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ndice

1.- Introduccin
1.1- Definicin
1.2-Modelo de bandas de energa
1.3- Materiales intrnseco y extrnseco
2.-Tipos de materiales semiconductores
2.1- Estequiomtricos (aislantes)
2.2- Imperfecciones (amorfos)
3.-Aplicaciones
4.-Bibliografa
1. Introduccin
1.1 Definicin de semiconductor

Un material superconductor se define como aquel


material cuya conductividad elctrica est
comprendida entre la de los metales, muy conductores
y los aislantes, muy poco conductores

Material
diodo IGBT base
1.2 Modelo de banda

El modelo de bandas aplicadas a aislantes consiste


en una banda de valencia de energa inferior llena
y una banda de conduccin de mayor energa vaca

Formacin de bandas de
energa como funcin de la
separacin de los tomos. Si
existen muchos tomos cada
nivel de energa se divide en
un conjunto casi continuo de
nivel que constituyen una
banda.
1.3. Materiales intrnsecos y extrnsecos
- Materiales intrnsecos; Son semiconductores puros
cuya conductividad elctrica viene determinada por sus
propiedades conductoras inherentes.
- Materiales extrnsecos; Son soluciones slidas
sustitucionales muy diluidas en las que los tomos de las
impurezas, soluto, poseen caractersticas de valencia
diferentes de las del disolvente que sustituye la red
atmica. La concentracin de los tomos de impurezas
aadidos a estos semiconductores estn normalmente
en el rango de 100 a 1000 partes por milln (ppm). Estos
materiales tambin se denominan de tipo n o negativos.
2.- Tipos de materiales
2.1 Estequiomtricos (aislantes)
Son elementos formados por estructura cristalinas y de
bandas similares a Silicio y Germanio.
Estos elementos se caracterizan por tener 2 electrones p
en su capa externa, debera tener por ello alta
conductividad, pero no ocurre.Esto es debido a
restricciones provocadas por enlaces covalentes,
producindose una hibridacin.
Gap de energa de distintos compuestos y movilidades

Brecha de Movilidad de Movilidad


Compuesto energa electrones huecos
ZnS 3,54 (eV) 180 (cm/V s) 5 (cm/V s)

GaP 2,24 300 100

GaAs 1,35 8800 400

GsSb 0,67 4000 1400

InSb 0,165 78000 750

InAs 3,2 180

ZnO 2,42 400

Gap de energa de algunos aislantes y conductores


2.2- Imperfectos (amorfos)
Aquellos compuesto inicos que puedan impurificarse o
doparse con tomos aninicos catinicos.
Tipos:
- Semiconductores tipo n : Al material imperfecto se
le aade en exceso tomo catinicos, volvindose el
material semiconductor.
- Semiconductor tipo p : El material est impurificado
o dopado con tomos aninicos convirtindose en
semiconductor
Estructura de materiales de tipo n y p:

En un semiconductor con tomos


dadores (como P en Si), el nivel dador
se encuentra justo por debajo de la
banda de conduccin. Los electrones
son promocionados fcilmente a la
banda de conduccin, semiconductor
de tipo n.
En un conductor con tomos aceptores
(Al en Si), el nivel aceptor se
encuentra justo por encima de la
banda de valencia. Los electrones son
promovidos fcilmente al nivel
aceptor dejando agujeros positivos
en la banda de valencia,
semiconductor tipo p
Ejemplo de material tipo n; ZnO

Semiconductor tipo n
(exceso de
electrones), los tomos
libres de Zn se ionizan
y quedan libre
electrones

Ejemplo de material tipo p : FeO


Semiconductor no
estequiomtrico,se
sustituyen iones Fe2+
por iones Fe+3,
quedando unavacante en
el material aceptora de
electrones
3.- Aplicaciones
Tienen multitud de aplicaciones hoy en da:
-Aplicaciones de telecomunicaciones
-Memorias
-Radiocomunicaciones
-Supervisores
-Transistores, termistores, traductores de presin
-Rectificadores, etc........
4.- Bibliografa
- Fundamentos de la ciencia de los materiales e
ingeniera de materiales, William F.Smith
- La ciencia e ingeniera de los materiales,
Donald R. Askeland
- Internet:
- www.fis.puc.cl

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