Sei sulla pagina 1di 20

Universidad Nacional Mayor de San Marcos

UNMSM

Facultad de Ing. Electrnica, Elctrica y


de Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Matrcula

Guevara Palomino, Carlos Alexander 15190255

Saldivar Hospina Jimmy Luis 16190098

Cabrera Marquez Jordy 16190064

Aybar Velsquez Johnny Romario 16190062

Fonseca Dueas Luigi 16190257

Curso Tema

Dispositivos Electrnicos El transistor bipolar PNP


2N3906. Caractersticas bsicas

Informe Fechas Nota

FINAL Realizacin Entrega

Nmero 15/06/17 22/06/17

Grupo Profesor

G6 Jueves 2 pm- 4 pm Ing. Luis Pareto Quispe

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 1


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

EXPERIENCIA N 6
El transistor bipolar PNP 2N3906
Caractersticas bsicas

I) TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP 2N3906.


CARACTERSTICAS BASICAS.

II) OBJETIVOS:
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento un transistor
bipolar PNP.

III) MARCO TERICO:

Transistor

Distintos encapsulados de transistores.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de


amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas,
lavarropas automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorecentes, equipos de
rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue


inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con
el Premio Nobel de Fsica en 1956.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas


artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 2


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos


pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada


de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que
circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la
"base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se
denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor,
de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia
de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como
corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor,
etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores
son emisor comn, colector comn y base comn.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,


MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin
presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre
la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la
salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja,
Placa y Ctodo.

Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran
escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias
capas superpuestas.

Tipos de transistor:

Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia,


inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en
su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un
golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el
transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. Hoy da ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar, BJT por sus siglas en ingls, se fabrica
bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 3


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de


aceptadores o "huecos" (cargas positivas), normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al indio, Aluminio o Galio y donantes N al Arsnico o Fsforo. La
configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas.

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de


dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuntico
de la unin.

Fototransistor, sensible a la radiacin electromagntica, en frecuencias


cercanas a la de la luz.
Transistor de unin unipolar.
Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin
de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido


mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET,
en el que la compuerta se asla del canal mediante un
dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS
significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la
compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.

Transistor bipolar
Regiones operativas, configuraciones

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede


ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),


colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el grfico de transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 4


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos


una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra
(emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificacin)
por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa.

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a ms corriente la curva es ms alta.

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 5


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Regiones operativas del transistor

- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de


alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base =
0 (Ib =0)

- Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del


circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
ley de Ohm.

Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo


suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms
grande. (Recordar que Ic = * Ib)

- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la


regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores


con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen
mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est conduciendo.
Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)

- Emisor comn
- Colector comn
- Base comn

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero


se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no
afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 6


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

IV) MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

1. Una Fuente de corriente continua Variable.

2. Un Multmetro.

3. Un miliampermetro y un micro ampermetro

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 7


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

4. Un Voltmetro de cc.(analgico)

7. Resistencias: 510, 1K , 51K

8. Cables cocodrilo / banano

9. Capacitores/ Condensadores:

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 8


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

10. Transistor PNP 2N3906

11. Osciloscopio digital

12. Potencimetro

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 9


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

V) PROCEDIMIENTO:
1. Verificamos el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro.
Llenamos la tabla 1.

Resistencia () ()

Base-Emisor 782 >20 M

Base-Colector 786 >20 M

Colector-Emisor >20 M >20 M

2. Armamos el siguiente circuito.

a) Medimos las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base


(Ib). Obtener el (P1=0).
b) Medimos los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-
emisor (Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocamos los datos obtenidos en la tabla 2.

Valores (R1=56 Ic Ib Vce Vbe Ve (v.)


K) (mA.) (uA.) (v.) (v.)

Tericos

Medidos 5,7 mA 30 uA 190 4,9 V 0,9 V 2,53 V

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 10


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

d) Cambiamos R1 a 68 K, repetir los pasos (a) y (b) y anotamos


los datos de la tabla 3 (por ajuste de P1).

Valores (R11=68 Ic Ib Vce Vbe Ve (v.)


K) (mA.) (uA.) (v.) (v.)

Tericos

Medidos 4,5 mA 22,5 200 7,88 V 0,9 V 1,84 V


uA

e) Aumentamos la resistencia de P1 a 100 K, 250 K, 500 K y


1M. Observamos lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con
el voltaje Vce. Llenamos la tabla 5.

P1 100 K 250 K 500 K 1 M

Ic (mA.) 0,2 0,8 0,01 0

Ib (uA.) 9 4,2 0,2 0

Vce (v.) 10,8 11,8 11,9 11,97

3. Ajustamos el generador de seales a 50 mv.pp, 1KHz, onda senoidal.


Observar la salida Vo con el osciloscopio. Completamos la tabla 4.

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

2(Q1) -------------- ------------- -------------- --------------- ------------------

3(Q2) 570 mA 9V 63,3.103 1,6 V 356,26.103

VI) CUESTIONARIO FINAL:

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin


operativa con el Ohmimetro.

Es un elemento que se comporta como una resistencia variable que depende


de una seal elctrica de control, entonces al cambiar el valor de la seal de
control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor.

= IC / IB

Conceptualmente se dice que el transistor se comporta como una fuente de


corriente controlada por corriente, es decir, una fuente de corriente que no es

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 11


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

de valor fijo, vara produciendo ms o menos corriente en la medida que hay


ms o menos corriente en la base.

Como en el transistor no se acumula carga toda la corriente que entra a l debe


salir, entonces:

IE = IC + IB = ( +1) IB

Si >> 1 IE IC

2. Representar la Recta de Carga en un Grfico Ic vs. Vce del circuito del


Experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.

(Papel milimetrado)

3. En qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tablas 2 y


3?

Q1 de la tabla 2:

Datos:

R1= 56.1K

R2= 21.77K

Re= 0.30K

Rc= 0.96K

VBE= 0. 619v

P1= 0K

= 9.6

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 12


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

VHJ = 12v x 21.77k = 12v x 21.77k = 3.355 v

56.1k + 21.77k + 0k 78.77k

Req = (P1 + R1)(R2) = (56.1k)(21.77k) = 15.68 k

P1 + R1 + R2 56.1k + 21.77k

IB = 3.355v 0.619v = 2.736v = 0.1474 mA = 147.4 A

(9.6)(300) + 15.68k 18560

Ic = x IB

Ic = 9.6(147.4 A)

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 13


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

ICQ = 1.415 mA

VEC = 12v (0.3K + 0.96 k)(1.415 mA)

VEC = 10.217 v

Corriente de saturacin VCE = 0v

Ic mx. = Vcc = 12v = 9.524 mA

Rc + Re 0.96k + 0.3K

VBC = VB VC

PERO: Vc + 12 = Ic

Rc

Vc = IcxRc 12v

Vc = (1.415 mA) (0.96k) 12v

Vc = - 10.614 v

VB (- VHJ) = IB

Req

VB = IB x Req VHJ

VB = (147.4 A)(15.68 k) 3.355v

VB = 2.329v 3.355v

VB= - 1.026 v

VBC = - 1.026 v ( - 10.614 v)

VBC = 9.588 v

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 14


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Q2 de la tabla 3:

Datos:

R1= 67.4K

R2= 21.77K

Re= 0.3K

Rc= 0.96K

VBE= 0.612v

P1= 0

= 10.78

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 15


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

VHJ = 12v x 21.77k = 12v x 21.77k = 2.930 v

67.4k + 21.77k + 0 89.77k

Req = (P1 + R1)(R2) = (67.4k)(21.77k) = 16.455 k

P1 + R1 + R2 67.4k + 21.77k

IB = 2.93v 0.612v = 2.318v = 117.731 A

(10.78)(300) + 16.455k 19.689k

Ic = x IB

Ic = 10.78(117.731 A)

ICQ = 1.269 mA

VEC = 12v (0.3K + 0.96 k)(1.269 mA)

VEC = 10.401

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 16


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Corriente de saturacin VCE = 0v

Ic mx. = Vcc = 12v = 9.524 mA

Rc + Re 0.96k + 0.3K

VBC = VB VC

PERO

Vc + 12 = Ic

Rc

Vc = IcxRc 12v

Vc = (1.269 mA) (0.96k) 12v

Vc = - 10.782 v

VB (- VHJ) = IB

Req

VB = IB x Req VHJ

VB = (117.731 A)( 16.455k )


2.93v

VB = 1.937v 2.93v

VB= - 0.993 v

VBC = - 2.28 v ( - 10.782 v)

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 17


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

VBC = 8.502 v

4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120K


?

= 18.51 Vth = 1.859V = 75

+ 1.8590.6
= = 18.51 = 3.21
+ +330
75 75

= ( + ) = 12 3.21 1330 = 7.307

Se acerca ms al punto de corte.

El resultado del voltaje sale positivo ya que se tom la malla en direccin del
desplazamiento de la corriente.

5. Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 4.

Tenemos los siguientes casos:

Sin carga:

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 18


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Con carga:

Como podemos ver en las imgenes la seal se amplifica cuando el circuito


esta con carga, siendo la frecuencia la misma, asi mismo de los datos
experimentales obtenemos que el voltaje de salida sin carga es de 1.8v ,
cuando es con carga tenemos 9v. Esta amplificacion lo podemos constatar
con la relacion Av obtenidos del experimento:

Sin Carga:

1.8
= = 3.1579
570 103

Con carga:

9
= = 15.78
570 103

Obteniendo asi la siguiente tabla:

Tabla 4

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(Sin Ce)

3(Q2) 570 mv 9v 15.7895 1.8 v 3.1579

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 19


Universidad Nacional Mayor de San Marcos

VII) CONCLUSIONES:
Se concluye que la seal de voltaje de salida se amplifica, es decir,
aumenta cuando el circuito esta con carga.
La variacin del potencimetro genera cambios en la ganancia de
corriente y voltaje.
Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia pero
disminuye la estabilidad en un amplificador.
Se busca tener una buena ganancia y estabilidad.

VIII) BIBLIOGRAFA:

Gua para mediciones electrnicas y prcticas de laboratorio. Stanley


Wolf y Richard Smith.
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10 Edicin
Robert L. Boylestad& Louis Nashelsky.
ELECTRONICA INTEGRADA (9 ED.) JACOB MILLMAN; CHRISTOS
C. HALKIAS , EDITORIAL HISPANO EUROPEA, S.A., 1991

Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y de Telecomunicaciones Pgina 20

Potrebbero piacerti anche