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LaboratoriodiFisicaIII

SimoneBolognini
AnnoAccademico2011/2012

1.INTRODUZIONE

1.1 DEFINZIONIPRELIMINARI
Quandoparliamodisegnalielettrici,ciriferiamoingeneralealleseguentiquantit:

Corrente elettrica: , oppure . La corrente rappresenta il rate di flusso di carica

elettricaattraversounpunto.
Tensione: . La tensione tra due punti il costo energetico (lavoro svolto)

richiestopermuovereununitpositivadicaricadalpotenzialeminorealpotenzialemaggiore.

1.2 CONVENZIONIEDELEMENTICIRCUITALI
Traglielementicircuitalipossiamodistinguereduecategorie:
Elementiattivi:sonoelementicircuitalichegeneranoenergia(batterie,transistor);
Elementipassivi:sonoelementicircuitalichedissipanooimmagazzinanoenergia(condensatori,
resistenze).
Chiameremoterminaliipuntidiingressoeduscitadellacorrenteperunelementocircuitale.Adesempio,
laresistenzauncomponenteadueterminali.Perquantoconcerneelementiattiviepassivi
adotteremoleseguenticonvenzioni:
Inunelementoattivoadueterminali,ilpolopositivoilpolodacui
escecorrentepositiva;
Inunelementopassivoadueterminali,ilpolopositivo,invece,quello
associatoallingressodiunacorrentepositiva.
Elenchiamooraemostriamoisimbolicircuitalidituttiipossibilielementidicircuitilineari:
Resistenza

Sorgenteidealeditensione

Sorgenterealeditensione
Mentre la sorgente ideale di tensione fornisce una fem indipendente dalla
corrente(dunquedallapresenzadicarichi),lasorgenterealeditensionefornisce
una fem dipendente dalla corrente, proprio a causa dellesistenza di un carico
interno. Una sorgente ideale di corrente, invece, viene rappresentata con una
freccia(indicaladirezionediI)contenutainuncerchietto.

Cortocircuito indicaunasituazioneincui ;dettointerminipipratici:non


cnessunacadutadipotenzialeaicapidiuncortocircuito.

Circuitoaperto attraversouncircuitoapertononpassacorrente

Interruttore
Nodo:puntodigiunzionetradueopiterminali.Selotra2,dettonodosecondario.

Ramo:

Magliachiusa

Percorsochiusoattraversocuipupassareunacorrente.Tuttiiloop
nellimmaginecorrispondonoadunasingolamaglia.

Condensatore

Induttanza

2.RESISTENZE

2.1 LEGGEDIOHM
Laresistenzaunaquantitchedipendedallaresistivitdelconduttore(linversodellasuaconducibilit,
ovverodellasuatendenzaalpermetterelospostamentodielettroni)edallesuecaratteristiche
geometriche:

dove rappresentalasezionedelconduttorea fissato.Siha,ingeneraleche:


Resistivit[ ]
Metalli
Isolanti
Semiconduttori
Sinotachelacorrenteattraversounconduttoremetallicoproporzionalealladifferenzadipotenzialeai
capi di questo. Questa non certamente una legge universale: ad esempio, la corrente attraverso una
lampadina(nellospecifico,attraversoilfilamentoditungstenoinessa)nonmostratalecomportamento.In
ogni caso, questa legge descrive il comportamento di una grande classe di conduttori, detti ohmici.
Dunque,seunconduttoreohmico,siavr

dettaleggediOhm.ChiameremocaratteristicaIVdiunconduttoreilgraficochemostrailcomportamento
dellacorrenteinfunzionedelpotenzialediquellospecificoconduttore.Adesempio,lacaratteristicaIVdi
un componente ohmico rappresentata da una retta con pendenza positiva passante per lorigine: il
coefficienteangolareditaleretta,secondolaleggediOhm,corrispondeallaresistenza.
Lapotenzadissipatadauncomponentecircuitaledatacome:

dettaleggediJoule.Peruncomponenteohmico,sonovereancheleseguentiuguaglianze:

Nellapraticaelettronica,sihannoresistenzeconvaloricompresitra e .Iresistorisonoinoltre
caratterizzatidaquantapotenzapossonodissiparesenzadanneggiarsi(lepicomunidissipanoalmassimo
1/4W), e da altri parametri quali la tolleranza (accuratezza), il coefficiente di temperatura (indice che

misura la tendenza della resistivit a variare con la temperatura), rumore, il coefficiente di voltaggio
(misuraladipendenzadiRdallacadutadipotenzialeaisuoicapi),stabilitneltempo,induttanzaecc.

2.2 SERIEEPARALLELO
Verifichiamochelaresistenzacomplessivadatada resistenzeinserie
equivalenteallasommadellesingoleresistenze:

Di conseguenza, le due resistenze in serie possono essere rappresentate
comeunasingolaresistenzaequivalentedivalore .

Perquantoriguardadueresistenzeinparallelo,invece,verifichiamochela
resistenzacomplessivadatada resistenzeinparalleloequivalenteal
reciproco della somma dei reciproci delle singole resistenze (viene
sottointesolutilizzodellaprimaleggediKirchhoff):

Diconseguenza

Mettendo due resistori in parallelo si otterr sempre una resistenza pi piccola della minore delle due.
Inoltre, da notare che un parallelo tra una resistenza molto grande ed una molto piccola circa

equivalenteallaresistenzaminore.Infatti: .Vediamooraunesempio
diapplicazione;ricaviamolapotenzadissipatadalseguentecircuito:

2.3 PARTITORI
Unimportanteapplicazionediquestirisultatirisiede,oltrechenellasemplificazione
dellanalisi di circuiti resistivi, nei partitori di tensione e di corrente, circuiti che,
datouncertoinputditensione,produconounoutputprevedibilechecorrisponde
adunafrazionedellatensionediinput.Fissata ,aquantoequivale ?Siha:

(perlaleggediOhm,consideranochealluscitanonvisiauncarico)

Notiamochelatensioneinuscitasempreminoreugualedellatensioneinentrata,poichsemprevero
che e . I partitori di tensione sono spesso utilizzati nei
circuitipergenerareunparticolarevoltaggiodaunofissato(ovariabile)pialto.

Ilpartitoredicorrente,invece,utilizzatopercalcolarelacorrentechescorre
attraverso una resistenza in un parallelo. equivale a (dando per
implicitalaprimaleggediKirchhoff):

3.ANALISIDICIRCUITI

3.1LEGGIDIKIRCHHOFF
LedueleggidiKirchhoffsonoilprimostrumentoutileperlanalisidicircuitiresistivi.Questeaffermano:
PRIMA LEGGE: , ovvero la somma algebrica delle correnti entranti e uscenti dallo
stessonodonulla;
SECONDALEGGE: ,ovverolasommaalgebricadelletensioniinunamaglia.
Comeprocediamoperlanalisidicircuititramitelesuddetteleggi?
1. Assegniamoadogniresistenzaunacorrente;
2. Troviamolapolarit;
3. Ricaviamoequazionipertantinodi/magliechiusequantesonoleincognitedelproblema.
UnaltrapossibilitdeltuttoequivalentequelladiutilizzareilmetododiMaxwell,ovverointroduciamo
delle correnti fittizie che percorrono ogni maglia chiusa. Prendiamo ad
esempio il circuito nellimmagine: notiamo che sono presenti due resistenze
edungeneratoreidealeditensione.Dunqueassegniamoallamagliadisinistra
una corrente e alla maglia di destra una corrente . Scriviamo
unequazioneperognimaglia:

3.2PONTEDIWHEATSTONE
Il ponte di Wheatstone un dispositivo utilizzato per misurare con
precisioneilvalorediunaresistenzaelettrica.Diremocheilponte
bilanciato quando la corrente passante attraverso la resistenza
centrale nulla. Vediamo come ricavare le correnti passanti
attraversociascunaresistenza:

IA (R3 R1 ) + IB R1 + IC R3 = V

IA R1 IB (R1 + R2 + R5 ) + IC R5 = 0
I R I R + I (R + R + R ) = 0
A 3 B 5 C 3 4 5

Possiamoutilizzare,perottenerelasoluzione,ilmetododiCramer,secondocui:

Definendo lamatricedeicoefficienti,sihachelesoluzionidelsistemasono:

Lacorrenteattraverso datada

Dunque il ponte bilanciato secondo la suddetta condizione sulle resistenze. Questo ci permette di
utilizzareilpontecomeunostrumentoutileperottenereilvalorediunaresistenza:infatti,sostituendoalla
resistenzacentraleunamperometro,einserendounaresistenza incognitaalposto,adesempio,della
resistenza ,possiamoandarearegolareilvalorediunaresistenzaascelta(adesempioattraversouna
decade)possiamoricavare comerapporto .

3.3CIRCUITOEQUIVALENTEDITHEVENIN
Epossibile,inviadeltuttogenerale,semplificarelanalisidiun
circuito resistivo attraverso lintroduzione di un circuito
equivalente: si andranno a perdere i dettagli dello schema
circuitale,masiguadagnerinpraticit.IlteoremadiThevenin


affermaariguardoche:ogniretediresistenzeebatteriecondueterminalidiuscitapuesseresostituitada
unacombinazioneinseriediunabatteriaequivalenteedunaresistenzaequivalente.
Secondoquestoteorema,dunque,possiamovedereilpontediWheatstonecomeunaseriediunabatteria
equivalenteedunaresistenzaequivalenteconlaresistenza .

Per bilanciare il ponte, imponiamo che la corrente passante per il circuito equivalente (e di

conseguenza per la resistenza ) sia nulla: .

Lunico modo perch questo sia vero, che la batteria equivalente


del circuito fornisca una tensione nulla. Si ha che la batteria
equivalentecorrispondeallatensionemisurataacircuitoaperto,ovveroaprendo
il circuito in corrispondenzadella resistenza (notiamocheirami e
sonopartitori):

equindiotteniamonuovamente
Laresistenzaequivalente,invece,corrispondeallaresistenzachemisuriamoquandotuttelebatteriesono
cortocircuitate:
otteniamoallorachelaresistenzaequivalentelaseriedeidueparalleli
mostratiinfigura:

PrendiamoorauncircuitogenericoericaviamoilcircuitoequivalentediThevenin:
la batteria equivalente semplicemente ottenibile attraverso il

partitoreditensione: ;

la resistenza equivalente ottenibile, invece, cortocircuitando la


batteriaepercorrendoilcircuitodaAaB:conseguentementesiha

che ,cioilparallelodelledueresistenze.

3.4CIRCUITOEQUIVALENTEDINORTON
Enunciamo ora il teorema di Norton: ogniqualvolta che ho una rete di resistenze e batterie con due
terminali in uscita, posso sostituirla con un parallelo tra una sorgente di corrente equivalente ed una
resistenzaequivalente.
La corrente equivalente corrisponder alla corrente di
cortocircuitoneiterminaliquandolaresistenzadicarico
zero. La resistenza equivalente, invece, corrisponde a
quella del teorema di Thevenin. Per ricavare la corrente
equivalente, risolviamo il circuito come se , e
sostituiamosoloinfinelarichiesta .Dunque:

siccome sihache .Per ,quindi

IteoremidiNortoneTheveninsonocollegati,infatti:

Ricordiamoinoltreunaltrorisultatoimportanteperlanalisideicircuiti,dettoteoremadisovrapposizione:
seinuncircuitoagisconodeigeneratori,simultaneamenteoinmomentidifferenti,nellostessopuntooin
puntidifferenti,lacorrentetotaleprodottainunramolasommadellecorrentichesarebberoprodottedai
singoligeneratoriagentiisolatamente.

3.5MASSAETERRA
Quando costruisco un circuito, indispensabile scegliere un punto comune a tutti i
dispositivi che corrisponda allo zero del potenziale: la terra. Mettere a terra equivale a
connetterefisicamenteilcircuitoallasuperficiedelpianetaattraversouncircuitoditerra
dedicato (a bassa resistenza), che provvede a connettere a terra tutti i circuiti ad esso
connessiattraversodeipuntaliimpiantatinelsuolo.Distinguiamoleseguentisituazioni:
sonoconnessoaterraquandosonofisicamenteconnessoalterreno;
sonoconnessoamassaquandosonoconnessoadunaspecificapartedelcircuitoacuiriferitolo
zerodelpotenziale.
Se un circuito deliberatamente sconnesso da terra si dice flottante. La connessione a terra
fondamentaleperdueragioniinparticolare:
SICUREZZA: supponiamo che uno strumento connesso ad un elevato potenziale sia ricoperto da
materialeisolantecheunutentedovrebbeessereliberodipotertoccare(adesempioperragionidi
manutenzione). Se il materiale isolante (o il dispositivo stesso) non viene connesso a terra, un
dannoallinvolucropotrebbegenerareunpotenzialetralostrumentoelasuperficiedellisolante,
chepotrebbeesserecortocircuitatodallebracciadelutente.
RUMORE:uncircuitononconnessoaterrapotrebbepescaredeirumoridifondoindottidadeboli
variazioniditensionenellarete.
Ancheglistrumentidimisurasonoalorovoltaconnessiaterra.Questopotrebbe,ingenerale,procurare
deidisaginellemisurazioni,nonostantesiaindubbiamentefondamentaleperunutenzasicura.Analizziamo
ilseguenteesempio.
Connettendo il volmetro nella maniera in figura (con la presa
connessaaBaterra)sicortocircuiterilparalleloaterra,poich
hoportatolaresistenza apotenziale0,edunquelaletturadi
caduta di potenziale non sar corretta. Possiamo ovviare al
problemainduemodi:
Uso lo strumento sollevato da terra: una via rischiosa
daunpuntodivistadellasicurezza;
Faccio una misura differenziale, cio misuro
singolarmente e esiavr

4.DESCRIZIONEDISEGNALItDIPENDENTI

4.1GENERALITA
Diamoalcunedefinizionipreliminari:
SegnaleDC:unsegnaleditensionecostante;
SegnaleAC:unsegnaleditensionechevarianeltempo.
Adesempiounsegnaledeltipo unsegnaleACformatodaunacomponentevariabile
edunacostanteneltempo.
Segnale periodico: segnale la cui forma donda si riproduce uguale a se stessa dopo un certo
intervalloditempo,dettoperiodo.
Un risultato di fondamentale applicazione nellanalisi di segnali il teorema di Fourier: ogni segnale
periodico pu essere scritto come somma di segnali sinusoidali. Possiamo scrivere un segnale sinusoidale
come:


doveA0rappresentalampiezzadelsegnale,wlapulsazioneelafasedellonda,chedeterminalanticipo
oilritardodifasediduesegnaliunorispettoallaltro(intalcasoisegnalisidirannosfasati).Definiamoil
segnalemediocomelamediaintegralesulsegnale:

mentreilvaloreefficacediunsegnaleperiodicodatocome

Prendiamoadesempiounsegnale .Ilsuovalore corrispondealvaloredi


unacorrentecostantechefapassare neltempoT.Piingenerale,possiamointerpretaretalevalore
comeunsegnalecostantecheforniscelastessapotenzadelsegnaleperiodicoconsiderato.
Chiameremo tensione piccopicco lintervallo di valori entro il quale il mio segnale sta variando. Ad
esempio,consideriamoilsegnaleditensionestandardeuropeo:


Quindiilsegnalepuesserescrittocome ,dunquelatensionepiccopiccoequivarra
.

4.2FORMEDONDA
SINUSOIDALE
;
;


RETTIFICATAAMEZZONDA




RETTIFICATA

TRIANGOLARE




4.3DECIBEL
Perilconfrontotraintensit,definiamounanuovaunitdimisura:ildecibel

Perilconfrontotrapotenzeutilizziamolastessaunitdimisuramadefinitadiversamente:

Ilmotivodiquestadifferenzarisiedenelfattoche .

4.4IMPEDENZA:INTRODUZIONE
La particolarit dei circuiti lineari risiede nella seguente fondamentale asserzione: loutput di un circuito
lineare, alimentato da unonda sinusoidale ad una certa frequenza, risulta essere esso stesso unonda
sinusoidale con la stessa frequenza ma, in generale, con diversa ampiezza e fase. Grazie a questa
peculiarit, nello studio di circuiti lineari conveniente analizzare come il voltaggio di output dipenda da
quellodiinput.Perfarlo,introduciamoilconcettodiimpedenza,chegeneralizzalaresistenzaperelementi
capacitiviedinduttivi,come:

doveilunitcomplessa,Rlaresistenza(rendecontodelladipendenzadallapulsazione)eXlareattanza
(indicedicorrompimentodellonda).
Supponiamo che un segnale del tipo costituisca linput di un circuito lineare. Ogni

componente , per il teorema di Fourier, sinusoidale e siccome i circuiti lineari non mescolano le
frequenze, se conosco la risposta del mio circuito (ovvero il segnale di output) per una data frequenza,
conoscerlarispostaperqualsiasisegnaleiningresso.Sesupponiamocheilsegnaleinuscitasiadeltipo
,siavrchetaleinformazionedatadallafunzioneditrasferimento:

ovvero posso conoscere il segnale in uscita a partire dalle modifiche delle componenti del segnale
dingresso.
Partiamodefinendoiconcettidiimpedenzadingressoedimpedenzaduscita.Datouncircuitocomposto
da due blocchi A e B, limpedenza dingresso del
blocco B quel valore dimpedenza che posso
sostituireaBottenendounfunzionamentoanalogodi
A. Limportanza di questo concetto risiede nel fatto
chesiamointeressatiacostruireblocchicircuitalichepossanoesserecollegatitralorosenzachequestisi
influenzinolunlaltromodificandonereciprocamenteilfunzionamento.Definiamoallora:

Nelcasodiunpartitoreditensione,sihache

Ci significa che se vogliamo connettere un partitore di tensione ad un


altro blocco circuitale, ci sar utile sapere che la sua impedenza
dingressoequivalea .Infatti,seilcircuitopresentauncaricoRe
vogliamo che il comportamento di tale circuito non venga influenzato
dalla connessione in serie del partitore, dovremo fare in modo che

. Infatti: , ovvero la connessione del partitore trasparente al

segnaledelgeneratore.
Limpedenza di uscita, invece, il valore dimpedenza che, da utente, osservo nel
circuitochemifornisceilsegnale.Definiamoallora:

dove rappresenta la tensione a terminali aperti e la corrente a terminali cortocircuitati. In


manierapiimmediata,per,sihache

Siccomeanchenellesempioprecedentesiavevachelaresistenzaconsiderata(nonlimpedenzadingresso)
coincidevaconlaresistenzaequivalentediThevenin,possiamoasserirechese verificato,il
circuitodicaricononmodificailsegnaledelcircuitosorgente.

5.ELEMENTICIRCUITALILINEARI
SonoelementilinearituttiqueglielementicircuitalipercuiesisteunarelazionediproporzionalittraVela
grandezzachelidescrive.Ladomandacheciponiamoinquestasezione:comereagisceilmioelemento
adunavariazionedifrequenzadelmiosegnale?Possiamoapprocciareallarispostainduemodi:
ANALISIINREGIMESTAZIONARIO:osserviamounavariazionecostanteneltempo;

ANALISI TRANSIENTE: osserviamo la risposta dellelemento nellistante in cui il segnale fatto


variare.
Inquestasezionecioccuperemodellarispostatransientedicondensatorieinduttanze.

5.1CONDENSATORI
Il condensatore un elemento lineare poich la grandezza che lo descrive, la capacit, inversamente
proporzionalealpotenziale:

doveQlacaricapostasullearmature.Inuncondensatore,leduearmaturesonoisolatedaunostratodi
dielettrico: di conseguenza, le cariche non possono spostarsi da unarmatura allaltra. Analizziamo,
preliminarmente,leconfigurazionidicondensatoriinserieeinparallelo.
PARALLELO:

Quindi

SERIE:

Quindi

Analizziamolecaratteristichedelcondensatore:derivandolasuaequazionedescrittivaotteniamoche

Questo significa che, ogniqualvolta il segnale in entrata costante attraverso il condensatore non passa
corrente. Il condensatore viene perci utilizzato come filtro per segnali DC: immaginiamo di avere un
segnale AC in ingresso del tipo ; il segnale in uscita dal condensatore sar privato
della componente DC. Immaginiamo adesso di
voler scaricare un condensatore carico di
capacitCsuunresistorediresistenzaR:

Questalequazionechedescrivelascaricadiuncondensatoresuunaresistenza. dettacostantedi
tempodelcircuito.Possiamoaquestopuntoricavarealtrequantitcaratteristiche:


Notiamochetuttelequantitcaratteristichedecadonoesponenzialmente.Inoltre,
ingeneralesisupponecheilsegnaleinuscitadalcondensatoresiannullipertempi
maggioridi .

Siamo ora interessati, invece, ad analizzare il comportamento transiente del


condensatorenellafasedicarica,ovverostudiareladifferenzadipotenzialeaicapi

del condensatore in funzione del tempo necessario alla carica.


Supponiamo quindi che a si abbia . E vero che
,diconseguenza

, e inoltre

Per le

condizioniiniziali ,quindi e

Osserviamocheper siha ,ediconseguenza,nonessendociunacadutadipotenzialeai

capidelcondensatorelacorrentedeveannullarsi.Infatti:

Questultimo risultato implica inoltre che, appena connesso il condensatore al circuito, ho il massimo di
correntecheloattraversa.
Analizziamoorailcircuitoinfigura.Siamointeressatiarisolvereil
problemaaisolicapidelcondensatore,quindipossiamoutilizzare
il teorema di Thevenin e ricavare dal circuito equivalente la
costanteditempodelcircuito.Quindi:

cortocircuitandolebatterie

costanteditempo

Potremmo,inviadeltuttogenerale,provarearisolvereanche
circuiti pi complicati scrivendo lequazione differenziale e
provandoadottenerelasoluzione.Nellamaggiorpartedeicasi
nonnevalelapena:infatti,comeabbiamoappenavisto,infatti,
sufficienteridurreilcircuitoalsuoequivalentediThevenine
rcavare tensione e resistenza equivalenti. Analizziamo il
comportamento delloutput di un condensatore quando il
segnale dingresso corrisponde ad unonda quadra. Ovviamente londa quadra verr distorta dal
generatore,precisamentecomeinfigura.
Attraversoicondensatoripossibilecostruireduetipidicircuitiinteressanti:
CIRCUITIDERIVATORI:circuiticherestituisconocomeoutputladerivatadelsegnalediinput;
CIRCUITIINTEGRATORI:circuiticherestituisconocomeoutputlintegraledelsegnalediinput.
Nelcircuitoinfigurasihache:


Se R e C sono piccole rispetto alle variazioni temporali del segnale
dingresso,ovveroabbiamo piccole,varrlapprossimazione:

econseguentemente ,ovveroilcircuitofungedaderivatore.


I grafici di fianco mostrano che
ogniqualvolta si presentano
degli spikes (ovvero degli
impulsi) indice della presenza
di un accoppiamento capacitivo,
e quindi di rumori di fondo (ad
esempio, acuti di un
altoparlante)

Analizziamoorailseguentecircuito:

SeReCsonomoltograndi,inmodotalechelacorrenterisultimolto
piccola, vale lapprossimazione . Di conseguenza

Dunqueilcircuitosicomportacomeunintegratore.

5.2INDUTTANZE
Uninduttanzaunelementocircuitalelinearecherisponde,opponendosi,avariazionidicorrente.Inoltre
risulta anche un serbatoio di energia sottoforma di energia magnetica. La grandezza che descrive questo
componentedettainduttanzaedequivalea:

Scriviamolequazionedelcircuito:


Comecondizioneinizialesiha

Possiamo dunque notare dal grafico come linduttanza si opponga alle


bruschevariazionidicorrente:infatti,selinduttanzanoncifosse,ilgrafico
mostrerebbeunarettaverticalefinoalvaloredi esuccessivamenteun
andamentocostanteconquestovaloredicorrente.
Se,unavoltacaricatalinduttanza,spostiamoilcommutatoreinposizione2,
si avr che lenergia immagazzinata dallinduttanza impedir alla corrente di diminuire bruscamente, ma
anzilacostringeradecrescereconunacostanteditempo .Quindi:

ecomecondizioneiniziale

Da questi ultimi risultati possiamo trarre unimportante conclusione che riguarda i circuiti induttivi: se
vogliamo spegnere lalimentazione di un circuito induttivo con induttanza , si avr che linduttanza
percepirunabruscavariazionedicorrente,ediconseguenza e,ovviamente,anche .
Questo porter alla rottura della rigidit dielettrica dellinterruttore e al danneggiamento del circuito. Di
conseguenza, sar necessario, prima di spegnere lalimentazione, scaricare linduttanza in modo che la
correntecircolantenelcircuitorisultinulla.

5.3TRASFORMATORI
Un trasformatore un apparecchio che
consistediduebobinearrotolateintornoad
un anello di materiale ferromagnetico
quadrato o toroidale. Una variazione di
flusso magnetico nella prima bobina
(ottenuta attraverso lapplicazione, ad
esempio, di un segnale sinusoidale) si traduce in una tensione ai capi anche della seconda bobina. I
trasformatorivengonousatiper3scopiprincipali:
1. Variazionedellatensionedaunaporzionedicircuitoadunaltro;
2. Adattamentodelleimpedenze;
3. Isolamentoelettrico.
1.Entrambeletensionisonoproporzionalialnumerodiavvolgimentidellebobine,esiavrche:

Quanto appena ricavato ci mostra come un trasformatore possa essere usato come amplificatore di
tensione,manondipotenza.Infatti

2. Calcoliamolimpedenzadingressodeltrasformatoreinfunzionedella
resistenzadicarico:

Quindi,peradattareleimpedenzesarsufficienterendereilrapporto
abbastanzagrande,adesempiougualea10,eavremoadattatoleimpedenze.
3. Il trasformatore isola elettricamente il circuito primario dal circuito secondario: infatti questi sono
accoppiatimedianteuncampomagnetico,nonattraversounpassaggiodicorrente.Questomipermette,
ad esempio, di evitare loop di massa (situazione che si manifesta quando, collegando due circuiti, si
presentanopipuntidimassa).
Uninteressante conformazione del trasformatore il
cosiddettocentertappedtransformer,doveisegnalinei
carichiarrivanosfasatidi180enellaparteinferioredel
circuitosembrachelacorrentearrividalbasso.

6.LASICUREZZAINLABORATORIO
Lentit del pericolo causato da una scossa commisurato alla corrente, e non solo dalla differenza di
potenziale.Sihache:
15mA Nonpericolose
>10mA Possonocausarecontrazioneinvolontariadeimuscolieperditadicontrollo
>100mA Lacorrenteinterferisceconilbattitodelcuore,sihafibrillazioneesirischialamorte
>300mA Contrazionedelmuscolocardiaco,blocchidirespirazione
Sempre Bruciatureestese
Latensionenecessariaperchunlivellodicorrentefatalescorranelcorpoumanodipendedallaresistenza
di contatto con la pelle, la quale varia a seconda dellumidit della stessa. Infatti, alla pelle bagnata
corrisponde una resistenza di , mentre a quella asciutta di . Inoltre, la resistenza della pelle
diminuisce rapidamente una volta che della corrente comincia a scorrervi, in quanto lo strato protettivo
superficiale viene rotto. Di conseguenza, nel caso di una scossa necessario staccare rapidamente la
vittimadallascarica,poichilpotenzialerimarrcostante,maacausadelladiminuzionedellaresistenza,la
correntealinternodelcorpoaumenter.
Vediamoqualisonoglistrumentiutilizzatinegliimpiantiperaumentarnelasicurezza:
PRESEELETTRICHECASALINGHE:lepreseelettrichesonostudiateinmanierataledamassimizzare
il livello di sicurezza. Infatti queste sono dotate di 3 connessioni, una detta fase (al potenziale di
220V), laltra detta neutro (che risulta a terra nella cabina dei trasformatori, ma non per forza in
loco)elultimaconnessadirettamenteaterra.Ingeneralesiavrche ,mentre
;
INTERRUTTORE MAGNETOTERMICO: varie apparecchiature casalinghe, a causa di guasti,
potrebbero richiedere correnti molto pi elevate che potrebbero danneggiare lapparecchio e
lutente. Ad esempio, nel caso di cortocircuito, le correnti divengono elevatissime e risulta
necessario un breve tempo dintervento. Linterruttore magnetotermico un componente
formatodaunapartetermica(fusibile)edunamagnetica(interruttoredifferenziale).
FUSIBILE:
composto un involucro in cui inserito un filo altamente
suscettibile agli aumenti di corrente: infatti i fusibili hanno
una tolleranza fissata di n Ampre, e il filo si brucia quando
questo valore in corrente viene superato. In ogni caso, questo dispositivo non interviene con
rapidit.
INTERRUTTOREDIFFERENZIALE:
Consideriamo lapparecchiatura da
proteggere come un elemento monofase
(come in tutte le case italiane). In quanto
monofase,lacorrenteinuscitadeveessere
uguale alla corrente in entrata: questo il
principio su cui lavora linterruttore
differenziale. Se l'isolamento
dell'apparecchiatura connessa all'impianto
siguasta,possibilechevengaacrearsiuncollegamentopiomenoefficacetralalineaelettricaela
carcassa metallica, la quale pu diventare causa difolgorazione,se toccata. Se il collegamento
precario possibile anche che si produca calore pereffetto Joulecon conseguente sviluppo di un
incendio. Poich nelle centrali di distribuzione dellarete elettricae nellecabine di
trasformazionemedia tensione/bassa tensione il punto neutro collegato aterra, qualunque
collegamentotraunafasedellalineaelettricaeterrasubisceunpassaggiodicorrente.Questacorrente
si disperde a terra e non ritorna attraverso l'interruttore differenziale a monte dell'impianto, il quale

rivelachelasommadellecorrentiinuscitaeinentratanonpinullaedintervieneaprendoilcircuito
elettrico. Per evitare che sia uncorpo umanoa realizzare il ponte faseterra e agevolare il lavoro
dell'interruttore differenziale necessariochegliapparecchiconcarcassametallica sianocollegati ad
unadeguatoimpiantodimessaaterra.Siparla,inquestocaso,diprotezionecontroicontattiindiretti.
Linterruttoredifferenzialenonscattaselimpiantovienecortocircuitatodaunutenteconipiediisolati
da terra o se allinterno del circuito presente un trasformatore, poich questo disaccoppia
elettricamenteleduepartidicircuitoconnesse.

7.FILTRI

7.1IMPEDENZEDICONDENSATORIEINDUTTANZE
Utilizzeremodaorinpoilaseguentenotazione:
Tensioni e correnti verranno rappresentate da quantit complesse, ovvero:
;
Correnti e tensioni reali verranno ricavate moltiplicando la loro forma complessa per e
prendendonelapartereale: .

Siricordichelafasedefinitacome

Ad esempio, se , allora
Siamo pronti per ricavare limpedenza di un condensatore: consideriamo inizialmente il fatto che

, e siccome si ha che . Questo

certamente uguale, in notazione complessa, a . Di conseguenza

. Similmente per uninduttanza otteniamo

eperunaresistenza .Possiamoosservareche:

Uncircuitochecontienesolocapacitorieinduttanzeavrsempreuninduttanzapuramenteimmaginaria:
questo significa che tensione e corrente saranno sempre sfasati di 90. Con questa notazione e questi
risultatipossiamoscriverelaleggediOhmgeneralizzata:

Serie e paralleli di impedenze rispettano le stesse regole delle resistenze, e inoltre per lanalisi di circuiti
valgonoancoraleleggidiKirchhoffpercorrentietensionicomplesse.

7.2POTENZANEICIRCUITIREATTIVI
Lapotenzaistantaneafornitadaunqualsiasielementocircuitalesempredatada .Daltrapartein
un circuito reattivo, dove I e V non sono proporzionali, si possono verificare comportamenti anomali.
Dunque,alpostodellapotenzaistantanea,preferibileutilizzarecomeparametrolapotenzamedia:

doveVedIsonoleampiezzecomplesseeV*eI*sonoilorocomplessiconiugati.Consideriamoilseguente
esempio:quantovalelapotenzamediadelcircuitoinfigura?Supponiamoche
ilgeneratoreforniscaunatensionedi Utilizzandoladefinizioneela
leggediOhmgeneralizzataotteniamoche:

Prendiamo un altro esempio: in questo caso il generatore fornisce una


tensionedi .Siha,allora:

Diconseguenza dove cioilfattoredipotenza.In

questo caso , e il fattore di potenza rappresenta il coseno dellangolo

compresotralatensioneelacorrente:sequestominoredi1(ciolangolodisfasamentomaggioredi
0)indicachequalchecomponentedelcircuitoreattiva.

7.3PARTITOREDITENSIONEGENERALIZZATO
Costruiamouncircuitodiquestotipo,moltosimileadunpartitoreditensione,ma
senzasupporrenullasullanaturadelleimpedenze.Latensionedioutputequivale
a:

LapplicazionediquestorisultatosarutilenellostudiodeifiltriRC,chesonoloscopodiquestocapitolo.

7.4FILTROPASSAALTO
Analizziamo il comportamento del circuito
ricavandolasuafunzioneditrasferimento:

Analizziamoilcomportamentoallimitedellafunzioneditrasferimento:


Questo significa che per basse frequenze il segnale in uscita viene annullato, mentre per alte frequenze
( ) approssimativamente uguale al segnale di input. Inoltre, segnali DC (quindi a pulsazione
nulla) vengono azzerati (utilizzo del condensatore come blocking capacitor). Vediamo ora come si
comportalafasedelsegnaleinuscita:

sempre maggiore di 0, di conseguenza la fase delloutput


maggioredellafasedellinput: inanticiporispettoa .
Definiamo la frequenza di taglio (o pulsazione di taglio ) come quel valore tale per cui la

funzioneditrasferimentougualea .Questocorrispondeadunafasedi ,esihache,perun


filtro passa alto, e . I valori appena menzionati sono indicati come 3dB
poich il filtro, a tale frequenze, attenua il segnale di circa 3dB. Per quanto riguarda le impedenze
dingressoediuscitasiha:
(perlimpedenzadingressoosservoilcircuitodacaricoin ) (minima);
(perlimpedenzaduscitaconsiderolequivalentediThevenin) (massima).

7.5FILTROPASSABASSO
Come prima, analizziamo il circuito attraverso la sua
funzioneditrasferimento:

analogamente

Quindi

Dunque il filtro si comporta (dal nome) come passa basso, ovvero


permette soltanto alle basse frequenze di passare, mentre le alte
frequenze vengono bloccate. Anche in questo caso, il valore della
pulsazione di taglio corrisponde a . Vediamo come si
comportainvecelafasedelloutput:

Dunqueinquestocaso
loutput in ritardo
rispettoallinput.
Perquantoriguardalastimadellimpedenzadiingressoedi
uscita,notiamofindasubitocheperquestionidisimmetria
tali impedenze corrispondono a quelle del filtro passaalto.
Conilcalcoloesplicitosipu,inognicaso,verificare,come
vienemostratoinfigura.
Prendiamo ora il seguente problema: supponiamo di avere
un segnale da 1kHz disturbato dalla sovrapposizione di un
segnale da 16kHz. Vogliamo costruire un filtro che
restituiscailsegnaleripulitodalnoise.Operiamoinquestamaniera:
Innanzituttoilsegnaleacuisiamointeressatiafrequenzaminorerispettoaquellodelrumore,si
conseguenzailfiltrodautilizzaresarunpassabasso;
Connettiamo al circuito filtrante una resistenza molto maggiore di quella utilizzata nel filtro, in
mododaadattareleimpedenze: .Quindisesupponiamocheilfiltrosiastato
costruitoconunaresistenzada ,utilizzeremoragionevolmenteuncaricoda
Scegliamo una frequenza di taglio compresa tra il segnale ed il rumore (ma molto pi vicina al
segnale)inmododaeliminaresoltantoilnoise:unafrequenzaragionevolepotrebbeessere2kHz.
Fissatatalefrequenzapossiamodimensionareilcapacitore: .
Siccome possiamo conoscere di quanto il rumore verr attenuato:

7.6FILTROPASSABANDA
Nuovamente,andiamoacalcolarelafunzioneditrasferimentodelfiltro:


Attraversoilcalcolodiquestaimpedenza,abbiamoridotto
lo studio del circuito allo studio di un partitore
generalizzato,identicoaiprecedenti.

Si ha che e che

Definiamoallora esiavrche

Acausadelcomportamentodifferentediinduttoriecapacitori,limpedenzadelparallelovaadinfinitoper
il valore di frequenza di risonanza di , dando in
quelpuntounpiccoinrisposta.Diconseguenza

, siccome e

una frequenza negativa non un risultato fisico, prendiamo solo il valore positivo del secondo membro.

Lequazionedivieneperci .Consideriamoorailvalore

Definiamoallorailfattorediqualitcome

che rappresenta una misura di quanto il picco appuntito. In questo caso, dunque . Per
quantoriguarda,invece,lafase,sihache

7.7FILTRONOTCH
In questo caso si ha che il partirore generalizzato formato
dalla serie di impedenze in serie con la
resistenza.Quindi:

Osserviamoche

Di conseguenza . Premettiamo le seguenti

considerazioniallanalisideilimiti:
;

Quindisiha:

Conprocedimentianaloghialfiltropassabanda,sipuricavarecheilfattorediqualitperilfiltronotch

corrispondea .

Vediamounesempio:sihauncircuitoRLCcomeinfigura,talechearegimesi
abbia e ;senestudiilcomportamento.
Utilizzandolanotazioneprecedente,sihache .Inoltre

E vero che . Nuovamente si ha che e definiamo

inoltre .Vediamoalloracomesicomportalafaseinfunzionedellapulsazioneedeicomponenti:

7.8PONTEDIWIEN
Lanalisi di questo ponte identica a quella del ponte di
Wheatstone. La condizione di bilanciamento determinata nel
modo seguente: quando il ponte bilanciato non vi caduta di
tensionetraAeB,ciononpassacorrentetraledueestremit,e
quindi la corrente che passa in uguale alla corrente che
passa in , cos come quella in uguale a quella in .
Infine,nonessendocicadutatraAeBsihacheleimpedenzesono
a due a due equipotenziali, cio e .
Dividendoledueequazionisiha

Datocheingeneraleleimpedenzesonocomplesse,sideveavereluguaglianzasiatralepartirealichetra
quelleimmaginarie:

Inquestaconfigurazioneilpontepuesseresfruttatoperlamisura
diunacapacitincognita.Analizziamoleimpedenze:

Imponiamolacondizionediequilibrio:

Dunquelecondizionidaimporresono:

Quindi,tenendofissate abbiamosufficienticondizioniperricavare variandolafrequenzae


laresistenza (attraverso,adesempio, untrimmer).ComenelpontediWheatstoneesisteilproblema
dellamisuraaicapidelponte:comesigidetto,possiamoconnettereledueboccoledelloscilloscopioai
duepuntiAeBefareunamisuradifferenzialedellatensione.

7.9PONTEDIWIENCOMEFILTRONOTCH

Il ponte di Wien pu essere utilizzato come filtro notch nella
disposizioneinfigura.Abbiamoche:
dove lacadutadipotenzialeaicapidelparallelo
e quellaaicapidellaresistenza .

dove

Possiamo semplificare la relazione se e .

Quindi

Definiamo esiha .Inoltreavremo:

se supponiamo che . Consideriamo allora il


comportamento al limite, per analizzare se il ponte si comporta
veramentecomefiltroareiezionedibanda:

e ;allora edunque

.Ilcomportamentoin analogo;

edunque edunque .

8.GIUNZIONIPN

8.1SEMICONDUTTORI:GENERALITA
Unsemiconduttoreunmaterialeconcaratteristicheintermedierispettoametallieisolanti.Infatti,sono
materiali che a basse temperature si comportano come isolanti, mentre allaumentare di T la loro
conducibilitcrescenotevolmente.
Consideriamo latomo di silicio: questo ha struttura
elettronica .Seandiamoinveceadanalizzare
la molecola (come in figura) vedremo che questa pi
stabile (B.O=2), e andando avanti fino alla molecola ci
accorgeremochequestaloancora
di pi. Di conseguenza, il silicio
former un reticolo cristallino e gli
orbitali atomici dei singoli atomi
non saranno pi distinguibili, ma formeranno delle bande energetiche in cui gli
elettroni vengono ospitati. Le bande energetiche pi interne, ovvero quelle che
corrispondono agli elettroni nel core, saranno completamente sature ed
energeticamente distanziate da quelle degli elettroni di valenza. Questultima,
ovverolabandapiesternachecontieneelettroni,vienedettabandadivalenza.
Naturalmentelabandadivalenzanonlultimolivelloenergeticodisponibile:ad
energieancoramaggiorisihaunaltrabanda,normalmentevuota,dettabandadi
conduzione,doveglielettronisonoliberidimuoversisesottopostiaduncampo
elettrico.Questarisulterseparatadallabandadivalenzadaunintervalloenergeticocheprendeilnomedi
bandainterdettaoenergygap.Dallabandainterdettadipendonoinfattilamaggiorpartedellepropriet
elettriche di un materiale: dalle dimensioni di questa possiamo distinguere metalli, isolanti e
semiconduttori,edillorocomportamentodalladistribuzionedellebandesopracitate(infigurasihache
rappresentalestremoinferioredellabandadiconduzione,mentre lestremosuperiorediquelladi
valenza).
Nei

conduttori, le bande di valenza e conduzione sono sovrapposte: gli elettroni di valenza hanno quindi la
possibilit di occupare un grande numero di stati liberi della banda di conduzione, e dunque in questi
materialiilfenomenodiconduzionenonsoltantopossibile,marichiedeunasoltantounapiccolaquantit
di energia. In generale la velocit di deriva degli elettroni diminuisce allaumentare della temperatura,
poich diminuisce il loro libero cammino medio: di conseguenza diminuir anche la corrente, poich la
densit di corrente proporzionale alla velocit di deriva. Molto differente e la situazione degli
isolanti:inquestocaso,glielettronidivalenza,fortementelegatialloronucleo,riempionototalmentela
bandadivalenzaenonpossonooccupare,acausadelvalorenotevoledellabandainterdetta(dellordine

dei 10eV), gli stati liberi della banda di conduzione, tranne che non venga loro impartita dall'esterno
unenergia molto elevata (ad esempio, nel caso della rottura degli isolanti). In condizioni normali, quindi,
nei materiali isolanti il processo di conduzione impossibile. Il caso intermedio rappresentato dai
materialisemiconduttori,chehannounabandainterdettaconenergiadellordinedellelettronvolt( ).

8.2SEMICONDUTTORIINTRINSECI
Allatemperaturadellozeroassoluto,lagitazionetermicadeglielettroninulla,pertantoglielettroninon
possono muoversi allinterno del cristallo. Supponiamo invece che un cristallo semiconduttore si trovi ad
una temperatura maggiore dello zero assoluto: l'agitazione termica degli atomi pu allora produrre la
rotturadiqualchelegame; ci corrisponde,dalpuntodivista energetico,allacessionediunaquantit di
energia,pariomaggioredellabandainterdettaEG,aqualcheelettronechesitrovinellabandadivalenza
che, cos, "salta" nella banda di conduzione. A tale fenomeno e essenzialmente legato il processo di
conduzione nei materiali semiconduttori; in essi quindi la
conducibilitvienefortementeinfluenzatadallatemperaturae,
ingenerale,
dall'assorbimento di energia di qualsiasi tipo dall'esterno. Per
calcolare quanti elettroni liberi (cio disponibili per la
conduzione)visianoinunsemiconduttore,bisognavederesela
temperatura alla quale il cristallo si trova tale da permettere
adunelettronechesitrovinellabandadivalenzailsaltodel
gapdienergia.Taleproblemaovviamentedinaturastatistica,
in quanto allequilibrio vi saranno continue rotture e
ricostituzionidilegamicovalenti,dunquesitrattaditrovaredeivalorimedi.Questipossonoesserericavati
invocandolacosiddettafunzionediFermi,chedlaprobabilitcheunlivelloaventeenergiaEsiaoccupato
daunelettroneallatemperaturaT.SonoinoltreriportatiivaloridiECeEVedellivellodiFermiEF,definito
come quel livello di energia che ha il 50% di probabilit di essere occupato da un elettrone. Si osserva
immediatamentecheallaumentaredellatemperaturalaprobabilitditrovareunelettronenellabandadi
valenzadiminuisce,mentreaumentalaprobabilitditrovarnenellabandadiconduzione.Allozero
assoluto, invece, tutta la banda di valenza piena ( ), mentre quella di conduzione vuota
( ). Tra EV ed EC la probabilit di trovare un elettrone non nulla, ma in tale intervallo non
esistonostatienergeticipermessidatocheessocoincideconlabandainterdetta.
La conduzione della corrente elettrica nei semiconduttori non dovuta solamente agli elettroni presenti
nellabandadiconduzione.Ognunodiessi,infatti,halasciatoliberoun"posto"(unlivelloenergetico)nella
banda di valenza, che in tal modo non risulta pi completamente occupata. E possibile quindi per gli
elettroni dei livelli inferiori della banda di valenza, occupare questi stati resi liberi, acquistando l'energia
necessariasottol'azionedelcampoelettricoapplicato.Questaconduzione,dovutaalmotodeglielettroni
(cariche negative) nella banda di valenza, pu considerarsi dovuta al moto dei "posti liberi", assimilati a
carichepositivemobili:questivengonodettilacuneoholes(consideratecomequasiparticelle).Nelcaso
finoraconsideratodiuncristallosemiconduttoreperfettamentepuroedomogeneo,privociodielementi
estranei (detto dora in poi semiconduttore intrinseco), il numero delle cariche (elettroni) sempre
egualealnumerodellecariche (lacune),datocheperognielettronechesirendeliberonellabandadi
conduzione per effetto della temperatura, si sar creata una lacuna in banda di valenza: queste cariche
vengono,cio,createacoppie.Indicandocon laconcentrazionedicarichelibereinunsemiconduttore
intrinseco,potremoscrivere:

Seindichiamocon e leconcentrazionidielettronielacunenelsemiconduttore,siavrche:

8.3SEMICONDUTTORIDROGATI
In un semiconduttore intrinseco, a causa della loro scarsa densit, gli elettroni liberi e le lacune non
riescono a produrre una corrente sufficientemente elevata per le normali
applicazioni elettroniche. Un metodo molto efficace per aumentare la
concentrazione di cariche mobili in un semiconduttore consiste
nellintroduzione di alcune particolari impurit allinterno del reticolo
cristallinodelmateriale.Taleprocedimentoprendeilnomedidrogaggioeil
semiconduttoresidicedrogato.
Prendiamoilcasodiuncristallodisiliciopuroallinternodelqualevengano
inseriti sostituzionalmente alcuni atomi del V gruppo (pentavalenti), ad
esempioilfosforo.Quattroelettronidellatomodifosforosarannocondivisi
congliatomidisiliciocontiguieformerannoconessialtrettantilegamicovalenti.Ilquintoelettronenon
potr fare parte dellorbita di valenza in quanto questultima risulter gi piena. Non potendo instaurare
alcun legame con gli atomi vicini, esso risulter molto meno legato allatomo di fosforo. In pratica, sar
sufficiente unenergia di appena 0,05eV per portarlo nella banda di conduzione (mentre per portare un
elettrone dellatomo di silicio dalla banda di valenza a quella di conduzione necessaria unenergia ben
maggiore, pari a quella della gap, cio 1,1eV). In questo caso, gli elettroni prendono il nome di cariche
maggioritarieevengonoindicaticon ,mentrelelacunevengonochiamatecaricheminoritarieeindicate
con .Ovviamenterisulterche:

Si noti che, a temperatura ambiente, lenergia di 0,05eV, necessaria per ionizzare latomo di fosforo e
portare lelettrone nella banda di conduzione, normalmente fornita dallagitazione termica stessa. Ci
significa che a temperatura ambiente praticamente tutti gli atomi droganti sono ionizzati. Un
semiconduttore drogato con impurit di tal tipo (atomi donori), avente un eccesso di portatori mobili
negativi, prende il nome di semiconduttore di tipoN. Il processo, dunque, per cui aumento la densit di
portatori di carica negativi in banda di valenza che sono liberi di passare in banda di conduzione, viene
dettodrogaggioditipoN.
Consideriamo adesso il caso di un semiconduttore drogato con impurit
appartenentialIIIgruppo(trivalenti),adesempioilboro.Ogniatomodiboro
attorniato da quattro atomi di silicio e poich il boro ha tre elettroni di
valenza, allora la sua orbita di valenza contiene soltanto sette elettroni.
Pertanto, ogni atomo di boro, allinterno del reticolo cristallino del silicio, si
comporta come una lacuna. In altri termini, con una spesa totale di energia
moltobassa,ancoradellordinedi0,05eV,possibilestrappareunelettrone
da uno dei legami siliciosilicio e utilizzarlo per completare il legame
mancantedellatomodiboro,ricostituendocosiattornoadessolasimmetria
delreticolo.Lamancanzadiunelettronevenutasiacrearenelreticolodelsiliciogeneradunqueunalacuna
mobile, disponibile per il processo di conduzione. Un semiconduttore ricco di impurit di questo tipo
(atomi accettori) mostra a temperatura ambiente, un eccesso di portatori mobili positivi e si chiama
semiconduttore di tipo P. Analogamente a quanto visto sopra, i portatori maggiormente presenti, in

questocasolacune,vengonochiamatiportatorimaggioritarielaloroconcentrazionevieneindicatacon
,mentreglielettronivengonochiamatiportatoriminoritarielaloroconcentrazionevieneindicatacon .
Risultaovviamente:


Ilivellidienergiarelativiadatomidonatori,perquantodettoprima,sitrovanopocoaldisottodellabanda
diconduzione,cio0,05eValdisottodiEC.Quellirelativiadatomiaccettorisitrovanoinvecepocoaldi
sopra della banda di valenza, cio 0,05eV al di sopra di EV. I livelli donatori vengono indicati in figura
indicaticonED,mentreilivelliaccettorivengonoindicaticonEA.Atemperaturaambiente,essendotutti
gliatomidrogantiionizzati,illivelloEDrisultervuoto(glielettronipasserannonellabandadiconduzione),
mentreEAoccupato(daelettroniprovenientidallabandadivalenza).Inoltre,poichadesso ,EFnon
pisituatoalcentrodelgapECEV.Inparticolare,persemiconduttoriditipoN,dovendoessere ,si
ricavache:


ovveroilgapdienergiatraillivellodifermielabandadiconduzionesarminorediquellotraillivellodi
Fermi e la banda di valenza: di conseguenza sar pi vicino a . Chiaramente vale il contrario per
semiconduttoriditipoP,doveillivellodiFermisarpivicinoallabandadivalenza.

8.4CONDUZIONENEISEMICONDUTTORI
Il processo di conduzione analogo a quello che avviene nei normali semiconduttori: una differenza di
potenziale applicata ai capi di una barretta produce un movimento di cariche libere (elettroni e lacune)
nelladirezionedelcampoelettricoapplicato.Inrealtlecarichesubisconocontinuamentecollisionicongli
ioniegliatomidelreticolo,mainmediasihaunnettospostamentodiesselungoladirezionedelcampo.Si
parla allora di libero cammino medio, come il valor medio dei percorsi compiuti dalle cariche tra due
collisionisuccessive.Sperimentalmentesiverificatochepercampielettricinoneccessivamenteelevatila
velocitmediadellecarichedirettamenteproporzionalealcampoapplicato.Ilrapportotralavelocited
ilcampoprendeilnomedimobilit,cio:

Tale parametro tiene conto della difficolt incontrata dalle cariche a scorrere liberamente allinterno del
semiconduttore,acausadegliurtisubiticongliioniegliatomidelreticolo.Sipuintuitivamenteprevedere

che la conduzione allinterno del semiconduttore dipender dalla mobilita di elettroni e lacune, oltre che
dallaloroconcentrazione.Siricava,infatticheladensitdicorrentedatada:

Lacorrentetotaleovviamentedatadallasommadientrambiicontributi.Essaprendeilnomedicorrente
didrift.Neisemiconduttori,oltreaquestotipodicorrente,esisteunsecondotipodimeccanismoattoa
dare origine una corrente di diversa natura. Tale meccanismo si innesca qualora in un semiconduttore vi
sianoduezoneaventidiversaconcentrazionedicarichelibere.Inquestocasosihaunflussodielettronie
lacuneliberechediffondonodaunaregioneadaltaconcentrazioneadunaabassaconcentrazione.Pertale
motivo, la corrente dovuta a tale processo prende il nome di corrente di diffusione. E evidente che tale
motodidiffusionetendearistabilirelequilibriodiconcentrazione.Sinotiinfinechetaletipodicorrente
puaversisoltantoneisemiconduttori,graziealfattochepossibiledrogareselettivamenteelocalmente
ilmateriale.Il
suo studio molto importante perche tale processo gioca un ruolo fondamentale nel funzionamento dei
dispositiviasemiconduttore.Intuitivamenteprevedibilechelacorrentedidiffusionerisultiproporzionale
al gradiente di concentrazione. Pertanto, supponendo che in una barretta di semiconduttore di tipo N si
abbia un gradiente di concentrazione di elettroni decrescente lungo una data direzione x, la densit di
correntedielettronisipuesprimerecome:

dove una costante di proporzionalit che prende il nome di diffusivit, o costante di diffusione.
Analogamenteperlelacunesiha:

8.5GIUNZIONEPN
Unagiunzionepnsiottienequandoincorrispondenzadiunasezionedisemiconduttoresihaunbrusco
passaggiodadrogaggioditipopadrogaggioditipon(linterfaccianettachedivideleduezonecondiversi
drogaggi detta giunzione metallurgica). In una giunzione pn che per ora supponiamo non polarizzata
(cioeaisuoicapinonapplicataalcunadifferenzadipotenziale),acausadellaloromutuarepulsionegli
elettroni liberi dal lato n
diffondono verso la zona p dato
cheintalezonaviunadrastica
diminuzione di concentrazione di
elettroni. In pratica, gli elettroni
che attraversano la giunzione ed
entranonellazonapseguonoleleggiprimaenunciatedelladiffusione.Lastessacosaovviamenteavviene
per le lacune provenienti dalla zona p, che diffondono nella zona n. Lelettrone libero che penetra nella
regione p diviene un portatore minoritario. A causa del gran numero di lacune che si trovano attorno, il
tempo di vita di tale portatore minoritariobreve:pocodopoilsuoingresso nellaregione p,esso viene
catturatodaunalacuna.Lalacunacosiscompareelaccettoredivienecariconegativamente.Ovviamente
lostessoragionamentosipufareperlelacuneprovenientidallazonapchediffondononellazonan:esse
vengono riempite dagli elettroni associati ai donori, che restano cosi carichi positivamente. In
corrispondenzadellagiunzionesiformaalloraunaregionediionipositivi(laton)enegativi(latop),privadi
carichemobili(datochegliionisonobloccatidailegamicovalentiallinternodelreticolocristallino).Tale
regione prende il nome di regione di svuotamento (deplation layer). In essa ovviamente presente una

carica spaziale non nulla data da accettori e donori. E


lecito chiedersi sino a quando persiste la diffusione di
cariche attraverso la giunzione. Man mano che le cariche
diffondono, la zona di svuotamento diventa sempre pi
ampia, ed un campo elettrico dovuto agli ioni si crea
proprio in tale zona. Tale campo (diretto dalla zona n a
quellap)siopponealladiffusionedellecarichelibere,sino
aquandoessocostituisceunaveraepropriabarrieradipotenzialecheimpedisceaglielettronielacunedi
attraversare ulteriormente la giunzione. Questo potenziale viene detto potenziale di builtin della
giunzione.
Vediamo, attraverso unanalisi a profilo semplificato, come si comporta il tale potenziale. Siccome il
semiconduttore deve essere rimasto elettricamente neutro, deve valore la seguente condizione di
neutralit:

Prendiamo inoltre come ipotesi semplificativa di lavoro che la giunzione sia brusca, ovvero supponiamo
che i due lati del semiconduttore siano uniformemente drogati con concentrazioni e , con un
bruscosaltodiconcentrazioneallaltezzadellagiunzionemetallurgica:

In una regione neutra si ha: , dove il campo elettrico. Di

conseguenza ,ovveroilpotenzialeunaretta;lenergiapotenzialeacui
sonosottopostiglielettronisar .Possiamoquindiconcluderechenelleregioniacampo
elettrico costante il diagramma a bande (che possiamo considerare come una rappresentazione
dellenergiapotenzialeacuisonosottopostelecarichelibere)rettilineo;

In una regione non neutra si ha: per lequazione di Poisson, dove

rappresentalacostantedielettricadelsilicio.Integriamolequazione nelleduediversezonedi

concentrazione,tenendocontodellacondizionedineutralitedelfattocheilcamponullonelleregioni
neutre.Otteniamoallora:

dove, applicando la condizione al contorno, otteniamo che

.Diconseguenza: ;

dove, per continuit di e per la condizione al contorno

otteniamo .Quindi .

Allinternodellaregionesvuotata,sihadunquecheilcampovale

Perottenereilpotenziale,integriamoadessolequazione .Otteniamo:

, e scegliendo il potenziale t.c. si ottiene

edunque ;

, dove, per continuit del potenziale in 0 otteniamo che

Abbiamodunquecheallinternodellaregionedisvuotamentoilpotenzialeugualea:

Ilpotenzialedibuiltindatoinfinecome

Dunque,essendoilpotenzialenonlineare,ciaspettiamochelebandeenergetichesipieghinoinpresenza
diuncampoelettrico.Inoltre,possibiledimostrarecheillivellodiFermidevenecessariamenterimanere
orizzontale lungo tutta la giunzione, e di conseguenza le bande non
possono che piegarsi come in figura. Notiamo inoltre che lontane dalla
giunzione, le due zone p ed n hanno una struttura a bande esattamente
identica a quella di due normali semiconduttori p ed n, non risentendo
dellinfluenza della zona di svuotamento. Il salto dalla zona p alla zona n
equivale a : questa barriera di potenziale pu essere abbassata
fornendouncampoelettricodallesternochesioppongaaquelloesistente
nella regione di svuotamento. Ci viene effettuato applicando una differenza di potenziale ai capi della
giunzione,inmodocheilpotenzialemaggioresitroviacontattoconlazonapeilpotenzialeminoreconla
zonan.Sidiceintalcasochelagiunzionepolarizzataindiretta.Labarrieradipotenzialesiabbasserfino
alvaloredi doveVlatensioneapplicata.Glielettroniadessopossonofacilmentepassaredalla
zona n alla zona p con poca spesa di energia. Si noti, inoltre, che il livello di Fermi non e pi costante
attraversolagiunzione,acausadelcampoesternoapplicato.
Selagiunzionevienepolarizzataininversa,ossiaconlazonapconnessaconilpotenzialepibassodiuna
sorgente di tensione V e la zona n con il potenziale pi alto, il campo impresso da tale polarizzazione
allontanaglielettroniliberidallaregionendellagiunzioneversoilpolopositivodellasorgenteditensione.
Allostessomodoallontanalelacunedallazonapdellagiunzioneversoilpolonegativodellasorgente.In
pratica, al campo elettrico dovuto agli ioni fissi allequilibrio si somma un ulteriore campo elettrico che
ionizza un maggior numero di atomi nella zona della giunzione e allarga ulteriormente la zona di
svuotamento. Dal punto di vista delle bande di energia, il salto di potenziale tra la zona p e la zona n
aumenta rispetto al valore di equilibrio; esso vale , essendo V la tensione applicata. In teoria
tale salto costituisce un muro invalicabile per le cariche libere ed dunque prevedibile che in

polarizzazioneinversaalcunacorrentescorraallinternodellagiunzione.Inrealt,nellazonapsonoanche
presenti elettroni liberi e nella zona n delle lacune mobili: esse sono le cariche minoritarie del
semiconduttore che sono generate termicamente. Ricordiamo, infatti, che lenergia termica crea
continuamente un numerolimitato dielettroniedilacunedaiduelatidellagiunzione.Inquantocariche
minoritarie, esse vengono accelerate dal campo elettrico dovuto alla polarizzazione inversa. Esse sono,
dunque, responsabili della piccola corrente inversa che prende il nome di corrente di saturazione in
inversachesihainunagiunzionecosipolarizzata.
Se si aumenta considerevolmente la tensione inversa (>50V), sino ad un certo valore detto tensione di
rottura o di breakdown, la giunzione diviene bruscamente conduttrice. In tal caso, il diodo risulter
talmentepolarizzatodapermettereaglielettronieallelacunediattraversarelabarrieradipotenzialeper
effettotunnel.

9.DIODI

9.1GENERALITA
Il diodo un dispositivo passivo non lineare a 2 terminali. Nel suo
intimo costituito da una barretta di semiconduttore dotato di una
giunzionepn.Essendouncomponentenonohmico,lacaratteristicaI
Vdeldiodononsarlineare,bensseguirlandamentodescrittoinfigura.Ildiodorisultaefficientesela
tensione applicata ai suoi capi superiore ad un certo valore di soglia, detto tensione di polarizzazione
(forward bias drop), che nei comunemente utilizzati diodi al silicio equivale a . Per tensioni
compresetra 0,4 e 0,6V il diodo permette ilpassaggiodiunapiccolacorrente,mentreperddpminori di
0,4V si comporta come un circuito aperto fino alla tensione di
breakdown della giunzione pn. A livello teorico, il comportamento
della caratteristica IV di un diodo determinato dallequazione di
Shokley:


dove rappresentalacorrentedisaturazioneininversa.
Lapplicazionepivastadeidiodiquelladirettificazionedisegnali
AC in segnali DC. E allora utile introdurre il concetto di resistenza
dinamica del diodo. Essa si
definisce come la derivata della
tensionerispettoallacorrentenellintornodelpuntodiriposodeldiodo
in esame. Se si considerano piccole variazioni di tensioni sulla
caratteristica (e le corrispondenti variazioni di corrente ) allora la
resistenzadinamicaottenibilecome:

Il tratto della caratteristica per pu essere sostituito da un tratto rettilineo la cui pendenza e
proprio (datochelacorrentecresceallincircalinearmenteconlatensione).Per lacorrente
inversaestremamentedebole,pertantoildiodopuesserepensatocomeuncircuitoaperto(resistenza

dinamica inversa ). Si possono poi introdurre ulteriori approssimazioni, ad esempio


trascurare la resistenza diretta della caratteristica che sempre di valore ridotto ( ), o trascurare
anchelatensionedisoglia.Quando ,ildiodopuessererappresentatocomeuncircuitoapertoin
tuttietreicasi.Invece,per ,ildiodosipurappresentaretramiteunasorgenteditensione ,in
serieadunaresistenza ,oppurecomeunasemplicesorgentedi
tensione o,nellamanierapisempliceinassoluto,comeuncortocircuito.

9.2RETTIFICAZIONECONIDIODI
UnrettificatorehailcompitoditrasformareunsegnaleACinunsegnaleDC.
Questa una della pi importanti e pi semplici applicazioni di un diodo. Il
circuito in figura ha precisamente questo compito e viene detto circuito di
rettificazione a mezzonda. La tensione in uscita risulter dunque pari a
quella in figura. Siccome la caduta di tensione ai capi del diodo di 0,6V, il segnale in uscita non avr lo
stessomodulodiquellodiinput,maavrunampiezzarispettoaquestoinferioredelvaloreditensionedi
soglia del diodo. Il limite di questo circuito che caratterizzato da una perdita di potenza del 50%
dissipatadaldiodo.Analizziamolepossibiliconfigurazioni:
per il diodo polarizzato direttamente (in conduzione), e

pertantolarelazionetraingressoeuscita ;
Per il diodo non conduce in modo apprezzabile (in

interdizione),pertantosiavr .
In questa analisi stiamo trascurando il valore della resistenza
dinamica, poich supponiamo che il valore del carico sia molto
maggioredei .Inoltreseilmodulodellatensioneiningresso
moltomaggioredi ,larispostainuscitasarmoltosimileaquella
ideale.Leequazioniappenascritterappresentanola
transcaratteristicadeldiodo,ovverounarelazionechelegalatensionediinputaquellainuscita.
Analizziamoorauncircuitodirettificazioneadoppiasemionda,che
permette unefficienza energetica
pi alta e segue lo schema del
ponte di Graetz. Durante il
semiciclo positivo di , la
correntescorreinD1,proseguesu

RL,infinesichiudesuD2(D3eD4sonopolarizzatiinversamente).Duranteilsemiciclonegativo,lacorrente
scorreinD3,proseguesuRL,infinesichiudesuD4(D1eD2sonopolarizzatiinversamente).
ChiaramentelerettificazioniappenavistenontrasformanoilsegnaleACinsegnaleDC,masemplicemente
impongono al segnale di non cambiare polarit. Questi presentano ancora molto ripple (inteso come
variazioneperiodicadivoltaggiorispettoalvalorecostante).Possiamo
alloracollegareilfullwavebridgeadunfiltropassabassoinmodoche
il condensatore possa giocare un ruolo importante nella diminuzione
del ripple. Consideriamo lipotesi semplificata di un raddrizzatore a
mezzonda: se scegliamo una costante di tempo del condensatore
moltoelevata,inparticolare (questopermetteche
il tempo di scarica del condensatore sia molto maggiore di quello delle due cariche) si avr che fino a
quando la tensione ai capi del diodo, V, risulter maggiore
della tensione ai capi del condensatore V, il diodo sar
interdetto, dunque il condensatore comincer a scaricarsi sul
carico fino a quando V>V: allora il diodo non sar pi
interdetto e permetter nuovamente il passaggio di corrente
che indurr una nuova carica del condensatore. E evidente
quindi che il segnale in uscita non sar costante, ma ondulato (il ragionamento identico per la
configurazioneapontediGraetzedilrisultatointensioneduscitamostratoinfigura).
Per studiare in maniera approssimata le grandezze che concernono il ripple e la tensione in uscita,
muoviamo lipotesi semplificativa che la corrente nel carico rimanga costante e che la carica del
condensatore sia istantanea (ci produce, intuitivamente, unonda triangolare in uscita). In concordanza

con la figura, il valore medio della tensione in uscita equivale a , dove rappresenta

lampiezza del segnale rettificato e la tensione piccopicco di ripple. Inoltre, integrando

.Prendendo otteniamo .Diconseguenza:

Dunque la tensione in uscita equivale al massimo a e diminuisce linearmente allaumentare della


correnteassorbitadalcarico.Definiamoorailfattorediripple,datocome:

dove coincideconilvaloreefficace(rms)dellatensionediripple.Nelcasodiunondatriangolare,siha

che .Poichabbiamosuppostochelacorrentenelcaricosiacostanteabbiamoche

,equindiotteniamo:

9.3CONFIGURAZIONIDIRETTIFICAZIONEPERTRASFORMATORI
La configurazione in figura viene detta center tapped fullwave
rectifier. La tensione di output la met di quella che si otterrebbe
utilizzando un ponte di Graetz. Non un circuito particolarmente
efficiente, poich ciascuna met dellavvolgimento secondario
utilizzata soltanto per mezzo
ciclo. Di conseguenza, la corrente durante gli avvolgimenti in un
ciclo risulta il doppio rispetto a quella di un altro circuito con
rettificazione a doppia semionda.
Siccome la potenza equivale a
, il calore dissipato
equivarralquadruplodiquellodelpontediGraetz.Unacomunevariazione
di questo circuito consiste nello splitsupply (o raddrizzatore a doppia
polarit): un circuito particolarmente efficiente, poich ciascuna met
dellaformadondadiinputvieneutilizzata.

9.4MOLTIPLICATOREDITENSIONE
Possiamopensareaquestocircuitocomeduerettificatoria
mezzonda in serie. Funziona indubbiamente come un
rettificatoreadoppiasemionda,poichentrambelemet
dellaformadondadiinputvengonoutilizzate.
Mostriamo il suo funzionamento come duplicatore di
tensione:ilpuntoAsitrovercertamentealpotenziale+V,
in quanto il diodo funge da rettificatore tagliando la
porzione negativa dellinput. Al contrario, il punto C si trover, per le stesse ragioni, al potenziale V. In
questaconfigurazione,ilpuntoBsicomportercomeungroundvirtualeediconseguenzasarapotenziale
0.Dunque:
VAB = VA VB = V 0 = V

VBC = VB VC = 0 V = V

9.5REGOLATORIDITENSIONE
Scegliendo condensatori sufficientemente grandi, possiamo ridurre il voltaggio di ripple ad un valore
approssimativamentenullo.Questoapprocciobruteforcehaperduesvantaggievidenti:
ilcondensatorenecessariopotrebbeessereproibitivamentegrande(dimensioni)ecostoso;
anche se il ripple sar stato ridotto a valori trascurabili, ci saranno comunque variazioni nella
tensione di output dovuti ad altre cause, ad
esempio: il segnale DC in uscita
approssimativamenteproporzionaleaquelloAC
in ingresso, e questo pu portare a fluttuazioni
causate da variazioni inaspettate della linea.
Inoltre, variazioni della corrente nel carico
porterannoamodifichedelsegnaleinuscita,acausadelfattocheilgeneratorehaunaresistenza
internafinita.
Dunque,unapprocciomigliorealdesigndiraddrizzatoriadoppiapolaritquellodiutilizzareunacapacit
sufficientemente grande per ridurre il ripple a circa un 10% del valore DC, e poi utilizzare un circuito di


feedbackpositivo.Questogeneredicircuitoosservaloutput,modificandoloinmanieracontrollatauna
resistenzaregolabileinserie(transistor)nelcasodivariazioniditensioneimpreviste.

9.6RIVELATORIDIFRONTIDONDA
In generale, quando non abbiamo a che fare con fronti donda
sinusoidali, non pensiamo alla rettificazione come ad uno split
supply. Ad esempio, potremmo desiderare di creare un treno di
impulsi corrispondente alla
porzione crescente di
unonda quadra. In questo
caso, il modo pi facile per
rettificarelondanelsensocheabbiamoappenaspecificato,quello
diderivarla,comenelcircuitoinfigura.Chiaramente,ricordandola
cadutadi0,6Vaicapideldiodo,noncisarannosegnaliinuscitaper
input di tensione inferiori a 0,6VPP. Se questo dovesse risultare un
problema, possibile utilizzare il circuito in figura, dove un diodo connesso a terra e alimentato da un
generatorea5Vconsentedifornireallaltezzadelcircuitounulterioresegnaledi0,6V(infattiattraverso
nonpassercorrentepoichquestapreferirilpercorsoabassaimpedenzaattraversoildiodo,edunqueci
sarcadutadipotenzialeaisuoicapi)bilanciandolacadutaindirettadi .Lutilizzodundiodoalposto,
adesempio,diunpartitoreditensionehasvariativantaggi:
noncnessunbisognodiaggiustamentipoichilbilanciamentorisultaperfetto;
variazionisullacadutaindirettadi sarannocompensatedaanaloghevariazionidi .

9.7DIODICLAMP:LIMITATORIDISEGNALE
Pucapitarediaverebisognodilimitareilrangediunsegnale,ad
esempioperevitaredisuperarelimitidivoltaggio,incertipuntidi
uncircuito.Ilcircuitoinfigura,adesempio,impediscecheloutput
sia maggiore di 5,6V, con
nessun effetto su voltaggi
inferioriaquesto(includendo
voltaggi negativi): lunica limitazione risiede nel fatto che il voltaggio
non potr diventare cos negativo da superare la tensione di break
down(perilmodelloinfiguraequivalea70V).
Ilcircuitonellimmagineinfigura,invece,limitailsegnaleduscitaalla
caduta in diretta del diodo, cio circa 0,6V. Analizziamo ad esempio come si comporta un segnale
sinusoidaleconampiezza1Viningresso:manoamanochelatensionecresce(pervaloriinferioria0,6V)il
segnale in uscita sar identico a quello in entrata, mentre al valore di 0,6V (supponiamo nel semiciclo
positivo), essendo la caduta di potenziale ai capi del diodo di uguale a tale valore, il segnale in uscita
rimarrcostanteatalevalorefinoaquandolatensioneiningressononrisulternuovamenteinferiorea
0,6V.Laformadondainuscita

9.8DIODICOMEELEMENTIPROTETTIVIRISPETTOACARICHIINDUTTIVI
Luso del diodo in parallelo trova frequenti applicazioni per la soppressione delle sovratensioni che si
generanonellecommutazionidegliinterruttoriconcarichiinduttivi.
Si consideri la figura: in essa rappresentato un interruttore connesso ad un carico induttivo LR, in
paralleloadundiodo.Supponiamochelinterruttoresiachiusoelalimentazionefacciascorrereunacerta

correntesulcarico.Quandolinterruttorevieneaperto,lacorrentesiannullabruscamente:si
generapertantounafortetensionediautoinduzionechepudanneggiareirrimediabilmente
linterruttore (breakdown dielettrico o creazione di un arco di tensione). Il diodo, invece,
fornisce un percorso alternativo per la corrente, non appena linterruttore viene aperto (in
quantoadinterruttorechiusoildiodopolarizzatoininversaedunqueinterdetto):questa,
esaurendosi con costante di tempo = L/R, scarica linduttanza dellenergia accumulata. In
questo modo, la tensione ai capi dellinterruttore aperto non supera il valore VCC + VF,
essendoVFlatensioneaicapideldiodo.

9.9DIODOZENER
Come detto in precedenza, i diodi funzionanti in zona di breakdown possono
danneggiarsi irrimediabilmente. I diodi Zener, invece, vengono costruiti con
caratteristiche di dissipazione termica adatte al funzionamento nella regione di
breakdown. Costituiti da giunzioni pn al silicio, essi sono caratterizzati da una
tensione inversa di breakdown, detta tensione di Zener, particolarmente stabile e
definita, in corrispondenza della quale la caratteristica tensionecorrente diventa
quasi verticale. Per tale motivo, essi vengono utilizzati come stabilizzatori, o
regolatoriditensione.Talidiodisonofabbricaticondrogaggidelleduezonepen
tali che la tensione di Zener risulta in genere compresa tra pochi volt e alcune decine di volt, dunque di
valorepipiccolorispettoaivaloridibreakdowndeinormalidiodialsilicio(chepossonoinvecesuperareil
centinaio di volt). I valori di massima potenza dissipabile variano tra qualche decimo e qualche decina di
watt,allanormaletemperaturadifunzionamento.
Ilproblemadellastabilizzazionedellatensioneduscitadiuncircuito(acausadivariazionidellingressoo
del carico) molto meno astratto di quanto non si possa pensare. Le tensioni di alimentazione, infatti,
anche se raddrizzate con un opportuno circuito a diodi e livellate con opportuni filtri, non sono mai
perfettamente costanti ma oscillano attorno ad un valore medio; inoltre, effetti spuri come interferenze
radioorumoreelettronicopossonocorrompereilvalorediunatensione.Percicheconcerneilcarico,si
deve considerare che questi non sempre costituito da una semplice resistenza (il cui valore pu
comunque variare con la temperatura), ma esso pu costituire limpedenza dingresso di un ulteriore
circuito connesso in sequenza. Pertanto, esso pu variare anche rapidamente nel tempo, secondo le
tensionielecorrenticheoperanoinquelcircuito.
Analizzando il circuito in figura, supponiamo che si voglia
stabilizzarelatensioneduscita adunvalorecostante .
SideveallorascegliereundiodoZenercontensionediZener
paria .Bisognapertantodimensionarelaresistenza
R,dettaresistenzadipolarizzazionedelloZener,inmodoche
il diodo sia portato a lavorare, in polarizzazione inversa, nel

tratto quasi verticale della curva, dove la resistenza dinamica assume valori assai ridotti

(dellordine di pochi ohm), quindi leffetto stabilizzante risulta pi preciso (normalmente il costruttore
fornisce un valore consigliato di funzionamento). Supponendo di avere variazioni di tensioni dingresso
(eche siainvececostante),unaumentodi provocaunaumentodi equindidi ,mentreuna
diminuzione di provoca una diminuzione di . Se per tale corrente si trova sempre allinterno del
tratto verticale della caratteristica dello Zener, la tensione ai capi dello Zener non varia sostanzialmente;

allostessomodo,anchelatensione nonvaria,essendolastessaimpostadalloZener.Analogamente,
mantenendoquestavoltacostante ,alvariaredelcarico equindidellacorrenteassorbita,varia
marimanepressochcostante (ugualeallatensioneimpostadalloZener).Inaltreparole,possiamo
dire che lo Zener, se la corrente che in esso scorre tale da farlo lavorare in zona di breakdown, si pu
considerarecome un generatore di tensionecostantedivalore paria . Evidentemente,unmodello di
seconda approssimazione dello Zener deve anche considerare la lieve pendenza del tratto verticale della
caratteristicaaggiungendo,inserieallabatteria ,unaresistenzadivalorepariallaresistenzadinamica
.Comedettoprima,laresistenzadipolarizzazioneRdevefissarelacorrentediZenerinmodotalecheil
puntodiriposositrovisultrattoverticaledibreakdown.Bastadapprimacalcolarelacorrentechescorre
sullaresistenzadipolarizzazionedallequazioneallamagliadingresso:

Poich leffetto della resistenza dinamica dello Zener normalmente molto piccolo, praticamente la
tensionesulcarico

dunquelacorrentesulcaricovale:

Infine,lacorrentesulloZenervale

10.TRANSISTORBIPOLARIAGIUNZIONE

10.1PRINCIPIODIFUNZIONAMENTO

Essoformatodatreregionidisemiconduttore:unaditipondettadiemettitore(E),unapistrettaditipo
pdibase(B),unaltraditipondicollettore(C).Untransistorditalegenereedettonpn;inmanieraanaloga
si realizzano i transistor pnp, sebbene le loro performance siano inferiori e, per tale motivo, sono
praticamente scomparsi. Ogni regione e connessa ad un terminale metallico, in modo avere tre elettrodi
per la polarizzazione del dispositivo. Vi sono due giunzioni pn: la giunzione baseemettitore (BE) e la
giunzionebasecollettore(BC).Asecondadellecondizionidipolarizzazioni(direttaoinversa)diciascunadi
queste giunzioni, si ottengono diversi modi di funzionamento del BJT. Supponiamo di polarizzare il

dispositivocomeriportatoinfigurae
cio con la giunzione BE polarizzata
direttamente e la giunzione BC
polarizzata inversamente. La
polarizzazione diretta della giunzione
BE fa scorrere la corrente attraverso
talegiunzione.Inparticolare,sihaun
flusso di elettroni che vengono
iniettatidallemettitorenellabaseed
un flusso di lacune iniettate dalla
base nellemettitore. Poich
normalmente lemettitore
fortementedrogato,mentrelabase
debolmente drogata si ha unalta densit di elettroni nellemettitore e una bassa densit di lacune nella
base (effetto transistor, dovuto ad un drogaggio asimmetrico). Le due componenti di corrente sono
pertantodifferentieovviamentelacorrentedielettronimoltomaggioredellacorrentedilacune.Dunque
la corrente di emettitore sar dominata dalla componente associata agli elettroni. Vediamo adesso cosa
succede a questa corrente non appena iniettata nella regione di base. Gli elettroni diventano portatori
minoritarinellaregioneditipop.Tuttavia,dinormalabasemoltostrettapercuiglielettroninonhannoil
tempo di ricombinarsi, dunque la percentuale di elettroni persi in questo processo di ricombinazione
piuttosto esigua (i pochi elettroni che si ricombinano contribuiscono poi alla corrente di base).
Successivamente,sihaladiffusionedellapercentuale deglielettroninonricombinatidallagiunzioneBE
verso la giunzione BC, a causa della differenza di concentrazione fra queste due zone (in generale
. Analogamente, quando viene polarizzata direttamente la giunzione collettorebase, una
frazione dei portatori iniettati dal collettore nella base raggiunge l'emettitore e va a contribuire alla
correntediemettitore;ilvaloredi ingeneresensibilmenteminoredi1,tipicamentedell'ordinedi0.5.
Questa asimmetria dovuta alle caratteristiche costruttive delle due giunzioni). Non appena gli elettroni
raggiungono la prossimit della giunzione BC, essi vengono immediatamente rimossi via e raccolti dal
terminaledicollettore.NonbisognainfattidimenticarechelagiunzioneBCpolarizzatainversamente,per
cuilazonadisvuotamentopiuttostoampiaeoccupaunapartedellaregionedibase;inoltreil versodel
campoelettricoimpressotaledaspazzareviaglielettronidallabaseversoilcollettore.
Riassumiamoilsignificatodellesingolecorrenti:
Lacorrentedicollettore datadalflussodielettronicheattraversalagiunzioneBEecheviene
successivamente spazzata via dal campo elettrico presente nella zona di svuotamento della
giunzione BC a causa della polarizzazione inversa. Se si esclude quella piccola percentuale di
elettroni che si ricombinano nella regione di base, possiamo dire che la corrente di collettore
coincideconlacorrentedielettronideldiodobaseemettitorepolarizzatodirettamente.
Lacorrentedibase formatadaduecomponenti:laprimadatadalflussodilacuneiniettate
dalla base verso lemettitore, la seconda dal flusso di lacune fornite dal circuito esterno per
rimpiazzarequellepersedurantelaricombinazione.Laprimacomponentecostituisceunflussodi
carichemaggioritariecheattraversalagiunzionediundiodopolarizzatodirettamente.Laseconda
componente dipende dalle lacune perse durante la ricombinazione; intuitivamente si comprende
che tale numero di lacune proporzionale al numero di elettroni che ha appena attraversato la
giunzione BE (maggiore il numero di elettroni che si ritrova allinizio della regione di base,

maggioresarilnumerodiricombinazioneedilacuneperse).Ilnumeroditalielettronichehanno
attraversato la giunzione BE nellunita di tempo coincide proprio con la corrente del diodo
polarizzatodirettamente.
Lacorrentediemettitore puessereconsideratacomelasommadelledueprecedenti.
Lecorrenti e sonodescrittedalleseguentiequazioni:

dette equazioni di EbersMoll. I primi due termini sono una semplice applicazione dellequazione di
Shockleyallegiunzionipresenti,mentreisecondiduetermininonsarebberopresentiinassenzadelleffetto
transistor,ovveroseiltransistorfossesemplicementecompostodaduediodiindipendenti.

10.2REGIONIOPERATIVE
Iltransistorsidiceininterdizionequandoentrambelegiunzionisonocontropolarizzate,edunqueleuniche
correnticircolantisonoledebolicorrentidisaturazioneininversadicollettoreeemettitore.Sidiceinvece
cheuntransistorsitrovainregioneattivaquandolagiunzioneBEpolarizzatadirettamenteelagiunzione
BCcontropolarizzata.Inquestecondizioni,leequazioniappenavisteassumonolaforma(considerandoi
termininotitrascurabilirispettoallesponenziale):

,
Siccome la corrente di emettitore equivale a si ha che

con . Questo risultato implica che la

correntedicollettoredirettamentecontrollabiledallacorrentedibase.Siccome,comesidetto, ,
sto amplificando una corrente: viene chiamato coefficiente di guadagno in corrente. Secondo la
progettazioneappenavistadeltransistor,lunicomodoperaumentareilguadagnoincorrentequellodi
stringerelabaseeaumentareildrogaggiodellemettitore,inmodotaleche .

10.3CONFIGURAZIONICIRCUITALI
Il transistor un dispositivo a tre terminali, di
conseguenza nell'impiego come amplificatore
unodeitreterminalidovressereincomunead
entrambe le porte, di ingresso e di uscita, cio
collegato a massa. Sono possibili tre diverse
configurazionicircuitali:commonbase(basecomuneoamassa),commonemitter(emettitorecomuneoa
massa)ecommoncollector(collettorecomuneoamassa).Inognicaso,comesivededaglischemiinfigura
la base fa sempre parte del circuito di ingresso ed il collettore di quello di uscita. A seconda della
configurazioneadottatasiottengonocircuitiamplificatoriconcaratteristichesensibilmentediverse.

10.4PRIMAAPPLICAZIONE
Come abbiamo detto, lutilit del transistor risiede nellequazione , poich una piccola corrente
che fluisce nella base diverr una corrente molto pi grande che fluisce nel collettore. Bisogna per fare
attenzionealfattoche nonunbuonparametrodeltransistor:infattiilsuovalorepuvariareda50a

250perdiversespecieditransistor,einoltredipendedallacorrentedicollettore,dalla
tensione collettoreemettitore e dalla temperatura. Quindi, un circuito costruito per
funzionaresuunospecificovaloredi nonunbuoncircuito.Inoltre,utilenotare
cheicircuitibaseemettitoreebasecollettoresicomportanocomediodi(nonostante
lo schema sia indubbiamente sbagliato, a causa del fatto che il passaggio di corrente
nel ramo reso impossibile dallinterdizione di un diodo). Questo ci permette di
affermare che , poich rappresenta la caduta in
direttadiunagiunzionepnalsilicio.Dettoquesto,possiamoanalizzareilprimocircuitoconuntransistor.
Il circuito in figura detto interruttore a transistor. I vantaggi di questo circuito rispetto a quelli di un
circuitoconsolointerruttoremeccanicosono:
Possibilitdicontrolloinmodoremoto;
Possibilitdicollegamentoaduncircuitodecisionale;
Altissimavelocitdiaccensione(tempodicommutazioneinferiorealmicrosecondo).
Primadianalizzarelepossibiliconfigurazioni,notiamochelaresistenzada10knonindispensabileper
il funzionamento del circuito, ma risulta importante quando la base non connessa al segnale
dingresso: senza connetterla a terra in questa maniera, avrei la base flottante e rischierei di pescare
rumoricasuali.
Analizziamo la configurazione a interruttore aperto: la base connessa a
terra, cos come la giunzione baseemettitore, mentre la giunzione base
collettore polarizzata in inversa. Di conseguenza non sussistono le ipotesi
che permettono al transistor di trovarsi in regione attiva e inoltre, non
passando corrente per la base non ci sar corrente di collettore e valendo
inoltre IE = IC ,nonscorrercorrentenelcircuitoelalampadinasarspenta.
Analizziamo adesso la configurazione a interruttore chiuso: la giunzione BE
risulter polarizzata in diretta (emettitore a terra e base ad una tensione
inferiorea10Vmamaggioredellaterra);siccomeallaltezzadeltransistor,ho
da una parte unimpedenza di 10k e dallaltra unimpedenza trascurabile
tutta la corrente attraverser il transistor. Di conseguenza, possiamo stimare la corrente di base come
(10 0,6V )
IB = I1k = = 9,4mA .Valelarelazione IC = IB = 940mA quandoiltransistoroperainregione
1k
attiva. Di conseguenza viene data sufficiente corrente perch la lampadina si accenda, e dunque il
collettore si porter a 10V. Per il ragionamento non corretto: infatti con una corrente di 100mA la

lampadinasiportaa10V,eperaumentarelacorrenteilcollettoredovrebbescenderesottoilpotenzialedi

terra. Dunque il transistor non sta operando in regione attiva, bens in regione di saturazione: in questa
regione la corrente di collettore indipendente da quella di base e viene determinata direttamente dal
carico.Ilvaloretipicoditensionedisaturazione:
SAT
VCE = 0,2V

Dunqueilprincipiodifunzionamentodelcircuitoilseguente:diamosufficientecorrentedibaseaffinchil
transistorvadainsaturazioneelalampadinasiaccendadeterminandoleistessalacorrentenecessariaal
suofunzionamento.Imporreunacorrentepielevatadelnecessariorisultainquestocasounideasaggia

poichilcircuitosarpressochindipendentedalcoefficientediguadagnoincorrente.
Vediamoalcunidettagliacuiprestareattenzionequandosiprogettanocircuiticonlutilizzoditransistor:
necessario scegliere la resistenza di base in modo tale che la corrente sia sufficiente anche
quandobetavariaconVCE;


Utilizzare un diodo di protezione nel caso in cui la giunzione BC possa diventare negativa,
danneggiandoiltransistor;
Utilizzareundiodovolanoperproteggereiltransistordacarichiinduttivi.
Riassumiamodunquelepossibiliregionidifunzionamentodiuntransistor:
Interdetto:nessunacorrentenelcollettore;
Regioneattiva:valelarelazione ;
Saturazione:lacorrentedicollettoredeterminatadalcaricoevale VC VE + 0,2V .

10.5CONFIGURAZIONEAEMETTITORECOMUNE

VengonomostrateinfiguralerelazionitracorrentietensionidingressoeuscitaperuntransistorbjtNPN
in configurazione a emettitore comune. Nellimmagine di sinistra viene mostrata la dipendenza di IB da
VBE a VCE = k .Ilgraficocontieneunasolacurvapoich IB = IB (VBE ) pressochindipendenteda VBE in
tutta la regione attiva. Tale curva viene detta caratteristica dingresso del transistor. Il grafico a destra
mostrainvecelarelazionetra IC e VCE ,inparticolarea IB = k .Talegraficodettocaratteristicaduscita

del transistor. La curva verticale separa la regione attiva dalla regione di saturazione,
e i punti
dintersezioneconlecurverappresentanoipuntipercui VBE = VCE equindi VBC = 0

10.6EMITTERFOLLOWER
Laconfigurazioneinfiguraprendeilnomediemitterfollower,poichil

terminale di output lemettitore ed insegue il segnale di input (dato
dalla base) a meno di una caduta in diretta di 0,6V, se il transistor
lavorainregioneattiva: VE VB 0,6V .Loutputunareplicaprecisa
dellinputmamenopositivodi0,6V.Diconseguenza, VIN dovressere
maggiore di tale valore, altrimenti loutput risulter a terra. Notiamo
inoltre che in
questa configurazione assente una resistenza di
collettore. Il circuito potrebbe apparire non particolarmente
interessantefinoaquandononsirealizzachelimpedenzadiingresso
notevolmente maggiore di quella di uscita, e questo significa che mi
richieder, per comandare un carico, meno potenza di quanta ne
spenderei se il carico fosse direttamente connesso alla sorgente.


Oppure, un segnale di una qualche impedenza interna pu comandare un carico di comparabile o
addirittura pi piccola impedenza senza perdita di ampiezza. La ragione risiede nel fatto che lemitter
follower,purnonavendounguadagnoditensione,haunguadagnodicorrenteedunquedipotenza.
Calcoliamo allora limpedenza di ingresso e di uscita. Per limpedenza di uscita supponiamo che alla
sorgentesiaconnessouncaricoresistivo Z S .Avremodunque:
VE VB 0,6V VB 0,6V RS
ZOUT = = =
IE IB + IC ( + 1)IB ( + 1)
Perlimpedenzadingressosupponiamolapresenzadiuncaricoresistivo
Z L connessoalloutput.Siavr:
V V + 0,6V VE
Z IN = B = E = (1+ )Z L
IB IE /(1+ ) IE /(1+ )
Notiamocheinunemitterfollower,iltransistorNPNpusolofornirecorrente.

Prendiamo ad esempio il circuito in figura. Loutput pu variare entro i

lintervallo che va da 9,9V (transistor in saturazione, quindi )

fino a 5V, che il valore di tensione corrispondente allannullamento della


corrente di emettitore.
Infatti, in questo caso, il
segnale in uscita
corrisponde a quello di un
partitoreditensioneconlestesseresistenzedellafigura
alimentato a 10V. Questo fenomeno porter al taglio
dellaformadondaincorrispondenzadei5V,evienedettoclipping.Ilclippingpumostrarsiancheconun
piccoloincurvamentocentralecheseguelasemiondanegativa:quellincurvamentomostrachelatensione
dingressocosnegativachelagiunzioneBEstataportatainbreakdown.Conscidalfattocheilclipping
dovuto al fatto che la polarizzazione della giunzione BE inferiore agli 0,6V della caduta in diretta,
possiamo risolvere il problema abbassando la tensione di emettitore fino a portarla ad un valore
sufficientemente negativo da permettere nuovamente il passaggio di corrente e linseguimento della
semiondanegativa.

10.7POLARIZZAZIONEDELLEMITTERFOLLOWER
Il nostro intento quello di costruire un circuito di polarizzazione in
modotalecheiltransistorsitroviadoperareinregioneattivaanchein
assenza di un segnale dingresso. Il processo per cui si selezionano i
voltaggioperantinelcircuitoinassenzadisegnaledingressovienedetto
scelta del punto di quiescenza. In generale, sceglieremo il punto di
quiescenza in modo tale da garantire la massima simmetria della forma
donda di output in assenza di clipping. Vediamo le condizioni di
polarizzazione:
Vcc V
1. VBQ = Q
, in modo che VB = VIN + VB = VIN + cc e dunque il segnale possa muoversi su tutto
2 2
lintervallo Vcc 0 ;
VEQ VEQ
2. RE = Q , dove la corrente di quiescenza di collettore un parametro arbitrario scelto in
IEQ IC

modochenonsientriinunregimedidissipazionetroppoelevato(adesempio1mA);
3. Le condizioni sulle resistenze sono quelle ottenute tramite il partitore di tensione e
sulladattamentodiimpedenze:


R2 1
Q Vcc R2 =
VB = = Vcc R1 + R2 2
2 R1 + R2
Z PARTITORE = R //R << Z TRANSISTOR = ( + 1)R R R1R2 = R
OUT 1 2 IN E E R1 + R2 10 E
vogliamo infatti che la tensione di base di quiescenza non sia influenzata dal transistor, ma solo
determinatadalpartitore.

4. Il condensatore allingresso del partitore viene utilizzato
come filtro passaalto avente come
resistenza la resistenza equivalente ottenuta come composizione opportuna delle resistenze del
partitoreedellimpedenzadingressodeltransistor. Questultimadatadabetavolteilparallelo
tra una resistenza di carico non nota e la resistenza di emettitore. Supponiamo allora che
limpedenza di carico sia minore di RE . Con Thevenin, allora, apriamo il circuito allaltezza del
condensatore,cortocircuitiamolatensionedicollettoreeotteniamocheletreresistenzesonoin
parallelo, dunque REQ = R1 //R2 //RE . Abbiamo quindi che possiamo dimensione il condensatore
1
scegliendo una frequenza di taglio e imponendo che 3dB = e facendo attenzione che
2REQ C1
questasiaminoredellafrequenzainteressatapipiccola.

5. Il secondo condensatore forma un filtro passa alto con resistenza associata ottenuta (come in
precedenza,conThevenin)comeparallelotralaresistenzadiemettitoreelaresistenzadicarico.

Mantenendolipotesiprecedentesullimpedenzadicaricoabbiamoche,inquestocaso,possiamo
1
dimensionarelacapacitscegliendolafrequenzaditagliocome 3dB = .
2RE C2
Vediamo un esempio: vogliamo dimensionare un circuito di polarizzazione di un emitter follower per
segnali audio(frequenze comprese tra 20Hze20kHz),conuntransistoravente = 100 ,unatensione di
collettoredi Vcc = 15V eimponendounacorrentediquiescenzadi1mA.

Seguiamoipuntiinordine:
VccQ ;
1. Latensionedibasediquiescenzasarugualea VB = = 7,5V
2
2. Latensionediemettitorediquiescenzaugualea VE = VBQ 0,6V = 6,9V ,edunquesiavrche
Q

VEQ
laresistenzadiemettitoredeveessereugualea RE = 6,9k ;
ICQ
R2 1
R + R = 2
1 2
3. R1 R2 138k
R1R2 = R = 10 6,9k = 69k
R1 + R2 10 E
4. Siccomeilrangedifrequenzecompresonellintervallo20Hz20kHz,scegliamocomefrequenzadi
1 1 1 1
taglio per i condensatori 3dB = 10Hz . Quindi, essendo = + +
REQ R1 R2 RE
1 1
REQ = 60k sihache C1 = 0,27F ;
2 /138 + 1/690 2 3dB REQ

1
5. Lultimocondensatoreottenutocome C2 = 2,7F .
2 3dB RE


Se dovessi avere problemi a causa della configurazione a base flottante (che potrebbe pescare rumori
casuali in assenza di segnale in ingresso), potrei connettere la base a terra attraverso una resistenza

dallimpedenzaadattataaquelladingressodeltransistor,ovvero RB << RE RB = RE .
10

10.8SORGENTEDICORRENTEIDEALE
Una sorgente
di corrente ideale una sorgente che fornisce
unacorrenteindipendentedallacadutadipotenzialeaicapidel
carico. Potremmo creare una sorgente ideale di corrente, ad
esempio,attraversouncircuitocompostodaunabatteriaeda
V V
unaresistenzaelevata:siavrinquestocaso I =
R + RL R
ovveroquantorichiesto.Ilproblemadiquestocircuitoperenergetico:infattiverrdissipatamoltapi
potenza su R di quanta non verr trasmessa al carico. Possiamo creare una sorgente ideale di corrente
secondounaconfigurazionepiconveniente.Inquestocasoavremoche

(seiltransistorinregioneattiva):
VE VB 0,6V
VB = VE + 0,6V IE = =
RE RE
=100>>1
IE = IC + IB = IB ( + 1) IB = IC

La corrente di collettore coincide con la corrente che passa attraverso il
carico,ediconseguenza:
VB 0,6V
IC = IL =
RE
ovverosicomportapropriocomeunasorgentedicorrenteideale,inquandonondipendedalladifferenza
dipotenzialeaicapidelcaricochevale VL = Vcc VC .Inoltre,unasorgenteidealeprogrammabilepoich
possadiminuireoaumentarelacorrenteandandoamodificareivaloriditensionedibaseodiresistenzadi

emettitore.Unasorgentedicorrentepuprocurareunacorrentecostantesoloentrouncertorangefinito
di voltaggio:se non fosse cos,
per voltaggiparticolarmenteelevaticisarebbeunadissipazioneinfinita di
potenza. Lintervallo di tensioni per cui un generatore di corrente si comporta come sorgente ideale di
correntedettooutputcomplianceoacquiescenzadiuscita.Peruntransistor,
lacquiescenzaduscitacoincideconlintervalloditensionicheglipermettonodi
rimanere in regione attiva: di conseguenza deve valere la richiesta
VCMIN = VE + 0,2V . Dunque la tensione di collettore pu appartenere ad un
intervallo che va da un valore molto
vicino a quello di saturazione sino alla
tensione di supply, di conseguenza
AQ = (0,Vcc VE 0,2V ) .
Il problema di questo circuito risiede nel fatto che il carico non
riferito a terra. Potremmo perfezionarlo utilizzando un transistor
PNP,rendendoinoltreilnostrocircuitounsource(lacorrenteesce

daltransistor)enonunsink(lacorrenteentraneltransistor).
Cos come per lemitter follower possiamo creare un circuito di
polarizzazione anche per la nostra sorgente ideale di corrente.
Lintento, in questo caso, quello di aumentare quando possibile

lintervallo di acquiescenza duscita. Nel caso in figura, abbiamo dimensionato le resistenza in modo da
adattare le impedenze e da fissare la tensione di base a 1,6V, in modo che lemettitore si trovasse alla
tensione di 1V. Di conseguenza, con questo dimensionamento, avremo un intervallo di acquiescenza
(0,8,8V).

10.9ALTRICIRCUITIDIPOLARIZZAZIONE
Possiamo polarizzare la nostra sorgente ideale di corrente
attraverso lutilizzo di un diodo Zener. Sar necessario portare il
diodoinbreakdown,edunquelatensionedicollettoredeveessere
sufficientemente alta da permettere una ddp di 5,6V ai capi dello
Zener. Questa ddp sar certamente costante indipendentemente,
una volta in breakdown, dalla quantit di corrente assorbita. Le
resistenza saranno scelte in modo che la corrente circolante nello
Zenersiasufficientementealta.Dimensioniamoilcircuito:
fissiamo IC = 0,5mA ; siccome VZ = 5,6V la base sar polarizzata
a tale valore di tensione e quindi VE = VZ 0,6V = 5V . Di
conseguenza VE = RE IC RE = VE /IC = 10K . Lavorando il
transistor in regione
attiva avremo IC = IB IB = 5A . La
resistenza R1serveinveceatenereloZenerinbreakdown,ediconseguenzadovresseresceltainmaniera

talechelacorrentecheloattraversasiasufficienteperloscopo:dovendoesserelabasepolarizzataa5,6V

9,4V
lacadutaaicapidi R1sar9,4Vquindi R1 = 10k ,poich9,4kunaresistenzanondirettamente
1mA
reperibile e 0,94mA sono indubbiamente sufficienti per la polarizzazione in inversa dello Zener.
Lacquiescenza duscita di questo circuito equivale allintervallo (0, 15 VE 0,2 = 9,8V ) . I problemi di

questo circuito risiedono neiseguenti fatti: la sorgente senza partitore perde la possibilit di essere
programmata, poich per poter modificare la corrente di base
dovreisostituireloZener;inoltre,ilcaricononconnessoaterra,

equestopupotenzialmentemetterearischiolutente.
Vediamo un altro tipo di polarizzazione, questa volta per un
transistor PNP. In questa configurazione stiamo creando una
sorgenteidealedicorrenteditiposource.Lacascatadidiodifas
chelabasevengapolarizzataa8,2V(trecadutedi0,6V),edunque
lemettitore sar polarizzato a VE = VB + 0,6V . Dovendo, per
evitare la saturazione del transistor, valere VCE 0,2V , si avr
che VCMAX = 8,6V .Inoltre,sevogliamoadesempiochenelcarico
Vee VE
scorrano2mAdicorrenteavremoche IC IE = = 2mA
RE
1,2V
RE = = 600 . Inoltre avremo che la corrente di base
2mA
sar pari a IB = IC / = 20A , e se vogliamo che per lultima resistenza
passi 1mA di corrente la sua
8,2V
impedenzavarr R1 = 10k .
1mA
Possiamocreareanchecircuitidipolarizzazionedifferentiperemitterfollower.Questisarannomoltosimili

a quelli appena visti, ma con le seguenti differenze: non c resistenza di collettore nellemitter follower;
sonosufficienti2diodi.

10.10AMPLIFICATOREDISEGNALI
Il nostro intento in questo paragrafo quello di
costruire un amplificatore ad emettitore comune
che procuri, al contrario del trasformatore, un
guadagno in potenza. Chiameremo guadagno in
VOUT
tensione dellamplificatore il rapporto G = .
VIN
Dimostreremoadessoche,perilcircuitoinfigura,
RC
il guadagno dellamplificatore vale G = . Per
RE
farlo utilizzeremo la cosiddetta analisi dei piccoli
segnali:scegliamounpuntodilavorodeltransistor
allinterno della regione attiva e studiamo le
piccole variazioni di quel punto, ossia trascuriamo le quantit che non variano nel tempo (purch la
variazioneavvengaallinternodellaregioneattiva).Diconseguenza,seilsegnaledeltipo V = A + a(t) ,
andremoaconsideraresololavariazione v = a(t) .Dunque:
vE
VB = VE + 0,6V v B = v E , iE = , iE iC
RE
vE R
VC = VCC IC RC vC = iC R
C iE RC = RC = v B C
RE RE

V v R
Quindi G = OUT = C C . Il segno meno indica il fatto che i due segnali sono sfasati di 180, ed
VIN vB RE
oltretutto evidente che questo amplificatore non pu amplificare segnali DC. Vediamo un esempio di
RC V
dimensionamento: supponiamo di avere un guadagno G = 10 = . Scegliamo VC = cc = 10V e
RE 2
V VC VCC 10V
imponiamo ICQ = IQ = 1mA . Avremo che RC = CC = = = 10k RE = 1k , e inoltre
IQ 2IQ 1mA

VE = IQ RE = 1V VB = 1,6V .Perildimensionamentodelleresistenzevalelostessoprincipiodellemitter

follower, ovvero la tensione di quiescenza di base deve coincidere con il segnale duscita del partitore di

tensioneeleimpedenzedevonoessereadattate,equindiilparallelodelpartitoredeveessereugualea10

voltelaresistenzadiemettitore.

10.11LATRANSCONDUTTANZA
Cunaltromododipensareallamplificatoreappenavisto.
Immaginiamo di dividerlo in due come in figura: la prima
porzione rappresenta una sorgente di corrente controllata
dallatensionedibase.Possiamodefinireilguadagno(gain)
comeilrapportoinput/output:nelcasospecifico iOUT /v in .
Nel caso in cui (come la situazione presente) il guadagno
abbia le dimensioni di una conduttanza ( 1/ )
lamplificatorecontaleguadagnovienedettoamplificatore

transconduttivo ed il guadagno transconduttanza e
iOUT
indicata con gm = . Notiamo che:
v IN


v E v B v IN 1
iOUT = iC iE = = = gm = .Dunquepossiamopensareallaprimapartedicircuitocome
RE RE RE RE
ad un amplificatore trans conduttivo di transconduttanza gm = 1000S . La seconda parte del circuito
costituita dalla resistenza di carico, un amplificatore che trasforma corrente in voltaggio. Questo
amplificatore pu essere considerato come un amplificatore transresistivo, il cui guadagno ha le
vOUT v v
dimensioni di una resistenza e si ottiene come r
m = iOUT (cond) = iIN = IN = OUT rm = RC .
iIN RE GRE
RC
Diconseguenzaabbiamoche G = gm rm = ,cherappresentailguadagnointensionedellamplificatore
RE
secondo il modello appena sviluppato.
Ma che cosa accade quando la resistenza di emettitore va a 0?
Lequazionesviluppatapredicecheilguadagnotenderallinfinito;conducendoperdellemisure,sivisto
che,tenendocostantelacorrentediquiescenzaa1mA,ilguadagnoraggiungeilvaloremassimodi400per

la resistenza di emettitore assente, ovvero per lemettitore connesso direttamente a terra. Si nota
sperimentalmente,inoltre,chelamplificatoreinquestaconfigurazionedivienefortementenonlineare(in
uscitanonproduceunareplicadelsegnalediinput),limpedenzadingressodivienepiccolaenonlinearee
lapolarizzazionedivieneinstabileconlatemperatura.Questosegnodelfattocheilmodelloditransistor
utilizzatoincompletoevaampliatoemodificato.

11.ILTRANSISTORBJTSECONDOILMODELLODIEBERSMOLL

11.1ILTRANSISTORCOMEAPLIFICATORETRANSCONDUTTIVO:ILMODELLODIEBERSMOLL
Ci siamo resi conto del fatto che per comprendere al meglio il funzionamento del transistor dobbiamo
necessariamente pensarlo come un amplificatore transconduttivo, la cui corrente di collettore
determinata dal potenziale di giunzione BE. Modifichiamo allora la legge per cui IC IB e scriviamo la
seguenteleggedallavaliditpiampia:
VBE
IC = IS e VT 1


dove VT = kT /q = 25mV @T = 300K e q la carica
dellelettrone. Lequazione appena scritta prende il nome di
equazionediEbersMollLacorrentedibaseancoraottenibile
come IC = IB , ma la sostanziale differenza risiede nel fatto
che necessario rendersi conto che la corrente di collettore
accuratamente determinata dalla tensione della giunzione BE,
piuttostochedallacorrentedibase,echelaleggeesponenziale
appena descritta risulta accurata entro un enorme range di
correnti (dai
nano ai milli
ampre). Bench il modello di EbersMoll ci dica che la
tensione BE controlla la corrente di collettore, questo non
implica che siamo in grado di misurarla. Possiamo per
stimare quanto segue: di quanto dobbiamo variare VBE
affinch la corrente di collettore aumenti di 10 volte?
DallequazionediEbersMollricaviamoche:


IC
>>1
VBE IC
VBE
IC I S I
VT VT
IC = Is e 1 + 1 = e VBE = VT log + 1 VT log C
IS IS IS
10I I 10I I
VBE = VT log C VT log C = VT log C S = VT log10 = 60mV
IS IS IS IC
Limpedenzaperpiccolisegnaliguardandoattraversolemettitoreconlabasetenutaadunvoltaggiofisso
VBE IC 1 V
data da re = = VT log = VT IS re = T detta resistenza intrinseca di emettitore.
IC IC IS IC /IS IC
Possiamo immediatamente notare che con lintroduzione di questa resistenza in serie allemettitore, le
osservazioni sperimentali vengono giustificate. Consideriamo la configurazione base dellamplificatore a
emettitorecomune,conunaresistenzadicollettoredi10keunacorrentediquiescenzadi1mA.Avremo

allorache
vOUT = Gv IN
RC 10k V 25mV R 10k
G= = re = T = = 25 G = C = = 400
re re IC 1mA re 25
Unabuonaapprossimazionedellaresistenzaintrinsecadiemettitoreatemperaturaambiente:
25
re @300K
IC (mA)
Rimangonoaltridueconcettidatenereinconsiderazioneariguardodelnuovomodelloditransistor:
VBE diminuiscedicirca 2,1mV /K edapprossimativamenteproporzionalea 1/T ;
Effetto Early: una variazione
di VCE induce una piccola variazione di VBE , secondo la legge
VBE VCE dove = 0,0001peruntransistoralsilicio.

11.2EMITTERFOLLOWER
Il modello di EbersMoll prevede che lemitter follower non
possa avere impedenza duscita quasi nulla, a causa
dellesistenza dalla resistenza intrinseca di emettitore finita.
Possiamo stimarla, fissata la tensione di base, guardando
versolemettitore:
VBE IC I E I C I
ZOUT = = V log
T VT log C
I E I E IS IC IS
ZOUT = re

Se consideriamo invece, come nellimmagine, una resistenza di sorgente


emettitore oltre a quella intrinseca,
finita e unipotetica resistenza di
avremochelimpedenzaduscitasarugualea:
R
ZOUT = re + S // RE
+ 1
Inoltre, la presenza di tale resistenza intrinseca produce un guadagno in
tensione leggermente pi piccolo di 1, a causa del fatto che re forma un
partitoreditensioneconlaresistenzadicarico.Infatti:

VE VB 0,6V
RL V VE RL RL
VOUT = VE G = OUT = < 1
re + RL VIN (re + RL )VB re + RL

11.3AMPLIFICATOREAEMETTITORECOMUNE
Consideriamo inizialmente il modello non grounded, cio con
lemettitore non connesso direttamente a terra. In questo caso
avremocheilguadagnointensionedellamplificatoresardato
RC
da G = , dunque si comporter in maniera molto
RE + re
simile allamplificatore visto precedentemente, in quando
possiamo con sicurezza supporre che RE >> re . Limpedenza
dingresso dellamplificatore ottenibile come
Z IN = ( + 1)(RE + re ) ,cioidenticamenteaquellaprecedente,
con la sola differenza che connesse
allemettitore ci sono due
resistenzeinserie.
Analizziamo ora invece lamplificatore
per cui RE = 0 : questo viene detto grounded common emitter
RC
amplifier, ed contraddistinto da un guadagno in tensione di G = e unimpedenza dingresso di
re
Z IN = ( + 1)re .Inquestocaso,per,ilguadagnononrisultercostante,mavarierinmanieradipendente

dalla corrente di collettore, cos come anche limpedenza dingresso. Quindi questo amplificatore del
tuttononlineare.Dunqueavremoduepossibiliconfigurazioniperlamplificatore:

RE 0 RE = 0
guadagnopiccolo guadagnogrande
guadagnocostante guadagnononlineare
Pervaloridelleresistenzedelpartitoreditensionedi R1 = 100k, R2 = 10k sihacheilguadagnoa1mA

pari a 400, a 2mA a 800 mentre a corrente di collettore nulla pari a 0. Siccome possiamo scrivere
VCC VC
IC = IE si avr che per valori piccoli di
RC
tensionedicollettore(edunquepiccolivaloriditensione
dingresso) il guadagno sar alto, mentre per grandi
valoriditensionedicollettore(edunquegrandivaloridi
tensione dingresso) il guadagno sar minore: questo
significa che il guadagno massimo ottenibile per VC
prossimoalvaloredisaturazione.Questoportaadunevidentedistorsionedelsegnaleinuscita.Infigura
possiamo vedere come viene distorta ad esempio unonda triangolare. Nel caso di unonda quadrata,
invece, quando il segnale tender a zerolamplificatore cercher di distorcere il noise di sottofondo.
Unulteriore problema di questa configurazione risiede nel fatto che lamplificatore difficilmente
polarizzabile: infatti VBE sensibile a variazioni di temperatura e potrebbe far variare la corrente di
collettore di un fattore 10 entro una variazione di 30K. Questo potrebbe portare ad una polarizzazione
instabileedunqueallasaturazionedeltransistor.
Tutti i problemi
di questa configurazione vengono risolti se lamplificatore viene operato mediante un
circuitodiretroazionenegativa(negativefeedback),ovverouncircuitocostruitoinmodotaledasottrarre
una porzione della tensione in ingresso dalla tensione in uscita. Un circuito simile andr, in via del tutto
generale,adintaccareilguadagnodelnostroamplificatoremanestabilizzerleprestazioni,rendendolo:
Lineare;
Predittivo(possocontrollareilsegnaleinuscita);
Stabile(ilcircuitorobustorispettoallevariazionideiparametriambientali).


Inseriamoalloraunaresistenzadiemettitore.Comeabbiamovistoprecedentemente,tuttiiparametriche
inquestaconfigurazionenonsonostabili,losonoinquelcaso.Infatti,laresistenza RE sicomportacome
uncircuitodiretroazionenegativo.Vediamoinfattiche VOUT determinatadallacorrentedicollettoreche
a sua volta controllata da VBE = VB VE = VIN IE RE = VIN IC RE . Stiamo applicando, in questo
frangente,unalogicadicontrollo:selatensioneinuscitanonsoddisfalemieesigenze,possomodificare

quellainingressoaffinchlofaccia.

11.4AMPLIFICATOREALLEDIFFERENZE
Inquestoparagrafocioccuperemodianalizzareunparticolare
circuitoingradodivalutareledifferenzetrasegnalieprendere
decisioni dipendentemente dal risultato. Tale tipo di circuito
viene detto amplificatore alle differenze. Per progettare
questo dispositivo dobbiamo essere sicuri che il segnale in
uscita non dipenda dallampiezza singoli valori in ingresso, ma solo dalla loro differenza. Inoltre,
desideriamocheilsegnaleinuscitasianullonelcasoincuiiduesegnaliiningressosianouguali:quando
duesegnalivarianodellastessaquantit,diremochequestivarianoinmodocomune,mentretuttelealtre
variazionisonodetteinmodonormale.Atale
proposito, definiamo il common mode
rejectionrate,chedefinitocomeilrapporto
tra il guadagno in modo comune ed il
guadagno in modo normale del nostro
amplificatore:
GDIFF
CMMR =
GCM
Per un amplificatore alle differenze ideale si
ha che il guadagno in modo comune deve
essere
nullo (in quanto non risponde a
variazioni in modo comune) e dunque
CMMR = 0 .
Premettiamo allanalisi del circuito che la polarizzazione dei due transistor stata sottointesa. Possiamo
immediatamentenotareche:
Sono presenti due input (per i due segnali) e un solo output. Questo tipo di amplificatore viene
dettoasingleendedoutput;
Laresistenzadicollettoredelprimoinputnongiocanessunruoloconcernentelamplificazione;
semplicementeutilizzataperlimitarelacorrentedicollettore.
PerandareacalcolareilCMMRdiquestocircuito,supponiamoinnanzituttocheentrambiitransistorstiano
lavorandoinregioneattivaecheilcircuitosiapassibiledianalisideipiccolisegnali.Otteniamoallora:
1. v1 = v 2 v QE 1 = v1, v QE 2 = v 2 = v1. Notiamo ora che, per la prima legge di Kirchhoff,
v1 v A v A v1
i1 = iEQ1 + iEQ2 = 0 + = 0 v A = 0 ,ovveroilpotenzialeinAcostante.Dunque
re + RE re + RE
Q v1 v1
possiamo scrivere le due correnti di emettitore come iE 1 = , iEQ2 = . Possiamo
re + RE re + RE



iC = iE v1
stimarelavariazionedelsegnaleinuscitacome vOUT = v cc iCQ2 RC = iCQ2 RC = RC .
RE + re
vOUT v RC
Definiamoallora GDIFF = = OUT = .
v1 v 2 2v1 2(RE + re )
2. v1 = v 2 v QE 1 = v1, v QE 2 = v 2 = v1 . Notiamo
ora che, per la prima legge di Kirchhoff,
v
i1 = iEQ1 + iEQ2 = i1 = 2iEQ2 i1 = A ,etalicorrentisonoinfluenzatedalsolovaloredelpotenzialedi
R1
v1 R1i1 v1 2R1iEQ2
A poich v AA = 0 . Dunque possiamo scrivere iEQ2 = = , quindi
re + RE re + RE
v1
(RE + re )iEQ2 = v1 2R1iEQ2 iEQ2 = Possiamo stimare la variazione del segnale in
RE + re + 2R1
iC = iE
v1
uscita come vOUT = v cc iCQ2 RC = iEQ2 RC= RC . Definiamo allora
RE + re + 2R1
vOUT RC
GCM = = .
v1 RE + re + 2R1
Sihaallorache:
GDIFF RE + re + 2R1 1 R1 R1
CMRR = = = +
GCM 2(RE + re ) 2 RE + re RE + re
Quindi il CMRR finito. Notiamo per che il guadagno in modo comune dipende dalla variazione di
corrente sul ramo R1: di conseguenza, se vogliamo che il nostro amplificatore risulti insensibile alle
variazioniinmodocomune,dobbiamofareinmodochelacorrenteinquelramosiailpipossibilestabile.

Possiamo sostituire allora la resistenza R1 con un generatore ideale di corrente, che potr fornire
sufficiente
corrente per mantenere i transistor in regione attiva, ma senza che questa vari nel tempo. In
quel caso si avrebbe i1 0 e dunque GCM 0 .
Vediamocomedimensionareuncircuitosimile:ilvalore

di corrente che deve essermi garantito dalla sorgente
TRANS
ideale di corrente
I1 = 2I
Q , e potremo
dimensionare tutto il resto di conseguenza. Imponiamo
IQ = 1mA I1 = 2mA . Se scegliamo la resistenza di
emettitore RE = 1k
,dovendovalere IE IC ,avremoai
capidiquestaunacadutadi2V,edunque VE = 13V e
VB = 12,4V . Possiamo dare la prima condizione sulle
R1
del partitore: VB =
Q
resistenze (VEE ) . La
R1 + R2
seconda condizione dovr pervenire dalladattamento
delleimpedenze,ovveroimponiamoche R1 //R2 << RE .
Limpedenza dingresso
dellamplificatore alle differenze molto simile a quella di un amplificatore a
emettitore comune: Z IN = 2(RE + rE ) . Per ricavarla, mettiamo a terra un ingresso, e osserviamo che:
VIN VB V + 0,6 VE
Z IN = = = E ( + 1) = 2 (RE + re ) . Per quanto riguarda limpedenza duscita,
IIN IB IE /( + 1) IE
utilizziamoil teorema di Thevenin: una giunzione PN in inversa non permette il passaggio di corrente


indipendentemente dalla tensione ai suoi capi (equivale cio ad
un interruttore aperto), e dunque lunica impedenza visibile
alluscitacorrispondeallaresistenzadicollettore: ZOUT RC .
Sevogliamodimensionareinveceunamplificatorealledifferenze
senzaunasorgenteidealedicorrente,operiamopercomesegue:
scegliamo, per ragioni di massimizzazione
del range dinamico,
VCQ = 0,5VCC = 7,5V e IQ = 0,1mA . Si ha allora
RC = 7,5V /0,1mA = 75k . R1ladimensioniamoinveceinmodo
da avere 0,2mA quando lingresso differenziale nullo:
RC RC
R1 = 75k . Allora avremo che GDIFF = = 30 e inoltre
2(R
E + re ) 2(RE + 25 /IQ )
RC
GDIFF = 0,5 .Seimponessimo RE = 0 massimizzeremmoilguadagnodifferenziale,che
re + RE + 2R1

(R E 0)
varrebbe dunque GDIFF = 150k ; questo
per diminuirebbe limpedenza dingresso da Z IN = 250k a
(R E = 0)
Z IN = 50k .


12.ILTRANSISTORADEFFETTODICAMPO

12.1ILTRANSISTORJFETEMOSFET
InuntransistorJFET(JunctionFieldEffectTransistor)
viene utilizzato come terminale di controllo una
giunzione PN polarizzata in inversa. Chiameremo
channel (canale) la regione sottostante il gate, ed il
transistor in figura un JFET di tipo N, ovvero che
lavoraconcorrente
di elettroni. I canali
drainesourcesono
connessi al body (la porzione pi grande di semiconduttore) attraverso
un contatto ohmico. Essendo la giunzione contropolarizzata, si avr
IG = 0 . La conduzione viene controllata mediante un campo elettrico prodotto da una tensione gate
channelapplicataalingressodelgate,checontropolarizzalagiunzionePNefavariareladimensionedella
regionedisvuotamento.Normalmenteildrogaggiodelgate(P)moltopifortediquellodelcanale(N),
percuiunestensioneoriduzionedellaregionedisvuotamentoavvieneaspesediquestultimaregione.Il
transistor raggiunge la massima corrente di drain (flusso di elettroni che scorre dalla drain al source) per
VGS = 0 Una volta svuotato completamente il canale (dunque
questo transistor lavora in modalit di svuotamento, o
deplation) raggiungo la situazione cosiddetta di pinchoff
(strozzamento),elacorrentedidraintendea0.Undispositivo
diquestotipohaunimpedenzadingressoinfinita( 1014 ).
Un transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor) con funzionamento in enhancement
(accumulo) rappresentato in figura. Questo
composto da
un condensatore MOS (capacitore, in questo caso, planare,


composto da un elettrodo metallico, un isolante ossido, nella fattispecie SiO2 , e un secondo elettrodo di
semiconduttore, che corrisponde al body del transistor) compreso tra due terminali (source e drain).
Chiaramente i portatori maggioritari del transistor
sono rappresentati, in questo caso, dalle lacune.
Notiamo inoltre che, affinch il corpo non risulti
flottante, necessario connetterlo a terra tramite
unterminale,dettoterminaledibody,perdefinire
il suo potenziale. In questo caso, al contrario del
casoprecedente,selatensionegatesourcenulla
non scorre alcuna corrente di drain. Il principio di
funzionamento risiede nel fornire una sufficiente
tensione di gate affinch le lacune vengano allontanate dalla gatestessa. Questo spostamento di cariche
produrr, a causa del drogaggio, la formazione di una regione di
svuotamento e popolando la superficie dellisolante di elettroni
(inversion layer). Questo canale conduttore si estende tra la
source e la drain e permetter il passaggio di corrente per
opportuni valori di tensione di sourcedrain. Limpedenza dingresso di questo dispositivo enorme, e
dunque attraverso di lui non pu passare corrente (dunque non viene dissipata potenza, al contrario di
quanto avviene nei transistor BJT). Chiameremo tensione di treshold (soglia) la minima tensione di gate
source necessaria per portare in transistor MOSFET in conduzione. I MOSFET che necessitano di una
tensioneditresholdpositivavengonochiamatitransistorNMOS,mentreglialtriPMOS.
Vediamooracomevarialacorrentedidraininfunzionedellatensionegatesource:

Ilfunzionamentoinenhancementnonpermetteilpassaggiodialcunacorrentesinoaquandoilgatenon
viene polarizzato in maniera positiva rispettivamente alla source, mentre il funzionamento in deplation
conduce la massima corrente di drain quando gate e source sono equipotenziali. Nel grafico appena
mostratopossiamonotaresialatensionedipinchoffdeltransistorJFET(inquestocasoconunvaloredi3V
o3VasecondadelfattochesiaacanalePoN)elatensioneditresholddiunMOSFET(inquestocasocon
unvaloredi1Vo1VasecondadelfattochesiaunPMOSounNMOS).

12.2CARATTERISTICHEGENERALIDIUNNMOSINENHANCEMENT
In generale vero che i transistor FET sono dispositivi trans conduttivi per un ampio range di tensioni,
trannecheperpiccoletensionidigatesource,percuiapprossimanoilcomportamentodiunaresistenza.

Nel grafico viene mostrata una famiglia di curve che


rappresenta la corrente di drain in funzione della
tensionedidrainsource.Inentrambeleregioni(lineare
esaturazione)lacorrentedidraindipendeda VGS VT ,
ovverolammontareditensionegatesourcechesupera
latensionedisoglia.Laregionelineare,incuilacorrente
di drain sostanzialmente proporzionale
a VDS , si
SAT
estendefinoadunvalore VDS dopoilqualelacorrente
di drain diviene approssimativamente costante. La
pendenza nella regione lineare proporzionale
alla
polarizzazionedellagate
VGS VT .Inoltre,latensionedi
SAT
drain per cui la curva entra in saturazione, VDS ,
ugualea VGS VT ,rendendolacorrentedidraindisaturazioneproporzionalea (VGS VT ) 2 .Lequazione
chedescrivelacorrentedidraininregionelineare
V2
ID = 2k(VGS VT )VDS DS
2
mentrequellachedescrivelastessainregionedisaturazione
ID = k(VGS VT ) 2
Questeequazioniassumonocheilbodysiaconnessoallasource.
Ilfattorekdipendedallageometriadel
FET,dallacapacitdiossidazioneedallamobilitdeiportatoridicarica.
LatransconduttanzadiunMOSFETdefinitacome

I D
gm = 2kVGS
VGS
Possiamo inoltre osservare che, dallequazione descrittiva della corrente di drain in regime lineare
possiamoottenereche
VDS2
ID V 1
ID = 2k(VGS VT )VDS = 2k(VGS VT ) DS =
2 VDS 2 RDS
Lultimo termine ( VDS /2 ) rappresenta una non linearit, ovvero un discostamento dal comportamento
resistivo. Per valori molto piccoli di VDS , per, lultimo termine diviene trascurabile e il transistor FET si
comportercomeunaresistenza:
1
RDS
2k(VGS VT )
Una caratteristica costitutiva dei FET quella di avere un certo spread tra parametri reali nominali e
parametriattesiperidispositivinominalmenteidentici.Adesempio:
DISPONIBILI SPREAD

VT 0,55V 2V
gm @1mA 5003000 s x5
RDS (ON) 0,0510k x5

Ingenerale,perrisolverequestoproblemadiimpredicibilitsiusanotecnicheparticolarmenteavanzate.

12.3MOSFETSWITCHES
LapplicazionepiimportantedeitransistorFETrisiedenegliinterruttori.Vediamodueesempi:


Notiamosubitocheessendoilgateveramenteisolatodalcanaledrain
source, possiamo portarlo ad un potenziale di 10V senza
preoccuparci di correnti di perdite. Quindi, polarizzando la gate in
modo che sia pi positiva della source (connessa a terra, su cui
cortocircuitato anche il terminale di body)si avr VGS > 0 ed il
transistor entrer in conduzione. Di conseguenza la lampadina si
accender. Con linterruttore in B, invece, il potenziale gate source
VGS = 0 , dunque il transistor risulter OFF e
non passer corrente.
QuestocircuitofunzionamegliorispettoaquelloconilBJT,poichnon
necessario garantire una corrente di base opportuna, ma
sufficiente fornire una tensione di gate adeguata per tenere il
transistor in conduzione. Inoltre, lNMOS costituisce un percorso a bassa impedenza, in quanto la sua
resistenzainconduzione( RON )dellordinedellohm.
Un altro circuito interessante da analizzare
linterruttore analogico, composto da un transistor
NMOS che lavora
in enhancement: la bassissima
resistenza in conduzione ( RON ) e lelevatissima
impedenza in interdizione ( ROFF ) lo rendono il
dispositivo adatto per questo genere di interruttori.
Infatti, un interruttore
analogico ideale ha come
caratteristiche fondamentali
quella di permettere, nel caso ON, al segnale di raggiungere il carico senza
attenuazioni e quella di impedire, nel caso OFF, il passaggio di corrente, ovvero comportarsi come un
circuito aperto. Analizziamo il suo comportamento: il transistor non conduce se il gate a terra o se
negativo;inquestocaso RDS > 10.000M ,edunquenonpasseralcunsegnale.Portandolagatea+15V,si
forza il canale DS in conduzione ed essendo la resistenza in conduzione estremamente bassa, il segnale
raggiungerilcaricopressochinalterato.Ilcircuitolavorafinoavaloridisegnaledi+10V,poinonsarpi
ingradoditenerelNMOSinconduzione.


12.4LOGICACMOS
Siamo interessati a costruire dispositivi che seguano una logica binaria attraverso una tecnologia detta
CMOS (Complementary MOS), che prevede lutilizzo nello stesso circuito di transistor complementari
NMOS e PMOS. Il vero (1) e falso (0) della logica binaria vengono implementati come V (alto potenziale,
TRUE)eGND(potenzialediterra,FALSE).
AnalizziamoilfunzionamentodiunaportaNOT:questaprevedecheperunsegnalein
ingresso TRUE, venga resistito un segnale
in uscita FALSE e viceversa. Secondo le
tecnologia CMOS, il circuito corrispondente a tale porta
quelloinfigura.QuandoilsegnaleiningressoTRUE( VDD ),il
PMOS
transistor PMOS risulter interdetto ( VGS = VDD VDD = 0 )
mentre lNMOS risulter in conduzione con luscita
cortocircuitataaterra:questosignificache V
OUT = GND .
Nel caso in cui VIN = GND
, il transistor NMOS risulter
interdetto mentre quello PMOS in conduzione: inoltre,
questultimosarsollevatodaterradaltransistorinterdettoe

dunque VOUT = VDD .

Analizziamo invece il funzionamento della porta NAND: questa operazione logica


prevedecheilsegnaleinuscitasiaFALSEseesoloseentrambiisegnaliiningresso
sonoTRUE,altrimentiTRUE.
A = 0, B = 0 : Q1 e Q2 sono interdetti, mentre i
due PMOS sono in conduzione; di conseguenza,
VOUT = 1;
B =0 : Q1 e Q4 sonointerdetti,mentregli
A = 1,
altridueconducono;diconseguenza, VOUT = 1;in
questo caso, se non avessimo riferito il body di
Q2 saremmorisultatiflottanti;

A = 0, B = 1 :analogo;
A = 1, B = 1 : Q1 e Q2 sono in conduzione,
mentreglialtriduerimangonointerdetti;essendo
iprimidueconnessiaterra, VOUT = 1.


13.LAMPLIFICATOREOPERAZIONE

13.1GENERALITA
Gliamplificatori operazionali (OPAMP) sono amplificatori differenziali
ad alto guadagno con accoppiamento in DC e un singolo terminale
duscita. Questi sono caratterizzati da un guadagno a circuito aperto
(open loop gain) infinito e da una basse impedenza duscita,
equiparabile a quella di un transistor FET in conduzione.E necessario
notare, per, che un guadagno infinito non facilmente gestibile:
infatti si potrebbe rischiare di entrare in un regime di guadagno non
lineare(comelamplificatoregrounded).Diconseguenza,gliOPAMPnonvengonomaiutilizzatiacircuito
aperto,masempreconnessiaduncircuitodiretroazione,chefasscadereilguadagno,mapermettechela
rispostadellamplificatoresiastabile,lineareepredittiva.Dunque,pergestiregliOPAMPintroduciamoun
meccanismodicontrollocheaggiustailsegnaleiningressoinfunzionedellenecessitinuscita.Ilcircuitodi
retroazionehadunqueunafunzionelogica:ilsegnaleinuscitanonassumeilvaloredesiderato?Modificalo!
Altrecaratteristichefondamentali,oltrealopenloopgaininfinitoeallabassaimpedenzaduscita,sono:
accoppiamentoinDCdelluscitacongliingressi;
necessitanodialimentazione;
il segnale in uscita pu variare soltanto tra gli estremi
datidallalimentazione;
VINV > VNINV VOUT = V (saturazionenegativa);
VINV < VNINV VOUT = V (saturazionepositiva);
hannoguadagnoinmodocomunenullo.
OgniOPAMPdotatodiundatasheet,incuivengonoespostelefunzionipossibilidelcircuitointegratoe
viene mostrato lo schema della piedinatura. Da questo notiamo che il GND connesso al COM
dellintegrato,edpercibuonanormaprogettualequelladiconnetterloalGNDcomplessivodelcircuito.
LeregoledoroperlanalisidicircuiticonOPAMPidealisonoleseguenti:


1. lamplificatore muover luscita in modo tale da annullare ogni differenza di potenziale tra gli
ingressi: VINV VNINV = 0 ;
2. lacorrenteneidueingressinulla.
Assumeremodaquiinpoichetuttiicircuitimostratisianoconnessiallalimentazione.

13.2AMPLIFICATOREINVERTENTEENONINVERTENTE
La configurazione circuitale in figura prende il nome di
amplificatoreinvertente.Utilizziamouncircuitodiretroazione
negativa, che viene SEMPRE connesso allingresso invertente.
Analizziamoilcircuitoattraversoleregoledoro:
1. VA = VB = GND ; A si comporta da ground virtuale, in
quantoapotenziale0manonesistenessunpercorso
dibassaimpedenzacheloconnettaaground;
VIN V
2. IAB = 0 IR1 + IR 2 = 0 IR1 = , IR1 = OUT
R1 R2
VIN VOUT R
+ = 0 VOUT = 2 VIN . Limpedenza duscita dellamplificatore nulla, mentre quella
R1 R2 R1
V
dingresso, Z IN = IN = R1.Quindi,seoptiamoperunguadagnodifferenzialedi G = 10 ,sceglieremodue
IIN
resistenzerispettivamenteda10ke100k,enonda1e10ohm,poichaltrimentilimpedenzadingresso

risulterebbetroppobassa.

La configurazione circuitale in figura prende il nome di
amplificatore non invertente. Attraverso le regole auree
otteniamoche:
1. VA = VB = VIN ;
2. Non passa corrente tra i due rami, e di conseguenza le
dueresistenzesonoinserie;
R1
Quindi R1, R 2 costituisce un partitore
di tensione alimentato da VOUT e dunque VIN = VOUT
R1 + R2
R
VOUT = 1+ 1 VIN .
R2
Se vogliamo amplificare soltanto segnali AC, possiamo utilizzare lAC
coupled voltage noninverting amplifier, che permette il passaggio del
solosegnaleACattraversounblockingcapacitor.

13.3FOLLOWER
QuellainfiguralaversioneOPAMPdiunemitterfollower.Esemplicemente
un amplificatore non invertente con resistenze R1 infinita ed R2 nulla. Un
amplificatorediquestotipovienechiamatobuffer(tampone),acausadellesue
proprietisolantieperlasuacapacitdiadattareleimpedenze.


13.4SORGENTEDICORRENTE
Ilcircuitoinfiguraapprossimaunasorgenteidealedicorrente,senzaloffsetdi0,6Vdiuntransistor.


Vediamo a quanto equivale la corrente generata da
questasorgenteideale:
1. VB = VIN ;
VB VIN
2. IL = IR edunque IR = = = IL
R R
Quindisihache I = VIN .Eevidentechelacorrente
L
R
non dipende dalle caratteristiche del carico.

Lintervallo di acquiescenza duscita corrisponde a
(V+ VA ,0) ,dove V+ rappresentalamassimatensioneche

fornisco allamplificatore, mentre VA rappresenta la
tensionespesapergenerarelacorrente.
Il problema
di questa sorgente di corrente che il carico
non messo a terra. Una possibile soluzione risiede
nellalimentare lamplificatore con un generatore flottante
econnetteretutto
il circuito a terra
tramite un capo del carico. Oppure possiamo sviluppare un
circuitoconOPAMPeuntransistoresterno.
In questo caso, il feedback forza una differenza di potenziale
VCC VIN ai capi della resistenza, definendo una corrente di
VCC VIN
collettore IC = IE . Non ci sono offset o variazioni di
R
temperaturadicuipreoccuparsi,inquantolasorgentedicorrente
risulta imperfetta tanto quanto la corrente di base varia con la
tensioneCE.

Vediamooracomericostruirepassopassolalimentatoreflottante:
(2) aggiungiamo due
resistenze: queste
formeranno un partitore
rispetto a V+ . Inoltre,
siccome VA = VB si ha
R2
V+ = IL R3
R1 + R2
VIN
(1)Inquestocasosiha IL =
R

Abbiamo applicato in questo caso lo schema circuitale
costruito ad un generatore, dove il COM direttamente
connesso a terra. Quindi la polarizzazione dellOPAMP risulta
in questo caso esplicitamente visibile. Niente della
configurazione precedente cambiato: il circuito soltanto
statoconnessoadungeneratoreditensione.


(4)SpostiamooralaterradalCOMaduncapodellaresistenza R3 .
La corrente passante nel carico non cambiata, e questo
dimostrato dal seguente fatto: avendo spostato la terra, le due
resistenze R1, R2 non sono pi in parallelo ma sono
in serie, e
quindi V+ = I(R1 + R2 ) .Inoltre,dovendovalerelaregola1,siavr
che VA VB = IR2 IL R3 = 0 . Allora possiamo scrivere
R2
0= V+ R3 IL = 0 , e dunque la corrente nel carico
R1 + R2
identicaaprimaenondipendedallaconfigurazionedelcarico.

13.5AMPLIFICATOREALLEDIFFERENZE

R2
1. VA = VB = V2
R1 + R2
V VA VA VOUT
2. IR1 = IR 2 1 =
R1 R2
1 R2 1 R2
Quindi: V1 V2 = V2 VOUT
R1 R1 + R2 R2 R1 + R2

R
einfine VOUT = 2 (V2 V1 ) ,dacuisievincechiaramente
R1

cheilguadagnoinmodocomunedeveesserenullo.