn el circuito rcctilicador dc media onda de la fipura 1.1_3 si
!r sustitu)'ese el diodo por cl circuito cquivalentc lineel por trozos de la ligu-
(1.2-4b) ra .2-8, hallariamos quc la corricntc del diodo es
Vr. cos arol > V"
(1.2-5)
(1.2-4c)
Vr, cos tool < Vo

Tomando logrritmos naturalcs cle ambos miembros obtenemos ia relacin que

buscamos:

'" ,or ror: v. rn -|a (1.2-4d)

H
IDz
,, ,o-
La utilidad dr csla ecuacir sc puedc ver considcrando lr relacin dc corriertcs
ir /lr : l0 IinLonces
('1) (D)

Du-uDz- 25 ln 10:60 mV Fje. 1.2'8 DquivalcDics lincfllcs por trozos: (d) carrcrerjsrica uj; () circuilo.

Asi pucs, si sabcrnos tluc lLn diodo pfLicul Licnc ura tcnslll 0n bo.ncs
de 0,7 V cuando la corriente es 0,5 mA,la tensin ser'r 0,76 V cuando Ia co[iente 1.3 ANALISIS DE LOS CIRCUITOS SIMPLES CON DIODOS;
scir 5 mA. Si lr rclacin dc coicrtc cs 2, con.cspondicntc a una duplicaciI RECTA DE CARGA DE CORRIENTE CONTINUA
dc la coriente, cntonces url-rr:25 ln 2:17 mV, que ordinariamente es
nr cantidad dcspl.ccia])lc. En csta seccin consideacntos cl comportamiento de circuitos sencillos
Loquchac0 qur: cn las 0i.flcLe.lsLicas roprcscnLadas crr la ligurr 1,2-6a apafcz- consistcnt0s cn lu0)tcs irr(lcl)cldicllcs, diodos y rcsistor.cs. lil circuito a con-
cIn las lines casi verticalcs desptrs de quc el diodo sc conmut en conduccin liderar cs el rectificador sinplc dc media onda de la figura 1,8-1, Este circuito
cs lu pcquotlu vtliuoirt rlc l0lrill (llr0 col.rcsl)on(10 a uln vnr,inci(ln muy gfondc fte unnliznrlo cn cl cjcnrjtlo 1,1-1, suponicndo rrn dio(lo i(lcol. Iln csto scccin
dc la corricnte. Por ejemplo, en la figura 1.2-6, el margen de la coriente del se tendrn en cuenta las caracteristicas de un diodo real.

20 21
,il.csi

" tl t
.. 1, I lot problemas de cstc liPo sc csuclvcn gr/\licamentc la mayor parte de las
,ti ';'t,, i '.tces tazando (1.3-1) y cn el misnro sistema de ejes de coordenadas'
(1 3-2)

I
."t
1l I lfjg. 1.3,1 rircrillcador dc mcdi orrda. \ ;
[intcrseccinclc]astlosctlrvaslcsultantcsdaelpuntodctlabajodelcircuito.
Un trrzaclo lipico cs el clc la figura 1.3-3. La caractcristica rccta del circuito dc
I fh,enin (generalncntc llanada ecla dc carga dt conicnle conlnua) sc ha tra-
za,lo para rina tensin continua dc Thvenin de 1,5 V y una r.esistencia de Thve-
Lir lilosofir rlcl rnilisis grlico sc basa en dos hechos:
, uir cte 50 Q. La interseccin dc la recta de carga de corriente continua (1 3-2)
I h caractcristica del dioclo (1.:f1) da el punto dc La trabajo (llamado a menudo
l. ljl corlportanlicnto del diodo cst completamentc determinado a baias
interseccin de cstas dos
fre_
cuencias por su caracteristica ui, quc generalmente existe er lornta grhca punlo dc rttoso, o punto Q) para cstas cordiciones
cn las especificaciones de los fabricantes o puede ser fcilmente medida. .rras ticnc lugar-cn el runto Q1, dondc u,:v 0'7 \, io x 15 mA Sila tcnsin
2. Los otros elemcntos del circuito, siendo jincales, puecicn ser reemplazados ile -lhivcin . c:nbia a 2 V, la recta de carga se desplaza horizontalmcnte
por cl circuito cquivalcntc dc Thvenin visto desde los terminales del l,i \. hacia l clcrecha tal como sc indica, y el punto dc trabajo sc desplaza hasta
diodo.
{,t, crr cl grlico. l{icntras 11", Pcrlrlanece constante, cualquie
cambio de u' da
Considerernos las dos pales corrcspondicntcs del circuilo, tal como hr{ar uD simplc clcspllzernicnto horizonlal dc la lccta dc carga
se ve
grficamente en la figura 1.3-2, Las relaciorcs de las rnagnitucles
en sus termr_
nales para las dos partes pueden escribirse:

Elemento no lineal: t
,: /(:,) .,. (1.3-1)
Equivalente Thvenin: Do:Dr-rnlIr (1.3-2)
Tcnemos dos ecuaciones con dos incgnitas, u, e 4. Cuando las dos partes 9u Recta de carga de corente contLnua
del
ci'cuito estn conectadas, estas dos relaciones se satisfacn simultneamcnte, y
el
circuito trabajar en cl punto dado por las ccuaciones. Esta solucin puede
ha_
llarse analiticamente si la forma funcional de la caractcstica rl clel elemento
no lineal.es conocida. Si, por ejemplo, el clenento cs un diodo cle silicio (1.2-1)
puede utilizasc como relacin no lineal, y hallarsc la solucin.
Dcbido a la ntu-
raleza exponencial de (1.2-1), es evidente que no serii un clculo dc
rutina, v
pucde, en electo, implicar un h.abajo consiclcablc. En algunos
casos ste puedc
scr justilicable, pero en la mayor parte no lo es, por dos azoncs, la Fig. 1-3-3 Carctcrlstica y rcctas dc carga dt diodo
exactitud
requetda en la mavor ilarte dc los casos no cs grande, de estc
modo qucda
justicada la uiilizacin dc mtoilos nrs scncillos o aproximaclos;
y la cxac-
Litu que puede alcanzarse con tn c'rlculo clctallaclo r'ncnur.lo no qucda jus_ .\si, si ,r cs scnoidal (esto cs, V"," sen rul) la foma dc oncla de la coricnl
tilicada ya que la mayor partc de ros diodos dilieren de ra caracteistrca terica puerle hallarsc tomando algunos puntos dc la onda scnoidal y lrazando las collcs-
dada por (1.2-1), y pueden encontrase grandes variacioncs en lotes de cliodos rcctas de carga pata cncontar las conientes lesultantes Esta tc-
ronilicntcs
dcl mismo tipo. irica sc ilLrstra cn la ligura 1 3-4 para v"" : 1'5 v' La naturaleza no lineal de la
crcLcristica clel dioclo hacc qtlc la fornta de onda dc la corriente quede distor-
rionada (o sca, quc aclquicrc rln forma de onda diferentc quc u.) Esta forma
,je onda ilcbe comparasc cor Ia tle la ligura 1.1-5, quc mucstra cl rcsult:rdo obtc-
nido riuanclo sc utiliza un diodo ideal.
lolvicnclo rl cicttito oliginal (lig 1.3-1) sc observa que paa cste caso sim-
ple la tcnsirin (lc'fhvcnin tt, cs la ntisnta ruc la tcnsin de Ia fuentc dc alimen-
iacin u,, y -Iir : I -l, (l(: nro(lo (luc todo lo qnc sc nccesita cs rnultiplicar
la corientc dc la ligula 1.3-'1 I)0r Il para obtener un grlico de la tcnsin dc
rrsl)ucsta ur. Obsrvcsc ruc ll lorcin de curva en la quc trabaja cl diodo con
t__, lr iciral lplicarla sc cnclcntrt cnl.rtr los pttntos a y ' como indica la cractcrfsticl
Fig. 1.3-2 Circuito gcncral quc contienc un ctcmento no 1inal- ,i del diodo.
22
2A
 Recta de carga de
corriente contlnua

|oct (lc carg ;.

an ta reo dn
<]t'poarizacion invcrsa,?

V. +V
F'g. 1.3-4 Solucin grfic para la corricntc cuando cs apticad tcnsin scnoidal.

1.4 ANALISIS.DE SEAL DEBIL; CONCEPTO Fig. 1.4 1 Detcrminacin grfica dc l coricntc dc carga.
DT RESISTENCIA DINAMICA
La variaciirn total cresta a crcsta (excursin) de la seal es a menudo una
pcquca fraccin de su compcncnte de cotiente conltnua, de aqui cl nombre
dc scial dlDil. Cuando se presenta esta condicin puede utilizarse un mtodo
aproximado de anlisis grlico-analtico que simplifica mucho el clculo, Este
mtodo sc ilusta utilizando el circuito de la ligura 1.3-1 con una tensin de co_
[ienLe continua airadida a ur, por lo que

rr" : \/dc + u : V" i V. sen r.t dondc V,. ( Vo" (1.4-1)

La tcnsin y(tc sc suelc dclonrinar tcnsin tlc pllazacn,

La tcnica utilizada se basa en cl hecho de que la desigualdad de (1.4-1)
Jracc que el cjrcuito opcre cn una rcgin mtly pequeila dc su zona de trabajo.
En la pratica la caractersticr rlcl diotlo pucclc considcrasc lincal cn csta regin,
y el diodo reemplazado por una resistcncia, El cicuito lincal resultantc puede
traza$e con tcnicas de anlisis de circuito.
Teniendo presentc qua el circuito debc scr lincal, sc detcrmina primero el
)- pnto de tabajo para u : Vrrc (o sca, yi,, :0). Es[c cs cl punlo de reposo (Q),
El proccdimiento cs igual al rLilizado cn la scocin 1.3, y cl grrifico oorruspon-
dicntc sc rqpite en la figura 1.4-1 para V" : 1,5 V y ., -.1- li : b0 O.
La constnccin ptra dctcr.rlilat la forna cxaota <lc la onrla tlc coricltc
como en la scccin 1.3 (ng. 1.3-a) sc mucstra cn cl grhfico. Slo la porcin dc la
caracteristica del diodo situada cntre los puntos a y ir l,icnc importancia en l:ig- ] l2 lrrtf{rrrtct(lr fjr.'rlicl (tc lrls vrfiuItcs llLr\ilinrcs.

25
lr ' | I rlr'lrr'.rrrrr:rlrr. si ltr .r.*:|.rr.isri.ir
| r
' r | r r r r ' i r r
es lpr,xirnadamente lineal
arlrr'.slr) rrtrrl,s, rtrr'rlu r'('(:rrrrlrzlrsa l.t t'rir lira. t.0cLl a clectos de calcurar
Irr.rrrrrrrrrrurrIu rh: c.t. l)'r arrfor:tt lr lL.'ai. ct Iu .csprcsta a la corriente l..1 < I'o lu"l 4 Yoe
ltllcnlt, lolslfuifltlos un lllcvo rrrl rlt cjcs con origcn cn cl punto Las varial
0. Entonces (1.3-1) se convicrte en
irlr,s lrrrrr:irlr r:orr rsl.os cjes sorr \
(:r)f j(! l I (: j IDa+id:f(VDa+Dd) 0.4-5)
(1.4-2a)
'lirsirr:
(1.+2b) L'r scrie dc Taylor a partir de la cual pucde hallarsc f(r f Ar), dado f(r), es

l,r prrlc
intcrcsarrtc dcl grlico (fig. 1.a-l) sc vc cn la ligura 1.4_2, con las
nuevas variables trazadas a mayor cscala. La zona de tabajo c se supone lineal, ftr + Ar) : ftr) + Aaf(o) + trminos de orden superior (1.4-6)

y cn ella sc encuentra el origen. Esto es equivalente a reemplazar ei diodo-por y

l)espreciando los trminos de orden superior e identificando , con Vro Ac
Lna esistcncia de valor igual a la invesa de la pendiente de Ia linea
aD. Eita cDn /d! sc ttene
sc llama sislencia dntimtca ro dcl diodo, y puedc hallarse calculando la invcrsa
de la pendiente de la caracteristica del diodo en el punto
0. por tanto :
io Ioa * i, x f(V 'o) + ," rL (1.+7)
Ar" l f,unto Q
(r.43)
A ] prnto O
Tcniendo cr cucta quc Y"d : Iro, se simplilica y queda
Una vez se ha determinado ro, cualquiera de las variables del circuito (fun_
cionando slo para seales dbiles de c.a.) puedc calcularse aplicarrdo la ley de ' do
(1.4-8)
Ohm. ar nunto O
El circuito original puede considerarse formado por dos circuitos, tal como
seindica en la figura 1.4-3. La ligula 1.4-3a se utiliza para hallar 1ro y Vro (el punto r finalmente
de reposo), y la ligura 1.4-3 para hallar io y rd (las componentes e seirat Olit;. o. du,. Au^ |

La coriente y tensin total del diodo puede hallase uiilizando las expresiones --\';- ' ' I
(1.4-e)
aD |, rto p ora lunto p
1.4-2a) y (1.4-2b) .
-\plicando la lcy dc I{irchhoff a las tensiones del circuito de la figura 1.3-1 se
tien e

u : uo iaR donde R - r R (1.4-10)

RL Y.sen (,a
Sustituyendo las definiciones de sertal dbil (i.a-1) y (1.a-4) en (1.4-10) se obtienc

() Vu. -- u, - V oc uo L I DaRr -T |Ir (1.,1-11)

Fig. 1.4-3 CircuiLodediodo consi(lc(lo conro dos circLritos scpnr,r(los:() (iK:uiro pirra clcu_
lnr cl punto {lc trabulo o frnrlonqD)jcDto (tc c.c.; () circuito pari ,r" Ya ruc corno par^ las condiciones de selial dbil sin distorsin I uo ud c id
cle scirl dbil. ""f"ufo.'i, "o,i,pun"nr" ".n.
son todas ellas seiales variables con el tiempo con el valo medio igual a cero,
)' V", Vro e lDo son constantes, (1.4-11) puede separarse en una ecuacin paa
Dl desarrollo quc ooudcc a los circuitos equivalcntcs dc la ligura 1.4_3 puede corriente continua v uDa Dara corricnte alterna
hacersc tambin analiticarneirte, utilizando un desarollo en serie de Taylor de
la caacterstica del diodo en el punto Q. Este es un mtodo utilizado a menudo Va" : V,c -l- /rcfi' (1.4-12)
por los tcnicos. La caracteistica oi del diodo vicne dada por
I
, : u,:un{nR,1 0.4-13)
Ku,) (1.3-r)
l)ra scales dbiles cn rusctlcit de distosin Finalmcntc, sustituycndo (1.4-9) en (1.4-13), tenemos

,, :1.o * y uD: VDa 1- u.l (1.4-4) u,:io(o*R') (1.4-14)

26 2',7
;.dffil

Cc trabajo: asi quc los ciilculos l)ra corricDte continur son inalterables, Asi-
I
ll,, ,,,',', i,,,,, ', (l.l-12) v (l.l-l'l) rlt:st:rilrrrrr l(rs 0ilcrritos cquiyaLcnLes para
.rrrrr rr{,r'orrIirtrIrr Y lttrlllil (lt) llt ligtlrll 1.'l-ll l)l clrll:lllo Paril colricrLc continua mismo la ircndicnLe dc lr carrcLcristica dcl diodo 1/r',, en cl punto Q no cambia,
,, r'rrlizrr i i t l I i lll ilizill(lr) liL cliril0l(rrisli(:ll (l0l (lio(lo, lnic l'fas que cl
' r I r r r rt r r ) r ( para cictcrminar h cor'icntc llluna y lir l-cnsi(')ll dcl diodo pucdc utilizarsc
l ltr rl Ohr |rtr
r

;rrr;rlr.,l, lrt-rr strrrrllts tlbilcs s(: 11)li7il lllilizilll(lo ll l(ly (lc Ohm, con cl
1

,,1r1'.rr, r'
1

rrrl,rl r',, c:rlcrrlirrlrr rr l)i!fl.ir (10 li cittlltrtrlislit:lt rlcl iliodo rll cl pllnto 0 l
v.
(1.4-10)
(li|.lo (l(! r, l)i[crcuciando ]t ccutlcirt tlcl diodo (1 2-1), invirtiendo el lttl rd+z I

lrsr llurlo, y citlctllan(lo ,' en cl purlto dc abajo' puedc hallarse una cxpresin dondc 1r",y V/- indican la coricntc dc crcsta y la ampliLud dc la lensin, y Z
arlilic rlc la resistcrlcil dinmica de trn diodo dc silicio en scntido directo, tal rs una impedanci compleja. Esto queda ilustrado en el cjemplo que siguc.
c<rno sigttc:

D: x I"uDtvr
IakvDtvr (1.2-1) Ejemplo 1.4-1. Iin cl circuito dc la figura 1.4-4 sc utiliza un dioclo de unin con
-1)
: V- : 20 InV .i : 10,O Rr :
'lto. _l 1^r,otv, - jo V" 1,5 V 90 O

. tlu, Vr " Vr 11 : 200 o c : 100 rF : 10{ ad/s

Ilellar la tensin cn borncs dc l?r.
du, Vr l-, 25 mV a? : 300 I{, Solcidn. Para halla el puntL Q, sc [raza la recta dc caga de corriente continua
ra- : (1.4-15)
' -.
diD
, ,
/e lbo /D" .n \ qre pasa lor cl punto Dn :1,5 \, con pendicnte 1/( + nJ : La inter-
],,nro 0 -0,01.
scccin de csta ccta dc carga con la caractcrlstica del diodo tiene lugar para 7,5 mA
)- 0,75 V (ng. 1.4-5). La situacin dcl punto Q sobre la curva y la amplitud de la
Normalmentc la resistcnaia dinmica de un diodo de unin trabajando con una scal aiterna indican quc sch aplicrblc cl mtodo de clculo para seiral dbil,
corrientc continua de 1 mA cs de 25 Q. De 1a cxpresin (1.4-15)
Obsrvese que cl lntilisis precedcnte cs vlido slo si la zona dc fnciona-
niento cle la caractersLica del diodo (dc .r a ) en la fig 1'4-1) puede consideralse
una linca ecta. (Si estr suposicin o se cumple las lormas de onda en tensin ' : fi{ffi::,, o
v conlcnte scrn distorsionadas ) I-os resulLados linales de la coierrte y de la
icnsin de carga sc hallan supdrponiendo las lcspuesLas dc los circuitos de las
.1.4-lir:
lieuras 1..1-3 y
V
tD Ino ' . llt
scl
' {r/
.,,t.tr

v
ut': Rt o

trlcmcntos rcactiYos. Cuando sa cumPlel las condiciones de serial dbil, cs fi. 1.4-5 Dvalunci{in grnca dcl punto Q para cl circuito de ta figrr 1..1-4.
sencillo tcncr en cucnta los clamcntos raactivos lales colno cl lillro IiC rcprcsen-
tado en la gura 1.4-,1. Evidentemente el condensador no puede afectar al punto Puesto quc lX"l :7laC : 1 Q, sc observa quc cl con(Iensado ticnc una impe-
dncia dcsprociablc conlp,t:l(l (:on ,l,. 'fcnindolo en cucnt:1, 7,t x RrlIi: 62 j;)'t,
El circuito l)tr scirl dbil nirlogo l dc la figura 1.4-3 tonr llr formll indicada
en l flgut 1.4-6. Utilizn(lo los valolcs obtenidos paa d y Z, tenenos

V,":0

v m : t^ 2,. : ;,!,t,1'.,' ;.t- -!p5-!9!r* a " r,,v

l

Iri(. 1. I (lirorrilo (lLr {lio(to con rrn .1{rn.nto rcactivo " Lr notcir tt ilr- cs nr obrcvirciD (i(j,ll cn faralclo con l", y re rriliza cr torlo cl lihro.

23 ,29

'' , r scirl dc (ioricntc altctna (srLponicndo que el condensador acta como un
-vw ^/w
1:ig. 1.4 (j Cifcuilo cquivlcntc n
1.5 ANALISIS DE SEAL DEBTL; RECTA DE CARGA
DE CORRIENTE ALTERNA
EI cicuito dc la figura 1.4-4 se vio en la seccin 1.4 por medio de un mtodo
combinado grlico y analltico. Es posible, con una simple ampliacin del con-
ccpto de recta de carga de corientc continua, hacer grlicamente tanto el anli-
sis para corientc contina 0ollo para corr.icntc altcrna, mientras la eactancia
dcl condensador sea dcsprcciable. Estc proccdimicnto conduce al corcepro oe
rcclq tl carga de cotentc allcrnc que, si bien no sc cmplca para los circuitos
con dioclos, sc utiliza a rncrudo para hnalizar )' pro)'ectar cioLritos con lrnsis-
tocs. Es nis fcil comprendcl cste conccpto cr lrrninos cic un sinplc cliodo,
)' por tanto lo introducircr)ros cn qslc l)unto.
Para el cicuito dc l ligua 1.4-4, la recLa dc carga cle coricntc continLla
y cl punlo Q sc obtienen tal como se tDlrostra cn la ligur.a 1.5-1. Las condiciores
de corriente continua no sc vcn influidas por la partc del circuito formada por
el condensado C y la resistcncia cle cargn Rr, a causa de la xccin de bloqueo
dcl condensador. La peudicnlc dc la lecLa de cl.gt cn corriertc continua qucda
m
F! tinto (lotcInilada pot la lesistcncia i + lr. Cuando sc encuentra presente
(Dr(orircuito para las lrecuencias consideradas) la resistencia efectiva vista por
t! diodc cs r, ]- (.fllllr), que es la inversa de la pcndiente dc la recta dc carga
I
dl corriente alterna cambiada dc signo, Para trazar esla recta de carga de co-
.i({le irlterna, sc precisa solamente un punto, ya qua la pendiente es conocida.
sciral dbil. Fil punto dondc la seiral (le c.a. es cero es el ms fcil de obtener. Este es senci-
llmcnte el punto 0. Asi la rccta dc carga dc corrientq alterna se traza pasando
(nrllnJ] tal como se ve er la
poi el punto Q con una pcrdiente de
fuurr L5-1.
- 1/[r, +
Cono la seial varia con el tiempo, la recta de carga de corriente alterna se
i:'Jete a lno y otro lado para clefiIrir ]a zona de fncionamiento del diodo. Com-
in.e-re esto con la ligura 1.4-1 donde la ecta de carga de corriente aontinua sc
r?!..!e a uno y otro lado. La difcrencia ente las dos es que la impedancia para
,irricntc altcrna no es la misna que la resistencia para corriente continua vista
t-)r cl diodo en cl cso del circuito considcrado cn csta seccin.
l.r lrlpli'"ucl dc la componcnle de c,a. de la corriente se halla utilizando
l ilica de la llgura 1.5-1. La zona de funcionamiento es el segmento a'r'de la
.iirctfristic clcl diodo. Iilstc proccdinricnto dar resultados idnticos a los
rt*ult{los alirljticcrs obtcnidos cn (1.4-16) siempre quc el scgmento a'' sea
l;o\inradirnrcntc lincal. I)cl nisulo nodo quc cn la seccin 1.4, es til supcr'-
l{inrr urr l) de cjcs io-r, cn las culvls d0 la ligura 1.5-1. Esto se dcja como
rJcrcrcll).
Se pLrcden oblencf sinrulll'LnelnrelLc las 0cLracioncs correspondicnlcs \ las
icilas dc cugil d0 0.c. y... rrrcdianlc cl circuito de la ligura 1.4-,1 utilizarclo
l: riurrl lcv rle I{ilclrhoii r lcv do lensiones. Tcneros
y,rc ' I ,r =. Drt I nD -l 1a nl + td(nl .R) (1.5-1)

5
ll:tcir:rr<lo i,.- iu-l 1,, J- DD:t) + Vra y adniticndo la surostcron ttzo-
n:rblt de quc sc aplica la suporposicin, sc tiene

l0 l,r. -= 1ro(r I I V,o

111) ccuacin de la ccta dc carga de c,c, (1.5-2o)

o--w't I.f 7- ', : [, ]- (frllntl + ud ccuacin de la recta de carga de c.a. (1.5-2)

_____-l \,r \,, \/ - I
I

\ Becta de carga --l

\\_---corrrente alrerna
' r +rR 1,4. 1.6 EL SISTEMA DE DIODOS
\\\\ peno enre
\\\ \ cr de
Recta d carga
'N \_-col.|rere conrrnua,
conii - - --j-;
1

\\\ \ penorere l'll sislca dc diodos ticnc n]uchas aplicaciones, e1tre ellas cl connutador
a,t5 t,o /f 1,5 :rnalgico, 01 mult\)licador y cl dcLecto de lase. La ligura 1.6-1 muestra un es-
-uD'v
1,25 | I

'1.-"
-' qucma de un sistema de diodos quc sc pucde adquirir en.el comcrcio (LN13019).
Se componc de un cuadrctc dc diodos y dos diodos aislados, iabicalos toclos
"-llos al rismo tiempo sobrc cl rnismo chip dc silicio. Los detalle$ dc fabricaci dc
lrlcs circuitos intcgrados (CI) sc csludiarn en al capitulo 16. No obstanlc, scialc-
,ros quc los diodos de 0I est todos fabicados simultneamenta y, por tanto,
t!cnen caracteristicas casi idnticas, mientras que las caracteristicas dc los diodos dis-
l:ig. 1.5-1 liohrrijn Srnca clel circuito dc 1a figura 1..1-4.
cretos, seleccionadas al azar, pucden diferir ampliamente. Por ejemplo, cntrc dos
30
3I
 cuando Dr lo es cco. Si i : 0, ,.ts cviclente quc ,, : ur cuando uc : Von, Sin
l crltJargo, incluso si r lo cs cco, r/. qs proporcional a u,.

+ +
I
"liillli:l'"
.io
ir
+J
La tcnsin Vori sc cligc rlc moclo que sca sufrcientemcnte pequeria para que
cuando ,c : Vo, los cual,ro diodos cstr en corte y, por tanto, no conduzcan.
Po consig!iente la coicntc cn 1l cs cero y u :0 V indcpendientemente de ,r.
T
+;l
l^
I los
IJ Anlisis cuantitativo. En la prctiaa el conmutador
por un amplilicador opeacional (vasc captulo 8) que tiene una impedancia de
salida mucho menor quc 1 Q. Asi pues, es razonable admitir que rr :0 e.
analgico es activado

I.ig. 1.6_1 Sistcma (le cljoctos. El anlisis cuantitativo dcl circuito de la figura 1.6-2 es bastante complicado
a no ser quc se considcre suslituido aproximadamentc cada diodo por.un clr-
rliodos r'.rrrrlcsrlrriu.lr dcl sisLcnta puctlc
habcr uDa rn.rfia
cuilo equivalentc lineal r,por trozosr dcl diodo ideal descrito en la ligura 1.1-2.
r\ crlnrlo l corricnLc (flr(j r)ilsit.por clios es 1 mA. clifcrencia dc tensiones
rlt: 5 Si hora t;c : yo,, la caida de tensin en cada diodo es cero y el circuito rcsul-
Si ," a"le"ciona"au alea_
r.r'irrrrLrrrru (ros (rio(ros <risr'cLos rr.l rnisr'o tante es el representado en la figura 1.6-3, Observemos que los puntos a, b, c y rl
rilro r crifcr.c'cia cle tcnsioncs pooria
scl rlo 2l-r lr ir0 trV. de la llgula 1.G2 sc confundcn cn n solo punto t y
l..stLrrlionlos lrr.itncro cl mu Laclor
co n analgico cprcscnlado en la Iigura 1.6-2.
Lrr frrrrci (h csL0 cir.cuito es proclucir. ,,nu t"n.in (1.6-1)
aa ,"iiAn-'rr- i.oporaiun"t
U. (iDtrda^aDt(.LicrL ,i cuado t "u"
ll ];]. ll.ll.,ll,'Lcller t]/,
(r,Llclir0ll) : 0 cuando u. :
tcnsin dc conLrol _ V", (c""_
J' 1/otr (corte). Asi pues, cn esta apticaciOn
fl stst{rrnt csli llctLltndo .conto un que es conmuta.lo cn
.r)r(r.cci(i^ ),cn co.rc 0n. ,n ,,,u,,,;,1'TJT;li;;*"''*t"
,.,,,r11t-.1. "uu,n":,Unr
l prcsLcin.del ci|cuito cs l:r cspcracla, scr oc: yo,.
(luc
l,rLonccs clal(lo ,:0, los culLro diodos csn condncie,ro
lrla crid dc tcnsir Vo. por Lanto, la cada de tensin y'a"jo.n" r"na
desde J "ri" ,
Vn,, so ajusta dc maner.a quc toclos
los diodos se mantcngan cn conduccln, ", ".r".
incluso

ra= I,,r o t,,j

o v,,^

Fi8. 1.6-3 Circuilo cquilalentc cuando rc : Voo.

t,
I Cllculo dc l mxima tensin de cntdc lcrmisiblc Vr,,. El circilo cleja (le
funcionat corectarcntc cuando or aumcnLa hasta cl lrlLo cn quc ,i : yr cs
iut' )l una tensir sulicicntcncntc positiva para quc D1 y Do sc bloquccn dc modo quc
., tf rl c rr sean ccro. Ilsto cla por rcsultado la complcla apcrtura dcl pucntc de
- 1zW -'1.,1
I' ',+D. :' diodos col la consiguicnlc dcsconcxin dc la cnhada u, dcsde h carga n. El
- *.1), * cicuilo cquivalcntc csullante cs Lrl rcprescntado cn la ligura 1.6-.4. Supongamos
] (luc los dio(los fstr'r) I)l-(:(:islnrcttc r cl
,, t,, '"" Llc diodo r.,,,. y ,,, sLtlli
IrrnLo (lc corLo (lc mod() rJrLc lits tcnsioncs
nl)its iuuitlcs lt ccro. EDtonc0s, oonsidcranrl0 ls citls
-t-' I < /,r
clc tcnsin con Icsfccto I nlast, Lcnc los
1,,
(1.6'2d)

-L'( --1 ,, o -l ,,
v,,,, l?/,
t,ig. l.l;: Un .onnllrt:Ilof :rlIt,ltif,) coI cunrro lj( -- l)r .: lt!. -. ( l.{i-2)
(tro(ti)s. R,.l lt r.

32
33
 - :' ,.-!F..1
*lttrrFrq!rniqqF."
coricntcs clifielc cr los rlioclos 1lt y l)r, siendo mayor la corricrte cle D.. La
azl de csta difcrcncia (10 corrierrLc cs la siguiente. La corricnte que circula
tn los cuatro (liodos sc plLcdc hallar por supcrposicin. FIay dos fuerrr_es u" y u,.
I
l
rc hacc quc la cor'icntc cir.culc cn todos los diodos D1 a Do en sentido tal
qre stos oonduzc{rn. Sin embargo, la fucnte u, suminisla una coriente que
:
liendc a hacer quc disminuya la corricntc total en los diodos D1 y Do y aumente
h corricntc total en los diodos D, y Dr. En consecuencia los dioclos _D, y D, con-
ducen corienles mis ir[ensas que Ios diodos rl y IJa. por consiguientc, la cada
dc tcnsir V"" cn D. cs nayo que la caida de tensin v1 cn D1. El resultado
eJ que ,0. no cs igual a cero sino cue cs una funcin no lincal dc D!. Nosotros

desprcciamos estc efecto de segundo orden.

Dicnlinacin dc Vo. La tensin dc control yor sc selecciona para quc

lus dos dioclos luncionen en la regin inrersa (de modo quc no concluzcan) pcro
ro nrs tlli de su ruptura Zenc. Si l_os diodos cstuvicscn polarizados invcrsa_
ulis allti dc csl tcrsiu dt: r.upLrril Zencr, condrLcirian cor.ricntcs lnvcrsas
'r)rnt(
,le rodriau ser sulicicttenlenLc intcnsas para dctcriorarlos. Los dioclos tuc sc
-l-, :rliliza' cn los cir.cLritos inL(rgaclos ticncn tipicamentc una rlpLura Zc.er cuanclo
lrig. r.0-4 Cicuilo fqrilalcnt(: clln.to rr : yh, ! tos diodos u1 \, ,r fsttiD en cl punro i:r ttnsin inYersa es altr.orintadarncDtc Vz, :6 V.
ilc
Con cl lin de deLcrrninar cl rDr.gel |cr.misible dc uc : Vori ollscrvanros (luc
i)irr r]la lcncr cn corLe los diodos 1), "r D4 tlebemos tcncr. V.r: V"_ Vo <
.:.1(0,7) : 1,4 V. Iin eslc tltodo dc funcionamiento no circula corrientc
Ilacicndo u." : u. igual cn ningn
t'r 1 cefo tcncnlos rtsistor 1i.; r:le aqui que 2 V.ri: \/",i <1,4 V 5, V"ff <0,7 V.
-
(lLrardo los (liodos estiin cn cot.Lc cxislc la posibiiidad dc quc pucdan
csLar
t/ r/ Ilt r\|ucstos " una rulltura Zener si u, : V,,,, cs dcmasiatlo grandc. Co lo no
"--"'E+n; (1.6-3)
)asa couicntc por r cuado los rliodos cstn en corLe, V. : V,., clc noclo rlLrc
\'.. - 1/,,,, yor. Prr quc no se produzca el corte cn los clioclos ajustlrnos
Ilecodetnos que cste cs el vrlo clc Vr,- cn que los dioclos I) Do st llloqcan. t,r)' l',*- V,,,, cionde Y., cs la tensin dc ruptura Zcncr (lc los (lio(los.
_r,
Si R" > -R (1.6-3) se r.etlucc a I)or tnlo, ynri debc csLar compri:ndido en el margen

(1.G,1o) \,r,- v"u < v,,lr < 0,7 v ,

l)ol cjcu-IPlo, si Vr,, :5 V podramos elcgir Vo :0 V, Si se hacc csLa elec-
Sin embargo, si sc conccta el cuaclrcte clc cliorlos l la cni_fad de un amplt_ cion, l),conducir cuando u, cxceda de 0,7 V y D1 conducir cuando u, llcgLtc r
ficaclor operacional no invcsor (scc. 8.2) cu5,a impedln0ia clc entracla Rr_ sea er lenol que 0,7 \. Pero tt sc mantendr igual a 0 V indcpcndientemcntc
mucho ma)'or quc -R", tcndremos rie tr a causa de-clue I). v l)o cstn cn cortc tanto la puerLa tambin sc lnan_
)'por
tfnrlri en cotc,
(1.rj-4)
Emplo 1.6-1, Conmutador analgico con seis dodos. En la Iigura 1.ti_l:) csti
Itn clL{lquicr caso, si ur cs ntcno qu(] el \,alor.rlc V,,, (lado cn (1.0-3), ci ctiodo represcrta(io utr conrrlrrt(lor rrlrigico con seis diodos utilizanrlo el circuito cl
\i-.tenra corl)lcto (ki scis djo{los. l,n iuncin de esto cicuito cs l nrisrn qLlc l (lel
0odlnuta.lor funcionar dando rr, : a,. Si o, cxr:urlc rlc \.,,,,, la te sir (lc salida connrutldor uDalgit() con cUllt.o (lio(los represcttado en la figur. 1.(i-2. Es (iccit.,
,, se nianLcndrh lija en el valor dado cn (1.6-2).
ISe cli:mufstra [cilncntc que cirn(lo ,c : \/Ju, l lcllsirirr (kr crrgir u es proporcion{] a u,, irientras qlle cultn(lo
lanbin csulta (1.6-3) si ajustanios , \',,, caso ot1 Lrl <ue los rlioclos D, y D.
- -. Ic,= l'.i1, ln tcnsirr (lc (largit, cs ce0. Hallar (.) r ct1 ftlncin cie ,r cLtanclo
csllln cn cortc. ] r'. -- 1i", () la ruiirirlr I i- I)( r)risibtc, \, (rj) el n)ininro valor I';{ v cl mftgen
J,.s'r'srll.tl.s 1)l)l.ri(los r:rl .r .rrra.i.r'.rririsis srrr sirr. irrrr{rxi.rrarrrr.rl. l,trnrisil)lc (lc I,',rr.
(rorrrctos l)orJu(: ul circ ilo c(lui\,lcIrlc ui,ilizrldo
l)ara r0l)l.LtsclrLrr los diodos no l' ). Itl trNrrsf()frrll(lor
.\lrctjn (r ll el nle(Lio do connrutr Dc dcsdc
os cliilcto. I)or. cjcrnr10, critsitlcrctnos los dioclos trrc rlchcn sql. t.cl)t.cs0Dl.rlos t; h.rst 1,ir )' \'icc\'0l.slt. l.lstr) lr() I)r{)l)o[cio
csllt.ti rcprcscntdr) cn cl circLliLo (lc la ll_
por cl circuito cquivalenLc linell por.hozos cn la ligLtrl 1.2_g. l}rtorccs,
en la ur 1(;_2 rllrquo s. I)o(lrf lrrilizrrf lrr l nl forrn(lor. lil cir.cLrito oslri cnlcllu(l)
s

figura 1.6-2 venlos qlle con Di : yr, quc es una tonsiD posilir.a consLantc, ls pra quc cLado : : l/,j, los (tir)rlos 1)6 \'110 cstD .n .orlr v lo\ rlir)(los l), /)

34 .15
 .Srrucln. Dl circuilo dcl sislcra tipico con diodos cs cl rnisno que
dor con diodos reprcsentdo el1 l hgura_.1.6_5. Si n,l,"itiIrroi 'q,i" -,rcI conmuta-
lora dc onda se)oidal, tat como ,i ::en 2jr1, y nc,l" i.^ i"." tenga una
O" onda senoi-
J,, , .t, / kt il3l, tal como Dc : cos 2?1... cnto
"-;;"*i;; :i.u:'::h""":lt;H";:";":i'i,:it:"i;:"f ',#1,1:::"ol:
i<
I p"'1,,r
"ii"" y clesconectar )r
trol concctr r un ritmo igual a^1". ri";;i;i ilustauo
[8T.:.1.6-!q, donde hemos elegido l" <l. C-on cl fi. " cn la
proccso cle
l.]:ll]llt"1^crll urilizando estc clispo-sitivo,' ia op".n"ion a" ""p"".^.'"j jn esta
$nrrda corno mucsta ra ligura 1.0-6. Aquf la tersin senoidal "nfiiilcide;ontror repre-
dc la
ftccnenci /" cs sustituicla por la funcin "
" ai""iooa"oao s1f;
'l L' de frrcuencia 1., que cs 1 bien 0^v.. Cronao "",r*ri""i"
Slrj er-r ],"r)1",(1.
' ,'4,
Cu"no
q v Pucsto quc s(t) cs periaici, pu"" J""
"r"p"s"ntoan
po"
iJ'l;.ta),r:;;l
Lf _L vA+ ,.\.t p() ..
;
- SCn nrl2
J{r - .- L , -;-cos2anlf
h_r - nnl (1.6-7)

qcn nn12
N' (tr Sf/)Dt) . I :e. 2.,/i ' T -^-
sen n ,, cos ^2rn/ 1
l./'/ (1.c-8)
,,", *.1,
.L ccrcin (1.tj-S) Ducst quc r(l) sc compone de la seal
original ,r, el
p.orcio de dos seirales, y tos protlirctos d _,(0 fs o.,"oi*, "
v
dc c_ontoi. Dc aqu que si et connrutador vi'seguiao d"
L,"at originat
(on frccucncia centrat y ancho de bancla 1J : ;;;;;tt; sintonizado
Fij. 1.0-5 I'n .ollmur:,Llof :IrJtuB.co .on i.rs,tiu.l. l, 2 la te;;in c;la-sajta er nlto
lcri r;() : K_ser,2q11cos 2zlJ. Asi, llt tcnsin ii "i nii." rii) es propor_
.tonal l producto dc oc(t) y u(l). ""ri"
cc,rrduzcar haciendo qllc D, sea menor que cl !alor i/,. clado por (1.6_3). Utilizando
(1.6-3)-con I/n:6 \ El circuito dc la iigura 1,6-6 ticne varios nombres, dependienrlo de la
se puede dernoitrcr quc la I.r,r m*ima .crlri-: V, y para -.- fina-
lidd del diseo. Por ejemplo, si se clesea que r(l)
: Sif;r,11 circuito sc deno_
"f
(1.6-5)
() Puesto que u, nunca cxccder alc vz^ _ vr_ _ 3 \, la tensLn en
to c lro excede de 3 + 0,7 - 3,7 V. por co]tsiguientc los iodos D, el pun_
v Do estirn
n 0 sremprc quc rc : y; > 3,7_ va5 : 3,7 _0,7 : 3 \. ios clioclos
a .1^cstal n o{ siclnprc que la cafda dc tcnsin ,iesc Last" e1 la D,
a 1.0-5 sea menor quc 1,4 V. Iror Ia segunda tcy tlc I(irclrhoff tencinos figu-

u"a : yrt + 2L)c -F Ir\. < 7,/L

Sup-oniend-o V,", : ytu :
0,? \, tos cliodos Dr a l)a estan en coLc sl Dc :
' I rr 0 _quePlcsto
- \'. que ro c ,lcqcj quc los dioos O, O. ie
sarncrte por una tensin mayor quc l! dc l.upturr Z"ne l.rr, i,otai"en
:nue,._
tineinos
Yo' : Y'' VrI -- Vr < 6 V
- -- ()
De clonde
.t(/)
l/;r > I/r- 0,? V
- I

^sl
pues, el nlargcn permisible clc Vrr

Vr,, 0,7VcVr<0V
es
Lrl)
A
-(;F- o !/1,I
1.6-0)
*l
(
l7 5T
Ejemplo 1.6-2. Uso d un conmutador con ses diodos como multiplc6dor.
De_
lrn .

mostrar que el conmuta(lor con scis diodos dcscrito cn cl cjcltlplo i.6_r se puccle
tilizar como multiplicador. Fl8. 1,6-6 DI conrrur.a(ior dlodo coDro lnLrltjfltctrdori (r)
, (1) cLrrn(lo l,r =. scn 4n x 10t y
rc - scn 2,' x 10li () oprcscnrncin cquivtcntc cl ciniraor -
,rir,,.
36
37
 ,lil.liilill:ll1:1i ii,,;,,,];,,il".ll,'il":Ji;11;;i$i:;:X:*i,?:.:,,,iiiffi:
+-l , i*
;:i,:,';il;"li,,l:,ll;l:i:
!
':1"":l::,u:f {f,i,i"[,,:lxl;T"'::1i.i:*;#*:.i;i
rlrr||r)s rltlc llcnlos irctcrodinado la
j
g'.od9

p*" "lL"raa^i"
I
frecuencia tueva le-
c rrr:rrcirr /, I rr/". 30,
I I
t
rT'
1.7 GENERACIN DE FUNCIN
t t{ l.;.2 (lircIitos ]inctcs por irozos;() sntcsis rtcjlgura 1.?_1; () sint(,sis (tc ftgur 1-7_1a.
I
I-Lcnica clc gcneracin clc funcjn implica
una aproximacin a la carac_
tcfistica r de u^ dispositivo no rinear con
segmcntos d linea ecta concctados
y Lrtilizando luego diodos, resisLores y fuentes ic
li tcnsin dc cntrada como lucntc dc c.c. que cambia lentamente desdc un valor
constante para consLuif un circr rito cq
,"^lri"".il"r" de corriente V {r:rn(lc nceali\.o hasta un vlor gr.ancle positivo. Rccurdese que cl cliodo iclcal
uivatente quc ."rii;;l; ;;i.," tineal por (onrlcit.li solancntc cuando la tensi(ll u", y3
sca positiva (poiarizacil dirccta)
trozos. De.csta maner. se puctlc anrlizar _

ct circuiti .;j;;
io. to. _etoao, s,-i un circuito bic.to curndo ur_ V. cs negativa (polarizacin invcrsa). No
normales.dc anlisis dc circuito, cspcclalneDtc
para sejales dibiles, evltando los crcrrlani corrienLc a no ser (lLlc,r, > Vr;asi ur l Vtcla el segmenio 1 dc la
proccdimientos grhlicos. curva.
(.!rrr(lo r?,: \' (purto dc rrcodor), ocurrc un canbio
Una aplicacin del uso de los gencadoes de dc csLado. Tar ponto
funcin es la soluclr dc pro_ cono ttr so hacc rnayo cllLc ls, cl clioclo concluce y aparccc como un
cortocircuito.
blcmas en que una ccuacin difcrcJcial
lir*l q;;;;;;;rcrrr"
"" nalgico. Los
deba se rcsuelta uLilizando un computadrir un ,,.*rno ,,r,.o l,rrr'go para todos Ios valorcs rlc o. > V", cl circuito consiste cn el rcsistor.R..en
trminos no tincalcs rric con Il Lonsin V3, tuc ploporciona cl scgmcnto 2 clc la curva.
son afroximados por curv{rs lincrlci pol Lrozos j'.1f1,njo.r.',tJi
.. ,.ru.rr. llslc rcsLrlL.clo s. puedc urilizu. jra siltctizar ra curva dc |Ies scgmontos
cl problema completo electrnicamentc y cl esultado ,. ."pr"r"nrn d: la fi.rrr 1.7-1a. El cir.cui[o de 1a llaufa 1.7_2a sintetiza los
automticamente o sc visualiza en un osciloscopio grliea l, scgmcntos I y 2
{cstn(lo ,susLituido -ti. por. .R,, , V. por V1). Todavia hay provist un purrto
ta aproximacin de tres segmintos para ta caracteistica de
,,_^9iTld:*i"r. no t'r,lo en 1,'r, r' la pendicnte dc la curva en la regin 3 debe ser 1/I1,.
lneal epescntada en la ligura 1.2_1a como
cjemplo dc ta ,int.rir-J. un cicuito qlc cstr pclldicntc es malo.(Juc la del segmento
Obsrvesc
trozos. Obsrvese qlc cuatquier curva no tineal r lo quc ta resjsic;;;Gri-
liy \lr lc ,il cst.rnrr.lcD ,lcb,. scr tnct)or. Esto sugicrc ,uc
tanto l:]
pu"J"-..i'np.o*tn rrcJc-ser cr,rdiC,,
como se desec utiljzando rno o ms segmcntos
e inea ecta. para fines
"an. uu crrcurro fr.,lcLo frir conse{rir una educcin de resistencia. El circuird de
prcticos el nmeo dc segmcntos cle linea
sc nantie"" a"" p""" cotno sca .i figLra 1.7-2 producii tl rcsrrltaclo deseado. La rma dc la izquierd.r cs la
nrrr r.7*rr, corsisrcnLc;;;;r,,;l;..',;;;;nLos, mDos nrisma qrre ll p.oviitlll{I)l.c <rotsirlcrrll y nos da los scgmcnlos 1 y tlc la crrrva.
:::jl]:;.:i^"":"i,rr,ri, .a arroxinrar.s0 2
l,u(.,ie
,...::l::l:lll,.^,ir
,,r(sirrir 'ltl||zir r
pcIl)l e rt {,r'tot.grrr(]c
l Lr crr\. crun<lo la cxa0Litr(l I- r,rr rl. l. rlc.ct:llr rr) t.r{r*i (rkr0tr) argano rrnsta rrrc u.: 11 ,n,,,,,., tt
.cl)rcs0nlAdo. Ijs sirtctizacla COmo 0l ctrcuitO c(rnduce. l)lr ot), V,, D ,.1)1 cstn ambos cn cortocil.cuito y ia resistcncii
de ia llgura 1.7-2a. L, operacin del
circuito se cxplica fecii-inte sise consiAera {lel cicuito toial es.Rjl1?r, Con cl fin de adaptar la penclicnte deseada 1/?i.,

1 : 1-- -,- ,1
n3 1i, _l ftr-ft,
Ilsto compleLa cl circuito.
. -Es importanie distinguir crLc los circuitos equivalcrtes lineales ljo trozos
dc los quc aqui tratamos y cl circuito equivalcnte lineal para se.ialcs dbiles
cstu_
diado en la scccin 1.4. L-os valocs dc rcsistencia pucden diferir consiclcablc-
renlc a causa de quc cn cl caso rlc scrlal dbil las pcndientcs se mirlcn en un
punto particular dc funcio n am ii:n Lo, ticntras que cn el caso lincal po trozos
son lalorcs promcdiados cn nrhr.gcDcs o inteavalos relativamentc largos. El
ci-
c!ito lincal I)o. trozos sc prc(lc tltilizt para calcular las corricntes v las ten_
siones lolcs, mienhas q(lc cl circrito cquivalcnte para serial dbil cst
restrin_
Ij(. 1.7
giclo a variacioncs pcquci]lrs aJredcrlor dcl punto rlc trabajo.
1 Iinculcs por trozos o scnrcDtosr ({) trrs
^pro\inracjoncs s:g|lrrrtosi () dos scg_
Ejmplo 1.7-1. SintcLizar utr circLrito quc proporcione una apoxirn(:i)l
linfitl l)()r
38 trozos de lA luncin v : ln r pra el tnrgen 0 <,| < 3,
fl Se planteaI vrios proltcnlrs l)ri\cticos cuando sc inte constuir cl circuito
de la ligura 1.7-5 utiliz;ndo clioclos y rcsistcncias rcalos { -usa dc que un diodo
rr,,fi, L7 r] r)r(lscnh rrn crri{i.c:-:1c^ :..=,,:]. l]l',1.1,,i;,J," ,,li"?iifil real tice una tensin (lc r(tPturx clistinta (le ccro y unr rcsistcncia seric cquivi-
illii',1,;ll;.,i;ll,ilil',iii;i.-ll'J'iii;ii;ii;li,'i'.ii't""^''i"i'"pen(iio'tcodccodocn/ lentc. ,\dems, la rcsistcncia quivalentc dsminugc con la corrientc, lo cual produce
---1 na caracteristica cllye cu!-aturl cs opuesta a la descad
t: ,,
gr {irlto 3 tlei)c I'r\r I'or l Prrnl0 i 3 u ' 20
\ ( l st

t
n=$:ro,en
I.'jg. 1.7-5 Circuito complcto par cl cjernplo 1-?-1
!n= fi -::n r = s
l'is 1.? 3 Lr funcin v Y
apioxnnacin linc^l por trozos Paraninimizr estos problcmas, usualmente sc mupiidn las variablcs lor
:,rt una constante, por lo qe sc co,rsidcra que cn el cicuito circula un^a corrientc de
er viz cle rniliamperios. I'ara vcr cmo se hace esta transformcin vol_
".neio.
{amos a la ecuacin oiginal y escibmosla en la lora

lil:r',.'""ilriliir i";w I'i: Jifll{5i:fi{ 'rift tii:i'*il i\hor sustiLui,nos

'"';f "::l;:"lil'i'i 'i:.;ill:'j;il.',lljluiliu l;1";l'Ji:':xi?"li'"1;;1 .: aD? y U:bi
il :lilxxiir,:lill lml';'li ll,::i*.] l'l' :r4o:l:o']"1i":':r';l::1 Lucgo
1

ii?;"1#Tlilfl,*:ll,xilTi.j''li+;:n:i:';',"*ulm:i"::''i;"n:i""lli"n'i;
Si : 103, corrierl-c vicnc dada cn milimpcrj^ r- ar"inte un 1"':' l r' 6'
l
de la constaDtc d, la iensin sc puedc cxpresar cn una escala dc mltiplos ilt(lc-
- i r,;f nendientenlcnte. l.Natutallnente, todos los valoles de los resistores canlDlan cn
iorlron"n"io. Si rI : 1 Y , : 103, todos los resistores dcl circuiLo de l[l figlrra 1 7_5
ra*r
t r"iuri"ti pol 103 i las corrientes qlre circulan clr el nucvo circuito
", I z,su son multiplicaias pu. i0 t lo titi.tnu qu" las (lcl circLrito ojginal -l-as tcnsioncs
"turtipri".,los
eNistcntes cn cl nJcr'o ci|cuito son lns rnislDs que 0n cl origirlal llD
gcncral' sc
(lc los scgNcntos 1 y z "fen Divcles dc tcnsin sLtlicricDtelircnte altos parr (lrrc no scrr cxLlsr tLc
Fig. 1.r-_'l Circuiio para la rcalizxcin qraniles"l"f:i.
-T lr ngufa 17_:J' eiores las caldas (]e tcnsin eD los cliodos'
dc " gn la figura 1.7-6 esli rcplcscnta(lll Llrra lcrsin a escaltl Inltiplo del circuito
dc Ia ngu.a i.f-S. En cste cir'uito sc ha sriprimido el suninistro {lc 1 V, -v Dr
h
rlll i \ tcofricntc' mnrrores 'lc i'f'l Ar'
.i rr.iit"i" por un diodo dc sjlicio y uno clc gcrmanio en scric l-n srrrl dcy las
ulr 'orto.ircuilo 0'rrr lcnsioncs.rft'llolc\ 1v' str
i"".i"". J" ruptrtra cle cstos dos (Iiolos es l\poxim a{lirmcn l e igral:r
l*'ril J;;,; llltil.'J; lrj:i;iiillrl*l 'llllj'ru l il*;il:llil.i: nlenor quc 2,5 ]r!) cn cstos Divelcs
es rnucho {Lc
h1 resiste[cia intc;na combinada
y
iii.,ir"''"',J" I - '.q' l: 'l ":l:;iJiJl ll;.i',1.",,il,,".lll'l,J,lJ'n','" ,, * "^ ;;;;i;;i;, p;" lo que resultar'/r u1a caactcrfstica cle lfrea rccta ontre 1 1'61 nrA'
Lo fuente'cl" cor';iente est sustitLlida por una batcra dc 13,5 V cn seric coll tl
ll,J;ll,"l;,,11".' *l.llli,lil,"i"il',ill"i',
.u''''" esistor de 8,3 kQ.
"''
t - (i - l'1i1XS'3) I 2'5i + 1 ,;: i,'t+
n hall l solucin dc las
Ejemplo 1.7-2. Utilizando circuitos l;rrcales por trozos,
f cuaciones silrrulttlneas
cs
[,ir l)c (licntlf li c:ll pol trozos cl1 cstc rnarcn 0<r<2
ll:r!
Alr t'' I '.' l0'S r
A
2'r-r
1/:i llz-r"2
til coulo sc l cqllcrill 4I
 tr

Ce

13,5 V
2,5 k0

l:'ig. 1.7,8 Circuito ineat por tozos para U : 2.

I:ig. 1.7-6 Vcrsin prctica dcl circuito dc lr flgura 1.7_5.
El circuito cot.rcsl)Llll(iienLc :l q.-.: (y .- tniliarmpcrios; : u
linplcme'tc .na rcsisLcncia dc I 1i!1. r'xri rrr[ar 1. soiucir dc ras voltios) cs
La solucin esJ natDralmente, r: 1. Veamos cmo se puede obtencr eiectnica_ ecuaclones
tinulLiincs haccmos (lltc (: r) scr ia rnisrnil en anbos cicuitos conectnclolos
mente esta solucin. {'o pealclo, corno sc lllLtcstr el lll llgrtrt 1.?_9.
Soladn. Pimeo sc rcprescn_ta lq ccuacin y Lll tensin D -. y1 c( luLljo vlt.i(la llsta i : ir. En estc punto : yr
- recta
de
.
dibujados en la figrra 1.?-2.-Un prorcrliinicnto - , por los res segnentos
directc pcra clegir los
t i.=.ir (: q) rcpres,tt!l I^ solrcir'r. <lc ls ccr.rciores sirnrltneas. )En estc(:caso
r)
scgmentos dc rccta es dividir cl intcrvlo en fiftes igulcs, corno sc inclica. mpe- rcncillo,.. Vr ,. 1 V r: i. i,,.1 rltA (lan l solucin_
zamos
_por.
los segnentos 1 y 2, tenicrdo er cllerta las pcndicntes cn los punios
indicados (en este caso r : 0 y n Si el ellor entr.e la eclacin lineal por lrozos
y la ccuacin no lineal es dcmasiado - 2).grdnde,
se ilade un scgmcnto 3. I-a pcndicnte
del s_egmento 3 cs la misna quc cn : 1. Si el cror siguc sicno <iemasia<lo granclc se
pueclen- aadir dos scgmentos ms en : : t 12 y i : j12, ctc. I_Iay quc
sctalar
qrrc indrr\o c^oD LIcs scgntcrL|Js sc po(lrii rc(lucir cl error innsidcrarcl sirnplenrcntc II

l sc{nl(tllo :l c{,rrlo cI|r'rrlll ,lc llr trrr.r'a ctl

vcz (l(] coro tnficntc 0lln, (Col)lo los L

cl'lculos sc snpljficr utilizundo un{ Lnugc[tc, aqui llo nos dctcnclnos a consi_
(lear el cro rcducido.)
Ahoa ponemos
y: (mA) y :D(v)
llntonccs sc pucde sintctizar cl circuito cocspondietc a y : jcr como sc nlucstra l;jg. 1.7 0 Cone\in prfr ln soluciD dc tas ccuacionca sinulurncas lj _ 1:z e ! ::t.
en la figura 1.7-3.

Itn otro lntodo sc concct l rcsistencia tlc 1 kO cn seic con la e(l _,:xx,
U
ro,l lo quc la corricnte y scr la misma en ambos circuitos. La tensin clc cntratta
es.entoltccs variada hasta quc la tensin (: f) entre los terminaia: dc ctdr cir_
fuilo .set l rnistna,
Ejomplo. 1.7'3. Utiliznr cl rcstlLa(lo clcl cjemplo 1.?-2 para rcsolvc la
ccuacin
diferencial no liDeal
dr (0) : 0
l+t!:l() to:4
Soluct1. Lo Dris')'lo quc en cl cjcnpto 1.2-2, ajust^mos j convcnlcntenrcnto
lra qrlc seo
lnloga.a u, por Lo que se puede utilizai cl circuito de la ngura 1.7_8
norr cl segundo trmino de I ecucin. Esto produce una co!iente, en mA, igual
a r,: (: .rl). El primer trmino se puede representar po un condensador rle 1000
7rIr,
en ct cul t corrcnte cs

, == ':;;
" ,J: (mA): du
:-

"
Asl tcnenos corrieDtcs anlogas a los dos tminos variables de la ccuacin
(lil(roncirl. Ilsto sugiec quc haccnos uso d6 la primea ley de l{irchhoff par
radir ls clos corrietltes a llna luclte de corrient constante de.1 mA, com cn
:r ngur 1.7,10.

43
"ffi
, . ,,|i

l <O *O I-. r-l .F+ .ts+

I *O *o I

+]* +*
1000!Fl u=r
--O *O -
5oo f] |
+a+ a+
l
;' I

I
l.ig. 1.?-10 Circuito para rcsolvct drldt + 12:4.

Si se abre cl interruptor en t : 0, estando el condensado descargado, de modf l

que D(0) : :r(0) : 0, cl osciloscopio conectado en paralelo con cl circuito rege
trorri lc solrr.in D(i ) (1).
El tector observar quc se pucde reprcscntar una condicin inici'l no nul:
Doniendo ulrl carga inici3l en cl condcnsador. Untl /() difercnto requeri a sin
llenrente unr luelrle de corrjentc que tuvicse la misnla lorna de /() { (r'+Co
I
1.8 CAPACIDAD DEL DIODO
I

En csta seccin describimos cicrlos cfcctos que ocurren en los dioclos 'qul;
conclujeron r elementos dc capacidad en el nodelo de circuito para cl diodo:
Los valores dc cstas caprcidadcs dependen dc la magnitud y de la polaridad
de la tcnsin aplicada al diodo, asi como del tipo dc unin formada durante el
proceso de fabricacin. La capacidad real no es lineal, pcro usualmcllte se la cofi {l,)
,i,lar" ,,no primera aproximacin como clemento lineal. fro t r.t cnp".i,tn,l (lcl (liodo, polariz^cin inversa: (a) rcprcscnt.rcin grillcr; () varia-
"n 'r.'t|! l:ti.a Jc la capaci(lrd con la tensirln inversx aplicada.
Polrizacin invcrsa, captcidatl dc trnsicin. Consideremos el diodo dc Irnir
2npolarizadoinvclsamcntcreprcscn|adocnllligura1.8-1a'Ctrand'oeldiodlil,at|iorlclsooricapo]cr4clocsL.infabricados
runciona dc csie modo, los rruccos de ta resin p t los clcctroncs de ,r rcsin:;;;'";':i';1";:'i;lIi'f";;;-;;";.ii"do0"*t,ii"';lo".il""u"lJnili"
se mueven separndose da la unin, formando por tanto una regin.dc -enllolunor cent,nrrcs tle icofaradios si asi s requiere- Una aplicacin del uso de
btrcimientt) en la cual han sido sustraidos Portadores dc carga La lo n git ud eler' bl.r d iorl os c s l d c los circui Los clc modulacin de frecuencia (FM), donde se
tiva Z de la regin de cmpobrccimiento se hace ms ancha cuando la tensirf(s8(t un diodo invcrsamcnte Dolarizado cn Daralelo con un inductor. La fe-
inversa Vr, aumenta puesto que el campo clctrico l-ambin aumenta proporclo[ramcia resonante del circuito sintonizalo resultante se puede cambiar variando
nalmente a V . [l'. fror tanto. si V,, es una scnal vocal, por ejemplo, la lrecuencia resonantc
Como los electrones y los huccos se han separado dc la irrin, la regiotl*| proporcionnl r ia omplitud clc la seai vocal; s deci, la frecue[cia estar
de empobrecimicnto establccida cn cl maleial p sc ha cargado ngativamenhlFd;leda. Sc construycn muchos sistcmas clc FM utilizando este principio.
micntras que la regin de empoblecimiento cstablccida en el material t'na ecuacin que relaciona la capacidad de transicin en patalelo con un
sc ha cargaclo l)ositivanleoLe. La unin con po:larizacin invelsa se comportan'lddo inr.crsrncntc nolarizado y la icnsin del diodo Vn es
pucs, como un condcnsado cuya capacidad valia tericamente o" -"uj t:::1;
strncrrtc pr-orolciorl r lir caidx dc tensin yx, dcsdc N hasta P Real
l- t+z'v^lt
C0
C' : (1 8-1)
rncntc la r:lncirlrcl (i,, cs invcrsantcnl-c plopor'cional a la potcncir L/2 o 1,t. 'l' ii
rlc V"r,, tlepcnclicntlo dc si cl clisposilivo tienc tna unin de alcacin o una unlo!
clc cccimiento. Iin un <liodo cle alta velociciad csla capacidacl cs ms bien pequer'ra Co:r<le C.
- ctprci(ld dcbida a la clipsula clel diodo
usualmcnl.c mcnor quc 5 pF En los dioclos rcctificadotls para alta conienl Co : clpaciOaO ctct rlioo cuanclo y : (]
l)ucdc scr Lan grrndo corno 500 lF. n:ll2 o ll3
44 45
&L
t,rr li1rrr':t griilico dc la capacidad dcl diodo en funcin cle I
l ll-l/r (is tll
cn los clculos 'r $
l,ir r;il.lllrllczil Ito lincal de Cn se desprecia ordinariamente
rrlilizrr Ltrr vrllor constlnLe'
Cuando el diodo cs"
l'oltrizroilt dirccta, capacidad ilc lmaccnmicnto'
,,,rf,,.irr,i" en scntido ciireto, la anchura de la regin de empobrecimiento I.
aumenta con respecto al valor de cap:i
[r;;t;;;; y r"."p""lo"a de transicin
Sin embargo, en la condicii'
inve$amcnte polarizado.
ciclad hallado er un dioclo
mucho nayor' quc c
de polarizacin directa ocune un cfecto de capacidad
;"",i";;;;;;;
'^'" un elemento llamado capacitlntl de almacenamen|.oi.d:^11':'1'
" in ."..lon 1.2 describimos el mecanismo del lluio de coniente como els
,'",ii;;;,;;;""en (\'acanle)
a
dcsde un hueco S'!:ic-ii1',1re el-tlemli
moverse entre
,
dos huecos es
"l* t s (z es el tieml-
o'a"-aOi" q.a tarda un electrn en
-ronli.r"no
Ir"J ambos flujos dc electrones en la banda de conduccin '
es^I',: Q/r' dono
i"-^." de valencia) Entonces el flujo mcdio cle corriente (1
". l"-*tg" media. Sin enbargo, por la ecuacin del
;';
diodo 2-3) tenemos
(r )

Iol L: I"6vott'' (1 &:

f

Sidcftniloslacapacitiacldca]macenanricn|oC.'comoC":rlQ/rlV,hal]ar.:
IiiciinenLc clltc

^ I n't (1.$. " -to

a la corrientc dirccta c
Asi pucs, la capacidad es directamente proPorcional
,L"i o ot"" se, m,,y g.ande. Por cjemplo, si z : 1 ns e J'.: 1 mA' entono -
de conmutacron I
" ]iO'oe. Esta esia capacidad que limita la velocidad
ciicuitos igicos que utilizan dispositivos dc unin'

1.9 DloDos SCHoTTKY 4

(.)
rclLivancntc nltcvo lttilizado cn los circritos intcgradosi
Un componcntc * l-!.1 l)ioilos Schottlt):(d) (lislrib(iirlD (lc potcncial despus de la difusin inicial;(b) dis-
dc unin' lal c.omo plat lf(ln
OioOu S"itotLtll', qttc cst formatlo pol un llrctal- dc pottncirl (lcsfuas (lc rplicr unr tensjn positiva; () distribucin de potencjal
"t
a,r,r ..lli"i,, <tc Lipo n. I')sLos disposilivoi Licncrl rrrt lIlacc amicnto
dc carga t,r{t dc aplicnf un tcnsiD nrgntivl: (d) sttrrbolo dc circLrito.
cn lplicaciotrcs rlc corunutcin clc
ir"ai"f,i" y .,,in .'", ," utilizan rlis
al

vclocidad''.^lIi.]^.Pnlornaralosel.dn!1decntrc]osternlialcs
(ilr nrr.lrl, Irtt ujtrtttltlo l)ltilino, rl0llil colllo lllatctill ccPtor Pa
ctllll:cl<lolllsilicior]rlLi|on'losclectroncsr]cl-silicioscdifn(lcnl#i'-.la.unin1''.e5LllLil,j)

:l:",il.Tl:"J,'$"1,;if':iT:xl'* H:T::iJ:':"'.*
csta tcnsin Positi\'^ inpidc
paI|c'cuan(loesrl)licada"*t",io.i.'.nt".*o|"n,ionpositivaslrficjerrtem"i,lliu"1,^"i'Ji'ili'*'ji;..l:;"_'::.,]l

46 47
 rtrw
rrilLlrln(rrll(r 0,til V). tltl ll{:(lll(lllo lltllll(l)l.o dtr Ilt lcnsin V" por cncima de }"
(rori(:llt(r Illlly ;randc 0uando sc inviete la tensio
r{Jdllcc rlllrr v:rlilt:ilr rltl
irllicarlrr lrl (lio(lo (l(1 t\o(lr) rrrtr trl maLctiltl t sc hac0 positivo con respecto a!
7 plllt.irro (u tllltl.lrriirl /)), Ilt Irltrsir ctl ll crrl rle la unin aumenta (lig 1 9-1c) Cracterstlca dtrect

,,,.,,tt"i,,,,, tlt:l rivtrl indica<lo ctr l ligurit

l Mc y no lly ltjg 9: corriente'
(lulrrtlo so (rslill)lccti ull corLll0to hl)li0o, no hay difusin inicial de electro'
lles llltvs rltl Iir rrrtin, Pllcsto (lll(l ctt los dos Dterialcs la densidad energh t
y
(kr los (to(itforltrs cD llnll)s oill-lls {l(r l Llnjn son las mismas f ,, uI
l,ls illlcrr:sirnLc ol)s0rvl[ (llr(! sc Ioull unil unin matal-silicio n incluso enI
rrn rliorlo n In0sLo ltlc rltrlli: strl ttllitlo urI hilo nctlico al material
n utilizando f
F
(iollll\i(')ll exterior' Para evitar que Simbolo del
irlLlllliDio pari\ cstill)l(rcct llllli con cl 0ircuito dlodo Zener
crlt conixiu clcl tltrtlinio co cl silicio (ic tiPo n se comporte como un diodo'i C.acteristic6 lnversa
Ntes6 l3s escalss
dlferenls d las reglone6
rl silicio cle tipo n cs intrrrl ilioarlo o <rlopado'r dc modo clue tenga un exceso dei dlrecta e lnversa
clcctroncs cn la olra qc (lcbc scl tlnidir al lrlcLal Esta regin de electTones
en ' -2,0
cxceso es lo quc sc lllmll rclii()n nr' l)osltts dc l rlifusin inicial dc electrona'
nccpLor, las regiones n y
0n el metal ltccpLor,
en ! ao(lulelcu mismas caracte sticat i
las Ilrrsruas
ad(luielcu lls 1""'i"""""'
ig. 1.10'1 Sinrbolo rlc circuito dc rliodo Zencr y caractclstica ,i.
qLL0 el Inetal y entouccs cl contacLo sc conviertc cn hmico;
cs decir' acta comol'
Lrnr pcqueria rcsistcncia para tensiones de cualquier polaridad' . . .. , g-!.r rnr:r dc vlocs. El f ncionrnienlo del circuito luedc exDlicarse cualita-
Coano dioclo Schottky fuciona cn el modo directo, la corriente cs dcbide trrc0tc cn funcin dc la caaclcrstica ui clc la figura 1.10-1. Si la tensin de
"t
a los electrctes qo" ," t,ru"u"n desdc el silicio de tipo n a tavs
de la unin rld almcnta, cl diodo ticnde I mantcner una tcnsin constante en bones
y a travs <lel metal. Pucsto que los elgctrones se muevcn relativamentc libre .!a ll carga de modo que la ctrda dc tensin en r aumenla, El incremento esul-
a travs dcl mctal, cl iempo de recombinacin z fvanse ecs (1 8-2) y (1 8-3)]
inle dc ,ri circula a travs dcl diodo, mientras que la coriente de carga per-
es muy pequello, tpicamenie dcl orden de 10 ps, esto es, varios rdenes de mag gltnecc constante.
"menos
nitud quc los que se corresponden utilizando diodos de silicio pn' Por
ejemplo, utilizando (1.8-3), hallamos, con I, - 1 mA que C"
:.0,1 pO
" Ei simoto cle circuito dcl diodo Schotlky es el que aparece en la figura .1 9-1d ^.,i
El diodo tiene una caractedstica ui simiiar a la cle un iiodo odinaio de silicio t
,- que la tensin cliccta de ruptura del diodo es Vo : 0'3 V v"
G .l* t)
, t L,,
tzl+Yz vL
ii
"*""pto I
Fi8. 1.10 2 licgLrla(lor dc lcnsin (lf ,ri,la 7.-".
1 .10 DIODOS ZEN ER
Los diodos Zener, o diodos de avalancha, son diodos semicondLlctores dei Supongamos ahora quc la lensin dc enlrada permanece constante pero que
qulf disntinLr_r'e la resistcncia
unin pn con propicdadcs controladas en la zona dc pola zacin inversa dc cara. Esto requiere un increnento de la coriente
los ]raien muy irtiles en nlln'terosas aplicaciones, especialmente como dlsposltr-. Cc cxrg. Esta coriente extra no pucde venir de Ia fuente de alirnentacin ya
que la caida en lr y, por lo tanto, la couicrte suminislada, no puede cambiar
vo, de elerencia de tensiu La ltgura i.10-1 muestra una caracteristica tipica i
ui
simila a la de los diodos semiconduciores nor'f crie tras cl diodo trabajc dcrlro dc su zona de rcgulacin. La corricntc dc carga
La caracLcrstica diccta cs
nalcs. La caracteristica invcrsa, sin cnlbargo' presanta una regin cn la cuall dicional ser debida, por tanto, a na clisminucin dc la cor.icntc a travs del
la tensin es casi indcpcn(licntc dc la corrientQ tal como sc expuso- cn la sec diocio Zenc.
por.ll ,\nrbns rcciocs dc rcullcirin rlcrcndcn tlcl IulcionamicrLo rlci diodo rhs
ciiin 1.2, I-a tcrtsir Zcllt rlc curlqtricl tliodo espccilico csti'I corholcda-valores
cantidacl tlc clopado aplicacla en el proceso de fabricacin Los usualel: ll dei codo de la curva, clonde su tensin pcrmanece prcticamenlc consran[c,
varin cntrc 2 y 200 V, con caPacidacs rle tlisipacin dc energa dc bsta 100
\\'' I el mrgen dc rcgulaciirn di:pcndc.ii dcl valor dc , cn cstc circuito. (Las calc-
I]II la mayoria do las uplicucio[cs los tliotlos Zotror trirbljaD cn l^ rc{{il dl; lcristicas d(i l.Lir rl)ont Llr rir sr:riirr cxrlica<las ell Ia scccin 1.11.)
polarizacin in.r"..a. Una aplicacitn tpica es el sencillo- cgulador.de tensin dti
(rst( bictt pt'oylrtntlo, ln l'cnsin cn lt cflrgl: fj.mplo 1,10-1, IJn(lio(loZc|cf (lc ?,2 V s(] tillzil ('Jl ct cir{jlilo (lolt fl.{lll.l l,l0-2,
in flgrrlt 1.10-2. (ltrtntlo rrsttr 0il'0llil0 y Ir (orlcntc (lo cltgll l)Ltcrtc Yllriitr 0nlrc 12 y 100 DlA. llullaf cl valor (10 r Ilccc-
V, pc.-anec" consLantc c ignal a la lensin nominal Zcncr, incluso aunqut rrio lara maDtencr csta corricntc (lc {iarga si la tcnsir dc la ftlcnLc (le tllincnLrcin
la tensin dc cntrada V(rc y la rcsistcncia tlc carga I?r, varicn denfo de una
m'
.t l,r. .- 12 V.
:
4R1 4q
 12,5 I1,5

Ya"- Y,
", IZ+IL
La Lensin cn los tcrminales de , dcbe pernanecer en el valor 12 7,2 : 4,g l
lo llrrgode todo el margcn de rcgulcin. La corriente mfnjma en -el diodo Zed Hiprbo s
ocurljrli cuarldo la coricntc de carga sea m\ima, dc nrodo que de potecta
mxima Pr - 1W
Vc V
1,,-r +- 1r,*. :i1 Vc
-
+ oJ[,,*.
V
:;i:43.5 o

. Cuando la conicnte de carga disminuyA teniendo ri el valor fijo calculado ante! ;

1e coriontc en el diodo Zcncr aurnettar, perlnaneciendo la suma de las dos corrjcr.i
lcs con\lintc c igucl .r 110 InA.
Ntese que si la csistellcia de carga qucda acci(lentrltnente en cicuito bierl I
(lc rrlodo quc JL :0 c Iz =. 110 nlA, cl (lio(lo Zcncr (lcbc scr calz (Ic
di\ipr., i ir- - 12 mA
P, : (7,2) (1i0 x 10-) ^,
0,s w
pra cvita su dcstruccin debida a cxccsivc disil)acin cle potencia. 300
Escojamos un diodo Zener de 1 W que tienc unLtcnsin de ?,2 \ cando cicul
por l 10 nA, \' un rcsislcncin dinrinlicl r rlc 2 C). Clrlctrlnrc.riros ls \llri .ioltrr
(lc tcnslu dc sltlld{ lll)lictr(ltt il l! cll.gil lrlilizlD(lo lt)to(los grliflc0s :L 1.lo ii (;lrirctcfistirl (Lf 1liorl,, Z(rrrr J, rcctus (tc c rgu l, f cl elc rl)lo t.l0-1.
La carxctcristicx u {lc 0stc (liodo sc rucsLrr\ cn l flgur i.10-3. 'I.rnlbin v.
\' lr cur\n (lc nolcncin Ilt.i\iDt:t.
r': trnsi Zencr 0s lo (luc sc llalua tlc prLLcba I"r. 'lipica'
1 1t2 _D".df 'rorlintlpolcncjir lloninal dcl diodo colcnlcYcces
i.:tr j l]tli\intt
p": : Vz lzo:1\\ cs cuatro ntayor rluc la disi-
-I )| -Tl2 ra,n (ie I)otcnci. cn la Lcnsirin Zcner, cs decir,
Esl cs li .cua, in rl ln hiprbola rcprc\cnti,l.r .obre I. c.rrartcrislici ,,.
Lrr opcrcin m.is il_dc cstir hipct.bola (lar pot.resultado la djsipacin de potcnch. l',, : ll (1.10-3)
,l.l dl0do en e\ccso do sr nrximo vlo ornirr.,l ,1. I \\'. ",,' ',Y "
Las ecuaciores de la recta dc caga (le corrierrtc continlla puc(lcn rltro l)rlinlcLro (lc irlcrs pr trosot.os es Ia corricntc cr cl codo ci0 Ia caac-
(libuindo {lc tucvo ln ligurN 1.10-2 1rl (or o s(i in(lic,r cn tll ligrrra 1.10_.1. Ahallars(
partir :rnsti.ir Zfro. l:,sl^ nttit'rl( rlt: Lorlo I^ r(rsulLa proxinr(lirlfnL(: (lonsLulltc
(lcl (:ircuilo c|l cu(]stin sc 1)uc(fc llllllr lN ccLr (i(ir (lc lr f(rjt (lo cIf,ta
lr ra (lisil)il(iiu nlixiltit r'sl)(i(iilicil(lir y cs irrdorcntlicnlo (lc ll ,itrlsi(i!t i.l0llcr
: t.-ll{cficadu. I.ln cl il)u(licc (l ltilv uua lista de csrccilicacioncs dt: diotlo Zcnqr.
-.t3,5(I. i
oz t2 iz) (1.10-1r
I)t el clioclo Zenel neccsario cn el ejemplo 1.10-1 que hcnlos caracLcriztdo
(1t orro (lisl)ositivo 7,2 \, 1 \\, la ligur.a C.1-1 indica que 1",,: 1/4 rn, por (1.10-3),
rz rz. t3.5; r J ]r;" a
1,_. ]: ||'\ (1.10-2,
,ur' /,r' : li5 rn.\. Olsr'r'csc rrrc ll minima coricntc prcvisiblc cn cl diodo
L /,rj) /r rrrr I A
.r ll) u,\, (lrr(: os rrrrrcho nitvr)r (lu(! //(, ), tmbiin rrrc /rr. cstli colrrrri:)Ilrlirlir
. Lrs do.s rc(:^las (lc cut.glr dij (1.10-2) sc ltitn Iepresontldo cn l ngur! 1.10_3. rntrc los vxlolcs rIliixinro r']ltinirrlo (lc la corl.icntc provisiblc..si prlcs, nucstl.a
paLi dcl grfico es cvidente quc l tensin inveis clel diodo rz, y por lo tanto
^l tcnsin cn llr crglr ,r, \'itrfrn (lc 7,2 \r(ui (lo /,,. 100 lDr\ i,31 \'culrrl, dticitin rlol diorlo cs l'zonlltlc.
,l - 12 r.\. NLosc qlc si cl diodo Zcrer no cstll!ic]. Dl.csentc. la te|lsin cll l
carga Yariari{ (nanteniendo r : 43,5 Q) dc ?,6i V cuaro 1, .= 100 mA a 11,5 \
cun(lo 1.:12 r,{. I-uof.{o \'cr)tos (luc cl (lio(lo ZcIor l.cf{Ulir lr tcnsi(in scl{(iu l05
,.Ill,l,'s 1. l:r .,,rfir.Dtr rtr' r'rr|g:r. Iillu sLr{.,,,t,. t., irrp,.,rr,,.i:r c.
{l l) compard cull l rcsistcncia de carga ll,I,,,r,1u,. > ?,2 \/100 mA : ?2 f).I,r,t-
,,irr

Los labrictntcs csllccilicln los diodos Zcncr'<ic acuor.clo con su Lcnsin Zenc
y la mxima disipcin dc potencia. La corrientc bsorhicla por cl dioclo con I:ig. l.1r) I Ill (it1.ito rlf lN fiJ.{rfr l.l1) Llil,rjx(lo (lc rUc\o I)urir ri|lr\i)f ct

50 5l
Ejomplo 1.10-2. Roduccin ds la ondulacn con el regulador Zener. El diodo
Zcncl dc ?,2 V sr] rtiliza crl rln circuito similr al dc l: figua 1.10-2, con una tcnsi
(lc r)lrdLrLl(:ii1n (lc (nricrrtc altcrn aadida a 1a tensin continua sin regular. Tal
r0'r)o [lo r:st|l)lccj(b rltcaio ncntc, cstas tcusioncs son tfpicas de la salida de un
IU{:Dtc {l) alinrcDlacin (lc col'ricnte continua. La carga absobe una corriente dr
I(X) iDA. l,1r sli(l dc lr fuente dc alime'rtacin sin regular prede representarsa Zoa de t6bajo
rr)n lll (:currcin !2+32i2 - 12-3,2-L
rr:12+1cos rr (1.104) d enkada de 2V
cresta a cresta 1A
llllr 11| resistcl'rcia i dc la luentc de alimcntacin para un fllncionamiento
xd(cado y cl valor de crcsta de la tensin de ondulacin prescnte en bornes d! 100

lir carg. H prbo de Potencia

maxirna Pm- 1W
,Solucjn. Lar ccuxcin dc la recta dc caga dc cste problema se obtiene lcilrentr
si (libujamos (lc nrlcvo la figura 1.10-2 tal como sc indica cn I figrra 1.10-5, Asi
nz .= 12 | 1 cos l - (0,1 + z)

:12
-0,1{ +
z -1- rt iz 1 cos (i,l (1.10,51

+ Flecta de carga
uz +32i z - t2-3,2 +l
z

|ig. 1.1u-; ltcgulr(lof Zerrrf prrr rl cjrmplo 1.10-2.

Fig. 1.10 0 Caactcrlslica Zenc y rectas dc carga para cl cjcnplo 1.10-2,

El
problema pedc rcsolversc analticamcnte o grflcamente utilizando l
caracterlstica linedl ctel dioclo de la ligura 1.10-3. Utilizaremos el mtodo grllco La ondulacin de la salida sc pue(le calcular ms lcilmente suponiendo que
porque da una visin nls clara del problema. La caacteistica de la ngura 1.10-3 r (lcrlto es lineal paa una tensin de ondulacin de entrada de 2 V. (La validez
sc ha vuelto a traza cn lA flgura 1.10-6, dc cate supuesto est linitada por el camido de ondulacln en funclonqmlento
La gama de los posibles valores de la esistencia de Ia luentc de alimentacin lr4lcado cn la figua 1.10-6.) Esto nos permite utilizar eI pincipio de supelposlcin
ser elevada debiclo a las corrientes nximo y mfnima admitidas en el diodo Zene. f \'on5iderar la porcin de c.a. de l respuesta separadamente. El cicuito de c.a. est
Luego si iz, : 10 mA (quc es cl 10 % dc Ia corricnte mxima), entonces Dz,orn = Idlcado cn la ngura 1.10-7. Hn cl circuito, d:2 O eplesenta la resistercia din-
:7,2\ypor(1.10'5)
",in
-1 rllci del diodo, rnientas que la carga est epreserii.i..l- i^r el esia',or .i.7-u..
l{;,2 \')^100 mA)1. Evidentemente podemos despreciar la resistencia de caga, po

' .(tulit;*r),.": ffi:,n,, n (1.10-6) lo que utilizando la frmula dcl di\isor dc tensin podemos hallar la ondulacin
dr sllda
2
,ondulacin
= (2) : 0,118 V cresta a cresta
2 + 32

iz,
"'*
: 135 nA uz,x x'7,4 \l Esto concucrda con cl valor hlldo ntcrioncntc.
el resistor i de la luente ser .,=l:A

t, > (12-7,4 - cos @t) , 5.0 zq O (1.10J)

\ 0, r 0,135 0,235 ^
Escojamos hoa arbitarlamcrltc :32 O. I-a ccuacjn dc la reotq dc carg
(1.10-5) puedc trazarse en la ngura 1.10-6, y puede dcteminarse ln tensln dc ondu.
locln dc sll(l[. Como sc vo cn l& llgura, ls tcnsln dc crcstn dc ondulocin apllcldl
r la carga es cle 7,33 7,22 : 0,11 V comparada con los 2 V de tensln de ondu. nf. l.l0-? Clrculio
-
lacin dc cresta de entaala. &c.. para el clculo
& l ondulactn.

52 53
 ':=

1.11 EFECTOS DE LA TEMPERATURA rria clc modo importaute con la L0nsi(in del (liodo. Si cmbargo, una p^ctica
normai en ingenict es suponc qllc,k cs constntc. Irs valorcs odinariancntc
l) cl rroy0r:l.o (lc los cil0uitos dc diodo, cspccialmcntc para niveles altos nsunidos son las aprc,ximacioncs hallrdas por la ligura 1.ll-1, con las tcnsioncs
rlc toteuoia, sc rkrbe Lcnu cr cucrrLa Ia dcpentlcncia da las caracteristicas del diodo uo(To):0,7 V paa d silicio, 0,3 V prra cl diodo Schottl(y
tipicas de diodo,
(x)) rcsl]cclo it l t0rlrpcralura. Estl depende cia da lugar a una variacin de
\'0,2 V paa el germanio. Sor
la tclsin tlirccla V,, la l-cnsin Zctcr \'"y la corticnlc inversa de saturacin 10.
l)or ol-a Partc, uD aulrlc l-o irrportante dc la tenperatura suele ir acompaado
[ 2,5 nV/"c gcrnlanio
dc un aurncnto dc la disipacirin de Potcncia, lo cuc hace que la temperaiura del /tlv { 2 mV/'C silicio (1,1 1-2)
diodo aumcntc lirn nis. listo cs lo quc sc llama emalamenIo trmco y, a no [ 1,5 nV/'C Scholtl<y
scr quc pucdc scr clisipdo cl calol dcsarollado dentro del diodo, conducir al
dclsrioro o dcstruccin dcl diodo. En csla seccin se describen alguno de ios Por ejemplo, si un diodo dc silicio ticnc una cada dc letsin cle 0,? V a
elecLos mhs iIIpottnl"cs dc la tcurPcrttura. ?.i'C con una cor'iette de diodo dc 1 mA y la temperatu del diodo sc aumenta
hlsta 125 "C, entonces si la coriente del diodo sc manticne en 1 rnA, (1.11-l)
Tonsin dcl diodo. Curlo Iunciona un diodo en sentido directo, un aumento indica que la tensin del diodo disminuir hasta 0,b V. Si la tempcratura ha
de la tcmperatrua origina utra disminucin dc la tensin. Una relacin que cs Crslninuido hasta la Lcnsin dcl diodo habr'r aumenlado hasta 0,9 V
vlida cuando sc mantiene consLanLc h corricntc cs ccn I rnA. -75'C,
oo(7',) oo('1') :- k('t't-'t'.) i,' : conslanLo (1.11-l) Corricntc iriyorsil d0 stur:Icirr. I-il coricntc invorsa cle sturacin 1" taln-
- biin es funcin de la tcmpclatua. En la prctica sc encucntra que a una tem_
donde ?o : temperatura ambiente 25'C perxtura prxima a la del ambicnte, sc duplica 1, aproximadamcnte con un
?1 : nueva tempcrattlra dcl diodo, "C aumento clc la lenperatura dc 10'C (anlogancntc 1,, sc rcduci a la mitad
,(?'o) : tcnsirl dcl diodo a tempcraluri anrbierlc, V con una rlisnrinuciri de la tctrIcratula de 10 "C).
,r(?1) : tensin del diodo en ?r, V
l : coeficicnte clc tempelatura, V/'C Trnsin Zcncr. Lt va.jacitin dc la tcnsin Zcner y, a colsccucrrril clc rn
cutbio rlc la lcnrl)craLllra lcsulla plopolcional al valol de la tcnsin Zcncr rsi
La figura 1.11-1 cs utr gr1iico dc /'' en funcin de la tensin dirccta del diodo (oro a lr variacin dc la temperrLura. Esta variacin sc suclc cxproslr corno
x tcmperatura ambicntc. Estc grlico intiica que el coclicienle de temperatura <tcfitctttc rlc tcntpetaluru (TC), donde

l. mV/"C
'r, : oYtr'" x 1oo %rc (l. r 1-3)

S: ha hailado quc cuando V, es aproximadamente 6 V, el'IC cs ccro y V, es

indepcn{licntc d0 la lcmpcr:itur. Si V, excedc dc 6 V, aproxinadalncn Lc, cl
TC cs positilo, y si Vr cs mcrror (lue 0 V, cl TC cs ncgativo. Ur TC tipico r0,1 l",
rs dccir, la tqnsil Zenc aumenta 0,001 V, por cada aumento dc-i.C dc tcn-
prratura.

Electo dc l disbacin dol calor sobro cl funcionamicnto dcl diodo. En csta

s.ccin consiLlerarctnos cl rr-oblcnra pr'lctico dc hllar la mxima disipacin (lc
calor pcrmisible cn un cliodo dc unin pn. I,a disipacin de la potencia elctrica
cc'mo calol en el diodo hace que la temperatura de la unin aumentc. Estc auncnto
. ile temperatura se debe rantener deniro de limites aceptables, o de lo contario
tidiodo se deteiorar. El problena trmico se trata de una rnanera fcil por
una simple analoga trnica de la ley dc Ohm, en que la corriente cs sLlstitui.lo
uD (ro ), V prr la potencia, la tensin por la tempeatra y la rcsistencia elctrica por la
0 0,1 0,2 0,.1 0,zl 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 l rsistencia tmica 0.
l:ig. 1.11-1 Corlicicntes (lc l{lrrl)(rrtur dc los diotlos.rL ftrrrci(h (lc 1 tcrlsill dcl diodo r La figura 1.11-2 muestra un diodo montado sobre un radiador dc calo. Iill
lx lon\rerlrtur.r ar1riLIk,. diodo est aislado elctricanenLe (no trmicamente) dcl racli(lor gr (lo (lc

54
55
 Tcmpcmtur onrblcnrc To El calor es transmtrido Tempertura do t capsuta
do la union a la cpsula
emperarura de a un 7./

Terperatlrra de la cpsula .

TerpertLr arb,enre I"

r, (J
ti{ l.l :} Dio(lo y rr).rloji flcLrifl (lft sisr!Ira tr.nrico: (() {tiodo sju ro rurx; () natogja

I;ie. 1Il-2 Dro,lo Ino lrdo soirr" rr,trx'lor dc citrr. lil circuito do la figura 1.11-31) .cpcscnta una analogia clctrica del sistema
l.rnico de la figura 1.11-3a, con las siguientes anlogias clcrivadas dc (1,11_4) y
t l.l l-5):
calor. El funcionamiento dcl sistema cs como sigue. Cuando no hay conexin
clctrica cn el diodo, la tenpcratura dc la unin I scr la misma que la tenr_ [)irminLcin dc terrpcrllua Caida de Lensin
pcratura ambientc ?o. Cuando sc aplica una seiial se disipar potencia cn cl diodo, )iip:rcidx dc fotcnci PJ Generaclor de coienLe constante
hacicndo que armente la tcmperatura dc la unir. El calor producido fluye hacia llesistencia trnica 0t,l 0,. Resistcncia elctrica
lucra hasta la cpsula y lucgo cs transportado por.conduccin desde la cpsula dei
cliodo hasta cl radiador de calor. Este ticne un rer superficial grande, desde lin ia figura 1.11-3 y en las ccuaciones (1.11_a) y (1.11-b) se ve que
la cual iadia cl calor llasta el circunambientc.
Si Ia poLcncia disipada cn la unin es constante y no excede de la capacidad T,:P10+PtA,.+7; (1.11-6)
de potencia del diodo, despus de transcurrido un ticmpo suhciente, el sistema
alcanzar un estado de eqilibio trmico. En gcncral, cada uno de los elementos liste rcsLrltado se puedc extcnder inmcdiatamcn[e al sistcna dc conduccir
estar a una tcmperatura diferentc. Una buena aproximacin es considerar que de clor dc la llgura 1.11-2
el amento de la temperatua sei proporcional a la potcncia disipada en la r.rnin,
La constante de proporcionalidad es lo que se llama sslnca tmca 0, 1't : P,(.0r + A", + A) +.1'" (1.1 1-7)
Un aumento de la temperatura de la unin por encima dc la temperatura
de la cpsula cst relacionado con la potcncia disipada por la ecuacin Aqui las resistencias trmicas no definidas antes son

7',1-7,:0hP1 (1.11-4)
0.,: rsistercia trmica cpsula-radiador de calor (inclLryendo el aislaclor)

0- : resistenci Lrmica radiador de calr,,..,,rL1-te

donde 7i 7" :armento du la temperatura dc la unin por encima de la tem-
- peratura de la cpsula, "C l)ir un problema prictico de discio cl uso de esta ecuacin sc basa cn las
P/ = potencia clctrica disipada cn la unin, W riguicntes condiciones:
0r" : resistcncia trmica entre la unin y la cpsrrla, .C/W.
l. L nixima Lcrnpcr.atura pcrlisiblc de la uiin la cla cl fabricantc. Los
La csislencia lrmica cs funcin dc la construccin dcl diodo y dc la cp- valores tipicos son aproxirnadamenle l_Q[lpara diodos de gcrnranio y 1bO
srrla y ordinariamente csti cspccilicada por cl fabricante. a 2C0'C para diodos dc silicio.
Corsiclcrcnos un {iio(lo tojdo cn una ciipsula sin tnonLura alguna, cotno mucs- ?. I-a tcnrpcratunr anrbienLc cs una vrrirblc no colL.ola(lt ruc tlcporrric tlcl
Lra la ligrrll 1. t 1-3. Las lcnrpcrLuras dc la clipsula y dcl ambicnte difieren en una anrblente en que dcba funcionar.cl equipo.
0n'.irl(i igul l lroduclo dc P./ y la csisLoncia lrnica cntre la cpsula y el am- 3. La potencia disipada etn )a rrnirin rlepcndc rlel sistema elcirico y para cot.r.icn_
l)icutc f1,.,,. l)llcs, cl llt])crrto (lc l LcDip0rLurit dc lt <:iirsrrla ror cncima clc la tes y lension,rs vr.iltllcs con:l Liernpo vienc dada
l)or
lcniprill.llrn^sDrl)icrrtc vicnc dndo por
1 l'I
't.-7":0",Pr (1.ii,5)
: dt
', i' )oI)DQ)D(t)
56
 l)ur irlrl(riotrllrni0nto en c.c. es siInplcmentc

L l)nl \'02 clcgido un tliodo particular que satisfaga las especificaciones elc-
ticas, sc cleie lljar su resistencia trmica 0r" Esta la dar odinariarnente el
Iabricantc
que la resis- '.n- 6mperatura de
Obsetrardo cstos hechos y teniendo cn cucnta (1 11-6), vemos
la

tcncia tnnica cpsula-ambiente cs la tnica variable de quc se dispone para dl cuat empteza ta reduccln

ajuste a fin de mantener la temperatura de la unin en un valor de seguridad' |j8. 1.11-4 Crrv.r dc (lcgf.idacin (hl (tio(lo.

La resolucin dc (1.11-6) da
.r i-'tilizando (1,11-4) vcmos quc la tasa de disminucin dc potencia cuando
-r'mtrx-'l a
0.11-8) vxcntala tcmpeatura de la cpsula cs_Qg, En la figura 1.11_4 observamos que
,..::ndo P,:0, ?'.: ?',,,,,"*. Rcfirindors a (1.11_1) y
sustituyendo ?, por
Ir. r! tencmos
Esta expresin se utiliza para determina la mxima 0"o' cuando son cono- T. :
cios toos los factoes del iegundo miembro La ecuacin
(1 11-7) se puede l'r, - 0r,P1 (1.11-e)
ntilizur, natu.ulm"nte, para determinar cualtuiera de las variablcs implicadas
1." .:uo:lol (l.l1-9) repescnta la pendicnte cle la porcin de la curva de degra_
Ejsplo 1.11-1, En ur1 circuito prrticul[ tlD diodo Zcner dc silicio de 50 \v dcb! drtLin. llelirinilonos nucvamcnLc a la frgura 1.1i_4 vcmos que cuando
N. La mxima tcmpe;aturl permisiblc-de la unln es 175'C' la tem'
i.iou. rO
p"lit".. cs i0 c y 2'4;c/w Hallar la mxima resistcncia tr- T, : 7",, Pt: &, _._.
"t"l'*"
rnic{r que debc ser pro\rslir '/"-:
untrc 1r cpstlla 'v
cl am}iente para que la tcmpcratura
e 1a irnin no e{cedl (lc 175'C. ).rttuvL'0do cn (1.11-9) y despejando 07", tenemos
Soucidn. De 11 11-8)
'f ,t-

o-.. 1i'5 50 , : .c/N ''p (l.l -10)

-
10
2,4 10,1 r

I-x resistencia trnica crtre la cpsula y

Un radiaclo de calor tDico con ^islacLor de )nica prtl estcsetipo dc diodo tienl
cmplca estc radia' jr.tli.xmrnte utilizando (1.11-5) y Ia curva de degraclacin
cl ambierltc 0.. sc pucclc .lete.nrinar
i.,': Az;Cnv, que ser atlecuatlo para csta aplicacin Si de la ligura l.ll_4,
'" "'*r"i, l icmperatura real cl l unin se puedc calcular
por (1 11-6) i'r:r,, s. e\pllca en ei siguientc cjemplo.
7't - (10)(2,4 + 3,2) -i : 100'C t.hplo 1.11-2. t,:n (iioLlo Zcncr (lc lJ \v (curv de degrdacin (ic 1^ figura Lll_r-))
')0
':.Lr.,li.iIir :t.j-, \\' cn un cjrcuitu particular. I_a temfcraturr anrbicn cs 100 "C.
Curvas de dcgradacin. La potencia nominal dc un diodo
se cspecifica usual' r,.r rr:||:rr r. pr qtc ct diodo no se
.ailicioncs. (c) Si se dispusiea de un Ladiador_sobaecaliente. ()) Ha r ?" paa cstas
mente para una temperatura ambiente dc :5 "C Lj lnxima ,potencia que-ll de calor'i;Iinito, _-.nta Doicrr.i
tti It ia l:l.r 'lr..il,11r c\'. ,lio,lo
Jioo ,i,'.,
pit6lcia nominal debc ser disminuida cuando la temPeata ambrente aumenla'
con cl lin tle mantenct la tempcratura de Ia unin en un linite de seguridad .t(.'ro\ ll,l CorneDzr)ros
):,-',.lll lrrlrrtos rcnrcscntanclo (1,11-5) sobc la cLr.va (te (tegradacin.
conocidos ct (1.11-5) son T": I'd:100.C cuan(lo 1] : 0 y cl
orclinaiamentccllabricanteSuministlalasculvasdedegladacinquesepue. i,rlo_ forntido por Pr : 3,5 \\' \obe la curva de degradcin. Rcfirindo'os a
rl l1-51, \'emos que cuando ?" : 0
clen utiliza para determinar la nxima disipacin de potencia admisible
pam

una temperatura de cPsula dada ,,

En ia figLtla 111-4 est dibujada una curva tipica
cl 'lc
pucde disipar sl
degradacin Se \e
' -7.
a."
q,.,a aon unn' tcmperatura tlc la cpsula menor que ?'."' d-iodo
p otcn cia' pclm isible Con tempcraluras de la cpsula-quc exceden de T* .\jl I)or l figura 1.11-5 tcrcmos _ Tdlj* - '*71, y por rnto
iLi.rimr
lanlixiniarlisipacinpclrnisiblcrcsultadisminuidahasla?":7',,'""'Aestt h
Lcnlcratura ,r,iillinta cl (liodo no pueclc tiisipar una poLencia que
exceda de 100
tt"' = tt :9'C/\
nxinlrl L(:lrll)orxhlril P(rlrltisiblc de l Llnin
59
58
 cc. fi.r r-5), d., = 0

cc ll.lt5)
6,2
r-8- 1.12-1 Curv.r dc dcgr1dncin o rcduccin (lc la (:ofrifr(( Jr)Irir) t plrfn ur) (ljo(lo (rc
rliclo 1N566.

7,.'c Carcttistica l. T, l.ensi(irr irtvqrsa dc crcsta (PIV) cs la Lcnsin nclrtiv

r, = 100, 4,d rixima admisiblc quc pucdc tltlicarsc ll diodo anlcs dc la ruptura. Esta tcn_
rin cs, pucs, algo menor quc Ia Lcnsin Zcncr, pcro cn la prctica no haccmos
4=l3o rrfeencia a la tensin Zene dc un diodo rluc cst dcstinado a sc utilizado como
r(tificador.
C8rscterfsiico 2. La coricntr: invcrsa mhxima de satuacin 1, cs 1,5 7zA.
.\sl, cuando el diodo se utilicc en un circuito rcctificador, Ia corriente negativa
mxma a travs de l scr <tc 1,5 A.
C8rcterfstic 3. Si cl diodo cs atravcsado por una coniente continua de
500 m.\, la cada dc tcnsin mixira i:n Jl scfti de 1,2 V.

l.i!. 1.11 ; '1c|liclt g|lilica par{ hllar0.d. I]slrin cpcscntados dos valores de 0,", Las caacteristicas 4 a 6 pucdcn e\plicase por mcdio de las figuras 1.12-3
1.12-1.
(b) La intcrseccin de (1.11-5) y la cva dc degradacin en la potencia de
Iuncionamiento dc 3, W cla la rnxima tcrnpcratura dc la cpsula permisible fara Caractcrlstice 4. Cuando la tcnsi(in cle cntada |, cn la figura 1.12-3 cs sc-
cliLar cl sobrecalcntamicnto. Por la ngura 1.11-5, ?" t 130.C. noidal, la coientc rnedia cn scntido directo rcctificada er media onda cs
(c) Si : 100'C y 0* : 0 (un radiador infinito), (1.11-5) se puede dibujar
". una r'ecta vertical, como mestra la figua 1.11-5. La interseccin
como si luesc
clc csta ecla con lA curva dc degradacin da la mxima disipacjn de lotencia ''n -
permisible. Po la ligura, sta cs P/ ! 6,2 W. "R
Caracterlsticas 5 y 0. La figura 1.12-1 indica que si la temperatura ambiente
?5 menor de 60 "C,
1.12 CARACTERISTICAS DE LOS FABRICANTES
: rrz
1.'12-1 EL DIODO R ECTIFICADO R
r", a 1,5
Las caractelsticas del dioclo que normalmcntc suninistran los labricantcs
son las siguientes (vansc figs. 1.12-1 a 1.12-3):
500 mA
'fipo: Diodo dc silicio 1N566 (los valorcs scr.hn para 25.C)
L lcnsiil il\'rsa d,.rn.tr (PIV) -. t00 V
2. I'Ilxima coriento invcrsa 1" (para la PIV) : 1,5 rA
ll. lfixinie lcnsir1 dircct dc c.c. : 1,2 V pa 500 mA
.1. (lor'ricntc dirccta mcdia cctificada cn media onda, 1Fn : 1,5 A
5. 'lirnpcrnl-ura rn'rxima .lc ll unin ?j, ,,r. : 175 'C Io - - l'5A
{j. (lurva dc (lqgfdlcin o del facto .lc lcduccin (lc la coiente nomllxl
r: i lll liou 1.12-1

l,s caracLcrsLicas I a 3 sc cxplicn fcilmcntc considerando la llgura 1.12-2. I iJ. 1.12-l (idract(ri5ticl\ (lif(ct{ c in!usa ,hl {lio(lo.

60 61
su[ ]

5% Regln do toleracla
".'l) | -v"J

Ir-5
I ig. r.12'3 ltcctificador diodo de mcdia onda.

Para tempeaturas mayores de 60 "C, csta corrientc mxima debe reducise

linealmente hasta que la temperatura ambiente sea la misma que la mxima
dc la unin de 175'C, en cuyo punto 1 :0.
Cuando se proyectan circuitos con diodos, un bucn rLtodo es utiliza un
factor de segu dad del 10 al 20 % en todos los valoes nominales dados, para I ,r' 76
tener en cuenta la dispersin de las caracteristicas de los diodos individuales. - | lR
'r

1.12.2 EL DIODO ZEN ER l:ig. Ll2.l (;.1rclcrjslirtl j"v(r\ | t,:,r.r ,I ,lr.,lu l"iLrf 1N2stC.

'filo: DjoLlo Z(nur dc I8 V. lN28l0

1. Tensin nominal de refcrencia Vz :18 V
2. Tolcrancia :5 %
3. Disipacin mxima (a 25 "C) : 50 W
4. Corricnte dc prueba 1,r :700 mA
5. Impedancia dinmica para Izr, Rz :2 A
0. Corrientc dc codo 1zk :5 mA
7. Impcdnucin <lirtrinricrt nlu /z/,, Iilt -= 80 o
8. Tcmpcratula m'txima dc la unin : 150 "C
9. Coeficiente de tempcratura TC :0,075 %/'C

Las caracteristicas se explican fcilrnente utilizando las figuras 1-12-4 a 1.12-0.

La ligura 1.12-4 ilust}a los apal l,ados 1, 2 y 4. Nl"csc quc un diodo Zcrtct' dc 18 Y Fig. 1.12'5 Curva dc d0gradacin par ct djodo Zrnrr 1N2Bl{j.
plledc tencr una tcnsin (noninal') comprcndida crte 17,1 y 18,9 V debido a Ja
tolcrancia tlcl 5 1". La corricnl.c dc prucbl indica la rcgin dc l.abajo nominal,
Dl apartado 3, disipacin mxima, da la potcncia mxira admisiblc quc el diodo
tucde disipar a tcmperatura ambiente. La impedancia dinmica, apartado 5.
cs h Derdiento dq lx caractcristica dcl diodo polarizado cn sentido inverso mcdid
r;rlr lrr t:or'r'ir:rrIr: rlc r'rrr:lrrr //... Lr t l l
( rI
I
|
) r rrr'rxirrrr rlt: lrr rrrririrt y lrr rlist-
r : r
' i r r' r

rrrcirr rrrrixiru cstr'rn \rlirciol|rrrlrrs rot llr cLrLvu <lo rkrgIrrrlitcirirr o fc(luc0itt (lu ]l
lrolcncia visla en lr frgura 1.,72-5. Ak es la esistcncia lrmica (! 2,4"C/W pam
cstc diodo), r gcnclmcntc vicro dada por cl labricantc. La tcmpcralura ?., cs
Iu tcmpcratura nxima de la cpsula pala la cual puede disiparse la plcna
Iol cncin lotlirrrl.
l,ll coclicicrrlc (lo tolrrl)Lrr'irlLrrir cortcsl)orl(licLo Lrl :rl)irfLx(lo 1) csLil clclilti(10
cn (1.11-3) como

LV zlv zr
.,
1Lt"/:__ %l'c
^? Iri8. 1.12'0 Crr clcrlsticr (le ilio(lo Zctlcr itustrando cl (octicic rc de tcurtrcl1rtullr.
62
 Ijr ll sclciril Lll lrcllrs so.Llclo qu0 cl .IC cs positivo
cuantlo V, excede ,1-3. Irar rl circuito dr ln llgur;r l)1.1-ila k) trazrr r(i) si Ilb : 100 kO, r:1i _
'], ,].,U.:",:ll':ij',,,,u,rrnrr y n,,ljrrivo si-V,' cs meno'r ,lr" 6 V.';;;; este diodo 1 kO
r, r v, )u w, ur ruurcntu do Lcmperatura dc 50 originar ' :, (omo murstrr la flgIrn 1,1.1,:11,.
() Itcpctir l partc (a) si r)(t) .s scnoidnt, tri^nAuln. (1 V crcsto).
(lc l Lo)sin ZcD0r dc "C una vaiacin

LV"
v",
: (0,075 %l"c) (50 "c) : 3,75 %

Ayz : (0,0375X18) :0,67 v V", x 18,7 \

cuando la temperatura aumente 50 "C.

REFERENCIAS
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3. Motoola Inc., Ensineeing srarf, ;rntetect i" yok,
Witev. New rr;;;"'i,i''
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19ii5.
i.;;;i;,,;;;'i.*;:H]., New ..ork, l, nLrr Pl.l-4. S,n 1.C - 10,,.., ) //: tuul z ,.
(o) rlllar r.ll). Comtar.rt co cl rcs ltado obrcnido utitjzando cl nltro nC,
' " rnoiitll'L"J;,,:1i;"i'*J"i:;:*i11t;:"' cicuit EnsineerirgT, pp. 24,
() Calclar la tcnsin clcaz dc oIl(lutncln.
(c) Calculr. la reLrcl rnlf0 ln tfnsin rftcz tc on(tulcin y lll tcnsi(rn rtc c.c.

PROBLEMAS -
1.1-1. Para el circuito de la liAura p1.1

i;iiru,iljru;l"iirir1"$r;r"".J, ]itr{tT,'".,'^,i1i+1"H{$i J;]f,:i:i'?r: fi,ir

l,ig. l'1. I ,l

t
1.1.6. Rcpctir cl poblcnla 1.1,4 utilizando cl 0ltro cn pi repr"""ntaao cn ta llgura t)1.1-5.

Irig. P1.1-1

ii;',, ()":ff';iftiii i:'flfl""ii';: 'a\

traz DL cn runcin dcr ricmpo cn miriscsundos
Rcpctir la parte (a) si ,ll) cs scnoidal, triangular (1 V cresta).
|ig- I'1. l -r-)

1.t.8. [l cjrc ito rctr.scnt3do cn ]. tjgura p1.1-6 cs un circuito dcsuccino liftcin.! nitct.
rn. r,r) cUnDdo ti() : coi ol.

+
|ig. P1.1-2

.Ins dos Dfincas cirras dcl nLimcro dcl probtcma ilica la scccin
_ del tcxto o
lrjg. I,l . l -(i
64
65
r;ru l
]ns prcticn dcl cicult0
l..l.lI lll circLrito (tc la flgura I,1.1 13 cs una fuentc dc alimcntacin con rccliflcador de crcsta
1.1-7. ljl clrcrlito rcprcscntsdo cn li 0gura Pl 1-7 es undctvcrsin
dtodo Trn-zar u(l) cuan(lo ur cr
{r ooJ complcLa dondc r, y J), son dlorlos idcales.
nl"i"r ,-1" l- nc,,* Pi r'0, vo qu" lnclutc las rcslste,ncls () 'Irazar u.
i;i;i^;;;;i;,i;;;p;;""niira. s'r,po""r qire nu : 1 ko, : 50 o v rdc < r" 'nicntrs nDc >' () ClcLrlr ln tcnsin rlf ..c. v lll on(lLrl:rcii)D cn r,r.

u - l0 cos 200 r

Fig. P1.1-7
|ig. 1,1.I l3
dc ond
1.1-8. El circuitorepresentado cn la ngua P1 1_8 cs un pucntc dc diodos rcctiflcador
complet. Trazar ,(l) cuando ,ll) cs scnoidal
l.ll. I:rpfcillcar n, C y la ondulacin cn Ia fuente de alimentacin dcl dctcctor dc crcsta
4x fltura l)1.1'1{ para quc cntreguc 30 V c.c. a la caga dc 100 O cor\ na tcnsin dc ondr-
!t'.t: i6l o nrenor (lcl 10 % de la tcnsin c.c.
(,)
. ldeat J

156 cos I20nl 100 a

P 1.1-6

l.l.g.Elcircuitorcctincailor(lcondrconplcLxdclng|lrn1'l.8csconpl|cadoporlnprcso].
0. lr3z3r '(r) cuxrldo f
iiiir*-r";ii"i*cnscricconD,yD,,conrorllrcsrrInnsurxr,r.1
cs senoilal con lccucncia o! Suponer qllc n - 0'2ni
rrig. I,1.1-14
D1
l:1 !.r.t9. l.r (nLnrda nl circuilo (liodo nj.dor dc la flgura 1.1-12d ticnc lx fornra do onrlr rcprc-
nrl,1 n lx llUUfa P1.1-15. Supone. quc Yn : 10 V.
+[--] r.) i.(lu:il cs rl nivel (lc c.c. (lc la fornra dc onda?
l),i(;!rl cs l.l tcnsin (lc c.c. cntlii los lermirralcs dcl condcrs:rdor?
-.' l.) l-r^zar oL.
+ rrl l.t.\l- l': (lclcclor (lc crcsta dc ln n{rr.r 1.1-10 sc pucdc analizrr dc nlxnflll (lllf pcl]llite Lr
*, 1!1rrr 'l{ llltr)s 1r(li.io ll(:s-
rrig. Pr.1-9

1.1-10.l.ttelll|lt(1ntr1{l(l|.11,|(|cc|\':tl|{|tIlt|(1|n()|j{l|u'|'|sIl)1lIo|r||llll{l|flll'l.lr'$ (lr t/rs.(:rl."rr rtton!

,."olr^ lr"J*" con nivclcs de tcnsitl +r) 5 \ y [ t,urr,,ii,,
ij''iiJ i-ti"*iJil si ia aminrcin dc dsdc cr varor.mr\inro dc +5 v dcbc scr mcttol
'
;l;;;;. nl;4" iii'mlnrtcin o (lccimicDto cs lo quc sc llnna incinn'ir'
1.1-11. La cntadx l circuito rcPrcsentado cn la flgur'r 1 1_10r cs

5lt i'(r)l (a)s

'(i) - 'D"r

dondem(l)esunaondacuarlrldaconnivelcsdctensin+1y-1\'yunpcriododclnlr
l'c : 0r1' 1 10
i;';;;iii;i" l'- r rirrr' IrnTnr lr icul scr
tcnsln ', crrnn(lo v s' d

valor <lc r quc nr{s cslrcdrnrrltntc tcfro(lrt'l(11 lo onrlI

cLll\(lfn(llr'

a.1.12.r:;n}af]gur1'110scan:10cos200zi,R=.1lioyC_100/|'calcu].rrl l:i!. l,l.l-l;

(c.c. y valor cflc7 dc ondLrlrci(1n)
6't
 I

- yr<yr,
kl) Itcfll(1|l'l,sf lIt ll{urr 1.1-10c y suponicn(lo rlnn p0rtueir ondulacin
l(lel
uliliz.r lx .{:uici(ir) 1lf l,i prrrr cl ccnd(:nsrdor

,,. .'. f" , ,,, ' v,.,.

y fl lreclro (lo (tuc : 1D., -. Ynltlt prla cAlcular y-' y {rbtener (1.1-6).
(r) (i)nsi(lerrf el circnito dc l flgurr l'1.1-16d.'ll.azar ," suponicndo quc cl diod,)
,\ i{lel J (1u0 la ondulacin cs pcquci)4.
() Utilizrr la tcnjca dc l partc (d) pra calcula la ondulacin crcsta a crest ctr ,
(1) Lx ondL'lncin cn Dr sc pncdc calculr rpro\inradamentc por lr tornra dc ond
(lc la ligLrr.r P1.1 1tjlr. Uiilizr na scrie dc Fo ricr rrig..t,1.1 1rJ

,' : V1 scn (@i + q) l- vr sen (2ol + q, l-

1i fi.r.), (i0 Hz, a una cargll dc 100 f) co ullr ondulacin mcnor
0,1 %. Dctcrminar la rcla-
don.lc yr: vLtln:l v1: u,rr. unun",o. las condicion0s qrre so nccesarias para quL
(,)i {,c cspiras n dcl trrnsfofn)dof y /, y C. Suponcr quc tas deprdirlas cn ta bobina scan
u, : V scn (@r + q), .rlr, quc ' : 00 l1. y qrc la oDduluci(jn dcl 20 % cn ," es suflcientementc peqea pqra
() Utiliza los resultados dc ti partc (d) para demostr que .iltr h:rcer uso dc las aproxinrcio cs ncncionrdas en cl roblcma 1.1-16.
l-t-0, \iri0c:rf (conrprobur) (1.1 2).
vL x JL' ::- .r.2. \'rriflcr ( 1.1 :l).
J-t. Rctrcscntrf irl.o dado pof (1.2 1)crrtuDcindclarcnsindcldiodouDutitizandopaFet
*n'rogltnrico. SupoDcr ? .. :J00 Ii (tcnpcrarura onrlricnro).
lJ-3. ltcpctir cl trobleDa 1.2-1 pr.r 7 : :)00 y 200 I{. Explicar cstos resltaatos.
.!'3. Un diodo dc siljcio ticnc una corricntc invcrsa dc saturacin /o : 1 n^. Rcpcsentar iD cn
icncn dc ,r. No utilizar papel scmiloftarltmico. Un diodo dc gcrmanto que ticnc ta misma
rpcidad de disipacin dc potcncir quc cl diodo dc silicto ticne una Io : 100 /A. Rprcsentr
.n os nisnros cjes i]) cn funcin de .)D para cl dlodo de germanio.
(d) Dctcrminar las tcnsioncs dc concxin, o sea, tc conrnutacln en conluccln.
(r) Hallar las rcprcscntacioncs cn llnca ccta (funcionamicnto Iincal por trozos) paa
or dos dlodos. ULiliza dos rcclas cn )a rcgin de polarizacin djrccta para obtcner sultodos
nlogos a los reprcsentados cn ta ngura 1.2-6.

.2-{. Calcular la DrlDr que rcsulta dc cambiar la tcnsin dcl diodo por 50, 100 y 200 mV.
S{ lrponc que : 300 l{.
"
rr-5. Calcular la variacjn dc la tensin del diodo para una elacin d corrientc de 100 y
l$]0

tl-6. Rcpctir cl problcma 1.1-1 utilizando cl modelo dc funcionamicnto tincsl por trozos
'T T . h ngufa 1.2-8.
(b, I::j. I'1.1- 1r;
t-!.r. Para cl circuito de la ngura P1_3,1 rcpescntar i, cuando r!, s unaonda cuadrada que
llre rn\'olor mcdio nulo y una tensin crcsta a cresta dc 2 V. Obtenc anatttica y grnca-
rrntc I solu crn.

1. 1.1-17. Dn la ngura P1.1-16 supJnc ,r : 10 scn 200J1, ]l : 1 kO, C : C : 100 F ]'

I :10 H. tkn
(a) 'tr^zar v" r- calcular la ondulacin crcsta a cresta. Comprobar la suposicin hecha
dc ondulacin Dcquea.
() 'frazar la forma dc onda previsiblc cn Dr. Cul es la ondulacin crcsta a cresl?
- Disposltivo io llnol
1.1-18. PaIa el circuilo (lc la llgura P1.1-18: (d) tl.arar'r. y calcular lo ondLrlacln crcsta t | )t-
rra ->o
basrlndosc cn los supucstos dcl problema 1.1"16.
(lr) llrcrll)lr la s0rlc (lc Fourlcr para 10 ondulocl)n cD , como cn lr pnrlc (l) dcl Pio'
',-1( 0
"
u,<0
1.1-10 y cnunciar las condlcloncs para quc u sea senoidal.
(c) Poncr dc mqnlncsto 1a vcntala de la rectlflcacln dc onda complcta para el cicnio Irig, l'}1.3-1
(lr 1r on(lul0cln crcsln r crcsto cn r, y comprlo con cl )csultndo de ln pnrtc () dcl probl.'
|li{ Ll-10.
!,1.. Para cl clrcullo de la flgura I,1.:]-2a rcprcscntar t, cuando 0r es scnollal con un valo
,.1-10. Dls0ilor unr lucntc dc nllmcntocln dcl dctcctor.lc crcstq dc onda complcta ttlllzando dc crcsts de 4 V (rtllzrr lo tcnlcu ,{rdncn). Ln crrnctcrhtlca dcl dlsDosttlvo no ltncal cstt r0-
'
l flllr) Cr,rl,, (lo ln fltnr l'1.1-18 (trr( (rtrcfrrc l!0 V .,c (lc(lc,r'r Ir,.1,: (lLf 120V.rl.itxr! ttrcntr(l .n l ll411r t'1.1r-2. lltlll?.rr 1/ - r * l(r(r0 n, .flr. - t, () y ,Dc - t V.

68 69
 l,+,1. l.:n h flgur.r 1,1.4-1 la crractcristicn)i (icl dio(lo vicnc {la(t por

t,l*
b . 1t) "(.,1,D1k7'- 1) (lo(t0 ?. .. ;100 I(
5

4 l) Obtrncr cl circujto (lc ,t.hvfniD, nr y r,7,.

() Deternrina! la corrienr0 cn rrDoso.tct ( orlo.
+ 3 (.) Calcular d.
: (,i) Calcular I,(t).
I

100 0 140 a

fig. I,1.J-2

1.3-3. (o) v^olvr a clibDjr lr ngum_prj,2d y obtcncr el circuito dc Thvcnin (r" y _t?,).
i;
R.prFscntar la rccta
ntar Ia ";;; :"i'ihl",i:'i:"id;1,"ji:Tih:'
rccla dc carga dc c.c. cuandto"t
cuando o"t - 0.
(c)ReprcsentaIuL(l),Insnuacin:uI':RLiD'
;'j:'l'"''.:
jr-i, yv _.,"r.
0, * "5. a2
i-'ll,iil
i?i,{"^3,; ..
Fig. l)1.4 1

t-: d0 lr ltgura pt.4-2 csrf caracterizado por (1.2-1) dondc 10:10-!

1.3-4._ cl circuito dc ta flgua p1.3-4 calcutar u(t) utiljzrndo ls caractcrhticas dc la . 3-rl ,Iit,,lio(lo
ti. I{ lhf iD. A y ?:
^En con Y : 0,? V.
gurr 1.2-8 fl.

lo -3sen do t

ko
'3
l0 mA
) zka ( { 30 ) cos d,,/ aooa ( 20 mA
5 x l0 -3 + l0-6cos r.rot

Fjg. P1.3-.1
I:ig. P1.4-2
!,1f. ro) llall:rr cl circuiio rlc ,fhvcnin cquivalcntc, R", y pafa cl
Dj: circuito dc la flgr-
1.3-s. Slrt!,rlcn{1,, (t c l's (lir)rtos /), \. /)r sci! irt(irrtifos rI ol cifcllilo lf 1^ fiA rr lrl.l]-,i), ' Ir1.l.J.
() Itrt)rrsurtf ir(/).
r.) llIlllllr ll corrlcntc nrcdir cn cl diodo.

. [z ' ro-,
'"i ,,, ) o 500 0
,,' <0 +
250 n l-
Iiig. P1.3-5

, ir,.nir,,.rirrrir,,r,Jr.r,.r,ks,nri,ro trr l fr(!f r,r.j,{n,,.I

\,,r i:
]:i. llll.l.,:l0s t"'r {ruc ros (ro(ros./), y r),
r)s,rry.f t:' t' r t.2 li ,.,,I VI t),7 l/, tr1t!r (d) r(l) (on Dr (orDo sc r rcsrr en
lr IlgUr l,1.li-0r, y () ,_(i) con ,(t) ., 10 cos @,,/.

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I:ig. r,1.3-f;
- to-'z( D

I)lg. l,l..t tl
1t)

11
@i
ti&r. tn l: fllu.r 1.2 scrnr loQ, /i", 10 tiQ,.1, = 5,1 I{t) y , ,.. 5 sur orr. La scal
.9i <c-.,tr.sli\ rcprcscnla(la cr t1r Jtfu.r I,t.G1 y tos ( olos son l(tontcs.
(l'l rlio(!' vicnt tld(lA por
1.4'4. I x .It||II ||sIIc:t ri , DctcrDinar irnrs y, y y, .rtt:rbtcs
I)llfn tt| scn l (lc (o trol.
it) ' Ia('atDlkr - 1) (0) I,&rr los valorcs (lc l Iril|lc (d) rct)rc$crtflr,, st n) 4 o.

,,,, r),:srK'rrrr
(,, r:r ,c,,r.i1 :l
,, s:,rr,,,:,,' ,:,
,1":'Uc!rrc!rrr irj
:':'i,ll
:;:,::;::',lJl,,illIl'li'l;;i:lll'i:: k primeros
,llvJi,,,iii;;;i;;;;; " ros dos J; 'n
cl

, r' ||'..r',', :
.'l ''<./:1.J ',:l'"-'l'^
'i'" 's i/' rD ,.,,",,.
' 'rd d
,, "l"itr'r"'i
,
'11,"'i,:lilii';''lr
l).";,;;-,;'' *t u'"oo en reposo cn ra nsura P1 4'5 La caracteristica -.. ';
"""""" 14-1'
i,i",i' ,i'i'-"liu ,,"i" '^cn cr probr..:r
I rg. l,l.(i-l
lil iflii^I,1; cuanrro ('n - 106' 10' 1010'adis'

r-Gt- t:n la fl8ufa 1.0-2 scl,r r{ . l0 f, /l -. I 1rO, rr - Yr,' scn ol, Yo! : 15 V y yofi
100 pF - 0.

1) Ilallaf un valor decur(lo l)lra .t.

l-l-l Utilizr el nrodclo por trozos (l{j 1 llgur 1.2 I cn la.Jlgur{ 1.6_2 y dcmostar quc ta
nJ::: t"nriuu 'l' cntr..l, I(rini(i1'1, fi
l0v

1 g. P1.4-5
Y{.., 'v",, - u",-,L-
-r_r. Ii I frgura r.8 5 ticnc una
conrutarlor nalgico con scis diodos dc scilal dc contol
rr"O. rrfrdrDtad cn I flgura Pl. 1, dondc V : V,. Sea ,r - scn ol.
rd) I)ctcrnrinar un margcn accptrblc de la aml)litud dc onda cuadada (y,: yJ de
t.',;1":.,(,"l.,i1ii,,ll'"+,'""':':i:.${iitji{1ff[.ru:lilj{mi:t'*:':;:T:::",; n.i',,ir cl conmutador funcionc corrccr IneDLc.
() Ilcprcscntar ur(l) si {, .- rol,i) y dcmostrar quc ,, cs cl poducto dc , y una onta
c*@ r,d!-.la s(l).
t-5. I-:n el problcn)a 1.6 4 sc pucde cscrjbir. Sr(l) como una serie atc Fourier obscrvando que
rc (1.6.7) /. . f :1lT y quc I csr sustilido tor I _ T14. Exprcsr r() como una suma dc

2x l0-3cos uroI
l.t....lo) I.ln cl circuito dc la figurr 1.6,5 sc suponc quc l = Vr, sen (])0. Demostrar que
rondlcin para quc la scal dc control sca una onta cuadrada simtica te amplitul y, y que
.l (onnrutador funcionc corrcctamentc, sc dcbc tener
i, se
L c'&tetislrca r'4_l
-Y Fig. P1.-1
da en probrem

seal ) = 0'1 cos {]J"1'

v,. < Jf\- : :,os v dondc VF :0,7 V
ir ^lr.,,il (lol (lio(lo (lt ltl llgrrrA Pt d(r 5-? ti0nc na tcnsin lc
1.5-2. rr conicntc 0rr r'r'0so' () Ilallar la anrplitud dc V, dc onda cu:rdrada cocspondicntc al csultarto de la
i,\'ii:i,r i;',";;'i;' ydc-crgr 1, ',j"
'r'o'ro
Frt. (o).
,i consrrrrir lr rcctr o"'"""" u", n'ouo.
tcj Dttcrmint lfl rcrrstfncrr '
l-?.- El s:stcma de scis diodos dc la ltgura 1.6-1 sc utiliza como pueta shunt o cn paratelo
.! l fi8ura P1.6-?.Ios diodos , y ,. provccn la fucnte te control con carga stmtic;. Supo-
100 fl E t.uc todos los diodos son ideales y quc la scat rtc control es una onla uaalada simtrica
ira(a Jig. P1.6-1 y suponer V,: Y.).
(o) Dibuja e] circuito cqujvatcnte visto por ri
- , cuando Ios tiodos , . D. .n.t,1-
(l Si r'=yrnscn.ly,:2,d"{vascfig.p1.6-1),dibujarrsrjponienctoqucelcircuito
I0v .
+ (c) Dmostrar quc l corricntc cn ,j vjcne dada por
io" : !1
nd -
u'
2Ro
,anlro.dn. Suponer un puente equilibrado y utilizar la supcrposicin.
(4 qlrl cs cl vator mxinro dc yrn pcrmjtido si y, = v, : 10 kO, n : 1 ke
rR.-1kO?
-? un2 oo>o l.?.1. Obtene una aproximacin lineal po. trozos dc los scgnrentos para la ccuacin
',,<0
",-l'"': lJ:11 0<<3
!l qre cl valor nbsoluto de la mxnna difcrcncia cnrrc la funcin y y su:rproximactn
clquier jnstantc , es sicmprc nenor quc 0,5_ i, cn
Ii. P.15-2

73

I E l.?'6.
tlc '1
Glcular un cicuito utilizando rcsistores
relresntada cn la flgura P1,7-5.
y
ljig. l'1.?-5

riodos icreales para sintetizar ra caacterrs-

l.?. Pro-\,ecta un circuito utilizando esistores y diodos lteales para sintetizar la caactc_
rll( oi dc la flgura P1.7-6.
n' n

ru", -l +ru"

rrjg. 1,r.7-

.7.?. Ih)vcctar un clrcuito quc resuelva la ccuacin ljferencial no lineal

Fig. P1.6-?

u,'a-bat:lili,lLt"x"l'"""i:ii:";"":titii:tii;;":""' f,-,""e.0.a utot:o t>o |ir.-i

|1.7-2. utirizando un resistor {(1L rio)'
?-2. UtilLzando """:'iit;Ti}ir'.i""""t"a^' en la flgur P1.7-2
frra ";;;
rcalizar cada una de las caracter)st
;"" lncor.pr^':11: ;y.i
frdr Ias coricntcs sc dcben cxpresar cn m iamperios y las tensiones sc cxpresarn cn voltios.
;.;;. aproxrmcrn f,:::i:::':ii}::"'il:J.'il'il .t"ii,:l
.?-1. Ilcsolvcr cl clcmplo 1.7-3 cuando (0) : 1.
lJ ., ffj""i ,..T ;':"J il!:!*1'^'lij1", pequea se puedt
ft :l5;tl ffi,'".:'l ;L'#lffH':;l;; ^:[T ,;i;"-":.$:T;L:Ji'"",.",1
'"";ir";; cun l.Gl. .l:l diodo Zcncr dc la flgura p1.10.1 cne una calla nJa dc.tcnsin de 18 V cntrc sus
l.rnnrcs cn ta to quc L sc n)antcnga cntrc 200 mA y 2 A.
hacei li - 9lai? dc ]rodo quc y sc mantenga cn i8 V micntrrs ydc pueda varjar librc-
el circuito del ejemplo'1_7-1
paa quc las corrientes cst{D .() H-allar
_ dcsdc
r.".nlc
1.7-4. Relucir a la escala conveniente cn volrios 22 hasta 28 V.
las tcnsioncs
v lo csrLln
:;;;.^;;"-;;;;;""-perios ^
(D) Hallar la mxima potcncia disipada por el aliodo.

s ..L
22Y uDc< 28v _t l
R - 18o

Fig. P1.10,1

l.ro-2. Sc c'DI)10 LrD (lio(lo Zcnrr (lc jO V prrn rcgu)flr tn tcnstn cn borncs (lc unn cnr(n vnrln,
fA
!!. cor) l r(prrsf'rtr,l r',t. ,{,r'r I't.lt)-2. I^ tcrsln {tc cntrn(tn u v,rrl. cnrrc rl y tti v.
1i rr coflcnrc 'lu_ cu.gr vnrf rntrr l0 y 85 mA. La mfntma corrlcntc Zencr cs 15 ,nA:
1') \" '"' rd, Latcutar cl valor ml\imo J. r.
() Calcular la mxlma potcncia disipnda poa el liolo Zcnc rtilizando estc v^lor de .
tb) .\ \
:.1G3. . Lha tucnte no rcgulada vxrla cntrc 20 y 25 V y tiene una impclancia lntern dc 10 O.
//,_, U dlodo Zcner dc 10 V debc egula csta tcnsin par utilizala enlun magnetlono o egis_
rig. l'1.7-2
75
 l) L!^.rjsP'102 |ig. r)1. r2-1

t|l|ll{)|(lccinLa'Elregistradofabsolb.cs0mAmicntrasgAbay50n1Acuandoreproduce.El 1.72-7. L^ corjcntc invcrsa dc saturacin dcl diodo dc la flgura p1.12-1 cs 1pA. Su tcnsin
2".* ri"'" ,..;*':l:1"11", *o*:Tll,lil XT;,";T i;l:i ;:i.X'i'Jl*; li,i"iil'i,i"ii
,i',,,i,, inlersa dc crcsta (I,tV) cs 500 V. llalta i para quc no sc cxccala la plv.
.xrrctc sticx Zcncr ticnc lugaf cn ru '/
nrxi dc 800 m\v' ri >10 o) l.L2-2. L^ nxima cofricntc dircctLr rcrlia rectillcada cn media onta a tmvs det diodo cs
de moilo quc cr (riodo rcsurc-con^n^uam"l.lif" "'0"*
i:"l1Htili;;;;;;; 1 A cn la figura P1.12 2.
ij;ii;; J''rracion 3 'resrr dc saridx (a) Haliar nr para quc no sc cxcccta cstc valor.
l;; "*'ra () Si Jo : 1 tA, l)altar tr minitna pJV ncces^ri para impcdir
uptura oc avalancha. Esto est uptua rtel
caracteristica Zencr sc dcbc ,usurlmentc a lrna
1a ctiodo.
,.to-*. \.
(lcscrilo aProtimidamcnte poI ll ccuacron

"-<v^ J1 a 1
'" = -"N;"
ld) llcDfcscnur l.r ctltclcrsticr Dziz p^t'\ tt:.1 v ' t9'. --,..-,..,,-^
,"-*")',1'?J'-*ii". i,li" " p"" ot"i'"' una carcrcrisLica nornrrizada'
(b) obtcncr tl codo dc "'ii"'"r' 'ili'
ia ltttull'rt,n""t dos llncas
por trozos dc la curva Lilizando
() RcPrescntat una aProxLmc1

"""' (lllc: o*lql:.1l.:J:":11'1.*,1"^'j"j,iilffli""l" *

,r-" ."
,r, La pendicntc dc rx c,rlv3
';.'i^; ','o"'"'uo' qe r' c'mbi^ continuamentc' " l iS. l'1.1:-2
''i"'"ii,"llll)i);'>;'';. 1 11.3 en

i;'.1;i;,,31'X1"l,ii:ii,i"l'ii'i":lf"'ii:*,1"1"?"lifi,'::':?i:""i"'ra,ngura 1^t3:3:.
di ?0
!1" una
\. Tiene
corriente dc prucba dc 100 mA, un diodo Zcncr tice una rcnsin nominxl
una tolcrancia del 2 %. CAtcular cl margen dc las tcnsiones te
lrurba jinmicas.
1.11-2.UndiodoZcncr.lesiliciocstcspecinc^do^cn"15'w'Larrrximatcmpcmtur'dclaunin
i;',i,,i,'': :l',"'c'i; i;.;;;i "* ;.i:'t:: iinl'"i'i^i':""i'i*il"a
l.l2-4.. El diodo Zcnef 1N281(j dc ta figufa p1.12-4 sc dcbe utilizar para manlcncr.una tcnsin
::;1 :,1",,i" "';,1.iI potcn"ia nomhrr der ra corrlcnte continur suflcientcmentc consLante cnte ios tcninalc; dc la carga, ta cal varfa
;".?1o"'";"iXi"fi':::l$:"^n'::t: d.dc 10 a 100 O. La tcnsin dc entrada varta desde 80 trasta 100 V.
(liodo Dcrmisible
"'""" '''ii,j'liiel es la tcmperatura dc ra unin dcl diodo? 91 !lcLlta. suponicndo vzr :18 v y Rzr x2 e.
() Calcular r tcniendo cn cuenta la totcrancia det 5 % y;l hccho dc quc cl circuiro
i;i ;;n * la tcmperatura dc la cpsula del diodo? tun<iona por cncima del mafgn (tc tcmpcratura de 0 a 25
si cl adiador clc cllor ticrrc una rcsislcncia trmica
U"d "C.
1.11-3. Repctir cl problcma 1 11_2
(lc 2 'C/w.
rrlcnorcs que 50 "C La mxima tcmpcra-
1.11-4. Un diodo pucdc disiprr 20 W a tempcraturrs
tura de la unin cs 200'C. Hallar
'j" : 100'C y 0'4 : 3 "C/W'
1,11-5, Rcpcti cl problcma 1 11-2 si ?j nax
:t'" ncurs rr r: l

. YL i\le l;i l il"'l i::

'':"'i""li!",.,liil i,iiifiil"llnJ,
" " i, "i;;
l;,11
rl-':"'-o , r"- 'lrr' I rrn'i'rof Iro "^ soLr''xrintc rrig. t)1.12-,1
() Ir,,af.?" pl" ":t": "ilillii",]i."sJe potencia podrra rrisiprr
(.) Si so disP siera de n riroLl caror inrLniio, i,cunta
t l?'. I)cnrostraf quc cl varor nominir rrIV de los diodos cn cl circLito rectillcador (rc oncra
.rsplctr (lc lflurA 1.1 I dcbc scr Inayor qLc 2tt,. Suponcr (tio(los i(lc lcs.
i t.ll'. Dcnrostrf quc cl valof nominal l,IV rtc tos ctiodos cD rl fircLrito rcctincado pucntc
ft o'r{n cornplcla dc la ngura Pl.1 I dclrc scr mayor qLc t/in. S lroncf (liodos idcatcs.

g
I 77

I
E"f
*l
Ei
El CAPITULO
il -
Introduccin a tos circuitos
con transistores
re
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-)- 1 1,ry
tfTRODUCClotv

.,".1:i';:Lll:::.ffi'::"T:j:1:;",ji::,?:"L;#,,J;,:,i::::".,.J:
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"1",:r"' "j "1"'ii' .;;:,..,';,;il:.tr
;*::t**:::1,;::;i;:ij':,;j*;;,*l
Lonceptualmcnte,
Ui:xl: tr
cl

xm:;il::l*1,;i:::[',;:,,:J.:"Llii;]i,"0"i."i'.";,::::",::i,','L=:::..;

" ffi!tY;f^"rRET3Ff."r.,?Sfi DE coRRrErurE

rn cste aparhdo se estuda (_l iluio rl,

Et-rraosislor de ios te.mintes det componenre
"^, ".*r,""1" lllll,lli.""rl.^l::de
il",T:1ilffi ::,:x;:::i."'*,",,"#[:iTff p,l conr8uas, como :"',]':s:[:1TiTT:
!^"?,2,,:t:. Et-smboto
"tir'-J" o"il - l'i "Ires
*
sc obscrva en Ja Fi-

:i:.|:ti,ts
;iJ;l
Figura z r-rc mL,ii.5;i;11,.','#:::::'-":::":"r: m_ue.rra en ,a r-rpu.
iiHJ i::".1;l;l:tl::tjiiiliiT".ri,ffi'.ff
comn. Ntese que er
u"".^,", .i, i'jl]Nrsro-r
/P' cone{tado en h i"':"T,[Jt:x,] ;.?::
confgu dcro de bd5e
de la forma npn; de '" materiales
li.i r,," Jl= i::,1':"'
recroe q\le .'":ttaosisto. scmi.nduiro,es
uirores d,spuesro,
drspuesros
prp,
zap, s estudiar en ";
se estudiari i; "".
"".,,,"'",litij"',ffii,Ti.T-"j11",".*mi.rnd
s.;;;;;.; l'c
la Seccin 2.t_j [a orra drsposicin ;)ble,
el""talistor -..r.li
*#*ffi 3;n g: :'j; :',r"l,l'j^:
.lrsrcamente
'o!
:.'":
..ir'ii::iff
gg b"t" muy qrr."rra se coroonc t::t-
i'Jfr ;"'::ffiH:; 3in*' emiso-bise v colccror, reado ia
iugar a que el cmisor i direcamente la

3t

ji
C:?.CUTTOS ELECTRONICOS

E
Mat.ril |
C
I Mar.r;at,

IE
Crtacro ftratizdo
\ Cnracro mcraljzado
lt, .t
Hc.o 'c I
Corc1o mcrtizado

l\ Ye

Il

Flgur 2-1-1. EI t:rnsisror 1, dc u

() s;mboro; (') drcccios
.,. ..'",.,'.', ;:".':- :).:i:H'1::;:H:X

#tri #;llil;#;',i:1ift:i:""1i:i',': Ia derech) que co'ls,ruvc cr coccror.

un
..,..1,, r,.*oi .1, ;;; ;l;] ;::i::i:lo,l:i. o. ," r por r)r son cerurado, or rr

*i:1i:1.".:'_"iJJ.il,1X'$.J]T*HT,,4r,##.tr#**n#:;:
::i:::1,':T ::iJl':;T#:',fr'itd debido ar signo de r, ,"",,0"
\rnr\-nre polrizrdo y
i;. Fsrr ,,,,,o
lasc c! u-! glql{la. p.-u*o 111-or9"ro. -r,
.o:rrca!: tcdi .rr :lclrc.rr.<
:r1'c. l, tronrera .f por -;;,;"::t
_:_; cntsrr.(el. fiujo de crga prsiri!r
equiv.rftrrtc

;*:.::r;:;; j;1,1,:##."t#$si.:,ffi1H1."-,,"-il:;ffi
el snlido de corienrc
#. j e

.:orsor [ c.ririente que ,.-uid( ."tl ^:t]:ot iodica posiriva rJe

:.u^a:=n? , ,rouo ll" i.#". 3'f:+J":q*'or
( por
-ti
(el
f ujo de cars positiva
unrdad de tiempo) se lenominLrglLktur
,'.ro. !, . E"t'.or.n,. 1, )
dc
po,.. , ,1. s. .i".,;;"'#;;;;;
=, "onr,"
;:::m,:X'ffi:;*";:tg*t:
-
';-*-= tos rnl,os de cr.recitr
*" ru\ -:r.n, .n .t cs, n,* " -, -^1';' 1.|'mn cono positivos r'ra ,s corrie nr"5 der r.dns,,ro,

i:::l:i : ;:f.":lj" ,* ;; ;;;;J.::.*;:';"T,::,i:$1

"
ff":;Hd:t ;:;,;{""
r" ;;;;;;
si, I

=t
:l
c INTRODUCCTON A LOS
CIRCUITOS CON
itl TRAh-SlsTORFl g3

3 -t ffiffi:*il::il,lil::,jl';T::s -consructivos
dei,ransistor (amao y rorma
:" r-a q941g41e ae prop.;;;J*rJr:",,:;:onsroerarse conslaole e uD Irdnsisror
esprcif q.c,.

.t: ;trH*';"J#,T"ril;;.'';[:;T.x:;xl;1:i.i,.-*'l'll;;::"Ui*i;
)

.m'il?i"Hff *
j j{illliil"fr"!.ffi }j, jl"r"tiii;;';;
;'f .,#:il::ff";;;:;;Jffi.f ::;T.iX.ii:,;.S;:,:il;n,i:,tlX*;;;
l:

Ir=alri l6
(2l ll
. si sc apriur ra rey de KchhofT
obsevando. *",;i ;" ji"," ':l"r;,1;""'1 de ra Frgrrra 2.r_r y
:./ ::'.;,arelransistor
tL=la+Ic
(2.1 2)
. Sustiluyendo {2.1 l) en
t2.l-2) c crlc0 r l cnrcnte de base, que esult scr.

ru:U - a)r, - I -o4 4ruo

',.",, d Q.1-t)

ti"';;:'.f i:"""f.;:'i'lil,?.Xii.ilill', iir r1. - a). exprerir hJbi,uJr

rrs corricnres de \us rcminrcs,.
1.;riuiin,rrr en er
,';:.i: . r: .:l:l:;'J$JJjlTJj:i::;l,ll:;il ;
l:
il:"i"":.1il}.ji,i:#""iiTlilJl; ais,ads,
l i,l:.;,::.,,.,::i:,'".iJ.t;;:':::""'i:::,,
,',,:] p.'"J.
;Ti']:,';#:i'::';::#li:;':i '."r"^i ",izando
ras rcnics dcsaro-

_ ,.2.1-1. La
untn base_mlsor

O rey.de Kirchhof parr r, tnt'nntt

1, ii,',ca., (KvL) a la malla
'q z.t'rL, tzL conente de bac-emiso cn la Figu-
"a,ror.a
ei
x Fi\x () lJ\
I

es la tensin en Ia unn
{i brsc cml,or dfse:taLle polarjzada.
)n se mucstra en l< Fi",,.".. . ; . La czrctc.srica
jl.ti 1'"Iiff,:::lT;*?j:.': :::: t::;; j:
ii' *j: :t#J#::t"::i'*;;
depender dei *". " j".
,
,";-"1"1 i";Jff";"..j:lil.Hl""i,,,"*j:.f:;:,,:

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" s.: uriri?
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mcnudo rr no,ac,n .".n L.'
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" ".,, ";
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__f
IoA
'1.^=Yu-/"'o
-T

o comentc coDlinua,
p.ndicDre = _r/&

tD

0,5 v
Flgur 2.1-2- () Ca,cterstica ,i () os.ilocgma
dc ta caacl,erisica i emisor-base
de, ,**ar"aa::-.:

en condiciones normales,
l:.::.1":*:
pequeoa y a meDudo se despeci la dependencia coo ia rensin dc (

fliii".'"ff :nr'"**T+f**:ru;!;';ri;".J"i,",,ffi
t::i'
H r##1,; i"?",ir **; :h ::l; :": :r:, lH;
.y"-"^ n1 ,ntogu a como ocurre
',fil*g
unJ rensin
".n.u.ul
]f
o . ?o)o,

Il,f :'';:' ;:l.f i;j;iw:r:J*l

?^". e cl drodo. c.iie
j'i"';
+!,^.ti1i?:;::: : ;i':,;', l;,:,:::
r ia cn
n::f m:-*:;;..:;:;1:":i: :l fj;i",,,
rc
", i",:iifllXl:

,i;i:iliili#;;*fi j#,?'lii*?':;:ffi
l-.,!f ih
l".ti*ln?ii.,#'fl iff ry.,#-::"&"1,",;:::.;,fi.:;::J,^,,,"
I
_ Yr __;_
25 x l0-3
= e (a remperarur ambiere) (2.1-t
donde ,; :
krlg.
,littgoqgrqrrs!{slr Eg- qisre rci
cl E, ;;#"%
Capirr.rlos 2 "i."uito
u f "n io o;-;"t ilii*
q'r_grlq la-e44.
ta* !Eq4qq4qe
st4 d_que (entrad.,
n t ra ,*^..r..,1"1^compo'lamiento en Sran seal, e!!4
d,teslgqrqlabie,
lc -0 ". efectuaremos

ffi:"J^;ffi
m-'-protffi ;#'pj1"'::'11"'
conocido y asimilado er
asimirado et #;;::,:: :tlsrdeen
ros permitirn
centales eo estos temas.
enfoca.;;.t'4" d.
una vez
(ooos
f"r,',a
'n"0"r"*,l,or""'J::1ff.:ffi,""o,J:..r"::ffi
",:J
FJ INTRODUCCION A LOS
F' CIRCUITOS CON TRANSISTORES cb
H
F.
2''

a'
! ruo
0,7 v
c;rcuiro

Diodo

,""1

(b)
2.1-3- Circuito de cnrada Jincal por trar
' equiva'",,;;i;::',f.fi::istor:()cracreristic,,t:{)circuito

i
I

-v v.E + I/-
lb)
Flgura 2'14' circuito n base comn
"il;.1r,1""0,, ,,, .i.cuiro quivalenre; () rcprcsenra

Para iluslrar el
alerna en seie con i.ll,';i.:"1'f ,::nT;il";,:n;,:::LHiT:,:,,h:"::'*

't = v- cos (t)!

(2.1-6)
y de ra Figura 2.1-4
tenemos ou.,
vr, - /,^ > raeq:0,7 y
, (2.1-7)

ii*i flT:L.#",,:1#:* i*:::1.:"

#*]:ilnfr ;rir ;
 , _ Vr 1 V,^ as at V",^
*.,.
y advitiendo que i, : Iro + tenemos la- ioente -
de cmisor co rcposo,

J"^:'EE - 'BEQ
(2.1-9)

I
y la compooente de alterq4 v.
-;l cos rot l (2.1-10)
,
(2,r,8) son que la caacrcristica uj dc ra
*',s"":"'F:::.:TiTl.:..1i.:^f:il. I uou
uoiq
rn"u;"t*i, ;Rjr"
L""'il"iil,iiil.lrt;],,*1:o:*::.-^'".u,
q.rc Ja inecuacio (Zl-4 se cumpje. "o.o

2.1-2. U unln cotector-base

Para conrplctar el modelo de la Figura 2.1_4a
sc ncccsita un modeto de circuito equivalente
para la unin colector_base- probablemeotc Ia
forma _. ia"i " dicho modelo
cs considerar Ias cracterstica-s de salida "n_otrur
del tansislo cn Uase comur\ cotnd s. muestaa c!
Ia Figura 2.1_j.
Trabajand-o de iorma normal, el djodo colcctor
basc est invcrsamentc polaiz:rdo asi
quc u., > -0'5 u
js!1lona,c;on l3s cuvas caacrcrsricas r, pucden
"u"no:.:.:-!o]9
llsid c radas coro u4ilamilr1de line:-"1.,las qu. oU.aJn a h elacn
:c,r .c,: obtcnida
lrcrJrtcnlc.

Ic=dlE+lcBo (2,1_l)

circuito equivalcnrc dc l Figura 2.t_6. La fuente de corrjcnle a1,

lr::-lTll:.:.ldr*,al
j::::SrHqjjente^(o_co-nrroid4 ya quc su valor de4nde-de ta corrieotc 1,. asi,la
;:."1:

::id:i;l':,*i:f ;,lETff ,fi :-H;i:.'"Tt:fl';;ti.ff .:T.;:,Hil;

FSufa 2.1-5- Cracterijlicas de slida en

conliguracin en basc comtr.
 INTRODUCCION A LOS CIRCUITOS
CON I RANS]STORES
E7

-j_ c
I

.L

!l
\
- 'J;l -,/'r \

\ Ld
(b)

FIgura 2.1-6- Cj.cuitos cquivajentes en base comn; (a) modeio bsico; ()

modeto simplificado
Si nos limitamos al estudio de tl

j,'.,'t!til:x'"*r*1*.,L.IJ{*ig.:',m jn::*
ll[",::"",";:i"il liib"'"'r.9 r"
;.il:::LX[,f,""f,i' .*r'""'l"r p," p", .oao v, po.
lll^"^"1,,.-""u,q,,".""r.;L-i"11:T::;::,.1i::':..ffi:"::ii.ffi,:iliT::*ii
ncccsrro quc uc > _O5 V siemprq.

,. :1ffffi;,:..:1,;:,:;i,"x ff,,..;l:Il-"::xii:3:,::t,:,*1i::J;;lii,;;::.,
EJutPL] 2.1.1
Iln cl crrcuilo de ia Figura 2.l,lr. a
\,, r., = ,0"" ,,".y;,1;.:,"1,1*
i:r ^d.,J,r!
l:,:^,- ;;"'i;,,';
d. lVJ. Lrc.t" Hall.rr l, r,.r.
l;,';J:;1" -1"1. ,'i..: ;"
So/UC n
lil cifcito cquivalentc compllo tic'ne
rrn cl clrcutlo emisor,base, la -.nin la forma inLlicada en la Flgu 2 I 7.
|,^ < t'r, 0,7 = 1,3 y, cs polanzada dircctamentc nllcntas
"
v,t (,) .
i, = -9'1--E coj t,j + I.L\ ccs @ (l r lt)
Para el cicuito corecror-base, apricando
ra segunda iey de KirchhorT tendrcmos

Dcn: Vcc _ t^. _ /cc ._ ir.& (2.1- 1).)

Sustitu)cndo (2.t,l l) en (2.1-12) obtencmos

Dcs : Vcc

: Vcc - !E.jR. - 4. ,i-.o, -, (2.i - t3)

 &:Itn
4 = 20 tn

/ = 2Y
Y<r=5OV
F gu|a Z1-7- Clrc]rito
equivatenle de
Ja confguraci q
base comn paia e Ejcmplo
y susttuyeDdo.los valores 2t_
Dumricos dados

oc = 5o - (tJX20)
- cos @
l4
= 24 _ 20cosorr
V
Dado que la unin
, colecr,_h,.-
j';,^,;_ lr_!,"1",".r"
q,pu,,(a r "",1'ol'll"ni)i"-'T',ly:
_,".1,1 ,^l o fl1'1ga en senr;do inrer_c
etrada de lensin varrdo. Nle$
,1,"_" y que i
ra sanarcia o.
que el lra
,;;;;;:,::;;).,:,-
o - 10- 20
a:=i=20
Coacro mrti"do

Emor !,,.-' , f Marc,, " c

l=:J-

L o/| --{ C
Elc.r
t,
4l
Cocro m.rtizdo
t,, ,t
4

/"' tbt
(b) i:
vr
Fsura 2.1_g-
.Er ransistor de rnin
"p;,,
tia* o" ..r...n1,
s.n
i J.J:T.H;"::.,;'.? #."[f.,,". o r rc u, o,
 INTR.DUCCI.N
A Los clRcurros
2.1-g. Er transstor
coN TR,rNsrs]r- '
rrr?p
il#,#":,F#:!::Ti1ixf de,@rden,ecne,,,ransis,o,n,
:l?::,"Tfl
::tffi{?Affi,ii;trrn:fr
r':'r*rai*ll:""r.*tri,'ii,)iliiliii'r!!;i
;;il;''ff :,nfr l};d{r}{#sU',:;tllr,,il
: ;l:
ution
",,,or "T*li"r
c"lJio c.
!r1c.l q.jb_a_ f
Debido
'

f,r ;; :: :n *_ ffit'.l",
;l1;.rjTilfi:rffiitT1T,:,
rrinsisror
j.ilJ;ll
jg"3$;r1ffi .i:#J:Hl;i:
a4tlahs! re

t,
r.l 1 -,
y, como
- t'
-;;,;':;;;i"*. corientes de u"* , o"'"r,'*,li'.lT'H;iJi:i
.\Ll t 4,
I::oI'+Iroo
.tr=(l-qr_Iruo (2.1-t4)
-'f .

2.2- AMplrFrcAc,ory o. .*a,.nr?,

l" :: t' '!J (2.1- 15)

ET{ EI. TRAI{SISTOR

c lg srccin anterior
se ha <l^ ,,.

jilr"rffi
fi fiiri#t'i:i:lHrrtl?:r itif.iTl1..,.:,"lr:':;,:: i;,":
ti'rU:T,.:.jt;:T:T.?,i j''iil:U:lijf ;r,"?1;*i:.i :"TJ,:f rJJf

il';;,
i:l:';1j,,:
ffi lrnld li{ii ffi
:lT*.'"^1:;;lj
H
t.. r i; ",$rffi T':".
,li,'1,,,11.'0,*1.,+'' .""*'g,i'."'j;,,,ccin
#
Je
j:*i,,
f"{T# *.:"
ili:T.H,::TH; U* #lift
j::.;;""'"q*.20-gr"E_{!l;ffi ;t -;*ltru
Un cmbio en r" provoca (2.2- 1a)
un cambio en
+ tal que:

.Af
(2.2-t b)

p':1**qe!--se ds, eyt\a racb, de onplrficacin

fu
"9!l!g "n
,"0r"o ,"oJ r..

h,,=B+H"
12.2-2)
 hr
----

Flgura 2-2-1- Canancias de corrienre

en
pfquena y gran sal en la confrguracin
eD

ct'
E

Flgura 2.2-2. Ampificdor bsico con raDsisror.

(dr4r! es pcgu:o comparado con

:i f, sc licnc:

hr,=f:h,,.
La Figura 2.2-l ntueslra la variacif.1ipj
dc fi y hr"cottl corrcntc dc colccror.
_l]j)
r,i:l;:::,::,'J",'"TJ'ffi,."., ; if.:'ft llt :,JH"."',:lf
l"li"'";: r *i::yj
: : contante pra simlificar cl anlis; o.i,"".on,.,".
i::j:".::J,Ti:l'i;" '/' , ro

i^. complcra_ co;] ct objcro

dc
cuanritarivo considrcsc er cicuilo " l" e;"1,." , r'i'^..:-::]::
"T,;;:j:1.::,:.t::,::je^:"_:,: "' uurcrc
obrcncr un
uo g-rco
s-nco
mucstr un tranststorS4 e lo
q*.T::no."
que se conocc conrc..anJryuta(t
co-o .Dto,,.-";^ en
--'il,l!l'l':':)!
emisor comtu tC:F)
F-.-1...,,....., ,. ,;
:;;;^_'-":: ]^ l1g rcc y.^c sc ajustan de fo.nr3 que, cn iruscncia dc scal, la uin
:::.1,.Tr :':,*T::::#r,:*#;: ; ";;;-";;"i;lJJ".i;1.1l#1.':,::.i":
oDiicandolasreyesdeiri*r,r'on."i",n,.u"i"*_.iilJ'iiil;l_".J,"j
::,"r:,y:.",.:.T:"
coneote dc basc

"
lne I V- cos at - V"ro
- R' l) 1-A\
..n
d,oode se hf, corsidcrado que
la r_rnin
v" - 1- > lrra: es decir, r, I 0. base-emiso est trabajando en zona inel con
e-i!". ri'"ti" *,n-ilineal sin dislorsin,
rs tcndr una componcnte de continue
y otra de aitcrna:
:
(L2-5i
 INTRODUCCION A LOS CIRCUITOS
CON TMNSISTORFS
9t
donde ia componente de contioua
es --'_
/
I"o ". !!!- -!!e / (2.2-6)

.s
-
I la componente de altema I,
i, = $.^ .'/
^
^, .! l'J
(2.2-1)
-
y Ja corricnte de colector, de
L2-la cs: \ |

i, : Irn * i, - lJeap + o) !) )--e\

coD una jntcrprct3cin similar paa
il
,
r",.rr;fi'.,.;; ;; :;;';;f :i ff ,::"Tfl il:l:1 i:,l:::i v de con rio ua

(2.2-9)

-Eslo es indcpcndicnrc dc! cicuito intlinsca dei r.lsisror,

sometida a r,
"p.o*i,,..i*".L],;t;:'.ffi,J:l [:|i""i
nruv
zo..y
".o,;;;""?';:.:';il.;.craro cr conccpto
r."*';T?!'J'rl:".:T,il.,':??j.f:'l de amprincacio, que cn ra

-"r..i..,ir ru:
IL.JT'::i";r^.:n":"m:j::" i";
:.::lil1"-u.,."'1.d,)cs J6561 tA. I..nronors, A" _n-ii2't),
oe cotc, tor (. orricJ:tc dc \3lidai la corricnc
es ".u".Oo

, : 1ib
: (20) (5t cos .r tA
: 100 cos rr /A
Como sc ad\,ierte, la corriente de
saii,

:;ffi,:j:,;;;;;"":"ffi'::r,;"i'.',:'::i,""'i':i::iii:i:,i:"1':"fi':ffi::"j:
parmct;o f es apro\inadr,rctc constaote
,El plra-un transistor especifico, aunque
vanc con l
rcJpature y iigeranrenre.ccn
tos ralorcs mcdios dc a y
I corricnr,j" *l;;;;,';;;",o, se urrriz,)
f. Otro tran
onl.r" ;;;;;;;;i'l:''jr:j'J'i1'.,':T"'r"";j?.j
-ol^f =o:l variaciones existentes
pquetras
",i"",1T.,ff,:
eo el parametro or, como puede ve.se eo la -fabla 2.2-1.
Tbla 12-t. Relacin enrre a y I

l9
49
99
r99
t,, 2l-1. Caractrsttca en emlsor comn

I-as,:claciones ctre los terminales pa.a los dos

tipos de
P"i!i:',, ;'#:':l;X1L::'.:t ffi:: fr,"'J;[:
ucr qrooo. 3;J"'J1' ;:i,::
termirales a'-F+ffi
tata las caracter.t uomo s'on tres los
mosta de varias formas. pobablemeie
"^- r-- _._.-- "__-.-.
ras .,,ru< mc ,i,-rft -l.g:$"n
fffi
u! rus.,l,.#i,::T:T
qrmuo l
H*"',T::,,,'":,..:1"::::-,*""."".ne,,-,";ffi
Figtn 2-2-3 se muestran estas curvas u tmffisfo
'.- de vqJo potelcia
)ih, t]d,,-- , ..p"T
Dicha figura muest.a la cacteistit ' --'"' '" baja lry(EuLd uc
de silicio.
suclo'
(o de colector) eo emiso com.
a somb.eada- a ra iquied,..es
izaient" ^ ta ,,-j'^:::1'l9."
t" uamada ;.d".;"-;";;;;.L"ti"o, la
:T:^:"j:::fg:]a colectoa-
emso de saturacin que efine dicha zona
emisor
ft'i"Tljlf,"i;"1'"ltiT
Oe bala Doten.;, lmcnn" ,-{- r ';
rr .. X:::
j i se -..-,
e
-picamente de.' r v
,, ".otv ;;-';;;;
.". raosisro._res de
porencia En et.r Ejempto
ej'..pr" 2.2_l ;;#","":,::.""::i::"_o_"" 1 ?, Y
ff;1"::J"
z ofrece un .,"p".J".",,i. i.,"-r."
li,it#_i.ff ij
Con relacin a la Figrra 2.2_3J se
-.. * advie
duYclrte que, q
rc quer?o!a 49 saluracir\ uo rcrcmenro e
er1
ta comeote de h"e
:orrienie.e bdse ^ ^;-i-^..:,
no origioa ir.r"maotn proporciooal
u'o Dcrcmento ,,rr.,, eo la crriente de c
colecto.

\/ Rcgin d. eruracin
/--
800 lA

00 lA

i' - RcSin ctiva 2q lA

15 20
rc -, = 0,1 a 0,2

-ls ul-
l) '- Y-
-10

[,nlf;t;l;. ,:;:i::l;i:HffX",1:-r1:onncu:ae,n en emisor comn der rransistor ,,?,'

mmn obsrven,e ta ' j ;;;;:;:':,i,f fi,,T:'fi) :: j,*:i"1#!?:T1l .-,
:t
 INTRODUCCION A LOS
CIRCUTTOS @N TRANSISTORES}, "

#.re::rur;#Fj{:"];."i"f!;'""T*,i,iH,:1ril,(,
corector-emisr
;i ;.#;.,;;'
"ilrr;iji:f
aprovechar,Que peque;a) pa,.
rara :"H:':
, _vatores etevdos de tunos j0 p; ""; ,;"fi;"#i" ta Figura
,v 2.2_3) ticnc

il..";:ffi JF,'"','",T;'lt'!iltri:;LffiH_,#::li
*+ff*#:k#;,,T.,n:i
t*ii:,,:ff,;:,base
v corector .' ffi
'.ouo"
..ir-i.4,,*#J*1i1Lrn
u va.,a re,acn
o.nau ,.
\

.frf;Tfffi li.,,-...'q;.i..i'.;tj,lii,fi t;:H#,f*"f,.,'.:":;:*?

.jff"ri":f:: d;Daro de rr prcricamcnre
l"Xi:':il:r#l no hay crrjenre de emisor

EJEMPTO 2.2.I

,:|,.'r'J":f:lill:"r:ij;]i;l.j,L.l]"_ resion de sat'riiin es importanre eo er

.'' ";;:i.
1",ff r:jl:,:;:'|" ;xH'';i",:'"Ti;t ili:
' '
'' :, fi il :
condcio,,c '" r,,,,.;"",,",ii".'1";il:|fi.;''"],i!"1, V Hrrr ras
.,.;,,;rr,
Solucn
,,1 I 5 V .rplic,ndu jr scgunda
lcy dc hirchhofl al cicuiro
$,,1"": bas.em\or,

- I.ss + IsRb + vBE = O

l"='u":Ytu-1,5-0,7
--l1- : o.o8 mA
r, = plo = (100\0,0E) : 8 n,.\
1E ! /c:8mA
lcr
Vcc :
IsRe = I0 _ (sxr)
- : 2v
Por tato, el transisto trabaja
regin actva (l/cE >
en la
t"cta de carga o" r" trrl'ji -) como muestra la
o,
lb) Plra VBs : nJ V,
'/cE.

, 10.1
--r -
0.7
,a- - lmA
-
Si tuviea que cumplrrse la rel?cin
/c _.. p,lr. dcberia se ,1. ll mA
e0 v' ro qL =
;,'ipo'iui' "no.'ni", Ji,il'i.,'1.,r y
!',u; J"o,;,"fT,;" y "' ." ,
 -.r"o -.
RcLo -'lt

-\:. r f-i.: rv* -- O

Q. = 1.5 Y
'""

; r,. - o,l
F9ura 2.2-4. Ejcmpto 2.2- i:
(5) lr) ci.cuiro; (5) .cra dc (:rrg

V.F = l/cE..., - 0,1 Y

Lr corricnlc dc colcctor es

t,,- -.. -- /rr--, l0

I o,l
. q,0 It,\
/R. I i:Q

I, : I * / : 10,9 nr.q
Ntesc quc cl valor clcrrivo de p en esta condicin .\pccial dc saruracio es 1c/1 = 9,9.

2.2-2. Modelo det transistor de Ebers-Molt

El modelo mostrado en Ia Figura 2.1-6 est linealizado no ticnc n cuenta la crcleristica
.
etPoneDcal , natural de una unin p/. Se considera que la unin pr acta como una
fuente de 0,7 V que puede estar o en conduccin (ON) o en corte (OF:F),
deendiendo del
valor de ia seal de enrada- En el modelo de Ebers-li,foll, que
se analiza seguidamente, se
utilan los diodos de unin pn con su cracleristica exporiencial en combiacin
con las
 l\ gr\sJrU}(!5

Dodo o idcal

Flguaa 2-2-5. tv{odclo dc Ebefs-Moll: (,.) orcuiro equivaten(c de un transistor npn que iuncione
6n cl modo nonnar, () circuiro equivare1e (n el modo irvcsoi(.)c'rcuiio equivarenre cle Ebers,MoU
completo-

fucltes depndicnles ncccsaias para epresentar al transistoi. Ei comportamleDro oe este

modelo s aceaca mucho al comportamiento real. Ej mod.lo de Ebers_Moll replesefa el
comportamcnto en zona de saturacin y en zona invcrsa; esta ltima no se tiene en cuenla
n el modelo lincalizado.
El cir:uito para el modelo de Ebes-Moll puede construirse considerando el circuito
equivale te lineaiizado de base comn, representado cn la Figura 2@6, para un transistor
npn. trab:r1and,o en sentido diecto. El circuito se ha rep.esetado de nuevo cn la Fj_
Eura 2.2 5a. El diodo ideal se sustituye en el modelo linealizado por uno no ideal que
represnta la unin pr; se aade el subindice ly' a ls corientes para indicar el modo
normal de trabajo, en el quc la ui basc+miso esr polarizada diiectamente y la un;o
colecto-hase inversamente. Ei factor de proporcionalidad (ganancia de cor.iente) etre las
corrienles de colector y emisor es a,, en el modo ormal.
 :#:t"".'#ffi'Ji"',:f
y l" *::jf"ti:-ll.LoD-
polar;zada diecta6ente
,::u,-:n,4 co! ra
uuesq coo la udtr base-colecro:
base-corecro:
represenrado en la Figuri
;li:,::g:.:1",? ;i'J:*''*;
t-;;"";r'i^ll
ivesa- Se advierte que este !uc el"i:;ilin1#*J:',*?::=
:ffi;i"::"1^1i^t:T",
"'
i"".:'* el moacro ap..J
subrodrce .R oara idi6f
:, *1":: :'"':i
circ.'i,-'.::* nomal con la excepciD
26".
que colector y emisoi estin
.-".--ri#li"il :]..1: T"o.
:]i.f; ii;'J;,Tff :iilT;tr':1,"";lJ'J,i"iffi";"';'11;*iHfr ffi :i:
o'Toi:.1:,::l*l:o'oq::t'*'"i,.?fi di
El modelo completo, ,'""'"1i,lJ,l
ias corricntcs son
1""'"1,1:^i:'j'::.:
-rioir-a --' _vJ rLu(o\ se represe[ta
-
son D la Figura 22-5r t

(2.2_1r:
l) )-11

Par expresar estas corieDtcs

eD rrmi"^. ^ ,-^ .
como
o siguc:
sieue cn ra 'cDoo en ,3i
os terminales, procederemoj
la FiB*"
Figura z.z.
2.2-5a i-., zsi" *'"il _;;il:
" .r"jl ;Hffi liT.ilT"i,#,lliH;
. tx = IEok%,|v,
- l)
En ia Figura 2.2-5b, icR
es Ia corrienle er
.el diodo basc,colector

tcR : Jr^lr.tt r
- tl (2.2-13!.

lil.l,l;Ai 4, -" las co.rienres de saruracjn

<tct ttiodo Susriruycndo (2 2_ll) en (2.1_i.

(2.2-14.

,E-tEN-tER
= lEo(e%v.
- l) - a^,ou'-t,, t) (2.2- t.:.
t-orlo ia = i _ c, Ienernos
qe

: (l - d)Id(-/v,
- 1) + (l - ds)rcok"-tv. _
" t) (2 2-l+i
t,;;"t'::'ifrJl'JT:.J:tr
srmrricos,
como se iadica en ra Figr.rra
ii.f,{'il.'l,i;';:i [J.t*#;# f#:.,::e
"-11'^";l-01'"'" a9 rorma que ar ! I y d j',,'
Adems, Ias
"o."nt", "-r"-tuilj# i#:;: .t:i"!!ruJ:T:.:;t'?,":]"
ras ganancta\
, esln rciacionadas por la
r o,0r
ecuaci;

(2-2-l5 t

de qF v
:fiir::l'l'Jil:
significativo quc 'r:jcos
.fro.
d dados a'reriom,cnre renemos
que rco sca mucno m5
 . INTRoDUcctoN A Los ..:]
crRcurro.
"or
**.rrr..f,
zona de saturacln

:ii.r"T.hi.r",::,."Tnr.
.,**;*$i?i,:":'-ti{#:;,,mffi
#j';::: T:S:"T.:l'tr#._?..: lifixl"hl, .1j,jl?,:",rTi#t'jff
.?;
:[
dF)lE&'-tY, in (2.2-16)
I ri,i,--r, ,. ^ - -.
t.1-J), y admiedo gue r _ tb ur., sc puede operar

, t",,tt, - tt^
hr, -:j:L
|= ;i-__ (2-2-17 a)
dondc--=-rl
-r".,o,1.;.oj'Jn #i;:::r:;fl:'eriijiJi;. .l:;,ilj,iiremo"s
expresar ra rensin

a,,= /,tn+!r+Hy (2.2-t'7 b)

;: sc hrn nomra,t-i"i^ ,nrilrn_ron

dibujo 1 ' f 7'rr n rJ rn
un,ransis,or
f
rransisror tipico
i/i" ":'ff""#,H:'fiffi ;,T"::T"f .'..l,i:1.,1,Ir ripco. En
Fn esrc
- '_.,'uut i refrc\cnf3nJ^ .n aosci.es u.r//, y'"n
orocn:dr,
S dcfinimos el flaco de
situracin .,
,c, en es(c cn ei quc
i/is -
csrc punro
" ;;;;:
runro a parrir a. r;;:i;;"]j'j.:.:1.l.
Z.Z_iJjtrno .igr", "'" 0.el. sc ho

D,t -'ver.-, .4htl | ",'r,,',,_ t!!Lr,r,,

: Ir tn to I + 1,. 1 q9i,r
Tipicanrrrrrc a,ohtr
> | I fr., as que Je sinrflrfrc.r

vc.u, - vnnk ,-(,r -, ,^,,,\

' h,, = ',\,'
'^ ,,) (2.2-11c)
*'o",:H'"H:k;,iT,i,ji;;,.:91 en,rolc:s ., : 285 mV
= 9,9, utilzlnd^ t)., rri ^_. , 1 --.^?:mpto 2.2-t.con
'c h,, _. lW,
hF( = O,ot e trlto __

;::3it:.:' :;ilisit,J;erii?ii,i{:: 1",ffm' h am.s

;:.;.1,i"":i:i""*":rfi .'l#tJl1"-,,"::i$*;: ji;ifi:l*zu*

corec{or-emiso *,u,,cn i.iuju,"."Ir:l ;:
"n ill;Xi,,"?: J:.n:;::,",";
/ orctrtros eLecmoucos

":!

., I
h ll

Flguta 2-2-6- Caracreristica ,i normatizada dc un transislor (tE > tc).

,,?: que
inclu_so si r/ru [pane () det Ejemplo 2.2-l]
i-:::: o:]l'-" quc 1 sea muy elevad. como
se incrementa tendjendo a
lll:]::
corector-emrsor permanecrr positiva y
+/L es mayol o igual que cero, ta teosio
su limite ser

oc - t/r tn ! ctanio
:; -
o (2.2-r7 )

Asr, con d :. 0,01, o., sc aproxima a 0,1 l5 V y con a : O,l, u., se aproxima a e057 V.
En algunos circuiros, como Dor eiemplo. ei seguiaorie
lgici TTL (sec. t2.2;, la corrienre de-*t""ro,
;,;;ii;;';'y tas puertas
iu"a.
Figlura.2.2-6 muesrra que la rensin colector-ei,i.*
mor.. ,,"g)i"]. i *"o" l"
p"J" i.g"?" .?ro".,., o n"gutir"
la Freura. 2_1, tecror !" q".j.1""-""irni.es,n de quc
)1::#1,c j"tl"*o:n,os:
\ud,uu : u, u.F ocbc scr nur.r t]mbio--LaetFigura 2.2_6 muestra claramente quc ste no
cs elcaso y quc,cuando ic.- 0. ur,
tn mucho3
- Vrln tl"^1, p..I,i". Ji "ri,
"",
de los circuitos esrudiados e este rto
sc oria"ra f"JirunSrto. oui
!abajando en zoa activa. En tal cso y.cu"ndo
oo r" p..r"nt. a"pr"*o*
ros aF como r Considearemos tambio que "*J"",
Vr._i x. 0,2 V paia Ia mayon:a Ae Us
apliccioes.
 INTRODUCCION A LOS CTRCUTTOS
COh{ TRANSTSTORES
99

,'*";':':,:::"J5Ji:,T:.H:fl^T:tl" 9' Ebes-Moir suminista eracones marem-

l::,,:,:"t.1*,"; ;'"il;;;il;.";iil::"o}:r.: :: ji::'Jlil?j:.ff.:#:4._.";
p'og'u'u' d' ;";l;;;p.,
i":fr?":#::l.t;#il;.i'il1i;ii: anrisis de ordenador.
.t
jrj, jfl .#*ft
*i1",,;
orros moderos,
trfi?ft f,}::.ff fiil,"."'#i_:::"trIilf
secciones
q"" se expoen
'";;;;;;';"0.':ff:'j:T;r?j^'isuientes
Modelo vlido para el crcuro
de colector
La distancia en verticl entrc Is
curvai a.lvr.pr.,_1. r. r.;^...- 1 \. , ,

if::.lAlr;ff t*::,,i:'ilfr j;ntii'i":"",."n.r:;il1T;:l

T:fi l!ffi ii*T.:":;'"":n':'.?:*t* ;'i1,ru[i"il !""". **,",.
::r::**h"rf ;;.;:,r*i::ffr :lifl :":tri{TTr'.:',j..;'i:
*"'i:
';; ;,'#,Jt*;11i'ill,ii,l:
rrer nismo
i'""t"';i:i";Xiili.Ll'A",l,il?:r:1"'es
;l',"":',:l;trfi l';;fi "f i:T::"',!ii"1,*,T.'i:':Jli",i:;:;liff
cortc y solo cs vlido cn ,onn c
.cucnl
[]':"1';.:
las rcgioncs dc
slufacin y
,.,i".:'o--":,11"-le
Iru;:"? ijf :::'.nl;;''";'J
i""'l':"]ff:*: j: ;li:::: Jl:"'Xyij::T'i,","? j:

Flgufa 2-2-7. Caracteristica de salida idealizad

dc transisror,rp,r.

r-:-
A
1
V I

Flgura 2-2. N.f.,deto d fuenle de c

.*,,-0" jl:';:::ji].,T:*r" sear der, ransis,or,/,,
",lli'jX'l,

.>.
 9rftt 2.2-9- Caracte
t 4p". ;;y";.^iy.,1"j':?"tr.;.,ffi;,?rru:"r":,Ji,::: *
"""i.ro.
i:.5lli*:i
Se puede avaazar un
io"r uy"odo uo" ."s--.r J'i j,l,li.'ff
i,"|,:Tt
te no n ura dc ras cu rvas
Figura 22-9. Paa uo","'"oil'.
t.ur.;it- i" ".:it--r"^wr
itHT,
rd ^utulc oe comente como
se muesta cD la
., ae crcvaao uarol ao;:il::l.Ti:';*: l;'Lgffi::'*-ente
cractcrsticas de salida l,l
de r0o kr:. coio-

clcuto de la rig*" u,z-ii1l 11"'t" ""o r'ru* ;."lilHf :?""?.;T;

r"" a"
arl*r.-a" -i""il
"ao,:o-""i" *;,...*ro'*fifl:T:ffi":"r:'"
..,:.;'.fi :..*;j:rrur.:l'*:llfi",#rui".$.,,,,u,,.x1*lg:;
*ffHf::?:T ff:"iJ i:T';Jx;;:
'
''i'i' -"'in; : o,' u, q""'i.,l i,

2.2-3. El translstor S.hottky

Cuado laDsisto se salura, el cxT::jte ca.rga se almaccna en las unioes
jri;*::.:**"::ft oase_emrsor

r.""r":fi i'=lltFil:ti.J":,.t!""1; ":ly_;

*:,::iii:-:::.'Il'._,q,i,.J,il,x1.;ff l;n*,";""r:m[u.::,T":::U:;
Hi'#i';*;i4";r;r'i*ii.}1;,ii}':fi'ri'mvmr,t;n
n*r":x.:i,**';*"j1$l*::i::'tl"'J:f'ffi :#;tri::
*:r=+.,:'T.T.r,.,ri;;r,'.m#H",fd#C'*.#H
ff;i:l;: ';T'::.0:' ,::l'i'':,' ".'ig" r'11"" {"J9. oi i,ll'" ** 0,.*o
;""'J
:5'J.'-#:::Tt";;:;lil::i:]ri1,15==,Ll;.T"-"1:Ti:,lji::11";
r;ffg""i" jtrtgr,y;rTii;:i:i*'-,iil;,h,#,:,?$fi,;{ffi
 INTRODUCCION A LOS
CIRCUTTOS CON TRANSSTO!J

tlr#
o
\e;
\sl
I t'/

)
j
Hg,a 2-2-10.- t'
"H'1:'T4:T?,ll1li:ilffiinnin basc-corecror cn pararero

v<=t0v

4=lko

/ = tAJ Y

Flgura 2-2-ii- Efclo det diodo Schc

en eroso o sin sed,
,",,ilIli::::,:liffi,"J:."'""," cre un

sircurto^r_esulranre se niuesra
Fllula 2.2.11. HaS,que advertir
en l
raE- v,t v.ln = I mA. Sin emb.rrgo, yoE
9ue
lu _r,i.nr" ..o".iir).,";""'',J = ll),.1 Vy
,,n"* o"o" p".,
I = I^. :t I
{2.2-t8a)
Como.la lensin en el diodo.,
O".O;r-y, la lensin colecror-emisor
1& = y, mA. La cor.icnte del
diodo ro es
(.

-;-
Sustituyendo (2.2_t8b) en (2.2_18)
queda:
 1.:9,6mA + mA
- hro (2.2-l8c)

Y, Po tanto /c ! lq5 mA
por larto, la corrientc
sumiDisrrada 0., ; i;;:"0::"'f;"j:":#J j
i.:.r,r:.lrr,;,,i: mA La conic!,e

2-5- AHALISIS cnrrco DE CrRcutTOS OOtr TRA[srsToiiES

E cl Cptulo I, el anlrss- de circuitos con diodos

se r,
ssD tres qtodos
il:'.X':;i"fffi9"t'ii"::! up'o*i-u";n-rt-;.I;f''u
,ff,""n:",:f
ffi ::*:,n:Tff #ffi a,j:.ttlru;ii#x)ffi :i
;r:trj:'d*j:i.:#l{!ir,ff S,l,';;l;r:n:i::ffi *l;:;:ffT
r" .".;,,"n"iu o..o,g-.-;ilT#ffi:j1#il::iffj::l:":i:11.:1";.i,*J*,il,i

2.5-1_ Et amptifcacf or bsico

r r mplificadu b,r rro
con un trnsrs
n'|uci'|rr
:;,[?:'i;"1i i"::,;i.'r{tlili,;:;:,;"1i::'i:n"':""T,:n::i"s'
,*k"";illri[:i:I;#;fr f';:;',1'.11*',',.:#j;T,tr:lrl;#f T
j,""T,;H.iT jq
J, :""#:;il. :: :lf :l;:,*li,# lj":
; JjH;;u,: *ll;"1 ";
: ! 2 t.L1 L,a,o"*,,,, , rr,.".,;"i1,.,;"f;i"";
;": I Ji:::A:1,],i,itl.
' uu = ;--:-
,\ | 1- ;-
t/-
f2 _, (2.3-ta)
R,R,
^-
Rr+R, (L3-tb)
p- Rb
' t+ VuslVcc (2-3-tc)

^ v..
^ (2.3-1t
EI orcuilo simpticado
r resulranre-del
en emisor comn
llflili:d.or se observa en la
;=;;"??"i:i":$,1,"..::1x,"":,H:.rJ::1t,ilT$:i:t*:l*T;l,i:"*rtl*

----
 INTRODUCCION A LOS
CIRCUTOS CON TRANSISTORES

lSura 2-J.l- Ampli6cador bsico en confi guracin

?8
crf^, ,.
"]
il

l"
)

i--
^ <- J
-:-
l
v fu
;< .:\
' 1 \1.q'- i 'aa
-t
,," .
=,_-___l I

k)-
Flgur 2.5-2. Uni simptrficrcin il
cmi\or comn ra)cquivatenre
oe crrcu,ro J. r,otiri?Jcron. ,, jll,."toJifro!o'.9n
rprricdor simplificdo: Thvenin
" t., cjrcuio d. po,r,,.r.,on.
cotnente de entda ,. ctrcu13n
lds ( ntes de pequea seat ;, : e
corrienres torales * .i',;;;.;;r.;.;orne :. po. ranto las

(2
?-2aJ
(2.3-2b)
(2.3-2.)
 Como r, provoca cambios en la corricte de colector, Ia teDsin
colector-cmrso tmbii
cambia y

ort:Vr*+o,.
t-a forma de trbajo del amplificador se determina
haciendo inicialmente r, = 0, con lo
que las condiciones de continua predominan- Se-calcur"
i.-i:"J,,r._"o,o .o
fr"r.
reposo-. seguidameate, con ; presnte se d"t".mioa ^i"r"?.g"
r" tio* q*,..
roai* *."
varian la corriente y la tensin en el crrculto-
Cosideramos inicialmcote r, : 0. Entono_s

v _,,
'cc - ucE rcl\L + tE^. (2.3-3ct
corno c = d,E iE,la cxpresin anrerior puede escribi-s
^. de la sjguietc forma

u..: rsa + R + R.) (2.j,3l

Se obtiene una segunda ecuaci utilizndo
l ley de Kirchholl para tensrones en ej
circuito base-emisor, Considerando cte nuevo
= 0 e el instante inicial,

I/uu irR, : or" * rrR. (2.3 3;1

Como

h:,Jl -d)
la expresin (2.3-3r) pasa a scr

t'uu -,u, = L[r. + (r _ a)R,j

v"u -
i,=
-
u"
R. + (l c)n, (2.34a)

Teniendo en cuenta quc I

- a= l/f ptta f > i. quc cr to tr:brrrr.rt. y cono
I cE? .i
no tray seial, con lo quc r,r, = ,),U, ,rl,-.
l.J {aJ pJS a scr

l"^:I'uu-laco
-- R. + R,lp (2.34b)

I.R. + r,ot = r*- n*o (2.34c)

descibe excramcnle^el circuito de Ia

1r:.:1":t.",
cttlltlo-de polatzacin en conrikua.
Figura 2.3-2c, qrrc s denomia
Este circuito es til cooo ayuda oceptuat
*,.,"1:r,o,": polarizacin porque es fcil eo los
de ,*or".. Su *o -J #i,iu-.i"n ro.
drlerencias enrre rrensisrores individuales
.r.as
* u:u proporcin de J o mq a r, lo que
pueden *.
q;" .i'p".#"-"rnplor.
,i ll *
]1".:
contnua. Por este modvo los circuitos *;;;;l;;fi;;: '""'-"
o. .n
se disean de for;";- "*,,0,
 R.> ,R . ,R-
p+r I
paa eaia las variaciones de
! debidas a variaciones de
. Habitualmeoc se tom

D_ toR
p
o n:4&
'10 (2.3-s)

estani bien polaizdo, co

vlj:.*f::::":::sistor
que el puto Q no cambiar " ro.-?l'";,,;r-iii,;.: uqa corrieDre de emiso corNtare
::.:::::" el::'*Iso
si se-s'rituye
coDsrare
t,,,---l:,:'Tlftiliva
por ouo con ua I riirerer. ,utlizando t'ansisto origia]
i::#:H#T g*rereote
puede expresarse como
r" i"d" a"a"." A';;;;il;;::;:;?if;"i
'cQ - t .o
(2.3-6)

doode Yoro ;t 0,7 y.

ls ecuacioes (2.3-3b) y (2.3 6) pueden
resolverse algebraicamente para DcE _ I/c4

: l'rr- ffr, -
(f + &)
Vct<2 O,lXO, (L3-1 t

(2.3 6).
J e.3-i),no: d:.n ta corrienrc continua
de trabajo der circujto dc. ra Figura z: r. p.*..r'"i*" (en rcposol en trs
^_F_:-1i":":.:
.condcones

forma grfica para dcterminar el va a anar?.alo ce

de colcctor en reposo) que permira
la mxima variacin de ,o .".n.n,ltj-ol^1iq{coriete

:: *'':nf '*"*n1i:*i':'""p T:T;fl:T;''i'r'ffi T'H:: :"iil?::':Ti

2 cnsidese 'la ecuacin (2 3-3) qui
3 d.r*..
ia forma d trabajo del lrro
"i..uito
;;o;;;;;ffi;;',"j,"ff
d; "n".,"i'n
:: *",I#'T,'"Tff f"ri::!;::,f"":,;
rnveasamelte polarizada. Las variables
r., e estn *f";"""a", p", _*rua,anru_- .,
Ot*"r, 2.2.-4. Asi (2.3,3b).eprescnra
xna recra de carga e coorinua.
ll^ri:l_n
procederemos a esolver dc forn:a g.^fica. de Ia misma l,_.r to : -:
rccla oc carga se <iibu,ia e Ie Figura 2.3 ","n.r; q;;;";; cl ciol. l. :
3a.
d1
^^_T I""" 3,re^o-q.nn" la trayector.a de funcionamiento de estc
0,t 0,2 V (Fig. 22..4) cr.rcuito_ Cran,j.- :,.
::1.1- :::
anrenormeDte;
atct que ct trans;sio.
sc *rl * Ll,.,
= I/tt""i,."'*ro"
cuando la corricte d,e coiector se
anula (Dct en este ejemplo) se ::::
que cl transisto est cortalo-
Hay que advertir que

r.-tcatt.
; _l
y u.r- ycre I D."

Por tanlo. como en el Capitulo l. esi posible

pnto O, como en la fieura
ih,,;..,,n^c
Doqihe dibujar -i* ';
unos ejes
- i.. con o'ii'; :
':
* Tn",- variacin de rr, Ios valores de u.. e r. se puedcn hallar
".r
construcci _lu
grfica de ta Figura i.3_J. N" *
utrl.::: r _.:

en crenta la no liealidad de las cracterstica-s "**'"..*tj;:; ;;;. r". _ ,_,,

del colecto_

/
 C]RCUITOS ELECTRONICOS

/,"
R+&

Rerta d. r8a dr c.c.

:

()

Flgura 2-5-3- Anlisis grfco: 14 rccrit .j. c!r8r; () lornr dc ondr

de f' consi<Jcrar's cuf\as I' conslantcs

.,r,,?:.:11:.".ti',trsin cn le caracterisric ries
crso dc quc sc h.yan mcdido para
quc sc considere. I-., ...,"'lll"^l^'1."".t1
obtcrriiju.rrr lrtir dc l Fiqura 2.3-31
tl t..rr.i,to,
no scal rlidos si ,".o,n,,,uoor p-b"t,l;;;;;;
, aror d fercnre dc
omrler cuando
/. p;;
":in":;:i:: :i:.il::*i:
se reaiiza un anlisis grfico. f"
-i
i"".r')._:
lil,:*
X: ,.:T ijj,fi*:it
;;..: i:i:#;: ; .fl":,fi::,::
muesra ras reracioDes enrre ras r..",
a-" ,,
rncemenrs tambin y a.. disminuye ,.r,J
Este
punros y de las formas de onda "i,.r^,0"i"i" fr""it".u'n"n," rcficjada en Ios
dc f" frigr," U.i--"-',

2.3-2. ,txma varlacln slmtrica

Una de las primeras decisi<
.. r"-"r..u.,, J"ipiffi '#llT.ll.; ::iffi ;,:"d:.";,:!ifi::ffil:T"::T::
ra recla de carga. Bto p:r.i,.,.1rl.
excursron de forma simtric
l" .o..,enr. ,f. ioi""-,,o.r" la mxima
"rp"r,.cnle
0,,''.or s.r";..i.u';;Xffl,Ti :i.,
""]:"X:T: .,l,:,,::ft Hli::*S-j*
tt
e
I INTRODI]CCION A LOS CIRCUITOS
CON TRANSIS|ORX
'':l 101

de funcionamiento de forma apreciable

ii ::-l.j 1.f "r," sobe la ecta de cag4 reeilos
",'""#:i';"u:i:*:o;"0
:illi::!
polarizacin para que el punlo
::,:'::::* x"lxa:rufJ'l:,i jj1".,si:
O( e cl centro de ra ecta de caga
obreniendo asi la mxima;"n*,u-"
l'''tuo,t,i"l,*do
Hay muchas condiciones baio las cuales
mxima va.iaci simtrica no es ni.
por ejcmpto. si ta ecursi
_la
:::l"li,g*"!t.. " ,""f
o: a recra dc carsa podemos clcgir ta locatizacin ,nu porclOo
f_1,^::i "uU."-*fu-"n-,.
il;;;;;; base a orres
i'iffi'i?l'llT;'xf iT""':lllllll.::'":::ll''ti;;;;*;''''*'--*'*-
se posibre. *" *Ll,i,l"'"Jf":lH"ffi"",r?il,'i.Bi,lll''-" cort como
"r
Como la crrienre de coleroi r" . ..
",.. ","- -."1"ill'",,T-'i";
p.qu";u,"",iJn'1"'oti,.Ji;;J"":*;T::l'fi:",; cct( RL + R,) (despeciando r
v.

.
/.^ : y--t2
::-
-' --
R + _R.
(2.3-sl

producir la mxima variaci simt-ica la. cor.iente de coleclor. Si se.aptrca

cornente de base scoidal para pro<1ucrr _en una
esta variacin, la corienre de colector
total sei:

il l-r

clondc
ll l- i,r,

rl i,i 1l

I-s limitaciones en la cantidad d. corriente quc pucdc circular de

tcsron^de .olector y ra potencia quc foma::-:- .:
puccic scr ai,;p". .".'0,r..,.._ __ .:
Lapttuto J. "r.ii."".;r,ii,
respuesta cjei :::':::
de p cn ,a
"-,H:'j:T:[it;1;];g:f:r:,:r::'.r"..
quc muesrra un punro nominal
d" ..;::f
puede vcrse con ayuda de la Figi-i :
-i-:j

,*r: ? /cc:6mA

Si tansisto original_po. uno que tenga pr:2pr,

-ahora ^sustituimos .el
correspondienre.
srec.. j.-
fj:Tal... al primcr lransrstor y ajustamos Rr y R, de foma
cor nente de. bs en el equilibrio con rine siendo je 3 'ari J*pi._, c.:: .:
l- rgura 2.1-4) a
el pr"i, rA, I,.-.

Itrua : 0 1cc = t2 mA lso = 30 L:

7
60 A'
50 /A

mPA
l0 ,,4

Flgura 2-3-4- Efecro de la varacin dc,sobre el punro g.ta)Fr=2Oq$)f1 = 4rX.

Ast, en l tnstor tenemos una mxjma variacin de tcnsin

de colecto, meras quc el
etrraruaci!.y, por ranto, en l no existe
:]::-t.ff::"::lti o. r.t. o l"
""uJon_
;-T.:.,:T:Trffi $.:"-TX'J"T: jlllTdaen(23'5a)*""-pii'r..*,q"".r
o" consta'te eo lugar de una codcnte
de base constare. l forma de *or"]:.:1" "TtTr
descado sc muesra en ;i ;j;;;l, ry.:T.""1,T::?.#:T1:r1*"* er punro c

EiEMpL0 2.1.1

tn cl circrro de i Figura 2 l_ ,:i : i\.R

cr nrrtmo despld.miento sinltfi.o - tkOyR.
- 500 fI Dctcmirc"c
crr la corncnte Je colector y
ei punto p.
solucn
l,a rccta d carga en continua se dibuja
cn ia Figura 2,3_5_ Con el objeto de
ci mximo drsplazamieto simtricc .c obtcnc.
el3c 13 coriente de colector en cposo
cto dc Ia recta de crga. As: cn cl

/co = 5m^ \ l'ca = 1,5 Y

La corriente cie colector cesta a ceslr puede alcanzar
lO mA.

Rccta dc erga dc corinrc conriou4

Flgura 2.5-5-, Rcqta dc carea oara cl

Elenrplo 2J- I.
 INTRODUCCION A LOS CIRCUITOS
CoN

EJEMP|o 2.,2
Detrmia el.punto de fulcionamieoto
rrreDto sietico eo la corriente O que prmita obtee et _r;_^ , _ -t \.
de cotector e el cicuito de
lu figu."_2;-.;*
sotucn
L ecuacin de la ecta de carga
para el ci.cuito es

9 x vcq i /ca (looo + 2oo)

donde se ha supuesto que 2OO /",,
de carga se dibuja como se rfstr
*
200 1.o.rsto es d * l. L ecuacio de Ia re.r
(saturacin), i;;-,;;;;;:,;,:-::"..":"1i":"ir:'ruffio,o.*o''.o, ., o,o
"i.;;
9
Rccra dc carga dc corn:Dtc
1200
pcni.nrc : 1
1200

Flgura 2.3. Circuilo y recta de carga det Ejempto

2.3,2.

ij*::,*"il""U ii"f iffru:m'sJ

ootrene suponiendo que ia tesin
d
;::"
cs
tr;* T,;i :ir"ff ff
ceo El lecror puede verircr ":
que la solucin ;-;;;;;;;,-"':,:i"-:19:
ocurrc cuando " - o.i ;",':," j,',t"1:':":: suponicndo que la saruan
dcspraamiento ",,,
.'l.o
mximo de.plazmienlo simtnco
"-'
,.-,",J ; ,f ;;,i I;;:::"p.lt,H.: i;:1.:
scr nue!amclte J.\ mA.

uEMpt0 2.3.J
Dcterminar R, y R, en el
Ejemplo paa coloca e pu Dto
vrro : 4,5 u.
2.1
'-2
Q eD Ico: 3,7j :---

Solucin
EI circuho de polarizacin en

ft ;:
eontinu

l1,i;g1g j;;;;;#"i"'#:;:"T,,'.,T"?,H*J'''*-:ff

r,: f: (loox2oo):2
ka

t
7a
/f ,:;
"' :-iL-T-'liOS :LECTRO\ICOS
- Ji
t1
r

. .tr, t.l
-'---...-,1
.. i ,r
& = 200 o
I'
Fgura 2.F7- Circuiro d pola.izacin
de c.c par cl Ejcmpio Z3-3.

Entonces dei cicuito de polarizacin e conua:

,'"": (3.ir(2w - #) , ro-i + o,? = t,52sv

Conocidas VDBy Rb,Rt y R, pueden determina.se de(2.3_Ic) y (2.3
l{.
^ - R^ 2ko
^' i- v*:r+, - r - rs :241 lo
r' ' v-- - a

r" I'i:s12 l(r) r ll'8 ko

Iin h priicticl sc ul;lizi,r rcsistcncias dc valores cstndar. Asi

,:2,2kO y Rr=l2kO
[stos yalorcs eslndar prra R, y ll., nr,s conduccn a:

t/ss : 2.1
l4:-
(9) - 1,4 V y n,:qflfrr.ro
l-a corrientr de rcposo resultallc cs cntonces
[Ecuacin (2.3-6)]:
| - n't
,f-^:L: tjt mA
'" (t,r)(2j)
Asi, debjdo al uso de resistencias estndar, el mximo dcsplazamicnto es
3,1E mA, cerca de los 3,75 mA. Como se ha despreciado
la tensin dc saturacin
es de esp.ar que el mximo desplazamiento sea algo menor
de 3,lg mA.

2.3.3. Colocacln arbltrarla del punto

O
Como_ previamente se ha advetido, el punto 0 puede colocarse en cualquicr punto de la
rel.d:cag mediante la eleccin corecta de las resislencias
de polarizon Rr y X2. El
ccuito de polanzacin eo continua puede
ser utilizado de forma ventajosa como ayuda
 fNTRODUCCIO^! A LOS CIRCUITOS CO- TRANSTSTORs
lt
paa eDteder el circuito en el procesc.de diseo. UDa vez elegida R para cooscSurr
polarizacio 6table, toda la iformacin que- se ecesite se puede-oilencr unr
dcl crcuiro
de polarizacin eo cottiDua_ Un problema tipico se resuelve, en el siguiente
elcmplo_

UEMPLO 2.3.4

En el cicuito de la Figu.a 2.3-6 calcula los nuevos valores de Rj y Rr quc

minimicen la corrietrte er reposo siministada por la fuentc
Dor la "
Supngase que el valo mximo "ir,i".ij"".
de la seal de entrada es tal que el mxjmo despla-
zamiento d la corieDte de colector cn tomo al pto es dj I mA cresra a cresra.
e

't,5

Ico = o,lS

R. = 20O A

Flgura 2-3-8. Recla dc crga y cifcuiro de polaracin de c.c. pera ei Ejemplo 2l-.1

Solucn
Con el objeto de tener un margen de seguridad, dejaremos 0,25 mA por cncima del
punto ms bajo esperado en el desplazamiento de la cor.iente de colecror. Asi,
como se muesta en la lecta de carga de la Figura 2.3-g, el punto
0 se localiza en
Ica : l mA/2 + Q25 mA : 0,75 mA. El circuito de polaizci en continua es cl
mostrado eu la ligura. Para elegir,R, se ha utilizado ei factor de l0 de la cpt dada
para la estbilidad del circuito. Dei circuito de polarizacin en continua

,",- = 10.?5t(210{10-:) + 0,7 = 0,865 V

 Utildo (23-tc) y (2.3-td):

R': I
-+,tv*:13ffi*:zto
E *":
*, = (, ko) - 2o,s kn
o,i,
De entrc os valores cstdar escosen
varor ms prximo inferior 2,'2 ka y R., = 20 to (se elie
<ie ,i, ,;rJit^{1,-- e

Esd'cio rpida de ls condiciones

e Iot
estil podcr hacer "it*it* trs,"istores A mcei.:.
"";il;;;#.1:lf-d" "oo
;:,':H::'J;n:;iff d,:"}!j*?trfff9ffi J:T',,::;Hii?".tr:
La_T
Con . conocido, lzu, se halla medi
con.jdcndc c; eleiio ,rn, o*i.'li : jffj rlj":$ lTl;"X ^ , ,,
,. 2.2
'
"" ", tj-+ n(e) = 0,6e2 V c r.o - 9P---!{ : o,e6
mA

.|.ilj:'.,i:1'jI'lijl.;:Jll"ti j,1i "')^'

pcro conro hemos despreciado
R,tr st px-:

somarfo
bn esia lrn(o h 3renros un resumen
del significado dc !a ecta
funcio;,r,cno de caga y del puntc ::
Re:ra de cargr Ll !cz. rstabecida
la rcct dc crea
colec{or. qu.Jan rot3lmeore
1t'.R. !
/r, en el circuiro .-
_a
defiDidos t*", 1"1""i,,".".11
que con rndepeD(

il,{ir,:i"j#ff:1.J*{;}i,i,,,,ffi:xT;xjt.:};l::.:,*i"f"il=
Ei d;::i:Jo c
impuesasp..c,]fi fuo;ff
*,.*g*:f :*iltff;1."r,:,T'I*?,:s.=
punto de furrioc: (Q) La rcd de Polarizacin
fuocion,,i.no .nTrcoto
dc carPa con elobjeto de obte
Rl, R, ! v.., frja el punto d:
c",n. *n'"f ."l""tfta
';-Ei:l"' z I v :,
cuarqr,er rusar
,ea a. potr.iz"ail
de recta 'ipu*";H::1il"ffi:fol$:S#,'i':
de car8a mediDte la eleccin
corre.ta de los componetrres
de L
 INT(ODUCCION A LOS CIRCUITOS CPN TR^NSISORES II3
lltill/ ril,r l, t l,ly l, I l,/l .r i:
2.4. CALCUIOS DE POT[rrCtA
'-i -"" l
: !tl
' I l,'ll" - | trlnt/u !!lll lhr cl (lircfio (h rrlll(xr(lolcs con trnnsis(orcs sc ccesta hccr clculos de potcncia por

,, i::r, ti,lht tt
||t Jl||i t
yrtlu Inr(la. I J I r.r {Itc los npilqrdorcs dcbcn accptar scales r un niveidc potncla
(ln{lo y firltltrrtti l lI enrgt n otro nvc de potencia
Gcneralmcnte muiho mas
clovr(lo) ()ttt rrrzrr cn qrrc lt)s clcmcnros cn u amplificador a tmsistorcs licncn
ll,. !rrirr. l, vnl r rtnrt.r rrrgrrr lt, li[ltr:lorc olrrr lr t;rrlirlul (lc potcnca que pucden disDar. Los transis(ores osln
,, l | ,r r rt, t," ,t|l!. rl c[)ccli(t|(ft,r (lo nct|ot(lo cor l nlxima disipacrn dc colector pcrmisiblq s s ercedc csta
r{lrl rrrr lrrrlr|||r,' l'ltt'
'l i, I{rr [r tr{.t rl t r! , rti f,,lirt /1,,,r ,;x?} orllcor!r(ln, ol trUtirt(x prcdc rcsuhar daado. Ls esistcn;ias tabn sc csoecifcal
do lcuolo ron h ntlxllrn (liriD:lcin dc potcncia, siendo tpicos los valorcs 0,1,0,5, t, 2 y
l0 W. ||tcrto (lo cl tnr[nr1o y cl costc son proporcionalcs a la esfrccificacil de potcncia,
lr.lllllar lr I t[ld. la rhls ]. rx trl{ {
lHt | ft | rtt,,r }{n tr rnrt ,t ri ,,r.1 ntcrrlro trntn to rlc tilizr n cspccificacin dc potencia ms baja consistc[te con l
rr&.H rdF. rnr,rri''rt|'htrrttd,r, ftr,Lr,,rt,r,r,r,r ,,I i,,,irrrl,,. ^ t,rl lr(fclclu rrl ([ri c frl)cl{ quc dhipc. [.'inlmcntc, la fucnle dc alimentacin de cc., quc
:.:.,,::'.lll']':',
rlll ltrtrrl.l"t t +l i.llr r,,lF Inrl{ttr.,t,rt, h , tr iti ."
.l '
,lFrlrr' l,r'!rli, ,l//l .""i, r,,,,,, l
pr'lrrrrlo n l', . c$ ctl'nz (tc proporcionr slo una candd finita de potcncia quc no
| prtF, .,, t Irr rlrrr pnr(kt irr rr(c(ltrlli. lin (:srr Nc{cii)n sc xlculari Ia potcncia suminislrada
' la fuc;te de
rlirrortlrl li r , l' Inrr(.rcix (lisipldl cn ,R_ y R., y ta potcncia dispada or in el tansisror.
l.t |lotr,||( tI It(ilirr rnri|li\t rr(llr por calquicr disposirivo lineal o no lineal. o disioaoa

,
( rr li, r, ,nl,Ir. Ir! i', h,tlld [rF.ltrtrt l rltlr,rr |r r,.r,, l,'r,r,t,,
| ,rrr{t,l .r, r,l,, ,l lrl"t lrl,r , | ,l ,l,r[,] f, | ,lll r ll trll
ll ltt ,|lt,,|l,,.
:1,:, t/!)t|) l (2.4-t)

,,, ', r"r llrr'! I

rlrl'll \'
'r" ,, ,1,' lr' | - lr,fi5r,'l lr't.'i .,,l r,.ll xl h\pdsirir,,)
| | v,rl, r '1, ,1,,. 1.. t.,r', /u tt.,t, l./I lrr\ t, r,,,,,,r,, (olllrrr lit.rl,ltl,. \ll( rr t);. cl (li\t:,)silivo
r, ,,, ,,t,.t,,, .,,,,,
,.lrtr't rtr,, t,rr r,tlrt,r,l,rx,r t,,,L rrltnl I'r.rl'lt',1, , , ,||| I ,
| r

| I I (. !nrii,l,tr f.,n cl ticnrpo dc r, (o dc /)
'

si
Sumarlo
lrtr ql ." I | ()
lrIri,, lr,trf r,'r I rrrr r,lr r I rtltlt,rt,Ir rl" l rr,t,t ,1, Irrf l ,t,.1 t,Lrlrt, dc
12.a-2aj
(2.4-2b)

litr'lrl rlr tIr{[. ll||n r,/ r,rt,rl,h,t.l l,r rfit rlf t! ,, /i /t, ,, (l',rr(1.
t ol(, r,'. rtrf'trr r.rrt,r.rt ,t1trrrt,D
r i ||, |, ,,It,) dc . /., i,,! virl,,'f.. rr,lr,,! \ r(/) c i(/) \,,11 r,I l cr(cs vrt l|l)lcs con cl ticrpo
r,,t,,r t,,i ,rrrri,rr ,f" 1,,,i,,,,,1r,,,,1i,,,, 1,,i,,,,,,,,,r"" rrtrr lrtt '.,
vrtlor lrllt'r I'll,r, '.. r.ntlrl
.1,r._r",,L,1.t(rlf ,.,r ,lrl,t rrn,rl ,lrd rtri rrrrrr rrr Lr , tr,rl ,r, | ,,,. ,,,t,,, r, ||.rnr
,.

,ll
rr,
;:.I:':''I|(iiI|||||I|'t|'|trIIrrrr,,rrlrn,,rrlhhrrr'rn,tr,nt!,r I r i,rr,rr
r.t',n Il,r r'\1,,r l,|q ,, ,, l ||,I||||||I|||,I||r| ,1, i , , r||1,, tj',t,,rt.rt)fs:
,,1,.,,ror. , I tlt)l|1,, I illl tl
| | rr\rrrr'r'r rrll, tI t'ti nr it,|| lr, lrrrt rlir
rrr)rrNln l r .l rrrtt|furnrli,r. r,Illr rr,trn r
l{{rl,,ftI,|llIr,rl,,,,,,,,,.,,,,""
lr lr|lrt r l, rlrrrrr
;l I',,1., t I jl, t/,"ill tl
ilili,lri:iiljiili;:1,ifl1,,,i,i',t;:'"it,,it;li,l,tii,ti,",li;,1r,":,,i,r;,::il1,,1'i:li; , l, ,..,<,t,,, tl,L:, r(li\t) dr
ill;l# llt;;':il'j:l'lll'l;,f,1,',,1 I l,,i,l,:lll::i:1,,;,il lll;llilitiili:lllilll;;i"::; t,,'
rrr {l$ tx)lnIrIt,,rII
-- t/., ., I jl, tltlilr) 12.4-3a)

,/

{t{*tdllnr;, :,,.1
 INTRODUCCION A LOS CIRCI''ITOS CDN TRANSTSTORII I T5

Entonces la potcncia mcdia mxima disipada cn la caga cs

ll""''" IJ,'''" o
e,...t^,=Iz,t" (2.4-sal
t,,,, ,1, rr,r , ,1, /{/) yr(/) | | { i, r)r (,14 .1r) r'r(licl| quc h polc cia mcdia disipada
'| 1l,t,,,r||v!! ,.,r,lt r,, l.' ,.'rrl (lc h t)o(cncrr dc Ios tr inos dc corricnte Apl;cando (2.3-10), (enemos
l,, 'lr ,l y 1,. l,'r ,1,. ,,,, f'rf rltc,nil
l'!td,i nr(rli! drit'n'lr c lr curga. Ahora considcremos el circu(o a transistor
I rl,,, ., L,, .n t)(fc,)cil dc c.. disiprda en la crga, P..., es
(P,-..)..,:
#ifu (2-4-5)

n,,.: lrl' ,l*,^ Para obtener Ia mixima potcncia disipada en Ia carga, la resistcnca dc emisor se hacc
mucho menor que la de carg, o sea, R > R.. Entonces la excursn de la tcnsin dc c.a.
pico a pico en bo.nes d R es apoximadamente /cc, y
Snt)(|lic,r(io i. scnoidl

' : 1'D cos @

l.ir potcrcia de c.e. disip.rtia cr la carga se convrere er

Obsrvesc que la clrsminucin dc R" requiere una disrninucin dc n,
[Ec.2.3_5)], lo
cual, a su vez, produce un disminucin de la ganancia dc corricnte (Cap. 6). Fr1 li
r,... - l!" n,.r:^*,. ,u ,r, prctica, parr cda grdo dc estabilidad hay rn Imiic infer;or dc R. iren(e a ls vari3cor:
de /t y de la tenrprat'rre Esio sc sludirrir e:1 et Capiulo 4.
, iT :
= o,.i" :il + cs2,.,)dt
* Polen.,r rlcdi? s!:.rirrrsd, r"ir n fu(il:1. .?ti:nerrlci:r La i)otcrc'a ineCia sL:niis:r:rc,r

La ::.uacir 11.,1 4a) sc hr irzad cn ia Figlrt :.4.i .onc funcin de d- paru f.'r i' fusntc o,: x!mr1,J'on

amplili.ndo. del Ejipio :.3,i. Co,c l^ nornci au,enra de loma cuar,ica co,r i" ; i. I tr
.il
_

pot3ncia de c.. r,)1inra si drs;pa cn la carga cuando ,/.. s mxlma. Si sc escoge P., ri t.,tt,h r,,1;,o - t.utlt = tc.rct) (2.J.r:
corfinle d rposo de.col.ltor qc J una rima excufsin, .Ju : J()
L potcncia suministrada,js coDstntc e indepcndienc de la potencia de scal en et
sLrpucstu de a!sercia ds distorsi!r_ Bajo ias cnd;cioncs antcriorcs, cuando se cscoja /(
pra obtencr la mxima crcursiD simtrica.

,t<
'" :fR, + f") (2.4-6/l

De donde
v]. r t,;)-
,-, c - t^
.,_-,f dond.R > R. (2.4-6.)
^at
Potncia media disipada en e colrtor. La potencia media disipada en el colccto . cs

t.& = 0,16?
,. : !r!' * - +1"
"- -
*"," (R, +:l.:,i.)i 4t
L FlSura 2.4-1. Relacioncs dc porcrcia cd
amplificador etr emiso. comtu del Ejmplo Z1
= +i" v(.d'!' tRL'
^; il":i' :l i.1.4-l)

r : l:S i lt .dtlh! q
 INTRoDUccIoN A I.os c-IRcUITos c{|N TRANSISToRFJ I17
lrlt'r'r,' t/."",, ri rr,ril l{ Irr.r!rr n||rrinislrr(ln por l:r fncntc dc aimcntacin
l,r , rl,lr Irt, t,il ,,l,r,,f ri t trt.rflrc cofrrcntc co ti|!ira y ltcrna dsipda Rcndmielo. La_ relacin entre la potencia dc ca. disipada cn la carga y la potcnci
'.r't1n. / , t t| li rflil.r r li..rr\r!', ,',,. lislr rcslldo cs cvidcn(c, ya quc la suministrada por la fucn(c sc define como rcndmiento 4 del amplilicadr.
| | , , I | , I |, , r , I i l r l lfrt. 1. rlIr.rln(irr (lclr. scr iArrl l^ sLrma dc todas las
Pt..- t:^lRJ2)
' P.c Yc/2&.
(2.4-9a)

I'1.. . P...t PL + PL (2.4- El rendimento mrimo sc prcsenla cuando la scal s mxima, ya que pcc es constanre
y Pr-, aumcnta con cl aumcnto dc la corriente. Luclo
| , ,1 rrr , (2 4 7) pucdc dc$rrollarsc despus de intcsrar ",

= 0,25 R" > X" (2.4-9b)

il (lca + I,-cos,lla' ar - 4e +
JI, t
;J" ! Estc tipo de amplificador cs nuy poco eficaz, y no se utiliza para amplicar o suministrar
potcncia. Se usa, sin embrgo, ta como se ver cn cl Capirlo 5, para amplificar corrientes
a niveles bajos dc potcnca (nrenos de 500 mW).
Pc = Pcc - 8L + R,)to (R + .R.) "'"
2 La relacin ntrc Ia m)(ima polencia de colcctor y a mxima rotencia de c.a. en la
carga es

L ij,i.ii.i dis;pad" ,) ci --l.clor [Ec.2.4-7.r)l sc ha dibujado en la Figura 2.+,i. Sc

qu la disipscin ex el colecto es mxima en ausencia de sca. (2.4- l0)

Asi, si utilizamos este tipo de anlplifiidor, paa obtener I W en l crga ser neccsario un
Pc.
^", P. iRt. t R)llu =
n,r*,
', n.,
- iii rransrslor capaz de rrabajrr con 2 W de disipacjn de colcctcr. Esto rcprescnta ur,
Cerrochc y cs(.r relacin puedc rcducrrs. nctabtcmcnte (hsra l/5) si sc Lrrjlizt un
ran
a,nolfic._
.i^r cl:"e B E r""frrr.r" n sc esrudi r; crrn J'a e cr :i C...i!:rr. 5
Crt lu ),ry.f prte (ic lri circ,rilcs coIi t,_,r,rsistores rle b.rir' .r.t:r:,:ia ia cncria
ci cl cir.ur,o de enirade t: pclu:1, <!c rnr,do q!e Pr- reDres. ! la disiDcin intcrr:tl
det rrnsislor 5i 'lor nrim,r je Pc v;cne dr<io sicnrrc pc. cl fbricnl(: y nc
soirreorsarse si qurcrc manteerse la tmperlrura dc 13 uni ccn,,o Je los
aCmisibles. Eslo se estudiar colr Ce!llc en cl Capt,rlo 5.
Eii inleicsar,te e irnprtatc renr ir crenla que !a ftrcntc Cc linenlaci sic
cnergia en continua. Sin em'oargo, la potenci til disipada en i carg3 cs polcncia
o sea. diiipcin resuliate de una seial de corrieD{e aiterna prcsetc en la crga. Solucn
potencia de alterna s gencrada en el transistor amplificadof y aparecc como
trmino de (2.4-?/). Asi, el aumcnto de la corricnte alterna armenta ia ilotcncia dc La potencia suminisrrada por la fucnre de alimcntacin de coleclor es

4cl a {15f5 t0 rr
gcncrada. Esto dismjnuyc Ia disipacin dcl colector y aumenra la porencia suministrada
la ca.ga (y a la rcsistencia dc emisof, en este caso)-
r,. i5 mW
La mxima disipacin de colcctor es el doble de Ia potencia mxima que se La potencia disipada en las resjsrencias de carga y de enisor (suponicndo una seal
surninrstrr a la crga. Po. tanto, este dispositivo cs un amplificador dc potcDcia senoidal) es
cfic. En bucnas condiciones, no deberia disiparse po!enc; en auscncia de scal.
cjcnrplo, considcremos que se usa este ampliicador en el receptor de un sistema PE= Ila(RL. -;j"
comunicacioncs. El receptor est siempre conectado, pcro no se consumc potcncia
i:(t)lRL + R") .{l
".,
menos que exista una seal. La utiizacin del amplificador anterior no resulta
para esta aplicacin- El amplilicador clase B estudiado cn el Capitulo 5 es un circuito = c" + n;(t"+ !)
casi no disipa potencia a rnenos que est presente una seal.

i Aqui $lo hcnos lratado la potcncia disipada .n cl cntuito dc colrcror, En la prcri, como s mu6rn
la Fie! 2.3-6, la luenrc 1jec quc suintrar por.nc tmbin l.ircuno e p.bnacin d b!sc. (pL + p)^,,- (r,5 x ro)[(5 x ro-r), + = 56,25 mw
"a#j]
 lrxcur tos coN TRANstsToREs ll9
I pot(l||cir dlsiprrrln cn cl trrnsi$tor vria con la corricntc altcrna dc
I lrrlir.rr1,' t) 4 7,/)

t,t t'.ttt.t) (,ft,_ 1 ,tt.)[ro - (R * n.)

f
I v,., utL + R,)r.drca _ (RL + R.tt
.= vtl,u (R,. r n.tt
Rqura 2.5.1. Amplificador cn cmisor comn
:(37,5 x lo-r) Y,:^ co condcnsador dc dscopto de cmisor.

I
()bsrvcsc quc l -.
mixima d;sipacin de colector se pesenta en ausencia de seal
- .

Pc. ! = 37,5 r,!iY

-ecta ce cars3 cc. der n,princddr
* :,1"":h:.t";1"
Ill rcndinrierto cs

el c!'ndensador cotocircuita R. Fara lo(ias hs frecucncris_ l-uc8o

.,
P, ;!:",R, il- r tol 106., ,ccia dc caga n ahern con p.ncircntc _ i ,n.. Enlonccs lr rec,"
hay quc loustiirr unr
' ?. v<.!.c r:)iiix\ \ i0 r 150
-'^
ras,sc.rrcs dc.c.l..; cic,.rri
. .'.r- .,,
"1i".r:,,
,.ro
:jc,r'r0o
:T,1."::"-:"1: ": r.3r por .r oun:o c;;r^,;.;,, q,
t3 seat JJ c.a. rr hrcc c.-.,. l.t /,,r. l. trabio C(bc:ccrrcr: .,.ui
()tjsiquc el icDdimlcnto cs i6,? por !00 pare r'"-.,"... Esre valor es m:nor p,rnio 0..,r.,"..
"eic S;(,rrnro< cl nunra O d. inoCo rlr,. ,( otr(ed un,,r,-,."
qr c: 2i oor
IltC [Ec. t2..1-9)] porque fi, ro.s oesprc'--iable en cste amDtrticadoi. ,1",".,, rrjr;",,.'i .'.
qr:licamente : !a Fieu. 2.5-u
Los iesultados sc hn rlibujido cn funcin de 1.. cn la Figura ?.q-1. La ecuacin dc l-rcct <je carga : akcrna es

;+&!-o
2.5, CODESADOR DE DESACOPLO IT,IFIiIITO

La resist. cia Ce emisor R. cs necesaia para obtener la corricnte de reposo de

deseada. Sin embargo,la inclusin de R. hace que la anplificacin disminuya a
no nulas Por t^nlo n. cs un elemento que ncesiramos en su pleno valor para ia c.c_ pero
quc scria prefcrible tencr un cortocircuiro para la c.a. Esto puede conseguirse concctando
r2. {; - '," - -f,t',, - '.'"t
un condensador en paralelo con R", como se indica en Ia Figu.a 2.5-1. En csta
para evitar la inlluencia dc 1a frccuencia, se supone que elcondcnsdo. ticn una
'' ,,1--,,^, = u.,tEc. {r.5-1)l
infinita;utcnccs e! eii:isor est al potencial de masa para todas las seales de c.a_ El efecto
de un condcnsador finio sobr la respuesta del amplificador se estudia cn el Captuo
El punlo de reposo de cste circuito se halla iel que anres ya que, para la corrier RKra dc carsa dc @ient
I
oontlnua, cl condensador se compofa como un circuito abicrto. La recfa de care @ntmuaj pcndi.n(e - -"+&
conrjnua se ve cD la Figura 2.5-2.
Ahora (enemos una situacin anloga a la de la Seccin 1.5, donde debeo
las condiciores de continua y altctua. Para seales de c.a. la imDedancia del
colector-emiso no es rR, + R. como en la SecciD 2.3, siDo simplemcnte RL debido a
Flgura 2.5-5- Rccras de casa cc. y c.a_ del ampliricador dc
Ia Fiaura 2.5_1.

..]9
CTR(jUT I(JJ ELTJSI-R(,NC\,S

l'n. Inkl[. r!r..'lf'{r ,. . I lro. ct,.,

'r '(0 -4(,r" .

vcral

t I vnl"r rriilrr(' tl( /, sc pfcscnl curtdo rrcr - 0

,r"r3
l\r rlitc|ljr lil crcursin smtrica mxima, el punto 0 deb estar situado co el cenlrc
ln (ctn (lc c:rr8:r cn alterna dc modo que

Sustituyendo n (2.5-2) nos da

Zrro = rro*fr
. - --:-
t.
vr-
t
Flqrra ?-5-. F.rmi dc ona en cl rnplifiidor.r rnrisor.on dc ja lisura 2.i I cando
esl ajlsrado ta. l.' rari:lla ercu.s,on.
::;l pulo cie rcpcso 2 [Ec. {2.5'.1)] es: iit!,rdo cri l, fecla i(.Rr = e-r quc pcsa p :
oiicr, Su inlirsrccin cJn Ia recia dc carg e:1 .,ontnua da rl prrrfo Cc ,c|oso ara
Ahcra que sc han trazado cl ounto de.cposo e y !a .ccla de crga en ahcri,:r, puedrr
ercursin si,trica mrii:, ccmo se ind;ca en la tigura 2.5-3. Par3 alcularo 5e l:
dibuj3r:e ias forrns de cnda d l corrienre y (i. l lensi5n La l'jur 2.j-4 indiia quc, al
prirr,ero l rccia cic cargn e continua. iuego Ia recta cr = Dcr que pasa pca el
ar!!rcnla r: arnenra ic y disiilruyc u.. Asi, i. cst! cn fasc ccn . t L'". est C.fasd
qoe deteirind l pulto dc ieposo O. La .,'cta de carga n aiterna se raza pasando por
I30' co respeclo s d e i.
p',rnto Ce reposo y con pendiente l/,RL. L3s .oDdicioncs de luncionamienlo dct n
elegirse dc r,odo que no sc superc la disipacn mxima de colector-
Ol-.svese que el punto de reposo ptimo tmbir pu.de obtenerse EJE.1PLO 2-5.1
sustituye do (2.5-4) en la ecuacin Ce !a rect de carga en continua : :
En la Figura 2.5"1, Vcc 15 V, R I kQ y R. = 500 O. Hallar la mxima
excursin simtrica de la corricnte de colector r el Dunto ].
vcc = vcsa + Ico(& +.1R.)

v-^
I ntonccs ./.o (para h cxcursin simlrica mxima)
*;t &
llsta irnportantc ccuacin dc diseo se puede poner en forma fcil de recofdar obsen,ando
qlc la carga de c.a. cn el circu;to colector-emisor es R* : ,f{ mienls ia carga dc c.c. es Rccr d. catg d. cor.ienle
./i." : .1lr + R.. Cuando sc ulilizan estas definicioncs (2.5-6a) se convierle en' @nrin; pendcntc = -10 J 1.5
Reta dc erga dc @iiente
v--
'cA p +p
,, vcc ucc
Flgufir 2.5-5. Rectas de arga para l Ejeurplo 2.5-l
2 + R,IRL I r &./R""

,, , r
 INTRODUCCION A LOS dRCUITOS CON TRANSISTORAS
Solu!4n
l'r lr I lr,,tr ,, 1 1 r, h,,, 1,,,,,,,t,, l.rr rc.lr, .tc crfir cn .)nrnr y :
arrcrDa. 1 = (6 nrAX0.55 kn) + O,? 4 v
I lrrlr/,rt|r,'r (,) i r,) , (tr, /i,. I trr y ,i.. t,S !fl:
,, R, 5I\O
, r'' .- l5 " - 1 -Y*,t,, - | --1 - 8lo
c rr^ t 1,, =-
.,.i r{, l.s/i - ov
(1. l,.r,rricrtc dc crcsr dc colector t,. r(, , o,
l..
- rj ta,ir4t) . t8.75 tO
cs prcs ,f"l
Empcando valorcs estnda' tcnemos:

Rr = 6,8kO Rr_t8kQ
ltMPL0 2.5.2
(r{iliznndl) cl punro primo p hallado cn et Ejcmplo 2.5-1, calcutar 2.6. COf{DEiSADOR DE ACOPLAMIENTO II{FINITO
circuito dc h Figura 2.5-6a.
R, y R1 en el

Frccuentemcntc l3 rcsislencia de aarqa dcbl

c coplarse pxra cor.icntc altr..i iii
Solucln . ."onrinuull;;;;;;';,
.1,:"r. cor,,"nre iiiiij;..,
Haccmos dd facio tO de a regta empirica para la esrahitidad dc
consiSuc ::: l:
l:":l:1.: intcrcaando un condcnsador dc acoplamrcnto wor6d vtrcaxncoLc cslo sc
",,;;::.a;iffi;,:.:i:,::
cntrc cl colcctor y l cilrga, cono
polaizcin, \. nJi.. n ,a r.id,,-- 2.6_r.
1. 1 Esre
- condenscio.r;;;,;;.;
-uso
:,:::j::::",.:iq"_.l ;;il;;,.;1":"1,lljl;.il;,ii,..
il:":l::,T:::"",,1,:.dc
lrs
ras kecucncias-ac ra.";"r'ii"r..iJ,i'Jl.il."J,i:,:"j:.Tl_,X:
cr::tcrstic.rr de frecuuncia Je mDtifi .dor se csludir cn cl \r'u(r
&-- P* - !rtrlqi-!9] =. i k(,
1...in
sccein:c ,..r.,,r--i. ,.._
". r.,trutra,r .. t,mr crL,sin
irs.:on.ircion:, r
..,,-..-: C. irfjiir.
ri!^,:... iirrroni,,)do
!olc,,iu.
-
' al,nitulo v,. E1 c
ca cr
sinli._i Ce a ^^firiire J.
L^ clullein dc l rcctr Cc carga rn conrrnua:s
Entonccs, por el cicuito de poiarizacin de c.c. de j^ Figura 2.5 Cc_> cxl
fcc - i"(Rc.r Ii.) " t.t 12.L-t)

)l:-D'sc.l:nd:
R/_ i/ n. csrn en prralclo yisros (iesde cl rerrrrinat
de cotcc!or, rcncmos
cc.llclon de -que
Ia rccta d crga en allerna

',a : R, +R
...-R,!! (L , ,v) (2.6-:)

.ffTjl;:;"",::.,,i:'"'Jll:: ,1.i,,,, d^" *.s, es visla por ,

lx i:",o";:i^,: "', "r".,'" 'a
Lomo (t.6:) es srmilur t2.5-tl. oui
;r:ni:::,:,^,ll'i':'.i,fi:',t".:x:":JtJ;,ff,:1"T"il:,Ji:r.ir:::ili;,,fi:l:

i.:R'+ Rt,,- u,,

- RJ, " - R., (2.6-3)
(b)
de reposo para una excursin simrrica mxima. (La
Fgura 2-5-6. Ejcmplo 2.5-2 ()cicuto;() cirito d poraizacin de cc. -":::Tjf :l,rylt"
granca oe estas trcs ecacioncs es la misma que la . t"r
inteDrctacn
corriente d. reposo puede calcularse combnando J" i" figr;; j.;:.l.;.*"r. *
{2..Ij } (2.6-j) Bto da"

l
-;l'
..
,,,t 1
\r1'
....

, :,. . ,: li
 NTRODUCCION A LOS CIRCUTOS CON
,,, - +(,t, n.. TRANSISTORE.S t25
##) = dR". + R..)

y.r rl p ||t' lc rc0oo. (r.

d @dcn(c alr..na: pcndi.tc
-
t Vrr, l/cc
n,"- i,'i n,.r.lrr, r n.l - a..;-n*
.n rr rr I ic tc rltcr nt scrl)i(llrl nrxinla de coleclor con cstas condicioncs
de polarizac!.

a=
4*ffi"4n;* or*",,

y ll| corrictl(c rnxin cn la carSa R_ ser

n
- (n" + nJ(& + llTn7./?;. T.)-
cos r

=o,sa=z'sme
. Yc,p - IoR." - (7,sX0,5) = -1,?5 v
coriente snoiJal d: c.csla dr cii. Cc.c,l,rcor cs .,"" = 7,5 mA

EiEiJDr^.Ar
-- EJMpLo 2.6.r

"u[ :l: i'r'" 25-r,.t.. = r.5.t.n. - I lic../i-

pu,ri ce rcfoso y ta cj(rursin sintricr mj\!rn:r d.: la corricnic
500qy /tr
dc,cjcctor.
- ri.o t,atrrr( -
fljjt;:?itili,i ll i: ::Tff:i:"j:T::.::,::,.::.,;',;:i fl,,;*::: g;i
Solucil
Solucln
En la Figufa 2.6-2 sc han trazado las rectas de carga
.. ounto
cn continu y alterna. El
0 se obtienc ms icilmente de (2.6_4) con R.. =-5OO O y x." : l,; """"

*{{i*;q:bi,jri-'-li-}ii'"Tirff ::i::h:.",r:*iri;::trJ;
fl,:;Tff Tiffiit,ili"l:, i?ii:iii,,"" 1.,'".":H;:::f Jffi::jl, lT

cag de-c.a. vista por

:*.j",ff]"
,." =, doi +
et colecror es
;i ;;;;"= H fi 1,1,:-ff (
J.fde 1, f;" : ::1..":t:
Ia corrienlc dc cresta
j:,::,i1il"":j:;.r.11:'a
antes utilizando
.*","".i". "'i"ii,Ii
el circuito de polarizacin ce c.c.
a" fll-i;il;;;;:l,;H,H T:l:
"i.
Flgura 2-41-
Amplificadorcon
ga acoplada en ca.
^ 8R- rsosoo)
*:2.5k4

i. ,:; -*l
 ^!urru, clrN xANstS,toRFS

Flguta 2.7.1. () Circuiro sesuilo. dc misorj (bl

crrcui(o !imDtificado.

Rcctn d c18 dc coricnlc rllerna;

l2
I
tr"
t0
Pndicnrc = -.i

6
*, ,,,1 \-
=*f _
Rata dc caEa dc coricnlc coniuaj

50ii
2

F galt 2.7-2. Recla de cig ) cscl uyitiar dc t tciin r stida D. ,.g!rdo

Flgra:.o-3. r-.1.r.rrre k.d...,.c.,nrr,,tr-.rtro..::(i.r:(rrrc.:r, .1\.'... dc cn,,\)r.

cir:uilo, ta ap:icecio dc ra scsunda ly de KirchhotT (dc

Lucgo r;,/ - +(6)i0,5i) I 0.7:4 V .--:l:',.i:sr: di
cnirsor-cciccror h ccuacin
rensiones) nl bucr.

r Ru : (2500)(1f) = 9,4 kQ
(2.1.1\
Como cl punto en cl quc Ia reci dc c.irtJ c,, conlinur
Con valores estndar, n: : l0 kO y R - 3,1 kO. -%c
cs
co .!l cjc r.. , se pucde
escata der, como \c \c c,, u r-isurx ,.i
:^.^::l':.-l1:|ry".,na
rcposo se slta cn cl ccntfo dc la rccla d. r. s, J ;i,.;;,,1"
ri' crc,,rlin'' dc ra
lcnn de sarid
"".
.i.r.i;;, ;;;;;;;i""i.gil"=,;i;,.,/r,.,),
2,7. Iscribrendo I.r scgrndr rcv rtc Kchtrotr ,tct ul,.r. ll,,f-.^,.i,-,,.,, .,,
SEUIDOR DE EMISOR .,,
ts=DBr+DE (21_2)
El circuito de la Figura 2.?-l representa la conliguracin de colector comn, o sc
dc emisor lEFr. El trmino seguidor se rellere al hecho de quq como se vcr, Ia rcnsi
Si la variacin con e tiempo d I)s es desprecrabtq tendrcmos
salida (sigue) muy de cerca a la tensitr de seal.
Al igual que antes, la red de polarizacin se reemplaza por su cquivalente Th. V,sxVE+0,7
obtenindose l circuito de la Figu,r^ 2.7 -Ib. La recta de carga ctr continua d3 este ci. o x l)" (2.7 -3),
tiene una pendicnte dc - t/R" y s indca en la Figura 2.j-2.
de modo qe la tensin de satida (sigue, a iu seul..
 NTRODUCCON A LOS CRCUTTOS
cf)N TRANSISTORES I2g

I ;1a,;x,t r*.:n'f * ::ti :..:"',x?.":":#f iil, ""r,:.#

t(

= t00

Figura 2.7-3. ScsriCor de cmiso con carga dc c.a.: (4) circuiro;

l/,) ..cras dc carga.
), ,5 ko rko
Flgura 2.7-4. sguidor de .msor con
.Cccalm.nlr. l fLsi\rcn. rd dc carg3 csr acoptnd.r cr rltern.rl cnri.or, con
indic:r s::! Fij.r:r I ?--1. f.as cor..s;.q.inles recas de !rga d" y
rccra dc cars cn c.a. y red de pota.izacir
lrJo (.n la Ftguta )7.Jh. Como anes. t mijr)a "". ".. _;
c\cur.in.,";t,;;.1"
c:i o t|],- tuga c,rnJo cl punro g esl \riuado dondc lit ccurcrn

i' = \!fr ''' = ;-ee

c.rLi ii li, '.ia d. c!ra jorijdnre conLi;ua. r_a rtrr (k.c.rgii
a, dc c.,ri.,,t(:
]':: .1" .:.-,c,, r1",, ! (..r unx n,1,,i:c,:k ,,,,-:
.,
:: :h^rn..d.n(.s.r^.r.,o.tr:,mplr:rrtlrl , ,r.. I t:,,,,; ::;t Rc.a dc carlr .c.j jr.lrcnrr. =
L:.rin.r'ir -..1,
.";,::.',:i",;i ;;;:
r/J1;cr\.c: qLc
oLrlcr\.c. quc.,l ,-.tu.t,rr ct
.'t c.tuttjar .l see,rido
eerrido Cc cri:cr llc|nos
trclr..,ri_,,t., Lj irjsmos
rraliza('o loj ,,,._^. ..
q c.il con5rirar lo! (,rji ro\ rmDl;ficalor< dc cnrr\n, fo'ar d. h S..r'r.c
tj.^ ..r.:.,r^ ^... , a"en 'o'
2.5y
I::i::':-i:-'l^':::l':tr-i:il'"
."lfl 'ot"'i"
c,, ,ruicn,.. cr er c,rcL,,. .;,r.,", .
'l:;r' ;;".;;.;"",.'^ri.:
ll'..", ll i .p"'.. .t'i.. crJn,ro nl i:'r,' ,.,,
blt.. I ., ,: cn,ia i.: sjrl,J, rc ,"".;;"t "i",.
.,;;r,;i: . ;l;,;:ill
:y;:1:,, ;.::H,*;J:['::. ?.,... lii . T .:iJ:l:Tf ':.i't"Tt{'" .J"i;
EJE]IPLO 2.7.I

l::::1:,::::l ::.":..de
Sc!ucn
r Figua 2.7-4 Fralr ros varorcs de R, y /i, que <jan ra
srnrrric de satid

El clculo dc ta rcd dc polarizacin R, _ R, para el segnidor de emisor sc ascm

1
i:,:':*1.],1":,r:::l
halla
*nriguracin ie
por (2.6-4) (por qu si aptica aqui.emisor "orn,i".
l"
esra ecuacin?): "o..i"ot" ""'."p"1i
.-" v."
R,, + R., (1,5 ko ll I ko) + r,5 ko - l0 mA
Flgura 2-7-5. Ejempo 2 7-:{a) rcc_
Ias dc cra () circuiro dc polaruacin

'' r:i,".}:i:]iit...,.,.,,*..ii:tl:',.:.1.{",,rl;itrlttiiflffi1
 I'n,r l crrrl,rlrl,r,l tn l"'lx!'/ rcin 'lcginms

Itlt, (l(D(1.5 kf) _

to
'
l5
It) l0

t',,, rl ,,,.,,,r,, (lc (lc cc (Fs 2 7-5')' Flguta 2.7-7. Partc en c.c. dcl scguidor dc cmiso. dc la
I)olrtr'izrrcirr
FiSura 2.7'6.
l/ = (10)(1,65) + 0,7 = t7'2 V

_ Rb 15 2.g Lo
l.uctl' Ri = = "-- ----li
1 - vsslvcc | - 11,2t2l

t/ 1l
/{r:Ri#=15:;:l8,lro
Fgut 2.7- Circuiro cqvalentc hacia cl lcrmnal dc b sc.
Los vrlorcs estndar qu.:: se debcn utilizar son

R1 = 82kO R:: l8kf! t'*

1

$^, n,u
Ccncralmentc ser necesario construir un solo amPlificador
ianrLi(b .lei pr!11o O con las \-riacioncs de 3 dcbid3s irlos camblos
y no nos lmp
o sufrl "--
fJl-;':r,,-
i'.'. i ,. I
\rts'r'J^r I-
'i*" *'" '
(
oudrr il nrar en la I ru'r:7-l La Figurr 2 ? 6
^, sul)r.mrJc t5lr'r lr'lrc s4 :lrmr f
sor d(' Lr rg,rr : :_l con A,
'A .n i'.o".f
lEu.a 2.7-9. Circiro dc i... cqivale.te complcro
prn po!.i3rcir por iryeccin?or La*.

jl circurio descrito por (2.7-5) est .eprcscnla.to cn ia Figu.a 2-7-8. Este es el circurto
lherenin equ'valcnlc dcseado mirando desJc l basc dei transisror.
rJolvamos ahor:r Ia Figura 2.7-6. Ilcicndo uso dcl eouivalcntc
Thvcnin. inrrodtcinios
La aplicacin de la segud lev dc iairchhofT da 11, y t/cc, como mucstra la Figura 2.7-9.
En este ejemplo, Vcc =21 Y,Vnp = l5.iV, n" = 1500Oy/}= 100.

lB=0'1 + (l + p)tsR"

,4ls
t"a
i,tt + lr - rrsootor ' Ino i'A
-
v R- v,,,BA
.,j |
voa
_ 2t _J!J: srLo
= t0_4

(En la p.ctica se usar un valor estndar de 56 kO.)

. Obsrvese que si r{2 = 53 kO y si el transistor se rccmplazase por otro, cn que /j fucse
50 en luga de 100, por lo que R.(1 + P) ! 75 kq se tendra

AgrJra 2.7-6- Sesuidor de msor con

larizacin por inycci por basc de c c.
 2.4.t.ParaclamplincdofdclPfoblcma]"2clcu|rlrpotcncjscfflPoso()sulfinistrldpor|
bateria y (i) disipda cn xr, R,. x.' ,R. v cn la uni dcl colcctor'
2.4.2. () En cl circuto d ta FiSura P2-4-2 hallr r.,
para la nima snntriqt d
'xcursin
.olcctor Clcult .l en csras condiciond
'endimicnto
(r) Repti. la pa.r. (o) suponicrdo que cl rrarsistor s' slura co V<t.^' = 2 Y-

{ Flgura P2.5.1.

"' :;l'H:,Ttl;';:.,:."i:,1,Til",,"ji;1i:1",.,1.1fa.:#::},i"'*".:,il.h1 /-tm

Flgufa P2.4-2.
.'
2.'1-3 Etr cl .i'uilo dc l Fisura P24'2' v,, = l'2 v t I :: 2c llalir Ia nxin" erc!s'on
simrrica posibl. dc colecto v el rend'mrcnlo

-
2.5-1.
- () I{alla' {r I'
v para que lco = 10mA eo la Ficur P25-l
ii rlu, Io .r.u ercursin'simrric posible d{ cclecro' cor' cstos !lores dc 'R, R' t
(,) D,bJi, lJ: re.rrs ic-r:..n cc vc marcando lcd's lor punr'\ de rFrcrsecoon
dc r v '.'
il n"p,'*,r. 3,fi;aucnre ia" Fximas rorms de onde o dislcrsior'das
. Fig{ra pr.:_2. sino i. scni.!rl ,:no sc
'nestra

i]: l0o

Flgufa P2-5-1.

25'2 En la Figura P2i-l sca Rr = lJ kav R = l0kl) Rcpcrir cl Problera 25-l

2.5_3. En l Figura P2 t'l sean = l0 ko v R, = l'i ko RePetir cl Poblcnrr ? 5_l
^
2.5-4. En la Figura P2.5 I hallar R, y Rr para la mrima excursin simrrica lositrlc
{ c lr :r'cnrc

de colecior. Espccificar el punto O er era condicionas v rpetir las parlcs lJ r

() dr

Problema 2.5-1.
25-5, En la Figura Pztl la mxima cxcrsitr Equcrida de la corriclk de colcctor.cs L0 nr^ crcsra
a cest Con cl fi de reducir la denanda de coieot sobre la tlrenle dc rlimcnr'in'
1.o
debe ser lo ms pquca posiblc. Espc.ific cl punto O v los valores oecesari'r '1( v R'?
Flsura P2.3-5.
sponicndo que el traf,sistor est en co(e con 0t : ^t

.r,:r& ,:.. :iti r. .:,:r r:r. .,str1."{,,

vr^vvvJ fx_rr,InrrNKlH

INTRODUCCION A LOS CIRCUITOS CON TRANSISTORT]S t39

'"'lil'llll,'l:..;;.,l,llJiijl.ii,l;lll,ii,i,l,"J",&,.i,1tt.,,"#I;ii::iJ:"Ji[::i
2.7-1. (a) Hallr la mxima cxcursin simtric
f,osiblc dc , la Fisra p2.7_t.
(r) Reprsenlar h foma dc onda de r suponjcndo cntra scnoial.
i""

Flgura p2--1.
2.-2. () Con rcfcrcci a ta Fisura p2.6-2.
hrll:rr Rr v
potble de la co'ricnre de crrs. 'R: nr I nr'i\inra e\cr!n Flsura P2.7-l-
f/,J D,buJar las recras de ."rg. ai c.".
v . ..
{. } xcprescnrr tj n:rjr j._ n Cjlro;onaJ-. 2'7-2 llallar el punro ? v la nrrim ! sinrrrica co ra Fisura p2.?-2. Trazar rodas ras rccbs,:c cr!a.

Fi9rira P2.6-2. Flgura P2.7-2.

-Z'S :. g^no, R. en t Figura p2.6,j
para ta m\ia tensin dc satida
sjD(,r.ica fr. I7.1. L,Frg_ur P] 7,1 hrll.rr /, r rtu. /.? = 5 nA. Rcprescnla. t im ,,. no ctirorsionrdr
-[n cstc vito dc /
cn u

Flgura p2-6.3.
Flgura P2.7"3-

..-U."*g* .',1;.... *; ,, .;$

 ?,7-1. Cofl rclcrencia a l Fcura p:.74.
() si ,, ,;
() Si u
-0. hala
= -J v c.c.-ha a u"
kl Hallar \ pa? u. Z.S V.-
{l Hallar r. y r; pm=cl co e y t sarurac'on
ra, r(.pr6enrar u. n f uncin de o, para _ 6 < D, < rr. F sta e. ta.nrc.r et tri.a J.
del amplificador.

Flgurc P2.74-
2.7-5. (a) Repfesertr las cacr3|hlrcas
Cd tt en funcrn de ,c,,
tb) pu o p ) dibura, tas tjnear de Jarf" e, conri",.dety ,rr.,-
trsisrcr dc t,:
I'alar^e
de base comn. ,ot," r,,
Hallr la maxin! u simica

\ , lt -
t> --
2r -,ro!

Flgura P2.7.5-

-" i*l;':;":'lll J;:';"3"'n''*; o''

fl ii''il'lffi!f'"=

I aW< 5 e rc,'
"
ta ?,.1- 2.3-l
 3

El transistor de efecto de campo

oD u ccl N

otrc tipo de transistor quc es particularrnente adecuado para utilizarlo en

integrados es el linsislor de e[ecla rle ca..npo (FET), que se fabrica en
tipos, el de efecto ilc campo de unin (JFET) y el de efecto de campo metal-
conducto (fl0SFIIT). En trminos muy amplios, el FET difiee del
dc unin esludiado en el capitulo 2 en que es ur. .li:;t'sitivo se"-il1^
h tensin que tiene una impedancia extremadamente alta (tanto corno 101{ O)
'la impedancia de salida relati\,amente alta. El FET encuentra aplicacin
r los circuitos digtales y analgicos como amplificador o como conmutador.
fLa irnportancia del FET es consecuencia de cuatro de sus propiedades. La
es su tamao fisico; comparado con el transistor bipolar de unin (BJT),
I0SFET es tan pequeo que slo ocupa del 20 al 30 o/" de la supelicie del
que ocupa un BJ'i tipico. Los NIOSFET pueden, pues, ser imPlantados
iy densamente sobre un chip o pastilla de Ct, por lo que son ampliamente utili-
en la inlegrccn en grart escala (LSl). La segunda propiedad que presentan
M0SFET es eue cn una pate de su marqen de funcionamiento actao con.to
de resistenia contolados por tensin y ocupan una superficie mucho
sobre un chip que los resistores de Cl correspondientes. La tercera Po-
es la esistcncia exlremadamente elevada. Esto significa que Ia cons
rie ticmpo dcl circuiLo tle cntad cs suficientemcnte larga para conservar
carga alrnaccrratlir cu la rcrue11a caracirlircl dc cntrscla dutontc ol ticnrPo
para que el dispositivo se pueda utilizar como elemento de almacena
0 chrnrrrrlrr rlr' rrr'rr,rtit rtt los rrirt:trllor rligil.nlos. Ln crrnrtn propiedad
6!u aptitud para rlisipar una rotcncia clcvada y conmutar corricntcs intcnsas
nrrrrorr:grrrrrlrrs. I,islo sigrrililrr rrrc srr r:orrlulncin cs muclto mris rpida
los IJJ'1, Las tres prr-rpicdadcs pritlteras conjuntodas cn urt tlis-
rignificn qrrc ruurkrn inclttirsc las funciones de muchos circuitos difeetes
de silicio rlue si)lo colIienc t0Slrlr'l'. La culrtn cuirlctIrliticn l\rr'
r c'l Fli'f coro conmutador de alla potencia y Blta frecuencia.
135
 0lil \ lrlLL;tJit t1c lo t\lttt,._
I clll los (:lr' 1llt" (ili
)orrrlyin ,ri-t^*^ ',,,
::,::l:.:l:: :,iplemcnraria (cr,rr, * ': ,,,,,", ;;,,, ,:llrtrr
rir (rsrl)rr( ,, tl' ,,,,,,,','
es estnciirlnrPntc,,.:_:_:,
nul" '1""
i",.,i' "'..'.,'l: l;rr;lis. l.,rr lr,l'r' Ir .tr
f,,".i^-^...:, . "" ,1(urncls Isl(, (.;r)iJr,, ,.. ,,.,,..-
"ri-^-
pr",,':ll . to comptrarcmus
r.or r.l B.l.l..

3f, lNTRoDUcctN A LA TEoRfA

DE FUNctoNAM,JE+d,io
I rr | ,',!,, j l v ,
,
r\ l r r i
, I . I)otilrizl(lo.
ur

L, Jll]l cs[a reprcsentado r,,squemticarlente

DEL
\7
.,. '"trulurd Lrua I{'r clt re y con su sinbolo
? r 1 ef^ tp*ii,'
fi,,r. .1-f.
'l ,,'1',,,,,,i1,,, tt
rnpobrccn,tn!0. Cuando se
'.r -:-
t.r figura
en l:1 sinboro dc r cir .]]ll]1, li..l,l aumenta ta ten.
to":l: dc.ttna r"p1 Llelgrrir tlr rn:rrr.ri:i ^ (,lrl.r'os 1' (,lcctrorcs) se alejan
en r, unio,.1,r" ron_
n cou d,,s,",,rr.,^'o,,riior""l t :;:,1 ;]i l'I 1l],]l
. j rfo\.ndf.^,^.
.,s , ,..*", Sy
.-surldo: o J Et el u.ttnatTor
drrr.r.dor tr,
/, 0olliuntniente
],,1.:
dos conlactost -^^.: i , r
. .

ll I , , r r r
rectitrcadors. r ; r , , , , , , ,

ffi;i,",T?",,il.1,1,T"i,:'.l,i:,:,",::,1,,u,:il],i;;,1,,,.:,ti:
;*.:::,1::;:"
rlrr da ripo p er q,.,. .r'.,"n"i'.i'i"
,;;: ;;ii:i,:lllill. l,,,i'li]; ,,,;; i]

i1'

(d )
l lr
l"''1"'u' ;
Fj8. 3.1-1 EI J-ltT: (a)
csqucrna; () sinrl)olo ,t .ir
.1r,,, ,.,,.rt ,
( |

ttl
tl=
Para cxrlicar cl funcionamic t'J
.. -
ff::lil*i:::|**T''ff":i
de aplicar un
n"tJ*,"i"""
llequco
L,,,'11,,, (rrt'rrr)
'u illl,l,lll'^,,,'llllllll';llillll,lll'1,'l
Altort lsltriir:rrros
'rrrsir cl e

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rlrrrrlo tttIrr ,l.l-ii1;. La tensin Vr. sc iianra canal
lo.qrrc strccrlc I)olilllzl(l() lttil Irri. i r' r rr r. l .. \ /ensirin
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regin ccntlal rlc longitrrd |,r.,r:.j,,rr ,i,, .rr.i,,,:i,i',,",
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crc*roncs). c",", r."."g."
:;:,;lll,;;ill'll,l; i' 1,,,,,],,'1,, l:ii, illll:l rl,,, r,,Lr,,!,,,1. \lJ.r,|,,,)irnro()nchof)i,cscgundo,0,sitlific.quc!r-<:0\..
lll 'r',r
 I r15 A _ pndlenlo de l r.sisle. a
, iniciaL del cnr
ucs-0v
n
| | !-La tesisteci del canal uoenr
I / sbido al aumsnto ds la rel'
I i / do ompobt'lminro

,ll / =-.:--.------f'

\l I .5 6 18 1920
irrq. .J.1-.! Caractcrislicus del JIrli'l idcal ( t cs Lr
I'oo = _] BV aso)
rl \ I L ' I' trig 3 1-5 C'actcrslica ui (lcl ,FET'
'rirl:i.ine casi constalte 0ualrdo l'D- rit'ltlcttt |or,r:IrtiIrl,r r':r l r irL rrr'r " !| I
r""i,"^* .*a"afll en cl IiET v cs!i rclrrcsrntliln
L colricnte dc drenadol' rDl a'Jltl(llILii rritlarrlt:ltltr
(lllillrrlr) rrl rrr
lrnbir cs [tLncirin de Ia tensin ptertr-srrtidor' Ifstl
tientle :r ttir'':lltrstr ltr ' / t ..ir1rLrr
ltt ',
,,,,, ii.,^. po, encirna de Vrn, la corriente '1" "'
!e tcnsi cic fitpt'rttrL /J\'1'r) r' Lrrrr lr' (3.l-:r)
,,',,'i;;,;.;;;"J" r"" esiguat r^ 't (lil lrllf\'o fiLj)l lrrLrl rrll [ir,,r"=lt\'rrr+ucs
I (rldtLcht (st.c.\".,-. ...
.rv, "
-/ ,) rJ \ul
^^Irien[e a''Lnr']nta
dc tLna 'Ltrlsiirtt li]l' 'ltItr tt"t ' :0 (en este juego de caractens-
Consideremos ahora el manrentliento .r.,"Jll /11,, , , , l.r lrnsr)|l ,lt ttrrltrra Para ucs
'j ,, 1 ],'1"l li'1l'",,',.'.' ,, t , '' ,fJ\',. r:s lrr tcnsin de ruDtura para unadirectamente uo" arbitraria'
Y la variacin de lq-ter-u.puerta sqttidc'r.,cLrrr:\:.::'].,1], \'l]
l

aunle.lan(lo lL rr'1ir'rrr de
i't; i;';*. t^ ";tilr"ti*" inversar.eltc' 't";,,i;,,', i , t, ,,,'i',1,',',",,1,' \' l ruPtrtra clel canal dependen 1,1

i'!
ilslo qu1 dlstttilltrl.l t,'1rt;
,'rii. l, l,'rl i,'rr r lrl\'s dc lt unin canal en vez deu""' yaque Ia tensin
sutitio hacc expresar
ir'r*'"".^i. ""1r" f" puttt" v el
uo'rientc i;'' rr(t' l'r l' l],,.,,.,,,,,,,,,
puerta' es interesante ti
;i"i";;;;i ; "u-.nt" la resistencia(1cde sle Lr rcgin t,l I l) r (:J 1-2) ett trninos cle uo" H
"j''"'li 'i.1.: ll] llll ii.',.'i,' , ,,' ..* ,i,,,nr,1'," lr tr'nsir prrerla-surtidor I p:-t-lilt:.l"tt1t'::l'i:
,
de
,,:,"il;;";;;;;.iii*a ta tensin DuerLa'.la
;';;;; ;;;;d; _":l.q::^,i.: :.":11::l :;:iili',n jl::;:l'":'L l,i,ll ; lii,, ,r"',',,,,,,r,',.i'uicnto nrs ancha En priurer lugar venros que (3 1-l) se c
tt
dt
Entcnces la unin Pn eDtrc la Pu
;;i;;';-i" ""*""te desde la e pucrta irastr el s9r;;'}r 0rdinrrli:rr.rtl' r'' - il
Lirl'r' ''"t rr,!; : l',,'j - ucs : Vro..el el estrangr-firiento (3'1-3)
i"";t:;;j.lnei de tipo n motlolat'rc 'ro1l$ t'"t"-srtt
co rric Rt(-lull'llll'.l"'1.
o i|;l
d
r,ii,o o tigerarente positivo para e'"itar r"lr r,rrrrrrriritt porlemos ioterpretar 1'oo conto-tensi
ne,cesaria entre el |ll
"';;";;;;;''";;;, q"; cuando .'aria la tcnsi. cle pucrta , lr rrrr
se observa l
'rt'ir y lir rrrLrrfa para producii el esirangulamiento Tambin
si
i\suvezc:rtohace^qual:l]li *::1i,g.lTt"_::";
d,,l;;;;;i,.:;;.J"^tolasistenciarleeste :lll t,,,,, rrr,l,',,'rrrl.i0ntc dc,cJ
"l ,"t,la tensin de ruptura tambin puede ser
:il:;'i-,;;;;;"'i".i'.r'ti"', i," obst'esc quc es.lr 'ariar:irrtr r1' lr Irru
l'rl'i'- "',,,,',.in i <tlrtla cn (3.1-i) pala f:
-' "oti" 1i,; asi pucs' el t:t.:: :]ll ,:]::]]lill] :ll
EI
rrur uc
sin puerta lo que hace qut
de Pu!!q lr,, l.ir ,lt'sigrrttrtios por BVr" la tcnsin dtenador-puerta
necesarra para Ir
niientras que e I tratilsistor tle uriin es un disp.silir, f.q
sil c la fensidn,
F1
a ia coienle.
r6ua 3.1-5 ilustra un conjunto
ttPico dc c rmctc r'^"1:i:,:'], llYDc =B\ts u"' : BVso (3.1-4) f:
La
L4 frgura
t: ':^....,
!--_r:n ::":]:'
(l(l - i
.IFET con la tenq!-g!\.19!!a-$utt1{1!!'como- p3rmrrtro e'.lre dcnador Jr pueta es rglal a
i,i*i"'0" r"ffi- ;ir.** " i. : 0, \' l. co rric'1,. ,'1
l' ". l::l):::"li :]]
lAol r,,,",,. lrr l.rrsiil^ clc r.uittura
rlttlirrr ',.edida
r!,,r'rrrlunt nrctliria cuando la tensin puerta-surtidor cs cero
y no cs
t1
i.l
;;;^.
;il;:':: '""i" i'-i"",v" "i'r'1i''i11111",11'::ii;"'L'lll'lil,"i
tcnsin o:""1-o:l-:"lj]1"":^el q\r(r
0 Ir' lr,:.;.
i.]
"i""l,."","rnoten air*inuv" La.
r

nt rrtrt entrc cl de cstra ngula m icn to irl

::;;;;;;i;;i;;i;'i.* d"d"' rrrr " f I'r ,,,rr.',ici"lc. rlrcraclot-sutidor comprendidos n
"p'o^irrrrr Irr,l,rui, a lo qlie se llama regin cle saluracin puesto qtle i^ :::t]:r'j:
tnl.ulurlo y no canbia lpreciablet nenle en funcin dc u"' la corriente
de
u" (en el estrangulam ien to) : \'o
: \'nu i trcs H
kl
lrrrlc scL cxpresadl aproxinladamente por ;l
rlc las caract
Asi, cuando Dcs:0, V,: v0, colo cra
espcrar',Pa1a
[f,
: t;:.)'''] r"" <0
': -'f
ngoiu 3 1-5 la tensin dc cstrrrtgularnienj,t" T"::::
''l';'i;';;;t In r"*,""p",*.itr
,,i ;;:t";i;;"t
negati'o no ha-v corricrttc dc d 1;
i,,. r,,,fr * - ut (
(3 1-i, !{
lt
m
ll9 $l
 (). i.,5lrri I1:sLlLi{dos y (:J.l').) s0l lIl(lol)fn(ltotrt.rs de oDs.
rlon l{ lrnr.i3lcs (lr(lli}dor-slrliLlol cntnl,rr.rrlirl,rs lnlr,. 0 V y ,.1 ,1,
/amicnto sc dice quc cl FET funciorlr crr Irr rc4irr /,.r1, yrr r,c' (lOIn0
' qdn
". l
en la {i,'." I 1-6 la,
figura 3l-5, l. .^*i.-t. .tr-.1^"rr,:,,rll'lo:
c.orrl:nt0 rlr:n;'11 "',"ri,t^. ,,,. -. '
,.s rrl,roxrlrrlrrcntc \ I Aislador ds dixldo do 3ilicio

porcional a tl-s corno si lucsc un csistor nlineal,r. I-lt ecuacin dc -""" I

colrienfi
..f.
esta rdi.
regin i cl f,,^n^io1^
funcionamiento se .o a
da c .rrro cn
ms adelante .^ /c.\ -.
(3.2-2).
Ahora se puede demostrar que Ia corricnte 1,,0 cs inYesamentc
a la p0tcncjr. de exrnente 3/2de la temperatura tr
I?a c. T 3t2

La depe;rdencia est ilustrada:n.f frSl:"^1:1-6 cn quc la coriente

est nornalizaria con respecto a ,!o(?r :25'C),
1

La tensin dc estrangulamicnto l,0 cs tambin ur ftincn cle ia

re f ig. 3.2-1 nIOSFET.
de marera nu_v anloga a [a de ia tensin basc-cmiso de un BJ.f : ::,

A1/,0 --k A7' k:2 nt\.i l'C lfo, Cuando Ia pucta es positiva sc induce un canal de tipo r eltrc el su-
y el drenador (lig. 3.2-2) por lo que los clectrones salen del surtidor y del
y son atraidos hacia la puerta en virtud de su potencial positivo. Cuando
ta la tensin clc puerta, el nmero de los electrones atraidos hacia el
por debajo de lfi puerta aumenta, aumentando por consiguiente la con-
d de dste. Cuando sc aunenta la tensin de drenado se foma una repin
to, que constie o estrecha al canal, La impedancia de ste
t's >) t,ro int hasta que, cttando rns -- Vt, cl canal se estrangula y su impedancia
ser infrnita (rcalnrentc, lo mismo que en cl JFET, la impedancia nunca
a infinita realmentc; un valor tipico es 100 kO). La regin de empobreci-
en la condicin de cstra ngu la mien to est reprcsentada csquemticamente
figura 3.2-3, Un ulterior aucnto del potencial drenador-sutidor slo da
0
-15 50 -25 0 15 50 75 t00 lrits.
lt
1-C Cor.rcrrL"
taren'. norn lizxddc ,
.,a un ligero aurncnto dc lr corrientc drenado-surtidor.
Tnrperatufa mbenlo Ae ta ten,p"rat,,ra, cn el potencial drenado-surtido cxcedc de la tensin de estangula-
so forrr L,r "gi4n ,lc cmpobrccimicnto r.ntrc cl drenador y el canal,

,t,tlry]!9_D_ucctN A LA rEoRfA DE FUNcloNAMtENro

'DEL MOSFET

El funcionaniento dcl NIOSFET es similar al del JFET. Sin t

diferencias bsicas dc las que resultr que Ios .NIOSFET ti"n.n nr", ,'s << fp
c impedancia dc entrda ms alta que el JFET.
Un MOSFET de canal n (frg.3.2-1) consiste en un sustrato de rino n
sc han di[undido dos rcgiones n+..Estas dos regioncs io.*un-.f "r'r.r
drenador. ErL cste dispositivo no sc incorpora realrncnte ca'rl
alBuro en ra
cacin, quc pueda ser comparado con el JFET,(ng. 3.1-1 ). La"iuerra
se;
cubiendo la regin entrc el drenador 1,el surtidor,o,, unn aru'o
o"
silicio, encima de la cual se deposita una placr metlica (or
esta for
la pucrta con nctal. ritlo ' un se n icon d rrclor_l]i:::l!i,t sLi'nombre
" et
0r,lirr:rrirrrcrlr' .e hcc funcinna rl itlOSFl.ll' con ry,
urr norniol
r'tctta-srttlidor. F.'tn,s lo qrro se lllrrra frrrrr"iorrrlir.nlo .i ;;;;;;;
",,
l:.t.:\.2:z :.l Jl()\l l.f t,of,tchj d. (\lr.,nBrl.,IriIr',.
 ms rmporunlc lrus'
.1 ing.,,l,,' ,lc tlLseno tit circuitos
la difeencia
I':.-*
' enriquecimiento es que er cl margen dc [un-
'

lr# "l .i irurr.liT Ltul morlo de

como u" debe ser.losltrva para
q
L:'.i.,i,;',i' t;tt, uo. cs sicmrc positiva
quc se fornl stc' irnirianrente
$"",1,^i"
ur cirllll y uotno ro liuyo co;rientc hlstil
t'il
{i:11 li]l;;;;'i 'i''"""u"' "t*t"dtdcunatensinpositivallanradalcnsitt rl
h'#l lil;.,.',u"1' .,:- y?:ij;:,:i3;l: ;:':;T;:'i:li:l'i";""iil,:;
: I :-r',n^ro, I
o"' llll,lr'"lii,'1, il nu. v,n, rluve
Aqui vernos
ra corrrente'
ae'-'?'1
il
Llrenador-strtidor es t
ri"-i",, .lc .strarrgularicnto !
l'- uDr (cn cl est ra rgulamiento) :ucs-Y'Y Q 2'1a) I

cnd\) 06. - \'1',.sc ptoCuce cl estrangulamiento n

o," -0 V y
r1 Dues, J
'f .""it"tt ()bserve;c que (3 2-to) se puedc escr'ibir
Jlii, n"'t {
u", (en cl estrargularniento) : Va" (3'2-1h) ii

Fi6. 3.2 3 L,l \1OS6ll'r r]rr cstr'trrilulrrrrf'rri' i

""ll"'ii'i:',$
il,H,I::'ffi il#i',i3J;,i\,llll':' il:il;"1'llL"l"l:'l'i
it"".1"','*:::*:ff1.i:.tiil:i:i"1,"'''o''ru"t'' -
'l'llll,ll : r n'r05err

il.':il:: tTii$"{. li'iil lm *,**. t trhim **

il:,,"#':'$:T'[:"" ili:.*:n":XilX;,#':i:i r cs simi,ar a,

"o,'.E
,, J;:";:; ::::;1T"":,il;;-T:$T: ,:' ;H,Tf .1' J:i:::i:'.,':l,ii}
;i"^ 1'":'
""Xll i ; I; n e ta' r en s i d p u e r
6 8 l0 ll 14
;:,, ;:',*"fi "i'l"X"X'
L.ig. l'i.2-5 Curacl0ristica del ltlOSl'ET'
'i
el estrangulamiento est-,determinado
'Tambin en esta ocasin vemos que
ri" i""rii" p""tr"-sutido En la hgura 3-2-3 se. observa-q::":t,l1t:,,::l
y la puerta'
.f e'strangulanriento est coprendido entre el drndor
(3'2-1b) indica
"rrt"
;;;ri'; ;i p"";,o o * .pu" runcin de un' La ecuacin
j el otencial en c cs sulrclenlenttnit piiu t"ot"t el estrangulamiento
"tto
ecuaciones para la corriente Ds por debajo y por encima de la regil
amrelto son;
OJlao aet estrangulamiento (regin lineal):

iDs : k.[2(rcs V.,.n)u" uzo o5 ( u5

-
l,* (3.2-2a)
- - "l
encima dcl estrangulaniento (saturacin):

ir, : > tt" * V'l (3.2-2b)

- Vt)2
k"(u"" uo"
lo' Ir'f'rrri ,l,l
,.1r,{r\llrrl Irro
|!l()sl]l"l 'trt
 ., I lrslllli(. i, \lctr' dada llof 'it!1rr1,,. l,rr f(rIrr)r p del fillO5f tlrl se llarna.sis/rolo.
En la figurr :i 9_4 ^l
.,:l - t,. l ,rrnn:rJorfnrnrn urr B.t I. npn.
no." qu. nl .rirtlr n,,_
t" lll w l.',,,;','
,t. que .'r ujf ;-;r;;"*;;;11,
/ ' 2t r. ;. Por trn
11..',j.l
lnto,
I cn la l.I::l':ccjoranos
figura 3.2_4 cl sustrai o est conectado
r ,,. \Tr\r^crirest.,. srempre a masa. En - gc-
6r-
donde r : moYilidad de los poriadores en cl canal (electrones en ej sust;rto
'rrrr) ric rn Nl\fOSFI.lT concctado ai potencial ms
Ni\I csistcn tc rn el circuito.
: constante dielctrica del xiclo debajo de la pueria
j tensin dei sustfato afecta a la tensin
I- speso del xido inicial V, y a la caracteristica
il,' : dc. prcrta ctet rf osFEr. r,u g".^
ancho del canal tt:,.0-"
in d0.*.,i.1:]
Ia tesi'l:nsin. r.i_i"_"..r."
.L : longitud del canal umbrar v. con las vaiaciones e ia tension
surtior_
,r cn un M0SFET. Te:,camcnte, se puede demostrua
ou""--"'
Las drmensiones de k, cstn exprcsadas en amperios por voltio
entre r0{ v ro z. un npr d;,;;;il urx(u"o\ x V rr(o) + Kllo*
::t::T::': I:,:'i1"::,Tl"i:"9,11"
rctrie comc baja resistencia tiene una reiacin anchu ra
:, /longit ltVf u d
por tanio tiene una k^ g.ande mientras un F[T.diseirdo
-\, pr.u q'". ,iJ
lta esistencia tiene ulra azn lV,. v oof Lanto rtrta cqueria 1..
t
Frq inrtnre
Es^intcesante.comparar ,"
la ^^.111:qit"?
ecuacln cle la colriente." , iuijsilll
.."'l
:f:1::::ll ji.:11::u^ .olla ,corrienre er er rFEr atta re ,-1. ."
normatizamos (3.2-2) poniendo /po
:j.,,:',
1'oo : ::," :"^Trl1'1:l:"
V.,u, por lo que =. A^yl
-
io, L u""
It + _:-- \1
|
tpt \ lon/
-:
La conparaclon, representada grlicamentc en la ligura
3.2_6, ndica qu
caractristicas del I{OSFET y del JFET por encima
.1 ert*igui"nl,rnto
casi idnticas. En consecuencia, en todo el resto
O" i.,rio irionor.ro,
el IIOSFIiT "rt.l.y .u"o.lii.o,
y cl .IFET siquen la caracteistiru dc In
n, r tu 15 '"
,3,2-7 Variici(ir rlc l.t tcnrin uDrbrl (trbi(tr a

rr
o, ilpct Vs, Jrs val']acrores dc la teIlsir) sL(.Lidor

u.r^(u"r) cs ia tcnsin rrrnbral corrcsponclrcntc ra

a tensit sutidor_suslao
u(0) ns ll t"nsr'irr tl,rtl cor,,i1pondicnte a 0",,:Q, y
t" ^.^^^-^:- ,., ,
de
1{ es una cons-
.propoicionaricra -que
ocp"nac. Jc r" ;,;.t*;;j'
a, mpleados cn Ia fabiccin
; ;;ti:r:'.i";:il:
lntre 0.25 '. l.
dol FET. Los ,"1;..; ;;f ;;; .o",,,p."n_
"'
cotiretrte drcoador-surtido txnbin
es afectada por las variaciones de
lllla 1:l:,::1.:1,.1"..all.f cua1a"."-bi;l;i.;;;;,,,i,i"'.1.,,"^",
f vue,, si cl
tensin unrbral. por r:je.mplo,
IIOSFET est cn saturacin

r - 'lrs .- urr(!.r,)], : k[u", _ Klt\s],

VrNe)
I"ig. 3.2 6 Crct
- (3.2-5)
rricnlc-tensin dc fgurr 3.2-8 cstiin rcresentados los resultados
IfOS y del lrli'f du cxpeimentalcs obtcnidos
x5 ll 1,rt
vc la snilitLrd de
h N{0 s lljit. lrl,r, , 'rii, t.rdo dL' rnodo que u,n:0.
0,8 -0,6 -0.1 Cda crrrva licnc Irr
- -0,2 ,forma sal,,'o rl lrnslcli)n originrda
raclcrlsticas. por las vaiaciones de Ia lcnsi,,r
rcl)rcsrntrrlnos el .lFlj.l. rlc canal
n y cl MOSFET por el slrnbolo
quc rparcce cn la figura 3.1_l_
Cuando sea importante dib"j*,;,,
 l
j 1-1 Llrr Iil I , urrr'ft:rllo
t0 n!#;Jill',l
"
l',1'i,';'Jii'l;:l
-t5
""ii]'ll :",i .;,';l' .ll:l'.il I.
:'!g. 3.2'8 Uorfifllt(: (lfcr)rI{lor sLlrLL(lor tn
rle la tcnsin puert_sLrrtrdor Parn var0s .- ^h.prvxra rruc l. reversibilidad dc los teminales del tatlsistor es nica
uos \' ,lc ln tcnsin sLrrlidor 5rrstfto l-ni curlas
Prt' \'/;. st invi,:rtcn los tcrminales dcl BJT dc modo quc en un transistor
(lil,(rj(1as rr \ '
-.irt-lCt. Si r:rnisot-colct',or sca positiva, Ias . caacter's ticas ui canbian con-
|fna.j i;;';;
te porqus la lelacin entrc la corieole de base y la corielLe Lle
(l('l 'Ll\lfti) flnillc
csqucm part mosirar cxplicitflnuntc llr ltllsin ".- h.t: i,,) sr: convictl.c en rcltcitt entre ll ccrricttt dc base v ia
sinibolo dc circuito I'Il'l' r0Prestnll(lo n la lir'{ura lJ 2-'l invcrsa cie cnrisor (trn '= l+e o) sta cs Ie razn por la cual cl !lJ'l
cs mucho nayor que !a superficie dei
es'simlrico: la supericie cll emisor
y
oior el ctop"o clcl ,:ttrisor es ttrucho lrayor quc (t dopado del colccto'
?D

FET DE CANAL P
I
I

p
.B
I

En la figura 3..!-1d est reprcsentado un JFET

de canal p y el sinrbolo clcl
,,""":-- L- lo cst cn Ia figura 3.4-1. En un IrET de carral p el surtidor es positivo
] respecto al dlcnado. De aqu que el surtidor se la len/ dc uecos que
.l:
ia lravds dcl caral hasta cl drncdo.
Para contolar el flujo de huecos desdl el sutido hasta el drenador
debe-
ula regin de e mpobrecirnie nto :4nlre la puerla y cl canal a fin
estahlccer
I ( obtencr lr c.trangulacin. . ., . ..

t:.. tt
il .,*';
t I \11Osl:l l ' rrrstrlr trtrlif itanrcntc cl Esto se"c consigue haci:.lLlo .
haci:.lLlo.',,_la r.nsion surtidor-prta
surl. r$r; sea negativa
Fiel3.2-9 Simi,olo tle (r'uilo l" u r" fl
l3 nolrizacin invesr d8l'diodo pn iormado
iorm por el canal y l puqrta.
te la
lianlp polarizacin inversr rn
,

3.3 REVERSIBILIDAD DEL DRENADOII Y EL SURTIDCR

El FET se labica usualrnente de ltorlo que el clrcnador Y el surtidor

ser intercambiados sin cambio aprcciable de la caractcristica

ri l
rnuchos fabricantes qe advierten que sus FIl'f oirecen posibilidail de

tsimtical. Por tanto adoptaremos el convenro ctc que' cn un li'llT de

tfucntc del lltrjo (le elctronesD,
el sulido es el trminal quc acta corno
el drenad,or es el teminal en cl cual (rentrant los eLccrtrones'
ds
La figura 3.3-1 muestra un FIIT conqctado entre una fuerltc
una rcsis'tcncia dc carga Il". La telsi('in t]c ptlclt V"" stl alttsta para

corrientc en el I"llT. Si u, es positiva, le corricnt(r circLlla

circLrla {icl
{1cl toaal
llun!o il i1r I
r'l rlrr:n'lnl r. cl
v ia cairi dc tcnsin cs V"b:' 0 lin cstc caso pttnlo
cl o cs

,* I *,rrti,f.r. r:,r',n'j,, 1,,r'r'.:li r' "l fl'ri l rt('s " r'r IIl' { el \g,J

lrnto o y la call rlc tcnsitt Vn" -

0 '\llor'r tl rtrrrlo rr fl srlfll(lor (lr
l:ig. 3..1 1 ,lFIl rlf c1lIrrl l: l.r) \'istu rsqLl0rr)llic; () srrl)lroLo crrLtlrLo.
l, ts cl rlrt Irrrlrr.
 5

'/'r) -)v 16 l8l9 l0

I
u r's Do
--'
Fiq. 3,4-2 C,tllcterstics , dcl .r.Ii,l dc
c:tral /r.
(,' )

ngurl.l n.2 eprescnta un juego o farnilia dc

!u p. Obsdvese
.,.. canal
de Ia sirrilitud cnrrc cstas
caractejsticas ui drr un
tJ corespondientcs a. un JFEr "".,, "t*ir,i;,,;;:ji, .",r.r,,
;;;;;;;";.";i,';,,.,r. ,,,
:,1..,::fi1,
t't':-.*,.jr,:1:ll*",so,^usu
! rcsl)cctivanrcrrc u
rl,, ,," , ,,
J,t_3c csr,Dsc ':r^,1:ii:"
rcpresenracto esq uer ricamen rc n r,rOsr
,,,"::^,:.":19:,11
sus caracteristicas i lo estn en la
figura 3.4_3. El ,irnoi" i" .i.""*" .,
al del NMOSFET excepto en oue^ la_ flecha .rta inr..ii"- ,..pJ.,o
O

as 3.1-l o 3.2-e. En ra'frsura 3.43,ias ,14

t."ri;;;; ;;; ;i;'oj*lio, o"rr,
cn ]:: il:''i lincal. Lelr
dispositivo funcionc por dcbaio rtot cstrangulanricnto i"-:,'::'-
it,t ".r ". ";,;;" -", la rcgin
1 ",,,,t"^t^
^.jji,j:,1_.::'.lpre cr potcnciaL., p;,:;i;;';;i';i,.",i",'n.,l
,". ,,,
entre,el sustrato y cl drenador, y el
:"::T surtidor ), ;i ;u;;i
"r,u"
i,li.lliTli.Xll".".l :i:HlT,o"oes
indicarras p^r^ v
".ii v,ll'..,",. ,sr,V
o":.1" cs sien.ipre n,cnor rlu!
-.y".; so,. ahaidos quc ta tensin
d
por l:..1::::1".9:
lo que los huecos del suridoi rsrlrrol ode
fnrm, at
foman o--r J_-, , '--l-- hacia
q!o la puerta
'4 lrurrr y' lror
y, po cor
co (l
L_
el canal. El denador es{a tamblen a menor
r.,,^^^^ potencial que el
o..l:u:: tlr")::.::del surtido so,r uro,tiao, l7v^ w urclduut i ii::;
nnr to ,ro t^c
;;;'ri,*;;:;
lrig. 3.,1 :l Lt 1,11OSI:1j1.: (a) esqucrna; () cllrctcrfsticas
,i.
E'- ,,_ nr^.F-_
ocurre el estragularniento cuando
rtavcs q8lrJ
:: es
pueta :l,,l.l'],".1"i
igual a Ia tensin unlbral
lal v-- l-^" "";-'-:;::"^i"-
la .:1'"'""
tensin rlrr encia dcl estranguJant
V", Con valor Lt to (salllfcir)):
ll --- este
tcrr
pn.
cn ar !,f^.l es suficientement,
el punto el potencial
Pvlcrlcral t
, negaflvo cor eJpwwlu
respecto d a (
Ia tcnsin
LcrtsrulL uer
del
cerca dcl punto o para que la r'eglon .!D =,, /i,(/.,, - l/"r,),,r . . V",,,
de enPobreciniento quc forma u.rn .. u",. (3.4-jL)
cstra ngulc .r
cstr,no!:r. cl canal.
""-^r valocs dr
,_ ii,
/i, para
pd,d un
u,r r_nlt/)1.f.,1
I)lOSl..t,1. qu0 tcnga la ntisnra
Dn la figura 3.4-3 se utilizan nucvameltc geomctfia (JU0 r
las coordenaclas irr, tr'
quc son todas positivas v resultan cmodas, Obsrvese que Ia ,i ul rercio ,1. 1", n,iJ,,t.o, ro, JJror",
corriente son Xll,,illi,lL'T:i.ll:,r,rt:,tfulics
cor.r)arabics a ros h.lriitrrs
l5mo riuc :trrtf., suI,,,l{l'r,tltls,;rara v.".
'alorc
cuando r'"o ; Vr,. s

Las ccuaciones para la corriente

i" de un P},IOSFE1'en funcin nrie)".,,.,.,
n las nusrrs , ,, ,.,..-,11 ! r", ccuacioncs
de coricnte
oe corlcnte de un
,. ru. r^..
ias r1,, r-r'
uusiiil:'.'L'-"LqcLrulrcs
s0Il i
,Y4, ! Y,o'- "'ur( por lo que para un JFET de canal
Por dcbtjo dcl cstmngularnicnto (lcgin - V;,,
ir(:al) rul-\rlolis.'|.' \'r, r,,lr ro rI,:rrlrllles I los cic
. Y l, y designarcnros por Vru, ontilircltr0s ios sutt-
tso :
- ar"ol
kol2(u r" V,")u"o ( _ lrr, V- la tensin umbral excepto donde puerir
- oso !"c iuna arnbigiicdad.
 M{ii^hccunr""LU l, (:rLLLlu1,,u,LLU, "d,Y u,d dt,LLdut

Itl fOSI'Dl pucde scr tanrbicn fabricado I)tr fun( iorii rn .l ltrlo de "r:0, p.'to nortllalntcnte cs Incnor qtLe en el Jl-lr'1" La corlitllt(l (lc
5c inicia ricrmr:nlc cLlando u", lJegl a set mayor
qLlc la tensin tlega-
tohrtr:nienlo. Iin un NIIOSFET hay sictlplc prrsLrnlt till c;Lnll irrr:lus, ,,; li""'unrt.t l-,. I.nrrr cstc llisL)ositivo los fabicahtes cspecilLcan V' c 1,n.
la tclsin pucrla-surtidor cs c0ro. l.ln csLc caso tr.( rlebI sr:r'rrr'quti\'a r- 3.5-lc nrLrcsllr l rrrlcLerstica dc transfcrencil lc un IlOSl"D-l'
1]-aourl
se I)roduzca cl corte dcl dispositivo (ls I]to.lo (illf r)! .. l) l)fl l0dos Dl " ,---'^ r'crtrl tr' .\r1trr
\.,,,, no
-,- l.-,,
ha'corriente
^^-ionro o
de ..-.^r
drenador cr.para LcJ:0;
,'
ij,ineci,ie',Lo -n.
\'{lorcs dc usD. Ariloganerrte, un I)llOSliL'l'rlc]tc lrnc rrne t.tit.ir I r,""
.J"-^].ionr. iustnrcntc .t flrtrr curndo cs aplicaila una tcnsin positiva igual
ti\' para llegar aL corte. -{si pues, rrr ul FII'l rlcl rrorlo rlL' t,rnrr, t:-':_.
rl u\''. e.,
--,...-r
]ii-qin rrnrl.' caractcristica oc
Scgun csto. lx -^.-^+ricrio cs cinrir.r
sinila .a la
r. r i\.tnqFrj'l'
dcl l,'lOSFll'l'
la tcnsin unlbral y" cs ncgaLiva. I-os rliocs tlL: 1', lnrr rrrr lfl,l l' rjci :nisdo ,1. .ntpnbt..imlclto Ilaia tr""--' V' En la prctica, cl fbricanic csPc-
r-1, rpobrccinticnt csljl:l r'.l t'r"rIit,lo., I v r
t ' tr, I \
,,i f, y,,',
r lor rrtlicrtllr rlr 1s.qN correspondicnte llll v:Ilor cspe-
dc Vor, o*.
3.5.1 COMPARACIN DE LOS TRES TIPOS DE MOSFET

Pucden ser orovchl;rlnenle comrarrdos ios rlir cr-s'rs 1ir,rs ri,: ljl.,'f
de sus caacllslicas tlt. !runsticrtcin, qrLu sc,ll u|liiicos Ju ilr .rtli,l.r (
drcnador-surlidor) crr uicin dc la enl-irla (t,:nsiirn rLiltri-.rLutr,lo). Er
rcgir normal de futrciorrartrirrto cntte Lrl cstrlnilulilnli,Irl0 \- Iit I Llp,.u.a,
cc,rricnte de lrenedo. cs inilcrencli,-rtrt,: clc iir len-cirill tlr'"rrltlor.-slll lirlrrr.. L i
Lsrstica de transfercticia dc cada tiispositit,o Ill L'st.i rtqiorr t'. L:ILtons5
ximadamcntc una sola curva, conlo tnLLesLra ll figurll li-5-1.
EL INVERSO R MOSFET
El FET se pucdc Ltlilizar conr0 artllifi{lador lineal
o oono putrta lqica.
cualqriria dc los uoilos dc cpctacin ll scliai de saliCa ticllc iina Poltrridld
a la clc lr sel',ilL clc ctltiada. En la figura 3.tj-1 est rcp:0sertado un
llOSI.'ET. ,\qui cst fcprcscotaclo un NI,IOS auIrquc, naturainente,
pucdc scr ernpleado un P['t0S.

!l l
'orr

lb)
Iig. 3.i 1 Craclcristjcs dc trarrJ,lcfrllcr-: (r) .ll l.l; (rl ll():,i lrl llf crr)rl ,' dcl rldt
(.) l{OSIrI]T dc canal , dcl nto(lo (lc clrfiqucci1llirnto.
cnrtJobrccimierto;

La figura 3.5-14 es la caractcistica cie transfercncia dc un.lFET. iln la

vemos que hay una considcrable coriente de drenado prra uc. :0.
rriente es controlada aplicando una )ca negativa. Si descamos ulilizar un
sitivo de canal n tal como stc en iuncin de anrplifLcador, se[ nccesari
tcIlsin irgativa dc polarizacin entrc la puerta y cl surtidor para que la
lr)icada haga varia la corricntc dc drrado por encinra i'por drbajo dell
alustado por lrr rollirizlcin. l,os fal)ricantcs srrelcr csltccificar -,.aloes
ric 1oo ' \/oo.
l,a figLrm ll.r-1 ntucstrl la caraclrnsll( a o(l t.nur sltrn cil rlc u lf
'l. rlnlr) r rjll tlorlo rl,: r'rrrrirlr', irtrilrrt. \rrri f\lrLr l,r,,sc lr r llrrrlrils tensioncs rlc linrcntacirin V,,,, y 1'r,o.
Fig. 3.0 1 Irvcrsor IlOSFE'f. J
inversor trfOSFET rcpresentado cn la ligura se compone de dos transis-
n vez dc un solo transistor y una resistencia de carga, como en el inversor
. El tansistor 7'2 actira cono carga resistiva y la razn de la esistencta
a a la rcsislcncia dcl cxcitador T, cs proporcional a la razn k"l/ic"2, que
como 2.
.cacteristic:as
cntrada-salida del invetsor FET adoptan fornias diferen-
dcpendcn no slo dc L - k,,L/lr,z sino tambil dc los valoes rclativos

l.i'
 ,.r 0nI&{:t-5iidit. ot poslDies ires caracLclistt0as
dntrada-salida:

t. ln, [uncionando por encima dcl cstrangulamiento

2. T, funcionando por debajo dcl csLrangulamiento
3. ?, dispositivo del rodo dc empobrecimiento
En Ia figura 3.6-2 estn rcpresentadas las caracterjsticas resultantes foa - l0 \,
tres casos. Las cuvas luercn obtenidas utilizando (3.2_Za) l/rt= 2v
y (3,2-2) par vrt=-2v

vDD = t0V
L'u = lov
rt=t'rt=l/T=)V

(l
3.6-2 (continuotin) (.) Icr , rl (g.llur(lor unjrto l sLrrti(lo);
1.2 cs un (tr.ifjositivr
:de cn)pobrecinrirnr i. (le

Ir=1
los tralsisto*s '1
1 ' ?'., t'. ras rcgroncs respectivas. Los dctaucs cle ros
(a) se dejun para los rroltlcrlrrs.
Las ligrrras 3.il-2r a c sr rlcbtnin colll)ilrar a
base de la aplicacin a que sc
rin...,t"^i" ,
Lrriiiz,rri.rl iri'crs0r como.te."nto rutsrcu
:":s^jYll.r,:. togici'i-ii'., *,].r,^l
I rL es asl' csta-
l'ro - lo v
_r.:;^ -^.---,,,-r'r rrr
s intecsacios
j, .,, u,, ),, (r
t/,r,/,, .^ u er,tcdo rjo. O bien utilizar
:l
cmo lnnliti :, i iir , :r, I 1.., , .r.. rrr so (lcsearenros
:1,,1 se elinvcr_
que exista una relacin
neal.entle )o \. t)r.
el il\,crso. ha cle ser utiljzCo conro clenrenlo
!!rrL'*v ruBruo
lgico uesearelnos
desearernos quc
guc la
.), pase cc un estado alto a un ev! slado bajo cuando la errtada r.,r auntentc
4nrror ic^ir^^r_- d" \',-'2 i. ;;r;;;;;;"; lr" *,..u*
/2 (s urr rli\l.,,.iti\1, '0,,,rc,,:,
ilil'o:.i,1:lnlT:.:,,rr ,1,.i l,j,1., r1,, ,.rt
,.:..^, a!ru1,rr lrilr cutlqutcr l.-latlllifi
^^-- nas abruptas cLrc las gs5s.adas observam(,:, (iur ias
son
cn las 'qqJ
nadncntt, en cr rstircro ,,.n."ntc de
la 'u-!u o
lisuras 3.6-2c
Iiguras 3.6-2n '" l'.
trF1_ ...,
.F1_ ,r_ I tecnologia nicamente
urrrL4rrrrrc Jt
sc
t,. ,,rrrl Ifci ifnto en forna
l,^::--'i,,r"o,ly tlc Cl; )os FIr.l. del morio
\ tcnto sio se fabictt1 cn foma clisccta.
un in,ver.sor lrigico requicre una transicirr abruptl.
ui /)r)tfnt1irl':tr,
il,,:,^1:j]]:: r'rlllrlU ,l . frLi,,,," por cncina
Aa.,)^\ ^^ *r, , dcl
'( Iestrillrlulanricrrl0
|
l
,
| r | | I I i |
ruc,curndu 7., funciona por. ttcbaj(,' ' trt
rl,,l
;;i,.;:il:.,-i,ll:pta.
/lld :t A r..
crr, urtu diJ
u)rlili.lll_
csrrrrr1rr_
lu figula 3.0-2n cs tanrlitir un:r orr.irr i:r.rrlortrr,
(b) I'";.,:,,^rlli.,:,
puede utilizar una s.lrr fLrentc
" ,,li,rr. nt,,.ijn ; ,'.; ;ii;,;., ,;,;;i,;;,,,.
Fig, 3-6-2 Caractcristiccs del inversor Ilt)StfUT i (o) I'DD
) l'cc - Y?i ?) (nci
cncima del cstrangulamiento; (') Yr < 1'cc de utilizar cl invt,sor corno arnplificador
- 1"r ?2 por debajo dci cstran liteal, nrrcvaucnIc r:L,girr..
trcas eprescntadas cn la figula 3.6-2c, ,1,.,
1'a quc funcionrrrrlo
 lisli(lrl fs llll'lll t'll llll ll1 flln
,ror i' cirtlll tlcl ( sllrlAlllrllir'rllo' lll cirfit(
l(

1,,,i,', i, ',,',,',' rlt lrr l.rrrrrr rtr'r'rrlr'l.r

r" I'r'r r l rr '1" "'rr ) l{)ll, ll

r ir r'tlrtr la slllirl r' la {-lltft(lil (:s

l)ara valolcs tlc u, ot-rtttttrtditirrs

(rltfc -l y 2'5 \ ' \s' Ittt s'
tl'r.srtlirlrr sirt strrrl
I
li,:i'i,',,;';;,; trrris ,,,i,.' (lu(r l^ tc.si/)r)
V ctrtr tr:llrr',r'lrr rrl lrrrrrl'r () o
,i"'tr'i."tio" i* i,tuctsoL l'l't'l': "'t .l ll
q""""" .* *"r,guracin Ia giLl'l::".::..::11:,:,1 t;
.,rr. .l'rrr.cttlrr lic. .rlgrrrr pro
tr,",iiir,,.ti,t li' l irrr.rs'r' NI\lt)S lrrLrr:isLoi rl( ( irrilir ' !t l( I ' rL\lr
fl"'ori,rt"r-i,,g"t, Ils tlirtlcrrsiorus rl'rl
L

,rr"ni,, lo, clci trarrsisto 0:iciLirdor'

i)t' i'lttttlrlo' 't

(lf i), .
"I ( \\ //.)/
i(10

'I'1 y ?'' tcngatr la lrisltl llrrcllliilL' l:r longllud

entonces, suponienrlo qrrc
a.l.^rg" z', es 10or:eces mafor quo la lon.gitrLd :l:r :1.:1.':l:::ljl
(conctr ar potonca ms
;;;;;;;; cltip es( posirlvo d6l cicu to)
IJJ'tr. n'' itr"al. e'circuito i.tcgradn' tloncio tl,tcstatlr-r.rtal'r^tlel
"'p.i*i', sta rclacin no es posiblc "'' ]'l il::-":''ill :":l::')i:''jl:l:::l
(lc |.ransicil
;";; ail"r cste inYe rsor.' lin scgrrIldo lLrilf, ia r.rgin. (,?)

,,'", cxterdidtdosc
1,1"" L]!lll.]l:':l:"":,.:,;
csla rcgir ):')il::',l.kj
sc disipa p
'"""-g,"".,
i'?;.t;; i.iz"i. Ct^^o" Ia seiralie entrada cruz por la iueutc cle \o'
:;J:iffiT. il;; foiencia debe ser suninistrrriit t$J vss

:'
3.7 MOS DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA T
canre
'L'r r)'ri' 'l'r -cono

El FET (ClfOS) dc simctria cotrrplttntnLorir

l'il('sl'El.' nJ f--
r^ i,g"r"-li-rr' onsiste
:il';:t';;;"; ;J;J
H"ir" r,^rn;il
en un
cslrtrt lll
rlist"ados
d" en'i']u"i'riietrlo ' pala1 ,,1j"
.:t*,t^9'].1 quc k"
ef NfvfOSiA.'. sc enrplea' otras conexiones cu,ndo
ei
i:^ l L
T,

_-.,,"
ti-----"
"i utilizado en aplicaciones dilelcntcs tlLLc dtspus estudraemos'
I I'"""
I

i;;;;;.
"- en la ligura
,rJ1 t
;l ;;g;^"t; del cicuito irversor CxIOS cst rcrcscntado --l
Dt

,rq,i't "l li pr'roSFEr v r' es el N\l0srrur" :'":

u1:,11:l:"1::::.:".1"
.
;l;t;?';;;";'';;. io ,1u."t" corrientc
'""1" ilf ci."uitu ,1" ia dcrccha
"l-.*.
rluve tlesclc la.rlirctlaci* dc trr"'
muestra las conexioncs d:] t"tltl'l:^,.
tr' < i!r'r:1 translst{
"!1 L r''
)l
oi".""iot tlcl invcsor cs sigrricntc' Crtlrttlo
'"ort" y, como usulnclltc !'ttlrrr' u"''r .-.!'"' _ -
,n ' ,t-t:'- t)l't ll
".ta
.i-trrnrirto, ?, conducc Estando 7t on cotte rlo 11u-r-.e corriertt cn ?'n (b)
o por (34-la) r:er
.rtJ.n estao de conduccin Pui la liguta 3 l-li t)s l' -= V'"'
Irig. 371 Inscrsor CIfOS: (o) vish esque nr:'ttica; (r) srrrbolos dc circuito.
."tt rr,, "r: O tertlrenros usz :0 Asi' la salidl tltl inlersor tt
urreuta la tcnsin de cntada u( por cttcitna
rlc \''" atrtbos )' 1': I
itinalrlti"ntt'' tltlttttlo trr allln0llta lo sull
t lir tettsiirtt dc salillit tlisnrinuyc
;" 1*r,,',,r ..,,,"" t1""t"'t", "t rl'cir'' \"',, .t" V,"' trtttonces'
t
i,,;,,;,,;,:
t\ rll srrlirl:t i" l) \"
, "rr ",, i,,t,lr,tci,,. lrr lr'rsitt
11

N.
 r_lt!lr, rr.
,.r 1., .:r,r .,i,r i;ct rni cr80r Ufi0S, La
rica entada-salida ric un inverso baractcrstica en la regin BC es una-recta vetical la cual
5
CIIOS est rcprcscnt;rd en h fipu_l indica que la
Est dibujada para un circuito en
Obsrvese que cuando u, es menor
que V", :10V,V"1 :]rz:3V;;l #r:'1j:",:,1'"" lo.y,lT.n* cuando u, puro po. -' qv I
'
cn la prctica la transicin no es rDupta
J,.io. ;:;/r.;"*-
s/' lrillu-
de 3 v,| .rll csta
--L: crr cortc. pero sl de mucha pendiente,
ouccrn y u, :10 V; en cambio ?2 est; nilica alta ganancia.
cuando ,r cs mayor de 7 V- l^ n.r
r conduce
1 -y ,, :0 v. -,.q ^_l
cJl

INTERRUPTOR FET
'puedr'.utilizrylun,
edr'.utilizrylun, I-ET fonro
r6q intcrruptor conmutador lineal similar al
o

;

de Ciod.os of la)1eccin l.C. Sin embargo,

es mucho ms lentc, ya que 'i
el
,,:.._-de diodo u!,uL]lucue
Schnttky puedc camDla
cambiar dc
dc estado en menbs de 0,1 ns
^,:_.::
gs que el tnterruptor FET requiere
ms de I ns D^r nr(4r i" li
8l de cotc. I.a nrayoria de interruptores ""_"r^ ,^
'",;.'#,;;,-1";;,;.il.] FET eouiecn 10 ; _;.
:,;:l ;:il'::,x?lil;: 1:l':::::,lli::"" l"*
l
t'(
Fara conmutar seales dc
,'4i conmutad or FL]T a rta

;ifi:ff;"il: li;i" "l.i lili

qucorurr srro como pcquena ;::'i,1.:'"T:Tl,, j*1"":,":l:.,,y1'".:,,
resistencia,. por lo que cl circrto
*:i1" I

rje ia ligu-
ll:::T,:iT::: a
11r .d1vis1,
esisri'o de t.",i;. p;;;';;;in i.".,u" ,. l

ij:",",11t;11 ::.f]l:i,:Tu,'1.:u:_y_no distorsionad^ " i"lJJoi , ;lr

j:" :,: j"T::i,::"_ *l r.Er .ebe .s" rine"l ;: ;, ;il;;.;;*"l:

"",."0,
,tu,;?:',
il,f:,:i: ni 1i i?T1:..1: i ::,0
J'"; ;;;i#;ffi,ffi::
se reariza.erigien;;l;,
; *. ;;lTl;i il,:lXl*-.;ilf; : n'.'"7
*
,i

i,J' I :1), lldonde

Jld"'" 3.2-5 l. l" sus"'caacteriiticas,.
I Fig. 3.7,2 Caactcrjstica
dc un invcrsor CIfOS .ttg.
:t
pr.a.n'*'JOJ;*l-'oilffi:
Yeremos que.el connutado CI{OS es completamente
En la..xrtin
-.- --q.v. wv,truLu(lir cntrc .,1 \, 1), .I,t
cotrrrrr.lrrclitiit eflrrc.ll FET slo lo cs a proximndamente.
lineal y aue ei
?,1 J. 7,, cstiil cn condllccrn.
tcgin AI3, '1', csLh cn saLu.lci(rn ,/,r ), .fl8ura 3.8-1 lnuestr lrn corlrnutado
q,l.
l, cstri ."'"i,unio;,, ;i;,;;,;';,,,,,,,.,,""
rnargcl lrcal ilc frrncion IrET tlpico. u/, cs una tensin de
\1, i,o i I'rs _ u, _ Vr,
l:i -.vr ) v"...,r- y"r.,.'i,orra
, quc polrc tl conr)lLltu(lol cn lcrs
csldos dc conduccin 0 dc cortc. Cuando
."*.*",,ica-entre Ivdalsc (3.2 2) v
'isu"i"',i.i'iilillrl"
li;.,1
sguc: ;],,li
o 't
:
- r, _ t--
t,(u,
- t'.,)r /;[2(v"" v.r1v," _ _
D

u,) (r,-"r __ i")r] .

.","o::
u:t::.ii ve.nos_qus en la regin CD, ?, esrri en saturacio ,rf) +

];ri.i lliillll""*'
La caracteiistica ..,' i'" CD sc halla
'"fi-' -l
+
- u!): _ u,,
k.[2(u, V r,)u" i,(V""
- V r,)2
, .l: toenregin
teristica
BC ambos transrstore s T1
esta rcgin se halla
y T" esan en satu.acin. La
iguatando (3.2_2)
]* (3.4-1), El resuttado

- vrr)2: l,(v"" _ D,_ v rr),

k"(u, El jnt6rupro olt c.rado (ON)

con lc,, . [, y I', : vr." tcneuros

v", n hteuptor FIIT. El

aenado cuando ri
prrnt" cs Elinr.ruptor 6!r !bi.ro (O F)

"r-J;;;tr;;;
ffiW ,rlrlfr'l rlll I|IMI''nw' '
ser r)'r(iut.. cornParada
'll, :ffi;;;
d, ,
'i'l'.;i,\i: 'lll, ':'l:ll'
\ uLr 'lli:
v "D '': o'' l".,- r.'o Ir1' rtnt ir
,, (,\ L,i! rc,.si{irl r,osirN' :llll.::ll::,1:l i';li, ;iliil ,], ll ,, :.'i;;. : - r:' co-^ ,,1,i ,rrr nr'r:r.ll
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c'rrrtrlltr l'r llla Lcllsrorr,Lr
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Suonamos quc crrrL
Suon{antos
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| rLrL rD\:-
r,,,.irr,.,, ltrlr'rrro:j l.j''iil""i"',.".1 i" . ;i,J,,,". icocr ucsj,;.i,ll,;
* i,,1,''i:ti: - rluc llir;;il,;liL';
r{
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lira "^,,'",,," (r0 (:rg.
co.iirr)rf (10 (:rs. (:
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i,,:::llll l:;l': 'i"i,.ii"t"""""'i'i"'
:: n"'^ tl c,nn1*tador FE'r
:l:,.,l'il:--l"";:'iu':-i':-zo)' " n; i;,,;l i"
(u' - u):l
i,: /r"t2(\N - u'- \''Xu' - -
r''; (3.84)
v,, < V, * 1al-,n
-
(u')'i":
i.:'-: *r iv
csctibir V'
Esta ecuacin sc Pucclt 5 v, Por Io o-uc ('r)u''
:illlilJl:I.li ^ J; ;
Y
' pra que el
rr')irr' -rr')l
i" .= k"[(r', -- t''')! ] 2(\'--i'7 yrr;'i: ii'-'.J',i
cl -irrtrd r v 'rr' .'l t" l"r ' :''tl ; t"' "" icrl,ot' tc sc,lcrrct-o I
""''t'r ',' c-' :riL rti.,.ir' = ,::'"- ,. .t, r,.,,,..
r.ud,tuu lr ','r'riPrl j s tt
tnenros uDs = Ua ' o' -j "tt - . .^"," en .
ii;;;.,, 8-3'
i:*'t'nsiste
:li.,l:",j-u,,1,,'llll,#:,.':1"i.'l',"iJi',iiii,.'?l'J'$l'{
en utt
iii,.:'.1",,"i""t" (3'l.24 sc cotl\'icrtc 'lij'gttt 3
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i(lllticas c\cc1]io cn
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I

0bsrvese que (3 8-2o

nciativ. cn (3;":?i).
) (3-6-2)-son ccttacionts -i1 I

I
i",ii.,.^ ""'6.4-2") v ,, ,,,ri,,,r, :, rrrr'
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l;rr*liir :'::; )i:
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:i'LX']i"""^ll,:iii'I."ie d-zi
*:::"i;,rt'i,,;
r'a resistcncia d0i irIi i' cs !uns

t1,:; ti.i;?
si k^ = 10,, \'r: r-!,
tl.i i.ll,i]''
."1',),;-]i'1""".
no 3I
la rjricin rcxl dc lil'r'T
tut'lll,r'u,"n n'i o- o n'
ia impctirnci'r rlc cilrgr
I

sc observa qLre si
:
l ,.''lj'ii.'il"*_ri r 13R.ziis" ij:l;il,l lu ;,,;,,,1 ',,,1 1,1
los terninales dc
y surtidor
l: "1."'",i Un colrnlulaLior C)!OS Lstn rcpresc[tdos
t
,,,i,*.1x.ntr: t''ll'l'.i"n"1 ".].: ]l 1.;, I
rc ,; , ,,, , ,r, t I li.'r r' o. *.^,i"-r, t o, estos terlninalcs csl^n invertidos' 'lrenador

,l:rrlr, 1'rrr (3 8-3t l"ste rn)rli) 159

( \' r" : l sr ' s r ' (c l rI l I II
 as conerrones del suslrato 1,.1 ll la puesta cn c0rte dc 7'r requicre que u"o(?r) :(u,).o*- i, r, ,r. ..
cjdad, pero debe recordurse 11rrr, si cs posiblc, cl sustato p dcl NItOS
s conectado a lA lensin ms negativa existentc en el circuito y el V.>(u,)..u"-V, (3.&eD)
n del PNI0SFET debe ser conectado a la tensin ms positiva del cir
Cuando u, > 0, los terminalcs de drenador y dc surtidor estn cus rndo el nrisnro ejcnrplo que antes, con -- 5V < u, < 5Vy Vr-2Y,
tra la ligura. Cuando u, < 0, los terminales de drenado y surtidor se que sc debc telcr Y < 3 V.
Para poner el CMOS en el estado de conduccin, uo debe ser rrn4
- -
Positiva grande, V", y para ponerlo en cortc, a" debe ser una tensin 3.8-1. En la gura 3.8-3a estii cprcsertado un interruptor FET er el
gande, -- y.. Si Vx es suficientemente grande, ?, y ?z conducen est en paralclo con la carga y cn la figura 3.6-3 se mu'estra el clcu[o
'de
0, uor(?r) : uso(Tz) : Dt- t)o, uo"(?r) = y tensin dquivalente. El FET est caracterizado por los valores k : 10_!
Obsrvese que cuando u, . 2 V. La ter,sin de entrada u vala ente b y + 3 V. _a tensln de puefta
Y ,"r(I) : u, V, por lo que la corriente de salida es para poner en conduccln el interruptor- cs rc : yx, ), la tcnsin utillzada
-
:rlo en corte es_,c:.- y. Sl nr: l0 kO: (a) demostrar quo lq rosistcncla
: k"[.2(v, --
- 1r.J(r, - u") -- (u, - u"),1
i" u. cund0 se .utjllza ,.n csta conflguracin es aproxlmadaetrte constqnte
n tI::'i19,1, u" <5 2(i"r- v'): () suponiendo que Rr es constante,
f /r,[2(u, . V*-Yn)(u,- r")-(or--,,)t] rEr; (c) Utlllzando cl vator tte fierir hllaCo po.i, iO, hariar u, y
fnxim: ,,; (d) d.erenrinaf yx para que (u")*"u( 2(1,," __ i'f) y tanbin
La misrna ecuacin esulta si u, ( 0. Si ponemos k = k^ : k, y Y, = e ^d:
u",3,0,1.,, curdo,el intcrruptr conduzca, y nattar tanrtritn i?", p""^
: V., se puede simplihcar esta ecuacin y queda l0r dc I r; (PJ lrrllsr yp cuando la pueria elt en cl estado de cortc.
(o y ) I'or (3.2-2a) y ta flgufa 3.8-3 hallamos que paa ,r positiva o
i" :4ft(Vx
- V)(u,* u")

La resistencia efectiva del CMOS es pues : A.vl2(y,v V)u"

- -o|l
Rc.tros: ,qr = l0 kQ
4k(vN-vr)
i-:,7
i:? De aqui que la resistencia dcl CIIOS sea lineal e independienic de u,. Se
r. demostrat fcilmente que (3.8-7) es vlida para I positiva o negatira.
Es interesante obsetvar quc T, y.T, act_anQom rcsistores.en !l
4, Cuando u, :0, la dos resistencias son iguales. Cuan'do u, aumenta, la
t'dl de ?, aumenta (puesto que u",, disminuye) y Ia resistencia de T,
(puesto que ucr aumenta). La vaiacin es tal que la resistencia paralelo
t valente se mantiene aproxirnadamente constante,
Para que ?, -v T, permanezcan simultneamente en conduccin y que la
do tnsil en el inteuuptor FET, u u,, sea pequea cuando uo : Jr,u sg
-
sario que uo.(?r): V,r-(u,)..* > Y, y u""(T): (u),.,rn
- V," > V
El esultado es vlido para ui > 0. Sin embargo se llega al mismc
cuando ,r < 0 ya que u, oo cuando T, y ?, conducen. Por tanto ?l R, = l0 kQ
=
conduccin cuando
yn> y+ (uJ_"*
y T, conduce cuando
Vr, > Vr- (u,)o,,'

Por e,jemplo, si Y < u, < 5 V J Yr:Z V, se debe tencr Vr g(and6 p3t6 fc - vN

La puerta en el -5estado de corte de T, requiere que ,o - yp y
: V (a)r < Vt" De donde
- P.qu.o p.r vc - -y.
- - (b)
V" < V f (u)-i" ptof FE'f para ct cjcmplo 3.8-1r(n) cicito; (b)
- circuito cqLrivalentc.
 \'')' rrrritnl,r' tl{'\l)"t ' ixr t l l(ifririrrlr
Ii \' ol)tfr)(r fnt :1:tl,; ir,,,r,.1,, l'r" rrrrri,rr) i \ trittcho ttrr"'t rltrrr sobrc l l'cnsiirrr rtrnbal
\\1, \i r'. :- I (t ! :.f llr "
,q'ga il ,',,,' i. i,',trir,, ,'u',,""t de l tllodo ss sokr 0'7 V y' por lT rto' unr
r 1I ., r\,\ l.nl rl r'tia-
\,)rr-
I llll vaiot totllilial'
j, {,-,,1,r,,"1!rl,r rtr;t trrtt,rtlilr tlill 21} ", ':otl
ttlsPcctrl al
/ilri.r : I 2i,r(r,,v l,) \:. I, iFllt
4l1i',J;n'"'',': lt rr r Iil:l r.tttl ir'tt iltrlutttlt .t" ]ll,l:ll].f il:'':;,,.:li::"',liti"
rlr'l 'livis'rI rlr lfri\rllr' l:l lcll\lr)n dc i . Lt,:::1,
,;., 0; l l' ; t ot ,:', lr 'r''r I r'rlt:rrlo dc cl \r'ior'l lr
(c) (lll1ll(1o su Llliliz lrt '1'1111
'
t ""r:r irrrrr'|!r'|1 '| ' l'rrrl f'l'fr ''rrr''r l 'r'
l'rtr .. j'1 ffi;r;;t "
,,.' ,,r
l;_:; I ii, 1 i !0(\'.\. \';r Il, .= Ill e,,.r1

y pucsto qte ('j)a' : .l'5 V' rttc si A''/''-- l "(l' 1i'/1ll:1'007 Dtr ltlrri tttc
I{ sr irrllrt obstrrvrtntlo
\!orr I I ,1,.,.1^ Ir'
1,007 .= ( ) I( : ln 1,007 :0,007
il lilc"oll
'"'\ o\"r'\ olle cuando el Inl !rlll'l tr I el ' ull
: 50 (l I 25'C si la l.cnpelaluia \umelrta ilasba 125 "C'
l?p1 au-
lti. ri t,,,r.r
(,,),,^, : fTroa;; . ( 2(r'^ r'-) ctrlar
hrsta
" '\'-Y ji. - a)0lo,oorr(roor - l0li !)
(lclrcrlos clgir LLt nanua
Rcsolvicnd.o esigLlaldad hailatrros clu'r
la
Vr ) 0,35 V' ' cd,'rx CNIOS y rnuc"trr
l s_ ll. caractcrjsli"a dcl intersnr-^l--o
rtra varia-
V
'";i"^;.,-;"."
- aseguar quc"uol1'r < 0'Lr1
p0nem0s r^
La llturo v! 9
' -^!..-^ sobre t"
la caacteristi'a entrada-
cntrada-
*p.",";';: 'r "lt"i" t r" temperatura ".rr.tpriqfir:
,rTJ',t
1 + 20(!^ - \'r) >i 100 lida es dcsi rPci rblc err
{'sLa al'ltcJrlon

clegir 1"' (le nrorLo (lut

de donde deducimos que debenos
V--.Vr 'r V

(lon Ir 2 V dfi)crllos tcrlcr lfx >

\/
condicin mucho s riguros
l/5s = l0
st es ura
;;;, p^* que.,,
i';:-?
: v. ,l(FsT ::_ roo
7 V. !)
tu''r r
,;''l:, "- '"-'r\'.
V"
(:i Parx ;;;';i'FEi.::.'ltl"ll
()
la cond.lcl0rl ti^
il :;' ;, ,:i;
el rr-r :r _r'ruLrL!ri"".i,r..".liri" rrr qrf
;1, (r,,)u!n ll\ li:
{r 4 =+l15-
dc , consideremos
pl. iili:l- "..os clcgir ' o ,^
v' d' -..^ i,' ^,,
'l I
.

b Tb'-55"
T
Y. - V" I (r,)!n,
- I/sJ=5V
lo que da \"
'- .9r <2 -:): --:t
. 3.9-1 Cxractcristica tntradr'srlida dc
f\'IOS FET hvrscr C]IOS en funcin de la tensron
EN LOS
3.9 ;EFECTOS DE LA TEMP EBATURA y la tcnrpcretura

la tcrnpcratura clc la ntisna tlaneia

La tensin umbral V, l'aria con
EL DISPOSITIVO DE ACOPLAMIENTO DE
CARGA
dccir
caida tle tcnsin en un diodo' es
AVt ildispositi,,o de acoplamiento de carga (CCD).se *t]t"i "iYltl:ii:^::Til
: -- 2 nrVl"(i .seales analgicas y como registro de desplazamiento tttitt. ,titll"-".
a7' con varias ll;il
ffi;; ;;;;:. ;i.r"".""i.""i ccD es un MOSFET construido
el croquis en que
a 12'C" A?"= 100'C I' tir. *"n'uao vaios millares de ellas La ligura 3 10-14 es
Si |r,=2 V a 25 "C, cnlonccs " una tension de entrada u' alicada al sur-
ffi;;'i;;
AVr - ( - 2 :n\'/ (l)(10() '(ll 21)0 mv ';;;;;i; e""^
riiy una tensin negativa alimentacin
- Vo,
aplicada al drenador a
de un csisto dc carga.
I ir'l i S \r'
l.r:r'., t'r{l?ir'(i) ' \'7(2ir'(:) \\'r 163
 i,!.cna l-,..
//,i,v..rir dij las pullJr. ;5Lo nace que Ia carga salga del surtidl|, it|
drenador despus dc un retardo dado que d.;.;;.;;i",r;;. a. ,;.,;ii!:
la vaiacin de la tensin de pueta.
7 El CCD ecibe las muestras de tensin u,(/il) de una tensin
entada o de una seal binaria de entrada. Supngase que ur ,ea poriti-el
rnstante :0 y que la tensin u"l sea negativa en la puerta 1, de
,rcl excede de la tensin umbral V.. Entonces los huecos fluyen desde la
del tipo p y ental en el minicanalmeado alededor de la puerta t. 56
replesentado en la ligura 3.10-1. paa detener el flujo de Carga, la
entrgda se educe de manera que usot sea menor que Vr. Ahor los
manecen
.debajo
de la
-puerta
I y no avanzarn ms ya quc !a puerta i
al potencial ms negativo en el dispositivo.
Para hacer qur la carga se desplace hacia el drenador disminulnlos
mente la tensin de la puerta 2 y aumentamos lentamente la tensin
en la
ta 1. El resullado est ilustrado en la figura 3.1{l-1c en el tiempo I : AT.
mente en f : 7', todos los huecos han entradc en el pozo (es una prctica
ilamar pozo-de potencal sinplemente pozo al miriicarlai, yu qo"..p.o
regin de minimo poteucial) debajo de l puerta 2. La tensin O" ta
pu.r1
aitora uo1 :0 V. Para hacer que la carga se desplace ms hacia el
denador
timos el proceso disminuyendo bruscamente Ia tensin en la puert
3 mj
se aumenta lentamente la tensin en la puerta 2. Esto
est iepresentado
figura 3.10-1d. Anlogamente, en cada tiempo T movemos la cargn
de
puerta hasta otra puerta adyacente hasta que l0 carga
llcga debajo de la
,t G": f^ur. tensiones en Ia puerta G," y en el drenadJ estin ilustradas enl
3.9-t.. Obsrvese que la tensin en la puerta G_ es menor quc en
!i1,"
noor' esta diferencia es menor que V, para que Ios huecos no fluvau
leo hasta.la d
pue.rt G,". Cuando aumenta la tenin en la puerra
::::lt:l de la tensin cxistente en el drenador,
cncima
0;
los huecos fluyen y entran
drenador iaciendo que apaezca un impulso de tensin
ent-e los extei
Ia ca;ga R".

A/

Cn Gn't C.66

* vss (a) (tantnud.tu|) {r,

(e)
l(.D5)o ,.s tr ft i,,(r
Fi8. 3.10-r Dl disposjtivo de coplaule[ro
de caga (CCD); (d) vista
de ersurtiorl,sa
en lA pucta G y
i!-;;;;i;,,'i;;li:':lc r.= o-rorta,do cmo re mucvcn
en e -'\?*'"'vncsenl:?;(d)tensone!enl ' T * T;
 Dt LA rr
Tffi.-,{''.lu.h.,....u,\Lll]1ilf\'1tlltu|lc,I)LIu|tts ff
':
t"t'" jitl 'tott""'o* ....r.,. .. Ul I,l '.: Lf cxcede dc rl'rort orrdsnrcnre
. ,,.,. ,..; ?,
''r'1,'r
/, ci
"i retrdo 'r' t'"''ttt""''tttt'tti"
r,'rrrd u" ."] lj ,.,' i i..., ,,,,, , ,, , , "1.. r ..,
:':,']]:::i:t";:.:i: I
-i., lr ttnti''n
rci l"
L'uvL..'.-,,."-,i"
li "tli::::,,i(rui)rt".
lerrsi 'rr lrt'rL."trr .,. *r'::ndel tlio ii''lo dc
t,, ,rapa del tli'tido
dcbajo
Jc silicio delralo
t'n l3 ltjr I r"l ' _i;, lu rllrlrtr0 fluio
lll . l, "xfil I'u
t'" l'
cargi( fs - ,'.,r,,,ra
\ ';:' .^^\- ,. pro,lu.,
100, "'-".ri"1. l,slr l,rrtLl' r)frBrrr
rr' ,i.,.i,u'. permnente por excesivo
lc sirlrttr tn
It, lrrri
rlr lll r:lrgl'
cn llL ',, =: rLlril
....,,.,,,.i. 1!,,
-. s,raucll(.i tll \'f
Ll! lellsi(rlrfs tll \'fz de
la Y"- \
I.in ll i)ricticn :: t:qu'"': lt-:.' ,,;,;l. ;r' , , , ,tr tt, .trrLrr qLru
r. |usds de ,^ "n"i ,erlecto \ \
lll tctsiLin.
srll i\crrintionos tt
tcrsiLin. i\cfirLtn(lonos l"
l"t ,,
"al srtlLllr(rrirL 1.,,Jjr,,rtu {, nir\'rr tLltitoa
l,;.',i;i.::l:tj:i,, il;55'i;",1r,,.(.'ir L":1,1",'l::::l'li,l:..:':,il:::1,';l':1"il' ::;:T'::i I
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lrlic:rrl rrn,.r seeunda ttnslon

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Go. 0r, ctc. l,as formas
do olo
ta,ias'cn la ligura 3 10-2'
;h;.f l: ,..l:li,;ii ii,:" ,". ,ri' !:s y"rr,il
D, D1 . urr resrs,or
R. 1,ipi-

-ill;"-lilii';"";;';ffi;v"
iljii: ut ;' : I :"*H:: ;;:r
;1 r ::"i j
li:,:'ii:.:l'l; "l:'i:
a ra";,i'1, ll::: dc ra
protecci'
m'*;;lffin
luerta'
0

l r" 1 i' :!

lirr.31": li"r'rrrr, 'lt orrd r'lt'r':t' 'l "

..
t;" C., ; (cl 6li C"' 0r'

le proteccin con diodos'

Fig. 3.11-1 cicuito
Ituirlo cn un ccD. llc ra
crpici''t' It'r.],i',:l:;;,1,,1l':;l;lii:1J""ltii'l
""* ; ;. '' rorrtr l-rsIlLlcs tenst0nes
^^lr:r tro^"i-'"".,,"
, ct"""
qe --+-^.ra positivas
;ll:,1' -'i:Ti,l ;::r"":"i" rr ; i'ii::"l i L'i..
""
1
il l " ;: :;:: l:.lx
'Eldiodo
El diodo D'
Dr prolege h
l3 Puerta
f"er''-::"ji;?;;,;.;;;;" terminal del dre-
el del lerminal
;;;;'i; ;" el crcrdo r.r.i'l' I'ir"rt '" ll'i" t:: "
:f:iJ,'iii o. la cr'"
dt abl nivcl de tensin dc l^ de
Lrrndo en cl pozo creac-o
tuYcn una carga cxtraila'
"il:
o ]:),;";il.',,;
Llt'r0r rlu!
desplz1n,ll
despl'rz'in.u"
"" .r,.'i,u... ,lit,'nguir
-:.:'-:..1r en ei Dozo. En (
n"il
''
tt
liHz (T
3i il.',i": : 11' ;, rux
il, i,i::t ?; i*l'
futltl-,^
* rcnsiones negatrvas excesivas-
i;';:x,i i' ::"^-r.q ::i:: ::l,u:lJ':i'"iiffi ::
ii''* :1 i: ii^'q ::'i :t' :{::,';^ i:;T'ff ',::
# rrjacin son
"il i;l:,",i1'f
,i",r 1/?' > 1i"*n,
estamos
inrcncionadamcnte
,ntcncionadamcnte 'll.l . t]: "*:'
i-:',Tffi:,"i1':iffiIuJ;il;;"ulo' " "tu
accin de
rica, nientras ra cars de seiar " i",'l';;li i;,;:li:r::::."rtl'lJ,r1,ii (3.11-1)
jtTlJ:: j:ilJi 1,",1 ll ;;,: ; ; i;''::,:l:: u"-0,7 <u" <0'7 ! u'
,\traria no afccta sertamcnre:T
I**'J:'J "' ;",; i;,,,; ,,: ,", : ?;,i,".,,,'n
''"r.InI":^,:.r,1.1].:;
^';,clr l: +20v'
.inPortrnl 'll l,,', i
I .rrtrculxrnrcnte I r .., rr, r lr, de surtiJor y drcnrdor'
Ps dcclr
utili:rrdo cl CCI) lrn cstt clts
,."1
el nrrrett lipico de lxs tensiollcs
rltrdtl sufr icntc parr prcvelrir 1l ruptuta'

167
 ii.t rE ;rr p.e, ti{-,h

,0s fab canlrs Irotegcri al FF)l de rotcncia c0rltra excesivas car{as est_
cneclalilr) Lur diodo Zcncr de 2ir V cntre la puer-rr y .l ,urrru"t, .ou
56e la 1igu.L lJ.l2-l. Ln h prctica ci sustrato del to"f,Sirtoi J.'pot.n.iu
:utrdo intcri .rll,1rL, Ia ..,- , a n)asa de
raja e-,lLrau manera quc el tliodo
desacopla- o rlesvia torfs-los'tansitoios . *"riJ"'r"'.".;;;;a;rl;

La tabla 3.12-l puede servir para compara-r el

aen
-0,t- a 1.25 V.
BJT de potcncia, y el J
l,i,.Iji""3l..:
ximos
jl,i1ll: g l,,_"l"ese que er
Ls altos pero tambin apreciablenente
*
B Jr tiene,,io,.,' nu r*] i',r-t Corapracln d lo, transl!toro! {to po!encl.
rneroes q"" "orni
F;;l'l,]
teistica excelen.re del l,{t)SFET "l un anl)jj
c<f""" poi
Lt{oS estnclar yu. pr:11
:.t" s,;J.i;_j; ser. excitado por .', v t,i0i,:s nomlnolcs minos
cMoS ^:^_.-,-.,
D^_ ejenrpto,
;;;;.i";,,";l;ilfj 7 mpa
c Cori,nle dc
entin
:i:,".1pueda varia.cntie es0 vuri10-amplin"caaor
salida :"':til:llor cr'roi-co;;;;;;; ;; ,"^,,.,0 &trar..,t\: - I
.:
a Ctt 't le T'tan
T
xc!l4cln, v
ntcdlo dc
conntuioc!n
v: Et transistor ;; ,, ;;i;;;;;;Tl:,il| salidu, T A

i''i:';:::l:,1.'j:,
2 A. Ei cote li;::T.1".1"T'r
: i;n,';; ."'..*"i" 0.ii"i.,",,u.,
75
del NOSFE.I. de potcncia se produce 2N638 i s .' 250 mA
cuando u"" ?-'rfif,dl ar5
.i5 0
13C0
2SK JO t1! 1C0 pA
v_\f P- I iti 2 60
-
5
40v
.Crtcsla d. Dl.cltanic Design, Atrll, 1976, pg. 6?.

1
+t0v
{ c',,, EFERENCIAS
I
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f:on L. J. Sevil, Irllcd 'l txnrlttt)"|r, llituw-Illlt, Ntw '/tr
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.' 1'". i,.:l; : f ";"3;,i.r,:l
potencja; () proteccin
".
() con dtodo
para un FET dc potenclo.
I
Fig. P3.6.1

 f plrc(rr "xnrr)lifirr. srnrlfj ll\l)l''xf l:r
ffi,.,.prcscnr"r 1"r,".1111:.'ll,::'l'.,"iiJ'1l";llili'."i":;i,'l'i"r,'il:'l;'li:
drmorrrrf qrc cl i\ro(r:r: l-.,, jl"" t.''' I r'ri-l 'rrr\trorrrrcn
I

,-l-,,,...r-r,
r t,1 riros (lf lrt orr '/ ' rr'
' ' " i:."
' ' r 1*: l-l I'l.ll,l1ii1,':l:ii,,il"jf il:llXi'I : i
r?.:r r{.r,.,..",,,:,rr,,",.r"'i",;1,^,..,.i,:'l
l" llli\': ! r1'{: t ' "'-
rrl\

3.2-:j. t;tilizr (:l t') J

(3 Ll'ri) prtfr con\Probrr
cl grlrlcLr (1(
.i''l:i
'^ "*
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",,,r.,
i;',,',',q'i,:l'.1',+',";iI i ":i:li",i::'.:i:lr":1U,11",ru.:
3/6{
r'l R.tf(\errtr rr'ti
ilc crgn :
Ji",ifii::':^',T-Ti:X
f,s)o,zo in"r"."n"," ^r p,o. iltl
: :" .,, , "
3r0i21.,,r.,.n,"' L', cn ftrncin t" t- -*t-^:"::l:i":::t: ,"::.,l1.; llll
30.,.(i,)r'rartlfo-sFD'.r1:ll.ll*::':J',i":,1:1,'Jil:;i:l"'"'"'t,,;"-;":;l: il,on
1 ""t.' :'lit flgLrrr P:l t 2 utilizr las cxPrcsrr )ncs ::"*.", 'i I
i:\ ,,r,,",, I r" r'
101 antlfticas
; ." '",J,rr',rr\t'rc.cstrrr'I;rilll'i'r'.,i,,.1.i,
' rr funcrorr oc ul,s
,1'l Il"ll"' i'
, .^r cl tfO:l:L'l irr\(f'oIlc It
t"cin: i" - 's I'or q!? "rr,i,, r i"'"",,,": l"i^,.,^jljl'",*ltl{"lll:*:l::''l;'\".1:l"0;;.'l,"*'jl::
gl.,'i),i':
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de! MO-SFEl 7! cn La flgur
P36'2d tsl caftctrrizl(ix:t't'"
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"' :;, ;tir;:':"",'"'",1:,f,- 1:" " 1\ I J'! '' t,

u ,,,,i'l'i,i."jJ'ji'iu' r5,'':: L;:

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Fis. P3.6'4
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i! lfii'ilf '1"1'I'i:'
{I \r'
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l,Jff'1,:'"1';:::;:"'\:,1:,1, iii;'",1.*lli,liit.,.:::i,J.q:l:
despeja uc v .,o'
51Ti:]ilffi;,.","-.rri"' i," p' r '"ito ""'9" v
,.1"

i
ix
+

t. Fis. Pl.6-5
R
$, curvas de la flgura 31_5
r el .IFET inveso de Ia ligura P3 6'6 descrito por las
y rtr"trrr de u- eligiendo
la recta de carga sobre las curvas tO'i""i'*iti"" '"i"
I:is. I)16-2 r1,-2,-4,-5V.
 ';: rJcr trsisro, prros
;,, ,"i?'j1;,1]" '1"'i:il ;lf ;"5?. cn cr esrar,o ,rro sur,o i,,n(r(,

*1"' i:i I';..: l;ii'il:i":';;';':('l {,,j,t"":^=.i,;,,i1. ,as isistencias cq,ivn

n;," ,lii

"*,:i l:ll
;;nutcrn r ,]l,",li'
rtr'l ,ll:::,1':li-il:'ilI]38lcsnrcjoarcrrmirc.dctcnsindcrco,r,orrrc
rrtrru ue rcnson dcl cortfol rlc
cortu c rin,to L rcprcscnta un cortoctrcrjto tl cono
:1ar
r^,r.nrojrli.rijcr..ra.rr.,r,.,^..,
r" l r.ul, fr'.orr.rl ,,r.ur s"
-l..1:q: Lrna cn-
'tc \i I,ti 17., 16 .
tal \ ll \', .Jlculrr /,r,, l. cn, qre -j.''.",'"lx:i
el diodo cst{ sicmpre blerto con cl
tor cn {:on(lLrccin. S"".. ,,^,, ;^_-,.-or,,lr.
-*','i ;1, ":,'i'."i1:, ,jill:::i:" ii,lirrc,rupto,
i:r";,;;'::';ii:
i1". """"i""li"
i:H'i
lli l:, ;l."il; il;, 1,,:,rterrcr,..r " i""i,",i"."".
""" rr ,.oo
Fis. Pl.6-6 1,, . r , l0 L
,n^,i vl
9.9.7. Repti cl probJenra 3.6-4 para l( ltguri 3.6-l y la itgua 3.6-2(.
2r
i'';3;, lll,i.'"iil" ii'i'":il.",,;:if:,11,;l:,:::Il..j$,i:?:..il 1;,,ljli;;i,.,J,i,,,;ll:
A(u'-2,-(rz-Dt-a
3.8-0. Hallar las caractcristicas dc tl
l**;tii*:lh ;.t,itiixtj !,.,1,"ffrilj*;:iJ;:,i;::,;,,13:tfl",;,,,t t:l:,":

2 Fi8. Pr -l
- \t- '-
. En lx ndrira :i.i:1,1 suJ)ollfr t, _. 1,5 x l0 , A/Vt, yr _ 2 y,
R,_ 6,8 kO y 11 _ s
;::fi:";'*311,;:Ei1ii"*Jj1"i:r*rHn,1i1pi,*;rniiir* (r) llll.:l
:l lt r.,ir
n..,:r,,,r cr nt",rur,ror
rrcrcf' tnJr I I Lt nroJo q,rc /t.,.- .._ abi.rro.
*l "1li':.f*y:'ili,.:,3", i, Ylm J.'; ; 1,"" J,T:?iff ',':
n ns ura 3 ?'2' cr conducctnl - - -
IlLllO, Es suflcicntc parl mantenc ct intc_
r.r ,r"rrr)l.r . s: r1 t,.r,nJu,tc tr.cr-r,rl
.

u"" Io
,,"",tfi 3:"; - v, vl. =--Vv ;;;:r'""i;"'i:l rX curva d" tansr
Jc ccntro es igul a fol2.
"u ,;,'ili
,i,njll'...,1^r,1',.-.:1.:crenza
:
() nepetir la parte (d) para lss : 10 V, y"p _
2 V y yr : 4 V. :
";': : i'i';i':' , Lii
:'3'j''i.'i'It]'?s,,if por ros varoes,{.n
d. l:l seital do cntrada es * S ti V.k, 2 x 1o-
:
iili:,r't.: ';lrl:i1; """.'" i'
'n-:rrr.n
1,. ,r"""ii il;;il,;,T::;,i,,11"1",,".,,,,,.
,ii,, i"l i'iil;;;';;:l:"i;:;_'i;;
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" .""i.iiiii' "r,.i,Ji..", o"h]
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3.'t-rr ilfirfLjr .l I,:,,lrlL:rrr ll.,I.'_ri
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.i

I
 CAP ITULO

Estabilidad de la polarizacin 4
i"l,,u-1t'',,,1,"!o
^;r"' 7
ilfTRODUCCtOt{

En la pctica, en el diseo de circuitos con tmnsistoes se stablece cuidadosamere ej

punto de reposo (C) para que el transistor funcioe en un margen determinado pa:a
I
aseguar que se cumpla la linealidad (y a veces una excursin lineal maxrmal ! nc _-
sobrepase la potencia Pc,
-,. Diseado l cicr_rito, es necesaaio comprobar las
del punto de reposo debidas a oscilaciones de tempeatura y de los parmetros "u.r"a,on.:
de ,r:
tansistor a otro. Estas variaciones deben mantenerse denrro de limites acptables ::r
como determinan Ias nomas o especilicaciooes_
Entre los parmetros independientes que pueden producir un desplazamrenro :=.
punto 0 9ri un tnnsisto de unin estn los siguientes:
l. La amplia variacin de la amplificacin de coriente p (5 a I o ms) en un ::::
parlicular de rransistor.
2. Variacin de la coriente de corte de colector Icro debida a su dependeni: :: :
(emperatura.
3. Variaciones de Ia tensin base-emisc en reposo I/rrn debicias a su d:per,d:::
la tcmperatura.
4. Variacion3s d las tensiones de alimentaci debidas a una !mpie: ::s__., : -
5. Varacin Je las rcsistencjas del circulto debida\ a l toleraera r ... ,.r1..: _.
la temperatura.
Alguno de estos parmetros, po ejemplo, los efectos de la tmperatura. !, :-:. -:, .
para todos los diseos mientras otros, por ejemplo, la tolerancia de las ::::t:::- -. -
variacin de p, son ms impotantes cuando se tata de una producci e:. ::::- :: ::-
numero de amplifi cadores idnticos.
En un FET. la tensin umbral y el parmeto de coriente 'sc.n:-:-:: ::, :: :
temperatura. Estos parmetros iambin varan aigo entre una v otra uijf,: : _ t::: _:: : ,
de las difeencias de fabricacin.
En este capjtulo estudiaemos todos estos factocs, asi como -r. -a:.:-. I_,_
neutralizar el efecto de sus cambios sobre el punto de recoso.
188 crRculrosELECTRoNrcos
l
4.I.- DESPLAZAMIEIITO DEL PUIITO DE REPOSO
" DEBIDO A LA IIUCERTIDUMBRE DE P
Cuando aparecieron los tansistores, los diseadores usaban las caractersticas de emisor
comn, como las representadas en la Figura 4.1-1, para fijar el punto de reposo 0 de un
amplificador. Tal como se indica, se trazaba una recta de carga de corriente continua
adecuada y el punto de reposo se establecia para una coriente de base determinada /o..
El circuito de entrada se diseaba paa manteer la coriente de reposo de base eo eiie
valor. Sin embargo, surgi un problema cuando los amplificadores empezaron a producirse
: en grandes seies. Como los factores de distintos tmnsistores del mismo tipo pueden
estar sometidos a una vaiacin de 5 a l, la coriente de reposo dl colector est sujeta a la
misma variacin (si Iso se mantiene constante). Esto tiene como resultado el cambio de c
de modo que el punto de reposo, con un valor 1so hjo, puede encontrarse en la regin de
saturacin d un cicuito en et cual P tiene un valor elevado, o en la regin de corte en
otro, en el cual p tiene uo valor bajo.
Cuando estudiamos el amplificador en emisor comn en la Seccin 2-3, encontramos
que la corriente de reposo del colecto podia estabilizarse, contra las variaciones de, de
uno a otro transistor, utilizado una esistencia de emiso y manteniendo una cieta
relacin entre las esistencias de los circuitos de base y de emisor. Esta relaci viene dada
por la desigualdad

Ro 4 AR. (4.1- 1)

Veemos ahoa que cuando esta dsigualdad se satisface, el punto de reposo es prctica-
' mente independiente de las caactesticas del transisto. El circuito empleado se ha
rcpresentado en la Figura 4.1-2. Obsrvese que la Figura 4.1-2 puedg representar un
circuito de emisor comn, y tambin el circuito equivalente en continua de la conliguracin
de base comn, y si hacemos R. igual a cero, el circuito epresenta la configuracin en
seguidor de emisor. As la Figura 4.i-2 y todos los resultados que siguen pueden aplicarse
igualmente a las tres formas de conexin.
Utilizando los resultados obtenidos en la Seccin 2.3, tenemos:
Paa la corriente de colector.

E--y:!v^ I, | -)\

'-f.

804

60

40

2O = Iaa

Flgura 4.1-1. Caracterisricas en

 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION r89

Flgula 4.1-2. Circuito en emiror cornn

Paa el circuito de colector utilizando la ley de KirchhofJ de tensioDes:

V: IrR" + IER" + VcE (4.l-3)

Para el circuito de base utilizando la ley de Kirchhofl de tensiones:

V"u: I3R6 + VBE + IER. t.1. l -4)

De (2.1-3)

I , IE ,
rJ.l-5)
l'u:n*t-',"o
Combinando (4.1-4, y (4.1-5). se obriene:

vsn : vss - IcBoRb +G f^" - r+)

\P-rr,/
Utilizando ahora

,": uh4+ rcso -_l

En (4.1-6), la coiente de colector en leposo es:

,
t,a: atvuu t/N) | (ll tl.Bo(R. I R.,
rp I lr& L?b
La tensin esttica colctor-emisor t/cro s puede obterer de (.{ l-31 r: } l-. : '-,
ecuaciones se pueden simplilicar considerablemente admitiendo tes suposici(1--- :r::'-::.:

4:^LxIB yaquep) 1 _--,

Ii+ r

y como 1c8o es muy pequea en Ios transistoes de siiicio, tambin s:::::-- , -,:
(4.1-7) es

t f
'c -t n , r' -r
- 'a
 Adems supongamos que en
el numeador de (4.1_g)

Icso(R" + R) n
(1{r* - r*, V"" - V""
{4.1-9cl
Con estos supuestos (4.1-3)
se convrene en

Vcc - lcr + /c(4 + ") (4.1-t0l

y (4.1-8) en

r _ vsa _ I/,.
'co - 4*1@fi (4.1-l1a)
se cumple la desigualdad (4.1-l)-
t4 simplifica y puesto que
es rgual a 0,7 v paa rransisroes
;; fi:f)'" se supone que rr

Vaa - 0,7
- (4.r-11)
R"
La sjtuacin dei punto
e viene da
i:;;:,r;"il"T :,1? )pot t'l1b) v vemos que es independienre
cuando (4
sajsface de
-se podemos p-*1ir'""
Ahora
pi""ii.iento de diseo:
' "tJl1;"H.il:..ii"i.: Ht:,1:,;: :^o::lt"' asi como un punro
0 baie de
,::l;;:*1{:11.;i,.#:
.::f
2. Habra que,lerermina, i),,'^"" i'-'
j:f 1"T,":';.,,#.ff Tt',J;,;:.:l:,Jm":l:
con el cje u,, irja (..
i:,ff iL :it "#" y,,;f l:
^^;ttj.-nteseccin
ju;. j.Ji j 13,
Tili 7* jyi 1
[: :1,

n i: ;; i:r*irui :t lll* ;i i :f,l:;lti

'
:il' ili ff i
;:::l :"T, ?j..:*, Tl :i$"^ ;l ;,#; jx ;i:l: [:i: o:: : ; :'.' ;i" "" " " "

14.1-12a)
de donde

; &.4 \ 14 l-J:r

^-.-ror.),o
prac,,co
,1 fir" R. . pJ:,r. qL(
de porarizzc , t,"'ril.l"lil,j;:: er circuio
".',, ]:ff1!il;);rminar
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION.
I9I
EJEMPIO 4.I.I

;f*;frt*;?.";*ffi rj*trxi*:d"*tT,si
ff i"",,#s:#-t**",Xr*t**":""r,,=,.fi
Solucln
,i-,i;]i:l*i
dan sufi ciente inli
:ff"".':::Ti:l.l*
-'ls4 cr punro g epesenrado detemina la ecta de
* ," itlr?"irlr1t" caga y

Rectas de ca'8a para

SYjifl i i.,
(a) Po la ecta d caga

10
-l- 10_3 = 500 o
Y como 4 = 400 e,

n. = l00o
(b) Pot (4.t_I2b)

r, - {u,4: (grfg = oooo

(cJ Para calcular eJ efecto
que p ! p * r. ri.""", '" de sf
"' /'B suoe ej punto O utiiizmos (4.1-l
Ia) y suponemos

t"=vss-0'7
-- R. + Rhlp
Cuando p= 40,

, - V^- - 0.7
"o Ioo-;-4oo/40 - to mA N(2
t92 CIRCUITOS ELECTRONICOS

Cuando I : 120,

vBB - 0,7
: l0 mA * Alco
^ce - 100 + 400/120

Despejando Vss y LIca se Lieen

Vss - l,'76V y Alco ! 0,33 mA

As pues, una variacin 3:l de p produce una desviacin despreciable del punto C.

EFECTO DE tA TEMPERATURA SOBRE EL PUT{TO DE REPOSO

En la seccin anteior se analiz el desplazamiento del punto p debido a variaciones de p

de un transistor a otro y una disposicin del circuito de polarizacin que m;nimizaba cstas
vaiaciones. Ota causa important de la vaiacin del punto 0 es la temperatura de
trabajo del transistor. En esta seccin estudiaremos la vaiacin del punto e debida a que
IcBo y VEs'depende de la temperatu.a.
Comenearemos el anlisis con la expresin exacta de ia corricnte de reposo de coector
[Ec. (4.1-8)]. Esta expesin puede simplillcarse teiendo en cuenta que normalmente
/R" > Ru, de forma que R" + Rbl$ + I) - ,R,,, ya que el circuito ha sido esrabilizado
contra las variaciones de p como se ve en la Seccin 4_1. Luego la expresin (4.1-8) se
convierte en

(4.2- r I

Esta es la elacin deseada entre la corrient d colector y las dos variables dependientes
de la temperatura lco I Vso.
En la seccin anterior desprecibamos lcso y urilizbamos (4.1-11) para hallar la
corriente de reposo del colector. Las suposiciones que conducen a la expesjn (4.l,lll
son vlidas para temperatura ambiente. Para ver la validez de (4.1-ll) a elcvadas
temperatuas utilizaemos 1a ccuacin (4.2,1).
La iensin base,emisor /r. disminue lia,elmente con Ia tenpcratua dc acuerrlo rn
la elacin

LVu.-!-':-14o,: k(T, - T)
donde
Jit l; 2 mV/'C I len "C
=-
La corriente invesa de satuacin 1.ro se duplica aproximadamente para cada l0 C
de aumento de la tempeatura. Este hecho est comprendido en la frmula

lCBO: - taROtc

donde, puesto que eo,r 2,

,( : 0.07 'C I en 'C

 ESTABILIDAD DE LA PoLARIZACIoN I93

El valor tipico de 1.ro para tasistores de baja potencia a tempratura ambiente es I t/A
o meDos.
La vaiacin de /.0 con Ia temperatua pued determioarse a partir de (4.2-l).
Suponiendo que slo varian ,/s e /cso, tenemos

alrn
- _lLVs+1, , 4r) ^1.r, (4.2-4\
^r
R"
^r I R"/
^r
De la expresin (4.2-2), con L.T = Tz - Tt,
LV"t
AT
y de (4.2-3)

Llcso lctoz - Icot Ir"otG*o'- l)

AT AT AT 11.l-6)

Sustituyendo (4.2-\ y @.2-6) en (4.2-4), obtendemos

(-1.l-7)

de donde

r r-8)

En el ejemplo siguiente, s-cTllei-lEuis-t-alores tipicos.

EJEtVPt0 4.2

Considerar el circuito de la Figura 4.1-2, con R : 400 Q, R.. : lO ll :

1.o : l0 mA, a tempeatura ambiente (25 'C). Calcular la r,ariacin de i. . -
temperatura aumcnt a 55 'C.

solucn
Sustituyendo ios valores dados en la Ecuacin (4.2-8) con AT : ,10 'C.

t2 l0 ritlol tl
Llco - iOO: r 4trl.sottt'1.2t = t0.b t0 3, :..

Un valor tipico paa un transisto de silicio de baja potencia es

Ivq : 0,1 yA
Po consiguiente Alco : (0,6 + 0,0036) x 10 3 : 0,6 mA
194 CIRCUTTOS ELECTRONICOS

Mediante este ejemplos vemos que la variacin de /.o en cl trasistor de sib: rg_
despreciable en la mayoria de aplicaciones. Obsrvese tamlbit que la mayor coc::--r:r::c
al cambio de coriete viene de la variacin de la tensin base-emiso ,/dE. Esto + :
.:_
suele ocurrir, y en consecuencia se tiende a despreciar el efecto de ias va-riaciooes
i-
-"_,

4j3j AlIAtlSlS DEL FACTOR DE ESTABil.|DAD

Este mtodo se utiliza a menudo en ingeniera. El problema es el siguiente:
dt-: ::ai
variable fisica (en nuestro caso /.o). qu cambio sufri cuando las va'riables
de - :-
qepende {en nuestro caso. Icuo. Vac.
f. Vc., etc.l vaien en cantidades deterr:-,_,.
{generarmente pequeas)? Este mtodo recibe varios nombes: anlisis de sensibrii::
anlisis de variabilidad y anlisis del factor de estabilidad, por ejemplo.
Todos :s:::
mtodo-s se basan en el supuesto de que, para variaciones pequedas, la
variable consiri_-.:-:
es una funcin lineal de las otras variables y puede exprisarse en forma
dilerencial ::-:-
En nuestro caso, podemos escribir:

. Lo : Icaqcao, V66, f'

-\
La difeencial total es

._ 1.^dlcso , t-^ t
:+
dlra - ;i"
er.ao
+ a,,',v
yt dvBr 1 Op dB + ...

Delinamos ahora los factores de estabilidad

alto
.s, = (4.-'i--r j
s-. : a/.o
LVor
(4.i'::

"p: ('1.t-i:
^i
Si los cambios de las vaiables independientes lruo, V"u,
lJ, etc., son pequeos

t,-* s,-n to-W

y LIco = dlca LIcBo - dlcBo LV,E N dyBE LB x dp (4._1r
Por lalto O&" t, AIcBo + Sv LViE + SE Lp + ...
Podemos deducir fcilmenre de esta relacin A1.o para
variaciones de cualquiera de l.t
variables independientes si esras va.iaciones son
sulicientmente pequeas para que _=
cumpla nuest.a suposicin de que el incremento Al sea
aproximadamen igual al diferenc:-
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIO]I I95

d,ll si esta suposicin no es vrid4 habr que calcula

el icemento real. (Este es usuarmente
el caso cuando se considean las variaciones de p*.)
La Ecuacitr (4.1-8) es la relacin completa enire'/"o y las variablss
que interesao e el
amplifi cador convencional con conlie
p",i"e lir""1. tu' a';uua",
""i;r.;;;H,*.fffi#;ffiff-#,r,p |1;ndo
(4.3-6a)

(4.3-6b)

fi Y"#'""1:",:lT""i'T;trii"#J:":i:::iiH,iril:: ;:;?1:
"",li'"#x'
(4.3-7)

Ahola supongamos que 0t y fz representa[ los rmites superior

mente. de P, siendo rr.o, e,rcor ras respectivas corientes - respectiva_
e inferior,
fomamos la relacin
-'- a
"or"",oa.
cotrnuacron

Lq:pLfn, * i/, + Un.l

Ire, /, LRu + p, + tla.l (1.3-81

Se esta Ia unidad de ambos miembros de (4.3_g) y se opea paa obtener

I,o l,q, _ AI:9 _ ABt Ro t R"l

tcet [ro, PtlRb + tp, - ItR"] (4.3-e)

donde AIcp: Iror - Iro, y Lll =Fr-0,

n, + n.. -l
L,t : n. l,(,
Por consiguiente ,s. 41.,c {e1 [
' = , ttz .-ttR"] r+ l-i,

. Finalmete (4.3-5) se convierte en

"''fn-55*.1^'' (4.3-lla)

.'Si/cosuoafuncintineatdeunavariable.\,entonces^/cold(=d/cal.rnclusocunooarseaSrande
(puesto que r3 pendienre de un recra es conslanre).sin embargo,
ir /.0 no es ina funcrn linear de i, ar.o/at no
repesenra la pndieie de ta crrva excepro en el lmile dond; _" tr
^.
 ! t96 CIRCUITOS ELECRONICOS

T
.

Se obseva que como la variacin de p es grandg
la vaiaci tofal LIco en lca
siempre se puede determinar como en (4.3-lla)."r,
f
esrabitidad fi"."",", ros ractors de
" ""r" ;;;;;;;.
,tr no contienen po tanto, (4.3_ll)
4 ^S, J Sin embago, si
tenemos, por ejemplo, rR, : 0, 'contendran
4
t
& f Sa dados por (4.:_6) ". p qglrq p iue;
f9:^:'r..#alg,sj-va-lsr-4!sd! lasre d,, qq pqdemos Jber c;;l-l;;;'se er varor de p
nctutoo en tos tactores de estabilidad. En tal
caso se debe obtener diectamente la
laricin total de /"-. es deci:

LIca : Iq(I"or, Vurr, Ar)

- Isp(Icnot, Va, ll t) (4.3-11)
variables independientes para maximizar a1.o
en previsin de la peo
:"Tffi""ii:nft
f
I
...--t:: ll",:."n,or.
tura hacendo uso de
de.Ic_so y l/BE pueden,estar diectamente
y
f4.2-2) (4.2_3). Asi
elacionados con la tempera-

i : - 67
L,Vu" )-)r
Ii Llcao=lctorG(or-1) (4 ) -1\

Obsrvese que es relativamente fcil tener

I alectar a lco. por ejemplo, si tambin hay que
en cueta otros factores que podian
{ vaiaciones de Vr" y R", escibiremos
haliar l";;";;;;;.'; .I.o debidas a

Ot: t, Llcso I Sv LVB + S, Lp + Sy,, Lycc + SR. AR" (4.3-12)

oonde s,,
?J-^
=;'i", y s,.
Al
\ #: {43_nl

PgA-Pq-qlgas variaciones de 1"^.

La ecuacin (4.3-12) indica q-ue la variacin total
de la coriente de eposo, es
proporcronal a las variaciones de cada una
de las variables io"p"nJ"n,".
de estabilidad. Luego, al disear para pequeos u .u, ^Ico,
iu"ror".
A1.n, o;"r""". ."".i; al minimo los
i
.",-^l t""J^-i",^:;;;;;:::"
lactores de eslabilidad. En la aolicacin ,1"
g*''*"J,";1,;""".."ilffil'*:.",:T,iiiJiff ff :iiXli';i;1"?,:;":1",iH#:
100 o ms) y para apiicar un criterio p;;;;;
9l-1i9::,20.p".
re\uttados. Los ejemplos
il;;;;;;"tacin de tos
quc siguen dan rdenes tipicas ae esias;";;;;",
EJEMPI-O 4.3.1

!^!1^u1-l*,
n,I n" amplificador representado en la Figura 4.3_1
de modo que
c "2el minima a"
tenga una excursin
15.1A.. p varia de'lO u tZOl'i"rn uta
entre 0.6 y 0.8 V. L3 tensin de saruracin
::;,?.il0'0" "ol*,o._"iir", lr.r,
"",

sotucn
Para tener una excursin de cresta de
+ 5 mA se necesita que la corriente d reposo
s-e^::::n:re liiniradl
ko gor.rco, e /caz como se indica en Ia Figura 4.3_2. El punto
gr asegurx que podr vari..t- 5 mA antes del 'q*
".n"]
.i""ir". O,
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
197

asegura que L podr vaiar +5 mA antes

de la satuacin. Suponiendo que el corte
se,presenta para L :
0. 1.o, = 5 mA. En la Figura a.:_2, Z.o, uiene
oo po. tu
nterseccin de las rectas de carga dc c.c. y
c.a.

Recta de carga de corriente continua:

Vcc = Vcez + Ico2(R, + R.)

Recta de caga de coriente altema:

Vctpz
- Vs,*, = R"(Ip2 * 5 x l0-3 _ lcar)
Elimiriado Z"ro, obtenemos:

lco2-vcc -5> lo'3R, - vcE.."

- R.+x.
\" _ t5 _ _
5 0.t to
'oooTp
' 15 V

4= rko

Flgufa 4.3.1. Circuito para el Ejempl r l.:

f(
r)0 + . de c.a.; pndienre= -1
l0lr:

L_ _
I !' Recta ae carg: :: ::
I

V-- = t.
lc.-, = 0.1

Flgg,fa 43-2. Recras de carga paa el L.Jemplo _l :,:

 La corriente de eposo de colector debe satisfacer, pues,
la desigualdad

Icat4lco4lcaz
o bien 5 mA < 1.o < rooo$ .e
Resolviendo estadesigualdad, encontr
*"eJ::j,"j.:lqi"to,a" ,"po*^oto'illl;Hf; o'. 1 ko oara j
---- lTr ;.''""o'
A continuaci, veamos el efectoI de '\ '.2' las variacioDes de p y Vu|. La claciD
adecuada gs

v""
-" = R,lll * \f- + l)R"
-^ vr)
(4.3-'r)

De (4.3-lla)

ar.o * -*.1 or", * Ro+4

f Rb+\pl + 1lR.
Lp

EI caso ms desfavorable se presentar

cu ando L4BE = O,2y y 4p = 120 _ a0 : gO.

Luego ar,o xT - *",-j#

-n;:-*('H
'20R.>Rh
Es evidente que existe una amplja gan
punto Q entie ros iimr;;a"; o,::l:rff
valores de R' R' v /, qr.re mantienen el

R":500O R:20000 Vua:3,7y

el lmite infeio de 1co se pesentar
cuawlo t/"u = O, Vy : 40. De (4.3-./)

(40)(3,7 _
-'" :
0.3)
'co 2ooo +-(4ox5ooi ! 5'l ItA

0.2 5.J
^co - J00
r- Y
0
i0'(r,/ I 2000\
-#/:o.smA

Luego Ico.-,. = 5,3 + 0,8 = 6,1 mA

flfrlT;:':,,Tiil,'ill"*il,:i3.1'::l',1 l 1''o:":' q.sibre desprazamiento

is .a
excusin o"*" ,**
"_i" e",'" d:$.r"x"" i:""Ti:::l i"f,,;?. """
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
l9
R.ta de crrga de c a.

01 (Punro 0 mrimo permisibte

pafa una excursin de 5 mA)

de los puntos 0 eales

O, (Punto O mnimo para una excursin d

5 mA)
R.ta de carga de c.c.

Variacin del punro p en el Ejemplo 4.j_1

,l
@

EJEMPT-o 4.3.2

lal Utjlizndo los valores nominales

dado. en la Frgurd4 1.4. hallar /.0
amorente. l) Haliar A_f.o para a renperarura
las toiel de 1'' R. v /-La temperatura
amblente est comprend-ida
"n,..
,, ,ul!'il3o'cadas
sotucn
(a) De (4.1-8), la coriette nominal
de reposo, sr se desprecia 1cso,
es

I tn :' I ttn' .-:

'-
0(v"u
uJ +
- l/"ral
l)R" + R l/
ffl : c.ts p[[R.,/(F, + R,t]t/,c
{/+t)R.+,RA
_ voEal

7s[(0,5/5,5)20 _ 0,7]
(76)(100) + t55

4 = 500o
4e<l <99; ,"".,.., = 75
Ictu : 0,1 rA a 25 'C
V*a=O"7Ya25'C
R. = 100 1l0O
Flgura 4.3.4. Circuiro Da.a el
Ejemplo.1.3,2.
f
. i00 CIRCUf TOS ELECTRONICOS

() Para hallar hacemos uso de (4.3-5). Los factoes de estabilidad necesaros

: son , S/, Sr, Sr-^Ico
y S*.. Por (4.3-6a)

Ie11lJ
+t) *- loo :
R.
s,:
"' &+
= RJ(f
=+,,^R, 5.5 mA/mA

y como p,R" ) R6, se pueden utilizar las aproximaciones en (4.3-6). Por (4.3-6)

^l
Sn - - = -0,01 A/V : 10 mA/V
R,

Con Pl = 49,la IcaL correspodiente es lcat = 10,2 mA. Luego por (4.3-10)

^
tu x lO,2
+9
x .^_.
l0-r
455 + 100r *
Q01 mA por unidad de cambio en /i

-_: a la parte (). Entonces

Para halla Sr- nos referimos

t'' : li;= rf + ttn. , R,

-dt.^8/R,\R.
'
[& r' n,/ ,n, T-n,rn.
=
500
tssooilool
: ro'9 mA/v
Para hallar S. aplicamos la denicin a (4.1-8)

s".:k:*^ffi!=#
r - l0 " A/O = -0,1 mA/A
Asi quedan determinados toCos los factores de estabilidad. El paso siguiente en la
soiucin se hallar LV,L, LB, LVcc y Usando (4.2-.1), teer,ros
^Icrc, ^X-..
A.lruo : r"orrxtr - l) : 0,1 x l0 6((0.011100) - l) * 0,1 mA

y por (4.2-2)

avuu : - LT = _(2 x 10 rxl00) : _2) mV

Por las especificaciones

Lp:50 LVrr:4 V
^R.:20O
La peor desviacin posible del punto 0 con respecto al valo mnimo se:
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION 201

: l& LIcBol + lsy LV"rl + lsf + lS/- t/ccl + iS,

^1"a : (5,5X0,1) + (10X0,2) + (0,01X50)^pl+ (0,9X4) ^+ (0,1X20) ^"1
:0,55 + 2 + 0,5 + 3,6 + 2mA
Y < 8,65 mA
^1ca
La mxima vaiacin posible con rspecto al valo nominal de 10,6 mA ser entonces
aproximadamente la mitad de este valor, o : f 4,3 mA.
Se nos pregunta cmo puede reducime esta gran variacin de corriente. La gran
vafiacin con la temperatura, debida principalmente a vaiaciones de [rr, origin
- aproximadamente 2,55 mA de la variaci total de 8,65 mA de la corriente eo eposo.
En la Seccin 4.4 se preseritarn algunas tcnicas para minimizar las variaciones de
f/r, debidas a Ia temperatura. Para reduci las variaciones debidas a I/.. y R" se utiiiz
una fuente regulada tal qve AVcc : 0,1 V en lugar de 4 V y se emple una resrstencia
con tolerancia dl I por 100 e vez de un l0 po 100, para que : t 1 f As se
modifican os clculos anteriores para obtener ^R,
< 11,67 mA
^Ico
Incluso esta variacin, de aproximadamente 20 por l0O de Ia 1. nominal. es
srgnicativa. Este pocedimiento de anlisis es. pues. e\tremadamente irporranre. a
que la informacin capacita al diseado para deteminar si puede ser obtenida Ia n-
ma excusin de la cordente de colector. De lo contrario ser necesario un nuevo diseo

"/
4t+, tAS VARIACIOTIIES DE TEMPERATURA
COMPEITISACIOITI DE
MEDIAITITE LA POTARIZACION POR DIODO

En las secciones anteriores hemos visto que los cambios de temperatuaa amt ie.:. :\:ji3n
producir una variacin importante en la coriente de reposo de colector. Est: r:::_- .- :s
debida principalmente a la tensin base-emisor tr/ru, que es funcin de la rem::.::::. :_
efccto de lcso es generalmente despreciable).
Un mtodo para reducir esta variacin dc coriente resulta ob!io .1, :::.::::: :
fac'io de estabilidd S, de (4.3-5b).lji R. aumenla. S. disinurc e l/:,, ;,.::':.:::, l:
er(lbargo, se cduce iambi la aorrirntc an il cqutlibrr(,. -\s'. cn c.r r l, ::.,. .:.: - : -:.
Sn no se colsiguc dcmasiado.

4.4-1. Compensacn con un solo dodo

Otro mtodo para reducir las variacioes de la tensin base-emisor consis:i :.-. ,: -' :
compensacin por diodo. Para comprenderlo consideraremos el circuirr. d i. I -, -. - -
En cste circuito, lapolarizacinseefectaporunafuentedecorrienrer,:,:..,. :
se elige el diodo de modo que se adapte a la caacteristica de la uni.n ::::-:- : ' ::
transistor, para que sus dependencias de la tomperatura sean las mis:.. ::.-::.-:

LVo
AT: AT
4!!r
 ++
va

Flgufa 4.4.1. Potarizacin por diodo:

circuito simplificado.

La coriente de la fuente de polarizacin es constante de modo que

Iuu - Ie t lsa - tD +p3, - (4 4-:

"on.,un,"
La tensin de base del cicuito es

Va= Vol IoRo: V"rp I Ir}R" (1..+-l

Luego, utilizando las expresiones (4.4-2) y (4.4-3\,la coriente de reposo del emrsor es

f
vD- v,.^ + IuuRo
'Ee - R.+ Rdl(p + t) L+:-:
I
Ya que 1r, es constante

aIEo _ LV,ILT AV,EILT _ o

LT R. + Rlg + 1)
Por io tanto, 1Ea es insensible a las variaciones de temperatura.
Obsrvese tambin en la expresin (4.4-4) que la corriente de emisor 1,^ es relativamer::
independiente de la< rariaciones de ,4, si

Es evidente que ei
^'"#
grado de estabilizacin con Ia temperatua depende dc la adaptacrr:
1-1 :-.

o igualdad ente el diodo exterior y el diodo base-emisor del transistor. Cuando se us::-
componentes discretos debe tenerse cuidado en Ia eleccin del diodo. Si -h","^ --
cicuitos integrados (CI) los diodos estn formados por transistoes
-"*";;;;;';;
colecto, como muestra la Figura 4.4-2. Habitualmente, cstos transistores
_
integado5 .::
muy similaes (curvas adaptadas) a causa de la naturaleza del proceso <le fabjcaciei.
po. tnto, la compensacin en temperatura es bastante buena_
Obsrvese que como (,1.4-5) es independiente del valor de R, se puede obte_-.::
.
teorcamentc una perlecta compensacin si Rd : 0 Sin embargo, en talcs circu::-,
lto 2 I'"r. por lo que la corriente suministrada al circuito de polarizacion exceo: ::
i coriente del t-dn5i.Lor F\lo d Iugdr d malor di.ipacin dc potencia.
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIOI.i N3

n" 1"ol

Hguta 4.4-2. polarizacin por diodo:

con u transistor conectado como diodo.

EiEMPr.o 4.4-1

La Figura 4.4-3 muestra un circuito de polarizacin por

diodo en que la fuente de la
connte de polarizcin 1r, ha sido reemplazada por
una fuente '" i.sil s"e
con una resistencia. Determinar el efecto e las variaciones "n tn
a" t"_p".uilr""'.ou."
coriente de emiso! en leposo.

,:

v. IDI iR"

Flgufa 4-4-5. Circuiro prcico de

polarizacin por diodo.

Solucn
C,o,melzamos por obtener. el equivalente Thvenin de
Ia red de polaizaci_ paa
ello
.representamos el diodo por una fuente de tensin l,r. El circuiro equivalenre
esultante est entonces epresentado en la Figura 4.4-4.
Ailicrra. l" ."g"id" by a.
Kirchhofl (de rensiones) al tazo base-ernisorl ob."r"u"d;;;; (p
hallamos la coriente de emisor en eDoso
;-iiri) :
,,r.

!,^-ttt^ 1 YpKbtlKh t Rl - Vst

YqR + ypR6

Flguf 4.4"4- Circuiro

/
204 CIRCUITOS ELECTRONICOS

donde hemos supuesto R" > (Rb lRd)/ff +

1). Esta coriente se pude hjar en el valor
deseado ajustando -R, y R . La variacin de 1o debida a un cambio de temperatura es

LI,^ | X. LV^
LT R.R6 + Rd LT ^V,"^
LT
LVo LV"ta
AT - AT - _, dondek::2mVl'C

-LI"^kl
Lueso r: +
- LT R.. I + -R/R

En Ia Seccin 4.3 vimos que sin compensacin del diod y si se desprecia ,fuo

LI.^ k
AT R.
Asi, la compensacin del diodo, cuando se emplea como antes, reduce la sensibilidad
a a temperatura; por ejemplo, si lq : 2,5 kO y lR, : 250 O, se tiene

LI," k
LT llR"
y los efectos de tempeatua se reducen a la onceava parte, comparados con los de
una etapa de amplicador sin estabilizacin por diodo.

4.4-2. Compensacln por dos dodos

El Ejemplo 4.4-1 ilustra el hecho de que utiliza[do un cicuito de polarizacin con un solo
diodo no se puede obtener una perfecta compensacin de temperatua. Sin embargo,
cuando se emplean dos o ms diodos, como en la Figura 4.4-5, LIrolL,T se puede hacer
igual a cero para obtener una perfecta compensacin. Para algunas aplicacioncs es
conveiente dar un valor positivo o negativo determinado a AIo.lA,T. Tal ajuste de la
variaci de temperatura de 1rn es posible utilizando el cicuito dc la Figura 4.4 5a.
Con el fin de determinar las cordiciones neccsalias para hacer AIE.,IAT : 0 pirneo
obtenemos el cicuito equivalente de la red de polarizacin, como muestia la Figura 4.4,5.
Luego, aplicando la ley de tensiones de Kichhoff al bucle base-emisor y suponiendo que
R. > (Ru li R)l(p + l), hallamos 1ro

ro:(v""Ro ! 2vrR)L(!o ! RoJ v"'

(4.4 1)

Puesto que
4VDILT
: AV"rlLT, la corriente de emiso en reposo es independiente de las
vanaclones de temperatura si

LJe
: 2Rb/(Rb + R) LV,IAT - LVpILT
(4.4-8)
AR R"
 ESTABILDAD DE LA POLARIZACION
{'zosr,
l-_/'

vs

rD+

VBBR + 2yDRb
R,+Rd

(b)

FlgUfa 4.4-5- Potarizacin con dos diodos: (a) circuiro; () circuio equivaleni:

Esto se cumple cuando

Queda, pues, demostado que en el circuito de Ia Figura 4.4-5 con R : R la c!1'----'= --

emisor es independiente de Ia temperatura. El ejemplo siguiente explica el di:.i. ::
clrcuto con un transistor polaizado por dos diodos.
-.

EJEMPT-0 4.4.2

El cicuito de polarizacin por dos diodos de la Figura 4.4-5 se emplea pa:: ,::::::
compensacin de tempeatura de la coriente de emisor 1,. Si 1.R. = I \.
VBB. Si It - I mA. delerminar un vaor adecuado puru o
-. -,
= i,
 Solucln
Despreciando la corriete de base 1, en comparacin con D, se observa que
la
tensin en el punto P es igal a V"Jl fuuesto que r} Ur".u"-o, t"rn
& =
que la tensin en P es igual a la tensin de emisor si ia cocnte
de diodo :
Por tanto.

+: ! = r,n.
De aqui- que Vas = 4V. Adems tensmos

IRo = V, _ Vo, : ? _ q7 : l,3V

Con Io=Is=lmA &:R=l,3kO
(Un.valor estndar seria 1,2 kO). Si para ahorar potencia,
decidimos hace. ID
mucho.meno que 1, ya no sera vlido este procedi;iento "
qu"
Zo, sera menor que Zrr. Un procedimiento adicuado en este
c".o"af"uiolu"*o." A"
el Problema 4.4-6. ", "iq'u" "n

",.'"1,1"''.10",,?j;l,tl'lln::
red
,.,"^:::H'.l;:f j.ilJ,llT".i.i.,liililxill
resistiva como divisi de rensin r.." er* i.l_ii

45. ESTABILIDAD DE LA POTARIZACIOil EIT EL FET

Las caractesticas ,l del FET_ cambian con la temperatula,

lo mtsmo que las del BJT. Sin
embargo, las caracteristicas d los FET del mismo tipo o
vanan, contrariamente a la
gran variacin de p en los. BJT del nismo tipo. En
esta ieccin estudiaremos diversos tipos
de de polarizacin que controlan ia uuriu"iOn ae poiaiizacin en
-circuitos Aunque el fnef I ei ei
MOSFET. aqu se usan dispositivos cle canal a, se
fueaen utilizar las mismas
tecrrcas parn polarizar los FET de canal D_

4.5.1. Potartzecln det JFET

La Figura 4.5-1, muestra un amplificado JFET. Deseamos polarizar esta etapa para .r:
lalo nominal dete.minado de tensin drenaje-fuente ,"ioro, ZDsq. La vanacln c:
llll: g -" la variacin de los pafmetros tlei FET "n
se ""rnunGi". dcnto oe u-:,
urrrLci uerermnados. para ello, debemos polarizar el JFET con el lin de que la vanacr::
oe la corn^ente er eposo drenaje-fuente no
exceda de los limites, ya que las vanaoone. ::
,1Dsa- se reflejan directmenle
en /Dso.
ts caracteristicas de ranserenci de la Figura 4.5_2
muestral la variacin en er pe..: ::
los casos de la coienre denaje-fuente en funn
de r","rrlo" f"".i"_i""ni" ou.u un,,-,
 ESTABTLIDAD DE LA POLARIZACION
I'

,"jfr
f"
Yrc
Flguftt 4.5.1. Ampificador JFET.

_5: _ zpo..e _4_3: y,r,._t^_2 _r

Flgura 4.5-2. Caracteiiticas de transcor)ductailcia e el casc ms desfavorabl3.

particular de FET. Las cuvas de transfeencia

estn dibr_rjadas suponiendo que ei'FET
funciona en Ia regin de satuacin, por
lo que se aplica lj.2-3):

/ ,. \,
tDs: t,o\l +
n) (3.2-3)

Hay dibujadas dos cuvas que representan los valores

correspondientes alcaso peor de 1eo
y ,/ro; e.tos valores los proporciona el fabricante
para cada tipo " Fpi iui'"".a"r"..ti"u,
de,cualquier.FET de este tipo estarn, pues,
comprendidas elte estas dos curvas, con los
valoes nominaies aproximadamente en el
cento de la egin_
208 CIRCUITOS ELECTRONICOS

Las curvas se utilizan para deteminar Vcc y R" en el circuito de la Figula 4 5-1, de la
manera siguiente: primero, se elige una corrionte nominal en reposo y en la mxima
desviacin permisible cor respecto al valo nominal. Tpicamente podemos prmitir una
variacin de 110 por 100 en lDso. Por tanto, loso,-o* = l,l le"pe lpso, ^tn
: O,9 lp5e.
Estos valores estn indicados en ls dos cuvas de trarsconductancia en los puntos 0.4' y
Q.. de la Figura 4.5-2, y los valores correspondientes de f/cso estn tambin indicados en
esas curvas.
De la Figura 4,5-1, tenemos
Voo=l/o"o+Io"oR" (4.5-r)

La ecta que representa esta cuacin debe pasar por los puntos Q-' y Q.'., como en la
Figura 4.5-2. La interseccin de esta recta con el eje Das da Vco y la pendiente de la recta
es - l/R".
Paa conclui el clculo del circuito de polarizacin, cuando t/Dso y t/DD son conocidas
la resistencia de carga -R, se puede calcular fcilmente. El Ejemplo 4.5-l ilustra el
orocedimiento de diseo.
EJEMPI.O 4.5{

Disear el circuito de polarizacin para el amplificador JFET represetado en la

Figua 4.5-1 hallando l/oo y R". Voo,-t* : 5 \, Vee.^n: 3 V, Ipo,.' : 9 mA,
Ipo.^n : 7 mA. IDso, no. : 5 mA y se permite una variaci de f.10 -por 100'
Siendo el valor nominal de I/5e = 6 Y ! Voo : 15 V, hallar la vaiacin de VDso y
determinar R.

solucln
En la Figura 4.5-2 se dan las curvas de transconductancia colrespodientes al caso
peor. 1Dso, o,. cota a la cuva de arriba en Q*., donde Vas : -I,l
V. 1Dso, -t' corta
Ia curva inferior a uo" :
0,6 v (0-d. En la Figura 4 5-2 est repesentada la Ecua-
cin (4.5-1) que pasa por los puntos 0., y 0.r.. La esistencia de fuente R" hallada es

p : LVo" - |'.1> 0.1

o
l0-' =
"" soo
/258, -r' - /o"o -t
La tensit de polarizacin Vcc hlla'ia es V"" : 1,65 Y. Con Voo : 15 Yy Vusa
ajustada nomiain,eote err 6 V, tencmos
voP- !e!o: -[-^:, -
R, + R. : 5 / lO-'
l8oo o
'lDso "-
Como R" : 500 O, R : 1,3 ko (un valor estndar sera 1,2 kO) En la Figura 4 5-l
vemos que

Aluo'o: -AIP"P(R' + R")

Puesto que Alorn : :L0,5 mA, la variacin de la tensin drenaje-fuente es

LVDsa :
!0,9 V (115 por 100 dei valor nominal comparado con l 15 por 100
especificado para lDso).
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION 2W

4.5-2. Polarlzacln del MOSFET

En la Figura 4.5-3 esi repesentado un amplificador NMOSFET. La polarizacin de la
puerta est lada por la tensin de drenaje a travs de la resistncia R Como por la
puerta del MOSFET no puede circular ninguna coriente continua, tampoco circula en R,
y la tensin c.c- en la puerta es igual a la tesi c.c. en el drenaje, es decir.

Ves : Vos t s-)\

Este circuito de polarizacin es igual que el utilizado paa polaiza el JFET en cuanto
a lo siguiente: En el circuito JFET de la Figura 4.5-1, cualquier aumento de la corente de
drenaje produce un aumento de la tensi de fuente y por consiguiente la tensin puerta-
fuente se hace ms negativa. Esto tiende a reducir la coriente, reduciendo po talto el
aumento de corrierite que inici el ciclo. Esta secuencia de eventos es lo que se llama
rcalektacin negatiua (vase Seccin 10.1). En el cicuito MOSFET representado en la
Figura 4.5-3, un aumento de /Ds hace que ZDs disminuya. Como t/s :
Zcs, la tensin de
pu.ta tambin disminuye, lo que tiende a reducir el aumento o.iginal de la coriente. El
Ejemplo 4.5-2 ilustra cuantitativamente la influencia estabilizadora del circuito de polari-
zaci.

Flgura 4.5-3. Polarizacin C.l \lasaiT

EJEMPT.o 4.5-2

La Figura 4.5-4 muestra las ca.acteristicas de tansferencia ti ) :-::::: :-

mxima
el caso ms desfavorable para un determinado NMOSFET que esl; :.-- :.-:::
utilizando l circuito representado en la Figua 4.5-3. Como /s = I c.. e. Fil :--
funcionando e la regin de saturacin por lo que la cotiente iDs ej ii:::.::::: :
de la tensin drenaje-fuente y varia con el cuadrado de la tensin Pj.::.- r- :
como en (3.3-2). Las ecuaciones correspondientes al caso ms desla\oia:.: .::

t-n.(uo' Vr,
^'"f
k-1luo, - I/r..")'?
210 cIRcuITosELEcrRoNfcos

tDs: t0 \vcs - sF

o.,, 1

I Rtrra de carga c.c.. vcs . t Ds - l/DD - IDR.

. 0 45 r0 15 uo",V
Flgufa 4-5.4. Caracteristicas ,l de un MOSFET para variaciones de los parmetros en el
ls desfavorable.

La ecuacin (4.5-3tz) da el mayor valor de Ls pa.a un valor dado de I/"r, mientras

(4.5-3) produce la iDs ms pequea. La caracteistica dibujada con linea de trazos
tiene los parmetos Vr: 4Y y k,:2 x l0-3 A/V'?, y la dibujada con linea
continua tiene los pametros Vr : 5 V y t" : l0' ANt, Voo = 15 V y
R : 1,5 kO. Hallar las mximas variaciones pcsibles de losa! Vosa.

50lucn
La ecuacin de la recta de caga

Voo:l/or1,IsR"
est dibujlCa en los misilos eJes de coordenadas que la5 caaacteristicas de transfe,
rencia r, como muestra la Figura 4-5-4. Los puntos de Iuncionamiento o de reposo
0-, y 0.r. estn er la interseccin de las dos cuvas u y la recta de carga. En este
ejemplo p.r, I 0.," estn repesentados en el grfico por

Q^t.: Iotn : 6,2 rn{ VDso : 5.'l V

8-r.: Iotn : 5,3 mA VDso : 7.1 Y

Asr pues. el punto 0 nominal coresponde a los valors medios 15q - 5,7 mA !
I/Dso : 6.5 V. La mrima variacin de lDsc es, pues, A1r"o : :10,5 mA. o
aproxlmadamene el l0 por 100 del valor nominal de 1r"0, mientras A Zosp : 10.8 \'.
que es apro\imadamenie el 1l por 100 dei valor nominal de /Dso.
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIO\ :ll
EI ejemplo atrterio demustla que la polarizacin con rcalimentacin produce u!.
punto O que se establece a pesar de las grands variaciones de los parmctos. Sc deja
como ejercicio demostmr que si oo se cmplease realimentacin y el FET estues
polarizado como en la Figura 4,5-5, las variaciones de la magnitud reprcsentada en la
Figura 4.5-4 produciran variaciones sustaDcialmente mayoes en la posicin del punto Q.

Flgufa 4-5-5. PET polrizado sin realimentacin.

I _,
I
4.16.'' CONSIDERACIOilES TERMICAS AMBIE]ITALES
EIf LOS AMPLIFICADORES COIT TRAiISISTORES

En esta seccin consideaemos el efecto de la disipacin de potencia y de la temperatura

ambiente sobe el funcioramiento de los cicritos con transistores. Como en la mayora de
los circuitos amplilicadoes de potencia se mplea el BJT, nos referiremos a este dispositivo.
Los amplilicadores FET de potencia se estudian en la Seccin 4.6-1.
El diseo prctico de los cicuitos con transistores casi siempre implica consideraciones
trmicas y tambin elctricas a causa de que la mxima potencia media que puede disipar
el transistor est limitada por la temperatura d la unin colcctor-base. Asi, el diseo del
circuito debe incluir el clculo de las cc,ndiciones 1:rmicas para que no sea excdida la
mxima tempeatua permisible de la unin- Esta temperatura est comprendida en el
margen de 150 a 200 'C para el silicio; a tempratuas ms altas se deterioa el
transistor. La potericia media disipada en el colector P" es igual a la media del producto de
la corriente de colecto y la tensin colector-base, y la nima potencia media de colector
permisible es especificada por el fabricante. Se puede exceder momentneamente este valo
nominal siempre que el transistor rlo tenga suficiente tiempo para calentarse hasta el
purito de quemarse.
El anlisis de la situacin trmica en un tansistor es el mismo que para el diodo de
unin considerado en la Seccin 1-11. La configuracin fisica representada en la Fi-
gura 4.6-l est descita exactamente por (1.11-7) y lo dicho acerca de esta ecuacin es
directamente aplicable. La informacin sobre la resistencia trmica 0,r y 4o la da usualmete
el fabricante dei transistor.
a 212 CIRCUITOS ELECTRONf COS

Ambiente 4 Uin Tj

Flgufa 4.6.1. Transistor y radiador de clor.

EJEMPI.O 4.6I

Un tralsistor de silicio tiene las siguientes caractesticas tmicas:

4... = 150 'C 0" = 0,7 "ClW

Hallar: (a) la potencia que este transisto podria disipar si la cpsula pudiera
mantenerse a 50 'C, independientemente de la temperatura de la unin; () la
potencia que podra disipar con una temratura ambiente de 50 'C y un radiado
de calr con una resistencia trmica 0"" = I "C,,'W.

Soluin
(a) Para esta condicin

T. T
--L I50
--^-- --rl4lW
5n
-'P .
oi' '- 0"7

() Utilizado la expresin (1.11-6), obtenemos

T. T t50 Sn
t 0i+ 0," u./-l-
P--:)---------:#r59W
Asi, un radiador <infinito) de calor como el del caso (a) permite al traNisto disipar
ms del doble de la potencia admitida cuando se utiliza el radiador <<real> denido
po ().

Curvas de degradacin o educcin de los valores nominales. La variacin de la disipacin

mxima de colector con la temperatura de la cpsula es una caacteristica importante que
suminista el fabricalte del transistor. La Figura 4.6-2 ilustra una cuva tpica. paa
temperaturas de la cpsula inleriores a 7.,, el transistor puede disipar su potencia mxima
admisible. Para temperaturas superiores a {, la disipacin mxima admisible del colector
decrece, tal como se indica en la figura.
La disipacin admitida de colecto en esta regin viene dada por la ecuacin

T- _T T _T
p^p (4.6-1)
 FSTABILTDAD Dt LA POLARIZACIOT ,&

Flgufa 4.6-2. Curva de degradacin.

Como
(4.6 2)

vemos que
T _T
(4.6-3)
C. r

eJEMPL0 4.6.2

Un transisto de silicio de elevada potencia puede disipar 150 W mientas la

temperatura de la cpsula sea menor de 45 'C. Por encima de sta temperlura la
potencia de colctsr decrece linealmente, como indica la Figura 4 6-2. La temperatura
mxima de la unin es de 120 'C. El amplificador debe ser capaz de tabajai a
tempraturas ambientes muy elevadas, de hasta 80 'C. Determinar la potencia
mxima que este transisto puede disipar y la resislencia trmica necesaria del
radiador de calor y del aislante paa evitar que Ia tempcratura de la unin supere su
valor mximo admitido.

Solucn
T, : T, : l2O'C y 0. se puede hallar utilizando (4.6-3):
^e,
120 - 45
: 0,5 'c/w

Para no exceder el mxirno de tempeiatura d9 l1 uricn' rlccesltliros.

: T'.,a' * Ps9
T,^*
Asi 120 - 80:40: Pc1.= Pc@,+ d.,) : Pc(0'5 + B.'i

La seleccin debe hacese siguiendo criterios de ingenieria Es evidenle \l-' : : -:

diador de calor infinito. Pc - 80 W Sin embargo. como eslo no e) p'i' : ' '---
que conformarse con un buen radiador (con aislante)' el cuaL podi3 :3:'r -:'
resistencia trmica de 0,5 "CAv. Asi
Pc -' = 40W
Obsrvese que el transistor de 150 W slo puede disipar 40 W a caus d:- ::-
-
de alta temperatua ambiente.
4.6-1. condlclones trmlcas para
el uso del FET de lrotencta
En a Seccin 3.12 hemos visto
de las caracteristicas de un_FET
esta seccin consid"."-o.rs el -algunas ;:::'-::'::'.:Tu"ut. oe
d;;;:r dc poteocia- EE
electo del aumento de temperatua
de este dispositivo. "i sobre el funcionamieDro

o en.conducci!, riene una

;Ji::"-:-':::'"d"
..i*;H esistencia erectiva
^"':'#i1',:::i"t:;
;,j;ffi ;.|ff
eracin ente r"
;T:.r1*: liJ,lff.
s; ;;;;:"
?:,.
]Rr14) = RpBfT,) o,oo,trz - r t
(4.*)
' ff"fttry : {obsrvese qs 60.ooz !
ntT"':,T:::ffi::: Ter'
o; rc'
1,007, po Io que
La poiencia'r, dr"il ,j.i'""ii.iliiiiij"t"d: too.l

i:lj{"lT;:,':,':',j:.'i'il}'J,J;;";;ijfil*,,'r=r*,r.,.","..".,,.,,'"0"1','
ll*:*:il"ti:::i*T#:d*#1",."1...;Jl*',",:i"ff [Tn:i,",;tff i*
LT = 7r _ T": 0,p, (4.6-6aJ
Sustituyendo (4.6-5) en (4.6_a)
se tienc

AT=7. \=grF5Rp(T) (4.6-6b)

La Ecuacin (4.6-4) relaciona
tiene
(4.4-6) se riene
14.4-6) ''"-' : QconRotrlTr:
R..J -
1). Haciendo la sustitucin en

A,j-F-0,$i^r = 0
"IzosRrrtl:1,) (4.6-7)
?
'"f",i'."Jlii;',i'i: i::ijix,f l::T en ,uncin de ar
r ia Fcuaci Jn, ;; ;l l#;,,.T:i caior se pueden
ur i riza
; :HTi: _de
"0,.J,,::o:;o;' tJemplo 4.6-3.

60

50
40

l0
20
10

0
90 tm ltO f20 tjo c
Flgura 4.6-3. crlico ^l
de en luncin de
^f-0.oorr ^t
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACI' ].

E EMP|.o 4.6.3

Un FET de potenci admite una mxima tempratua

en la unio de l?5 .C y tiene
una resistencia trmica d,, = 4 .Cly. Cuando
el transi.tor ia
drenaje-fuente es I A y ta isisrencia d"l FET "oduce,
de 25 "C es RFE25 .C) ", ";;;;;;;;
,".nli.i"r" "o..,"nt"
= l0 e. Si la temperatura
menos, calcular (a) la esjstencia trmica necesaria
" ha de ser ".0,"","
de ia unin t25 ,C o
a.f ,"", " .f.. A.,, fl fu
resistencia del FET cuando L
= 125 "C y la por"n.i" O"ip"a" ." a
y.125'C suponiendo que IDs se mantenga en I lei
:t; = ZS
A. (c) En qu condiciones "se puede
suponer que 1o" se mantiene constante auque
cambie Roir?
50luctn
() Por (4.-7) tenemos

rir.=a, 10,"=L:++ro) r Dsr FEft

Utilizando la Figura 4.6-3 con AI : 125 _ 25 : 100 ,C, hallamos

! 50
^7_q007r
de donde ^50
u,"! : 5 "c/w
[10
CoT? dj,.,- a "C/AV,la resistencia trmica del adiador ,C
() Utilizando (4.6-4), tenernos debe ser menor que 1 \\

RFEI125 'C) : 10(o'oo?)rroo) - ?O O

Por ranro. Pl25 "Cl .- l0 W ) p{ t25 .Cr 20 W.
-
que /Ds se mantiene constante mientras RtsLr
ru f,-, :upol:fno: aumenta
"^ r sr la resistenca de carga excede consideablemente " rr'..,irt.n"i"
de lJ a
*.r
que es 20 Q. Asi, si el conmutado FET rr,
est activando una ."."*'a. fUU ,, f"
vaiacin de la coriente debida al aumento de
-ft.r es desp..ciabl-e.

' 4.7. ESPECIFICACTONES DE tOS FABRCAI{TES PARA

TRAI!SISTORES
DE AITA POTEIICIA (Pq., > 1 W)

En esta seccin se describen algun

,.,".i,;";* i;;;.;;",;;;;xfi j::1"THT:H'j,fl::il,]::f
silicio /pr de unin difundida. ""'ffi il::;::j :
Tipo de transistor: 2N6277, srlicio npn
A. Mxima resistencia trmtca 0": 0,7 .CAV.
B. Mxima disipacin de colectoi con adiador de calor infinilo
a 25 -C. pc
C. Mxima temperatua de unin T,..r, = 200 ,,C. = l0 W.
l' ?rc CIRCUITOS ELECTRONICOS
r
D. Mximos valores nominales absolutos a 25 .C:
l. Ic = 50A
2. IE- = 20 A.
3, Tensin de ruptura.
a. Colector-bas (BVCB; : l8O y.
b. Emiso-base (BVEB,\ : 6 y.
c. Colecto-emisor (BVcEo) : lSOy.
E. Amplificacin de coriente fl en I, = 2g A: 30 < f < 120.

Explicacin de los slmbolos, La mxima resistencia tmica dr", la mxima

disipacin de
colector Pc,nr y la mxima tempeatura de Ia unin
f,.r,,'ie las que se lrata er las
Secciones l.l2 y 4.6, pueden ser resumidas utilizando Ia cliva de degra;acin
dc poten;i;
repesentada en la Figura 4.7-1. As, si se emplea un radiado de calor inlinito
pueden disipar 250 W cuando la temperatura de Ia cpsula (que
(q,':
0), se
es igual a la temperaura
amblente con adiado de calor infinito) es menor que ZS C.
Si Ia temperatua de la
cpsula aumenta por encima de este valor, la disipacin de potencia pe.mjsible
en el
tansisto dismiuye como se muestra.

T"'"c
Flguta 4-7.L Curva de degradacin.

Los mximos valoes nominales absolutos especificados indican

cules so los limites
de la coriente y tensin del transisto. As pu"s, nuncu se debe
superar una corriente de
colecto de 50 A. Tampoco se debe superar una coriente de base le 20 A (para
lener la
seguridad de que 1. < 50 A). Asimismo nunca se deben sobrepasar
las tensiones colector-
base y colector-emisor de 180 150 v, respectivamente. Estai
son las amadas tensrones
de ruptura. Cuando se supera esta tensin,la unin entra en disruocin(como
cn el diodo
zener) y la multiplicacin de la coiente de avalancha produc unu
u,
la representada en la Figura l.l0-1. "u,o"t".,r,,"u "o,no
Se \e que el factor de anaplilicacin de coriette
,, toma slo vaiores de l0 a 110. Est(.
es debido a problernas de fabicaci. En un iansistor de aita polecia
la egroD de base
es ms ancha para aumentar la tensin de ruptura y en consecucncia p
es menor. Sin
embargo, el estado del ate de las tcnicas de fabricacin permite
obtener mayores
tensiones de ruptura con una regin de base ms estecha ando
como resultado el
mantenimiento de valores de altos. /

PROBTEMAS

4.1-1. El transistor de silicio que se dsea utilizar en el

cicuito dc la Figura p4.l,t tene una f que
vara de 50 a 200. Si VaB:3yy R": 200 O, hallar
ta varia"ia. a1i fr"to q p*u x" = I tO
yR^:10kQ.
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION 217

Ycc = 20v

R": 1m
Yat : o'7 Y

Flgura P4.1-1.

4.1-2. Se desea utilizar el traistor del Problema 4.1-1 en el circuito de la Figura P4.1,2. Hallar la
variacin de la corriente en reposo cuando p vara de 50 a 200.

gura P4.1-2.

4.1-3. El amplificador representado en la Figura P4.{-3 debe ser calculado para que tenga la
mxima excursin simtrica- Si B vara d 50 a 150 en este tipo de tansistor, halla. ;s. ,R. y
la mxima excusin de u.

t5 v
lkl

Vd = o"7 Y

Ffgura P4.l-3-

4.2-l.EelcircuitodelaFiguraP4.l-1,VBB:3y,IcBo:0,1pA,Ro=lkQrR.:lr--: ;-
la variacin dc la corriente en reposo cuando a temperatura vae de :5 3 l_j - : -: :
, - 100.

4.2-2. En el circuito de la Figua P4.l-2, /cro : l0 pA y P : 100. Hallar la rariao:. -: : - -r: :

en reposo cuando la temperatufa v^ri^ de 25 a 175 'C y de 25 a - 55 'C.
4.2-3. Caicular u. cuando la tempcratura varia de 25 a l00'C en la Figura P_: l'l S-: _._ : -: -
I, son transistores de silicio idnticos, con Icao = 1 uA y ll )a :
 l0 ko

L5v

Hgura P4.2.!.
42-4. El amplificador represenrado p4.24 debe ser calculado
mLrima ", 11-Ii*1"
excurci simtric- El marge _lJ-"
para que renga la
p ) @, Arcp debe ser menor que inl.
de_remperatura
H"rrl. (r.)
qs de ijis:L .r, = o,r p
"-r--^" ,"r;r;;;;a excrrsr.
15v
lkQ

Ffgura p4-2.4-
431. Urilizando el facto de estabiiidad ,S, en el
circuito de la Figura p4.l_1. Hat
valores tales que ia tensin entre lo
d50a200.Laconienreen,"r..::nt"ni:l"j;ii#""r#""i:'{1"'"".f"?;.t
432. En el circuito de Ia Figura p4.3_2.

50 <, < 26 25"c <r<75.C

vcc=6Yto,2v rclo =
0,01 pA a 25 "C
Halla. la corieir:e en reposo, todos los fa,
cornerle en feposc en el caso v la vaiacin de Ia
-a, "ri"r"jljil.l" "ttab;lidcipertinentes

4:lko
Ya : o'7 v
&=tka
va:1Y ,R. = 100 O

Flgura P4.5.2.
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACIO\ :19

4.33. (c) EI circuito de la Figura P4.3-3 ilustra el uso de la ralimentacin de colector par-
polarizar un transistor. Dmostraa que

, =
,.o __ - VBEa + (R, +
ftv*_lr_. RtVc*)
la. + R,
() Hallar t, S, y Sr.
4.3.4. Enfa Figura P4.3-3, Vcc - 20Vy &: 1 kQ. Hallar R, para que /co i 10 mA. Calcular Sr,
S/ y Sr. Determiar la excursin delpunto p para 50 < , < 2y2a.C < I < 100 "C, con
I.Bo p5 "C\ = tA |
a.},.5. (ri Se aade una resistencia de emisor R. al circuito d la Figura p4.3-3. Deftosrrar que

| _ 8(R" +
co:@ Rh + R")Icso + f(Vcc - VBEa)

() Hallar &, Sl/ y Sr.

Flgura P4.3-5.

4.3. Utilizando los resultados del Problema 4.3-5, hallar el despazamiento del punro 0 crando
50 < B < 200, 25 "C < ? < 100 "C, e lcso = | FA a temperarufa ambiente. Haltar R" ral
que /co : 10 mA cuando Vcc = 20 Y, Rc : 800 O y R. : 200 l.
4.3-?. El amoiificador representado en la Figura P4.3-7 debe funcionar en un margen de temperatura
d 25 a ?5 'C. El margen de p para el transistor utilizado es de 100 a 300. El lranstsror trene
Ir"o:0,1 pAyla:O,1 Y a fe|nperatura ambiente. Si RL ll Rz >
1 ke, hallar la rxima
er'cursin stmtrica posible. Especificar r, R: y R".
20v

R":l

) R.>

Flgura P4.3-7.
7- 220 cIRcuITosELEcrRoNrcos

4.'ll. Los amprificadores repesentados en ra Figura p4.4-r deben

funcionar en el margen de
tempetura de 25 a 90 .C.
I () Calcular la variacin de la corrir para los amplificadores no compensdos
compensados y compa.o. ,o, ."'rli;::J."o"to v
() Calcular Z,, para el amplificador de la Figura p4.4-l.

5v 5v

)'t
1,5v
,"*
I I,c
-T i
|
2$A

(a)
\b)
Flgura P4.4-1 -
J.L2. Determrmr pa.a_2 para la.mxima
I ^, en !a fleu,,1
^r.^* suserenca Utilizar
excursi simetnca. suponer
equivalente Tho"."l', .ut""l""ao-
i: ;rir: I o-r:to l*
y R, como en

,:l
1100a * c"_ o:)

Flgura P4-4.2.
a*t circr.ito inregrado comnmenre ulilizada
Oe
Y::_:1l"ll.l
mefte como varios diodos en serie paa que se comporte aproximada
es Ia reprer"n,uO^ fu'iu..^ f+.+,io."lru. .l .o"lo
oe lransrsror de ra Figura p4.4 ib y d-em;strar qu. "n ,"rur,luao
p1.4.tc. srgercn(a. o" ,u n,ru.,
Esc'bir.D = i^.n, + i^,nj y h";;;;;;;
"r ". "i "i."ii,o
""iJ.?1..,0",-.
 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION 221 I
f l"
":{ taD t \l
-l1:'
o,rlr+("-:l/fl+ptllv
I \^'/ /J
R2

li t+p

(b)

Flgura P4.l-3.

4.4-4. El circuito de la Figura 4.4-3 con & : & = 0 se utiliz a menudo en la polarizcin de
circuitos integrados y se le denomina espeTb de co iente. Est dibujado de nuevo en la Fi,
gura P4.44. Suponiendo que los transistores estn adaptados, demostrar que

, (vss - 0.1)lRb
'ro: t + Ut + f)

Hallar S.

Flgufa P4-4-4.

4,+5. InsertanCo una resislencla R., en el cir.uito de emisor de Zr en la Figura P4.4-.1. se :i:.:.r.
o)tener pqueios vaioaes de Eo.
(d) Suponiendo transislores adaptados D > 1r@, dmostrar que

25' I0rr-1p Vss - 0.7

"'D I'o "'t"o
r
'D Rb

Sugerencia. Utlhz r (L2-4d|

(r) Dados t/s = 6 V y R, = 2 kQ, calcula R. para que 1o : l0 pA.
4.ft. (a) Con referencia a la Figura 4.4 5, demostrar que cuando Rb : Rr

r
vBsl2 - 25 l0 ln (//1D)
R"+Rbl2(P+t)
 () Lo mismo queeD el Ejemplo 4.+ sean IE
- t mAy" = 2klSsupotep: lmysea
ID = 0,01 rnA paa hoar potencia- Urilizr una regla cmpiric ,ieng
calcular ,/r y R.
, @:-li6- y
4.+7. En Ia Figura 4.4-3 utiliza diodos eri lugar de un nico diodo. Demosta que
AIQA f _ 0
cando ]R = R./(n
- l).
451. En el circuito de la Figura 4.5_l se utiliza un JFET c.acterizado por las curvas
de la Fi_
gura_3.l-5. Von : 16V, Vee = 0y, les = -2\ e /," = 2;A.
(a) Hallat _Sean
VDs.
(r) Calcular&y4.
4.$2. En el cicuito de la Figra 4.j_1 s utiliza un MOSFET caracterizado
Figura 3.2-5. Sean Voo = L2 V, Vcs = 4 y e /," : 0,5 rhA. flor ls curyas de la
(a) H^llar YDs.
\b) Calcular R y Vcc.
4.93. En el cicuito de ta Figura 4.5-3 se utila el MOSFET caracrerizdo o
descnro por la FiBr_
ra 3.2-5. Sea .VDD : l2y,R, = I Mt Zcs = 4Vel5
= q5 mA- Halar liy n".'
45-4. El JFET 2N4223 (caracterizdo en el Andice C) utilizado en p4.54
el circuito de la Figura
est pofarizado con Ves = 2yy f/Ds - 10V.Si voo: t6 !,hallar (J Rr, R"zy @) ao.

Flgura P4.5-4.

1.'.;5. E el circuito de la Figura 4.5_5 se utitiza el MOSFET descriro cn la Figura 4.5_4. Sean
lao=t5YynD=l,5ko
(a) Sean Rr I R, : I MA. Hallar R, y rR2 para que l/cso :
5,8 V.
() PoJ el resultado de la parre (a) calular Ia vu.l""ln a1'"1o", y'*.pararla con ta variacin
utilizando realimenacin como en el Ejemplo 4.5_2. '
a* ei 4.5-i *- : 3 mA y se permite una variacin del l0 por
L:f!: unEjemplo
ruponer lalof nomjnel..i.1,:g
de trso = g V y yDD _ 20 V.
100.

{*d7. E la,Figur 4.5-1, R, : I MO. R = 3.i ka y [o = I0 V EI MOSFET est caracre.izado

y {4.r-JDr \ era represenrado en la Frgua 4 5_4. Haffar las mxims variaciones
illi,i:i-rri'
4.1. Un tansistor de poterci4 de silicio. tiene las
siguientes especil.icaciones trmicas.

Pc.-, : 2rlo w 4 : 175.c or:0,7 "CNt

^.
 ESTABILIDAD DE LA PoLAR,IZ{clo\ "l
() Hallar la potedcia que puede disipar este tansistor para que la
cpsula se neL.lg
tempratura ambiete (25 .C).
() El transistor st montado directamente sobe un radiador de calor,
0- = 8 'CJV. El montaje diecto da 0., : .C V. Hallar Ia hxrma rer
de alumirio, qrc
0,2 drsipeqn
permisible.
I
4.G2' (a) El radiador delalorde Ia parte () del probrema 4.6-1 se debe ut izar con
el trsistor en
cuestin, pero ste cst aislado elctric-amente del radiador por una arandela
de mica, por
lo que r- aumenta hasta 2 'C. Hallar la mxima disipacin perrnisible.
_..
() Hallar ls temperaturas de Ia qpsula y del radiador de calor.
4.G3. (a) Se utiliza el tansistor del problema 4.6-l con un radiador
de caror constrtuido po una
aleta.grande, que tiene B- - 0,9 .C/AV. Hallar la mxima disipacin permisibe
cuando el
transistor est hontado directamenle y cuando st aislado elciicarnente por
una aradela
de mica, como en el Problema 4.6-2.
() Haliar la temperatura de Ia cpsula y del radiador de calor.
4.G4' Repe^tir el Ejemplo 4.6-3 para un FET de porencia cuya marrima remperarura
cre a unin es
160 "C y tiene ua resistencia trmica de 5 .C,AV.'Cuando et FEi
esr concluciendo, la
corrienle drenaje-fuente es 0,9 A y la resistencia en conduccin a temperatura
ambente de 25
'C es RFEr (25'C) : 12 O. La remperatu de la unin debe ser 125 ,C o m"nor.
 CAP ITULO

Amplificadores tineales de
potencia en audiofrecuencia 5
ilrlTRoDuccoN
En este capitulo se analizarn varios problemas importantes de los arnplificadores
que
dcben suministrar potencias crevadas- La finalidad de ra mayor parte de apiicaciones
es
sumtnrstrar la potencia necesaia ta cconmicamete como sea posible cumpliendo
a la
vcz otas condiciones, que pueden incluir iimitaciones de tamao, peso, tesin
de
altmentacin de coriente continua, distorsin, etc. El diseadrr mucnas veces
tlene que
considerar varias condiciones para conseguir el ptimo- A menudo, Ios tansistores
trabaj'an
en ios iimites de su gama de fucionamiento til y es nccesario un proyecto
bien estudido
para asegurar su integridad ante un exceso de temperatura.
Los amplillcadoes de potencia se clasifican de acuerdo con la parte del ciclo
de Ia
onda senoidal de entrada durante la cual circula coriente de carga (Fig. 5.1). paa
obtener
una amplificacin con baja distorsin de las scales de audiofecuencia, parece que
slo
puede aplicarse la amprificacin de clase A, pero si se utiiiza sinerra conprettenruria
o
una disposicin push-pull como las descritas cn las Secciones 5.3 y 5.4. tambin los
amplilicadores de clase AB y de clase B pucCen proporcicnar una Iinedl. Lcs
l'rnplihcacores ce r,orexcia dc clase c se utiiizaD cxtcnj!illcntc en "nrplificr.-Ln
,.ic,frecuencias en que
los circuitos sintoizados suprimen la distorsin que resulta del funcionamieto no iineal
dei circuito.
En este capitulo se estudian la situacin dei punto 0 y las relaciones dc potencja en ios
crcurtos BJT de audiofrecuencia de clase A y dc clase B ms conmete utiljzados.

5.1. EL AITPLIFICADOR DE POTEICIA EI{ EMISOR COHTUH DE CTASE A

En el Captulo 2 se observ que Ia resistencia de colecto R. disipaba una grn cantidad d

potcncia debido a la corie1te de reposo de colcdo 1ca. Esto daba una eficacia de
funcionamiento mxima del 25 por 100. As. si debe disiparie I W de potcncia en la caga
b.o condiciones mximas dc seal de cntrad, Ia fuclc <lc liimcntacin deber suministrar
 CIRCUITOS ELECTRONICOS

k)
Flgura 5'1- (a) crase A:,la corriente circula duranre
ros 160'(opracon de ciclo comprerorr 1:
clase AB: la corriente circula..durante ms de un
semiciclo p..o
clas B: la corriente circul durante un semiciclo; (1)
;;,"" que un crclo complero:
clase c: la corriente circula duante menos
c:
un semiciclo.

l:l;:ilry;i:"j ,il,.ii iiJ,1ili".xu,..l.:..:;Hil"r""11,il.:,f :::,:::,:.1'i:

incrementa la elicacia mxima hasta el 50
Dor 100

5.1-1. Stuacln del punto de reposo

La Figura 5.1-1d rep.esenta un circuito. amplificador
de clase A con acoplamiento po
bobina. El circuito se ha diseado de modo que
todos tos coJen.uOor., Ion p.u",i"urn"n,.
cortocircuitos y la bobina es prcti(
cicuito. abierto para las lrecuencias de
serlal Paa la coriente contin(ra I"";lTi:-t: i"

"; ;;;i;;l;i;:"il;';:l::':::ff :: :[:j:' ;j;"[:il',;,T, l:;;

robina es
resistncia interna.
Pra determinar er punto de reposo, se apiica
.
circuito de corector incuyendo srolas caidas
la ley de Kichhoff de tensiones ai
de tensin para la coriente continua. La
ecuacin de la recta de carga de coriente
continua dc p.r,"","
",,J"rnpf,fi, ",
/rr:urrii.R" (5.1- 1 ,

La resistencia de emiso se maritiene

l
potencia en er
"t;;;i;;; ;i;.'.i:"'1'"i::J,'"XXj"jitf,i;T
adecuada del punto de repoio. As,
ia
il#il'ilf ffitft l;
ra recla de carga de corriente conrinua
es casr verticar, como se indica
," fiJ'j"r,i 1"
""
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECUENCIA
a

C,-d)
11

+
(

Flgufa 5.1.'1. Amplificador de potencia acoplado por inductor (d) circuito; () circuito equivalenre_

2vu
Recta de

v / o\
carga de c..i pefldierre = _;
I

." illlr
--: j:l a
R.\ - RJ
I
carg de c.a.: pndiente
R.

Jr. ,',grt- Vrrq) u*- n"l _

f)
..,\/^_-_ ll.- Ftgufa 5.1.2. Rectas de carga del ampljficador ue porencra_
'lVCto- t'' {t

Aplicando la ley <ie Kirchhoflde tensiones al circuito de colecto (Fig. 5.1-la),

teniendo
en cuelta slo las caidas de tensin paa corriente alterna, se obtiene la siguiente
ecuacin
de la recta cie carga de coiente altea.

0"": i,R, = irR, ,, ,r v 6.1_2al

t"- t '\tu')i'l
que puede escribirse .Q- =-L.
n
c Ic; = -! {,., - ,,, . .. t,,
"'' '1s.r-zt

Para situa el punto O de modo que se obtenga una excusin simtrica mxima,
-.
ll1amos ., -", - 2l*
para q, I
0V
Entonces (5.1-2, se lransforma en.

.l-. ' .'-

/<<?. - '1., - :/g
"
,r":+: (5.1-2c)
 228 CIRCUITOS ELECTRONICOS al
| '.. 1 \i
L.-
1 l._
Sustituyendo (5.1-2c) en (5.1-1) en el punto O queda
l-r, - i
V,, VcrlRt
'ce - R+n" I+ R"IRL
(5.1-3a)

j;i"' "*"'JT::I:: vcae e is = rse en

i i,'::::9"1:i1j5 Tffl".il:.r';
lrre -- vr, ^ jt^ v"
(5.1-3)
R+R. | + R"IRL
Habitualmente ,R > ,R", po lo que (5.1-3a) y (5.1_3) se reducen a

Ica =
E('- t) -+ (5.1-3c)

vctexv,,(r-t)-*, (s.t-3dJ

La recta d9 carga de c.a-. que pasa por el punto de reposo tiele una pendiente
de
. -l/!r,tal como se ve en la Figura 5.1-2. Obsrvese qu la excursin mxima de la
corrente de colector est.comprendida en tre O y 2lco al variar rrr. de 2Vrc
a 0. Obsruese,
tambin, que uc' est limitada por ra tensin de saiu-acin der transistoi
a un minimo de
VcE.,"t. Para simplicar los clculos se supone que la tensin de
saturacin es cro. Sin
embargo, el efecto de la tensin de saturacin se considerar en los
ejemplos.
Es interesante considerar que la tensjn colector_emisor puede liegar
a ser el doble de
la tensin de alimentacin. Como la inductancia es muy grande, n cicula
coriente
alterna por ella y, a efectos de anlisis. puede reerrplazarsi por una
fuente de coriente
constantede intensidad I.n. Como Ii1 reactancia capaciri!a es muy pequea,
en bornes del
condensador no apaece ninguna tensin alterna y puede reemplazarse
por una fuente
de tensin t/cc, ra tnsin que existe n sus bones en ausencia de
seal. con estas dos
sustituciones, el circuito colector-carga toma la forma equivalente indicada
en la Figura
5 l-l- supongamos que se aplica una seal senoidal y consideemos
un rnstante en el cual
:
i. 0- En este instante, l. :-1.n, de_modo que r., :V( irR". De la ccuaci (5.1_3)
I
t.- ob,,"l" /.nRi = i!R+.:
oe lcr LuandJ la polaridaC-Vgr:por
io que rcE -
2t'cc. Esto cnitituye el limiie superioi
de la scal se inviete, i, :
2lrn F.,]tonccs i, dcbe ser iguai a
1ca de modo que c : 0, lo cual establece el li;ite inf;ior

5.1.2. Clculos de potencta

Con.el amplificador polaizado como en (5.1-3), las corlintes y
tcnsiones que nos interesan
son (la tensin en bones de la rsistencia de emisor se desprecia
puru Irtio, simpiicidad)

. h,.
(5.t-4a)

(5.1-4)
'. llt tF 'l
- V(! + y'.rc AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECUE}iCIA

afbc.cio = lL + IC : trA = (5.14.)

E
De la Figura 5.1-1 tenemos

or"=V""-i"R, (5.1-5a)

v
uL: +LRL= -i.RL (5.1-5)

Si la coriente de la seal es senoidal

= 1- sen o.l
{5. t-6a)
luego , = I* sen at (5.1-6)

Debe tenerse en cuenta que el valor mximo de cresta de la coriente alterna de colector es
1.o, de modo que
lr
", : Iro sen at \5.l -7 a)
^6,
Luego I"^ 4 lca (5.1-7)

I-a potencia suministrad4 Ia potencia disipada en el colector y en ia carga y el rendimiento

se hallan de la misma manera que en Ia Seccin 2.4. Los esultados vienen dados por las
expresiones (5.1-8) a (5.1-11) y se han trazado en la Figura 5.1-j.

Potencia suministrada

ti. r -81

que es constante e independiente de la corriente de seal mientras la distosion sea

despreciable.

Potencia transferida a la carga

P,=Ii+:t"tlL
22 li.I .9d i

ya que : -,, IL^ = - J, .

La mxima potencia media disipada por la carga tiene lugar cuando

Lucgo

Disipacin en el colector
 Ec. (5.1-8) : Pc + P

?, Ec. (5. f-l l)

I.^

Flgufa 5.1.5. Variacin de Ia porcncia y el rendimiento en frcin de la cornente cte mlector.

Entonces,la potencia mnima disipada tiene lugar cuando se produce la

mxlma disipaciD
de potencia en la carga:

Pr.^t^: # (5.1-10)

La potencia mxima disipada por el colector tiene lugar en ausencia de

seal.
f',2
Pc.-.:*:y",^r.^ (5.1-l0c)

Rendimiento. El endimiento del amplilicador acoplado por bobina para una seai
senoidal es

P' :t:-(RJ2):!(!g
,:' Pcc lrrlrQ 2
(5.r-Ira)
\1.,
Luego el endimiento mximo tiene lugar para la mxima seal.
As

4^x:I:50'/" (5.1-11)

se ha logrado urilizando una bobina en vez de la resisrencia R. en el

^,"^..a,l:"19ti"",?
clrcuito c.c. de colector_
r*'"": ge porencia de alimentacin, potencia en Ia carga, potencia disipada en
-, ^^l,i:."-" y rendimiento
er corectof se han dibujado en Ia Figura 5.r-3 en funcin de la coriente
colector para seaies senoidales. Obsrvese que al -au-"nt". de
tu pot"n"iu ,uministrada a la
carga. la disipacin de potencia en el colectoi disminuye (p.. :
p. + prfpe.manecrenao
constante su suma. Obs.vese tambin que pc es mxima
en ausencia "e ieal.
 AMPLIFICADORES LTNEALES DE POTENCI EN ALDfOFRECLE\CT

:: Fscto de clidad. La elacin ente las_ potencias mximas disipadas en et cc..cctor e

1
3 la carga es una cifra til en los amplificadoes de potencia. Utilizindo (5.1_10c) (S. r,Sii
, o
l Figura 5.1-3, tenemos

I a (5.t-t2)
t
-r. : 25 W, la unin de
Es_el mismo resultado que el obtenido en la Seccin 2.4. As, si pr.
colector debe ser capaz de disipar, por lo menoq50 W. En el Capitulo 4 se demost <ue
:-.' pafa tabajar con temperatuas ambiente elevadas, los tasistores han de suminrstrrr
potencias menores de lo nomal. Luego, para disipar 25 W se requel un transstor
con
una disipacin de colector admitida de unos 100 W, si ia temperatura ambiente fuese alta.

5.1.5. Hlprbola de dtstpactn mxlma

Cuando se conoce la potencia mxima a suministrar a la carga y ia gama de temperaturas.
puede deteminarse la potencia nominal del transistor y seleccionar ste. La
isipacin
mxima admitida en el colector, como antes se ha establecido, gcneralmente es menor que
la potencia mxima disipable por el transistor.
Adems de tener la potencia mxima especificada, el transistor debe ser capaz de
trabajar con corrientes de hasta 21.o (Fig. 5.1-2) y con tensiones colecto_emrsor de hsta
2 ,/cc Tambin ha de tener una frecuencia de funcionamiento tan clevada como la frecucncia
de la seal. Genealmente estos valoes nominales vienen dados por el fabricante (Sec. 4 7)
Las caacteristicas del transistor incluyen, en general, los sigurentes datos:

BVcto
p (,n' -fl
_ 'corco (5 l-lrl' )

Estos valores mximos limitan Ia regin de funcionamiento del transistor como se \e.n l
Figura 5.1-4. La figura indica que paa un funcionamieto scgLrro, ei punto dc reposo .lebe
esta situado sobre la hipbola o debajo de eila

Pc.d. = ,... (despus de aplicados los

co.ncientes dc rcduccin)

P. -. (anles de aplicar los coeficienres

de educcin)

Flgura 5.1{. Hiperbola de mxina dispacrorr

Rfrro en el coleclor.
232 CIR'i'iTOS ELECTRO\ICOS

:!-' .,:r.:i'oia repeseota el lugar geomtrico de todos los puntos de luncionamiento en

-.i cal3s ia disipacin en el colecto es iguala p...,.
La ecta de carga de co.iete allerna, con una pindiente _l/R, debe pasar
por el
p:ato e, coriar al eje u.u para una tensin rn.no, qu" Afruo, y ,Lrii, al
eje' pa una
.'ornente menor que t, o sea,

2vcc < BVcEo (s.l-l3a)

2I'o { ..^oi (5.1- t 3)
Paa obtener una excursin simtrica mxima deberemos
tener

, : 1 Ycta
tce .,
i (2.s-4)
"L\

li. Iro I
do* Vrro RL
(5.1-15)

Luego ia pendiente de la ecta de carga de coriente

alterna es ia misma que Ia de la
hiprboia y cuando la ecta de carsa.de coriente atena
es tong"ni.-u'io i,permtu
punto 0, se tiene la excursin simtrica mxima. "n "t

EJEMPLO 5.1.1

En el circuito de la Figura 5.1-l se ha utilizado un tanssto

de las siguientes
carac!e sttcas:

Pc.-^* : 4 W (una vez apiicados ios factoes de educcin o degradacin)

RVcEo : 40 Y

R, es.de t0 O. Determinar el punto de reposo Ce modo que

ra carga orstpe ta "*a
,1"^:"-::,:l^c:,:^,1: potencia mrima. Determina tambin la tensin
de alimenracron
Vcc.

Solucn
5.l-5 indica ia gama de funcronamiento admisible. EI punto
de rcposo se
^aL,lf":"
oDtrene trazando ia ecuacin

I D.,
-Rr "cr -
 AMPLTFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECLI\-C ]. 11.1

Recta de carga de c.c.

1,50

1,26

t,00

Rta de carga de c_a.; I

pndiente : -
t0

EvcEo -)
Flgufa 5-1-5. Recrs de carga de hibola de mima disipacin para el Ejemplo 5.1_t.

sobre la caacteristica t)i y hallando la inteseccin de esta ecuacin

con la hiprbola
P., La interseccin es el punto de eposo deseado y ia recta de caga de
^"'. coriente
altena es tangente a la hiprbola en ese punto.
El. punto de reposo p se obtiee grficamente como en la Figura 5.1-5, o
analticamente, utilizardo (5.1 -l4d) y (5.\ -l 4b):

/.0 - .,/,46 r 0.03 4 ) /r4: f+ti tOr . e.: v

Estos resultados veifican los obtenidos grficamente.
La tensin de la fuente de alimentacin t/cc es igual a ,/ca (se desprecia ia
caida
de tensin en R"). Luego

vcc _ 6,3 y
y el valor mximo de r,, es igual a 12,6 V y menor que la tensin de
uptu.a. La co_
riente mxima de colector t es igual a 1,26 A y menor que la coiente mxima
admitida.
La potencia mxjma entregada a la carga ser

(0'61110)
,,.^^,:"'o.' - 2w (5.r 9)

Seleccn de R": Rb y VBB. Debe observase que el punto de reposo se obtiene

utilizado los_mtodos del Capitulo 2. Con respecto a la Figura 5.1_ia, X, se elrge de
acuerdo co la regla dada en (2.3-5)

R" : klJR"
lT Adems, R. se toma pequea de modo que su disipacin de potencia
sea desp.eciable.
ii. Po ejemplo, podemos escoge! R" I O de modo que :
p*" = x|: 0,4W < pc,., :
f I2co 4W

sip:40,
Rb x 4A
La tensi de aiimentacin de la base es:

Vss :: O.j I t0.63I1., : t,3j V

O" *. se incluye en.el clculo, el
puro q se desplaza ligeramenre y oa
,..^:]
lugar a:t.:9i.
un lncemeoto de la ensin necesaria. /..
mismo probJema con la corriente de colector mxima
, ^ l::r^,,0..-."1:: l, = I 4.
:"1i:i[?:"ilT::;i,iJ"s, :::[xf ,;,"1,,"1;,lii":,T;i;T
pico
de_ de c.a. admitida se reduce a O,gt
-r"noi'
i. Si lu .""f .,
hl*
maxtma es "or.i"n,"

% : 0,37 sen @1 A
y la potencia mxima disipada en la carga es

pL.^^, : (+)(0,3j),00) I 0,69 w

c-omo la.carga,de 10 o es rta. la pendiente de la recta
de carga de coriente arterna
cs rla. rtn emDargo. st fa recta de carga se desplaza corlando al
ic.-,, | A y ct punro de reposo se siia en lainuevas.;;.;;"rd;i
- eje . -enronces r
1co : 0,5 A ,cte:vrr:1Y
ei valo mximo de la componente alterna de la corriente
de colector es

c : 0,5 sen )1 A
y la potecia,nrima disipada e la ,;arga es

P.,,. : (:x0,5)'(10) : 1,25 W

cualquier
caso, Ia potencia suministada est muy por debajo
^ _.fn
2 W. Esto es debido a la incapacidao de compensar la educcin la
de posible de
mxima de colector admitida. En la seccin siguiente
de la coiente
se consid".u urnoli"uo. a"
potencia acoplado por rransformador.
Utili;do "i
;i;;;;;'d. ."oo.o
puede situase sin tener en cuenta la resstencla "rt" "i.;i;;,
de carga real utilizando la propredad
dertransformacin de impedancias del tansformadolD"
nado el poblema anterior de no pode suministar
*," i.r."l""a"u ,"f""io_
la potencia .l*,_":l.i"rla
la caga. "
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDTOFRECUENCL{

uEMPr.o 5.1.2
El circuito de la Figura S.l-6a urihz
o. r-"" *p""1nil'"i'Jil:'*:1,1""j'l'::,fl#$:":,:"*"
esistencia dc casa de a

P,^1, = 24 W (despus dc aplicar los coeficientes de reduccin)

BVcEo = 80Y Vce.*, 2V =
Determina la ampljtud mxima y la potencia mxima
disipada por la carga.
va

1,6

3.2

RLIca:yco_y.E._l
2.4

2
Interseccin de la recra de
1,6
carsa y la hirbota
1,2

08
Re.Ia d carga de c-a.j
0,4
oenient" = -18
o .z a r: ir 28 32 36 44 44

tb)
Flgufa 5.1-6- Ejemplo 5.1-2: (d) circuiro; (J condrcones de funcionamiento.
 _iaL,,.Cr
-:-:--:-:: :l;:i::ado la cacteristica ti del traDsistor se han representado cri la
-5--=: ' la potencia mxima cuando la amplitud de la corriente
i i-:. L-: carga disipa
:: ::..::,.: s mxima. La ecuacin de la recta de carga de corriente alterna es
R(ic Ie) : -(ace Vrrq)

Cuando L es mxima, i, : 2lro(Sec.2.5\ y aru : VcE."or Lrego

Rlp: V6q Vca.*, (5.1- l6)

Para no sobrepasar la disipacin media mxima en el colector, podemos establecer

rco t aEQ (5.1-17)

- ' c,ar
Combinando las expresiones (5-1-16) y (5.1-17) y resolviedo la ecuacin resultante
se obtienen los siguientes valores de lep f Vcrc

r 7 C. sal l'rt. -,
(s.l -l8a)
^- 2Rt

Vct.*, vru,', (5.1- r 8)

I CEQ _
2

El punto de reposo puede, naturalmente, obtenerse tambin grficamente por

inteseccin de las ecuaciones (5.1-16) y (5.1-17) tal como aparece en la Figura
5.1-6. El punto de reposo resulta ser

--q
Ico .. 1,6 A y V6up x 15 Y

De este modo la tesin de alimentacin del colctor V- es 15 \, despreciando la

caida e R".
Obsrvese que la recta de carga de corrente alterna corta a la hiprbola d
potencia mxima. Esto no quiere decir que la potencia meCia mxima disipada en
el colector exceda a Pc, -r.. Como la disipacin xima en el colector se pres9n-
t en auscncia de seal y en cslas condi.ioncs la disipacin en ei colector es Pc. r.
tEc. (5.1-17)1, no se sobrepasar la disipacin mxima en el colector.
El valor mximo de pico de la componente alte.na de la corriente de colector es
1,6 A, y la potencia media mxima disipada en la carga es

,,.^^,:{io': (}ttr,6)18) : ro,2 w

Obsrvese que el rendimiento mximo, despreciando las prdidas en Rs, es soiamente

,0,, : o, n
(l5)(l,6)
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECLE\C!.

5.2. AMPLIFICADOR ACOPLADO POR TRAI{SFORMADOR

La Figura 5.2-1 presenta un amplificador de clase A acoplado por transformador. En .i

estudio se supond el transfomado ideal. Esto implica que
(s.2-1)

v {'.:
iL (5.2-2)

Multiplicando (52-l) y (5'2-2) da

a!-,) : t)LL (5.2-3)

Dividiendo (5.2-l) por (5.2-2) se obtiene

!-: N'u4: NrRr= R',

Por consiguiente, la impedancia paia corriente altera R; es M veces la resistecia de
caga R.
La ecuacin de la recta de carga de corriente continua para est amplificador es ia
misma que la del amplilicador acoplado por bobina

Vrr:uIER.:I)c+rcR. (5.2-5)

En este caso R" tambin es pequea. La recta de carga de coriente alterna puede
obtene$e diectamente de (5.2-4) teniendo en cuenta que u." : o". De este modo, la
pendiente de la recta de caaga de corriente alterna es

i'
D," :Rlt (5.2-6)

En la Figura 5.2-2 se han trazado las rectas de carga de c.c- y c.a. Si R" se elige de modo que

R"<R;
la coriente de reposo para una excursin simtrica mxima es

',n
= E(' ft)
(5.1 7. 1

il /,
+

Flqufa 5.2.1. Amplificador de polencia acoplado por lransformadof

 Recta de caga de cc.;

penaiente : -1

v(
z\, =fir"
Jc'

Recta d caga de c.a.;

pendiente : -1
R:I

0l 2v""
Flgura 5.2.2. . Rectas de carga de
'- R"l un amplificador acoplado por tras-
formador

y Ia tensin colector-emiso en reposo, hallada por sustituci de (5.2_7a) en (5.2_5), es

v,,"-v*(t-ft) (s.2-1b)

De esta foma, la relacin de.transformacin de impedancias proporclona

el gado
de
libetad necesaio para situar el punto O de modo
mxima de potencia a la caga.
iue se obtenga una trasferetrcia

5.2-1. Calculos de potencla

Los clculos d-e potencia que siguel son idnticos a los de la Seccin
5-1, cambiando R
por R;. La seal es senoidal, Iuego

" = I,^ sen at (5.2-81

Poaencia suministrada

P, - Vrrlro
-xt
: !! (5.2-9 |

Potencia transfeida a la carga. Cuando la seal es senoidal,

la corriente de carga
tambin es senoidal (despreciando la distosin):

it = Im sen at (5.2-10)
I?
Por lo tanto '-!!
'rP - t", D
(s.2-11)

Utilizando (5.2-2)

(5.2-12]
 AMPLTTIUADoKLS LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFREC--,:: { :3!
J2
Por consiguiente P"=tRL (5.2.13d).

12 t/2
v p,.^u ='.f
^,,: ffi (s.2-t3b)

Disipacin en el colector

J
P,: r/Z
Nrc-Tn',
t2
(5.2-14a)
I
y la disipacin mxima en el colecto cuando no hay
I seal es

1
I VrtpIro {s.2-14b)

-:l Rendimie[to. El rendimiento pemanece tambin invariable.

I lr,^\'
: t\,_) (5.2-l5al

! 4^a' : 50% (5.2-15)

Facto de cslidad. El fcto de calidad del transistor
sigue siendo

(5.2-16)

De las ecuaciones anteiores se deduce que el tansformadof realiza

slo una luncin
adems de las del acoplamiento inductancia-capacidad
de la Figura !.1_lo,-ru t."n.lo.nlu_
cin de la impedancia de caga. Est factor proporciona Ia exibilidJ
necesaria paa
la z.on. de funcionamiento para corrientes alternn. tu apiir* posici. En el
1r-t-11
t: ha supuesro que esra-transfomacin tiene "n
lugar sin prda de potencia.
:tj"-,",11::l:,
En ra praclca. sln embargo, el transformador no es ideal y tienen lugar
prdidas de
potencia,reduciendo la potencia de la carga y el rendimiento.
a"nls, lo, instor.ror",
de audiofrecuencia son siempre del tipo de ncleo de hierro y por'lo
tan,o pueoen ser
pesados y volumilosos y povoca distorsron.

EJEMPTO 5.2.1

Utilizaldo el transistor del Ejemplo 5.t-l donde . __ : I A, con acoplamienro por

tansformado a una carga de 10 O disear de nuevo el amplificador para
obrener
una tarsfeencia mxima de potencia a la carga. Especificar la tcnsin necesarra,
la
potencia disipada en la ca.ga y la relacin del nrrero rle espiras N del
transformador.

Solucln
En la Figura 5.2-3 se ha representado la caracteristica ul qLre indica ia reglon de
funcionamieto posible. El punto de reposo que dar una tritnsferencia mxrma de
potencia a la carga puede obtenerse grfica o analticamente utilizando (5.t_t4).
:{

Re.ra de carga
de c.a. para /r' = 2: Yt = 12,6 Y

4 w hirbola

t0 12,6 20

Flgufa 5.2-3. Regin de funcionamiento y rccta de carga ptima para el Ejemplo 5.2-1.

(5.2-11a)

Vrra : .rE-nJ\' R" : 6.llf V (s.2-r7 b\

Asi, utilizando un tansformador, el punto de eposo pud lijarse casi abitaia-

|,26
(5.2-l&a\

2VcEa = 12,5N < 40 :tBVcca (5.2- l8)

Estas desigualdades hjan los lmites de la relacin de transformacin, esto es,

1,26 <N< 3,17

Cuando se tiene el problema de escoger entre una amplia gama de puntos 0,

deben tenese en cuenta otas consideraciones. Por ejempio, es prctico utilizar la
menor coriente posibl-e ya que quanio mavor es la corriente que debe suministarla
-uente de 4lillle,nlagln de corien:e continua mayor es su tamac y cosie. A menudo
debe utilizarse una tension de alimentacin determinada y esto determina ,/cc (y por
ianto Vrro). Una consideracin muy importante es la disporiibilidad de un tansfo-
mador con la relacin de espiras adecuadas. Una elacin de espiras normal es
:
N 2; si se escoge un transfomador con esta relacin

Ico - A y Vsp:12,6Y x
0,32 V*
Luego pL.^^,: GNoJ2Fe)110) : 2 w
La recta de caga paa estas condiciones sc ha represetado en la Fisua 5.2-3.
 AMPLIFICADORES LTNEALES DE POTENCIA E,i AUDIOFRECL \---i :Jl
5.5. AMPTIFICADORES DE POTEITCIA STMETRICOS DE CLASE B (PUSH-PULL)

Como se ha determinado n ias ante ores secciones, el endimiento mximo en clase A

es
el 50 por 100, debido a quc el valor de pico de alterna no excede nunca del valor de la
cornenle de reposo de colector. En el amplificador de clase _8. Ia coriente continua de
colector e-s.menor que el '"alor de pic de altrna.-Eilo-da lugar a una menor disipacin en
er colector y un aumento del rendmiento. E[ amplificador push_pull de clase B de
la
Figur 5.3-l tiene un endimiento mximo del 78,5 po 100 y por io tato un aumento
del
28,5 por I0O sobre los amplificadores de clase A estudiados in las Secciones 5.1 v 5.2.
Examinemos primero el funcionam:jnto de este ciacuito, suponindo transistores ideales,
para determiar ios Iimites superiores dei rendimiento y la potencia de salida. El
funcionamiento del cicuito se explica mediante las fomas de onda de la Figura 5.3_2.
El
transformador de entada con toma central suministra dds corrientes de base e amplitudes
iguales pero desfasadas 180'(Fig. 5.3-2b y c). En el primer semiciclo isr es
ce.o, y como .;
est polarizado en la regin de corte, tr es cero como en et grfico-ia) de )a figr_rra.
Sin
embargo, en este mismo intevao de tiempo, is, es positivo, I, conduce, y la corriente
de
colecto c, es la indicada en (e). Po consiguiente, un transistor est en coat" n,"ntrus qu"
el oto conduce. En el segundo semiciclo, los papeles se han inverlidoi 12 est en corte
) f
conduca. Cuando X, conduce, la corriente epesentada en la Figura 5_3-2e crrcura a iraves
de la parte superior del arrollamient^ primario y ei flujo resultante variable con el tiemDo
en el ncleo del transformado; induce una tensin en el devando secundario. Esta tens,in
a su vez, poduce el primer semiciclo de corricnte a tavs de ia carga (/). Cuando
conduce, la cor.iente ct induce un flujo en el ncleo en direccin opuesta al fiujo dei
4
semiciclo anterior, dando lugar al seguldo semicicio de coriente de carga. La corriente
de
carga fial bajo estas condiciones ideales es, po tanto, diectamente proporcional a la
corriente de seal r,. En la Figura 5.3-l se vc que la cornente de carga i. esi relacionada
con las cornenles individuales por la erpresin

i.:N(t,-,.J (5.3- 1)

Sien Ia prctica se usara el circuito de la Figura 5_3-1, la corricnte de carga estaa muy
distosionada cerca de cero, como indica el oscilograma cie la Figura 5.3-2g. Este efecto se
llama dstorsin de cruce o de paso po cero y es debido a que la tensin base-emrsor, r,ru.
es cero en ausencia de seal. Sin embargo, l funcionamieto lineal del transistor slo
empiczacuando r, es lo bastante positiv para qLrc r.ru erccda ia tensin de utbal. que sc
suponc 0,65 V paia el silicio. Esta <iistosin cst reprcsentda cn linea de puntos e la
Figuta 5.3-2d af, y es perfectamelte visible en el oscilograma de la Figua 5.3-2g.

iI
Flgura 5.5.'1. Amplillcador
push pull.
CIRCUITOS ELECTRONTCOS

Flgufa 5.3.2. Formas de onda en el amptificador push-pull: (a)

corriente de enrrada;() corienre
de base en E; (c) corriente de base en T,; (r/)
corrienti de col"",o. r,; 1r *..i"n-te oe corecto. en
r; (/) co.iente de carga; (g oscilogramie Ia fo.-u d"
ond;;;i^ ", i" o,..,.""" r"
distosin de cruce lcrossover). ";.iir "".e",
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA
EN AUDIOFRECUE}iCh 23
paa elimina esta disto-rsin, las uniones base-emisor
se polarizrn upro"i^udar"nt"
0,65 V. El esulrado es un.funcionamiento
cecano a ste que generalmente se llama, ""
ciase B, aunque est ran
"i"r";;;;;r";e "
tambin, S. Ert" tipo de polaizacin se
denomina polarizacin de^dispao o de conduccin. "1"r"
en fu pra"r,"u, a menudo, se pemite
Ia existencia de la distorsin de cruce y se confia
en el translormador y capacidades
ntenas y parsitas paa eliminala.

5.5.1. Determlnacln de a recta cle carga

Como cada tansisto funciona
_simticamente y slo la mitad del tiempo, basta estudiar
el funcionamiento de uno solo de los t.u^irt.. ;;;;;e'iis
el tansisto
tado e ra Figura 5.3-3.
Esre. circuito r" ;";i;;;;r;; represen- f
amplilicdo. La recta de carga de corr;ente er funcionamiento del
recta de caga de coriente alterna tjene unu
coniinr_,a es _uln'"u
- '-' u"ni"uf, ur, = Vrr, y la
p"ndi"nt" J"-
/.- I
(5.1-2)
e
t'c RL

I dond".- : y'2R, tal y como se indica en la Figura 5.3-4. Mientas

4 no conduc, L2 : 0y
tu,: L'r, 1No,,
varia desde I/.. (que tiene lugar cuando )ct
=. /cc y, por tanto, r'u = 0) hasta 2 r/cc (que
se prescntacuando ,cr : 0 L por ro tan_to, Mr-:'
4r r-u"go, n'lntau'a ransrsror no
conduce..la recra de carga de coriente nlt"rnu
!, o,])or,.?;; ;:, "- ir'",
fl valor mximo de icr e /.r {Figs. j.J_.2rl. l;;;;-
"i
_ l/-.
(5.3-3)
i t- cl

t i:1il:3;.". Milad de ra crapa push-purr

I ,t\,_
I
I^:: de corriente conrinua

Transistor corrado

Flgufa 5.3.4. Recras de carga de etapa de ctase B.

 2U CIRCUITOSELECTRONICOS

5.3-2. Clculos de potenca

Suponiendo que la coriente de seal sea senoidal

l : I^ sen at
Potencia suministrda. La potecia suministrada por la fue[te de alimetacin es

: Vcc;I |
(rt2
':,
Pcc
t J rl2 [rc,(/) + c|Qrf dt (5.3-4a)

La corriente 1 + c2 es la que circula por la fuente de alimentacin. De las Figuras 5.3-2d

y e, se deduce que es una corriente ectilicada de onda compieta, como se indica en la
Figura 5.3-5. El valor medio de la corriente rectificada de onda completa es 2/7 vecs su
valor de pico. Luego,

I rr'2 )
,rl-.t*'
_
' c)d! -1t'-
J 7:12

La potencia suministrada Pcc es por tanto

2
Pr, : VrrI"^ (s.3-4bl
;
Su valor mximo es (el de la Figura 5.3-4)

i Pcc, : 2
" v" 2v3' (5.3-4c)
^t ;'cc RL: nRL
Potencia transferida a la carga. La potencia transferida a la carga es

P,: II?^R.: (5.3-5a)

Su ;aior mximo es
'I?^N'RL: 'I?^R'L
r/2
(5.3-s)

Potencia disipada en el colector. I-u fo,"*t a,r,ouau t, " tos transistores

Ir )' I, es en totai "n "ot..to.".

Flgufa 5.3.5- l-orm de ond de l c,

niente de alimentacin.

--*.,.-_
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFREC;, T\Ci ,1 I
Utilizando (fi-afi y 9.3-5a), obtenemos

:2rv4* -
z+
S 1-{.l,6 r

El valor mximo de la disipacin 9n el colector pc,1r se encuentra drferenciando p. con

respecto a {- e igualando a cero el esultado

,#,=:vcc - R'Lr" : o (5.3-7)

La corite de colector para la cual Ia disipacin en el colector es mxi-ma es. por lo tanto.

.
,,-:; 2 V".
(5.3-8)
K,
y combiDado (5.3-6) y (S.3-8), la aisipacln mxima en el colector es

,."k lL (?v"\' 2. v'

"rR - 2\nRrf --r, R,
2Pc 2
^^, = r (5.3-9)

l-a potencia disipada en cada coiector es. por consiguiente.

p.-,,="rrfr_",r; (5.3-10)

Rendimiento. El rndimiento de la op".a.in se de las expresiones (5.3-4) y (5.3-5a).

4
"ul"ulu

n:Pr: tR'"]:^ I,-

' Pr, l2llYccl,.:! 4 V.clR,L (5.3-l r)

Ya que la corriente mxima alcanzable de colector es V.rlR", el rendimiento mxtmo es

{.,:; - 78.se" (5.3. r2)

La potencia suministada, la disipada en la carga, la disipada en el colector y el

rendimiento se han representado en la Figura 5.3-6. Estos resuliados pueden compaase
con los obtenidos utilizando el ampiificado de clase A de la Seccin 5.1. qui estn
repesentados en la Figura 5_l-3.

Factor de calidad, EI factor de calidad de utilizacin dl transisto para el ampiificador

push-pull de clase B es

Pc.^, trln2RL 2 |
Pr*.= 4J2Rr: "r- a
(5.3 - 1-r )

-....--
2& CTRCUITOS ELECTRONICOS

KL: RL
2 vc
;FN
I rZ"
,F4

0,0'1 ,4c.
14.
7 N,R"
2 Y,. Ycc
;,R"

HgUftl 5.3-6. Variacions de la potencia y el rendimiento en el amplificador push-pull de clase B'

Obsrvese la multiplicacin por l0 del factor de calidad coseguida con respcto al

amplilicador de clasi A. As, si P, -0. debe sI 25 w, cada colector debe disipar slo 5 \\"
Aunque es cierto que el circuito requiere dos transistores y dos transformadores, la menor
potencia nominal de cada uno de los transistoes har que ocupen menos espacio y que
precisen un radiador menor que los necesarios para un transistor de mayor pote[cia En
ste caso, un amplificado de clase A de un solo tansistor debera disipar una
potencia de
50 w.
Otra ventaja importante del funcionamiento en clase B es que, en ausencia de seal la
corriente suministrada po la batera es cero, mienttas que en clase A es la misma que la
coiente a plena carga.
Hay que teer pesent que los valores de rendimiento y disipaci del colector se har'
obtenio para seiles senoidales y son teicamente mximos, lo cual e la prctica sii
puede ccnseguirse de modo aproximadc

uEMP|0 5.3-1

Disear un arnplicador push-pull de clase B, que proporcione una potencla mxrma

sobre na carga de 10 O. Utizar dos transistores con valores nominales iguales a
los del Ejemplo 5.1- I (ic, -r : I A) Determinar vrr, N y Ia ted de polarizacin para
eliminar la distorsin de cuce. Calcular la potencia de salida y el rendimiento

solucn
Paa mayo facilidad repetiemos los valores nominales del transistor

BVs6:40 V c..,. : I A
 frLrILAUIJKEs LINIALL5 DE POTFCIA E-
E\CL{ u7
La potencia mxima de salida viene dada por (5.15) y (5.13)
I

,,^"=ft:n,;^ 9"

Asi, la potencia de salida puede aumentarse aumentatdo

V"" e I"n, Sin embargo, Ve
e /- no pueden aumenrarse indefinidamenre. I_u, jil"^""i'Ln.irro.
estabfccen limites superiores para Vcc e 1" . ""r"
Vcc < tBVcEo = 20 V 1".(c,-,=lA
y, utilizando (5.3-13),
{
P'.^*=ry<5Pc,-.,:20w ,- bl
h^
El.punto de eposo s detemina de modo que el transisto
funcione con los valores
mriximos dei".y BVo. Luego

Vcc -- 20V e /._=lA

Luego P, .. : l0 W

La relacin del nmero de espiras i/ se halla del siguiente modo. Como

,-v.,
'* - r&
tenemos

Obsrvese que los dos transistoes en push-pull proporcionan

cinco veces la
potencia que un solo rransislor podria suministrar
a ui,a carga dada sin exceder lns
Iimires m),imos ryaje Fjemplo 5.2-i,.
La Figura 5.3-7 .epresenta la caracteristica ui de cada transisto y
la recta de
caga de corriente altena. Obsvese que la recta de
carga corta a"la curva de
disipacin mxima del colector. Esto indica que la poteicia inrtunt,in"u
pu"o"
srperar la potencia media mxima. La disminu;in de potencia es
debida a que Ia
disipacin media en el colector es menor que la mximai. Ntese que
no calculamos
un amplificador push-pull de clase B haiiendo que la recta de
rga de corriente
altema sea tangente a la hiprbola p..
*,.
Si s"nplifica una sat de msy baja frecuencia, et riempo duranre
--.' el cual la curva de mxima disipacin s
solrepasada puede ser lo bastante largo para producir un sobrecalentamierto
del rransistor. I_ menor trecuencia
que puede amplificarse depende de la conranre lica
del rransisror.
 CTCUTTUJTT=--KOI\TCUJ

Recta de carga de corrienle allerna

Flguia 5.3.7. Recta de carga pd'd

el Ejemplo 5.1-1.

Para compltar el clculo, debe elegirse una red de poladzacir. La Figu-

ra 5.3-8r muestra el amplilicador push-pull con una fuente de polarizacin separada
/s se toma igual a la tensin de conduccin del transistor que para el silicio es
aDroximadamente 0,7 V.

I:l
t a
()'g
t--
__L I
:
i | = -i
\--- l
Flsura 5'3-8' Amprificador push'puri
t I polarizado: (d) por bateria: () por di!'iso
ftl | () resistivo.

II
; I En ia pictica, en vez de una iuente de alimentacin separada se utiliza la fuente de
i alrnenracin tr/.. con un divisor de tcnsin adecuado, tal como se indica en la Figura
i 5.3-8 Rr y R, se eligcn de modo que la caida de tensin base-emisot sea aproxina-
i ctamente 0,7 V. A- menudo se utiliza u diodo de silicio en vez de R., ya que la caide
de tensin cn el diodo de silicio iuncionado por encim de su tensin de codo e.
similar a la tensin de reposo base-emisor recesaia paa hacer conducir al transistor
i ]
i

!
r
*i---

-**
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECLT\CIA U9

5.3-5. AmptFlcador push.pull dlrcctament aooptado

En la Figura 5.3-9 est repesentado un amplficador push_pull con
salida acopiacia
directamente. Si compaamos este circuito con ei ampficadior pustr-pull
representado ea la
Figura 5.3-1, vemos que en ambos circuitos se utilil un trasformado
de entrada para
acoplar Ia coriente de etrada ; a Ia base de t,
o t,dependierdo del seotido d.e la
co'enle. sin. embago, el circuito de ia Figura 5.3-ia no iequiere
transformador de sarida-
El funcioriamiento del circuito se puedJexplicar observando que
cuando il4 es positiva
Zr conduce y 4 est en cone (Figura 5.3-9i. En este caso la conenre de
colecto icr(r)
cicula po la ca.rga RL, e :
L!r) t,(r). De aqui quq ir() = hai, (l) cuanao r{r) > .,X
continuacin consideremos lo que c.urre cuanao
gura 5 3-.9.b muesta qu 4ries n.gii*. en .rt" l"
.i-
carga iLU) :
4esr en conduccin y 4 "uro,
est .n io.t". Aho.u ra corriente de
- icr(t) = -hJ,ril^4 .=- -h*r(-i) = hft2tlt). La corriente de carga
esultantq debida al cicro completo de ru coiint" a"
Figura 5.3-9. "niiii """ representada en la
El efecto de omitir el transformador de salida, utilizdo en
el circuito de
Ia Figura 5.3-1,
es hacer que la impedancia de colecto. der transistor en conducciJn sea
R, en vez de y'y'rRr.
Esto se explica en el siguiente ejemplo.

Tr

l./<

la)

Flgufa 5.5.9- Amplificador push-pull con salida directamenre acoplada:

{a) circuiro: l) fomr
CTRCUITOS ELECTRONICOS

EJEMPT.0 5.5.2

Reptir el Ejemplo 5.3-l utilizardo el circuito de la Fisura 5.3-9.

50lucn
Paa suministar la mxima potencia a la resistencia de carga debemos alimentala
con.la mxima corriente posibl. El tansisto utilizado en el Ejemplo 5.3_l puede
suminista una mxima corriente de I A. Como el amplificado push-pull representado
en la Figura 5.3-9a est conectado diectamente a la carga R no eit acphdo por
t
tansformador ala carga,la mxima potencia que puede disipar sta es

P".^* _ ltz^R, = (x1F(10) : 5 w

Este valor de la potencia de salida es la mitad de la mxima potencia de carga en el
ejemplo de la Figua 5.3-1. Para minimiza la potencia disipada en
{ t
y elegimos el
minimo valo posible de Vcc para qtJe el transisto pu." de lu satuiaciln at cote.
Como lR, = 10Ae{-: l A, hallamos Vcc = Vt^: RLI, = l0V. paa evita que
haya problemas de saturacin (t/cE,.,r : 2 V) el vlor real d /." empleado ser 12 V.
Y para eliminar Ia distorsin cruzad4las uniones base-emisor ii pol;rizan e sentido
directo con aproximadamente 0,65 V, como muestra e circuiro push-pull linat de la
Fisura 5.3-0

Flgura 5.3-lO- Amplicador push-pult direc-

famente acoplado con fedes de polarizacin para
suprimir la distorsin de cruce.
 AMPLFICADORES LINEALES DE POTENCIA
EN AUDIOFRECUE\CI{

Una ventaja_del amplilicador push_pLrll acoplado

directamente es que no reque !._Li:.:_
mador de salida. El transformado e entrada
se p".a" o.lil, ,u.tie" y *r,.*,i,",f,
un clrcuito divisor de fase (Sec. 6_l l). Como los'transformao
-Ji,XlhHii?,;
cosrosos, su supresin del
"ircuito
que con l no se puede obtener
,upon" una-;;;r*::;il
la mxima trasfeencia'A"
tiene la propiedad transformadoa de impedancias foran"iu u fa *.ga poque la no
del ,r_lru..""r. Un segundo inconre-
niente es la necesidad de dos fuentes " un"ntr"in. "-""'"""'

5.4. AMPLIFTCADORES SIMETRICOS COMPTEIET{TARIOS

t"t se repesenta un lipo de ampliticador push-pulr de clase B que

.Tl:,"lq":l
trans$tor pnp y uno hPtt y no precisa transformadores. 'Este emplea un
tipo ,te amplilicador utiliza la
s|aer'a complementai su funcionamiento se expiica
mediantJ la [gura. cuando ia tensin
de seal es positiva,
4 (el transisror pl, c*d"j";;i;;,.^;;; i (et transistor pnp) est en
corte. Cuando la tensin de seal es negativa,
corriente de carga es t conduce mientrs que 7i est en corte. La
it. : ict ir, (5.+l)
l recta de caga y las rclaciones de potencja
dei circuito de sahda de este aliplificado,
son las mismas que las del amplificador
conu"n.ionul " ltu." l-" ia Seccin 5.3. [_as
del sistema si transformadores es.que representa ventajas
un ahoro de pcso y coste y qle no se
necesrtan seares de entrada desfasadas
cienio ochenta grados. Sus desuenra.as son ta
de dos fuentes de elimentacin, positiva y. necesidad
aegativi y ;lp-.;-b;-" de obrener paes de
transistoes que sean lo suficientemene anlogos
para conseguir Lrna c,storsin oecuea.
- i-
'',, rlr' -r-t'"" ;-l
I
t"
It, ?" \'T
',
'
R,
L1A
T

i
I + _
.>
- ln , 7
)tr { {..
Flgufa 5.4.1. {nrp,rrlLaJor de (imerj|3 comDlemenldra

EJEMPLO 5.4.,1

Un amplificador de simctia complcmentarja utiliza transistores que ti(-nen il i

mismas caactristicas que Ias del Ejemplo 5.3-l:

: 40 V
't/c
Hallar f.c y ia potencia nlxima que puede suminislrar
a un cars de l0 e

----EF--
 CIRCUITOS ELECTRONICOS

Recta de ca.ga de c.a.

Flgufa 5.4.2. Circuito y recta de carga para f2 del circuito seguidor de emisor de simetna
complementaria: (a) circuito; () recta de calga.

solucln
Cada transisto es esncialmente un seguidor de emiso de clase B. Consideemos I':
su circuito equivalente durante la conduccin y la recta de carga correspondiente a
su zona de funcionamiento se han representado en la Figura 5 4-2. Como el valo de
pico de r'., no puede exceder I A,

V,,
RL
Por consiguiente Vrr: l0Y
Obsrvese que la excursin 2fcc es enor que la tensin de ruptura colector-emlsor-
tal como se requiere. La corriente de carga es
it:irt-ir,
Si u, es senoidal, tambin lo ser i con una coriente de cesta mxima de

v-^

Lugo i" : ir,, sen rDt : +.

-R

La polencia mirna en la carga e<

p. -vL-sw
2R'

Obsrvese que el amplificador push-pull de la Seccin 5.3-l podr suministrar l0 \\

debido a que el transformador duplica la impedancia de carga efectiva Ei amplifrc.'
do de simetra complementaria y el amplificador push-pull directamente acopladr-
descito en la Seccin 5.3-3 no emplean transforador de salida y po tanto c.-
transfoman la impedancia de carga.

l--
 AMPLIFICADORES LI:{EALES DE POTE\CI.T E\ A'-};.:.r:?:CLENCIA 253

Se puede tener alguna idea de la tensin de seal necesria Da:! erqs-- s1e
ampli,icador suponiendo que /i < R. Entonces, a causa de que el cirwJ:o ::
esencialmente un seguidor de emisor, la mxima seal u, : (.sen ror debc telcr ul
valor de pico de Vrr, es decir, Vi^:Vcc, pa:.a ftansferir totalmente los 5 W a Ia carga

Et AMPLIFICADOR DE POTEIICIA DE CLASE C

Cuardo se necesita entrega. a la resistencia de carga una poteocia elevada deber::mplease

tcnicas alternativas a las ya descritas. En esta seccil discutiremos er amplificador de
potencia de clase C.
En la Figura 5.5-1 se muestra un amplificador de potencia de clase C bsico. Ntese
que en este circuito el t.ansistor se polariza de manera que se encuente en estado
de cote
Ia mayor parte del tiempo y conduzca slo duante cortos perodos. As, mientras que el
pico de potencia puede hacerse extremadamente elevado, la potencia media disipada
estar dentro de los lmites de la capacidad del amplificador.

,1. li
tl
/i
Itl

FlgUra 5.5-'t. Amplificador de potncia oe ctase

C bsico.

t_,.
l"tR'

Cu\a de mxima disipacin

Flgura 5.5-2.
Rectas de carga.
2- 251 CIPCUITOS ELECTRONIC-OS

El problema asociado a este amplificador es que la caida de tensin en Ia resistencia de

carga R no es senoidal. De hecho, debido a la discontinuidad de la corriete de colector,
la corriente y la telsin en la carga contienen muchos armnicos de frecuencia. En un
diseo prctico se colocaia un cicuito LC pralelo y sintonizado para eliminar todos los
amnicos excepto el de la frecuencia fundamental/o.
La Figura 5.5-2 muestra las rectas de ca.ga en continua y en alterna. Ntese que la
recta de carga en alterna puede superar la polencia media disipada Pa,.,r.. La limitacin
fundamental para la ecta de carga en alterna es que la corriente mxima de colector . *,
: VcclRt < 1p,.,, que es la mxima corriente de pico que puede manejar el transisto.

EJEMPTO 5.5.1

Un transistor funcionado en clase C tiene las siguientes 4 w,

W,
", =
ltes caractesticas Pc,
",,
BV : 40 v e Ip. nar : 2 A. Sea l/r,: 20 V ()r Cul es el minimo valor de R,
permisible sin excedr lr,^n :2 A? () Cul es la cresta de corriente posible si
diseamos un amplificador que no supe.e 1a resticcin;cin de mxima potencia media
en ningn instante de tiempo?

50lucn
() A partir de la recta de carga en alterna mostrada en la Figura 5.5-2 vemos
vemos que:

vr,.
R1.
As
D v--
tI 20
- In.)
- lc.^t, I
() Si se disea el amplificador para que no se supere nunca la curva de
disipacin de potencia media, entonces
Vctelca: Pc.,":4W
En este caso Vcte : lcc: 20 V y Ia corrienle de colector dc cresta mima es

,,__,.e_ .
P'- 1 n o
I )0

Hay que seialar que, en este caso, df'c enplcaase una resistencia de carga

R," : : 100 O. Ntese tambin que debc disminuirse {., a veces considerable-
Ica
=
mentc, desde el valor i6,.1,/2, si o se debe superar la cuva de mxima potencia
media disipada.

Formas de onda. La Figura 5.5-3a muestra ia seal de corricnte senoidal is(). Puesto que
el tansisto est en cote a corriente de colector it), mostrada en ia Figura 5.5-3, fluye
sio durante ciertos periodos dc tiempo. En la foma de onda mostrada c(4 es distinta de
cero slo durante el intervalo de tiempo 2 cn cada ciclo, cuyo periodo cs To : llfo
 AMPLTFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECL E:iCL{ l<5
Ntese que la tensin colector-emiso ,c(r), mostrada en la Figura 5.5_3c, es un rmpulso
senoidal slo duante el pequeo intevalo de tiempo 2r.

5.5.1. Calculo de potenclas

Tomando como efeencias las formas de onda mostradas en la Figura 5.5_3 pueden
calcularse la potencia suministrada, la potencia disipada en el colecto y ia potencia
disipada en la esistencia de carga a la frecuencia fundamental
/0.
Potencia suministrada Pr.. La tensin de alimentacin Vcc entrega una potercia media
P-- donde

r* :
lf ,v,,i,ut
a (5.5-1)

1'{4 =r
%.c"s@or -
cosoot)
-*

(t) =o

?)

,'- t.* -", - -,%.-.t

l-,-..' i

Flgura s.s-3. Formas de onda: ,, .::l:"J:, r) corrienre de coreclorj (.r rensin

ni.e:l*,r
 Refirindonos a Ia Figura 5.5-3 vemos que (vase problema 5.5-l)
.-
- COs dt cos cr)^f
- I _-"J;: | | nTot <r para rodo
,ru:
,,r: ),"-
I " (5.5-2)
[ 0 en cualquie otro caso

Asi, p-- - vul- l ' -ql:j9l *0. ,,

to J_, "os-I cos 0ror
(5.5-3)

Mientras que (5.5-3) puede integralse fcilmente hallndose una respuesta exacla (vease
Problema 5.5-2) es til aprovechar el hecho de que

,o, :'f U Z, para funcionamiento en clase C

, _k,
=
Asi, cos coo (5.5-4)
-
y en la egin lrl < ?,

.t\t'z
cos )o ,: | (5.5-4 |
2

Sustituyendo (5.5-4) en (5.5-3) se obtiene

'L
I
D
., .
ycct. f,
l
/ i
l t-
,,
1- \

\r\/
z)% /o J,\
: 4t4rV
t- /

,, Vccl^ : ,- Vrc;:
x
,/4 ".0
ya que, de la recta de carga en alterna mostrada en Ia Fieura 5.5-2_

\' V

Potencia disipada en el colector pc. La potencia disipada en el colector del circuito p.,
esulta de

,, = lt
+f ,ic\rtt
cEt

donde 4 viene dada pot (5.5-2) y VCEQJ est dada en la Figua 5.5_3c por

t t/ ,/ COS Ldol - COS @.

i',.-t.-,tinl^.<r I
l,rr(t):1 - cosuror (j.j_!
I Vu en cualquie otro caso
 AMPLIFTCADORES LINEALES DE POTE\CL{
\|
E}i --:.:: -::LE].CIA 25?

,,=:l'
' r" J ,'-r.-/q:tr-::r*c\u- u /cos<or - cos,o;.
\ I - "o. .,or:/ vc' - 4- (ffi/ "t
- l-roJ.,f' ,*r,-cos-oor - cos .,o dr
| - urotCOS

-J oJ-ri' r.n.(:.'-el-r:ree)' r,
| - cos @o ,l (5.5-9)
\
La primera integral nos da p.- v t dada por (5 5-5) La segunda integral puede ser
valuada fcilmente
"-pt""naJ13.s1tif"
- cos to\'
-i f' ,,-"-(cos |t'.o
'oJ-, \ - oor I o, - '.-'- f' (" \' ,,
cos 4 J_,\ ,t ) "'
: I,^1^ f' l. -."' 2 . r\ '
')dt HI'-v'^;-
4 J ,\' r55-rol

De aqui, combinando (5.5-5) y (5.5_10) tenemos \ /

- ' l('
j
.l
I l" #*r^-E,*,. i,;(_:),," i,..i I
En (5.5-11) hemos usado IS.S-S, V"^: t*4- .: _!t
,ss_,,,

.t|!"1 (,.).
7,f; ulr^
I potencia disipada en la
carga. La potencja o**^o^ii rl'It::!ra, pr., es la potencia
'l a la frecuenciaf, eidecir, a ia frecuencia ies""". g"
lisinlda
la resistencia
.""i",t"mo se ha visto,
t de carga est nomalmenle. formando pate "
:l atena todos los armnicos excepto el fundamenrai/n. "" "i.."ii.'par""1o RC que
La cornenle de coleclor c{) puede desrrollar,e e; .erie
de Fourer:

t(4 :
I
10 + ), I co.- r,,"r (5.5, r 2l

r (es decir. 1" para r? : l). Es bien conocido

1
- : 2 fr.tz cos @or dt
I (5.5-B)
" '; J '" 'icQJ
I Sustituyendo (5.5-2) en (5.5-13) esulta

+ | .*,,", (:r1;;tr)
I ,, : r, i._<- 1.1.,

L-
I
,-
2S8 C'RCUITOS ELECTRONfCOS

De nuevo, usado (5.5-4) en (5.5-14) se obtiene

":'+1,('-
-,i)(+)"
:+1.1,-(+*t),.**n].
"+(+): ft'^ 15 l-lsr

La potencia entregada a la carga a la frecuencia /o es entonces

PR" : tr1RL : T (;)' r-^, : t (;| ? (5.5-16)

Rendimiento, El rendimiento de un amplificador de clase C es extremadamente pobe

puesto que rlTo< l. En efecto, ernpleando (5.5-5) y (5.5-16) tenernos
:'o, - tt'Tol'vktRt _ 9 (, \ r-
n' (s.5-17)
Prc iktTo\vrrlR I \roJ vcc
As, si 4- : Vcc ! t : 'lol8, q : 33 por 100.

Factor de caldd. El factor de calidad del amplificador de clase C es

^p

(5.5-18?)

Se deja para los problemas (vase Problema 5.5-3) demostra que:

s (,\v (5.5-18)
r, \4/ &
32 lrI vL
t \r"./ & (5.5-18r1

(5.5- 19)

Po ejemplo, si r: Q/8,F:1f,.
. Si los .esultados obtenidos para el amplilicador de clase C se comparan con aquellos
obtenidos para el amplificador de clase A, uno podria llegar a la incorrecta conclusin
de
que ei amplificador de clase A es <mejor>. Despus de todo, el rendimiento
es ms levado
para clase A y el factor de calidad F no es sustancialmente mayor en clase
C. Sin embargo.
el amplicador de clase C puede entregar cantidades signiiicativamente ms grandes
de
enegia a la .esistencia de carga que ei amplificador de clasc A. Esta es la nica iazn para
el empleo de clase C.
 AMPLIFTCADORES LTNEALES DE POTENCA EN AUDIOFRECLE\CIA

E EMP!o 5.5.2

-, : 4 W, BVcEo = 40 y
Empleado el transisto de los Ejemplos 5.1-l y 5.5_1, pq,
e is, -n, =.2 4.. Disear un amplilicador de clase
C pura eorr"ga, lu rnarimu
polencra a,la resrstencia de carga R
: = 50 e. puede emplearse un iransformador.
uponer r/.o .

solucn

Jolemos 2"" = tBV""o = 20 V e I,- : 2 A. Asi la resistencia de ca.ga R vista

desde el colector es

R,:?=rca
Empleando (5.5-5) la potencia suministruda es

^
Pcc.^_ : q('\v].
j \q/ *, : fir.,Fr _ o.r w
Utilizando (5.5-18) la mxima potencia media disipada en el transistor
es:

_ s (t\vc
- r, \r") R, : fl*r*o ) : zw

Ntese que esta disipacin es la mxima permitida en

el transisto.. Sn embargo,
:lil^::-T..],:j:::al
la.disipacin es cero y cuando existe se at mxia (v._ ycc) :
es solo de t,3 w. Empteando (5.5-18c) ta mxima potencia
eniregada a
i;::::;.j:"
: 32 1tY -:v]. : rf(*rffi 2,2 W
e \4./ R.
-t- =
Puesto que Ia re-sistencia de carga R. 50 e y la resistencia de carga refleiaoa en
er
coleclor es de l0 () es necesario un translormador con una
relacn <te esprra. 5:1.

5.5-2. Concluslones
Si se disea un ampiilicador lineal de elevada potencia es til
un amplificador de clase C
ya que se puede trabajar al nivel de la coriente de crsta
del transistor. Sin embargo, el
transstor disipa an grandes cantidades de energa lo que limita la
utilrdad de los
amplificadores.
Cuando se debe amplifica una seal modulada en frecuencia, o cualqurer
seal en la
cual la informacin no est contenida en la amplitud, no se emplean
ampliflcadoes
como los de clase A. B.y C, descritos
!:1.: llf, lr r"""ion".'pr"uias.
"n los amplificaores
pueden utrlrzarse amplilicadores no lineales tales como
En su lugar
de potencja de
clase D y S.

ti -
5.6. Et AMPLTFTCADOR DE CLASE D
El concpto bsico del amplificador de- clase D se ilusta en la Figura 5.6_1a.
El ampLi.___:-
se compone dos transistorcs complementarios actuando sobie una .esistercia de
^de
-Rr. En esta figura Ios transistores estn modelados como interruptores ideales.
:-..:
seal d control de entrada es negativa el interruptor ,S1 se cierra y el .S,
;.., :
se abre: cLr::: _i
seal de contol es positiva ,S, se abre y S, se cierra. La tensin
u, n la esrsren;: ::
carga es, por lo tanto. una forma de onda que tiene dos valores posibles,
Ntese que los interruptores no disipan eneigia puesto que, o bi; la
%r._...., .
co.aian," ,,u.., ..
rnrerruptor o bren a tensin en 1, es cero. Asi, la potencia sumioistrada po "
la alimen.--:,_::
es jgual a la potencia disipada en Ia carga. De ahi que
el rendimiento del amphllcad:: :_:
del_ 100 por 100 y que el factor de catidad
4 que cs Ia elacin ente la maxrmu pc::::.
disipada en el interruptor y la mxima potencit disipda en la
,"u l.ro. En res-:::-
estos lactores hacen del amplilicado Ce clase D un amplificador- "urgu,ieal.
es ecesaio que la tension en la carga u sea senoidal en vez d.
.Normalmente _:_
onda cuadada y por eso se emprea usualmentc un circuit sintonizado que
consrsi: ::
una esistencia de carga -R. y un circuito c, para eliminar mediante
filtrado rod! .::
armnicos de orden superior. El lector puede observar (vase problema
5.6-l) que de::__:
de este filtrado la tensin en la carga es

2 /llrl1*
ul{f) - ' cos t'ol ' :_

donderf, es ia fecuencia de apertura y ciere dcl interuptor, es decir, Ia

seal de entada. Asi ia potencia til disipada en la carga es'
frecuencra :: :

p, ;1/)u ,t
("'"'T'." ) .i=^-
.t)l
\ ,,.:",,.,.,
__
n ftt.
0.2
R.
:: ,

. Pfe:r9 gue la fuente de energia entrega una

mrtad del tiempo la fuente no ertrega coriente)
potencia d.e Vl,^.^,^",6"12R,. (durar.:: :
cl rendimiento de eii amptiticad;::.:
realmente slo del 40 por ciento; el 60 por 100 restante est siendo almacenado : :
crcuito C paralelo. Un transistor real lo es un interrupto ideal sino que es _.:
esrstencla en la zona de saturacin. Deberiamos. por tato, modelar
ei interrupror c;:::
:1 lltal._upto, ideai icluyendo una resistencia. que denotamos co,r,o,. cn la I_,:-,.
5.6-l. Ahoa la en;rgia entregada por la fueitte es (r,ase problena
5.i_2i

Puesto que r" < Rr

,
,-.*-. - r 'i.*.,.''
2n-
Asi
el rendimrento permanece cn aproximadamente el 40 por I00.
:T: :1":,u encrgia Ahoi- ,
disipaJ en el r.ansistor (inteuptor) no q-:
puesro :
l1.o1fgo:
De aqui,", "iro
esrstencra r", disipa energia siempre que S, cst ccrrado.
 AMPLIFCADoRES LINEALFs DE PoTE\cL{ L\-' r:-::F..-I-:-- r\cIA 26r

f---j----
r
i
ili s.'

I
Sal de conlrol de nrrada
I
Sal de conlrol I
--l
I
I
I
L_

Seal de control de enrada

Flgqfa 5.6.1. (a) Amplilicador de clase D.bsico empleando

simtricos; () ampriricador de clase D con
interfuptores comptemenrarios_
.".i.,i""r,
rdidas r.i o" ,*" o -,
capactdad adems de rdidas_ "rpiiri".
r- N2 CIRCUITOSELECTRONICOS

i /v \? I/
I f Y'*"-" l-" -'
,nrfupro,-t\p
Y nrnrinsr
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/,,r )p2
'\L

puesto qu durante la mitad de cada ciclo no hay corriente en /"r y tambin se tiene "r < ,R

El factor de calidad 4 por lo tanto, es distinto de ceo, pero

P,"r.,."",(mx) L r
--
)12R'z r
t5.6-6
P,(mx) R/ 0.4R

I E.JEMPLO 5,6.1

Un amplificador de clase D entrga 500 W a una resistencia de carga de 50 O. Sr

"r : 0,5 O determinar cunta potencia deben disipar los transistores complementrio!.

Solucin
El facto de calidad es

0,5
- :0,025
0,4Rr 0,4(50)

Si se deben disipar 500 W en la carga cada transistor deber ser capaz de disipl.
P,,".,,",., : 500 : 500i0,025) : 12,5 W

Ntese que en el anterior anlisis de la Figura 5.6-l no se disipaba potenci.r en e

interuptor Sr. De hecho, a partir de esta ligura se podria eliminar .t? sin afeclar:.
funcionamiento del amplilicador. En la prctica el ampiificador no funciona iin 5
puesto que en cada transistor existc una capacidad de salida. Cor, como se muejt.J
en la Figura 5.6-lc. Sin el interruptor S, la capacidad Co, se cargaria (cuan,l.-. !
est abierto) a travs de R, afectando a la foma de onda de t. EmplcnJo ..
circuito mostrado en 1 Figura 5.6-1c la capacidad Cor se carga a traveJ dc .,
resistencia s2 del interuptor 52 y, po tanto, .t2 conecta efectivamente R a irer:.
cuando S, est abierto.

Las Figuras 5.6-2b, t'y d muestran las formas de onda de tcnsin en la carg., .:.
seiai de cntrad que parcce en la Figu;e 5.6-2a. Ell esta figura se parte de que c-..,:::
ensi,r dc entrada es posi:iva, 5r abre y s: .ier1 y viceviirsa. La Figurl 5.6-) nr -':.:
forma de onda ideal de la tensrn en la carga si no exisliera ia capacidad. La FigL,:., : ---
muestra la forma de onda en la salida si se suprime.t, o est presente la carr.:,: :.
salida Cor. Si la constante de tiempo rL : R.Co, es comparable al periodo de la
entrada (To : l.fo) la tensin en la carga podria posiblemente no alcanzar los 0 \ I::
'::: ,
para el caso mostrado en ta Figura 5.6-2, vemos que la potencia disipada en la -,::' '
ha disminuido significativamente con respecto a la disipada cn el caso ideal most:-,: :-
Figura 5 6-2. Este efecto es, por supuesto. directamente proporcional a la frecLrcr,.. -
seal a amplificr. Si

tlo: R,,C",ji < 1

entonces la disminucin de P. no scr significativa.

*-**',-.---
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECLT\CTA

+l|lo+

*":"ru(br sinpac,dd

i.) c., presnte, suprimido

ei iterruptor .ti,

rr = Constante
Conslante de tiempo RC,t

^r0
.La'
zW \ : 2c.t,l
ldl c. : Cd = q:; anbos
interruplores colocdosj

Flgufa 5.6-2. Formas de onda.

,,1'-f
)t
'l^;
,o)\i*r'"
!
,.,1 D

q,

Tansformador (ideal),

Flgura 5.6.3, Amplificador de potencia de clase D con simea compi.r.:r:::ri

Un amplificador de clase D tpico se muestra en la Figura 5.6-3. ?", y L son I:nsrsrores

VMOSFET complementarios simtricos de manera que cuando rl/) es positi\ I r ii e
corte y 7, est en conduccin. La relacin de espiras l se selecciona para que la :':':encia
de carga pueCa recibir la tcnsin y la corriente necesarias-
 \
EJEMPT,o 5.6-2

El amplificador de clase D mostrado en la Figura 5.6-3 debe disipar 500 $:. L:

tensin de alimentacin es de 200 v y la resistencia de carga R : 50 Q Se emple:
el FET DVDl50T con /s : 0,5 o y Co : 75 pF. Encontrar r y Ia porencia maxrn:
que deben disipar los FET.

Solucn
Para disipar 500 W en la carga usamos (5.6-2) con R, reemplazada por la .esislencr"
refTejada nz Rr:

(5.6. E
,t R" '

0,2{200)'?
De aqu, 500 :
)lJr'

v n2 :032 : 0,56

Seleccionamos : 0,5 asi que P. -" : 640 W.

Para calcular la potencia mxima que puede disiparse en cada transisto usanlos
(5.6-5) cor R eempiazada porll'Rr. Asi,

P',"..."-.:
#tr;*: fffffi - uo* (5.6-9)

5.7. AMPI-IFICADORES DE CLASE S

El ampiicador de potencia de clase D puede empiearse para amplifica. una seal de F\l
o cualquie seal senoidal de amplitud costante. Sin embago pucsto que en un amplific
dor dc clase D la amplitud dc salida cs insensiblc a los cambios de i amplitud de la scel
no puede ser empleado para mplifioar uia seal de Alvf.
El arnplificador de potencia de clase 3 puede eplearse pa:a amrliliclr scales tr ni.,
de AM como de FM (vase el diagrama dc bloqucs en la Figura 5.7-l). La eutrada de u:
amplificador de clase S consiste en dos seales: la seal a ser amplificada ,4(l) cos roor r
una seai de ampiitud mucho ms grande que tiene una frecuencia portadora ms pcquc-r.
En la siguiente discusin suponemos que

A(f)) < | (5.7- l I

y que Ia fecuencia de la segunda seal es igual a ia mitad de la frecuencia potado.11.

Las dos seiales, primero se suman y luego se pasan a travs de un limitador de diodos
{un limitador de diodos es un dispositivo que rrene una salida 1V cuando ia cntrada cs
positiva o negativa, respectivamente). t-a salida del sumador u"(l) es
 AMTLI'( AIJUKt5 LI\E{LEs DE POTFiCI{ E\ . -_J:

*!

T}

I
({)

I
!
*
i (b)

.j
\
L
a
t -\7- {.)
2

i
/-\ r\
/\/\
-- \-- L{r) = I cos? + /r(?)cos oo

: l
I

# T*l I Salida del limitador con diodos. fD(r)

ll
(.)

Flgufa 5-7-1. Amplillcador de potenci de clase S: () diagrama de bloques;{b) seal modulada

en AM; () seal senoidal de rrl'l: k1) salida del sumador; (, salida del imitador con diodos.

u,(J = cos
f r+ ,,1(4 cos c,ror t5.7-2j

Las seales y su suma se muestr:rn en las Figuras 5.'7-lb, c y podemos escribir

cos (,)o : *' (] , . ?,)

- .o, "'n r.or /- a. o --l
l" scn 2:/
5en / (:.
l 2 I

Reempiazando cos .r)o en (5.?-2t por ej resultado de (5.7-3) se obtienc

 CIRCUITOS ELECTRONICOS

oJn rt^
. : ,. @^ @^ (r)^
u,{o cos
; t + Att) cos -; I cos ; | _ A(t) sen } t sen } r

: It t * ,l1o cot io
.., l ., f -t
r l"os ?, - lr,,l ."n?,1."n?,
| J z 2 2L |
r - r-i-
:./ | r +,lro - {" , l'+ | ,lro r.n i" r lcos | 1e r + run-, Alt) sen l@olut f
YL "o. J L 2 J Lz t+ A(tl cos (ao/2vl
(s.1-4)

Esta seal ulr) se rnuesta en la Figura 5.7-l La salida del limitador de

diodos ro(r), como
muesta la Figura 5.7-1, es una onda cuadrada con trasiciones siempre que
r,(r) es igual
t
a cero, siendo igua! a I cuando u.{l 0. respectivamente.
Se demuesta fcilmente que los pasos por cero de u,(/), como en la
Figura 5.7_Id,
ocuren siempre que el ngulo de fase del coseno en (5.7-4) es igual (22 _-t
a 1"12

"",[3,*o^,, *r,!ffffffi:o (5.'1-5a)

Siempre que,

\,+,uo 'l#x#th,f : r,, - u| (s.7 -5b)

Asi los pasos po co varan con el tiempo y ,D(r) posee un ancho variable.
Los ingenieros
de comunicaciones denominan a est forma de ona mod.lada
en ancho e pulso (pWM).
Esta onda cuadada modulada en ancho de pulso se amplifica entonces
mediante un
amplilicador de.clase D y se lilta. Una ue, qui iu tensin amplilicada ur es filtrada
resulta una seal senoidal ,r(). que es la misma que en (5.7_4) per con
amplitud constante
oebrdo a ta ganancia del amplificador. que llamaremos X. Asi,

rl sen r-o 2l
tt - Kcos [10 , * ,un ' | (s.7 -6)
| I I Alt\ cos (oo'2\]
Para qle el sistema amplificador dc clase S funcione coriectamente
. .
indlc en 15.7-t). Puestc que ste es el caso, l,l(t)l < l, como se

t+,t14cos!r:t (5.7 -7 a)

sen (@ot2tl
*n-, _ oul *"
lAft) | , (s.7 -'7 b)

dado que tan-r de un nmero pequeo es aproximadamente igual a este nmero.

I)e ao[_

,(r)
^,
K cos , * ,,,f *" ry ,] (5.7-8)
[frt
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECUEIiCIA

Desarroilando resulta

,'() : r"o, *"

[;ro ?,] "", ] r - rsen ,."
[ru,*" ?,] 3, (5.7-e)

Puesto que lA0l < 1,

.o, ,.n
fr,,, ?,] = , (s.7- l0a)

*"
[rr,i
*" ],] - A(t) sen|, t (s.1- t0b)

Sustituyendo (5.7-10) en (5.7-9) se obtiene

D
Ll.t) xKcos"l!t- KA(i) sen' t
2 f
: rcosfr - tK Av) + K A(t) cos (Dat (5.7-r
t 1)

El liltrado pasabanda elimina los rrminosfT2 y

bandabase, y soiamenle deja e1 temrno lo:
K
tr. : A(L) cos aol (5.7- r2)
;
Asi Ia seal AM, l(t) cos rrol, donde,.lf) es pequea,
ha sido ampljlicada en potencia con
una ganancia i( de una forma muy eficiente.

RESUMEN

Se han consideado Ios ampiificadores de potencia

bsicos de clasc A y push-pujl dc clase
B y se han prcsentado los procedim;entos para establecer-los
diseos preliminares d: los
clicuitos. En todos los casos el oiseio Cel cicuiro a.
un orr,pt;f.uo. ai iot.n"," a.b.,..
acompaado por uir diseno trmico que asegurar que
nantrene dentro de los limites de seguridad. Las
Ii te_peratura en ja Lrnin se
conhguraciones en push_puli de clase B
corsrguen Ln rendimiento significativamente ms
elevado y unu a"nor' o.
energia de a fuente de alimentacjn. Ast, paa una potencia
de salida dada"*,.u"",on
se neccsrtan
transrstores rnucho ms pequeos y ligeros. En pa.iicr.rlur,
tu oe slmer*l
comprementana es muy atactiva debdo a la simplicidad "onfigural;ou
del circuitol a ia disponibilidad
de pare1as de transistores complementarios adapiados.
Adcms. se pesent una discrsin preliminai de las clases
C, D y S. Estos amplrllcado-
rcs se usan nomalmete a fecuencias que exceden I MI{2.
En la prctica er diseo preriminar dc un amprificador de potccia
. se hace normarmente
sobre papei y los ajustes finalcs se realizan
,";;;;; tcilmente
"n "il"bn."ro,io.',lon,l.
potencia de srlida. la distorsin. el rendinliento la
y la estabilidad con la temperarura.
PROBLEMAS

5.1-t. Para el circuito de la Figura P5.1-1 (a) trazar las rectas de carga de c.c. y c.a. y lb) b.:: --::
mxirnas uc, ic e L sin distorsin. (c) Calcular la mxima potencia disipada en la e-: ,-:
potencia total entregada por la fuent de f/.., la potencia disipada en el colecroi . :
rendimiento.

(senoidal)
R.=1l) = l00O

Flgura P5-1-1-

5.1-2. El circuito de la Figura P5.i-2 es un amplificador de potencia de clase A que debe suminiii---_
una mxil,. potencia sin distorsin de 2 W a la carga de l0 Q. Deben ser especificador .:!
minimos valores nominales necesarios en el transistor. Hallar /co, Pcc y 4. Especilicar tanb:.:
Pc. -,, )c. - e t, -. del transislor. Despreciar R. y l:rs prdidas en el circuito de polarizai,..

15v

:
t
fl=40
t/1

Seai
),, R- = I0A

Flgura P5.1-2.

5.1-3. En el Ejemplo 5.1-2 suponer Que c.-, : 2,0 A. Determinar la mxima excursin alcanzaole
] Ia mxima polencia en la carga.
5.1-4. Repetir el Problema 5.1-l si Ia lensin de saturacin colector-emisor del lransistor es iv
5.2.1. Los valores nominales del transistor estn especicados para funcionamiento en clase A en ll
F_igura P5.2-1. La mxima potencia necesria en la carga cs 2 W. Despreciar R" y las prdia:j
en el circuilo de polarizacin.
() Hallar Pc., suponiendo que el amplificador est calculado para ei mximo rendimienl.l
() Hallar Ice.
(.) Especificar los valores nominales de .-,, .. -. y Pc.-, del transistor.
(r0 Si R,- = 6,25 Q' hallar la relacin de espiras N.
 LINALt,5 DE POT\CL{ E\' L-.: ::J-::.,T\CrA 269
^MTLITLAIJUKtsS

snoidal

Fgura P5.2-1.
5.2-2. Repetir el Problema 5.2-1 suponiendo que el rcndimiento del transformador
es del 75 por lOO.
52-3. En el Problema 5.2-l la mxima potencia pL :
2 W se obtiene cuando ri +
/. sen rD.
Encontrar P cuando

,, = ]sen@ + + sen 3or

5.2. Rpeiir el Problema 5.2-1 suponiendo Vc".-, : l'V- [ncluir e efecto de las perdtdas
en los
circuitos de emisor y polarizacin. Suponer que R. = I a y R,
= l0 O.
5.2_5. En el amplificador de potencia de crase A acoprado por emisor mostrado en la
Figura p5.2-5,
Pc.-G,= W. Hallar nr, /s, y N para que pueda ser transmitida la mxima potencia a
_100 Ia
carga. Hallar tambin pcc, pL.^r,, pc y q.

vcc = loY

f-r0
liN

Sal
R = l0A
Ideal Ftgura P5-2-5.
5.2-6. En e circuito de la Figura p5.2 6 hallar y' para que pueda ser disipada
la mxima porencia en
la carga. Calc'la Pt.^n,, Pc.^n, y p.c. Inclir el eiecto de las
rdidas en loir circuitos de
polarizacin de emisor.

Flgura P5.2.6.
7 270 CIP,CUITOS ELECTRONICOS

5.2-?. En el Ejemplo 5.2-1 calcular N y P. si I/cc : 9 v. comparar con el resultado del ejemplo e
que Vcc = 12,6 Y'
5.2{. Repetir el Problema 5.2-7 si Vr" - lE Y.
531. Para cl amplificador push-pull de clase B represetado en la Figura P5.3-l calcular los valores
mximos de , i, cE, PL, Pc y Pcc. Representar Pcc, P y Pc en funcin de en el margen
0<i.<ic..,".
f = lr)0
1:l 5:l

,. .,4., A
senordarL) A
tof
L,_-j
E
\
l'.'
Idel
+- l:l 5r I
ldeal ,=rm Flgua p5.l-1.

532. Calcular un amplilicador push-pull de clase B que entregu 10 W a una carga de I0 q

utilizando transistores que fengar BVcFo = 40 V. Especilicar para cada tansistor Pc., t/cc
y Ia relacin de transformacin y' necesaria.

533. Repetir el Problema 5.3-l con el transformador en el circuito de emiso..

5.3-4. Se dispone de transistores que tienen BVcEo : 50y y Pc
^t, =
I W. Disear un amPlificador
push-pull de clase B tilizando estos transislores, st Vcc = 22,5 y.
(d) Especilicar la resistencia rellejada de la carga y hallar la mxirna salida de potencia.
() Hallar la excursin necesaria de la corriente de entrada si ., 50.
535, Se gobierna un altavoz de 8 a y 500 mw desde un amplilicador push-pull de clase B. La
fuente de alimentacin s de 9 V. Los transistores que se utilicen deben tener VcE, - | V
Elegir un valor adcuado de N y hallar P.. y P. cuando en la carga se disipan 500 mW.
5-fu. En el circuito de la Figura P5.3-6 los lransistores I, y I, no son lineales, por lo que
icr:l1iBL+il, cr : 10rs, + tAr

Si

i = CoS @ol

halar i.. Obsrvese la distorsin que resulta de las alinealidades.

Flgura P5.3-6.

537. Disear un amplificador push-pull de salida directamentc acoplada como n la Figura 5.1-10
para obtener la mxima salida a u a carga de 8 Q. Las especificaciones del transistor son
Pc.-n, : 6W. BVcEo : 50V.;.-. - I Ayrr. = 100.
 AMPLIFICADORES LINEALES DE POTENCIA EN AUDIOFRECUENCIA 71r

5.+1. Pa.a el amplillcador de simet.ia comptementaria representado en la Figura P5..1-t. (o) Calcular
la mxima potencia disipada en la carga, () la mxima potencia suministrada por la5 fuenles
de tensin I/.. y -vEE;y klla mxima potencia disipada por cada lransistor.

Vcc = l0Y
lo
",

ht = 2ffi

Seal

Rt=44
vu - -1o Flgura P5.4-1.

(1] Representar PL, Pccy Pc en funcin d 1"- en el margen 0 < l"^ < Z A.
(,) Disea la rd de polarizacin con el fin de suprimir a distorsin de cfuce. Elegi
Rr I R, = 10 kQ Y ajustar Para 0,65 v
(n Represntar las mximas t,c.r, c, e i si d!5iorsin.
5-,1-2. P.rra cl amplificador de simetria complemenlaria de Ia Figura P5.4 2 (., calcular R, para que
se elimine la distorsin de cruce con 0,65 V.
() Representar la mxima forma de onda senoidai sin distorsin paraucE.,icze iL.
' Determinar P -t- Pccr 4 pard la mxima coinente de 'alidd.
(./) Dterinar la mxima disipacin en el colector y la mxima amplitud de la corriente dc
colector que produzca esta disip"cin.

Seal

Flgura P5.4-2.

5.4-3. En cl circuito de la Figura P5.4-3 suprimir ia distorsin de c.ucr ulili7ndo polarizecin por diodo
(r) Calcuar la co.dente el Dr Dr, Tt. f, cuando i, : 0. Suponer quc hay 5imetfi

I
7
I

I
!

Seial

^\-

Flgura P5-4-5-
() Cuando i > 0, qu transistor se bloquea? Reptir para i < 0.
() Represntar las mximas rcEr, t, e L sin distorsin.
(d) Determinar Pu Pcc ! 4 para a mxima corriente de salida.
'(e) Determinar la mxima disipacin en el colector y la mxima amplitud de la corriente i.
colector que produzca esta disipacrn.
5.5-1. Verificar (5.5-2).
s.s-2. Intesrar (5.5-3).
5-f3. El amplificador de clase C dscrito er el Ejemplo 5.5,1 est funcionando con la mxima cres!
posible de corriente de colector _ = 0,2 A.
(d) Calcular R.
() Evaluar (5.5-9) y determil'ar rlTo para asegumr que la mxima potencia media disipai:
no supra los 4 W (mxima potencia prmitida en el transisto.).
() Calcular la mxima potencia enlregada a la resistencia de carga a la frecuencia rf,.
(/) Calcular la potncia total suministrada por la fuenle de alimentacin de con!inua.
() Determinar el rendimiento del amplificador.
5.G1. Verilicar (5.6-l)
5.6-2. Vericar (5.6-2)
5.-3. El amplilicador en push-pull de clase D del Ejemplo 5.6-2 emptea rransformado.
(d) Calcular n
() Calcular la potencia disipad e| c3da tranristof
() Calcular el rendimiento del amplllcador.
5.7-I. Sea ,{(4 = 0,1 cos Jo.
(d) Determinar la saida de limitador.
{) Si ,14 est dada por (5.7-6), desarrollarla en scrie de Taylor y demoslrar que .{l pr::.
reducirse a (5.7-12).