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5/27/2014

Progetto di amplificatori RF
in tecnologia CMOS

Ricevitori integrati in tecnologia CMOS

Esempio di GSM (900 MHz)


applicazioni: DECT (1.9 GHz)

Obiettivo: implementazione della sezione


RF/IF e di quella in banda base del
ricevitore in ununica tecnologia

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Requisiti di sistema
Banda passante compresa tra 25 e 35 MHz per
applicazioni a 900 MHz (Q 30)

S21 = 10-20 dB

NF = 6-7 dB

Adattamento in ingresso e uscita


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Schema a blocchi del LNA

Sintonia Q

Cascode con carico


accordato Buffer duscita

Sintonia f0

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Cascode con carico accordato /1

Cascode con carico accordato /2


g M1
Guadagno alla risonanza: A V A Buffer
G Tot

GInd 1/78 S a 900 MHz con L=4.1nH e Q 3


(con le tecnologie attuali si arriva a 15)

Elevati valori di gM1 sono richiesti per ottenere


lS21 desiderato.
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Circuito di polarizzazione

Il cascode polarizzato in corrente attraverso lo specchio


M10-M11 7

Modello del sistema /1


Si utilizza un modello unilaterale per il LNA,
essendo di tipo cascode

Si inserisce una impedenza a parte reale negativa


per tener conto del circuito di Q-enhancement

In parallelo si considerano anche limpedenza di


ingresso del circuito di sintonia di f0 e del buffer di
uscita
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Modello del sistema /2

Blocco Q-enhancement

G Tot G Ind G n

g M3g M 4
Gn
g M3 g M 4

La reazione positiva
produce Gn negativa,
sintonizzabile attraverso Vo

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Blocco per la sintonia di f0 /1

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Blocco per la sintonia di f0 /2


A

Al variare di Vf varia
gm6 e quindi CTot e si
ottiene la sintonia in
frequenza.

C Tot C f 1 C f 2 (1 A ) C f 1 C f 2 (1 g m 6 R 6 )
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Buffer duscita

Adattamento a 50
del carico attraverso 1
o pi livelli di buffer

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I Schema dellamplificatore

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Lo stadio Split-phase

Impiego dello stadio:

Sintonia fo al variare
della polarizzazione.
Primo livello di buffer.

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II Schema dellamplificatore

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Prestazioni simulate

Guadagno: 12 dB
NF: 6.5 dB
f0: 951-954 MHz (insufficiente)
RL in uscita: -9.7 dB
BW: 24-35 MHz
Vdd: 5V

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Schema a blocchi del LNA1


Stadio di transimpedenza:
Convertitore I/V

Stadio dingresso: Stadio duscita:


Convertitore V/I Convertitore V/V

Sintonia f0 e Q

1. Y. Chang, J. Choma, J. Wills, A 900MHz Active CMOS LNA with a


Bandpass Filter, SSMSD 99, Southwest Symposium on Mixed-Signal
Design, Tucson 1999.

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Stadio dingresso + transimpedenza

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Funzione di trasferimento del LNA


La transimpedenza presenta ingresso e uscita sullo stesso nodo

In bassa frequenza limpedenza viene abbassata dalla


controreazione, poi sale per diminuzione effetto della reazione
(cala con la frequenza il guadagno danello) e si ha andamento
induttivo, fino alla coppia di poli complessi coniugati

Nei poli si ha risonanza, e comportamento capacitivo a


frequenze superiori (A, B, C, D dipendono dai parametri dei
MOS):
g m 2 (C 2 C 3 ) sD
A V (s)
2C s 2 sA B 20

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Blocco Q-enhancement
La reazione positiva
produce Gn negativa,
sintonizzabile
attraverso Vbias5

g M 6 g M8
Gn
g M7

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III schema dellamplificatore

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Dimensionamento della rete


La sintonia su Gn ottenuta variando gM6 attraverso Vbias5

Si trova che:
g m3 g m5
0
C

La frequenza centrale variata con gm5 agendo su Vbias4

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