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U.N.M.S.M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES
CURSO TEMA
NUMERO
GRUPO
PROFESOR
2
LUNES DE 10 am 12pm ING. LUIS PARETTO QUISPE
1
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
INFORME PREVIO
Objetivos:
a. Verificar en forma esttica el estado operativo de un UJT.
b. Verificar y determinar las caractersticas de funcionamiento de un UJT.
Informacin bsica:
El transistor monounin: Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo
N o P en cuyos extremos se tienen los terminales Base 1 (B1) y Base 2 (B2). En un punto
de la barra ms prximo a B2 se incrusta un material de tipo P o N dando lugar al terminal
de emisor.
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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
El encapsulado de este tipo de transistores son los mismos que los de unin.
3
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
Procedimiento:
I. CUESTIONARIO PREVIO
Armar el circuito de la Figura 1, iniciando los potencimetros P1 y P2 en 0 , Debiendo estar los 2
miliampermetros en el rango de 30 mA. (Por lo menos); llenar la Tabla 2.
20
Ib1mn=470+56+9100 = 2.077
Ve=Vp
Vp=13.8 V
13.8
Ie= = =4.402 mA
+2 (0.655)(4700)+56
= ( + 1) = 1
= =
+1 1
20 13.8
= =
2200 + 1 1
4
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
6.21 = 30360
1 = 4.896
20
Ib1=470+56+4700 = 3.82
2 = 2
2 20 0.116
2 = = = 4.971
4 103
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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
Conclusiones:
Bibliografa:
http://www.unicrom.com/buscar.asp
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/unijun.html
http://es.slideshare.net/luznellygonzalez/exposicion-transistores
Boylestad- Fundamentos de circuitos elctrinocos.
Separatas de la clase de laboratorio y teora dispositivos electrnicos.