MAKRON: Books Capitulo 1 Introducdo 1.1 APLICACOES DA ELETRONICA DE POTENCIA A demanda pelo controle de energia elétrica para sistemas de acionamento de méquinas tlétricas © controles industriais existe hé muitos anos e isto conduziu ao desen: volvimento do antigo sistema Ward-Leonard pata se obter uma tensio CC variavel utii- zada no controle dos acionamentos de maquinas CC. A eletrOnica de poténcia revolucionou © conceito de controle de poténcia para a conversio de energia e para 0 controle dos acionamentos das indquinas elétricas. A eletrénica de poténcia combina poténcia, eletrdnica ¢ controle. © controle trata das caracteristicas dinimicas e de regime permanente dos sistemas de matha fechada, A poténcia cuida de equipamentos de poténcia rotativos e estaticos para a geracio, transmissio e distribuigao de energia elétrica. A eletrOnica trata dos dispositivos € cireuitos de estado sdlido para o processamento de sinais que permitam alcangar os objetivos de controle desejados. A eletrénica de poténcia pode ser definida como a aplica: ‘G20 da eletrénica de estado sélido para o controle ¢ conversio da energia elétrica. O inter-relacionamento da eletrOnica de poténcia com a enengia, a eletrOnica e 0 controle é mostrado na Figura LL A eletrénica de poténcia & primariamente baseada no chaveamento dos dispo- sitivos semicondutores de poténcia. Com o desenvolvimento da tecnologia dos semicon- Gutores de poténcia, as capacidades nominais e a velocidade de chaveamento dos ispositivos de poténcia melhoraram enormemente, O desenvolvimento da tecnologia dde microprocessadores/microcomputadores teve grande impacto no controle e na sinte- tizagao da estratégia de controle para os dispositivos semicondutores de poténcia, OsEtetronicn de Poténcia ~ Circuits, Dispositions eAplicagies Cap. 1 equipamentos de eletrénica de poténcia modernos usam (1) semicondutores de poténcia, que podem ser considerados como 0 muisculo, e (2) a microeletrénica, que tem a inteli- sgéncia do cérebro. Figuea Lt Relagio da leteonica de poténcia com a cenergia, 2 letra © controle. Eetonica Controle ‘Analogic! Digital | Dispostivos! Equipamentos de Creates, Fe] Potenoa letters Estatconotativos| e Poténcia A cletrOnica de poténcia jé encontrou um lugar importante na tecnologia mo- derma, sendo usada em uma grande variedade de produtos de alta poténcia, ineluinde controle de aquecimentos, controle de iluminagées, controle de maquinas elétricas, fon- les de alimentacao, sistemas de propulsio de veiculos e sistemas de corrente continua em alia tensio (do inglés high voltage divect-current ~ HVDC). E dificil definir os limites para 48 aplicagdes da eletrOnica de poténcia; especialmente com a atual tendéncia no desen- volvimento de dispositivos de poténcia e microprocessadores,o limite superior é indefi- nivel. A Tabela 1.1 mostra algumas aplicagdes da eletrdnica de poténciaCap.1 Introdugio 3 Tabela 1.1 Algumas aplicagdes da elotrénica de poténeia. ‘Acolerasores de partculas ‘Retonadores de poras de garagem ‘Asionadotes de poras eeticas ‘Retnamento de maqulnaseleieas ‘arma: ‘larmos conta ladrSas ‘Amplicadores do audio ‘Ampiicadores do FF ‘Aquecimonto indutvo Bandejas aquecedocas de alimentos Bombas e compressores, Brinquodes Enns regadres de batorias, Gem aa tensse VOC) ruts do deta do TVS Cobertores eetiens Compensacao de poténia eatva (WAR compensation) Computadores Condiclonacores ear Contato de estado soto Contoladoree de interstage Iuminosa (aimmers). Contain dae varlas om reatorosrucleares Controle de motores de naugto ineares ‘Gontrotes de sinais de Wnt. Gontroles de maquinaseleticas Gontotes de aqueciments CGontotes de temperatura Correias transporadoras Diguntores astatcos Eltrodeposigao lottomecdnica Fotrodomestioos Fotromas Empinageiras de almoxanitado Exatatizes de goradores Fabness de pagel Fertamentag manuals do patina Fibra sintticas Flashes Fondgratos Fontes de alimeniagso Fontes de almentagae em avidas Fontes de almmentaego de radares'sonares Fontes do alimentagae espacals Fontes do aimeniaga solares Fontes go taser do patenea Fontes ftograteas| Geradoresutra-abnicos Stavagoes magnates SuinaSste eelovadores ce carga Fanicto eitérica. IRmnagao om aka reqincia mae Impressoras (de imprensa) doves Uaminagao 66 ago tsrtamae Limpadres a vécuo Lecemotwas Miuinas de costure Maduinas de avar Maqaias do vondas Maquinasforamontas Mineraeso, Matraaores Maturadores de alimentos Moadores Mostadres (spay) Movmontsdores ds paseoas Parga de maguinas sevonas Partaa do urns 9 gee Perturagto de pogos de petroleo Piscadotes ee hanagae Precitadores elevostateos Processos quimeos Prjetores do moe Propaganda FReaotes de limpadas@ arco de mere einigeradores Regolagores, Fegulaores do tensto Fale co estado sido Fale Gs revementa les ostaicon Secadores de roupas Secadoreswitioss Servo sistomas Sistemas de enesiainintenupia ‘Ststems de segurange, Saise ‘Sepredoreso exausores ‘omporizadores ‘Tranemssores VF Traneto de maseas Unidade de alcance de superieie Foros Veteuos setncos Formos para clmento Yentisdores| Fotoespias Ventlageres eltricos Fonte: RG. Hol, Semiconductor Poor Electronics, Nova Torque, Van Nostrand Reinhold Company, In,4 Eletrania de Poténcia~ Circuits, Dispositinese Aplicagies Cap. 1 1.2. HISTORIA DA ELETRONICA DE POTENCIA Ahistéria da eletrnica de poténcia iniciou-se com a introdugio do retificador a arco de ‘merctirio, em 1900. O retificador de tanque metilico, o retificador em tubo a vacuo de grade controlada, 0 ignitron eo tiratron, dispositivos introduzidos gradualmente, foram aplicados para o controle de poténcia até a década de 1950. A primeira revolugao da eletronica comecou em 1948 com a invengio do tran- sistor de silicio, por Bardeen, Brattain e Schockley da Bell Telephone Laboratories. A ‘maioria das tecnologias da eletrdnica avangada de hoje remonta a origem dessa inven- fo. A microeletrOnica moderna evoluiu a partir dos semicondutores de siicio. A pr6xi- ma grande descoberta, em 1956, foi também da Bell Laboratories: a invengio do transistor dispardvel PNPN, definido como tiristor ou retificador controlado de silicio (do inglés silicon-contvolled rectifier ~ SCR), Asegunda revolugio da eletrénica iniciou-se em 1958 com o desenvolvimento do tiristor comercial pela General Electric Company. Comecava uma nova era para a cletrinica de poténcia, Desde entio, muitos tipos diferentes de dispositivos semicondis- tores de poténcia e técnicas de conversao foram introduzidos. A revolugio da microele- trénica deu-nos a capacidade de processar uma enorme quantidade de informagdes uma incrivel velocidade. A revolugdo da eletrOnica de poténcia esté nos dando também a capacidade de controlar e determinar a forma de grandes quantidades de poténcia com tuma eficiéncia sempre crescente. Devido ao casamento da eletronica de poténcia, 0 muisculo, com a microeletrénica, o cérebro, muitas aplicagies potenciais da eletrénica de ppotincia estio agora emergindo, e esta tendéneia continuara. Nos préximos 30 anos, a eletrénica de poténcia dara forma e condicionaré a eletricidade, em algum lugar na linha de transmissao, entre sua geracio e todos os seus usuarios. A revolucio da eletréica de ppoténcia ganhou impeto entre o final da década de 1980 e o inicio da de 1990, Uma hhistéria cronoldgica da eletrdnica de poténcia é mostrada na Figura 1.2, 1.3 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTENCIA Desde o primeiro tiristor, o retificador controlado de silicio (SCR) desenvolvido no final de 1957, houve tremendos avangos nos dispositivos semicondutores de poténcia. Até 1970 0s tiristores convencionais eram usados exclusivamente para o controle de poténcia em aplicagies industriais. Desde 1970, vérios tipos de dispositives semicondutores de poténcia foram desenvolvidos e tornaram-se comercialmente disponiveis. Estes em geral podem ser divididos em cinco tipos: (1) diodos de poténcia, 2) tiristores, (3) transistores de juncio bipolares (BJTS), (4) MOSFETs de poténcia, (5) transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) e transistores de indugSo estitica (SITS). Os tiristores podem ser subdivi- didos em cito tipos: (a) tiistor de comutacao forcada, (b) tiristor comutado pela rede, (c) Uiristor de desligamento pelo gatilho (GTO), (d) tiistor de condugéo reversa (RCT), (€) tiristor de inducio estitica (SITH), (f tiristor de desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT), (g) retificador controlado de silicio ativado por luz (LASCR) e (h) tiristores controlades por MOS (MCT). Os transistores de indugio estatica esto também dispo- niveis comercialmenteCap. 1 Introdugio5 —__Eletinica de Potencia ~ Circuits, Disositvose Aplcngies Cap. 1 Os diodos de poténcia s20 de trés tipos: genéricos, alta velocidade (ou de recuperacio répida) e Schottly. Diodos genéricos sfo fornecidos em até 3000 V, 3500 Ae a faixa dos diodos de recuperacio répida pode ir até 3000 V, 1000 A. O tempo de recuperagdo reversa varia entre 0,1 © 5 4s, Os diodos de recuperagao répida sao essen- ciais para o chaveamento em alta freqiiéncia dos conversores de pot@ncia. Um diodo tem dois terminais: um catodo em um anodo. Os diodos Schottky tém baixa queda de tenso fem sentido direto e tempo de recuperagdo muito pequeno, lipicamente de nanossegun- dos. A corrente de fuga aumenta com a faixa de tenso e seus valores nominais esto limitados a 100 Y, 300 A. Um diodo conduz quando sua tensdo de anodo é maior que a de catodo; ea queda de tensio direta de um diodo de poténcia é muito baixa,tipicamente de 0,5 a 1,2 ¥. Se a tensio de catodo é maior que a tensao de anodo, diz-se que o diodo cestd no modo de bloqueio. A Figura 1.3 mostra varias configuracies de diodos genéricos, que Sa basicamente de dois tipos:o tipo rosca ou rosquedel (do inglés stud ou stud-mounted) & © tipo disco ou encapsulamento prensével ou disco de hiquei (do inglés disk ou press pak ou hockey puck). Em um tipo rosqueavel, tanto 0 anodo quanto o eatodo podem estar do lado da rosca. i Figura 13 \Vrias configuragies de diodos _genéricos (cortesia da Powerex, Inc). (Um tiristor tem tr@s terminais: um anodo, um catodo e um gatilho. Quando luma pequena corrente passa através do terminal do gatilho para o catodo, o ti conduz, contanto que o terminal de anodo esteja em tum potencial mais elevado qui ceatodo, Uma ver que o tiristor esteja no modo de condugao, 0 citcuito de gatilho nao tem controle e 0 tiristor continua a conduzir. Quando o tiristor esta no modo de cond queda de tensio direta € muito pequena, tipicamente de 0,5 a 2 V. Um tiristor em conducio pode ser desligado fazendo-se 0 potencial de anodo igual ou menor que 0 potencial de catodo. Os tiristores comutados pela rede sio desligados devido 3 natureza senoidal da tens de entrada e os tiristores de comutagio forgada sio desligados por umCap. Introdugio 7 ireuito extra, chamado circuito de comutagio. A Figura 1.4 mostra varias configuragées de liristores de controle de fase (ou comutados pela rede): dos tipos rosca, disco de héquei, chatos e de pinos, Figura 14 Vrias configuragies de tristones (cortsia da Powerex, Inc) Os tiristores de comutacdo natural ou pela rede sio fomecidos com valores rnominais de até 6000 V, 3500 A. O tempo de destigamento (do inglés turn-off time) dos tiristores de bloqueio reverso de alta velocidade foi melhorado substancialmente e & possivel ter de 10 20 ps em um tiristor de 1200 V, 2000 A. O tempo de desfigamento 6 definido como o intervalo de tempo entre o instante em que a corrente principal é diminuida a zero apés 0 chaveamento extemno do circuito de tensio principal eo instante em que o tirstor 6 capaz de suportar uma tensio principal especifica sem ligar novamen- te Os RCTS e 0s GATTS sio amplamente utilizados para chaveamento em alta veloci- dade, em especial em aplicagSes de tragao. Um RCT pode ser considerado um tiristor com tum diodo em antiparalelo. Os RCTs sio fornecidos em até 2500 V, 1000 A (e 400 A fem conduc reversa) com um tempo de chaveamento de 40 4s, Os GATTs sio forne- cidos em até 1200 V, 400 A, com uma velocidade de chaveamento de 8 jis. Os LASCRs, que so fornecidos em até 6000 V, 1500 A, com uma velocidade de chaveamento de 200 400 us, s30 apropriados para sistemas de poténcia de alta tensio, especialmente em HVDC. Para aplicagSes em CA de baixa poténcia, 05 TRIACS sio amplamente utilizados em todos os tipos simples de controle de aquecimento, controles de iluminagio, de maquinas elétricas e chaves CA. As caracteristicas dos TRIACS sio similares as de dois tiristores conectados em antiparalelo, tendo apenas um terminal de gatilho. A corrente {que flui através do TRIAC podte ser controlada em ambos os sentidos. Os GIOs e os SITHs sio tiristores autodesligiveis. Os GTOs e os SITHs sio ligados pela aplicacio de um curto pulso positivo aos gatilhos e desligados pela aplica- glo de um curto pulso negativo, também aos gatilhos. Eles ndo requerem nenhum Circuito de comutagéo, Os GTOs, muito atrativos para comutagio forgada de con- versores, sio fornecidos em até 4000 V, 3000 A. Os SITHs, cujos valores nominais8 EletrSnica de Potencia ~ Circuito, Dispositioose Aplicagdes Cap. 1 poclem ser tio altos, como 1200 Y, 300 A, tém expectativa de aplicagao em conversores, Ge média poténcia, com uma freqiiéncia de varias centenas de quilohertz e além da faixa de freqiiéncia dos GTOs, A Figura 1.5 mostra varias configuragdes de GTOs. Um MCT. pode ser “ligado” por um pequeno pulso de tensdo negativa na porta MOS (em relacao ‘20 seu anodo) e “desligado” por um pequeno pulso de tensio positiva, Ele € como um. GTO, exceto pelo fato de o ganho de desligamento ser muito alto. Os MCTS sao forne- Dieda D, (2) Diagrama do crete (6) Formas do onda de ensio Figura 19 Conversor cace coal st monosco. x Conversores CC-CC. Um conversor CC-CC ¢ também conhecido como um. chopper ou regulador chaveado; um chopper com transistor 6 mostrado na Figura L11. A. tensio média de saida é controlada pela variagao do tempo de condugao t, do transistor Qi. Se T & 0 periodo de operagdo do chopper, entdo fy = BT. 8 & chamado ciclo de trabalho do chopper.16 __letrinicn de Potencia ~Cirenitos, Dispsitowse Apliagies Cap. 1 Figura 110 Conversor CACA onotisico Rego en (a) Diagram do cecuto (b) Formas de onda de tensa Conversores CC-CA. Um conversor CC-CA é também conhecido como um ingersor. Um inversor monofasico com transistor é mostrado na Figura 1.12. Se os transis- tores Mi e Mz conduzirem por meio periodo e Ms e My conduzirem na outra metade, a lensio de safda terd a forma alternada. A tensdo de saida pode ser controlada pela variagdo do tempo de condugdo dos transistores, Figura 1.11 “Tansistor 1 Conversor me Foote cece, fe Chaves estiticas. Como os dispositivos de poténcia podem ser operados como chaves estiticas ou contatores, a alimentac3o para essas chaves pode ser tanto CA ‘quanto CC e as chaves sio chamadas chaves estticas CA ou chaves CC.Cap. Intradugio 17 Figura 132 1 T Conversor > CCA 4 monotisco. T ' 7 (a) Diagrama do cieito (b) Formas de onda de tense 1.6 PROJETO DE EQUIPAMENTOS DE ELETRONICA DE POTENCIA O projeto de equipamentos de eletrénica de poténcia pode ser dividido em quatro partes: projeto dos cicuitos de poténcia; 2. _protegio dos dispositivos de poténcia; 3. determinagio da estratégia de controle: 4. projetos dos circuits kigicoe de controle Nos capitulos a segui, varios tipos de circuitos de eletrdnica de poténcia sio descritos e analisados, Na analise os dispositivos de poténcia sio considerados chaves ideais, a menos que afirmado o contrario; e os efeitos da indutancia de dispersa0 do circuito, de suas resisténcias e da indutancia da fonte sdo desprezados. Os dispositivos de poténcia e cireuitos priticos diferem dessas condigdes ideais e os projetos dos circui- tos também sio afetados. Entretanto, no estgio inicial do projeto, a andlise simplificada do circuito € muito util para se compreender a sua operagio e se estabelecerem as caracteristicas e a estratégia do controle, Antes da construgio de um protstipo, o projetista deve investigar os efeitos dos parimetros do circuito (e as imperfeigdes dos dispositivos), devendo, ainda, modificar 0 projeto se necessério. Apenas apds a construcio e o teste do protétipo & que o projetista pode confiar na validade do projeto ¢ estimar, mais precisamente, os parimetros do ircuito (por exemplo, a indutancia de dispersio).18 __letrinicn de Potincia ~ Cireitos, Dispositioose Apliapies Cap. 1 17 EFEITOS PERIFERICOS As operagies dos conversores de poténcia sio baseadas principalmente no chaveamento dos dispositivos semicondutores de poténcia; e como resultado os conversores introdu- zem correntes e tenses harménicas no sistema de alimentacio e na sua safda. Isso pode ‘causar problemas de distorgao da tensio de safda, gerag3o de harmdnicos no sistema de alimentagao e interferéncia em circuitos de comunicagao e sinalizacdo. Normalmente & necessério introduzirfiltros na entrada e na saida de um sistema conversor para reduzit| ‘o nivel de harménicos a uma amplitude aceitavel. A Figura 1.13 mostra o diagrama em. blocos de um conversor de poténcia genético, A aplicagio da eletsiniea de poténcia para alimentar cargas eletrdnicas sensi- veis apresenta um desafio na qualidade da energia a ser entregue, apresentando pro- blemas e preocupagées a serem resolvidos pelos pesquisadores, As grandezas de entrada, € saida dos conversores podem ser tanto CA quanto CC, Fatores como a distorcao harmanica total (do inglés fotal harmonic distortion ~ THD), fator de deslocamento (do inglés displacement factor ~ HF) e fator de poténcia na entrada (do inglés input power factor = IPP) sio medidas da qualidade de uma forma de onda. Para determinar esses fatores, & necessério encontrar 0 contetido harmdnico das formas de onda. Para avaliar a perfor~ ‘mance de um conversor, as correntes e tensdes de entrada e saida deste so expressas na série de Fourier, A qualidade de um conversor de poténcia ¢ julgada pela qualidade de suas formas de onda de tensio e corrente. Figura 113 Sistema, renege | fwoge = Foe fconversor de atmnatS ‘paul Lan potincia - senérico. A estratégia de controle para os conversores de poténcia tem um papel impor tante na geragio de harménicos ¢ na distorgio da forma de onda de saida e pode ser direcionada 4 minimizagdo ou redugdo desses problemas. Os conversores de poténcia podem causar interferéncia em radiofreqiiéncia devido & radiagio eletromagnética, po- dendo os circuitos de controle gerar sinais erréneos. Esta interferéncia pode ser evitada pela blindagem aterradaCop. Introdugio 19 1.8 MODULOS DE POTENCIA Os dispositivos de poténcia sio fornecidos como unidades simples ou em um médulo, Um conversor de poténcia sempre requer dois, quatro ou seis dispositivos, dependendo de sua topologia, Os médulos de poténcia com dois (em configuracdo meia-ponte, também chamado dual), quatro (em ponte completa) ou seis (trifdsicos) sao fornecidos para quase todos os tipos de dispositivos de poténcia, Os médulos oferecem as vanta- sgens de perdas mais baixas em estado de condugio, caracteristicas de chaveamento de altas tensdes e corrente e velocidade maiores que as dos dispositives convencionais. Alguns médulos ainda incluem protecio contra transientes e a0 circuito de excitacio da porta ou do gatilho. 1.9 MODULOS INTELIGENTES (Os circuitos de excitagio da porta sio fornecides comercialmente para excitar disposi- tivos individuais ou médulos. Os muéidulos inteligentes, que so 0 estado da arte em eletrénica de poténcia, integram 0 médulo de poténcia € 0 citcuito periférico. O circuito periférico consiste de uma isolagio entrada/saida e interface do sinal com o sistema de alta tensio, um circuito de excitagio, um circuito de diagndstico e protecio (contra excesso de corrente, curto-circuito, carga aberta, sobreaquecimento, excesso de tensio), controle por microcomputador e um controle da fonte de alimentacio. Os usuarios necessitam apenas conectar fontes de alimentagio. Um médulo inteligente também conhecido como smart power. Esses médulos estio senda cada vez mais utilizados em eletednica de poténcia, Alguns fabricantes de dispositivos e médulos slo listados a seguir: Advanced Power Technology Power Integrations, Inc. Brown Boveri Powerex, Inc Fuji Electric/Collmer Semiconductor, Inc. PowerTech, Inc. Harris Corp. RCA Corp, Hitachi Ltd. ‘Semikron International International Rectifier Siliconix, Ine Marconi Electronic Devices, Inc ‘Tokin, Inc. Mitsubishi Electric Tokyo Denki Motorola, Inc. ‘Toshiba Corp. National Semiconductors, Inc. Unitrode Integrated Circuits Nihon International Electronics Corp. Westcode Semiconductors Ltd.20 Eletrnica de Poténcia ~Circuitos, Dispositions e Aplicagies Cap. 1.10 PERIODICOS E CONFERENCIAS DE ELETRONICA DE POTENCIA Ha muitos periddicos e conferéncias profissionais nos quais os novos desenvolvimentos sio publicados. Alguns deles sao: IEEE Transactions on Industrial Electronics IEEE Transactions on Industry Applications IEEE Transactions on Power Delivery IEEE Transactions on Power Electonics IEE Proceedings on Electric Power Journal of Electrical Machinery and Power Systems Applied Power Electronics Conference (APEC) European Power Electronics Conference (EPEC) IEEE Industeial Blectronics Conference (IECON) IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (1AS) International Conference on Electrical Machines (ICEM) International Power Electronies Conference (IPEC) Power Conversion Intelige t Motion (PCIM) Power Electronics Specialist Conference (PESC) RESUMO. A medida que a tecnologia para dispositivos semicondutores de poténcia ¢ circuitos integradas se desenvolve, o potencial para as aplicagies da eletrinica de poténcia tor: se mais amplo, Js existem muitos dispositivos semicondutores de poténcia que sio fornecidos comercialmente; entretanto, 0 desenvolvimento nesse sentido & continuo. Os conversores de energia caem geralmente em seis categorias: (1) retificadores, (2) con- versores CA-CC. (3) conversores CA-CA, (4) conversores CC-CC, (5) conversores CC-CA © (6) chaves estiticas. O projeto de cireuitos de eletronica de poténcia requer o desen- volvimento dos circuitos de poténcia e de controle. As tensbes e correntes harmdnicas geradas pelos conversores de energia s80 reduzidas (ou minimizadas) com uma escolha adequada da estratégia de controleCap.1 Introdugio 21 REFERENCIAS B. K, BOSE, Maer Poser Electronics: Evolution, Technology and Applications. Nova Torque: IEEE Press, 1992. __ “Recent advances in power electronics IEEE Transactions on Power Electronics, vol. PEF, n. 1, 1992, pp. 2-16. B. R. PELLY. “Power semiconductor devices: a status review." IEEE Industry Applications Society International Semiconductor Power Converter Conference, 1982, pp. 1-19, F HARASHIMA. “State of the art on power electronics and electrical drives in Japan” 3nd IFAC Symposivm on Control in Power Electronics and Electrical Drives, Lausanne, Suiga, 1983, pp. 23.33. (GENERAL ELECTRIC. D. R. Grafham, F.B. Golden (eds.). SCR Manual. 6" ed. Englewood Clits, NJ Prentice Hall, 1982. R.G. HOFF. “Historical review, present status and future prospects.” International Power Electonics Conference, Tiquio, 1983, pp. 6-18 Semiconductor Power Electronics. Nowa Torque: Van Nostrand Reinhold Company, Tne, 1986, TT M. JAHNS. “Designing intelligent muscle into industrial motion conteoL.” IEEE Transactions on Industrial Eletroncs, vol JE37,n. 5, 1990, pp. 329-41 QUESTOES DE REVISAO 1A Oqueéeletsinica de poténcia? 12 Quais sio 08 vériostipas de trstores? 13 Oque écirevito de comutagio? 14 Quaiss 8 condigies para um tvistor conduzir? 15 Como um tiristorem conduso pode ser desligado? 1.6 que é comutasio pela rede? 17 que comutagio forvada? 18 Qual a diferenga entre um iritor e um TRIAC? 19 Qual éa caracteristica de controle de um GTO? 140 O que éo tempo de desligamento de um tiristor? LALO que éum conversor?letrnica de Poténeia~Cireuites, Dispositoos e Aplicgies Cap. 1 (Qual € principio da conversa CACC? (Qual 6 principio da conversio CA-CA? ‘Qual 6 principio da conversa CC-CC? ‘Qual 6 principio da conversa CC-CA? Quais sio as etapas envoluidas no peojeta de equipamentos de cletronica de poténca? Qua is sto os efeitos perféricas dos equipamentos de eetrnca de poténcia? Quais so as diferengas nas caracteristicos de controle dos GTOs e dos Hrstores? Quais so as diferengas nas caracteristicas de controle dos transistore e dos trstres? Quais so as diterengas nas caracteristicas de controle dos BJTs¢ dos MOSFETS? Qual éa caracterstica de controle de um IGBT? Qual éa caracterstica de controle de um MCT? (Qual éa caracterstca de controte de um SIT? Quais so as diterencas entre os BY Tse 08 IGBTR? Quais so as diferencas entre os MCTs€ 08 GTOs? (Quais so as diferencas entre os SITHS e os GTOs?nen terenneeeenee ett MAKRON Books Capitulo 2 Diodos Semicondutores de Poténcia 24 INTRODUCGAO Os diodos semicondutores de poténcia tém um papel significative nos circuitos de eletrénica de poténcia. Um diodo age como uma chave para realizar varias fungdes, tais como: chaves em retificadores, comutagao em reguladores chaveados, inversao de carga fem capacitores e transferéncia de energia entre componentes, isolagio de tensfo, reali- mentagio de energia da carga para a fonte de alimentagio e recuperacio da energia armazenada, Os diodos de poténcia podem ser considerados chaves ideais na maioria das aplicagdes, mas os diodos priticas diferem das caracteristicas ideais e tém certas limita- ‘bes. Os diodlos cle poténcia sSo similares aos diodos de sinal de jungio pr. Entretanto, 0 diodos de poténcia t&m maiores capacidades de poténcia, tensio e corrente que 0s diodos comuns de sinal, A resposta em freqiiéncia (ou velocidade de chaveamento) & baixa se comparada a dos diodos de sinal. 2.2 CURVAS CARACTERISTICAS DOS DIODOS Um diodo de poténcia & um dispositive de jungdo pu de dois terminais, e esta juncio & normalmente formada por fusio, difusio e crescimento epitaxial. As técnicas de controle modernas em difusio e processos epitaxiais permitem obter as caracteristicas desejadas do dispositivo. A Figura 2.1 mostra uma vista transversal de uma juncio pr e 0 simbolo de um diodo.24 Eleteénicn de Potincia ~Cirewitos, Dispsii jes Cap.2 Avado[J,[catodo Anode py Catodo Figura 21 Vv . o Jango puesimbolo de um diode. a ae i +H (a) tungao pn (6) Simbalo do dos Quando 0 potencial de anodo é positive em relagio a0 catodo, diz-se que 0 diodo esté diretamente polarizado e conduz. Um diodo em condugao tem uma queda de tensio no sentido direto relativamente pequena sobre ele; e a amplitude dessa queda depende do processo de fabricagio e da temperatura da juncio. Quando o potencial de catodo & positivo em relagio ao anodo, 0 diodo esta reversamente polarizado. Sob condigdes de polarizagio reversa, uma pequena corrente reversa (também conhecida como corrente de fzga, do inglés leakage current) na faixa de micro a miliampéres flui e esta corrente de fuga aumenta lentamente em amplitude com a tensio reversa até que a tensio de avalanche, ou tensio Zener, 6 atingida. A Figura 2.2a mostra as curvas carac- teristicas 2-1 em regime permanente de um diodo, Para a maioria dos propdsitos priticos, um diodo pode ser considerado uma chave ideal, cujas curvas carac- teristicas s30 mostradas na Figura 2.2b, Figura 22 : Curva caracterstica oi de sum diodo. Coens teluge (a)Priteo (ey tdeat As curvas caracteristicas »-i mostradas na Figura 2.2a podem ser expressas pela ‘equagio conhecida como equacio do diodo Schockley, que é dada por Ip = te¥™”""" = 1) en fem que Ip = corrente através do diodo, em A Vp = tensio do diodo, com 0 anodo positive em relagdo ao catodo, em VCap.2 Dios semicondutores de poteneia 25 1k = corrente de fuga (ou de saturagio reversa),tipicamente na faixa de 10°* a wa constante empitica conhecida como cnefciente de emiss dade, cujo valor varia de 1 a2. ‘ou fator de ideal © coeficiente de emissdo m depende do material e da construgio fisica do diodo, Para diodos de germanio, » é considerado como 1. Para diodos de silicio, a expectativa do valor de € de 2, mas para a maioria dos diodos praticos, 0 valor de 1 esta na faixa de 1,1 als. Vy na Eq, (21) ¢ uma constante chamada fensiv térmica (do inglés thermal voltage) e é dada por xr Vr= 2.2) cea 22) fem que q ~ carga do elétron: 1,6022 « 10°" coulomb (C) T= temperatura absoluta em kelvin (K = 273 + °C) k= constante de Boltzmann: 13806 x 10779)/K Na temperatura da jungdo de 25°C, a Bg. (2.2) dt KT _ 1,3806 x 10°? x (273 + 25) Vr= tk 4 1,6022 x 10 = 58mV ‘A uma temperatura especifica, a corrente de fuga J, € uma constante para um dado diodo. As curvas caracteristicas do diodo da Figura 2.2a podem ser divididas em trés regides: regio de polarizacao direta, onde Vy > 0; regio de polarizacao reversa, onde Vp) < 0; regiao de ruptura reversa, onde VD < -Vz5. Regido de polarizacao direta. Na regio de polarizagio direta, Vp > 0,.A corrente do diodo Ip ser muito pequena se a tensdo do diodo Vp for menor que um valor especifico Vrp (tipicamente 0,7 V). 0 diodo conduziré plenamente se Vo for maior que esse valor Vrp, que é referido como tensio de limiar (do inglés threshold voltage) ou fensao de corte (do inglés cut-in zoltage) ou tensi de ligamento (do inglés turn-on voltage), Assim, a tensio de limiar é aquela na qual o diodo conduz. completamente. Considerar uma pequena tensio no diodo Vp = 0,1V, = Le Vz = 258m. A partir da Eq, (2.1) pode-se encontrar a corrente correspondente do diodo Ip como26 —_Eletrnicn de Poténeia—Circuitos, Dispositioos e Aplicgies Cap. 2 wieXO/V 4) a p(e0A8 0058) = 154823 — 1) = 48,231, com um erro de 2.1% Portanto, para Vp > 0,1, que é normalmente 0 caso, Ip >> I, € @ Eq, (2.1) pode ser aproximada com um erro de 2,1% para Ip = L(eYO/¥9 — 4) w fe” e3) Regio de polarizagao reversa. Na regio de polarizagao reversa, Vo < 0. Se Vo & negativo e IVo | >> Vr, que ocorre para Vp < ~0,1, 0 termo exponencial na Eq, (2-1) torna-se insignificante ou muito pequeno quando comparado com a unidade, © a corrente do diado Ip torna-se I Var yw = I ay jue indica que a corrente do diodo Ip no sentido reverso & constante e igual a I. 9 a ig Regldo de ruptura reversa. Na regiso de ruptura reversa (do inglés bredk- down region) a tensio reversa & muito alta, normalmente maior que 1000 V. A amplitude dda tensdo reversa excede uma tensio especifica, conhecida como tens de ruptura reversa (do inglés breakdown voltage ~ Ven). A corrente reversa aumenta rapidamente com uma pequena variagio na tensio reversa além de Var, A operagio na regiéo de ruptura reversa nao seré destrutiva se a dissipagio de poténcia estiver dentro de um “nivel seguro”, que € especificado pelas folhas de dados do fabricante. Entretanto, é sempre necessério limitar a cortente reversa na regiao de ruptura reversa para limitar a dissipa- fo de poténcia a um valor permissivel Exemplo 2.1 ‘A queda de tensio direta de um diodo de potincia é Vo = 12V a Ip = 300A. Supondo que Ze Vr = 258m, encontrar a corrente de saturagSo L Solugio: Aplicando a Eq. @.1), pode-se encontrar a corrente de Fuga (ou de saturacio) ant x88) _ que dé 1.=2,38971 x 10°.2.3. CURVAS CARACTERISTICAS DA RECUPERACAO REVERSA Acorrente na jungio diretamente polarizada do diodo deve-se ao efeito dos portadores majoritarios e minoritérios. Uma vez que 0 diodo esteja no modo de condusio direta e ento sua corrente direta seja reduzida a zero (em funcio do comportamento natural do Circuito do diodo ou pela aplicagio de tensio reversa), 0 diodo continua conduzindo devido aos portadores minoritarios que permanecem armazenados na jungdo pn e no ‘material semicondutor propriamente dito. Os portadores minoritérios requerem um, certo tempo para recombinar com as cargas opostas e ser neutralizados. Esse tempo & chamado tempo de recuperagio reversa (do inglés reverse recovery time) do diodo. A Figura 2.3 mostra duas curvas caracteristicas de recuperagao reversa de diodos de juncio. O tipo de recuperagao suave (do inglés soft-recovery) & mais comuum. O tempo de recupera- ‘a0 reversa & denotado por t,,e & medido a partir do cruzamento inicial com o zero da corrente do diodo até 25% da corrente reversa maxima (ou de pico), Iga O ty, consiste de dois componentes, {, € ti. O fy deve-se ao armazenamento de cargas na regio de deplegio da jungio e representa o tempo entre © cruzamento com o zero € o pico da cortente reversa, Igp. O f, deve-se ao armazenamento de cargas no material semicondu- tor. Arelagio t/t, € conhecida como for de suavidade (do ingles softness factor ~ SF), Para ropésitos praticos, ¢ necessario relacionar o tempo de recuperacio reversa t,,¢ o valor de pico da corrente reversa Ing. t= tat te @s) 0 pico da corrente reversa pode ser expresso na di/dt reversa como di Ing = te Gi 26) Figuea23 recuperacio reversa. Ay (a) Recuporagao suave (b) Recuperagao abwupta28 —_Eletrinicn de Potencia ~ Cireuite, Dispositions e Aplingies Cap. 2 © tempo de recuperagio reversa t,, pode ser definido como o intervalo de tempo entre o instante em que a corrente passa pelo zero, durante a mudanga da condigdo de ‘condugio direta para o bloqueio reverso, 0 momento em que a corrente reversa jé cait 125% do seu valor de pico Igg.-O fy» & dependente da temperatura da jungio, da taxa de decaimento da corrente direta e da corrente direta antes da comutago, A carga de recuperasio reversa Qn & a quantidade de portadores de cargas que fluem através do diodo no sentido reverso devido a mudanga na condigio de conducio direta para bloqueio reverso, Seu valor é determinado a partir da érea abrangida pelo caminho da corrente de recuperagio reversa. [A carga armazenada, que 6 a rea abrangida pelo caminho da corrente de recuperagio, 6 aproximadamente Qn = fete + Lew en tan = 2088 oy Substtuindo a Eq (2.6) 0 Eq (28), obtém-se torte = 2Qen 29) aiddt Se ty for desprezivel, quando comparado a fy, 0 que normalmente € 0 ca80, f,, = fy, AEG. @3}tomase af 2 = N aiaat CD Ine = Vf 208 4 ey Pode-se notar a partir das equagies (2.10) e (2.11) que o tempo de recuperacio reversa frre 0 pico reverso da corrente de recuperacao Ix dependem da carga armazenada Qne edo did reverso (ou reaplicado). A carga armazenada é dependente da corrente diretaCap.2 Diodos semicondutores de poténcia 29 do diodo Ir. O pico da corrente de recuperagiio reversa Ine, a carga reversa Ox € 0 fator de suavidade sio todos de interesse do projetista do circuito, sendo esses pardmetzos normalmente incluidos nas folhas de especificacées dos diodos. ‘Se um diodo estiver na condicio de polarizagio reversa, uma corrente de fuga fluird devido aos portadores minoritérios. A aplicagio de tensio direta forgaria 0 diodo a conduzir corrente no sentido direto. Entretanto, 6 necessario um certo tempo, conhecido como fempo de recuperngio direta ou tempo de ligamento (do inglés forward recovery time ou. furi-on time), antes que todos os portadores majoritsrios, distribuidos por toda a juncio, possam contribuir para o fluxo da corrente. Se a taxa de crescimento da corrente direta é elevada e a propria corrente direta esta concentrada em uma pequena érea da juncio, 0 diodo pode falhar. Assim, o tempo de recuperacio direta limita a taxa de erescimento da corrente direta e a velocidade de chaveamento, Exemplo 2.2 (© tempo de recuperagio reversa de um dicdo é try =3 us ea taxa de decaimento da cortente do diodo 6 di/dt = 30 A/us. Determinar (a) a carga armazenada Onn e (b) a corrente reversa de pico ln Solugio: t;,=3 use aide G@) Apantirda Ba. 2.10), 0AM 05 x 30A/us x Gx 1057 135 uc addi One = 3 ae (b) Apartirda Bq. 2.10), 4i | Nexsxi* xm x10 tan = W2Qee 4 = V2 x 135% 0% 30 x 10 2.4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA dealmente um diodo nao deve ter tempo de recuperagso reversa, Entretanto, o custo de fabricacao de tal diodo aumentars, Em muitas aplicagoes, os efeitos do tempo de recupe- ago reversa ndo serio significativos e diodos mais baratos poderio ser utilizados. Dependendo das caracteristicas de recuperacao e das técnicas de fabricacio, os diodos de poténcia podem ser classificados em trés categorias: diodos padrio ou genéricos, diodos de recuperacio rpida e diodos Schottky. As caracteristicase limitagbes praticas de cada tipo restringem suas aplicagbes.30. Eletrnice de Poténcin~Circuitas, Dispositions e Aplicaies Cap. 2 2.41 Diodos Genéricos (Os diodos retificadores genéricos tém tempo de recuperagao reversa relativamente alto, em geral 25 is, e sio utilizados em aplicagoes de baixa velocidade, em que o tempo de recuperagio reversa no é critico (por exemplo, aplicagbes em retificadores e conversores, com diodos para uma baixa freqiiéncia de entrada de até 1 kHz e conversores comuta- dos pela rede), Esses diodos cobrem faixas de correntes de menos de 1A a varios mmilhares de amperes, com faixas de tenses de 50 V a aproximadamente 5 KV. Esses diodos so geralmente fabricados por difusio. Entretanto, tipos de retificadores de jungao fundida, utilizados em fontes de alimentacio de méquinas de solda, sio mais baratos e robustos e suas especificagSes podem ir até a 300 Ae 1000 V. 2.4.2 Diodos de Recuperacao Répida 0s dliodos de recuperagio répida tém tempo de recuperagZo baixo, normalmente menor que 5 ls. Eles 40 usados em circuitos conversores de CC-CC e CC-CA, em que a velocidade de recuperacio é sempre de importincia critica, Esses diodos cobrem faixas de correntes de menos de 1 A.a centenas de ampéres, com especificagies de tensdes de 50 Va aproximadamente 3 kV. Para especificagées de tensses acima de 400 V, 0s diodos de recuperagio rapida sio feitos por difusio e o tempo de recuperagio reversa & controlado pela difusio de platina ou ouro. Para especificacies de tensdes abaixo de 400 V, os diodos epitaxiais Fornecem velocidades de chaveamento mais répidas que as dos diodos difundidos. Os diodos epitaxiais tém uma largura de base estreita, resultando em um tempo de recupe- ragdo rapido, na ordem de 50 ts, Diodos de recuperagao répida de varios famanhos 830, mostrados na Figura 2.4. Figura 24 Dindos de recuperagio répida (cortesia da Powerex, In)Cap. 2 Dios semicondutores de poténcia 31 2.4.3 Diodos Schottky problema do armazenamento de cargas em uma jungio pn pode ser eliminado (ou minimizado) em um diodo Schottky. Isto 6 obtido fazendo-se uma “barreira de poten- cial” com um contato entre um metal e um semicondutor. Uma camada de metal é depositada em uma fina camada epitaxial de silicio do tipo n. A barreira de potencial simula o comportamento da jungao pn, A acdo de retificacio depende apenas dos porta- dores majoritarios, e como resultado nao hd portadores minoritérios em excesso para se recombinarem. O efeito de recuperacio deve-se unicamente & capacitincia propria da jungdo semicondutora, A carga recuperada do diodo Schottky é muito menor do que a de um diodo de jungZo pn equivalente. Visto que ela se deve apenas & capacitancia da jungio, ¢ bastante independente do di/d¢ reverso. Um diodo Schottky tem uma queda de tenso no sentido direto relativamente baixa, A corrente de fuga de um diodo Schottky é maior que a de um diode de junsio pn. Um diodo Schottky com tensio de condugio relativamente baixa tem corrente de Tuga relativamente alta e vice-versa. Como resultado, sua maxima tensio disponivel é geralmente limitada a 100 V. As especificagoes de corrente dos diodos Schottky variam de 1 a 300 A, Os diodos Schottky sao ideais para fontes de alimentagao CC de altas correntes e baixas tensdes. Entretanto, eles também s5o utilizados em fontes de alimenta- 0 de baixa corrente para aumentar sua eficiéncia, Retificadores Schottky duais de 20. 30 A sio mostrados na Figura 25. Figura 25 Rotificadores Schottky duais de 20e30 A (cortesia da Intemational Rectitien,32 Eletrinice de Poténcia~Citcuitas, Dispositivos e Aplicages Cap. 2 2.5 EFEITOS DOS TEMPOS DE RECUPERACAO, DIRETO E REVERSO A importincia desses parimetros pode ser explicada pela Figura 2.6a. Se a chave CH for ligada em t = Oe permanecer ligada por um tempo grande o suficiente, uma corrente de regime permanente de Ip = V,/R fluird através da carga e o diodo de comutaco Dy, seré polarizado reversamente, Se a chave for desligada em f = t, 0 diodo Dy conduzira e Juma corrente circulard através de Dy. Agora, sea chave for ligada novamente em f = ty 6 diodo Dy, comportara um curto-cireuito, A taxa de crescimento da corrente direta da chave (e diodo Dj) e a taxa de decaimento da corrente direta do diodo D,y seriam muito elevadas, tendendo para infinito, De acordo com a Eq. 2-11), 0 pico da corrente reversa do diodo Dy, poderia ser muito alto e 05 diodos D; € Dy, poderiam ser danificados. A Figura 2.6b mostra as varias formas de onda para as correntes dos diodos. Esse problema 6 normalmente superado pela conexio de um indutor de limitagao de di/dt, L,, como mostrado na Figura 2.7a, Os diodos praticos requerem um certo tempo de entrada em condugio, antes que toda a érea da junio se torne condutiva, eo di/df deve ser mantido baixo para se alcangar o limite de tempo de ligamento. Esse tempo & também conhecido como temipo de recuperacio direta, ty (do inglés forward recovery time). Ataxa de crescimento da corrente através do diodo Dy, que deve ser a mesma que a de decaimento da corrente através do diodo Dy, & di _ Vs #7k @12y Se fy; €0 tempo de recuperacéo reversa de Dy, a corrente reversa de pico de Ducé wip th a tas Ig = te Hi = te 13) ea corrente de pico através do indutor 1, seria Ip = fo + eR to + ty UE eyCap. 2 Diodos semicondutoresdepoténcia 33, Figura 26 Circuito chopper sem indutor de hmtagio de avai, * Device a recuperagao reversade Dy (b) Formas de onda Quando a corrente do indutor se torna Ly, 0 diodo Dp, desliga-se subitamente (assumindo recuperacdo abrupta) ¢ interrompe o ¢aminho do fluxo de corrente. Devido 2 carga altamente indutiva, a corrente de carga no pode mudar subitamente de Ip para Jp. A energia armazenada em excesso em L, induziria uma tensio reversa elevada em By. @ isto poderia danificé-lo. O excesso de energia armazenada como resultado do tempo de recuperacio reversa é encontrado a partir de Wa = 2 LstCo + tea? ~ 141 215) ull +n ) = a] 216)34 __Eletrnicn de Poténcin~Citcuitas, Dispostivs e Aplicagbes Cap. 2 Figura 27 2, Circuito chopper com indutor de limitagio de dive, . & (a) Dlagrama do cxcuto (©) Formas de onda [As formas de onda para as virias correntes sio mostradas na Figura 2.7b. Essa tenergia em excesso pode ser transferida do indutor L, para um capacitor C, conectado através do diodo DO valor de C, pode ser determinado a partir de 2 = We 2We ve 17) em que V;éa tensio reversa permissivel do diodo.Cap.2. Diodes semicondutores de poténcia 35 Um resistor R,, que & mostrado na Figura 27a por linhas pontilhadas, € conee- tado em série com o capacitor para amortecer quaisquer oscilagoes transitérias. A Eq. (2.17) & uma aproximagio e nao leva em consideragio os efeitos de Le R, durante 0 transit6rios para a transferéncia de energia, 2.6 DIODOS CONECTADOS EM SERIE Em muitas aplicagdes de alta tensio (por exemplo, linhas de transmissio de corrente continua em alta tensdo ~ do inglés high voltage direct current ~ HVDC), um diodo fornecido comercialmente pode nao oferecer a especificacio de tensio necesssria, e 08 diodos so conectados em série para aumentar a capacidade de bloqueio reverso. Vamos considerar dois diodos conectados em série, como mostrado na Figura 2.8a, Na pritica, as curvas caracteristicas 9-i para diodos do mesmo tipo diferem devido as tolerincias no seu processo de fabricagao. A Figura 2.11b mostra duas curvas carac- terfsticas v-i para tais diodos. Na condigio de polarizagio direta, ambos 0s diodos ‘conduzem a mesma quantidade de corrente e a queda de tensio direta de cada diodo seria quase igual. Entretanto, na condicéo de bloqueio reverso, cada diodo tem de conduzir a mesma corrente de faga e como resultado as tensdes de bloqueio diferirao significativamente Figura 28 ois diodos conectados a fem série com +L polarizacio reversa, (a) Diagrams do euto (by Cuvas caractoristess Uma solugio simples para esse problema, como mostrado na Figura 2.9a, consiste em forcar uma divisio de tenséo igual através da conexio de um resistor em cada diodo. Devido divisio igual de tensio, a corrente de fuga de cada diodo seria diferente, e isto & mostrado na Figura 2.9. Como a corrente de fuga total tem de ser dividida por um diodo e seu resistor, L fea + Tet = La + Tra (18)36 ——_—Bletnnicn de Potenci ~ Cirewites, Dispositoase Apliagtes Cap. 2 Mas Igy = Voy/R1e lee = Von/R2 = Vor/Ra. AEg, (2.18) da a relagao entre Ry e Ro para a divisio igual de tensao, como You 4 You R2 Jat R Lat (219) Se as resisténcias sio iguais, R = Ry = Ro e as duas tensdes dos diodos seriam ligeira- mente diferentes, depencendo das dissimilaridades das duas curvas caracteristicas 0 Os valores de Vpj € Vin podem ser determinados a partir das Eqs. (2.20) ¢ (2.21) Vor _ 5 4 You Ine Balt Re (2.20) Vin + Vo2 = Ve 20 ents soe TE ha Seeiemmine Lis | (@)Danara 6 cto (0) Caras caraceristeas i As divisdes de tensio sob condigées transit6rias (por exemplo, devido ao chaveamento de cargas, as aplicagdes iniciais da tensio de entrada) sio conseguidas pela conexdo de capacitores através de cada diodo, o que é mostrado na Figura 210. R, limita a taxa de crescimento da tensio de bloqueio.Cap.2 Dios semiondutores de poténcis 37 nisao # : [ Divsao Figura 210 asientto oy ait Diodos conectados em em regi : { emragime sre com res de divisio permanent a ot Wansilorio de tens30, sob condigies R de regimes permanente e R transitrio. 27 DIODOS CONECTADOS EM PARALELO Em muitas aplicagdes de alta poténcia, os diodos sio conectados em paralelo para aumentar a capacidade de condugio de corrente e alcangar as exigéncias desejadas de cortente. A divisdo de corrente dos diodos estaria de acordo com suas respectivas quedas de tensdes diretas. A divisto uniforme de corrente poderia ser obtida fornecendo-se indutincias iguais (por exemplo, nos terminais) ou pela conexio de resistores de divisio de corrente (que podem nio ser praticos devido as suas perdas de poténcia); isto & ilustrado na Figura 2.11. E possivel minimizar esse problema selecionando diodos com quedas de tensdes iguais ou diodos do mesmo tipo. Como os diodos esto conectados em paralelo, as tensdes de bloqueio reversas de cada diodo seriam as mesmas, (Os resistores dla Figura 2.11a auxiliaro na divisio de corrente sob condigies de regime permanente. A divisio de corrente sob condligées dinamicas pode ser alcangada pela conexo de indutores acoplados, como mostrado na Figura 2.11b. Se a corrente através do diodo D; aumentar, a queda de tensio L.di/dt sobre Ly também aumenta e luma tensdo correspondente de polaridade oposta induzida sobre o indutor 12. O resultado é um caminho de baixa impedncia através do diodo Dz, para o qual a corrente Edeslocada. Os indutores gerariam picos de tensio, podendo eles ser caros e volumasos, especialmente em correntes elevadas, : Figura 211 >, De Fo Diodos conectades em net paralel. A, (b) Drisio dinamica {a} Regime permanente38 __EletnOnicade Poténcia~ Circuits, Dispositions e Apicagdes Cap. 2 2.8 | MODELAMENTO EM SPICE DE DIODOS (© modelamento em SPICE! de um diodo é mostrado na Figura 2.12b. A corrente do diodo Ip, que depende de sua tensio, é representada por uma fonte de corrente. Re é a resistencia em série e se deve a resistencia do semicondutor. R,, também conhecida como resisténcia do material (do inglés bulk resistance), 6 dependente da quantidade de dopagem. (Os modelamentos de pequeno sinal e estético, gerados pelo SPICE, sio mostrados na Figura 2.12c e d, respectivamente, C6 uma fungdo ndo-linear da tensio do diodo vp e¢ igual a Cy = dqe/dep, em que qy a carga da camada de deplecao. © SPICE gera os parimetros de pequeno sinal a partir do ponto de operacio. A sintaxe do modelamento SPICE de um diodo tem a forma geral MODEL DNAME D (PL-V1 P2=V2 P3=V3 .. PNevN) DNAME é 0 nome do modelamento e que pode comecar com qualquer caracter; mas 0 seu tamanho € normalmente limitado a uma palavra de oito caracteres. D ¢ o simbolo tipico para diodos, PI, P2, ... e VI, V2, .. 80 08 parimetros do modelamento e seus valores, respectivamente. Exemplo 2.3, Deis diodos so conectados em série, camo mostrado na Figura 29a, para dividir uma tensio total dde Vi = 5KV. As correntes de fuga reversas dos dois diodos si0 fa = 30mA e fa = 35mA. (a) Encontrar as tensdes dos diodos se 96 resistencias de divisio de tensio forem iguais a Ri = Re = R= 100K, (b) Encontrar as resistencias de divisio de tensao Ri ¢ Rr se as tensdes dos diodos forem iguais a Von = Vp2 = Vo/2.(c) Usar o PSpice para conferir seus resultados da letra {a)- Os parametros do modelamento PSpice dos diodos sio: BV =3 KV e IS=30 mA para o diode Dy e15=35 mA para o diedo Ds Solugio: (a) [1 =30mA, I Von Vi Vo2 = Vo ~ Vor. A pantirda Eq. (2.19), Yor + +% Substituindo Von = Vp ~ Vor e resolvendo para a tensio do diodo Di, obtém-se 1 N.T:SPICE é um programa de computador para modelamento, andlises ¢ simulagies de circuitoselétricos eeletrinicos, produ zidos pela Microsim (EVA).Cap,2. Diodes semicondutores de poténcia 39 Figura 212 “Modelamento Spice de dodo com polaizagio ; — a : k (a) Diodo (©) Modelamente Spee A a Ae R, vo] 2Ro cy | K (6) Modelamento de poquone sinal__ (4) Modearnento eaten Yo Vor = “2+ Bie - to SHO | 1000 950 x 10°) = 280 ex © Vin = Vo ~ Vor = SRV ~ 2750 = 2250. Oh }OmA, La = 38mA © Vor = Vo: Vo/2 = 25RV. A partir da Eq. e19, be ‘que dé a resistencia Re para um valor conhecido de Ri como40 Eletnica de Paténci~ Cirewitos, Dispositiouse Aplicagtes Cap. 2 Vor Rt Re Voy = Ryda = Tad 223) Supondo que Ri = 100 k0, obtém-se 25KV > 100KK. a = 15ka. SRV — OKA « (35 x 10 — 30 x 10) (0 circuita do diodo para a simulagio PSpice & mostrado na Figura 213. A. listogem do arquivo do circuito & a seguinte: wel o Be se mo 200K, one. Mp1 D —(79+20NA Y-3KV); Diode adel paraneters wooet, woo? 2 (1S-35HA BYAAKV ¢ Diode model paranaters oP } be operating point analysic (0s resultados da simulagio PSpice sia » 3, 008-02 Tot = 30m 508-02 ap = ~3.5mA » Tel secs vm 2 -2750¥ “al 258009 Yon = -2250¥ R50 1 oog12 Ry = dot. 1 aoe12 Figura 2.13 Circuito do diode paraa simulagio PSpice do Exemplo 23,Cap. 2. Diodes semicondutons de potincia 4 RESUMO ‘As curvas caracteristicas dos diodos préticos diferem daquelas dos diodos ideais, O tempo de recuperagao reversa tem um papel significativo, especialmente em aplicagies de alta velocidade de chaveamento, Os diodos podem ser classificados em trés tipos: diodos genéricos, diodos de recuperacio ripida e diodos Schottky, Apesar de um diodo Schottky comportarse como um diodo de jungio pn, no ha juncio fisica; © como resultado o diodo Schottky é um dispositive de portadores majoritérios. Por outro lado, tum diodo de jungao pn & um dispositivo de portadores tanto majoritérios quanto mino- Btérios Se 0s diodlos forem conectados em série para aumentar a capacidade de blo- queio de tensao, sao necessérias redes de divisio de tensio sob condigdes de regime permanente e transit6rio, Quando os diodos so conectados em paralelo para aumentar a capacidade de condugao de corrente, também so necessérios elementos de divisio de corrente. REFERENCIAS M. H. RASHID. SPICE for Cirewts and Elec Hall, 1990, nics Using PSpice, Englewood Clifs, NJ: Prentice M.S. GAUSHL Electronic Deoios and Circuits. Nova York: Holt, nehart and Winston, 1985, p. 672. PLR GRAY, R.G. MEYER. Analsys and Design of Analog Integrated Circuits. Nova York: Jonh Wiley & Sons, Ine, 1984, p1 pice Menu. vine, Calif: MicroSim Corporation, 1992. P. W. TUINENGA. SPICE: A Guide to Circuit Sinalation And Analysis Using PSpice. Englewood ifs, NJ. Prentice Hall, 1992, QUESTOES DE REVISAO 21 Quaissio os tipos de diodos de poténci? 22 Oqueda corrnte de fuga dos diodos? 23 Oques tempo de wcuperagio reversa dos diodos? 24 Oqueéa.corrente de recuperagio reversa dos diodos? 25. Oqueéofator de suavidade dos diodos? 26 — Quais sio 0s tipos de recuperacio dos diodos?42 Eletwnica de Poténcin Circuito, Dispsitoase Apliages Cap. 2 2.7 Qual éa causa do tempo de recuperagEo reversa em um diodo de junc pn? 28 Qual Go efito do tempo de recuperacio reversa? 29 Porque énecessétio usar diodos de recuperagio ripida para alta velocidades de chaveo- mento? 210 Oqueé otempo de recuperacio direta? 2.11 Quai sio as principais diferencas entre os diodos de jungio pn eos Schottky? 212 Quais sio as limitagées dos diodes Schottky? 2.13 Qual 6o tempo de recuperagio reversatipico dos diodos genéricos? 2.14 Qual é0 tempo de recuperagio reversa tipico dos diodes de recuperacio répida? 2.5 Quais sio.0s problemas dos diodos conectados em série e quais si as possives solugbes? 2.16 — Quais sfo os problemas dos diodos conectados em paralelo e quais sio as possiveis solugdes? 2.17 Se dois diodos estio conectados em série com igual divisio de tens2o, por que as cor- rentes de aga de ambos diferem? PROBLEMAS 21 © tempo de recuperagio reversa de um diodo é fy = Sus © a taxa de dectimento da corrente & di/d? = 80 A/S. Se 0 fator de suavidade & SF = 0,5, determinar (a) a carga armazenada Qgxe (b) a corrente reversa de pico In. 22 Os valores medidos de um diode & temperatura de 25°C sao: Vp = 10V a fp =50A = 15V aI = 600A Determinar (a) 0 coeficiente de emissio 1 e (b) a corrente de fuga I, 23 Dols diodos sio conectados em série ea tensSo sobre cada um deles & mantida a mesma pela conexio de um resistor divisor de tensio tal que Voi = Voz = 2000 e Ri = 100KO. As eurvas caracteristicas 0 do diodo sio mostradas na Figura P23. Deter- rminar () as correntes de fuga de cada diodo e (b) a resisténcia Ry em paralelo com 0 iodo D>2 25 26 cap.2 8 Figuea P23 Dos diodos sto conectados em paralelo ea queda de tensio dineta sabre cada diodo é de 15 V. As curvas caracteristicas i dos diodos so mostradas na Figuta P23. Determinar aS correntes diretas através de cada diodo, _Dois diodos sio conectados.em paralelo, como mostrado na Figura 2.11, com resistenc de divisio de corrente. As curvas caractristicas ti si0 mostradas na Figura P23. A corrente foal &Iy = 200 A. A tensio sobre um diode sa resistencia &y = 2,5V, Deter- tminar os valores das resistencias Ry e Kz se a corrente for dividida igualmente pelos diodes Dois diodos sio conectados em série, como mostrado na Figura 2.9. A resisténcia sobre ‘5 diodos & Ri = Ro = 10KD. A tensdo CC de entrada €5 KV. As correntes de fuga sao 1) = 2mAe la = 40 mA. Determinar as tensdes sobre os diodos.ee EEEEEEEEEE MAKRON Books Capitulo 3 Circuitos e Retificadores com Diodos 34 INTRODUCAO, Os diodos semicondutores encontram muitas aplicagdes em circuitos da engenharia clétrica e eletrdnica, Os diodos so também amplamente ulilizados em circuitos de cletrinica de poténcia para a conversdo de energia elétrica, Alguns circuitos com diodos ‘comumente encontrados em eletrinica de potencia, para o processamento de energia, serdo estudados neste capitulo. As aplicagSes dos diodos para a conversao de energia de CAem CC serio introduzidas. Os conversores de CA em CC sdo comumente conhecidos como retifieadores, 0s retificadores com diodos fornecem uma tensdo CC de safda fixa, Para a finalidade dle simplificacio, os diodos sdo considerados como ideais. Com “ideal” queremos dizer que o tempo de recuperag3o reversa f,,€ a queda de tensio direta Vipsio despreziveis. Isto é, t,, = De Vp = 0. 3.2 DIODOS COM CARGAS AC E RL |A Figura 3.1a mostra um circuito com diodo e carga RC. Quando a chave CH) & fechada fem I = 0, a corrente de carga i que flui através do capacitor pode ser determinada por ware d fidt +n, meneame) fisrene=0 on oe = Ri 32) a"Cop. 3 Circuits e wsificadores com dindos 45 Com a condigdo inicial v(t = 0) = 0, a solugdo da Eq. (3.1) (que é deduzida no Apéndice D.1) dé a corrente de carga feomo way Brome 3) Figura 31 Circuito com dliodo e carga RC. (a) Dagan do oreo (0) Formas ond Atensio do capacitor 2.6 ‘ey = vad — eM) Ga nr way= 8 fois wa em que t = RC éa constante de tempo de uma carga RC. A taxa de variacfo da tensio do capacitor é do Ve tte ae RCE ce ea taxa inicial de variagio da tensio do capacitor (em t = 0)é obtida a partir da Eq. (3.5) doe Vs dt RC 6) ° Um circuito com diodo com uma carga RL é mostrado na Figura 32a. Quando a chave CH) ¢ fechada, em ¢ = 0, a corrente j através do indutor aumenta e ¢ expressa di Vos mt on = bgt Ri en46 —_Eletrnica de Poténcia—Circuitos, Dispositioos e Aplicapes Cap. 3 Figura 32 Circuito com iodo e carga RL. ‘4 (2) Bagame oo oreo (ey Fomas ee os ‘Com a condigio inicial i(t = 0) = D.2)dé |, a solugio da Eq, (3.7) (que € deduzida no Apéndice ie) = co) [Ataxa de variagio dessa corrente pode ser obtida a partir da Eq, (3.8) como di _ Vs mt gate 6%) a taxa inicial de crescimento da corrente (em f = 0) obtida a partir da Eq. (3.9) Vs at 10) Atensio 0, sobre 0 indutor é nityet tin vet aty=tdev, eu fem que L/R = 16a constante de tempo de uma carga RL. [As formas de onda para atensio 2, a cortente sio mostradas na Figura 3.2. Se f >> L/R,a tensio sobre'o indutor tende a zero e sua corrente atinge um valor de regiime permanente de . = V-/R. Se entaaforfeita uma tentativa de abrirachave CP, a ‘energia armazenada no indutor (= 05Li*) sera transformada em uma elevada tensa invetsa sobre a chavee odiodo. Esta energia sed dssipada na forma de centelha sobre a have; ¢ 0 diodo D; sera provavelmente danificado nesse processo. Para superar esseCap.3.Cireuitoseretificadores com diodos 47 problema, um diodo comumente conhecido como diodo de comutago ox diodo de roda livre (do inglés freewheeling diode) 6 conectado em antiparalelo com a carga indutiva, como mostrado na Figura 38a. Nota: Como a cortente i nas Figuras 3.1a e 3.2a ¢ unidirecional e no tende a ‘mudar sua polaridade, os diodos nao tém efeito na operacio do circuito, Exemplo 3.1 Um circuito com diodo & mostrado na Figura 33a com R = 449€ C = 0,1 pF, O capacitor tem Juma tensio inicial, Vo = 220-V. Se a chave CH for fechada em + = 0, determinar (a) a corrente de pico do diodo, (b)aenergia dissipada no resistor R e(c) a tensio no capacitor em! ~ 2s, Solugdo: As formas de onda sio mostradas na Figura 3.36, (2) AEq. G3) pode ser usada com V, = Voe a carrente de pico do diodo ly € (&) Acnergia W dissipada & W=OSCVE = 05 x 01 x 107 x 2207 = 0.00242) = 242 my} (o)Para RC = 44 x 0, {Aust = fh = 2s, tensio no capacitor é 2s) = VoeM* = 220 xe a 139,64V Note: Como a comrente & unidirecional, o dioda nie afeta a operas do circuito. Figura 33 Circuito com iodo e carga RC, oxy, | __]}- (2) Dogar do eto (Fema onda48 Eletrniea de Poténci— Circnitos, Dispositions e Aplicagies Cop. 3 3.3 DIODOS COM CARGAS LC E RLC Um circuito com diodo e carga LC é mostrado na Figura 34a. Quando a chave CH; fechada em f = 0, a corrente de carga do capacitor /# expressa como Hl fiaenee vette hf ident =o) ax) Com as condigées iniciais i(¢ = 0) = Qe v(t = 0) = 0, a Bq, (3.12) pode ser resolvida para a corrente ino capacitor como (Apéndice D:3) afc £ senor 6.13) y sent eu) iy = emque @ = 1/VEC ea corrente maxima Ip é p=Vs @.5) Figura 34 Gireuitocom oth dodoecarga—* Lc. T (9) Diagrama do cxeuto Ataxa de crescimento da corrente ¢ obtida a partir da Eq, 8.13) como di _ Vs oT cosa @.16)Cap. 3. Cirewitase etfcadore com dindos 49 Eq, (3.16) daa taxa inicial de crescimento da corrente (em t = 0) como ai Vs a F @7) A tensao 2, sobre o capacitor pode ser obtida como vt VsCl = cos.aty (G18) c No instante em que t =f = x VLC, a corrente j no diodo cai a zero e o capacitor & carregado para 2V,. As formas de onda para a tensio 9, ea corrente i sio mostradas na Figura 3.4b. Exemplo 3.2 Um circaito com diodo e carga LC € mostrado na Figura 35a com 0 capacitor tendo uma tensdo Inicial Vp = 220', capacitincia C = 20 uF e indutincia L = SOUH. Se a chave CH for fechada em 1 = 0, determinar (a) a corrente méxima através do diodo,(b) 0 tempo de condusio do diodoe () a tensio de regime permanente do capacitor. Solugio: (a) Usando a i de Kirchhoff da tensio (LK), pode-se a corrente Fcomo rover a equacio pata ayy ital frame =o =o © cortente com as condigoes iniciais de i(f = 0) = Oen4(t = 0) = ~Voe resolvida como afe i= Vo YE senor em que w = ALE = 10°20 x 8 nw Ape =v VE 5000 rad/s. A corrente maxima Ip & af 20 20 \f 22 = oa50 Eletrinica de Poténcia—Circutos, Dispositioos e Aplicupies Cap. 3 Citeito com diode om ‘ecarga LC. . 4 _ 01 oy a (0) Diagrama de heute (2) Fomas dena 0) Em 1 = 4 = nVEE, acorrntedo dado toma-sezeroe otempe decondusio do iodo ty = w VEC = © X20 x 80 = 125,668 (6) Pode-se facilmente mostrar que a tensio no capacitor & 1 naty= Eff fat= vy = -voconut Para t= ty = 125,66 15, 2(f = f) = -220c0s = 220V. ‘Um circuito com diodoe carga RLC é mostrado.na Figura 3.6.Sea chave Hf for fechada 0, pode-se usar a LKT para escrover a equacio da corrente de carga como emi dfimene=o-v 619) com as condigies iniciais it = O)e v(t = 0) = Vo. A derivagso da Bg. (3.19) ea divisio de ambos fs lados por fd fo 620) ‘Sob condigdes de regime permanente, 0 capacitor écarregado com a tensio da fonte Vea corrente dle regime permanente serd zero. A componente forcada da corrente na Eq. (3.20) também seré zero, A corrente se deve & componente naturalCap. 3 Civeuits¢ retifcadares com diodos 51 ea 6.22) \Vamos definir duas propriedades importantes de um cieuito de segunda ordem 0 far de amore cimento, 6.23) a feqiénciaressonante, oye he 2 vic ~ony R +o + Figura 3.6 ct tu Circuito com diodoe carga RLC. [A substituigao dessas propriedades na Eq, (3.22) 48 sizs-at Vela (925) A solugo para a corrente, que dependeré ds valores de a e aay seguitia um desses tnés possiveis52 Eletninica de Pténcia ~ Ciruito, Dispsitioose AplicagSes Cap. 3 Caso 1. Se a = on, as raizes so iguais, si = s1, © 0 circuito € chamado criticamente amortecdo. A solugao serd da forma H(t) = (Ar + Ares 26) Caso 2. Se 01 > an as raizes so reais @ 0 circuito € dito sobreamortecido. A solugio toma a forma it) = Are + Are® @27) Caso 3. Sea < on, as raizes sio complexas e diz-se que o circuito é subamor~ tecido. As raizes si0 s12=-0 + jo 828) em que @, 6 chamada freqiidicia essonante amortecida e @, = Ving — a2. A solugio toma a forma i(d) =e PAr coset + Arsen o,f) 29) que é uma senoidal amortecida ou em declinio. Nota: As constantes A) ¢ Az podem ser determinadas a partir das condigdes iniciais do cirewito. A relacio a/oy & comumente conhecida como a razio de amortecinen- fo, 8, Os cireuitos de eletrdnica de poténcia so em geral subamortecidos, de forma que a corrente do cigcuito se torne aproximadamente senoidal, para dar uma saida CA seme- Ihante a uma sendide e/ ou desligar um dispositive semicondutor de poténcia. Exemplo 3.3 0 circuito RLC de segunda ordem da Figura 36 tem uma fonte de tensio V. = 220'V, indutincia = 2mH,capacitineia C ~ 0,05} e resistencia R ~ 1608. O valor inical da tenséo no capacitor E Vo = 0, Sea chave CTh for fechada em f = 0, determina (a) uma exprossio para acorrente i(} f(b) o tempo de conducio do diodo.(c) Desenhar um esbogo de it) e(d) usar PSpice para plotar ‘8 corrente instantinea {para R = 500, 160)€10320 0 10000 rad/s eda Sotucio: (a) A partir da Bq. (23) a1 = R/2L = 160 x 10770 x 2) 89, (8.24) 09 = INTC = 10" rad/s oy = Nid" 16 10 = 91682 rad/sCop.3_Cireuiteseretficadores com diodos 53 Como ot < «ny esse & um cicuito subamortecida ea solugio & da forma Ht) = (AL cosant + Arsenent) Em! = 0,i(f = 0) = Deisto dé At = 0.4 solugio toma-se 0) = oP Aa sen ant A derivada de it) torna-se o cos@rt&re®! — asenantare a Quando a chave for fechada em # = 0, o capacitor seré uma baixa impedncia e 6 indutor, uma impedancia elevada, A taxa inicial de crescimento da cortente ¢ limitada apenas pelo Indutor L. Assim, em ? = 0, odi/d! do circuit é Vs/1. Portanto, a vs rome dt que dia constante como, Va _ 220 x 1000 _ A at ~ “91652 x 2 12 A expresso final para a corrente it) € Hb) = 1.2sen (916521 ye 4 (©) O tempo de condugio 1; do diode ¢ obtide quando t = 0. Isto, Qt =m ow fh (6) Oesbogo da forma de onda de corrente é mostrad na Figura 37. (@) O cireuito para simulagio com PSpice ¢ mostrado na Figura 38. A listagem do arquivo do cireuito €a seguinte:ot ia de Poténcia—Circuitos, Dispositions e Aplicages Cap. 3 Example 3.3 RLC Circuit with Diode PARAM VALU = 160 ; Define parameter VALU TsTEP PARAM VALU LIST 50 160 320; Vary parameter VALU vs 1 0 PWL (00 INS 220V IMS 220) : Piecewise linear R23 (VALU) ; Variable resistance Loo30 4 aM c¢ 4 0 0.50uF bl 1 2 DMOD } Diode with model D¥OD MODEL DMOD D(T: Diode model parameter TRAN 0,108 60US| ‘Transient analysis "PROBE 3 Graphics postprocessor END 228-15 BY=1800V) [Aplotagem da corrente I(R) através da resisténcia R, com o PSpice, & mostrada na Figura 39. Figura 37 1 Forma de onda da 8 corrente para - Exemplo 3 ° -oa os oe Figura36 tk a Circuito REC para we Ty zoey — Simlago com ° PSpice ‘ one [ of, leet oat eenGENIUS INSTITUTO DE TECNOLOGIA Biblioteca Cap.3. Citeuitaseretifcadore com diodas 55 bo Figuras Plotagem para o Exemplo 33. 3.4 DIODOS DE COMUTAGAO Se na Figura 3.2a, a chave CH; for fechada durante o tempo fy, uma corrente ser estabelecida através da carga; ¢ entdo se a chave for aberta, deve ser fornecido um caminho para a corrente na carga indutiva. Isso 6 normalmente feito pela conexio de um diodo Dy, como mostrado na Figura 3.102, e esse diodo é normalmente chamado todo de conuutagio (do inglés freewheeling diode). A operagao do circuito pode ser dividida em dois modos. O modo 1 comeca quando a chave é fechada em f = 0; e 0 modo 2, quando a chave € aberta. Os circuitos equivalentes para esses modos so mostrados na Figura 3.10; fy iy sio definidas como as correntes instantaneas para 0s modos 1 e 2, respecti- vamente, sendo que f} € fg sio as duragSes correspondentes a esses modos. Modo 1. Durante esse mado, a corrente no diode it, que é similar & Eq. 38), é (30)556 _Bletrnicn de Poréncin Cirewitos, Dispositions e Apliagtes Cap. 3 Figura 3.10 a 7 corttocm Sao ook oe . ' Woe Wo? (0) Diagrams do create (0) Cretos equaertos J f (oFomesde et Quando a chave é aber, em # = 1 (no fim dese modo} a corentenaquele momento a ee ee hei = hs a y B31) Seo tempo t) for suficientemente grande, a corrente atingiré seu valor de regime perma- nente de, = V2/R, que flui através da carga. Modo 2. Esse modo inicia-se quando a chave é aberta e a corrente de carga comega a fluir através do diodo de comutagao Dy. Redefinindo a origem do tempo no inicio do modo, a corrente através do diodo de comutagio é obtida por meio de + Re 32) at 0) = It, Asolugéo da Eq. (3.32) dé a corrente de comutacio com a condigio inicial in y= incomo int) = he ®t 333)Cap. 3 Circuits evetifcadorescom didos 57, Essa corrente decal exponencialmente até zero em t = fa, desde que fy >> L/R. As formas de onda para as correntes so mostradas na Figura 3.10 Exemplo 34 Na Figura 3.10a, a resisténcia & desprezivel (R = 0) a tensio da fonte V; = 220V ea indutincia da carga EL = 220)1H. (a) Desenhar a forma de onda para a corrente de carga sea chave for fechada [por um tempo f) = 100s e em seguida aberta. (b) Determinar a energia armazenada no indutor da carga. Solugio: (a) O diageama do cireuito inicial zero. Quando a chave ¢ fechada, em # cexpressa como rmostrado na Figura 3.11a com uma corrente 0, a corrente da carga cresce linearmente « iy Ye em! = til (©) Quando a chave CH é aberta, em um tempo # = fy, 2 corrente de carga comega 2 fluir através do diodo Dy. Como nao hs elemento dissipativa (resistive) no cicuito, a corrente de carga, permanecerd constante em [a = 100A ¢ a cnergia armazenada no indutor seré SLIP = 1,1]. As formas de onda da correntesio mostradas na Figura 3.11b, Figuea 311 Circuito com dodo e carga L (a) Diagrams docrcuto (Foam de oternce de Potlncia~Circuitos, Dispositions ¢Aplicagies Cap. 3 B, a Figura 3.12 5 uh Circuito com dodo de wal | By comutacio, Iv. ia] | Re Ny (@)Diagrama do cveuto Cy i wa & \. ‘| all b a (©) Crecuito equivalonte (© Great eaunatente 3.5 | RECUPERAGAO DA ENERGIA ARMAZENADA UTILIZANDO UM DIODO No circuito ideal sem perdas da Figura 3.11a, a energia armazenada no indutor é mantida neste, porque nao ha resisténcia no circuito. Em um circuito pritico & desejavel methorar ‘cficifncia retornando a energia armazenada 3 fonte de alimentagio. Isto pode ser obtido com a adigio de um segundo enrolamento ao indutor e pela conexao de um diodo Dy, como mostra a Figura 3.12a © indutor comporta-se como um transformador, O secunddrio do transformador & conectado de forma que se 0; for positivo, v2 seré negativo em relagaoa59 2}; € vice-versa. O enrolamento secundatrio que facilita 0 retorno da energia armazenada A fonte através do diodo D; & conhecido como enrolamento de realimentagdo ou de retorno (do inglés feedback winding). Supondo o transformador com uma indutancia de magneti- zagio de Ly, 0 citcuito equivalente & como o mostrado na Figura 3.12b. Seo diodo e a tensio secundria (tensio da fonte) sio referidos ao lado prima- Ho do transformador, 0 circuito equivalente é como 0 mostrado na Figura 3.126 i; ea definem as correntes priméria e secundaria do transformador, respectivamente A relugio de espiras de um transformador ideal é definida como a-™ est) A operagio do cireuito pode ser dividida em dois modos. O modo 1 inicia-se quando a chave Cif é fechada em t = 0; 0 modo 2, quando a chave é aberta. Os circuitos equiva- lentes para os modos sao mostrados na Figura 3.13a; ye fy sio as duragées dos modos 1 2, respectivamente, Modo 1. Durante esse modo a chave CHi € fechada em t = 0. 0 diodo Dr é polarizado reversamente e a corrente através do diodo (corrente secundaria) €4iz = 0 ou fp = 0. Usando a LKT na Figura 3.13a para o modo 1, Vs = (ep ~ Vs)/a, que da a tensao reversa do diodo como vp = Val +a) 35) Supondo que ndo haja corrente inicial no circuito, a corrente prima da chave i, sendo expressa como a mesma que a diy a (336) Ln que da ay = id= [Et @37) Bese modo ¢ vélido para 0 < # < ty ¢ termina quando a chave ¢ aberta em término desse modo, a corrente primdria torna-se v a Io= Q3 in (38)60 Eletwinica de Poténcia ~Cirewitos, Dispsitiowse Aplicagies Cap. 3 Figura 3.13, Cireitos equivalentes formas de onda of, ie wy] of WT on otf t= odo? avs| vate) (a) Creuito equiva (a) Formas de onoCap.3.Cireuitose evfcadores com diodos 6 Modo 2. Durante esse modo a chave & aberta, a tensio sobre 0 indutor & invertida e 0 diodo D; reversamente polarizado. Uma corrente flui através do secundé- rio do transformador e a energia armazenada no indutor & devolvida a fonte, Usando a LKT e redefinindo a origem de tempo desse modo, a corrente primaria € expressa como diy | Vs ln te (39) com a condigio iniciali,(¢ = 0) = Ih, podemos calcular a corrente como a) =~ te hy 40) tempo de condugio do diodo D; 6 encontrado a partir da condigio iy(¢ = §) = 0 da Eq. 8.40), sendo allo ean) Ve (0 modo 2 é valido para 0 << fy, Ao término desse modo em f = fp, toda a energia armazenada no indutor Ly, 6 devolvida a fonte. As varias formas de onda para as correntes ¢ tenses so mostradas na Figura 3.13b para a = 10/6, Exemplo 3.5, Para o cirewito de recuperagio de energia da Figura 3.123, a indutincia de magnetizagio do ttansformador & Ly = 250 uH, Ni = 10eN2 = 100. As indutincias de dispersio eas resistencias do transformador sio desprezadas. A tensio da fonte & V, = 220V e nao ha eorrente inicial no circuito. Se a chave CH: for fechada por um tempo t) = 50jis ¢em seguida aberta, (a) determinar a tensio reversa clo diodo Di, (b)ealeular o valor maximo da corrente primatia, (c) calcula 0 valor maximo da coreente secundai, (4) determinar o tempo de condugae do diodo Di « (e) a energia Formecida pela Fonte. Solugio: A relagio de espiras a = N2/N 10. 0071 (@) A partirda Eq. 6.35), tensio reversa do diodo é tp = Vall + 0) = 220% (1 + 10) = 2420062 Eletninica de Poténci—Circuitos, Dispositivose Aplicagies Cap. 3 ©) Apartirda Eq. (3.38), 0 valor maximo da corrente priméria & » ua v 50 Tin = 220 x Ive = 4410 (©) O valor miximo da corrente secundétia Io (@) A partirda Eq, (41), 0 tempo de condugio do diodo é 40 tow al e250 4 x 28» sys (0) Amergde fom we fl ia» Autilizagio da Eq. (3.38) dé W=O5lnld = 0,5 x 250 x 10° x 44? = 0,242) = 242m) 3.6 RETIFICADORES MONOFASICOS DE MEIA-ONDA Um retificador & um circuito que converte um sinal CA em um sinal unidirecional. Os diodos sio extensivamente utilizados em retificadores. O retificador monofésico de meia-onda € 0 tipo mais simples, mas ele normalmente ndo é utilizado em aplicagdes industriais. Entretanto, este retificador 6 util na compreensio do principio de operagio do retificador. O diagrama do circuito com uma carga resistiva & mostrado na Figura 3.14a, Durante o semiciclo positivo da tensio de entrada, o diodo Dy conduz-e a tensio de entrada aparece sobre a carga. Durante o semiciclo negativo da tensio de entrada, 0 dodo esti em uma condigio de bloqueio e a tensio de safda 6 zero. As formas de onda para as tenses de entrada e saida sio mostradas na Figura 3.14b.Cap.3._Cireuloseretificedores com diodos 63 Figura 3.14 Retifcador rmonofisico de meia-onda, 5) 3.7. PARAMETROS DE PERFORMANCE Embora a tensio de safda, como mostra a Figura 3.14b, seja CC, ela é descontinua e contém harménicos. Um retificador 6 um processador de enengia que deve dar uma tensio de saida CC com uma quantidade minima de contetido harménico. Ao mesmo tempo ele deve manter a corrente de entrada o mais senoidal possivel e em fase com a tensdo de entrada, de tal forma que o fator de poténcia seja aproximadamente unitatio. A qualidade do processamento de energia de um retificador requer a determinagio do contetido harmdnico da corrente de entrada e da corrente e tensio de saida. Devem ser utilizadas as expanses em série de Fourier para encontrar os contetidos harménicos das cortentes ¢ tens6es. Hd diferentes tipos de circuitos retificadores e a performance de um retificador é normalmente avaliada em termos dos seguintes parimetros: co valor meio da tensdo de saida (da carga), Vinee: © valor médio da corrente de saida (da carga), Imatio! a poténcia média (CC) de saida, Prnstio = Vensaiolnio; 6.42) © valor eficaz (rms) da tensdo de safda, Vers: © valor eficaz (rms) da corrente de saida, Ins: a potincia CA de saida, Poa rmslns (343)64 —_Eletrnien de Potencn Circuito, Dispositions e Aplicagics Cap. 3 A cficiéncia (ow razio de retificagi) de um retificador, que é uma figura de mérito e nos permite comparar a eficécia, € definida como _ Pinto ae a ‘Attensao de saida pode ser considerada como composta de dois componentes: (1) o valor CC e (2) 0 componente CA ou de ondulagao (do inglés ripple. valor eficas (rms) do componente CA da tensdo de saida é Vea = VWatns = Video 45) 0 fator de forma, que & uma medida da forma da tensdo de saida, é Ves ue Vinédio (3.46) © fator de ondulagio (ou fator de ripple), que é uma medida do contetido da ondulagio, é definido como. Vea RE = Taio 47) Substituindo a Eq, (2.45) na Eq, (3.47), 0 fator de ondulagio pode ser expresso como re =r (tm yo Vera 48) | Veneto 0 fator de utilizasio do transformador 6 definido como, _ Povétio Tur = “pS @4s) ‘em que Vz e I, So tensio e corrente eficazes (rms) do secundério do transformador, respectivamente. Considerar as formas de onda da Figura 3.15, na qual v, & a tensao de entrada senoidal, i. € a corrente instantanea de entrada e i,1 € seu Componente funda- mental,Cap.3. Circuits eretificadores com diodos 65 Se @ for o angulo entre os componentes fundamentais da corrente e tensio de entrada, 6 sera chamado dngulo de deslocamento (do ingles displacement angle). O fator de deslocamento & definido como DE = cosg 850) O fator harmonico da corrente de entrada 6 definido como wef 2 f [i ye ye sp) ‘em que [4) € 0 componente fundamental da corrente de entrada I, Ambas, lar € ly, $50 ‘expressas aqui em rms. O fator de poténcia de entrada & definido como _ Vala In PR = 17 c08@ = 4) cose 52) “ead Figura 3.15, Formas de onda , a para tensioe TA ' cormnte de E a entrada fundamental O fator de crista (do inglés crest factor ~ CF), que é uma medida da corrente maxima de entrada Iyyzo} quando comparado ao seu valor eficaz (rms) I & sempre de interesse para a especificagao dos limites de corrente maxima dos dispositivos e compo- nentes. O CF da corrente de entrada é definido por cr = Hip a66 Eletrnica de Potenci—Cireuitos, Dispositions e Aplicaies Cap. 3 Notas: 1. Ofator harménico HF é uma medida da distorgio de uma forma de onda, também conhecido como distorgo harménica total (do ingles total harmonic distortion - THD), 2. Se a corrente de entrada i, for puramente senoidal, I = fy 0 fator de poténcia PF sera igual a0 fator de deslocamento DF. O dngulo de desloca- ‘mento6 torna-se 0 angulo de impedancia 8 = tan '(oL./R) para uma carga RL. 3. O fator de deslocamento DF sempre & conhecido como fator de poténcia de deslocamento (do inglés displacement power factor ~ DPF ) 4. Um retificador ideal deve ter 1) DPF «1 100%, Vea = 0, RF = 0, TUR = 1, HF = Exemplo 3.6 (0 retificador da Figura 3.14a tem uma carga puramente resistiva de R. Determina® (a) a eficiencia, {b)« fator de forma, (e) 0 fator de ondulagio, (d) 0 fator de utilizagio do transformador, (¢) a tensio de pico inverso (PIV) de diodo Ds e ()¢ CF da corrente de entrada, Solugio: A tensio média de safda Vidi € definida como 1 Vasto =f ata Podemos notar da Figura 3.14b que out para T/2.< 1 § T.Portanto, temos =¥n (go5 87 - 1) or (2-1) Voi Lr 1 va wnat Masa freqiiéncin da fonte €f = 1/Te @ = 2af. Assim, Vines Ye = 0318Vm aay = Vato _ 03180 654) Into = Yagi . 0318 valor eficaz (rms ~ 100! mean square) de-uma forma de onda periidica é definido como m= [BF na]Cap.3.Cireuitose retificndores com diodos 67 Para uma tensio senoidal de o:(f) = Vm senut, para 0 < 1 € 1/2, 0 valor eficaz da tensio de saida & yf en [EI cesmontas]” = P= svn Jom = Yee 8 A partic da Bq. 8.42), Prsio™ (0318Vn)'/R, € da Eq. 3.43), Per=(05Vn)" IR 405% (@) A partir da Bq. (3.4), a eficigncia n = (0,318V)*/(05Vs (©) A partie da Bq, (3.46), 0 fator de forma FF = 0,5Vq/0,318Vn = 157 ou 157% MSF = T= 1,21 ou 121% (€) A tensio eficae do secunditio do transformador & (©) Apattir da Bq, (3.48), 0 ator de ondulagio R a apt Vn v=] ES on smarter] = %8 = o707 Vm 0.56 [Ee par] = Ye 39 Ovelor tia da erent secandra do waafoador oma que oa cng 050m ke Rg -Aexpecificagto de poténcia aparente valor zoltampére— VA) do transformador 6 VA = Vide ~ 0,707 Vn X0,5Vn/R: A partir da Eq, (349) TUF = Pea (Valo) = 0,318°/(0,707 <0) ~ 0,286. (6) A tensio de pico inverso PIV (©) Lapias)= Vie R.O fator de crsta CF da corrente de entrada & CF = lypi)/ = 1/05 = 2. (Nota: 1/TUR = 1/0286 = 3,496 significa que o transformador tem de ser 3496 vezes maior que aquele que esti sendo uilizado para enteegar potencia a parti de uma tensio CA pura Este otficador tem um ator de ondulagio elevado, 121°; uma baiva efielgneia, 45%; e um Baixo TUF, 0286. Além disso, o transformador tem de suportar uma corrente CC, resaltando em tm problema de saturagéo CC do auicleo do transformador. Considerar cireuito da Figura 3.14a com uma carga RL, como o da Figura 3.16a, Devido a carga indutiva, 6 periode de conducio do diodo Dy se estenders alem de 180", até que a covrente se orne ero em of = R + 6. As formas de onda para a correntee a tensdo so mostadas ra Figura 3.160 Deve ser notado que terse méia edo indutor or. Atensio mia de sada Yes pt Va i - Visio = YJ" sen ator = Z8{-cosertt es v, $2 11 cosie + on} Vino A corrente media da carga 6 In68 Eletrinica de Poténcia ~Cirewitos, Dispsitoos e Apliagies Cap. 3 Pode ser notado a partir da Eq, (357) que a tensio média (ecorrente) pode ser aumnent da fazendo-seo = 0, 0 que é possivel com a adigao de um diodo de comutagio Dn, como na Figura 3.t6a, com as linhas pontihadas. Q efeito desse diodo evita o aparecimento dle ma tensso hegativa sobre a carga; © como resultado, a energia magnética armazenada aumenta. Em f= ly = w/t a corrente do diodo D; ¢ transferida para Dy, ¢ esse processo & chamado comutagao dde diodos; as formas de onda sio mostradas na Figua 3.16c. Dependendo da constante de tempo da cargo, a sua corrente pode ser descontinua. A corrente de carga 1, sera descontinua com uma targa resstiva e continua com tuma carga indutiva mito alta. A continuidade da corrente de earga idependers de sua constante de tempo ® = oL/R. Figura 3.16 Retiicador de meia-onda com carga RL. 20 Deane vgn n-8 == --—4 (@)Dagrama do crete (0) Formas ae onde {ey Formas de ona Se a saida estiver conectada a uma bateria, o retifcador pode ser utilizado como um carregador de baterias Isto é mostrado na Figura 3.17a. Para 2. > E,0 diodo Dy conduz. 0 angulo 4, quando o diodo comega a conduit, pode ser encontrado a partir da condigio Vn Sena = ECap.3.Cirewitose vetifcadores com dindos 69 que ds ie 058) O diode Dy sera destigado quando v, < Eem 6 A corrente de carga it, que & observada na Figura 3.176, pode ser encontrada a partir de Vor sen ot — ORE aaa cat on 8 ot cargo RL. . “ia oa ok e 4 (eoruto (Fos ena Caso 1: corrente de carga continua. A constante Ai na Eq, (3:65) pode ser determinada a partir da condigao of = m, i, = I AE Vs aa(ne ee sno) ‘A.substituigio de Ay na Eq, (3.65) dé vs E_ Vs AR/L YM ~ 8) 1 BE snr -0) (ne EB ama Sob condgbes de regime permanente, (t= 0) = iat =) Ito & jot = 0) = hy Aplin esa condi cbtemese oval def come 2 ee bie 1 TE sen yaa) R Para 20 (3.66) que apa substiuigho na Eq, €.66)e simplicalo, dé V2 Vs (RL E 2 BE enero bom meek an para 0 Sots e 20Gap. 3 Circuits ereificadores com diodos 79 (O valor eficaz da corrente do diodo pode ser encontrado a partir da Eq. (3.67) como La ya ra [A Li? ao] © a corrente eficaz de saida pode entio ser determinada pela combinagio da corrente eficaz de cada diode, como a? +17F= Bh Te A cortente min do dodo pode também erencontad a pat da Eq 847) come Ae ue hf nas) Caso 2: corrente de carga descontinua. A corrente de carga flui apenas durante o perfodo « < ot < B. Os diodos iniciam a condugio em wt = a, dado por Em af = a, iy(wt) = Oe a Eq, (3.65) dé _Je_ wy (e/iyare) n=[f-3Pmee-of que, apés a substituigio na Eq, (3.65), dé a corrente de carga ey r wv anyon Em at = B, a corrente cai a zer0 e iy at = ) = 0. sto, a Ev Wye be A sen +[E- us venta - 0) =080 Eletrnica de Poténcin~Circuitos, Dispositions Aplicagies Cap. 3 Bpode ser determinado a partir dessa equagio transcendental por um método interativo de solugio (tentativa e erro), discutido na Secio 6.5 (p. 245). Inicia-se com B = 0 & aumenta-se seu valor de uma quantidade muito pequena até que o lado esquerdo dessa lequacio se torne zero. ‘A corrente eficaz do diodo pode ser encontrada a partir da Eq, (3.68) como Loa. 7 h [a fe ston} ‘Accorrente média do diodo pode também ser encontrada a partir da Eq, (3.68) como 17 t= 5 J) ieacon, Exemplo 3.12 (© retificador monofésico em onda completa da Figura 3.21a tem L= 6,5 mH, R= 2,5 Me E~ 10 V. Atensio de entrada ¢ V, = 120 V em 60 Hi, (a) Determinar (I) a cortente de carga de regime permanente I, em t = 0, (2) a corrente média do diodo li (3) a correnteeficaz do diode I, ¢ (4) | corrente eficaz de sida Ins. (b) Usar o PSpice para plotar a corrente instantinea de saida i Supor os parimeteos do diodo IS ~ 2.22E -15, BV = 1800V. Solusdo: Nao se sabe se a corrente de carga & continua ou descontinua. Supor que a corrente de carga « continua e prostegui a solugio. Se a suposigg0 nlo estiver corrta, a corrente de carga sera zero; entio muda para o caso da corrente de carga descontinua. (@) R= 250, L=65mH, f= 60H, @ = 2n x 60 = 377 rad/s, Z= IR? + (@bF|'? = 35060 = tan oL/R) = 4443" rv, (a) A corrente de carga de regime permanente em wt = 0, 1 = 328A. Como 1h > 0 a corrente de carga 6 continua e a suposicio esté correta (2) A integragio numérica de i na Eq. (267) dé a corrente média do diodo como 1 = 1961 (3) Por integragio numérica de if entre 0s limites a! = 0 € x, obtém-se a corn cefieaz do diodo como fy = 28,5. (8) A correnteeficaz de saida Inns = VBI, = WE x 28,50 = 403. Notas 1. Item um valor minimo de 25,2 4 em wt= 25,5" e um valor méximo de 5146.4 fem of ~ 125,25". I, torna-se 27,41 Aem of = 0 ¢ 48,2 Aem of = 04m Portanto, 0 valor minimo de I; ocorte aproximadamente em at =Cap.3._Cireutoseretifcadores com diodas 81 2. Aagio de chaveamento dos diodes torna ngo-lineares as equacies para as cor. rentes. Um método numérico de solugdo para as correntes do diodo & mais eficaz que as téenicascldssicas. Um programa de computador ¢ utilizado para resolver 1, lve I pela utilizacio da integragso numérica, Os estudantes devem ser estima lados a verifcar os resultados desse exemplo e a apreciar a utilidade da solucio numérica, especialmente na resolugzo de cecuitos de diodos com equagies nil (©) retificador monofésico em ponte para simullaglo em PSpice & mostrado na Figura 3.22 Alistagem do arquivo do circuito & a que se segue: Example 3-12 Single-Phase Bridge Rectifier with RL load vs 1 0 SIN (0 169, 7¥ 602) Lb 2 3 6.5mm Ro} 402s Vk 4 5 DC 10¥ Voltage source to measure the output curent DL 12 MoD } Diode mode bz § 0 NOD bo © 2 pMOD pas MoD MODEL NOD DITS=2.228-15 BY-1800¥) + Diode mode! parameters TRAN US 32MS 16..667HS } Teansient analysi PROBE } Graphics postprocessor Aplotagem em PSpice da corrente instantinea de safda i, ¢ mostrada na Figura 3.23, que da ly = 31,83 A % Figura 3.22 ' 1 B, , agesa Retiicador monofisico em woo 7 . 4s ponte para simulagio em PSpice A “82 —_Eletrnica de Poténcia~Citcuitos, Dispositioos e Aplicaes ap. 3 oh Figura 323 Plotagem PSpice para Exemplo Bia 3.10 | RETIFICADORES POLIFASICOS EM ESTRELA Vimos na Eq. (3.62) que a tensdo média de safda, que poderia ser obtida de retificadores monofésicos de onda completa, era 0,6366V;, e esses retificadores seriam utilizados em aplicagSes para um nivel de poténcia de até 15 KW. Para poténcias de saida mais elevadas,retificadores rifscose polifisicns sao utilizados. A série de Fourier da tensao de saida dada pela Eq, (3.63) indica que a saida contém harménicos e que a freqiiéncia do componente fundamental 6 duas vezes a freqiiéncia da fonte (2) Na pratica, normalmente utilizado um filtro para reduzir o nivel dos harmé- nicos na carga; e 0 tamanko do filtro diminui com o aumento da freqiléncia dos harmé- nicos. Além da maior poténcia de saida dos retificadores polifésicos, a freqtiéncia fundamental dos harménicos também aumenta e é q vezes a freqiéncia da fonte (qf). Esse retificador & também conhecido como retifiador om estrlaCap.3Cirewitase retifcadores com diodos 83 Figura 3.24 Retificadores polifsicos. (Ferma dora O circuito retificador da Figura 3.18a pode ser estendido para mltiplas fases, tendo enrolamentos polifésicos no secundétio do transformador, como mostrado na Figura 3.24, Este circuito pode ser considerado como 4 retificadores monofasicos de rmeia-oncla eé um retificador de meia-onda. O diode kth conduzird durante o periodo‘em que a tensio da fase kth for maior que a das outras fases. As formas de onda para as tenses e correntes sio observados na Figura 324. O periodo de conducio de cada iodo é 21/9 Pode-se notar da Figura 3.24b que a corrente que flui através dos enrolamen- tos secundérios ¢ unidirecional e contém um componente CC. Apenas um enrolamento secundario fornece corrente em um tempo especifico e, como resultado, 0 primério tem de ser conectado em tridngulo a fim de eliminar o componente CC do lado da entrada do teansformador. Isto minimiza 0 cantetido harménico da corrente priméria de fase. Supondo uma onda cossenoidal de n/q a 2n/4, a tensio média de saida para tum retificador de q fases é dada por84 ——_Eletrnice de Poténc~ Circuits, Dispositios ¢Aplicagies Cap. 3 A " Vin cos cat d(cat} (3.69) 5 g Ae costar 400 | apie 2)" Se a carga for puramente resistiva, a corrente maxima através de um diodo seré In = Vn/R eo valor eficaz da corrente de um diodo (ou corrente secundaria do transformador) poderd ser encontrado como @70) 2 fag coors |” Lm 1 2e)]t? _ Vins q7 2G i} “ R @7) Exemplo 3.13, Um retificadortrifésico em estrola tem uma carga puramente resistiva com R ohms. Determinar (a) 4 eficiéncia, (b) 0 fator de forma, (c) o fator de ondulacio, (d) 0 fator de utilizacio de transformador, (ea tensio de pico inverso PIV de cada diodo ¢ (0a corrente maxima através de tum diodo, se 0 retificador estiver fornecendo Imaiio = 30A a uma tensdo de saida de Vinitio = 140 V. Solugio: Para um retifcadortrifésico q = 3 nas Eqs. (3.69), (2.70) ¢(3.71), @)_A partir da Bq, (3.68), Visto = 08237¥%m € Initio = O827Vw/R. Da Eq. (3.70), Viens = OS4068Vy Irn = OAMDGSVy/R” Da Eq. (3-42), Pyatin = (0,82 y}/R; da EQ. (3.43) Por = (0,8406548Vn)°/Re da Eq, 3.44), eficiéncia (0827Vn? (084068)? 16.77% 184068 0827» 10165 ou 10165%, 5%. (b) Apart da By, (6.46), 0 ator de forma F (© Apantr da Eq, (48) ofatorde ondulagio RF = Vi 0165"— 1 ya804 (d) Da Eq, (3.56), tensio eficaz do secundério do transformador, V: = 0,707Vm. Da Eq G.71),a corvente efiear do secundario do transformacdor,3 Cireitoseretfcadores com dindos 85 45g = 0485 A especificagio de poténcia aparente, VA do transformador, para q VA = a0 «9 O70 x Ul Apri da £4,049, ror = ns 3 x 0,707 x 0.4854 (6) Atensio de pico inverso de cada diode é igual 20 valor maximo da tensio secundé ria entre fases. Ose os si revisados no Apéndice A (p. 743) A tensio entre fases (0 tensio de linha) 63 vezes a tenséo de fase (ou tensio fase-neutro)e assim @ PIV = \3 Vo (9, A corrente média através de cada diodo & Parag 0.2757Iy, A corrente média através de cada diodo & ly = 30/3, isto di a corrente méxima como In = 10/0,2757 = 36.27 Exemplo 3.14 (@) Expressar a tensio de sada do retifcador de qfases da Figura 3.24a na série de Fourier, (©) Seq = 6, Vou = 170 ea freqiéncia da rede for f = 60) Hz, determinar o valor eficaz do harmanico dominante sua freqigncia, Solugio: (a) As formas de onda para q pulsos sio mostradas na Figura 324 ea froqiéncia da safda ¢ 4 vezes a do componente fundamental (qf) Para encontrar as constantes da série de Fourier, integrase de—n/q a 2/9 € 28 constantes $30 bee Le en IS, vnc a os ma) . We facte = Ux/al , sonia + el} * ned ned Vie (n+ 2) senu — 1yn/g) + tn ~ 1) senfin + DyR/9) ® odCircuito, Dispositivose Aplicagdes Cup. 3 Apss a simplificacio ¢ com a utilizagso de relagdes tigonométricas, obtém-se sen(A +B) = senA cos + cos A senB obtém-se a7) Para um retificador com 4 pulsos por ciclo, as harmOnicas da tensao de safda sao ath, 2gth, 3qth, ath e a Eq. (3.73) € valida para n = 0, 19, 2g, 39.0 termo sen (rn/q) = sen = 0,€ Bg, (73) toma-se ow 2 (60 con® x(n? 1) a q ‘© componente CC & encontrado fazendorse n = De = vq 4 sen Vato = 9 = Van sen 67) aque éa mesma da Bq, (3.69). A série de Fourier da tensdo de sada v1 €expressa como a= +E a cosmo cd Com a substituigio do valor de ay obtém-se aL = Vm fen ® a a 75) © ifs De art eadioad on) mM 4 (0) Parag = 6,a tensto de sada éexpressa como 2 2 ran wut) «986 (1+ 3 ew ter Ss cw t+) 07) (0 sexto harmdnico é 0 dominante. O valor eficaz de uma tensio senoidal & 1B veres sua amplitude méxima, e 0 valor eficaz do sexto harménico Ve = 0.9540 5 2/05 % V2) = 656A e sua frequdncia fe = 6f = 360 Hz7 3.11 RETIFICADORES TRIFASICOS EM PONTE Um retificador trfésico em ponte & comumente utilizado em aplicagées de alta poténcia € & mostrado na Figura 3.25. Este & um retifcador em onda completa. Ele pode operar com ou sem transformador e dé uma ondulagio de ses pulsos na tensdo de saida. Os diodos sio numerados na ordem da seqiiéncia de condugio e cada um conduz por 120. A seqiiéncia de condugio para os diodos é 12,23, 34,45, 56e61.O par de diodos que estiver conectado entre aquele par das fases da alimentagao que tiver a maior tensio instantinea de fase a fase conduzirs A tensao fase a fase (ou de linha) €13 vezes a tensdo de fase de "uma fonte trifsica conectada em Y (ou estrela). As formas de onda e tempos de condu- io dos diodos aparecem na Figura 3.26. Figura 3.25 + Retifcador trifisico em ponte. Atensio média de sada é encontrada a partir de 2 ee Vnesio = 576 J, NB Vm cosotdeary em = 298 vy = 1654¥e fem que Vn. € tens maxima de fase. A tens eficaz de saida é Vena = | 52, we 32, cos? wt d(wr} is ime =| ag [°° 308 cos? or dear) (3.78) 3 93 =[3- EY = sn,8 __Eletrnien de Poténca ~Circuitos, Dispositios AplicagiesCup-3 Se a carga for puramente resistiva, a corrente maxima através de um diodo seré Ip, = VB Vn/Reo valor eficaz da corrente no diodo ser va[ aig lf" 2 wa] -u[2(E-4=34] eo = 0,518 0 valor eficaz da corrente secundétia do transformador, Wa BM ot, [10° 8 owt onsen 2(x,1 an]? om [2(E+d—3]] oa = 07809 ‘onde Iy,€ a corrente maxima secundaria de fase.Cap. 3 Circuits retifeadores com diados 89 ends Figura 3.26, Formas de onda e tempos de condugSo dos diodos. Exemplo 3.15, Um retificador trifisico em ponte tem uma carga puramente resistiva de R, Determinar (a) 2 eficiéncia,(b) 0 fator deforma, () 0 fator de ondulagao, (dl). fator de uilizagio do transformador, (6) tensio de pico inverso (PIV) de cada diodo ¢ () a corrente maxima através de um dos diodos. Orretificador fornece Imisio = 60 A, a uma tensio de saida de Visto = 280,7 V, ea Freqiéncia da fonte € 60 He Soluslo: (a) A partir da Eq. (77), Viney 8.78), Vine = 1554V ny € ls = 1,6554Vie/R. Da Bq. (8:42), Pet Poy = 16554Vn}/R, eda Bq. (344), a efeiéncia = 1554Va © Into = 1f58V0/R, Da Ey CnsS8Va7R, da Ea. 2.49), .654V 7 1.6554 ny" = 99.83%(b) A parti da Bq, (346), 0fator de forma FF =1,6554/1,654= 1,0008= 100,08% (6) Apartir da Bq, 6.48), 0 fator de ondulagio RF= Vi0008"—1 =0,04= 4%. (4) A parti da Bq. 57) a tensio eficaz do secundério do transformador ceVs 0.707. [A partir da Eq, (80), corrente eficaz do secundério do transformador & Vn 1 = 0,7804%n = 0.7808 x 8 [A especificasio de potincia aparente do transformador & 5 Ym VA = 3Vif, = 3% 0,707Vm x 0.7808 x V3 UE Apartirda Eq, 849), 166 TUF = 55.38% 0.707 x aang ~ 0954 (©) A partir da Eq. (@.77) a testo maxima de ase-neutro€ Vn = 2807/1,654 = 16,7. ‘Atensio de pico inverso de cada diodo & igual ao valor maximo da tonsio fase a fase secundaria, PIV = V3 Ve = 13 x 169,7 = 293.9 V. (©) Acorrente média através de cada diodo é 4 ty cont det «In sn S = 0918 a= ota A corrente média através de cada diodo € Ii = 60/3 = 20A e, portanto, a corrente smévima 6 fy = 2070,3183 = 62,834. "Nota: Esse retificador tem performance consideravelmente melhor, se comparada aquela do retificador polifasico de seis pulsos da Figura 3.24 3.12 RETIFICADOR TRIFASICO EM PONTE COM CARGA RL [As equagées obtidas na Segio 3:9 podem ser aplicadas para determinar a corrente de carga de um retificador trifdsico com uma carga RL. (similar a da Figura 3.17a). Pode-se notar a partir da Figura 3.26 que a tensio de safda se tomaCap. 3 Circuits retifendores com diodos 91 OXF Vo sen ot pars Ez ate onde V,y & a tensio eficaz de fase a fase (ou de linha) da entrada, A corrente de carga i, pode ser determinada a partir de 1 ty Ri, +E = VE Vm sen ot aque tern uma solugio da forma sen (ot ~ 0) + Awe DE @si) Bre z k onde a impedincia da carga Z = [R2 + (oL}2]"e o angulo da impedincia da carga 0 = tan” (@L/R). A constante A; na Eq, (3.81) pode ser determinada a partir da condi- siorem ot = £73, ip = h A -[z ee 2 Ys en (5 . fewer A substituigio de A; na Eq, (381) dé Vm afi E — 32M conf ® — 9) ]evowe-» a PP nto) = El $0) = Sob condigdes de regime permanente, ij(ot = 21/3) = ij(at = 4/3). Isto 6, iy(ot = 28/3) = 1. Aplicando esta condicio, obtém-se o valor de I como = 32 Von son Qn/3 ~ 6) ~ sen (n/3 ~ ye R30 3 1 R/DI0) h ~R para h 20 (83) ue, ap6s a substituigdo na Eq, (3.82) € simplificagio, da _ vn sen Qn/3 ~ 0) ~ sen(a/3 ~ ®) 0) = sen (ot ~ 0) + . e Gan) -& para n/3 Sots 2/3 e iv 2092 __Eletrdnion de Potencia Circuits, Dispositions Aplicages Cap. 3 Acortente eficaz. do diodo pode ser encontrada a partir da Eq. (3.84) como ae 12 b-[2 PCE ao ea corrente eficaz de saida pode entio ser determinada através da combinasio da corrente eficaz de cada diodo como Inns = P+ + YO = Bh Acorrente média por diodo pode também ser encontrada a partir da Eq, (84) como 2 es u=2 fae Exemplo 3.16 (0 retiticador trifssico de onda completa da Figura 3.25a tem uma carga de L = 1,5 mH, R = 250 €E = 10V. A tensio de linha de entrada ¢ Vis = 208 V, 60 Hz. (a) Determinar (1) a corrente de carga de regime permanente I; em wf = 3/3, 2) a corrente média de um dos diodos Ly (3) 2 corrente efcaz de um dos diodos I; (4)a corrente eficaz de sada Inns (b) Usar PSpice para plotar 2 corrente de saida instantinea i, Supor os parimetros dos diodos iguais a IS=2.22E-15, BV=1800V 2p x 60 = 377 ad’, Solusio: Q) R= 259, L= 15m, | f= 60He, Vas = 208V, Z = [R? + (WL)? = 256000 = tan "al/R) = 12,74 1) Acorrente de carga de regime permanente em wt = 1/3, 1) = 105,85. @) A integragio numérica de iz na Bq, (84) dé a corrente média de um dos diodos como 1 = 36,27 A. Como hy > 0 a cortente de carga € continua. ) _Porintegracio numérica de? entre os limites @! = #/3 29/3, obtém-se a corrente eicaz dde um dos diodos como Ir = 62,71 A. Be (©) 0 retficador trifsico em ponte para a simulacio em PSpice & mostrado na Figura 3.27. Alistagem do arquivo do cireuito é que se segue: @ —— Acorrente eficaz de saida Ire = V3 I 3 x 62,71 108,624,ap. 3 Circuits e retifcadores com digdos 93 er with TL load Example 3.16 Three-Phase Bridge Reciti! vaN 8 0 SIN (0 169.7¥ Gonz) ves 2 0 SIN (0 169.77 oz 0 0 120086) veN 30 SIN (0 i69.7V soHZ 0 0 2400EG) L687 1st R ¢ 6 255 YK 7 5 DC lov; Voltage cource to measure the output current vy 8 1 DC ov ; Voltage source to measure the input current Dl t buon Diode model p24 BMoD D534 pMoD p25 3 Moo DeoS 1 tMop D6 5 2 DMoD “MODEL DMOD D(IS-2.228-15 Y-1800v) + Diode model paraneters TRAN 10US 25HS 16.667MS LOUS } Transient analysis PROBE ? Graphics postprocessor options ITL5=-0 abstol = 1. 000n reltol = .01 vntal = 1.000m END ‘A plotagem do PSpice para a corrente instantinea de saida i, é mostrada na Figura 3.28, que dé fy = 104,89 A. Figura 3.27 Retifcador trifisico em ponte para a simlagio om PSpice9¢ —__Eletinica de Poténeia~Circuitos, Dispositious e Aplicaies Cup. 3 Figura 3.28, 2 heehee one Rest Plotagem do PSpice para o Exemplo 3.16. 3.13 PROJETOS DE CIRCUITOS RETIFICADORES projeto de um retificador envolve a determinagao dos valores nominais dos diodos semicondutores. Os valores nominais dos diodos retificadores so normalmente especi- ficados em termos de corrente média, corrente eficaz, corrente maxima e tensio de pico inverso. Nao ha procedimentos padronizados para 0 projeto, mas é necessério deter- :minar as formas das correntes e tensdes dos diodos. Figura 3.29 a iltros CC. @ @Cap.3. Cireuitoseretifcadores com diodos 95 7 + Figura3.30 Filtros CA. Retiicador w Nota-se nas Eqs. (2.61), (3.63) e (9.76) que a saida dos retificadores contém harménicos. Os filros so utilizados para alisar a saida de tensio CC dos retifcadores ¢ so conhecidos como filros CC. Os filtros CC so usualmente dos tipos L, Ce LC, como rmostrado na Figura 329. Devido & ago de retificagSo, a corrente de entrada do retificae dor também contém harménicos, e um filo CA € utilizado para filyar alguns dos harménicos do sistema de alimentagdo,O filtro CA é normalmente do tipo LC, como 0 da Figura 330, Em geralo projeto do filtro requer a determinagio das amplitudes e freqién- cias dos harménicos. As etapas envolvidas no projeto de retificadores e filtros si0 explicadas através dos exemplos. Exemplo 3.17 Um retificadortrifésico em ponte alimenta uma carga altamenteindutiva de forma que a corrente _mésdia da carga seja Inasio = 60.A ¢ 0 contetida de ondulagio, despreivel, Determinar as especi ficagies dos diodos sea tensio fase-neutro da fonte de alimentagao, conectada em estrela, fot 120 VaGl He Solugio: As correntes através dos diodos so mostradas na Figura 331. A corrente média de um dos diodos i = 60/3 = 20. Acorrente efcaz & velat [Atensio de pico inverso, PIV = V3Uqy = XB x VP x 120 = 294V. Insio NB 464A feat] Nota: © fator de WF é usado para converter 0 valor de eficaz em méximo, Exemplo 3.18 A corrente através de um diodo é mostrada na Figura 3.32. Determinar (a) a corrente efieaz ¢ () a cortente média do diodo, se t= 100us, = 3504s, 4 = 500)s, f= 250H2, f, = 5KH In = ABOA els = 150A,96 —_Eletrnica de Poténci ~ Circuitos, Dispositions e Aplicgaes Figura 331 Corrente através dos diodes. Solugio: (a) O valor eficaz édefinido como ‘ = + RY? 8 ot ot ° 1 r 3141593 rad/s 1 [ = 50318 Fe cy sen orate ff nad Wo, = 100pseT » 1/f J fs sem entat fin 2 (3.85) 3.86) 387)Cap. 3 Circuits eretifcadores com diodos 97 Figura 352 Formas de onda da Asubstiugio das guages (8.86 (387 na a, (3.85) dé valor efieaz como a Wa 12 [ BY Bh] = Go3r + 29,05)' 688) (6) Acorrente méia €encontada apart de ve a hu [Ff Gnsen andi s tf at] =lntle onde ve t= J dy sen enya = I aa) tow Lf" hat = ups 290) estate corrente mia toma-se tmate= BE 6 bf =) = 116-560 = IA Exemplo 3.19 0 retificador monofésico em ponte &alimentado por uma fonte de 120 V, 60 Hz. A resisténcia da carga é = 500.0. Calcular © valor do indutor em série L que limitard o valor eficaz da ondulacio. dda corrente Jaa menos de 5% de Initio.98 —_Eletrinica de Poténeia—Circuitos,Dispositivws e Aplicagies Cap. 3 Solugio: A impedancia da carga é Z=R+j (nol) =VR'+ (nL? G91) 92) a coment instantinen & 1) = Ine ht on a + J on ot -02)..] 93) VR + (nol? L 3 8 onde ‘Aa, (9) do valor efcz da ondlago da corrente como Fa papeeee av rae (10) gpeeeed ac ERO (LR "aie? + @atF| (3 2n[R? + deat") 15 CConsderando apenas oharmtnlco de mals bana onde (n= 2 tence "= Noe VR? + Gaty (3 Uitizandoo valor de nts € 2p6 a simplifiasio,ofator de ondulagio€ la | __oama RF Tmedio ” V1 + (20L/RF oe Para R= $000.6 = 60 He, 0 valor da indutincia& obtdo como 0471 = QL + 4 « 60 x x1/500)4,e isto di L = 6221. Pode-se notar a partir da Bq (3.93) que uma indutincia na carga oferece uma alta impedincia para as eorrentes harmanicas e age como um filtro na redugio dos harméni Entretanto, essa indutincia introdw um atraso de tempo da coreente de carga em relagio & tensio de entrada; e no caso de um retificador monofésico de meia-onda, um diodo de comutagio é rnecesssrio para fomecer um caminho para essa corrente indutivaCap. 3 Citeuitoseretificadores com diodes 99 Exemplo 3.20 ‘Um retficador monofssico em ponte ¢ alimentado a partir de uma fonte de 120 V, 60 Hz. A resistencia da carga € R ~ 5000. (a) Projetar um filtro C de tal forma que ofator de ondulagio da tenséo de saida seja menor que 5%. (b) Com o valor do capacitor da letra (a), calcular a tensio dia da carga Veto. Solugio: Quando a tensio instantinea o, da Figura 3.33a € maior que atensio instanté- rea do capacitor 2, 0s diodos (Dj e D2 ou Ds e D3) conduzem,e o capacitor é entdo carregado a partir da rede de alimentagio. Se a tensdo instantinea da rede v, cairabaixo da tensio instantinea Ao capacitor 1 6s diodos (Di e D2 ou D3 Ds) estardo reversamente polarizados e o capacitor C: dlescarregaré através da resisténcia de carga R. A tensio do capacitor varia entre um minimo Veins um maximo Veanan sto é mosteado na Figura 3.33b, Supor que ts sea 6 tempo de carga e 20 tempo de descarga do capacitor C:.O circuito ‘equivalente durante a carga é observado na Figura 3.3, O capacitor carrega quase instanton mente com a tensio de alimentacdo 2 O capacitor Ce seré carregado com valor méximo da tenséo de alimentacio Vny de tal forma que 1) = Vy A Figura 3.33d mostra 0 circuito ‘equivalente durante a desearga, O capacitor descarrega exponencialmente através de R 1 Efud rage or reno ue, com uma condicio inicial de v(t = 0) = Vn dé a corrente de descarga como A tensio de saida (ou do capacitor) x1, durante o pericdo de descarga pose ser encon- trada a partirde Bult) = Rit = Ve MR AAtensao de pico a pico da ondulacio Viep) pode ser encontrada a partir de ~ Vine a esa) Vrigp) = Putt =) ~ melt ae Comoe"! = 1 ~ Fg. (3.94) pode ser simplifcada para Vip100 letrinica de Potincia ~Cireuitos, Dispositvese Aplicngdes Cap. 3 ieee Figura 3.33 7 Retificador monofésico % + ‘em ponte com filtro C ” Ry “| 0 at - (b) Fores de onda do eiflcador de onda complta 5 (e)Carga (Descarga Portanto, a tensio média da carga Vinatié dada por Vines ry otto) = y, Yn a ames 695) Assim, 0 valor eficaz da ondulagio da tensio de saida Vis pode sar encontrado, aproxi- smadamente, a parti deCap. 3 Circuits vetifcadores com diodos 101 Yep Va Vos aa "HR fRE 0 fator de ondulagio RF pode ser encontrado a partir de Vn Vm __AgRCe L BF Vnatin ~ BARC, Vat PRG — 1) ~ WEAFRC~ 9) aque pode ser resolvido para Ce Bohan A (i+ et 126.2 uF agal! * Gre )~ teen x 500! * x 008 (©) A partir da ig, (2.95), a tensdio media da carga Vitis 7 ee 4 60 % 500 x 126,2 x 10°* Vonitio = 169.7 1697 — 1121 = 15849, Exemplo 3.21 ‘Um filteo LC, como mostra a Figura 329¢, &utilizado para reduzir o conteido de ondulagio da tensio de saida em um retficador monofésico em onda completa, A resistencia de carga & R= 400, a indutancia de carga & L = 10mH ea feeqiiéncia da rede & 60 Hz (ot 377 rad/s) (8) Determinar os valores de L-e C. de forma que o fator de ondulagso da tensio de said seja 10%. (b) Usar o PSpice para calcular os componentes de Fourier da tensio de saida 0. Supor os parimetros IS=IE-25, BV=100V, Solucio: (a) O cicuito equivalente para os harmanicos é mostrado na Figura 3.34. Para faciltar a passagem do n-ésime harmdnico da ondulagio de corrente através do capacitor deft, 3 impedincia da carga tem de ser muito maior quea do capacitor Isto &, WRF >» Essa condigdo geralmente¢ satiseita pela relagho Rv won = 10. ARTY Goal? = 1 697) sob esta condigio, 0 efeito da carga serd desprezivel. O valor eficaz do n-

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