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Pontos, Direes e Planos

Cristalogrficos
Prof. Dilermando Nagle Travessa

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Coordenadas de Pontos

A posio de qualquer ponto localizado no


z interior de uma clula unitria pode ser
111 especificada em termos de suas
c coordenadas.
As coordenadas so calculadas como
y mltiplos fracionrios dos comprimentos
000
a b das arestas das clulas unitrias.
x Exemplo:
Coordenadas de pontos para o centro da clula
unitria: a/2, b/2, c/2
Coordenadas de pontos para o vrtice da clula
unitria: 111

2
Sistemas de direes em cristais

Uma direo cristalogrfica


definida como uma linha entre dois
pontos, ou um vetor.
Foram estabelecidas convenes de
identificao nas quais trs nmeros
inteiros ou ndices so utilizados para
designar as direes. So conhecidos
como ndices de Miller.
A base para determinao dos valores dos ndices a clula
unitria, com um sistema de coordenadas que consiste em trs
eixos cuja origem est localizada em um dos vrtices e cujas
direes coincidem com as arestas da clula unitria.
3
Sistemas de direes em cristais

Convenes para a determinao dos trs


ndices para direes (ndices de Miller):
1. Um vetor com o comprimento
conveniente posicionado de tal
modo que ele passa atravs da origem
do sistema de coordenadas.
Qualquer vetor pode ser movido
atravs do reticulado cristalino sem
sofrer alteraes, desde que seu
paralelismo seja mantido.

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Sistemas de direes em cristais

Convenes para a determinao dos trs ndices para direes


(ndices de Miller):
2. O comprimento da projeo do vetor sobre cada um dos trs eixos
determinado.

3. Estes trs nmeros so multiplicados ou divididos por um fator


comum, a fim de reduzi-los aos menores inteiros.
4. Os trs ndices no separados por vrgulas, so colocados entre
colchetes [uvw].

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Sistemas de direes em cristais

Determinao dos trs ndices para direes: Exemplos

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Sistemas de direes em cristais

Se a soma for negativa, coloca-se Os nmeros so multiplicados ou


uma barra sobre o nmero. divididos por um fator comum, a fim
de reduzi-los aos menores inteiros
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Sistemas de direes em cristais cbicos

A simetria da estrutura cbica permite que as direes


equivalentes sejam agrupadas para formar uma famlia de
direes:

<100> para as arestas


<110> para as diagonais das faces
<111> para a diagonal do cubo

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Sistemas de direes em cristais HCP
A simetria hexagonal descrita por 3 eixos (a1, a2 e a3) no plano
basal com ngulos de 120 entre si, e um quarto eixo (Z)
perpendicular aos 3 eixos basais simultaneamente;
Portanto, as direes devem ser descritas por um sistema com 4
ndices;
ndices de Miller-Bravais com 4 eixos (a1, a2, a3 e C) = (u, v, t, w);

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Sistemas de direes em cristais HCP

A determinao das direes no sistema hexagonal mais complexa;


Diferentemente do sistema cbico, em cristais com simetria hexagonal
algumas direes equivalentes teriam um conjunto de ndices diferentes;
Exemplo: Direes de maior empacotamento no plano basal:

a2
a2 -a3
2
a3
Linhas a1
pontilhadas em 2
vermelho indicam
as projees sobre a1
os eixos a1 e a2

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Sistemas de direes em cristais HCP

Para o sistema hexagonal, h um procedimento simplificado;


Permite trabalhar com dois eixos no plano basal;
u + v = -t;
As direes equivalentes passam a ter ndices idnticos;
O sistema de 3 ndices convertido para um sistema de 4 ndices segundo as
relaes: [ u 'v 'w ' ] [ uvtw ]

1
u = (2 u ' - v ' )
3
1
v = (2 v ' - u ' )
3
t = - (u + v )
w = w'
11
Sistemas de direes em cristais HCP
-Alternativa: A determinao das direes pode
ser facilitada pela sub-diviso do plano basal em
tringulos equilteros;

-As equivalncias entre as direes so


observadas.

-Por exemplo, a direo de maior empacotamento


no plano basal tem ndices:

[2 1 1 0], [1120],[1 2 1 0] etc.

-E pode ser representada pela famlia:

2110.
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Sistemas de direes em cristais cbicos

Exemplos: (u v w)

A = [33 1]
B = [ 403]
C = [ 361]
D = [ 1 1 1]

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Sistemas de direes em cristais HCP

Exemplos: (u v w)
Como se no existisse a3!

A = [1 1 1]
B = [1 00]
C = [210]
D = [201]

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A = [1 1 23]
B = [2110] A

15
C = [10 1 0]
D = [42 23]

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Planos cristalogrficos

So representados de maneira similar s direes


cristalogrficas:
Tendo como base a clula unitria e os parmtros de rede;

So representados pelos ndices de Miller = (hkl);


Planos paralelos so equivalentes tendos os mesmos
ndices;
Existem regras para a determinao dos planos:

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Planos cristalogrficos

1. Se o plano passa atravs da origem, um outro plano paralelo deve


ser construdo no interior da clula unitria ou uma nova origem
deve ser estabelecida no vrtice de uma outra clula unitria.
2. O comprimento da interseco do plano com cada um dos eixos
determinado em termos dos parmetros de rede.
3. Os valores inversos (recprocos) desses nmeros so calculados.
4. Se necessrio, estes nmeros so modificados para o conjunto de
menores inteiros (reduo) pela multiplicao ou diviso por um
fator comum.
5. Os ndices inteiros, no separados por vrgulas, so colocados entre
parentses (hkl)

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Planos cristalogrficos

Adapted from Fig. 3.10, Callister


& Rethwisch 8e.
19
Planos cristalogrficos

Planos (010)
So paralelos aos eixos x e z
(paralelo face)
Cortam o eixo y em 1 e os
eixos x e z em
1/ , 1/1, 1/ = (010)

20
Planos cristalogrficos
z
Exemplos a b c
1. Interceptos 1 1
c
2. Recprocos 1/1 1/1 1/
1 1 0
3. Reduo 1 1 0 y
a b
4. ndices de Miller (110)
x
z
Exemplo a b c
1. Interceptos 1/2 c
2. Recprocos 1/ 1/ 1/
2 0 0
3. Reduo 1 0 0
y
4. ndices de Miller (100) a b
x
21
Planos cristalogrficos

Exemplo a b c
1. Interceptos 1/2 1 3/4 z
2. Recprocos 1/ 1/1 1/
c
2 1 4/3
3. Reduo 6 3 4
y
4. ndices de Miller (634)
a b
x

22
Planos cristalogrficos

Famlia de planos{110}
-Sempre paralelos um dos eixos.

23
Planos cristalogrficos

Famlia de planos{111}
-Sempre interceptam os trs eixos.

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Planos cristalogrficos HCP
Sistema Miller-Bravais
4 ndices (hkil) z

Exemplo a1 a2 a3 c
1. Interceptos 1 -1 1
2. Reciprocos 1 1/ -1 1
1 0 -1 1 a2

3. Reduo 1 0 -1 1
a3

4. ndices Miller-Bravais (1011) a1

Adapted from Fig. 3.8(b),


Callister & Rethwisch 8e.
i= -(h+k)

25
A = (1 1 1)
B = (230 )

26
A = (220)
B = (122)

27
A = (21 1)

B = (02 1)

28
A = (0 1 10)

29
A = (1 1 22)

30
A = (2 1 1 0)

31
A = (1 102)

32
Densidade atmica linear e planar

Densidade linear = tomos/cm


a frao do comprimento de uma linha (direo) que interceptada por
tomos;
Equivalente ao fator de empacotamento em uma dimenso.

Densidade planar = tomos/unidade de rea


a frao de rea cristalogrfica que est ocupada por tomos;
Equivalente ao fator de empacotamento em duas dimenses.

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Densidade atmica linear

34
Densidade atmica planar

35
Planos no sistema cbico

A simetria do sistema cbico faz com que planos de uma


mesma famlia apresentem o mesmo arranjo atmico e a
mesma densidade planar;
Deformao em metais envolve deslizamento de planos
atmicos. O deslizamento ocorre mais facilmente nos planos e
direes de maior densidade atmica;

36
Planos de maior densidade atmica no sistema CCC

A famlia de planos {110} no


sistema CCC o de maior
densidade atmica

37
Planos de maior densidade atmica no sistema CFC

A famlia de planos {111} no sistema CFC o de maior


densidade atmica

38
Densidade do plano (100) do Ferro
Soluo: A T < 912C, o ferro tem estrutura CCC.
Unidade de repetio

4 3
(100) a= R
3

Adapted from Fig. 3.2(c), Callister & Rethwisch 8e. Raio do ferro R = 0.1241 nm

tomos 1
1 tomos tomos
= 19
Densidade Planar = 2 2 = 12.1 2
= 1.2 x 10
a 4 3 nm m2
rea R
3
39
Densidade do plano (100) do Ferro
Soluo: plano (111) 1 tomo no plano
tomos no plano
2a
tomos acima do
plano
tomos abaixo do
plano
3
h= a
2
2
4 3 16 3 2
rea = 2 ah = 3 a = 3
2
R = R
3 3
tomos 1
Densidade Planar= tomos = tomos
= 7.0 0.70 x 1019
nm 2 m2
16 3 2
rea R
3
40
FIM

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