El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas

elctricas lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las
seales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte
de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes
de alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos
objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que
el transistor opere en la regin lineal y suministrar energa al transistor, una parte
de la cual va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores de
corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina
punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).

Figura 114. Circuito

El transistor del circuito de la figura 114 esta polarizado con dos resistencias y una
fuente de tensin en continua VCC. En este circuito se verifica que:

Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces

se puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de la hFE y
asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7V. El clculo de las tensiones e
intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q
viene definido por las siguientes ecuaciones:

En la figura 115 se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del

transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto
se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica:
si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en
el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta
se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la I C con la VCE que,
representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura 114,
corresponde a una recta. La tercera ecuacin define la recta de carga obtenida al
aplicar KVL al circuito de polarizacin, de forma que:

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (V CE, IC) del transistor
se seleccionan dos puntos:

a) VCE=0, entonces IC=VCC / RC.

b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura 115 y

representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas.

Figura 115. Lmite de operacin de un transistor.

Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor

es seleccionar la ubicacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la
mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad
de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica.
Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurara el mximo margen
del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin
embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que exige un
desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situacin del punto
Q estar definida por las diferentes restricciones.

Un transistor de unin polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus

terminales que le hacen disipar energa. Esta potencia de disipacin se puede
obtener aplicando la definicin de potencia absorbida por un elemento tri-terminal,
que en caso del transistor, se expresa como

Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer trmino de esta

ecuacin es despreciable frente al segundo, resultando que

Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (V CE, IC) de las curvas
caractersticas del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de
disipacin mxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una P cmax=500
mW. En la figura 115 se representa la hiprbola de potencia mxima de un
transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q est por debajo de esa curva ya
que sino el transistor se daara por efecto Joule.

Hoja de especificaciones:

Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.

VCB 60V (mximo valor en inversa).

VCEo. 40V (mximo valor en inversa con la base abierta).

VEB 6V (mximo valor en inversa).

En realidad en la hoja de caractersticas tenemos que diferenciar los transistores

en:

Transistores de pequea seal (IC pequea), por ejemplo: 2N3904.

Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

CORRIENTE Y POTENCIA MXIMAS

En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas,
siendo la unin ms problemtica la unin CB, porque es la que ms se calienta.

En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:

Tj = Temperatura de la unin.
 TC = Temperatura de la capsula.
TA = Temperatura del ambiente.

EJEMPLO: Tj = 200 C

Para sacar el calor de la unin tenemos que el flujo calorfico ha de pasar de la

unin al encapsulado y posteriormente al ambiente. Hay una resistencia trmica
unin-cpsula que dificulta que el calor pase de la unin a la cpsula (J jC). Hay
una resistencia trmica cpsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la
cpsula al ambiente (JCA).

JjC = 125 C/W.

JCA= 232 C/W.
JjA = 357 C/W.

Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.

Factor de ajuste

Indica como disminuye la PDmx por cada grado de aumento de temperatura por
encima de un valor determinado.

EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmx = 350 mW (a 25 C) Factor de ajuste = -2,8

mW/C

Si TA aumenta a 60 C: PDmx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW

Ese factor de ajuste es el inverso de la resistencia trmica:

Factor de ajuste = 1 / JjA

Otro parmetro

Este parmetro es el bcc que ya hemos visto anteriormente (I C = bcc IB Zona

Activa).

cc = hFE

Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catlogo suele venir: