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UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE

FACULTAD DE INGENIERA
Departamento de Ingeniera Mecnica
HMR/hmr.

INGENIERIA DE EJECUCIN EN MECANICA


PLAN 2001

GUIA DE LABORATORIO

ASIGNATURA
15065 AUTOMATIZACIN
NIVEL 07
EXPERIENCIA ATM-L04
COMPONENTES ELECTRNICOS BSICOS
USADOS EN AUTOMATIZACIN E
INSTRUMENTACIN

HORARIO: JUEVES: 9-10-11-12


MARTES: 9-10-11-12
UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE
FACULTAD DE INGENIERA
Departamento de Ingeniera Mecnica
HMR/hmr.

COMPONENTES ELECTRNICOS BSICOS USADOS EN


AUTOMATIZACIN E INSTRUMENTACIN

1. OBJETIVO GENERAL

Familiarizar al alumno con los componentes electrnicos ms utilizados en


automatizacin e instrumentacin

2. OBJETIVOS ESPECFICOS

2.1 Que el alumno comprenda el principio de funcionamiento de los


componentes electrnicos de estado slido, basados en la unin P-N y N-P.

2.2 Que el alumno se familiarice con la curva I v/s Vab para los diferentes
diodos, (diodo comn, diodo Zenner, photodiodo y optodiodo) y comprenda
las aplicaciones funcionales de estos elementos.

2.3 Que el alumno se familiarice con los transistores NPN y PNP en la aplicacin
circuito-abierto/saturacin o todo/nada y tambin el la aplicacin amplificador
de corriente.

2.4 Que el alumno comprenda y se familiarice con las diversas aplicaciones que
ofrece un amplificador operacional, en particular el uso de los amplificadores
operacionales en circuitos acondicionadores de seales y realizando
operaciones matemticas y lgicas.

2.5 Que el alumno comprenda las aplicaciones funcionales de los TRIAC, en


particular usados como vlvulas o amplificadores de potencia elctrica.

2.6 Que el alumno identifique los parmetros tcnicos que caracterizan a cada
uno de los elementos electrnicos tratados en el laboratorio y comprenda las
causas de destruccin de los mismos.

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3. INTRODUCCIN TERICA

3.1 MATERIALES SEMICONDUCTORES

La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados


a partir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos
dispositivos cuando se insertan en un circuito electrnico, es necesario conocer el
comportamiento de los componentes desde un punto de vista fsico.
Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes
carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin intermedia:
a la temperatura de 0K se comportan como aislantes, pero mediante una
aportacin de energa puede modificarse esta situacin, adquiriendo un
comportamiento ms cercano al de los conductores.

Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa


microelectrnica son el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de
elementos del grupo IV de la tabla peridica, o bien combinaciones de elementos
de los grupos III y V. De todos ellos, el ms empleado actualmente es el silicio.

3.2 COMPONENTES SEMICONDUCTORES

3.2.1 EL DIODO

El nacimiento del diodo surgi a partir de la necesidad de transformacin de


corrientes alternas en continua.

La corriente en un diodo presenta un sentido de circulacin de cargas


positivas que van desde el nodo al ctodo, no permitiendo la circulacin de la
corriente en el sentido opuesto, lo cual permite la conversin de corriente alterna a
continua, procedimiento conocido como rectificacin. Esto ocurre porque por el
diodo solamente podr circular corriente cuando el nodo sea ms positivo que el
ctodo.

Estn compuestos por dos regiones de material semiconductor que se


llama unin P-N que es la base de todo componente electrnico de tipo activo.
Entre las dos partes de la unin P-N, y en la zona de contacto entre ambas, se
produce una regin denominada de transicin, donde se genera una pequea
diferencia de potencial, dado que se conforma una recombinacin de electrones,
quedando la zona N a mayor tensin que la zona P. Cuando se le aplica una
tensin al diodo con el terminal positivo conectado a la zona P y el negativo a la N
se producir una circulacin de corriente entre ambas debido a que una pequea
parte de esta tensin nivelar la diferencia de potencial entre zonas, llamada

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tensin umbral, quedando stas niveladas en tensin, y el resto de la tensin
aplicada producir una circulacin de electrones de la zona N a la P.
Si esa tensin externa se aplica con los bornes intercambiados, es decir, el
terminal positivo de la fuente conectado a la zona N y el negativo a la regin P, no
habr circulacin de corriente por el diodo, debido a que por efecto de la tensin
aplicada se aumentar la diferencia de potencial existente entre las zonas P y N,
impidiendo as la circulacin de corriente a travs del mismo.

La figura entrega una idea algo ms exacta de lo que sucede en el diodo


cuando se le aplica una tensin, en cualquiera de los dos sentidos (polarizacin
directa e inversa).

El cuadrante superior derecho corresponde a la polarizacin directa, en el


mismo se puede apreciar que existe una tensin (VU) a partir de la cual el diodo
comienza a conducir, dicha tensin es la tensin umbral y vara segn sea el
material semiconductor empleado en la fabricacin del diodo, siendo de 0,7V para
el silicio y 0,3V para el germanio.

El cuadrante inferior izquierdo corresponde a una polarizacin inversa. En


ella se ve que la corriente que lo atraviesa (conocida como corriente inversa) es
prcticamente nula. Note que los valores menores que cero en el eje de la
corriente estn graduados en uA.

Ntese tambin que para polarizacin inversa mayor a VR la corriente


inversa crece indefinidamente. Una tensin inversa de este valor o mayor a l
daa al diodo en forma irreversible y se la conoce como tensin de ruptura o
zner.

Entre las diversas clases de diodos que se encuentran en el mercado, se


pueden citar las siguientes: diodos rectificadores (en montaje individual o puente

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rectificador), diodos de seal, diodos de conmutacin, diodos de alta frecuencia,
diodos estabilizadores de tensin, diodos especiales.

EL ZNER

Es el tipo de diodo ms utilizado para implementar sistemas electrnicos de


regulacin de C.C.

Un diodo de este tipo trabaja en la zona de ruptura vista anteriormente,


llamndose a dicha tensin, tensin Zner VZ. Obviamente que el proceso de
fabricacin de stos vara del empleado para los diodos comunes dada la
necesidad de funcionamiento en la zona de ruptura. Cuando a un zner se le
aplica una tensin menor a VZ ste se comporta como un diodo normal.
Una de las aplicaciones prcticas ms sencillas del zner es la de regulador de
una tensin continua, cuyo diagrama se muestra en la siguiente figura:

Donde: Ve = Tensin de entrada 9 a 12 V


Vs = Tensin de salida 7 V
Iz = Corriente en el zner 5 Ma
Is = Corriente de salida 20 a 50 mA

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Con el uso de este circuito se puede asegurar una tensin mxima a la
salida del circuito, independientemente de las fluctuaciones originadas en la
entrada del mismo.

Este circuito es muy sencillo de implementar, solamente se tiene que ver


cul es el valor de la resistencia Rlim que ser la resistencia limitadora que
absorber la diferencia de tensin que se desee "recortar" en la entrada.

Para el clculo de la misma se procede como sigue:

Donde: Ve(min) = Tensin de entrada mnima


VS = Tensin de salida
Iz(min) = Corriente mnima que circula por el diodo (Dato
obtenido de la hora de datos del fabricante).
Is(mx) = Corriente mxima que atraviesa la carga

Si, por ejemplo, la fuente de entrada vara entre 9 y 12V y se quiere a la


salida una tensin de 7V, entonces Rlim ser:

Rlim (9 - 7)/(0,005 + 0,050) = 2/0,055 = 36,36

El valor Iz(min) fue obtenido de la hoja de datos del zner.

Se puede ver que Rlim tiene que ser menor o igual a 36,36 ohms, entonces
bastar con elegir un valor prximo a ste pero sin pasarlo. De la tabla de valores
disponibles se puede elegir 33 .

Ya se tiene el valor de la resistencia, ahora falta ver qu potencia va a


disipar la resistencia, para ello se multiplica la corriente que la atraviesa por la
tensin que cae en ella (Ve - Vs)
La corriente es: I = 2/33 = 60,60 mA, entonces P = 2 V x 60,60 mA = 0,12 W

Se debe elegir una Rlim cuya disipacin de potencia sea 1/2 W.

EL LED

Otro tipo de diodo, quiz el de mayor difusin, es el diodo emisor de luz,


conocido comnmente como LED (Light Emmitting Diode)

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El funcionamiento de este tipo de diodo se basa en la polarizacin en
sentido directo de una unin P-N. Al hacer esto se origina una recombinacin de
electrones y huecos, lo que origina gran cantidad de energa, que en el caso de
algunos semiconductores se traduce en una radiacin luminosa.

Sus colores tpicos son: rojo, verde y mbar los que hacen al LED idneo
para ser utilizado en muchos tipos de indicadores. Adems su durabilidad y bajo
consumo los convierten en componentes casi imprescindibles a la hora de querer
utilizar algn tipo de indicador luminoso.

A continuacin, se muestran como el diodo es utilizado para convertir una


corriente alterna en corriente continua.

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3.2.2 EL TRANSISTOR

El transistor es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de poder


gobernar a voluntad la intensidad de corriente que circula entre dos de sus tres
terminales (emisor y colector), mediante la circulacin de una pequea corriente
aplicada en el tercer terminal (colector).

Este efecto se conoce con el nombre de amplificacin de corriente, y


permite aplicarle en la base una corriente muy pequea con cualquier forma de
variacin en el tiempo, y obtener la misma corriente, con la misma variacin en el
tiempo, pero de mayor amplitud.

Se utilizan fundamentalmente en circuitos que realizan funciones de


amplificacin, control, proceso de datos, etc.

El funcionamiento interno se puede describir a partir de lo ya explicado para


los diodos, con la diferencia de que este ltimo posee dos uniones
semiconductoras, esto es: el transistor posee dos zonas semiconductoras, que
pueden ser N o P, y entre ambas una muy delgada del tipo P o N
respectivamente.

Este conjunto formar dos uniones: una N-P, entre el emisor y la base, y la
otra P-N entre la base y el colector (si las dos zonas exteriores son del tipo N y la
interior tipo P, es decir un transistor NPN. Si las regiones exteriores son del tipo P
y la interior del tipo N el transistor ser del tipo PNP).

Si se le aplica una tensin externa a la unin N-P, de forma que quede


polarizada en directa, se producir una circulacin de corriente entre ambas
regiones. Aplicando una segunda tensin externa a la otra unin, de modo que
sta quede en inversa (el terminal positivo de la fuente conectado al colector y el
negativo a la base), la corriente generada en la otra unin, ser atrada por la
diferencia de potencial positiva aplicada al colector, generando que prcticamente
toda la corriente proveniente del emisor llegue al colector, salvo una pequea
cantidad de corriente que saldr por la base. Y es justamente esta pequesima

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corriente de base la que permite gobernar la corriente circulante desde el emisor al
colector.

El sentido de circulacin de la corriente adoptado hasta ahora es el de


circulacin de los electrones, y como la convencin utilizada toma el sentido
opuesto entonces en un transistor del tipo NPN la corriente ser entrante por el
colector y la base, y saliente por el emisor.

En la figura c) se tiene una regla mnemotcnica para recordar la relacin


entre las corrientes que atraviesan al transistor.

Debido a que la corriente de emisor ser siempre un mltiplo de la de base


se obtienen los resultados deseados de amplificacin. Suponga que dicha
corriente de colector (Ic) es 100 veces la corriente de emisor (Ie), entonces si
Ib = 5 mA; Ie = 500 mA. Si ahora Ib = 2 mA; Ie = 200 mA. Donde se puede apreciar
que una pequea variacin en la corriente de base (3 mA), produce una gran
variacin en la de emisor (300 mA). Dicho factor de amplificacin es denominado g

Ya se ha hecho notar que existen transistores del tipo NPN y PNP segn
sean los dopados de las tres regiones, pero entre ambos tipos no existe ninguna
diferencia en cuanto a lo funcional, salvo que todos los sentidos de circulacin de
las corrientes son opuestos en uno y otro, por lo tanto, para polarizar un transistor
PNP, de igual manera que uno NPN, se debern utilizar tensiones opuestas en
uno y otro.

Los transistores tienen una caracterstica muy interesante que es la


capacidad que tienen stos de entregar una intensidad de corriente constante a
una resistencia, independientemente del valor de sta, es decir que las
variaciones de corriente obtenidas por la accin de la base, producirn en la
resistencia una variacin de la tensin, la cual ser, segn la ley de Ohm: V = I x
R. Entonces V depender del valor de la corriente de base y de la resistencia en el
colector, siendo V mayor cuando mayor es R, estando fijado el lmite por el valor
de la tensin externa aplicada al circuito.

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Este efecto resulta en una "amplificacin de tensin", que es una de las
caractersticas ms importantes de los transistores y el motivo por el cual son de
uso casi imprescindible en los montajes electrnicos. Esta amplificacin de tensin
se calcula como la relacin entre el voltaje en la resistencia de carga y la tensin
aplicada entre las junturas base-emisor.

Los transistores, segn sea la tecnologa de fabricacin, se clasifican en


grandes grupos con diferentes caractersticas: BIPOLARES, FET, MOSFET, UNI
UNIN. Hasta el momento nos hemos referido al primer grupo de ellos.
El estudio y anlisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las
"curvas caractersticas" del mismo, con las cuales se puede caracterizar
completamente el comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor, siendo
sta expresada en relaciones grficas de las corrientes Ib, Ic e Ie, en funcin de las
tensiones externas y para las distintas configuraciones: Emisor Comn (EC), Base
Comn (BC) y Colector Comn (CC).

Las curvas describen el comportamiento de los transistores, pero como


estos no se comportan todos de igual manera, stas varan segn el tipo de
transistor, y, si bien difieren de un tipo a otro, son muy semejantes en la forma.
Adems no se refieren a uno en concreto, sino que son un promedio de un gran
nmero de unidades. Estas grficas son proporcionadas por el fabricante, y como
el montaje ms comn es la de emisor comn, y adems los fabricantes nos
suministran las curvas basadas en este tipo de configuracin, nos centraremos en
el
Tambin es importante conocer los valores mx, mn y tpico de las
caractersticas ms importantes, para poder emplear, en los clculos, el valor que
resultare ms desfavorable a fin de asegurarnos que el funcionamiento de
cualquier unidad de la muestra estar dentro de lo estipulado.

Las curvas caractersticas ms importantes son la caracterstica de entrada


y la de salida. En las de entrada, se expresan las grficas de la relacin entre la
corriente de base (Ib) y la tensin base-emisor (Vbe) para la tensin colector-emisor
(Vce) constante. A partir de ellas podemos calcular la corriente que circula por la
base cuando se aplica una tensin externa entre sta y el emisor.

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Como el transistor en montaje en emisor comn tiene comportamiento
similar al de un diodo polarizado en directa, las curvas son de igual forma, es
decir, que existe una determinada tensin umbral por debajo de la cual la corriente
es prcticamente nula. Tambin de las caractersticas de entrada podemos
deducir la resistencia de entrada del transistor, que es la variacin de la tensin ba

En las curvas de salida se grafica la corriente de colector Ic en funcin de la


tensin colector-emisor Vce cuando mantenemos constante Ib. Generalmente se
dibuja una familia de curvas para distintas Ib. En esta grfica se observa que por
encima de un valor de tensin colector emisor Vce1 la corriente se mantiene
prcticamente constante, independientemente del valor de Vce. Por debajo de este
valor sucede todo lo contrario, Ib vara rpidamente con pequeas variaciones de
Vce. Este valor de Vce1 es aproximadamente 0,5 V. A esta zona de funcionamiento
donde Ic es casi constante, se denomina regin activa y es en la que se desea que
funcione el transistor cuando se lo usa en amplificadores. En este caso Ic
solamente depende de Ib.

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En la grfica podemos observar una recta denominada Rs, que delimita una
de las 3 posibles regiones de trabajo de los transistores.
El transistor trabajar en alguna de las 3 regiones dependiendo de las
polarizaciones que reciban cada una de las uniones P-N que lo componen. Las
tres regiones son:

Regin de saturacin: El transistor se comporta como un interruptor entre emisor y


colector.
Regin de corte: El transistor se comporta como un interruptor abierto entre emisor
y colector.
Regin lineal (o activa): Se comporta como un dispositivo amplificador de corriente
de entrada (corriente de base).

Algunos de los parmetros importantes de los transistores y que


generalmente son suministrados por el fabricante son:
Vce(sat)= Tensin mxima entre colector y emisor trabajando en saturacin.
Vceo= Tensin mxima entre colector y emisor.
Vcbo= Tensin mxima entre colector y base.
Vebo= Tensin mxima entre emisor y base.
Icmx= Corriente mxima de colector.
Icm mx= Corriente mxima de colector (valor pico)
Ibmx= Corriente mxima de base (valor pico)
Ptot= Potencia disipable total.

De la misma manera que en las caractersticas de entrada podemos deducir


la resistencia de entrada, en las caractersticas de salida podemos deducir la

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resistencia de salida de la forma: Variacin de la tensin Vce con respecto a Ic.
Otro factor que podemos deducir es la ganancia de corriente del transistor ().

De las curvas se deduce, al ser casi horizontal, que la resistencia de salida


ser muy elevada.

Es conveniente fijar el punto de trabajo del transistor, dependiendo de la


tarea que queremos que ste realice en un circuito y utilizando las curvas antes
vistas.

Para ello se ha de polarizar al transistor con algunos de los circuitos de


polarizacin que veremos a continuacin, pero antes de ello haremos referencia a
la recta de carga de un transistor. Para obtenerla deberemos volver a la familia de
curvas de salida ya vista. La recta de carga es til dado que nos muestra, en
forma grfica, todos los puntos de trabajo posibles del transistor para una
polarizacin dada.

En la figura podemos ver la recta de carga superpuesta a la familia de


curvas de salida, en la que vemos varios puntos de inters, los que pasamos a
explicar a continuacin:

Para el clculo de la recta de carga consideraremos al transistor en dos de


sus estados: corte y saturacin.

En el estado de corte Ic es prcticamente cero, entonces podemos concluir


que Vc = Vce, la que en nuestro ejemplo es de 12 V. Entonces con Ic 0 V y Vce 12
V obtenemos el primer punto de la recta de carga, al que llamamos P1 en la
grfica.

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En el estado de saturacin tenemos que Vce 0 V con lo que entonces
podemos calcular el valor de Ic que ser Ic = Vc / Rc que en nuestro ejemplo da 12
V / 2000 = 6 mA. Al punto Vce = 0, Ic = 6 mA lo llamamos P2 en la grfica.
Si unimos P1 y P2 obtendremos la recta de carga buscada.

Para obtener el punto de trabajo (Q) del transistor necesitamos saber Ib, de
esta forma el punto Q es el punto de interseccin de la recta de carga con la curva
correspondiente al valor de la corriente que opera el transistor en ese instante (Ib).
La recta de carga puede ser diferente con cada transistor y cada punto de
polarizacin.

Proyectando al punto Q sobre los ejes coordenados de la grfica


obtendremos los valores de Ic y Vce, denominados en el grfico como Ic1 y Vce1.

Comenzaremos ahora s con los circuitos para polarizar a los transistores.


La tarea de estos polarizadores no es otra que la de hacer que a las distintas
patas del transistor le lleguen diferentes tensiones, pero a partir de una nica
fuente de alimentacin, intentando, adems, hacer que el parmetro sea lo ms
estable posible, es decir, que no vare con los diversos factores externos que
pueden llegar a alterar al mismo.

En la figura podemos ver varias de las configuraciones para polarizar al


transistor:

El primer diagrama (A) muestra una configuracin denominada polarizacin


por divisin de tensin. Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensin, lo
cual le da el nombre a la configuracin. Este tipo de polarizacin es uno de los
ms idneos y el mejor para trabajar en la zona activa del transistor.

En la parte B de la figura vemos otra forma de polarizador, denominada


"polarizacin de base". Ahora la corriente de base se obtiene a travs de R1. Este
tipo de polarizacin se utiliza en circuitos que trabajan en conmutacin, no siendo
aconsejable su uso en transistores a los que se desea trabajen en la zona activa.

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La polarizacin que se muestra en C es denominada "polarizacin por
realimentacin de emisor" y por medio de sta logramos una mayor estabilidad del
punto Q.

A la configuracin mostrada en D se la llama "polarizacin por


realimentacin de colector".

3.2.3 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

El componente electrnico conocido como amplificador operacional es


realmente un circuito complejo formado por muchos transistores y otros
componentes en un solo circuito integrado. El esquema funcional de un
amplificador operacional puede verse en la figura:

Esquema funcional del amplificador operacional

El amplificador operacional tiene dos entradas. En la primera etapa se


amplifica levemente la diferencia de las mismas. Esto se suele expresar tambin
diciendo que se amplifica el modo diferencial de las seales, mientras que el modo
comn se rechaza. Posteriormente se pasa a segunda etapa de ganancia
intermedia, en la que se amplifica nuevamente el modo diferencial filtrado por la
primera. La ganancia total es muy elevada, tpicamente del orden de 105.
Finalmente, en la ltima etapa no se amplifica la tensin, sino que se posibilita el
suministrar fuertes intensidades.

Para que este dispositivo pueda funcionar es obvio que necesitar una
fuente de alimentacin que polarice sus transistores internos. Habitualmente se
emplean dos fuentes de alimentacin, una positiva y otra negativa. De este modo
se permite que la salida sea de uno u otro signo. Evidentemente, la tensin de
salida nunca podr superar los lmites que marquen las alimentaciones. No
olvidemos que el operacional est formado por componentes no generadores.

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Una vez realizada esta presentacin, hay que aclarar que en la mayora de
los casos, es posible conocer el comportamiento de un circuito en el que se inserta
un operacional sin tener en cuenta su estructura interna. Para ello vamos a definir,
como siempre, un componente ideal que nos permita una primera aproximacin. Y
tambin como es habitual, los clculos rigurosos necesitarn de modelos ms
complejos, para los que s es necesario estudiarlo ms profundamente.

El smbolo del amplificador operacional es el que se muestra a continuacin


junto con el equivalente circu tal ideal.

Representacin del amplificador operacional ideal

El operacional tiene cinco terminales:


Entrada no inversora (V+)
Entrada inversora (V-)
Alimentacin positiva (ECC)
Alimentacin negativa (-ECC)

A la hora de resolver circuitos se suelen omitir las alimentaciones, ya que


como se ver, no afectan al funcionamiento. La representacin circu tal est
formada por una resistencia de entrada, que une los dos terminales, y un
generador de tensin de salida. La tensin de salida es proporcional a la diferencia
de las entradas.

Las caractersticas ms relevantes del amplificador operacional son:


Resistencia de entrada muy elevada: A menudo es mayor que 1 M.
Ganancia muy elevada: Mayor que 105.

Las consecuencias que se derivan de estas caractersticas son:

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La corriente de entrada es nula: Al ser la resistencia de entrada tan
elevada, la corriente que circula por los terminales inversor y no
inversor puede despreciarse.
La ganancia puede considerarse infinita.

Con estas dos aproximaciones puede abordarse ya el anlisis de algunos


circuitos sencillos.

FUNCIONAMIENTO EN LAZO ABIERTO

La figura muestra un esquema en el que el operacional funciona en lazo


abierto, es decir, la entrada es independiente de la salida.

Funcionamiento en lazo abierto

En el sencillsimo circuito de la figura, es muy fcil determinar las corrientes


y tensiones:

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Hagamos unos nmeros: Si VIN = 15 V ==> I+ = 1510-6 A; VOUT = 1,5 V. La
corriente de entrada es despreciable. Ningn aparato de medida convencional
sera capaz de detectarla. Por lo tanto, a partir de ahora vamos a aceptar siempre
que:

La tensin de salida es proporcional a la de entrada. Si VIN = 100 V => VOUT


= 10 V. Qu sucedera si VIN vale 200 V?. Segn la frmula obtenida, VOUT sera
de 20 V, pero no olvidemos que la alimentacin es de 15 V, es decir, la salida no
puede superar los 15 V. A partir de 150 V en la entrada, por mucho que
aumentemos la tensin no obtendremos ms de 15 V en la salida: el amplificador
se satura. En la figura 10.4 se representa la curva VIN - VOUT de este ejemplo.

Curva VOUT - VIN en lazo abierto

El funcionamiento como amplificador en lazo abierto presenta varios


inconvenientes:
El intervalo de tensiones que pueden amplificarse es muy pequeo (en el
ejemplo 150 V). El amplificador se satura con gran facilidad.
La tensin de salida depende directamente de la ganancia del operacional.
Este parmetro tiene fuertes dispersiones de unos componentes a otros.

Por estos motivos, nunca se emplea este esquema cuando se quieren


amplificar seales mediante operacionales. En la prctica cualquier seal provoca
la saturacin. Esto s se emplea en los comparadores, como se explicar ms
adelante.

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FUNCIONAMIENTO CON REALIMENTACIN

El concepto de realimentacin implica que la entrada del amplificador


operacional no es independiente de la salida. Parte de la seal de salida se aplica
a la entrada, con lo que se puede controlar la ganancia. Para comprender mejor
este concepto veamos un sencillo ejemplo: El seguidor de tensin (ver figura
adjunta).

Seguidor de tensin

El anlisis del circuito permite plantear las siguientes ecuaciones:


V- = VIN
V+ = VOUT

Adems podemos aadir las ecuaciones caractersticas del operacional:


I+ = I- = 0
VOUT = A0(V+ - V-)

Sustituyendo:

VOUT = A0(VOUT - VIN) =>

Si A0 = 100.000, ==> VOUT = 1,00001 VIN. Evidentemente, podemos y


debemos olvidarnos del 5 decimal:

Adems, de este ejemplo podemos sacar una interesante conclusin: al


aplicar la realimentacin:

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Este resultado, que ha sido obtenido en un caso particular, es general, y
surge de considerar la ganancia infinita. Siempre que se aplica la realimentacin
puede admitirse dicha aproximacin. Podramos haber llegado a la misma
conclusin razonando de la siguiente manera: la tensin de salida debe estar
comprendida entre los lmites de la alimentacin ( 15 V, por ejemplo). Si esto es
as, la diferencia entre las entradas puede ser, como mucho, la alimentacin entre
la ganancia (15/10000). Este valor suficientemente pequeo como para poder
despreciarse frente al resto de magnitudes del circuito.

Un ltimo apunte sobre la realimentacin: en la Figura 8.5 se puede


apreciarse que la realimentacin se aplica a la entrada inversora (-)
(realimentacin degenerativa). Esta es una condicin necesaria para que el
circuito funcione correctamente en la prctica. Si se aplica una realimentacin
regenerativa (+) el amplificador operacional se saturar inmediatamente. El
razonamiento se muy simple: supongamos que en los cables de realimentacin se
capta una interferencia del exterior. Si la realimentacin es regenerativa, esta
interferencia aparecer como un aumento de la tensin se salida. El aumento de la
tensin de salida provoca un aumento de la entrada, que vuelve a provocar un
aumento de la salida.... no hay ningn recurso que atene la perturbacin, y se
llegar a la saturacin.

CIRCUITOS DE APLICACIN BSICOS

He aqu tres de los circuitos bsicos ms populares. En los dos primeros el


operacional funciona con realimentacin negativa. En el tercero se aprovecha la
elevada ganancia en lazo abierto.

Amplificador no inversor

Ecuaciones del operacional (realimentacin negativa):


I+ = I- = 0
e+ = e-

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Ecuaciones del circuito:
e+ = VIN

e- = - R1 I1 => I1 =

VOUT = - I1 (R1 + R2) = ==> Ganancia

Como caractersticas ms llamativas cabe destacar:


Ganancia del circuito independiente de la del operacional.
Ganancia fijada por el cociente de dos resistencias.
Resistencia de entrada infinita.
La entrada y la salida son del mismo signo (no inversor)

Amplificador inversor

Ecuaciones del operacional (realimentacin negativa):


I+ = I- = 0
e+ = e-

Ecuaciones del circuito:


e+ = 0

e- = VIN - R1 I1 = 0 => I1 =

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VOUT = - I1 R2 = ==> Ganancia

Como caractersticas ms llamativas cabe destacar:


Ganancia del circuito independiente de la del operacional.
Ganancia fijada por el cociente de dos resistencias.
Resistencia de entrada R1.
La entrada y la salida son de signo opuesto (inversor)

Comparador

Suponiendo que el operacional se alimenta a ECC:


VIN > VREF => VOUT = ECC
VIN < VREF => VOUT = - ECC

3.2.4 EL TRIAC

INTRODUCCION

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para


controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o
al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede

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ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante
una corriente de puerta positiva o negativa.

DESCRIPCION GENERAL

Cuando el TRIAC conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy


baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2,
la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos
casos el TRIAC se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el TRIAC deja
de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.

Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin


importante al TRIAC (dv/dt) an sin conduccin previa, el TRIAC puede entrar en
conduccin directa.

CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA EQUIVALENTE

La estructura contiene seis


capas como se indica en la figura anterior izquierda, aunque funciona siempre
como un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de
P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el
disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura lo
hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para
soportar sobre intensidades.
Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A
eficaces y desde 400 a 1000 V de tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son
fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a
frecuencias medias son denominados alternistores, en la figura superior derecha
se muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales de un

23
TRIAC, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados
por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.

El TRIAC acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en


paralelo (figura adjunta) , este dispositivo es equivalente a dos latchs.

CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE

La figura de arriba describe la caracterstica tensin corriente del Triac.


Muestra la corriente a travs del Triac como una funcin de la tensin entre los
nodos MT2 y MT1.

El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa


de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac,
crece con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de
la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la
tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no
controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de

24
corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la
compuerta.

El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la


tensin en el nodo MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la
caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a
conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I
de la curva es igual a la del III

METODOS DE DISPARO

Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2)
y una compuerta G.

La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con


respecto al nodo 1.

El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III


mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso
positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho
el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar
en los cuatro modos posibles de disparo.
1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la
tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al
nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta entrante).

La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la


unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de
electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la
cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de
compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y - .

Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que
bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.

El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en


que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con
respecto al nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).

Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas


P2N1P1N4.

La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin


P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms

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positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2
a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.

El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la
tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de
disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de
compuerta saliente).

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente


conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de
puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de
T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de
potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin
exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar,
entrando en conduccin.

El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en


que la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin
de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de
compuerta entrante).

El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra


en conduccin la estructura P2N1P1N4.

La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que


alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin,
hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms
positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1,
provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la
unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en
conduccin.

El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta


necesaria para el disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una
corriente de disparo mayor. El modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe
evitarse su empleo en lo posible.

En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el


fabricante, asegura el disparo en todos los estados.

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FORMAS DE ONDA DE LOS TRIACS

La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se


representa en la FIG.7. La corriente promedio entregada a la carga puede variarse
alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en el estado
encendido. Si permanece una parte pequea del tiempo en el estado encendido,
el flujo de corriente promedio a travs de muchos ciclos ser pequeo, en cambio
si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido, la corriente
promedio ser alta.

Un triac no esta limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo


adecuado del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por
tanto proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de
media onda que se logra con un SCR.

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Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda
de los SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo.
En la FIG.8 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como
para el voltaje del triac ( a travs de los terminales principales) para dos
condiciones diferentes.

En la siguiente figura letra(a), las formas de onda muestran apagado el triac


durante los primeros 30 de cada semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta
como un interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se
cae a travs de las terminales principales del triac, sin aplicar ningn voltaje a la
carga. Por tanto no hay flujo de corriente a travs del triac y la carga.

La parte del semiciclo durante la cual existe seta situacin se llama ngulo
de retardo de disparo.

Despus de transcurrido los 30, el triac dispara y se vuelve como un


interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza
durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta
encendido se llama ngulo de conduccin.

La parte(b) de la figura muestran las mismas formas de ondas pero con


ngulo de retardo de disparo mayor.

28
3.2.5 SIMBOLOGA DE LOS ELEMENTOS ELECTRNICOS

En este tems veremos los smbolos utilizados para los distintos elementos
que formarn parte de un circuito electrnico. Dada la aplicacin universal de
estos materiales, a los efectos de poder representar grficamente cualquier diseo
electrnico, de forma que sea posible por las personas que deban trabajar con l,
se emplea un conjunto de smbolos normalizados que permitan su compresin.

Para comenzar veremos la forma de representacin de los cables y


conexiones, lo cual se puede apreciar en la figura adjunta.

Para la representacin de las resistencias se emplean dos


representaciones, como se ve en la de ms abajo. Junto al smbolo se debe
indicar el valor hmico y la disipacin de potencia.

Los capacitores tambin tienen dos representaciones diferentes, segn se


trate de tipos con polarizacin fija (electrolticos) o sin ella (cermicos, polister,
etc.). En el primer caso se indicar la polaridad en el smbolo. Adems se anotar,
junto a ste, el valor de la capacidad, as como la tensin mxima de trabajo.

Para las inductancias la simbologa es la que se muestra a continuacin,


aqu tambin el valor de su inductancia se coloca al lado del smbolo.

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Para los transformadores existen varias representaciones para el ncleo
segn se trate de hierro ferrita o aire. El primario se sita generalmente a la
izquierda mientras que los secundarios a la derecha.

Los diodos parten de un smbolo bsico y aadiendo un cierto


complemento grfico se representan los diferentes modelos que existen de este
componente. Al lado se puede escribir el tipo concreto de que se trata.

Los transistores, son representados con diferentes smbolos segn las


diferentes familias (bipolares, FET, MOSFET). En cualquier caso, la flecha que
siempre existe en uno de sus tres terminales indica el sentido de circulacin de la
corriente a travs del mismo, identificando as los tipos NPN y PNP y FET o
MOSFET de canal N o P. Al lado del smbolo se indicar el tipo de transistor de
que se trate.

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Los smbolos de los tiristores se aprecian en la figura adjunta, stos tienen
dos smbolos segn se traten de elementos con una puerta o dos.

El triac presenta una nica simbolizacin al ser un elemento no polarizado.

Los interruptores y los conmutadores se pueden representar con los


smbolos de la figura siguiente:

En el rel se destacar la posicin de reposo del mismo (Normal abierto o


normal cerrado).

Para representar la tierra o masa se utilizan diferentes smbolos, pero todos


son equivalentes entre s como se puede ver en la figura.

Ahora veremos una serie de smbolos para diferentes componentes, los


cuales no son tan comnmente utilizados y poseen adems una nica forma de
representarlos por lo que no necesitamos hacer referencia a ellos, salvo en el caso

31
de los osciladores de cristal que se representan con dos smbolos, siendo ambos
equivalentes.

PROTOBOARD

Permite realizar
conexiones de
circuitos de prueba.

El protoboard (su nombre viene de prototype board) es un tablero en


donde se insertan los componentes electrnicos y cables para armar el circuito.
Internamente, todas las perforaciones de una fila estn unidas, y eso facilita
bastante la construccin del circuito.

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Las lneas muestran la forma
en que estn conectadas por
dentro las perforaciones de
este tipo de protoboard.

POTENCIOMETROS

El potencimetro es bsicamente una resistencia variable. En


este caso, los tres terminales estn conectados internamente de
la siguiente forma:
- En este caso el potencimetro presenta un valor
de resistencia de 10 K entre A y C.

- El valor de la resistencia entre A y B va a


depender de la posicin en la que se encuentre la
manivela.

- Y as mismo, el valor de la resistencia entre B y


C tambin depender de la posicin de la
manivela (y ser complementario al valor
existente entre A y B).

RESISTENCIAS

Hay muchos tipos de resistencias. En este caso se dan a conocer las ms


comunes y tienen su valor grabado en el cilindro mediante un cdigo de colores.

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Esta resistencia tiene grabados los colores VIOLETA-VERDE-ROJO e un
extremo, en el otro tiene una franja de color DORADO. Esto significa que su valor
de resistencia es de 7500 ohms (o lo que es lo mismo: 7.5 K). Y su tolerancia es
del 5%.

La tolerancia significa que para esta resistencia, su fabricante declara que


su valor puede variar en un rango de 375 ohms ms, o bien 375 ohms menos
(variacin del 5%).

4. METODO A SEGUIR:

4.1 Reconocer fsicamente los componentes electrnicos disponibles para el


desarrollo de la experiencia.

4.2 Se identifican las caractersticas tcnicas de los elementos indicados por el


profesor, de acuerdo a la informacin contenida en la hoja de datos y
catlogos disponibles en el laboratorio.

4.3 El profesor explica los circuitos que sern implementados en la experiencia


para cada componente electrnico a estudiar; esto es, para los diodos, los
transistores, los amplificadores operacionales y los TRIACs.

4.6 El profesor revisa los circuitos implementados por los alumnos; los energiza
para hacer una evaluacin preliminar de su comportamiento y hace las
correcciones pertinentes.

34
4.7 Para cada circuito electrnico a estudiar, el profesor explica a los alumnos los
ensayos planificados; posteriormente los alumnos los ejecutan y registran los
valores obtenidos.

5.- VARIABLES A CONSIDERAR

5.1. Corriente y voltaje en diodos, (curva de los diodos), y uso de diodos en


circuitos rectificadores de media onda y de onda completa.

5.2. Al usar el transistor como todo/nada o como fuente de corriente, medir las
corrientes y voltajes asociados.

5.3 Al implementar circuitos usando el amplificador operacional como circuitos:


Amplificadores no inversores de tensin, amplificadores inversor de tensin,
amplificador sumador, amplificadores diferenciales y de instrumentacin;
medir las valores de corriente y voltaje respectivos.

5.4 Al usar el tiristor TRIAC como vlvula o amplificador de potencia elctrica,


medir los valores RMS de voltaje y corriente resultantes en la carga aplicada
y en el propio TRIAC, adems medir las variables dinmicas mediante el
osciloscopio.

6.- TEMAS DE INTERROGACIN

6.1. Tipos de diodos, sus curvas caractersticas, su campo de aplicacin y sus


datos fundamentales.

6.2. Curva caracterstica de los transistores, su aplicacin como interruptor


todo/nada y como amplificador de corriente. Parmetros y criterios de
seleccin.

6.3 Caractersticas fundamentales de los amplificadores operacionales, sus


aplicaciones y sus datos o propiedades ms relevantes.

6.4. Forma de controlar los TRIACs al ser usados como reguladores de potencia
elctrica bidireccional y las propiedades sustantivas para su seleccin.

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7.- EQUIPOS E INSTRUMENTOS A UTILIZAR

7.1 Componentes electrnicos: Diodos comn (para seal y para potencia),


diodos zener, optodiodos, fotodiodos, puente de diodos, amplificadores
operacionales, transistores de potencia y de seales NPN y PNP,
transistores Darlington, optotransistores, TRIACs, etc.
7.2 Osciloscopio.
7.3 Multitesters.
7.4 Fuente de poder cc con voltaje y corriente ajustables.
7.5 Fuentes en 05vcc, 12vcc, -12vcc
7.6 Protoboards
7.7 Transformadores, bobinas y condensadores.
7.8 Otros elementos, (resistencias, potencimetros, fusibles, micro-botones,
micro-selectores, limit switch, alambres para conexin, regletas,
herramientas, material fungible, etc.).

8. LO QUE SE PIDE EN EL INFORME

8.1 Las caractersticas tcnicas de los elementos electrnicos e instrumentos


empleados en el laboratorio.

8.2 Especificar los circuitos electrnicos implementados, con un resumen grfico


de valores medidos y calculados respectivamente.

8.6. Un anlisis de los resultados obtenidos, tanto en las pruebas estticas como
dinmicas; comentarios y conclusiones personales.

8.7. La referencia bibliogrfica.

8.8 El apndice con:

a.1. Datos tcnicos de los componentes electrnicos empleados.

a.2. Desarrollo de los clculos.

a.3. Presentacin de resultados.

a.4. Grficos.

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9.- BIBLIOGRAFA

9.1 Apuntes de ctedra de la asignatura de Automatizacin (15065). Hctor


Muoz R. DIMEC-USACH.

9.2 Electrnica Bsica Para Ingenieros. Gustavo A. Ruiz Robredo

9.3 Electrnica, volmenes 1 y 2, Albert Paul Malvino, Ph.D; Ed, Mc Grauw-Hill

Sitios web:

http://www.electronicaestudio.com/simbologia.htm
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/docs_curso/contenido.ht
ml
http://members.fortunecity.es/telectronica/
http://www.wikipedia.com
http://www.monografias.com
http://www.infomecanica.com
http://www.nteinc.com/
http://bulma.net/body.phtml?nIdNoticia=1161

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