Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
CURSO: TEMA:
NUMERO:
22 DE JUNIO DEL 28 DE JUNIO
06 2017 DEL 2017
GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
06 JUEVES Ing. Luis Paretto
2pm 4pm
Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos
I. TEMA:
P1
1M RC
1k
R1
56k
Q1 V1
2N6026 12v
R2 RE
22k 330
En esta experiencia iremos variando los valores del potencimetro P1, por ello
expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:
RC = 1 + 1
R 1k
0
Q1 V1
2N6026 12v
R2 RE
22k 330
RC
1k
RB Q1 V1
2N6026 12v
0
VBB
0 RE
330
Donde:
2 2
= ; =
+ 2 + 2
Haciendo = 56 (1 = 0 ):
2 2
= = 3.38 ; = = 15.79
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;
En la malla 1:
= + + ; =
= ( + )
= 3.12
+
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 7.85
Hallamos y :
= 0.0165
+ ( + 1)
= = 1.02
TABLA 2 ( = )
() () () () ()
3.12 0.0165 7.85 . 1.02
Haciendo = 68 (1 = 12 ):
2 2
= = 2.93 ; = = 16.62
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;
En la malla 1:
= + + ; =
= ( + )
= 2.52
+
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 8.64
Hallamos y :
= 0.83
+ ( + 1)
= = 0.83
TABLA 3 ( = )
() () () () ()
2.52 0.83 8.64 . 0.83
Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de
trabajo Q1 y Q2:
2 2
= = 1.48 ; = = 19.28
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;
En la malla 1:
= + + ; =
= ( + )
= 0.801
+
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 10.93
Hallamos :
= 0.26
+ ( + 1)
2 2
= = 0.80 ; = = 20.52
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;
En la malla 1:
= + + ; =
= ( + )
= 0.98
+
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 10.69
Hallamos :
= 3.25
+ ( + 1)
2 2
= = 0.46 ; = = 21.16
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;
En la malla 1:
= + + ; =
= ( + )
= 0
+
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 12
Hallamos :
= 0
+ ( + 1)
Haciendo = 1056 (1 = 1 ):
2 2
= = 0.24 ; = = 19.28
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; < 0.7 (Silicio) ; = ;
En la malla 1:
= + + ; =
= ( + )
= 0
+
En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 12
Hallamos :
= 0
+ ( + 1)
TABLA 5
R
() 0.801 0.98 0 0
() 0.26 3.25 0 0
() 10.93 10.69 12 12
Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa a
la zona de saturacin, donde la corriente de colector (Ic) es mnima y el voltaje
colector-emisor (Vce) es mximo.