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ANLISE E PROJETO DE MDULOS AMPLIFICADORES E COMPARADORES EM

m
TECNOLOGIA CMOS 0.35

Fernando Paixo Cortes, Eric Fabris, Juan Pablo Martinez Brito, Sergio Bampi
{fpcortes, fabris ,juan, bampi}@inf.ufrgs.br

Instituto de Informtica Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)


Caixa Postal 15.064 91.501-970 Porto Alegre RS Brazil

ABSTRACT

Design techniques and CAD tools for digital systems are advancing rapidly at decreasing cost, while CMOS
analog circuit design is related mostly with the individual experience and background of the designer. Therefore, the
design of an analog circuit depends on several factors such as a reliable design methodology, good modeling and
technology characterization. Most of this work focuses on the analysis of several analog circuits, including their
functionality, using different design methodologies. A conventional design methodology, based on the modeling where
a current equation is obtained considering that the transistor is in the saturation region, and a design methodology based
on the gm/ID characteristic, that allows a unified synthesis methodology in all regions of operation of the transistor are
used.. The analog circuits to be analyzed and designed are basic building blocks that find vast applications today
amplifiers, comparators and analog filters.

RESUMO

Diferente do projeto de sistemas digitais onde as tcnicas de projeto e ferramentas CAD (Computer-Aided Design)
vem apresentando uma crescente evoluo acompanhada da reduo de seus preos, o projeto de circuitos analgicos ainda
apresenta uma forte correlao com a experincia do projetista. Dentro deste contexto, importantes fatores como
caracterizao de tecnologia, modelamento de dispositivos e metodologia de projeto devem ser considerados. Mais
especificamente, este trabalho ilustra o processo de anlise de vrios circuitos analgicos, assim como as caractersticas de
cada circuito em questo, empregando diferentes metodologias de projeto. So usadas uma metodologia de projeto
convencional, baseada em modelos onde se obtm uma equao explcita para a corrente vlida na regio de operao de
saturao do transistor, e uma metodologia de projeto baseada na caracterstica gm/ID do transistor, que apresenta uma
sntese unificada considerando todas as regies de operao do transistor MOS. Os circuitos a serem analisados e
projetados so blocos considerados bsicos para construo da maioria dos sistemas analgicos usados atualmente
amplificadores, comparadores e filtros analgicos.
ANLISE E PROJETO DE MDULOS AMPLIFICADORES E COMPARADORES EM
m
TECNOLOGIA CMOS 0.35

Fernando Paixo Cortes, Eric Fabris, Juan Pablo Martinez Brito, Sergio Bampi
{fpcortes, fabris ,juan, bampi}@inf.ufrgs.br

Instituto de Informtica Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)


Caixa Postal 15.064 91.501-970 Porto Alegre RS Brazil

RESUMO igualmente aspectos importantes de projeto, como as


caractersticas de dispositivos e de processo e tecnologia,
Diferente do projeto de sistemas digitais onde as tcnicas a fim de modelar, caracterizar, implementar e testar os
de projeto e ferramentas CAD (Computer-Aided Design) seus circuitos.
vem apresentando uma crescente evoluo acompanhada Muitas vezes, o processamento de um sinal por um
da reduo de seus preos, o projeto de circuitos circuito analgico mais econmico e eficiente do que o
analgicos ainda apresenta uma forte correlao com a seu equivalente digital. Exemplos dessa economia podem
experincia do projetista. Dentro deste contexto, ser encontrados em aplicaes onde a freqncia de
importantes fatores como caracterizao de tecnologia, operao alta inviabilizando sua implementao digital
modelamento de dispositivos e metodologia de projeto com sinal amostrado, ou em aplicaes de muito baixa
devem ser considerados. Mais especificamente, este potncia. A complexidade de projeto aumenta na medida
trabalho ilustra o processo de anlise de vrios circuitos que se tem como objetivo a integrao da parte digital
analgicos, assim como as caractersticas de cada com a parte analgica (projeto misto) em uma mesma
circuito em questo, empregando diferentes metodologias pastilha de silcio buscando as vantagens dos dois lados.
de projeto. So usadas uma metodologia de projeto Dentro deste contexto, o modelamento de dispositivos
convencional, baseada em modelos onde se obtm uma semicondutores constitui um aspecto importante no
equao explcita para a corrente vlida na regio de projeto de um sistema analgico, pois de forma abstrata
operao de saturao do transistor, e uma metodologia tem-se o objetivo de emular o comportamento eltrico de
de projeto baseada na caracterstica gm/ID do transistor, um dispositivo real. Portanto, o modelamento e a
que apresenta uma sntese unificada considerando todas caracterizao de dispositivos MOS so reas de constante
as regies de operao do transistor MOS. Os circuitos a pesquisa tanto acadmica quanto industrial. Muitas
serem analisados e projetados so blocos considerados ferramentas computacionais tm sido desenvolvidas para
bsicos para construo da maioria dos sistemas estudar as caractersticas do transistor MOS e simular
analgicos usados atualmente amplificadores, corretamente o desempenho de circuitos formados por este
comparadores e filtros analgicos. dispositivo. Atualmente so utilizados simuladores de
circuitos tais como o SPICE, que adotam modelos
1. INTRODUO compactos para a emulao do diversos dispositivos.
Um dos principais fatores na evoluo no projeto de Outro importante fator que o projetista analgico deve
sistemas VLSI (Very Large Scale Integration) a considerar, a metodologia de projeto a ser usada, ou seja,
tecnologia de integrao de circuitos (CI) que permite a dadas as especificaes desejadas, o clculo da geometria
realizao e construo de sistemas cada vez mais velozes dos transistores (W/L) dos blocos a partir de modelos
e complexos. Hoje visvel uma crescente digitalizao analticos que emulem o comportamento do bloco a ser
dos sistemas, porm os circuitos analgicos no podem ser implementado. A maioria dos mtodos para sntese de
totalmente substitudos, pois todas as grandezas fsicas na circuitos analgicos geralmente considera que os
natureza so analgicas fazendo-se necessria alguma transistores MOS operam ou em inverso forte ou em
forma de transformar sinais analgicos em digitais e vice- regio fraca, que muitas vezes no uma boa soluo para
versa. se obter resultados seguros.
Diferente do projeto de sistemas digitais, o projeto de Este trabalho tem como objetivo o estudo de tcnicas de
circuitos analgicos ainda apresenta uma forte correlao projeto e modelagem a fim de se obter o projeto de um
com experincia do projetista. O projetista deve dominar circuito analgico com menor custo, bom desempenho e
reduzido tempo de projeto. Os circuitos a serem
analisados sero blocos considerados bsicos para A figura 1 ilustra uma aproximao geral dos passos
construo da maioria dos sistemas analgicos usados necessrios para o projeto analgico CMOS baseado em
atualmente, mais precisamente visando Moduladores [1]. O projetista responsvel por todos estes passos
Sigma-Delta [7], sistemas bem populares atualmente e exceto a fabricao. Primeiramente, uma extensa
usados em diversas aplicaes amplificadores, caracterizao da tecnologia a ser usada deve ser feita,
comparadores e filtros analgicos. Toda esta anlise ser onde os parmetros que descrevem as caractersticas
baseada na tecnologia CMOS AMS0.35m. particulares dos dispositivos so obtidos. A partir desta
Este artigo est organizado na seguinte forma: seo 2 caracterizao e das especificaes requeridas para o
discute o projeto analgico CMOS; seo 3 apresenta um circuito feita uma modelagem e sntese a fim de se obter
modelo onde se obtm uma equao explcita para a a dimenso dos transistores. As ferramentas para a anlise
corrente vlida na regio de operao de saturao do do desempenho eltrico do circuito so a seguir utilizadas,
transistor; a seo 4 trata da caracterizao dos parmetros onde o projetista deve realizar uma iterao usando os
que descrevem caractersticas particulares do transistor resultados de simulao para melhorar a performance do
MOS; a seo 5 apresenta uma metodologia de projeto circuito. Com a performance desejada satisfeita, feita a
baseada na caracterstica gm/ID do transistor, uma sua descrio geomtrica (layout). indispensvel uma
metodologia de sntese unificada considerando todas as nova simulao eltrica ps-layout, incluindo os efeitos
regies de operao do transistor MOS; a seo 6 geomtricos (incluindo os parasitas R, L e C extrados do
dedicada anlise e projeto de blocos analgicos; e layout). Depois de todos estes passos, se os resultados
finalmente, a seo 7 apresenta algumas concluses e forem satisfatrios, o circuito est pronto para fabricao.
trabalhos futuros. Seno, uma nova iterao de projeto deve ser realizada.
Outra importante considerao no projeto analgico
2. PROJETO ANALGICO CMOS CMOS diz respeito s tcnicas de layout. Para a
implementao do layout de blocos bsicos analgicos
O objetivo do projetista analgico transformar as (presentes na maioria dos circuitos analgicos) , como par
especificaes requeridas em circuitos que satisfaam diferencial e espelho de corrente, necessrio o uso de
estas especificaes, tanto com seus esquemticos, netlists tcnicas especiais. Por exemplo, para se obter bom
e layouts. Para isto necessrio um estudo extenso sobre o casamento no par diferencial, uma soluo a construo
modelo do transistor MOS, assim como o conhecimento do layout com um centride comum, o que o torna menos
de sua tecnologia. sensvel a variaes de processo da tecnologia. O mesmo
vale para o espelho de corrente.

3. MODELAGEM DE CIRCUITOS ANALGICOS


CMOS

A principal funo do projeto analgico prever e


verificar a performance do circuito ou sistema. Esta funo
alcanada atravs do uso de modelos que emulam o
funcionamento destes circuitos. Segundo [1], modelagem
definido como o processo em que as propriedades eltricas
de um dispositivo semicondutor ou um grupo de
dispositivos interconectados so representados por
equaes matemticas, representao de circuitos ou
tabelas.
Portanto, a fim de se obter uma anlise confivel de
qualquer circuito analgico, deve-se modelar as
caractersticas do dispositivo bsico para o projeto
analgico: transistor MOS. Estas caractersticas so: o
comportamento DC (anlise de grandes sinais); o
comportamento AC (caractersticas de pequenos sinais); e
resposta em freqncia de pequenos sinais.
Pode se obter, ento, um modelo simplificado para se
calcular a corrente do transistor MOS baseado em [1] e
Figura 1 - Fluxo para o projeto analgico CMOS [8], usado em modelos SPICE nvel 1, considerando que o
transistor est operando exclusivamente na regio de
saturao. A tabela 1 mostra a relao dos principais modelo eltrico BSIM3v3 possui equaes para estes
elementos deste modelo simplificado. parmetros que dependem de outros parmetros. A seguir
sero descritos os processos de obteno destes
Tabela 1 Equaes simplificadas dos elementos do modelo AC
e DC do transistor MOS na regio de saturao parmetros atravs de mtodos grficos e numricos
desenvolvidos em [3] e [5].
Definio Equao
ID Corrente de o Cox W 4.1. Determinao do parmetro n (Subthreshold
(VGS Vt )
2
ID = Slope)
polarizao do 2n L
transistor
gm Ganho de I D o Cox W A fim de se calcular corretamente a corrente de
transcondutncia = 2 ID polarizao (ID) do transistor, necessrio levar em
V GS n L
considerao o parmetro chamado de fator de inclinao
gds Condutncia de I D ID I n (slope factor). Este parmetro interpretado como a
sada do = go = ID D
VDS 1 + VDS VA inclinao da curva log(ID) versus VGS na regio de
transistor inverso fraca. Portanto, fica clara a importncia deste
parmetro para o projeto analgico.
4. CARACTERIZAO DOS PARMETROS Este mtodo de extrao deste parmetro baseado em
ELTRICOS DO TRANSISTOR MOS [5], levando em considerao uma outra interpretao do
fator de inclinao n. Pode-se considerar o parmetro
equivalente ao inverso da derivada de VP em relao a
Na seo anterior foi apresentado um modelo que emula o
VGB. A tenso de pinch-off (VP) definida como a tenso
transistor MOS na regio de saturao, sob vrias
de canal no limite entre a regio de inverso fraca e a
condies de funcionamento de acordo com seus terminais
regio de inverso forte [6]. VP obtido a partir das
(S, G, D, B). Entretanto, antes de qualquer modelo ser
caractersticas gate-comum, como ilustrado na figura
usado, importante que os parmetros que descrevem
2, onde o ponto Is a corrente de normalizao.
caractersticas particulares de um dado dispositivo sejam
conhecidos. Portanto, antes que o projeto comece, os
dispositivos a serem usados devem ser caracterizados para
que se obtenha um modelo com seus parmetros
devidamente determinados. Como geralmente os
parmetros de tecnologia no so totalmente fornecidos
pelas foundries, necessrio que o prprio projetista
caracterize os dispositivos fsicos a serem usados, atravs
de medidas eltricas. Como ainda no se possui
dispositivos fsicos para a caracterizao na tecnologia
aqui em uso, AMS0.35m, a soluo encontrada foi o uso
de simulaes eltricas com o modelo eltrico disponvel,
o modelo BSIM3v3.2.2. A tabela 2 mostra uma lista
destes parmetros de tecnologia.

Tabela 2 Parmetros de processo da tecnologia AMS0.35um


Figura 2 Caracterstica ID versus VS do transistor NMOS
(W/L = 1) com o ponto Is escolhido para se achar se o seu
NMOS PMOS
VP correspondente
ni 1,5e+10 cm-3
(Si, T=350K) J a figura 3 mostra a caracterstica VP versus VGB do
si 1,045 pF/cm transistor, aonde se obtm o valor de n (derivada da curva)
Nch 2,31e+17 1,03e+17 1/cm e Vto (ponto em que VP nulo). Obtendo-se nNMOS = 1,22
o 403,5 129,6 cm2/Vs e nPMOS = 1,17. As trs caractersticas da figura 3 foram
Tox 7,7e-07 7,7e-07 cm obtidas considerando-se trs valores diferentes para Is.
Cox 4,48e-7 4,48e-7 F/cm2
Vto 0,465 -0,617 V

Pode-se observar que dois parmetros muitos importantes


para o projeto analgico, o fator de inclinao n (slope
factor) e VA (tenso de Early) no so fornecidos, pois o
(que ser mais detalhada na prxima seo) pode ser
explorada durante o projeto, onde as dimenses dos
transistores so desconhecidas.

Figura 3 - Caracterstica VP versus VGB do transistor


NMOS para cada Is diferente

Figura 4 - VA em funo da caracterstica gm/ID para L


4.2. Determinao do parmetro VA
diferentes do transistor NMOS - Tecnologia AMS0.35m
Um dos parmetros necessrios para o projeto analgico
CMOS analtico a tenso de Early (VA). Este parmetro 5. METODOLOGIA GM/ID
essencial para o projeto analgico CMOS, pois a
resistncia de sada do transistor depende diretamente O principal problema para o projetista dado as
deste parmetro, que por sua vez depende linearmente do especificaes desejadas, o clculo da geometria dos
comprimento do canal (L) do transistor. transistores (W/L) dos blocos. A maioria dos mtodos para
Este parmetro foi estimado atravs dos mtodos sntese de circuitos analgicos geralmente considera que
apresentados em [1] e [8] empregando simulaes os transistores MOS operam ou em inverso forte ou em
eltricas. Como mostrada na tabela 3, a tenso de Early regio fraca, que muitas vezes no uma boa soluo para
est diretamente ligada com o comprimento do canal (L) se obter resultados seguros. A metodologia de projeto
do transistor. gm/ID, proposta por [10], apresenta um mtodo
alternativo para este problema, permitindo uma
Tabela 3 Variao do parmetro tenso de Early em funo do metodologia de sntese unificada considerando todas as
L do transistor Vgb = 3V Tecnologia CMOS 0.35m regies de operao do transistor MOS. Neste mtodo
L VA (V) considerada a relao entre a razo entre a
(um) NMOS PMOS transcondutncia gm sobre a corrente de dreno ID e a
1 129,5 27,55 corrente de dreno normalizada ID/(W/L) como a
1,5 159,6 38,24 ferramenta fundamental para o projeto.
2 178,8 48,06 Outra interessante caracterstica desta metodologia que
2,5 204,05 57,99 tanto a relao gm/ID como a corrente normalizada
5 297,3 103,9 ID/(W/L) so independentes em relao s dimenses dos
7,5 357,8 151,5 transistores. Portando, pode-se considerar que a relao
entre gm/ID e a corrente normalizada uma caracterstica
10 426,2 198,9
nica para todos os transistores do mesmo tipo (NMOS e
PMOS) para uma determinada tecnologia. Pode-se, ento,
Porm, muitas vezes o projetista escolhe a corrente de obter uma curva com esta caracterstica universal de
polarizao DC e/ou a regio de operao do transistor a gm/ID versus ID/(W/L) que pode ser explorada durante o
ser usado e a partir da escolhe seu tamanho, e projeto, onde as dimenses dos transistores so
conseqentemente seu VA. Portanto, interessante ao desconhecidas. A partir das especificaes desejadas para
projetista o conhecimento da variao VA em relao a um determinado bloco analgico, e uma vez que um par de
regio de operao do transistor. A figura 4 ilustra a valores gm e ID forem obtidos (escolha da regio de
relao da variao da tenso de Early em funo da operao do transistor pelo projetista), o W/L do transistor
variao da caracterstica gm/ID do transistor para diversos pode ser determinado.
comprimentos de canal diferentes. Portando, pode-se obter
uma curva de VA versus a caracterstica universal de gm/ID
A curva gm/ID versus ID/(W/L) pode ser obtida por Deseja-se obter um amplificador Miller com as seguintes
duas maneiras: analiticamente, usando um modelo para o especificaes: Av > 10000 (80dB), GBW = 15MHz,
transistor MOS, ou atravs de medidas experimentais de ICMR = -1V a 0,5V, SR > 18V/us, CL = 10pF, VDD =
um transistor tpico. Para se obter a curva gm/ID 1,65 V e VSS=-1,65 V.
analiticamente, necessria o uso de um modelo de O procedimento do projeto ilustrado aqui buscando
transistor MOS, como o modelo EKV [6] que fornea uma melhor performance em termos de ganho DC (Av),
representao contnua da corrente do transistor e Margem de Fase (MF), produto ganho-faixa (GBW) e
parmetros se pequenos sinais em todas as regies de sua slew rate (SR). Entretanto, este procedimento pode ser
operao. J a para a obteno da curva gm/ID modificado levando em conta outros aspectos (como rudo
experimental, seriam necessrias vrias medidas de e CMRR rejeio de modo comum) que podem ser
transistores tpicos para a tecnologia aqui em uso. Como relevantes para um determinado tipo de aplicao, desde
ainda no se possui dispositivos fsicos para a que esteja diretamente ligado com relao gm/ID versus
caracterizao nesta tecnologia, a soluo encontrada foi a ID/(W/L). O projeto segue a seguinte seqncia:
obteno da curva atravs de simulaes eltricas
SPECTRE com o modelo BSIM3v3. A figura 5 mostra a primeiro, necessrio estabelecer o valor do
as curvas gm/ID obtidas analiticamente e atravs de capacitor de compensao Cc. Como regra bsica
simulao eltrica dos transistores NMOS e PMOS para a [1], o plo dominante de sada do circuito deve
tecnologia AMS0.35m. ser posicionado a 2,2 vezes o GBW, o que
garante uma margem de fase de 60 (assumindo
que o zero do semi-plano direito z1 maior que
10 vezes o GBW). Tal posicionamento do plo
resulta na seguinte expresso para o valor para
Cc: Cc > 0,22 C L Cc = 2,5 pF
a partir da especificao de SR, pode-se obter a
corrente de polarizao (Ibias), que igual a
(
45A Ibias = Cc SR ; )
os transistores do espelho de corrente NMOS
(M3 e M4) devem operar na regio de inverso
forte, a fim de se garantir um bom casamento e
boas propriedades de rudo. Portanto, escolhido
Figura 5 - Curva gm/ID: analtica e simuladas transistores (gm/ID)3 = (gm/ID)4 = 10;
NMOS e PMOS para a tecnologia AMS0.35m. para o par diferencial NMOS (M1 e M2), a partir
da especificao de GBW pode-se saber o gm
Com a curva gm/ID obtida para a tecnologia desejada, o dos transistores do par, e conseqentemente seu
prximo passo foi a aplicao e validao desta gm/ID. Portanto, (gm/ID)1 = 10,47;
metodologia. O circuito escolhido foi o amplificador 10 g m1
a partir da relao g m 7 [1], tem-se
operacional tipo Miller, que tem seu esquemtico
mostrado na figura 6. que (gm/ID)7 = 10;
(gm/ID)5= (gm/ID)6 = 7.

Com os valores de (gm/ID) escolhidos, a corrente


normalizada ID/(W/L) determinada atravs da curva
gm/ID de cada transistor, e conseqentemente o W/L de
cada transistor. O comprimento de canal (L)
determinado a fim de se obter uma melhor relao entre
rea e ganho DC (devido dependncia da tenso de
Early em relao ao L, como mostrado na seo 3), aqui
estimado em 5 vezes o L mnimo que a tecnologia permite.
Os valores escolhidos so mostrados na tabela 4.

Figura 6 Esquemtico do amplificador tipo Miller


Tabela 4 Dimenses dos transistores Amp. Miller passa-banda [7], que composto basicamente por um
W/L W (um) L (um) estgio filtro passa-banda (com blocos transcondutores) e
M1 36 54 1.5 um comparador. A seguir descreve-se o desenvolvimento
M2 36 54 1.5 de cada um deles.
M3 10 15 1.5
M4 10 15 1.5 6.1. Comparador track-and-latch
M5 30 45 1.5 O comparador track-and-latch [4], mostrado na figura 7
consiste em um par diferencial NMOS (M1 e M2), dois
M6 158 237 1.5
inversores realimentados (M3/M8 e M4/M9), dois
M7 103 154.4 1.5
transistores PMOS pull-up de reset (M6/M7) e uma fonte
de corrente controlada por um relgio (M5). Durante o
A tabela 5 mostra excelentes resultados de performance do semi-ciclo ativo do relgio, os transistores pull-up ficam
amplificador Miller, calculados analiticamente e atravs abertos e o par diferencial ativado, onde os sinais de
de simulaes eltricas SPECTRE, nas verses entrada devem estar definidos e estveis, realizando-se a
esquemtico eltrico e com o layout extrado. O layout do comparao. No semi-ciclo inativo, a corrent I5 cortada
amplificador projetado, mostrado na figura 7, foi feito no e os nodos de sada so resetados (pr-carga).
ambiente CADENCE usando as tcnicas de layout
descritas na seo 2.

Tabela 5 Resultados de performance do Amp. Miller


calculados e simulados
Analtico Simulao SPECTRE
Esquemtico Layout
Extrado
Av (dB) 107,45 90,09 81,99
F3dB (Hz) 543 1,037K
MF () 60 54,3 55
GBW (MHz) 15 15,14 14,6
SR (V/us) 18 20,7 20,42 Figura 7 Esquemtico do comparador track-and-latch
IDD (A) 280,6u 356u 346,9
Pdiss (mW) 0,925 1,17 1,144 Deseja-se obter um comparador com as seguintes
Vout mx (V) 1,55 1,55 especificaes: sensibilidade de 5mV, frequncia de
operao de 10MHz, SR = 100V/s, CL = 100fF (carga de
Vout min (V) -1,6 -1,6
entrada do estgio seguinte, Latch D), VDD = 1,65 V e
VSS=-1,65 V.
A partir da anlise do comportamento DC e da anlise AC,
atravs de seu modelo de pequenos sinais pode-se obter
as principais relaes que modelam seu comportamento.
Utilizando as tcnicas de projeto desenvolvidas
anteriormente, pode-se obter as dimenses dos transistores
que satisfazem as especificaes requeridas (tabela 6).
Tabela 6 Dimenses dos transistores Comparador

W/L W (m) L (m)


M1 22 33 1,5
M2 22 33 1,5
Figura 7 Layout do amplificador tipo Miller AMS0.35m M3 2,4 6 2,5
M4 2,4 6 2,5
6. PROJETO DE BLOCOS FUNCIONAIS M5 0,277 1,25 4,5
ANALGICOS M6 3,33 1 0,3
Com uma metodologia de projeto eficaz e confivel M7 3,33 1 0,3
definida, sero analisados blocos considerados bsicos M8 0,8 2 2,5
para construo da maioria dos sistemas analgicos usados M9 0,8 2 2,5
atualmente, mais precisamente visando um Modulador
Com as dimenses obtidas partiu-se para a etapa de
implementao utilizando-se a ferramenta CADENCE. O
circuito foi implementado em duas verses: esquemtico
(utilizando a biblioteca de transistores AMS0.35) e layout
(extrado com capacitncias). A figura 8 mostra o layout
do estgio comparador na tecnologia AMS0.35um, com
uma rea total de 53 x 25 m2 . A tabela 7 mostra alguns
Figura 9 Topologia do filtro Gm-C passa-banda
resultados de performance do comparador atravs de
simulaes eltricas SPECTRE, nas verses esquemtico e
Um amplificador de transcondutncia ideal para este tipo
com o se layout extrado.
de aplicao seria uma fonte de corrente controlada por
tenso com largura de banda infinita e resistncias de
entrada e sada infinitas. A configurao estgio
amplificador diferencial com CMFB (Common-Mode
FeedBack) [1], mostrado na figura 10, uma boa opo
para este projeto. O amplificador linearizardo com o uso
da tcnica de degenerao de fonte (source degeneration)
[8] e [11], onde um resistor passivo conectado entre os
terminais de fonte do par diferencial. Portanto, o ganho de
transcondutncia gm do par diferencial determinado
pelo termo linear R, que implementado atravs de um
transistor com o seu terminal gate conectado a uma tenso
de polarizao (VC) que garante o transistor operando na
regio no linear (triodo).
O projeto foi feito buscando melhor performance em
termos de ganho de trancondutncia (gm), produto ganho-
Figura 8 Layout do comparador track-and-latch AMS0.35m faixa (GBW) e slew rate (SR), a fim de se obter um filtro
passa-banda com sua freqncia central de
Tabela 7 Resultados de performance do comparador track-and- aproximadamente 5MHz.
latch simulados
Simulao SPECTRE
Esquemtico Layout
Extrado
CL (pF) 10 10
Delay td (ns) 4,95 5,02
(ph1Vo+)
F max (MHz) 70 70
Sensibilidade - Vin 0,5 1
(mVpp) @ 10MHz
Itailmx (A) 95,58 102

5.2 Filtro Passa-Banda

Para a implementao do filtro passa-banda , foi escolhida


a arquitetura usando filtros Transcondutncia-C (Gm-C) Figura 10 Esquemtico do OTA diferencial com CMFB
[2] e [11], que uma boa opo para o projeto de filtros
contnuos no tempo. Filtros Gm-C so usados em diversas O filtro proposto foi implementado em duas verses:
aplicaes, evitando o uso de amplificadores operacionais, esquemtico (utilizando a biblioteca de transistores
obtendo o ganho que se necessita atravs de AMS0.35) e layout (extrado com capacitncias). A figura
amplificadores transcondutores. Portanto s necessrio 11 mostra o layout do estgio comparador na tecnologia
para sua implementao capacitores e trancontudores, AMS0.35um, com uma rea total de 121 x 163 m2.
facilitando a sua implementao em circuitos integrados.
A figura 9 mostra a topologia escolhida usando blocos
trancondutores que implementa um filtro passa-banda, que
uma variao da topologia biquadrtica baseada em [11].
Portanto, pretende-se prototipar estes circuitos, passando
por todas as etapas necessrias para a obteno de um
sistema analgico em tecnologia CMOS.

7. REFERNCIAS
[1] Allen, Phillip E.; Holberg, Douglas R. CMOS Analog
Circuit Design. Oxford University Press, 1987.
[2] Benabes, P.; Kerama, M..; Gauthier, A.;Kielbasa,R.
Nlinearity of Gm-C in Bandpass Sigma-Delta
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43, august, 2000.
[3] Cortes, Fernando P.; Bampi, Sergio (2001) Medidas
Figura 11 - Layout do filtro passa-banda com Fc ajustvel Experimentais, Extrao e Otimizao de Parmetros para
implementado em ambiente CADENCE SPECTRE Simulao de Mdulos Amplificadores em Mar de
Transistores. Trabalho Individual, Instituto de
Os resultados de simulao mostram a freqncia central Informtica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul
de operao (Fc) entre 4MHz e 5MHz e um fator de (UFRGS).
qualidade (Q) de aproximadamente 250, como ilustra a
[4] Choi, J. H.; Bampi, Sergio. Mixed-Signal Analog-
figura 12.
Digital Circuits Design on the Pre-Diffused Array Using
Trapezoidal Association of Transistors. PHD thesis,
Instituto de Informtica UFRGS, 2001.
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[6] Enz, C. Ch.; Krummenacher, F.; Vittoz, E. A. An
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Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-
Current Applications. Analog Integrated Circuits and
Systems Processing Journal on Low-Voltage and Low-
Power Circuits, New York, p.1588-1591, July 1995.
Figura 12 Resultados de simulao parra ajuste de freqncia do
filtro passa-banda implementado Verso esquemtico. [7] Fabris, Eric E.; Carro, Luigi; Bampi, Sergio. An
Analog Signal Interface with Constant Performance for
6. CONCLUSES E TRABALHOS FUTUROS SOCs. IEEE ISCAS2003. Dezembro de 2002.

Este trabalho exemplificou o uso de tcnicas de projeto, [8] Laker, Kenneth R.; Sansen, Willy M. C. Design of
modelagem e caracterizao de parmetros de tecnologia Analog Integrated Circuits and Systems. McGraw-Hill,
para o desenvolvimento de diversos blocos analgicos Inc., 1994.
considerados bsicos para construo da maioria dos [9] Norsworthy, S. R.; Schreier, R.; Temes, G. C. Delta-
sistemas analgicos usados atualmente amplificadores, Sigma Data Converters Theory, Design and Simulation.
comparadores e filtros analgicos. IEE Press, 1997.
Com uma metodologia de projeto eficaz e confivel
definida, a metodologia gm/ID, o projeto dos blocos [10] Silveira, F.; Flandre, D.; Jespers, P. G. A. A gm/ID
funcionais comparador track-and-latch e OTA (para o Based Methodology for the Design of CMOS Analog
filtro GM-C passa-banda) foi detalhado e validado. No Circuits and Its Aplication to the Synthesis of a Silicon-
nvel das simulaes eltricas, os resultados atingidos on-Insulator Micropower OTA. IEEE Journal of Solid-
foram muito bons, porm a fim que estes resultados sejam State Circuits, vol. 31, no. 9, september 1996.
extendidos para o nvel de implementao fsica diversas [11] Tsividis, Yannis. Integrated Continuous-Time Filter
consideraes devem ser feitas, como a validade do Design An Overview. IEEE Journal of Solid-State
modelo eltrico usado e as caractersticas do processo de Circuits. Vol. 29, 1994.
fabricao (capacitncia e resistncias parasitas).