TABELAS DE CONDUTIVIDADE ELTRICA DOS METAIS

Condutividade eltrica ( ) usada para especificar o carter eltrico de um material. Ela

simplesmente o recproco da resistividade, ou seja, inversamente proporcionais e indicativa da
facilidade com a qual um material capaz de conduzir uma corrente eltrica. A unidade a
recproca de ohm-metro, isto , [(-m)-1]. As seguintes discusses sobre propriedades eltricas
usam tanto a resistividade quanto a condutividade.

Materiais slidos exibem uma espantosa faixa de condutividades. De fato, uma maneira de
classificar materiais slidos de acordo com a facilidade com que conduzem uma corrente eltrica;
dentro deste esquema de classificao existem 3 grupamentos: condutores, semicondutores e
isolantes. Metais so bons condutores, tipicamente tendo condutividades da ordem de 107 (-m)-
1. No outro extremo esto os materiais com muito baixas condutividades, situando-se entre 10-10 e
10-20 (-m)-1; estes so os isolantes eltricos. Materiais com condutividades intermedirias,
geralmente entre 10-6 e 104 (-m)-1, so denominados semicondutores. No Sistema Internacional
de Unidades, medida em siemens por metro.

Constitui engano achar que o ouro o melhor condutor eltrico. Na temperatura ambiente, no
planeta Terra, o material melhor condutor eltrico ainda a prata. Relativamente, a prata tem
condutividade eltrica de 108%; o cobre 100%; o ouro 70%; o alumnio 60% e o titnio apenas 1%.
A base de comparao o cobre. O ouro, em qualquer comparao, seja no mesmo volume, ou na
mesma massa, sempre perde em condutividade eltrica ou trmica para o cobre. Entretanto, para
conexes eltricas, em que a corrente eltrica deve passar de uma superfcie para outra, o ouro
leva muita vantagem sobre os demais materiais, pois sua oxidao ao ar livre extremamente
baixa, resultando numa elevada durabilidade na manuteno do bom contato eltrico. Entre os
citados, o alumnio seria o pior material para as conexes eltricas, devido facilidade de oxidao
e baixa condutividade eltrica da superfcie oxidada. Assim, um cabo condutor de cobre com os
plugues de contatos dourados levam vantagens sobre outros metais. Uma conexo entre
superfcies de cobre, soldada com prata constitui a melhor combinao para a conduo da
eletricidade ou do calor entre condutores distintos.

Tabela de Condutividades Eltricas

Condutividade
Material
(S.m/mm2)

Prata 62,5

Cobre puro 61,7

Ouro 43,5

Alumnio 34,2

Tungstnio 18,18

Zinco 17,8

Bronze 14,9

Lato 14,9

Nquel 10,41

Ferro puro 10,2

Platina 9,09

Estanho 8,6

Manganina 2,08

Constantan 2

Mercrio 1,0044

Nicromo 0,909

Grafite 0,07
Condutividade de semicondutores (com eltrons e lacunas)

Num condutor slido existe uma nuvem muito densa de eletres de conduo, que no esto
ligados a nenhum tomo em particular. Por exemplo, os tomos de cobre no seu estado neutro tm
29 eletres volta do ncleo; 28 desses eletres esto fortemente ligados ao tomo, enquanto que
o ltimo eletro encontra-se numa rbita mais distante do ncleo e sai com maior facilidade para a
nuvem de eletres de conduo.

Um pequeno deslocamento da nuvem de eletres de conduo faz acumular um excesso de

cargas negativas num extremo e cargas positivas no extremo oposto. As cargas positivas so
tomos com um eletro a menos em relao ao nmero de protes. Quando se liga um fio
condutor aos eltrodos de uma pilha, a nuvem eletrnica atrada pelo eltrodo positivo e repelida
pelo eltrodo negativo; estabelece-se no condutor um fluxo contnuo de eletres desde o eletrodo
negativo para o positivo.

Os semicondutores so materiais semelhantes aos isoladores, sem cargas de conduo, mas que
podem adquirir cargas de conduo passando a ser condutores, atravs de diversos mecanismos:
aumento da temperatura, incidncia de luz, presena de cargas eltricas externas ou existncia de
impurezas dentro do prprio material.

Atualmente os semicondutores so construdos a partir de silcio ou germnio. Os tomos de silcio

e de germnio tm 4 eletres de valncia. Num cristal de silcio ou germnio, os tomos esto
colocados numa rede uniforme, como a que aparece na figura abaixo: os 4 eletres de valncia
ligam cada tomo aos tomos na sua vizinhana.[1]

Os tomos de arsnio tm 5 eletres de valncia. Se forem introduzidos alguns tomos de arsnio

num cristal de silcio, cada um desses tomos estar ligado aos tomos de silcio na rede por meio
de 4 dos seus eletres de valncia; o quinto eletro de valncia ficar livre contribuindo para uma
nuvem de eletres de conduo. Obtm-se assim um semicondutor tipo N, capaz de conduzir
cargas de um lado para outro, atravs do mesmo mecanismo que nos condutores (nuvem de
eletres de conduo).

Os tomos de glio tm trs eletres de valncia. Nos semicondutores tipo P existem alguns
tomos de glio dentro de um cristal de silcio (ou germnio); os 3 eletres de valncia de cada
tomo de glio ligam-no rede, ficando um buraco onde um tomo de silcio tem um eletro de
valncia que no est ligado a outro eletro de um tomo vizinho. Esses buracos tambm podem
ser usados para transportar corrente; os eletres podem deslocar-se para um tomo de glio na
vizinhana, onde exista um desses buracos.

Na figura abaixo representam-se dois blocos semicondutores dos dois tipos, N e P. Cada bloco
um cristal de silcio ou de germnio; os crculos representam os tomos de arsnio e de glio
introduzidos no cristal. Esses tomos encontram-se fixos na rede, em quanto que os eletres de
conduo, no semicondutor N, e os buracos no semicondutor P, podem deslocar-se entre os
stios(locais) onde existam outros tomos de arsnio ou de glio.[1]

Os dois tipos de semicondutores.

Se os extremos do um fio semicondutor do tipo P forem ligados aos eltrodos de uma pilha. Os
buracos perto do eltrodo negativo sero preenchidos com eletres fornecidos por esse eltrodo;
esses eletres podero saltar para outros buracos vizinhos e assim sucessivamente. Os eletres
deslocam-se no sentido do eltrodo negativo para o positivo, mas saltam apenas de um buraco
para o vizinho. No entanto, os buracos deslocam-se todo o percurso desde o eltrodo positivo at
o negativo. semelhante circulao de automveis hora de ponta, quando h filas compactas;
os automveis conseguem apenas deslocar-se uma pequena distncia no sentido da estrada, mas
aparecem buracos na fila, que se deslocam rapidamente no sentido oposto.

Assim, quando ligamos um fio semicondutor entre os eltrodos da pilha, o resultado o mesmo,
independentemente do tipo de semicondutor: passagem de cargas positivas do eltrodo positivo
para o negativo, e passagem de carga negativa do eltrodo negativo para o positivo. [1]

Nos condutores lquidos, gasosos ou em p existem cargas de conduo tanto negativas como
positivas. J vimos por exemplo o caso do eletrlito de uma pilha, onde existem ies positivos e
negativos. Num gs ionizado tambm existem ies positivos e negativos que se podem deslocar
dentro do gs. Quando existir uma fem entre dois pontos desse tipo de condutores, os ies
positivos e negativos deslocam-se em sentidos opostos. O efeito resultante, em termos de
conduo de cargas, produzido pelo movimento dos dois tipos de ies o mesmo: entram cargas
negativas no eltrodo positivo e entram cargas positivas no eltrodo negativo.[1]

Numa lmpada fluorescente, uma fora eletromotriz usada para ionizar o gs. A ionizao do gs
produz ies positivos e eletres livres (ver figura abaixo). Se num determinado instante o eltrodo
A estiver a maior potencial que o eltrodo B, os ies positivos deslocar-se-o de A para B, e os
eletres de B para A. A passagem dessas partculas produz colises com molculas do gs que
produzem mais ies e luz. Assim, uma vez aquecida, precisa uma diferena de potencial menor
para manter o fluxo de cargas na lmpada.

Ions positivos e eletrons livres dentro de uma lmpada fluorescente. No ponto o eletrdo A est a
maior potencial que o eltrodo B.

Existem outros mecanismos de conduo das cargas eltricas, como por exemplo o que usado
nos detetores de incndio. Dentro do detetor existe uma cmara de ionizao (cilindro preto) onde
a passagem de cargas devida produo de partculas alfa emitidas por uma substncia
radioativa. As partculas alfa so ncleos de hlio, com carga igual a duas unidades elementares
de carga. As partculas so disparadas para fora da substncia radioativa, passando pelo ar volta
da substncia, antes de serem recolhidas num eltrodo no detetor. A presena de fumo introduz
partculas slidas no ar, que travam as partculas alfa, produzindo uma reduo do nmero de
partculas recolhidas no eltrodo. A reduo do fluxo de cargas faz disparar um sinal de alarme. [1]

Frmula da Conduo no semicondutor representa-se por:

onde

condutividade
q mdulo da carga eltrica do electro
n concentrao de eltrons
p concentrao de lacunas
n mobilidade dos eltrons (1350 cm2/(V.s))
p mobilidade das lacunas (500 cm2/(V.s))

Agitao trmica (ionizao trmica) quebra de ligao covalente gerao de par electro
lacuna. Tambm por agitao trmica restabelecimento de ligao covalente por recombinao
de par electro lacuna

Ento:

onde

p - concentrao de lacunas (lacunas / cm)

n - concentrao de eltrons livres (electres / cm)

- concentrao intrnseca (portadores / cm)

A independente da concentrao de impurezas dadores; funo da temperatura.