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AFONSO GRECO
FUNDAMENTOS DE
ELETRNICA
APRESENTAO ..............................................................................................................................5
INTRODUO ....................................................................................................................................6
DIODOS ............................................................................................................................................12
POLARIZAES DO DIODO................................................................................................................12
COMPONENTES LINEARES ................................................................................................................13
CARACTERSTICAS DOS DIODOS .......................................................................................................13
LINHAS DE CARGA ...........................................................................................................................15
APROXIMAES DO DIODO...............................................................................................................15
TESTE ESTTICO DO DIODO..............................................................................................................16
LIMITADOR ......................................................................................................................................17
ASSOCIAO DE IIMITADORES ..........................................................................................................18
GRAMPEADOR DE CC ......................................................................................................................18
DETETOR DE PICO A PICO ................................................................................................................18
CLASSE A .......................................................................................................................................77
CLASSE B .......................................................................................................................................83
AMPLIFICADOR PUSH PUII ................................................................................................................84
AMPLIFICADOR PUSH PULL CLASSE B POLARIZADO OU CLASSE AB .....................................................86
DISSIPADORES DE CALOR ................................................................................................................89
Apresentao
O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didticos, aguar a sua
curiosidade, responder s suas demandas de informaes e construir links entre
os diversos conhecimentos, to importantes para sua formao continuada !
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Introduo
Este estudo tem como objetivo diferenciar alguns dos mais variados tipos de
componentes eletrnicos, concebidos a partir de semicondutores, apontando
caractersticas fsicas e construtivas dos mesmos. Analisaremos tambm o
funcionamento eletroeletrnico destes, a fim de que possamos entender com mais
clareza e objetividade o funcionamento de diversos circuitos que empregam tais
componentes.
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Estrutura atmica
Sob o ponto de vista da fsica, sabemos que os corpos, constitudos de
diversos tipos de matria, podem ser divididos em partes menores. A menor
poro da matria a molcula, que, por sua vez, pode ser dividida em partes
ainda menores, denominados tomos. A estrutura atmica de diversos tipos de
materiais pode ser estudada detalhadamente pela qumica, no constituindo,
entretanto, papel relevante em nosso estudo. Contudo, de fundamental
importncia entendermos a estrutura do tomo, que mostrada abaixo pelo
modelo planificado de Bohr. Nela, podemos perceber claramente que o tomo
formado por um ncleo, contendo prtons com carga positiva e nutrons com
carga nula, e, girando em rbitas elpticas em torno desse ncleo, os eltrons com
carga negativa. (Fig. 1.1)
Nveis de energia
Cada camada ou rbita pode ser representada, em um grfico, como
sendo nveis de energia, onde os eltrons distam do ncleo raios proporcionais
fora de interao mtua entre eles e o ncleo. A figura 1.2 ilustra o que foi
descrito.
Bandas de energia
As bandas de energia so rbitas controladas por cargas de tomos
adjacentes. A banda de energia mais externa do tomo denominada banda de
valncia, local onde ocorrem as reaes qumicas. Os tomos que tm quatro
(04) eltrons na ltima camada (de valncia) so denominados semicondutores.
Podemos citar como exemplos os tomos de silcio e germnio, que tm nmero
atmico igual a 14 e 32, respectivamente.
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Cristais
Os cristais so combinaes de tomos iguais, por exemplo de silcio, unidos
atravs de ligaes covalentes, conforme a figura 1.4.
Lacuna
Denomina-se lacuna o buraco que fica quando um eltron de valncia
levado, por meio de uma energia externa, a um nvel mais alto. Considerando
este fato, podemos afirmar que a lacuna age como uma carga positiva, pois
significa ausncia de eltron.
Conduo em cristais
Em uma rede cristalina, temperatura zero absoluto (-2730C), no h fluxo de
corrente eltrica, pois os eltrons esto fortemente presos s ligaes covalentes.
A figura 1 .5 ilustra o que foi descrito.
Silicio x germnio
Na temperatura ambiente, o silcio praticamente no tem eitrons livres,
comparado com o germnio. Esta a principal razo para que o si! cio tenha
maior aplicao na fabricao de dispositivos eletrnicos.
Corrente de lacunas
Um semicondutor oferece dois trajetos para a corrente: um, atravs da banda
de conduo (eltrons); e outro, atravs da banda de valncia (lacunas). Nos
condutores temos apenas corrente de eltrons, o que os diferencia dos
semicondutores. (Fig. 1.7)
Observao
Um eltron na banda de conduo gera uma lacuna na banda de valncia.
Aumentando-se o nmero de eltrons na banda de conduo, garante-se o
aumento do nmero de lacunas na banda de valncia (pares eltrons - lacunas).
Recombinao
A recombinao ocorre quando eltrons da banda de conduo se dirigem
para a banda de valncia, preenchendo uma lacuna, caso a banda de conduo
intercepte a banda de valncia de outro tomo. Assim a lacuna desaparece. O
tempo mdio entre a criao e o desaparecimento de uma lacuna de nano
segundos (ns) e microssegundos (~ts).
Dopagem
Uma rede formada por apenas um tipo de tomo semicondutor origina uma
estrutura cristalina denominada semicondutor intrseco ou cristal puro. O processo
pelo qual introduzimos tomos de impurezas num cristal, de modo a aumentar
tanto o nmero de eltrons livres quanto o de lacunas, denomina-se dopagem.
Dopagem tipo N
Significa aumentar o nmero de eltrons na banda de conduo,
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DIODOS
Polarizaes do diodo
polarizao direta;
polarizao reversa.
Polarizao direta
A partir do momento em que o valor da fonte supera a barreira de potencial, a
corrente se torna alta, tendo seu valor vinculado ao valor da fonte.
Polarizao reversa
A camada de depleo se alarga medida que aumenta a diferena de
potencial da fonte. Existe apenas uma pequena corrente de portadores
minoritrios.
Corrente reversa (IR) - Geralmente dada para uma determinada tenso reversa
(VR) e uma temperatura ambiente (Ta)
I r I FS I s
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Exemplo
O diodo 1 N91 4 tem uma corrente reversa (IR) igual a 25nA, para uma tenso
reversa de 20V, a uma temperatura ambiente de 2500.
Tenso de ruptura (VR) - Nvel de tenso reversa para a qual o diodo conduz.
Para retificadores, V R >50V.
Avalanche - Ocorre quando, na camada de depleo, um eltron deslocado
ganha velocidade, podendo desalojar um eltron de valncia. O par de eltrons
deslocados continua ganhando velocidade, e quanto maior for a polarizao
reversa, maior ser a velocidade, desalojando mais eltrons de valncia. Devido
ao elevado nmero de eltrons livres, o diodo conduzir intensamente e ser
danificado pelo excesso de potncia dissipada.
Terminologias
A seguir temos algumas terminologias empregadas na determinao de
caractersticas eltricas de diodos, com seus respectivos significados.
VBR: Tenso de ruptura VRWM:Tenso reversa mxima de trabalho
PIV: Tenso de pico inversa PRV: Tenso reversa de pico
BV: Tenso de ruptura VRM: Tenso reversa mxima
Componentes lineares
Os componentes cujo grfico tenso x corrente origina uma reta so de-
nominados componentes lineares. O grfico 1 ilustra, com detalhes, o que foi
descrito.
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Smbolo do diodo
A figura 2.3 ilustra o smbolo esquemtico de um diodo retificador. O lado N
chamado de ctodo e o lado P o nodo. A figura 2.4 ilustra o circuito com diodo.
Resistncia de carregamento
Abaixo de 0,7V predomina a resistncia no-linear da camada de depleo e,
em funo disso, o aumento da tenso de polarizao no provoca aumento na
corrente. Acima de 0,7V, a nica oposio corrente a resistncia linear das
regies P e N.
Especificao de potncia e de corrente
As folhas de dados dos fabricantes de diodos trazem, entre outras,
informaes dos limites mximos de dissipao de calor (potncia) e de conduo
de corrente, sendo que, uma vez desrespeitados tais limites, pode-se danificar
irreparavelmente os mesmos. A seguir apresentamos dois exemplos de
especificao de potncia e corrente de diodos:
Isso originaria um valor alto de corrente, que destruiria o diodo. A fim de evitar
que isto ocorra, e inserido um resistor (R~) em srie com o diodo, que tem como
funo limitar a mxima corrente direta do mesmo.
Linhas de carga
Uma forma de determinar com exatido os valores de tenso e corrente do diodo
atravs da linha (reta) de carga. Dois pontos determinam a reta de carga, sendo
eles a saturao e o corte. Para a saturao consideramos o diodo como uma
chave fechada, isto , com uma tenso direta (VD) igual a zero; e para o corte,
como uma chave aberta, ou seja, sem fluxo de corrente (1=0). A corrente de
trabalho (quiescente) determinada levando-se em conta a queda de tenso da
barreira de potencial do diodo e a relao entre a fonte e o resistor limitador (R 5)
(Fig. 2.5). A interseo entre a curva do diodo e a reta de carga determina o ponto
de trabalho do circuito ou ponto quiescente (ponto Q). As coordenadas deste
ponto so os valores de tenso de trabalho (V0) e corrente de trabalho (IQ).
(Grf3).
Aproximaes do diodo
Para anlise de circuitos eletrnicos, devemos lembrar que respostas
matematicamente exatas no tm muito sentido, do ponto de vista prtico, se
considerarmos que dispositivos tais como resistores, diodos etc.., possuem
tolerncia de valores. necessario, portanto conhecer tais variveis, a fim de que
se possam aproximar ao mximo os valores tericos dos prticos. A seguir
apresentaremos as aproximaes, considerando diodos de silcio.
Primeira aproximao - diodo ideal
Considera-se como diodo ideal, ou primeira aproximao, o fato do mesmo agir
como um condutor perfeito, isto , queda de tenso zero quando polarizado
diretamente; e isolante perfeito, corrente zero, quando polarizado reversamente.
Segunda aproximao
Para que o diodo comece a conduzir, necessrio que a tenso de
polarizao ultrapasse o valor da barreira de potencial. Em se tratando de diodos
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Terceira aproximao
Como terceira aproximao do diodo, inclui-se ao circuito da segunda
aproximao uma resistncia ligada em srie com a bateria, que representa a
resistncia linear das regies P e N (resistncia de corpo - RD).
A corrente direta, fluindo atravs desta resistncia, origina uma queda de
tenso, que varia proporcionalmente ao aumento da corrente; isto , quanto maior
a corrente, maior ser a queda de tenso atravs de RD. A tenso total, atravs
do diodo (VF), igual soma da tenso de limiar (0,7V) com a queda de tenso
atravs da resistncia de corpo ( R D ) A figura 2.8 ilustra o que foi descrito.
VF 0,7V ( I F .RD )
Observao
Geralmente, utiliza-se a segunda aproximao para resoluo de circuitos
envolvendo diodos.
Resistncia de corrente contnua (CC) de um diodo
Na polarizao direta, a resistncia CC do diodo diminui medida que a
corrente aumenta; e na polarizao reversa o mesmo acontece, medida que a
tenso de polarizao reversa se aproxima do valor da ruptura.
Teste esttico do diodo
Utilizando o ohmmetro, podemos detectar se um diodo encontra-se em curto
ou aberto. Isto possvel atravs da relao entre as medidas de resistncia
direta e reversa do mesmo. Um diodo ser considerado em bom estado, pelo
teste esttico se a relao entre as medidas de resistncia direta pela reversa for
igual ou maior que 1/1000.
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Limitador
Sua funo limitar sinais de tenso abaixo ou acima de um determinado
nvel, variando assim a forma dos mesmos. Os imitadores podem ser positivos,
negativos e polarizados.
Limitador positivo
Tambm chamado ceifador, o circuito retira partes positivas do sinal. No
primeiro semiciclo do sinal de entrada (Ve), o diodo est polarizado diretamente e
conduz. Assim, a tenso de sada (a) fica limitada ao valor de conduo do diodo
(0,7V). Quando inverte o sinal de entrada, o diodo fica polarizado reversamente,
indo para o corte (chave aberta). Assim teremos, idealmente, todo o sinal de
entrada sobre a carga (na sada, V0). Fazendo uma relao entre a carga (RL) e o
resistor imitador (R) maior ou igual a 100, obtm-se sobre a carga praticamente
todo o sinal de entrada.
Limitador negativo
Invertendo-se a polaridade do diodo, obtm-se um imitador negativo.
Limitador polarizado
Consiste em ligar em srie um gerador CC com o diodo, a fim de conseguir
ceifar o sinal em V + 0,7V para limitadores positivos e -v - 0,7V para limitadores
negativos, conforme as figuras 3.3 e 3.4.
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Associao de Iimitadores
Podemos, em algumas situaes, necessitar de limitao do sinal de entrada
em ambos os semiciclos, ou seja, positivo e negativo. Para tal, utilizamos os
circuitos limitadores associados, de forma que possamos obter o efeito desejado,
de acordo com a figura 3.5.
Grampeador de CC
Sua funo somar uma tenso contnua ao sinal de entrada.
Grampeador positivo
No primeiro semiciclo negativo da tenso de entrada, o diodo est polarizado
diretamente e conduz, levando o capacitor a carregar at aproximadamente V P
Pouco depois do pico negativo, o diodo corta. Fazendo a constante RLC muito
maior que o perodo (T) do sinal de entrada, o capactor permanece carregado
completamente durante todo o tempo em que o diodo estiver cortado.
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Orientao para projeto - Utilizar fonte ( V S ) e resistor ( R S ) altos para obter brilho
aproximadamente constante com LEDs.
Exemplo
Para o TIL 222 (verde)
VLED 1,8a3V
I LED 25mA
Utilizando uma fonte ( V S ) igual a 20V e um resistor ( R S ) de 750W, I LED igual
V V LED 20V 2V
a: I LED S 24mA
RS 750 R
Indicador de sete segmentos
Consiste de um arranjo com sete LEDs, cada um constituindo um segmento
de base numrica, cujo formato se assemelha ao nmero oito. Tal arranjo tem um
terminal comum, podendo ser tanto o ctodo quanto o nodo. O indicador
apresentado na figura 4.5 de nodo comum, podendo ser tambm de ctodo
comum.
Fotodiodo
O fotodiodo um dispositivo semicondutor que converte intensidade luminosa
em quantidade eltrica. Sua operao est limitada regio reversa. A figura 4.6
mostra um arranjo bsico de sua construo.
Smbolo do fotodiodo
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Circuito
medida que a luz se torna mais brilhante, a corrente reversa aumenta,
diminuindo a queda de tenso no diodo e aumentando a queda no resistor
imitador de corrente R5.
Diodo Schottky
Para melhor compreendermos o funcionamento do diodo Schottky, devemos
esclarecer dois pontos de fundamental importncia, que so o armazenamento de
cargas e o tempo de recuperao reversa.
Armazenamento de cargas
Denomina-se armazenamento de cargas o efeito causado pelo fato de eltrons
livres e lacunas perdurarem, por um breve espao de tempo, em diferentes
bandas de energia prximas da juno, em um diodo diretamente polarizado.
Quanto maior a corrente direta, maior o armazenamento de cargas.
Tempo de recuperaao reversa ( t RR )
O tempo de recuperao reversa (tRR) o tempo que a corrente reversa,
originada pelo armazenamento de cargas, leva para desligar um diodo
diretamente polarizado. Tal efeito mais acentuado em altas freqncias (MHz).
Efeito na retificao - O efeito causado pelo tempo de recuperao reversa em
circuitos retificadores de alta freqncia ilustrado na figura 4.10, onde podemos
ver claramente que, no momento em que a tenso do sinal que est sendo
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Caractersticas fsicas
Sabe-se que os metais no tm lacunas e os eltrons livres do lado N ocupam
rbitas menores. Quando o Schottky polarizado diretamente, estes ganham
energia suficiente para ocupar rbitas maiores, atravessando a juno e
penetrando no metal, produzindo uma grande corrente direta. Como no h
lacunas nos metais, no h armazenamento de cargas nem tempo de
recuperao reversa ( t RR ).
Varactor
Tambm conhecido por capacitncia de tenso varivel, epicap, varicap e
diodo de sintonia, o varactor otimizado para sua capacitncia varivel. Tem
inmeras aplicaes em equipamentos de comunicao, dentre os quais
podemos citar receptores de televiso e FM.
Seu princpio de funcionamento baseia-se no controle da capacitncia atravs
da tenso, quando reversamente polarizado. Se a tenso reversa e/ou a
freqncia aumentam, a capacitncia de transio diminui.
Smbolo do varactor
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Circuito equivalente
Na figura 4.15 apresentado o circuito equivalente de um diodo reversamente
polarizado com a respectiva curva da capacitncia de transio x tenso:
Especificaes do varactor
Valor de referncia de capacitncia medida a uma tenso reversa, tipicamente
iguala -4V.
Exemplo
Diodo 1N5142,15pFem -4V.
Faixa de sintonia e faixa de tenso: para o 1N 5142, a faixa de sintonia 3:1 e
a faixa de tenso, de -4V a - 60V.
Exemplo
Ct 15 pF a 5 pF , quando V 4 a 60
Conectando-se um indutor em paralelo com o varactor, obtm-se um circuito
1
ressonante, cuja freqncia de ressonncia dada por: f r
2 LC
A largura da faixa de sintonia depende do nvel de dopagem. Uma maior
concentrao de cargas nas proximidades da juno leva a uma camada de
depleo mais estreita e, com isso, a uma capacitncia maior.
Diodos de corrente constante
Estes dispositivos mantm a corrente constante dentro de um determinado
intervalo de tenso.
Exemplo
1 N5305, corrente tpica 2mA, faixa de tenso de 2 a 100V.
Compliance
Denomina-se compliance o alcance de tenso ao longo do qual o diodo pode
funcionar. Para o diodo 1 N5305, este valor de 98V.
Diodos de recuperao em degrau
Os diodos de recuperao em degrau tm um perfil de dopagem, de modo que
a densidade de portadores diminui perto da juno, conforme o grfico 4.
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Funcionamento
Durante o semiciclo positivo, o diodo conduz como qualquer outro diodo de
silcio, mas durante o semiciclo negativo cria-se uma corrente reversa por um
breve instante, devido s cargas armazenadas; a, subitamente, a corrente cai a
zero como se de repente o diodo se abrisse. A figura 4.16 ilustra o que foi dito,
bem como o smbolo do diodo. Sua aplicao se d em circuitos multiplicadores
de freqncia, onde a freqncia de sada um mltiplo da freqncia de
entrada, utilizando-se circuitos ressonantes para filtrar as harmnicas em relao
freqncia fundamental (2f, 3f .... nf).
Diodos de Retaguarda
So diodos otimizados para conduo melhor no sentido reverso do que no direto.
Analisando a curva caracterstica I x V do diodo de retaguarda, vemos claramente
esse fato. Isso conseguido aumentando-se o nvel de dopagem do diodo zener.
Sua aplicao se d na retificao de sinais fracos, cuja amplitude se situe entre
0,1 e 0,7V.
Smbolo e circuito
O seu smbolo se assemelha ao de um diodo zener e o circuito aplicativo
mostrado na figura 4.17.
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Diodo tnel
Constitui um diodo tnel um diodo de retaguarda fortemente dopado, de forma
a se obter a ruptura prxima de 0V. Esse aumento na dopagem faz com que a
curva direta seja distorcida, conforme o grfico 6. Analisando este grfico,
observamos a conduo imediata na polarizao direta. Quando a tenso atinge
um valor Vp (pico), a corrente atinge um valor mximo Ip, (pico). A partir dai,
medida que a tenso aumenta, a corrente diminui. Quando a tenso atinge um
valor VV (tenso de vale), a corrente atinge um valor I V (corrente de vale). A
regio compreendida entre Vp e VV considerada regio de resistncia negativa,
pois a corrente diminui com o aumento da tenso. Isso til em circuitos de alta
freqncia, chamados osciladores, que so capazes de converter potncia CC em
potncia CA.
Varistores
Tambm chamados supressores de transitrio, tm por funo filtrar a linha de
alimentao, eliminando os problemas causados pelos transitrios (descargas,
falha na linha de alimentao, chaveamento de carga reativa etc...). So
fabricados para diversos valores de tenso de ruptura e corrente de pico.
Varistores so resistncias dependentes da tenso com uma curva
caracterstica V x I simtrica, conforme o grfico 7.
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Os LDRs podem ser do tipo sulfeto de cdmio, cuja curva espectral abrange
parte das radiaes visveis, ou sulfeto de chumbo, cuja curva espectral est fora
do alcance da viso humana (infravermelho).
Smbolos dos LDR
Aplicaes
Utilizados principalmente em dispositivos sensores, como contagem de
objetos, controle automtico de brilho, deteco de dispositivos pela cor, em
fotmetros para otimizao de processos fotogrficos etc.
Termistores
Os termistores so componentes semicondutores cuja resistncia varia com a
temperatura. So utilizados como transdutores de temperatura em sinal eltrico.
Dependendo da forma como a resistncia se altera em funo da temperatura, os
termistores se classificam em PTC (Positive Temperature Coeficient) e NTC
(Negative Temperature Coeficient). Assim, temos que o PTC aumenta sua
resistncia quando a temperatura aumenta, e o NTC diminui sua resistncia
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Circuitos retificadores
Funcionamento
Durante o semiciclo positivo, na entrada, o diodo est polarizado diretamente e
conduz. Ento, o semiciclo positivo aparece na sada. Durante o semiciclo
negativo, na entrada, o diodo est polarizado reversamente e no conduz. Assim,
o semiciclo negativo no aparece na sada, ficando sobre o diodo.
Forma de onda de tenso na sada (V0)
Formas de onda de tenso de entrada (Ve) sada (lIa) e sobre o diodo (VD)
Fator de ripple ( )
Fator de ripple a relao, na sada de um retificador, entre a tenso alternada
e a tenso contnua, dada em percentual.
V
AC .100%
Vcc
Transformador
O transformador, dispositivo sem partes necessariamente em movimento,
utilizado para abaixar ou elevar a tenso alternada da rede eltrica. constitudo
basicamente por dois enrolamentos, sendo um primrio e o outro secundrio.
Relao de transformao ( Rt ou n ) - E a relao entre a tenso no primrio (Vp
ou V1) e no secundrio (Vs ou V2) ou entre o nmero de espiras do primrio (Np) e
o nmero de espiras de secundrio (Ns), expresso por:
VP N P
VS N S
Princpio de funcionamento - Baseia-se na induo mtua, ou seja, uma
corrente varivel ao circular pelo enrolamento primrio produz um campo
magntico varivel.
As linhas de foras deste campo magntico varivel cortam o enrolamento
secundrio, induzindo no mesmo uma tenso. Quando N S<Np,Vs<Vp e quando
Ns>Np, Vs>Vp. O transformador no funciona com CC pura. Normalmente,
utiliza-se uma derivao central (center tape) no enrolamento secundrio, a fim de
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Funcionamento
Sempre teremos um diodo conduzindo e outro cortado. Quando A for positivo,
B negativo e teremos D1 conduzindo e D2 cortado. Quando A for negativo, B
positivo e teremos D1 cortado e D2 conduzindo. Considerando a freqncia de
entrada igual a 60Hz, teremos cada diodo conduzindo 60 vezes por segundo, e na
sada, portanto, 120 pulsos por segundo. Conclui-se assim que a freqncia na
sada dobra, ou seja, igual a 120Hz.
A corrente mdia na carga (IL) vale:
V
I L cc
RL
A corrente mdia em cada diodo (Ia) vale:
I
I D! I D 2 L
2
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Observao
O valor da tenso mxima na sada igual ao valor mximo de cada
enrolamento , desprezando-se a queda de tenso no diodo em conduo.
V
Vac mx
2
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Funcionamento
Quando a tenso de entrada positiva, o diodo conduz e o capacitor se
carrega com o valor da tenso mxima ( Vmx ). Ao inverter a polaridade da entrada
o diodo est cortado e o capacitor se descarrega lentamente sobre a carga. O
capacitor ser recarregado com uma freqncia igual da rede de entrada. O
ngulo de conduo de diodo diminui e representado, no grfico 14, pela rea
hachurada. A tenso de sada no volta mais a zero.
Vond
VmxVcc
2
V
Vcc Vmx ond
2
Clculo da tenso de ondulao (Vond)
I V
Vond sendo que Vcc Vmx ond
f .c 2
Vmx
Vcc
1
1
2 RL. f .c
Clculo de Vcc em funo de Icc(quando RL no dado)
I I cc
Vcc v mx cc e C
2 f .c 2 f (v mx vcc )
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Vond
Vcc Vmx
2
Pelo grfico 15 apresentado, podemos verificar que a freqncia de sada do
filtro igual ao dobro da freqncia da rede de entrada, visto que cada diodo
conduz um semiciclo.
O capacitor ser recarregado o dobro de vezes em relao ao circuito de meia
onda. Com isso, conclui-se que a tenso de ondulao (Vond) diminui.
Se retirarmos a carga (RL) obteremos, na sada, um sinal contnuo no valor de
Vmx, conforme o grfico 16.
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Vp
Is
(n.rb ) Rsec
Onde
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O diodo zener
Curva caracterstica I x V
Especificaes
A potncia dissipada num diodo zener igual ao produto da sua tenso pela
corrente. Ou seja:
Pz = Vz x Iz
500mW
I ZM 50mA
10V
No exemplo dado, o diodo zener funcionar sem se danificar se a corrente que
fluir por ele no ultrapassar o valor de 50mA.
Resistncia zener
Quando um diodo zener trabalha na regio de ruptura, se variamos a corrente
zener notamos uma ligeira variao na tenso zener (Vz). Isto indica que o diodo
zener tem uma pequena resistncia de corpo. Os fabricantes especificam a
resistncia zener para a mesma corrente de teste utilizada para medir Vz. A
resistncia zener para esta corrente de teste simbolizada por RzT (ou Zzt).
Regulao de tenso
O diodo zener , as vezes, chamado de diodo regulador de tenso porque
mantm uma tenso de sada praticamente constante. Em funcionamento normal,
o diodo zener deve ser polarizado reversamente, e, para produzir a ruptura, a
tenso da fonte deve ser maior que a tenso zener Vz. Ao ligarmos o diodo zener,
sempre utilizamos um resistor conectado em srie com a fonte a fim de limitar a
corrente mxima a um nvel dentro da especificao do fabricante, pois, se a
potncia dissipada no componente for superior especificada, o diodo
provavelmente se danificar. A figura 7.2 mostra a forma de ligar o diodo zener
para trabalhar como regulador de tenso.
No circuito da figura 7.2, se fizermos Vz = 10V, Vs= 20V e Rs=1kohm,
podemos determinar o ponto de interseo vertical (ponto de saturao) fazendo
Vz igual a zero, e calculando o valor de Iz obteremos 2OmA. Da mesma maneira
podemos obter o ponto de interseo horizontal (ruptura) fazendo Iz igual a zero
(diodo zener aberto) e determinando o valor de Vz, que ser de 20V. Para uma
fonte Vs = 30V, os valores de Iz e Vz sero respectivamente 3OmA e 30V. A
seguir, veremos duas retas de carga cujos extremos foram obtidos acima.
Podemos observar, no grfico 19, que tivemos dois pontos de interseo na curva
do diodo (Q1 e Q2) para Vz = 20V e Vs = 30V. Comparando os pontos Q1 e Q2
notamos que a corrente sobre o diodo zener variou em 10mA, porm a tenso Vz
manteve-se praticamente inalterada (10V). Esta a idia bsica de regulao de
tenso. A tenso de sada manteve-se praticamente inalterada, mesmo que a
tenso de entrada sofresse variaes.
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O regulador zener
A figura 7.5 mostra o diodo zener utilizado para regular a tenso na resistncia
de carga. Neste caso teremos duas malhas, sendo que a corrente Irs ser igual
soma da corrente no zener com a corrente na carga.
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O valor da tenso VRL dever se maior que a tenso Vz, pois, caso contrrio,
o zener no entrar em conduo, no havendo assim regulao de tenso.
VZ I Z .RZ
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Observao
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Observao
Se voc retornar ilustrao da estrutura cristalina NPN em funcionamento, ver
que se trata de uma configurao em base comum, pois este terminal comum a
VBB e Vcc.
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Onde
IE - corrente do emissor
IB- corrente da base
IC- corrente do coletor
VCE - tenso de coletor relativa ao emissor
VBE - tenso de base relativa ao emissor
VOB - tenso de coletor relativa baseC
Exemplo
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As curvas de base
Pelo fato da juno base-emissor ser um diodo de se esperar que a curva de
base seja a curva de um diodo. De fato o que obtemos quando plotamos
IB x VBE no transistor. Porm, como dissemos no incio, o transistor tem muito
mais variveis eltricas que o diodo. Assim, a curva de base no transistor torna-se
em: as curvas de base, uma para cada valor de VCE. A questo a seguinte:
quanto maior a tenso reversa no diodo coletor, maior a regio de depleo
dentro da base, estreitando ainda mais a regio, que de fbrica j fina. Com a
regio diminuda, a probabilidade de encontrar lacunas nesse espao diminui
abruptamente e, como a corrente de base formada pela recombinao dos
eltrons livres injetados pelo emissor com as lacunas da base, a corrente de base
tem que diminuir. Ocorre, entretanto, algo extraordinrio com a tenso VBE: ela
aumenta! Isso significa deslocar a curva de base para a direita. A justificativa
tcnica para esse fenmeno complexa e preferimos omiti-la. Porm, o estudante
interessado pode consultar algumas das bibliografias citadas no final. O
fenmeno, conhecido como efeito Early, normalmente desprezvel na anlise
casual dos circuitos transistorizados, exceto nas situaes em que so requeridos
tratamentos minuciosos. Veja, a seguir, as curvas de base:
As curvas de coletor
O circuito precedente tambm serve como referencial para construo das cur-
vas de coletor. A idia fixar a corrente na base atravs de VBB e variar Vcc,
anotando os valores de IC e VCE. Se tentssemos desenhar grficos envolvendo
as trs grandezas variando simultaneamente, teramos grficos tridimensionais,
que so sempre difceis de interpretar. Quando desenhamos IC x VCE com IB
fixo, o resultado a curva mostrada a seguir:
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Especificaes de um TBJ
Pretendemos, aqui, apresentar algumas especificaes teis do transistor bipolar.
Deixamos claro que o uso do manual do fabricante ou Databook de vital
importncia e que o aluno no deve se contentar em saber apenas as
especificaes que apresentaremos. O quadro abaixo apresenta as principais
caractersticas de um TBJ com a descrio de cada uma.
IB Corrente de base
IC Corrente de coletor
IE Corrente de emissor
PD Potncia dissipada
Vceo Tenso de coletor ao emissor com a base aberta
Vcbo Tenso de coletor base com emissor aberto
Vebo Tenso de emissor base com o coletor aberto
P Fator de degradao
Rthj Resistncia trmica da juno
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diferena entre Vcc e VBB. Essa situao equivale a uma chave aberta entre (C) e
(E).
Convm dizer aqui que as definies de e no se aplicam na configurao
chave, pois perdemos o controle sobre as correntes de coletor e de emissor, que
passaram a depender mais das fontes Vcc / VBB e dos resistores externos do que
propriamente dessas relaes.
Reta de carga CC para circuitos transistorizados
Durante o estudo do diodo, tivemos o primeiro contato com a reta de carga.
Ela consiste, basicamente, de um meio geomtrico para localizar o ponto de
operao de um circuito contendo algum componente eletrnico.
A via de regra, aqui, primeiro escrever a equao das tenses para malha
de coletor e, em seguida, usar a idia da chave eletrnica entre coletor-emissor,
ou seja, fazer Vce = 0V (chave fechada) e encontrar a corrente IC que circula.
Esta ser a corrente Icsat. Depois fazer IC=0 (chave aberta) e encontrar a tenso
Vce. Esta ser a tenso de corte VceCORTE. Com VceCORTE e ICSAT somos
capazes de traar uma semi-reta sobre as curvas de coletor, interceptando-as.
Em alguma curva do coletor est localizado o ponto de operao.
Para plotar o ponto de operao na reta de carga usamos a malha da base.
L, escrevemos a equao das tenses e a manipulamos para encontrar alguma
corrente de operao; ou a da base IB ou a do emissor IE (lembre-se que IC=IE).
Com a corrente de operao IC, calculamos a tenso Vce de operao.
Observe que foram mostrados os plos positivos de VBB e Vcc. Deve ser
assimilado que os plos no mostrados no esquema encontram-se ligados ao
terra. Em termos eltricos, nada alterado, pois o terra continua sendo mais
negativo que os pontos de aplicao das tenses VBB e Vcc. Ento, as correntes
continuam tendo os mesmos sentidos e a magnitude do esquema tradicional.
Sempre que possvel usaremos o recurso do terra, visto que rotina analisarmos
esquemas comerciais e/ou industriais empregando-o.
tenses continue vlida, VCE tem de assumir o valor da fonte Vcc, chave aberta.
No instante em que o pulso sobe para o nvel alto - nvel fixo de tenso - h
corrente na base e, se esta corrente for suficientemente alta, o transistor entra na
regio de saturao tornando Vce prximo 0V. A corrente circulante no coletor
ICSAT e, de coletor para emissor, o transistor se assemelha a uma chave
fechada. Novamente para a lei de Kirchhoff permanecer inalterada, o resistor de
coletor Rc tem entre seus terminais a tenso da fonte Vcc.
Como pode ser notado na figura 8.18, o sinal quadrado de sada exatamente
o oposto ao do controle. Isto devido s condies em que ocorrem os
chaveamentos. Quando controle 0V, a sada = Vcc. Caso contrrio, se controle =
VBB a sada = 0V. Por isso, os sinais so recprocos.
Condio suficiente para o funcionamento da chave eletrnica - A condio
necessria e essencial que a corrente IB seja grande o suficiente para levar IC
saturao. Os profissionais que projetam chaves a transistor usam uma regra
super-dimensionada para escolha dos resistores RB e Rc. Eles adotam um = 10.
Este praticamente no se encontra, mesmo em transistores de potncia que so
conhecidos por terem betas pequenos. Dessa maneira dividimos o projeto em trs
etapas:
1 etapa - O resistor Rc normalmente a carga que se deseja acionar.
imprescindvel conhecer sua resistncia eltrica ou a corrente de funcionamento.
Esta corrente dever ser tida como ICSAT.
2 etapa - Podemos calcular IB usando um beta crtico igual a 10. Portanto,
IB=ICSAT/10
3 etapa - Encontramos o valor de RB usando a lei de Ohm, j que sabemos que
a tenso nos terminais dele deve ser VBB 0,7V e IB acabamos de encontrar:
RB=(VBB -0,7V) / IB.
Durante a montagem do circuito, na prtica, o beta provavelmente ser maior
que 10. Isto um fator benfico, porque IB a mesma corrente especificada no
projeto, j que ela depende apenas de VBB e de RB (IB=[VBB-0,7V] /RB).Se lB
a mesma e o beta aumentou, significa que teramos no coletor uma IC ainda
maior (IC=.IB). Sabemos que essa situao no existir, j que o circuito do
coletor satura no mesmo valor de ICSAT que estipulamos.
Reta de carga no modo chave - Como desejamos que o transistor atue como
chave, a reta de carga para o circuito deve ter o ponto de operao Q oscilando
entre a saturao e o corte. Quaisquer outros pontos que no sejam as
extremidades da reta esto proibidos de ocorrer quando adotamos a regra de
projeto acima estudada.
Acionando cargas com o transistor - No estudo feito acima, buscamos
especificar um resistor de base para que o transistor saturasse
irremediavelmente. Na prtica, a chave muito usada para acionar rels, motores
CC de pequena capacidade, lmpadas de baixa potncia, LEDs indicadores etc.
Veja alguns exemplos destas aplicaes:
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Observao 1
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas necessrio acrescentar um
diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto porque quando a
carga est sendo acionada (transistor saturado) a indutncia da carga recebe
energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para o corte) ocorre a
inverso da tenso nos terminais da carga (lei de Lenz) para manter a corrente
circulando no mesmo sentido. Essa tenso pode ser suficientemente alta e
destruir o diodo coletor. O diodo D1 faz o retorno da corrente e dissipa a energia
armazenada na indutncia da carga, protegendo o transistor.
Observao 2
As especificaes Vebo (tenso reversa no diodo emissor) so relativamente
pequenas, se comparadas com o diodo coletor Tipicamente, situam-se na faixa de
4 a 10V O diodo D2 limita a tenso reversa no diodo emissor em - 0,7V j que ele
est em antiparalelo com a juno base emissor.
Motor CC de baixa potncia
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Observao
O motor CC uma carga RLE (resistncia -indutncia - tenso gerada).
O transistor como fonte de corrente
Fizemos o estudo do transistor como chave e constatamos que o ponto de
operao Q podia situar-se apenas nas extremidades da reta. A outra vasta
aplicao do transistor - fonte de corrente - requer o ponto Q em algum lugar
entre as extremidades, ou seja, no interior da reta. A forma de conseguir isso
polarizar o transistor na regio ativa, como fizemos durante o estudo das retas de
carga.
A razo de usar o transistor como fonte de corrente est no fato de que, nesta
configurao, o transistor capaz de amplificar sinais CA! Veremos um pouco a
frente, em nossos estudos, como polarizar circuitos transistorizados na regio
ativa e prepar-los para a amplificao. Por ora, vamos apenas estabelecer os cri-
trios de funcionalidade da fonte de corrente. Veja a configurao tpica do
circuito:
VCC
I CSAT
RC R E
VCECORTE VCC
V 0,7
I CQ BB
RE
VCEQ VCC I CQ ( RC RE )
Observe a equao da corrente ICQ e veja que ela depende apenas de VBB e
RE. Se garantirmos a estabilidade destas duas grandezas, temos que a corrente
ICQ ser fixa e independente do beta. Independente porque o beta no aparece
explicitamente na equao da corrente, mas se fizermos IB= o claro que IC
tambm o ser.
Aqui temos uma situao diferente da encontrada quando estudamos o
transistor chave. L houve a necessidade de fixarmos um beta mnimo igual a 10
para assegurar o funcionamento do circuito. Agora, o beta apenas define corrente
de base que circula medida que escolhemos diferentes valores de VBB e RE.
Lembre-se, porm, que a corrente de operao ICQ necessariamente, menor
que ICSAT, Caso contrrio, a fonte de corrente estar comprometida.
Volte a observar a equao para ICQ. Nela no aparece RC. por isso que o
circuito chamado fonte de corrente, pois para qualquer valor de RC no coletor a
corrente no resistor seria a mesma. E claro que isso no acontece na prtica, mas
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Observao
No caso do transistor multiemissor, basta que um dos transstores tenha o
emissor colocado, por exemplo, no terra para que todas as bases estejam em
0,7V De forma equivalente, se no smbolo um dos emissores vai ao terra, a base
assume 0,7V de potencial e circulam as correntes e IB correspondentes
quantidade de emissores em conduo. No caso do multicoletor necessrio que
pelo menos um dos transstores tenha o coletor em VCC atravs de Rc, para
existir IB e IE.
Transistor Darlington
Consiste em uma conexo de dois transistores. O emissor do primeiro vai base
do segundo; os coletores so ligados juntos e base do primeiro. O emissor do
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2
Observao
Note que o VBE, para este transistor, vale 1,4V
Polarizao do transistor bipolar
Esta seo apresenta algumas formas de polarizar um transistor para que ele
funcione linearmente (na regio ativa), o que significa estabelecer o ponto Q
prximo ao meio da reta de carga. Os amplificadores de pequeno sinal e os da
classe A exigem o ponto O nesta localizao. Vamos mostrar, por fim, algumas
formas de polarizao que no fixam o ponto Q no centro da reta de carga, teis
em amplificadores da classe B.
Todos os circuitos vistos anteriormente usavam duas ou mais fontes. Agora
iremos estudar condies de polarizao para circuitos transistorizados a partir de
uma fonte de tenso e redes resistivas. Comearemos analisando o pior deles,
avaliando os aspectos que o tornam ruim, e evoluiremos at chegar a excelentes
circuitos polarizadores do TBJ.
Polarizao da base
Use a configurao transistor como chave, mas evite polarizar o transistor no
corte ou na saturao. A fonte VBB foi eliminada atravs da conexo do resistor
RB fonte VCC. Desta maneira, a corrente iB provm da fonte VCC e alimenta a
base. A juno base-emissor polarizada diretamente, com a base 0,7V acima do
terra. Necessita-se, ento, providenciar uma corrente Ic - e conseqentemente
uma IB - que torne a tenso Vc maior 0,7V, visando reverter a polarizao do
diodo coletor. Avalie a configurao ilustrada na figura 8.27.
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(V EE ) V BE
I CQ I E
Re
Polarizao por espelho de corrente
Suponha, no circuito a seguir, que Ib seja muito menor que Ir e Id de forma
que Ib=IR. Note que o diodo D est em paralelo com a juno base-emissor.
Se a curva do diodo D for idntica curva do diodo emissor, a corrente do
emissor ser igual corrente no diodo D. Como IcIe verifica-se que Ic
praticamente a mesma corrente que circula no diodo D.
Observao
As folhas de dados dos fabricantes especificam o quanto VBE varia com a
temperatura. Na falta do dado correto, uma boa aproximao que VBE diminui
2mV a cada grau Celsius de aumento na temperatura. Por exemplo: se um diodo
emissor tem uma queda de 0, 7V a 250C, a 1000C a tenso cai para 0,55V
Polarizao do par diferencial
A figura 8.33 mostra a configurao bsica do par diferencial com TBJ. Ela
consiste de dois transistores casados, Q1 e Q2 cujos emissores esto
conectados juntos e polarizados por uma fonte de corrente. Essa fonte
usualmente implementada com transistor como fonte de corrente ou por meio de
um resistor RE usando a polarizao de emissor. Embora cada coletor esteja
conectado ao positivo da fonte Vcc atravs de resistores Rc, essa conexo no
essencial ao funcionamento do par e, em algumas aplicaes, podem ser
conectados a outros transistores em vez de cargas resistivas. A sada do circuito
tomada estrategicamente entre os coletores de Q1 e Q2 sendo denominada
equilibrada ou desequilibrada. As entradas so normalmente conectadas no modo
diferencial, ou seja, a diferena entre elas que faz o ponto Q deslizar sobre a
reta de carga. Observe o circuito:
(V EE ) V BE
I E I CQ
2RE
Aplicando uma tenso diferencial na entrada
Para entender como o par diferencial funciona, considere primeiro o caso em que
as duas bases esto conectadas juntas e ligadas a uma tenso VCM (VCM 0V),
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Com um pouco de anlise pode ser observado que Q1 estar conduzindo toda
a corrente IE e que Q2 estar em corte. Devido conduo de Q1, o emissor dos
transistores ter 0,3V, que mantm juno base-emissor de Q2 reversamente
polarizada. As tenses de coletor sero Vc1 = Vcc - ICQ.Rc e Vc2 = Vcc. Portanto,
VO=ICQ.RC.
Seja, agora, VIN2 para 0V e VIN1 para -1V, como ilustra a figura 8.36.
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Outra vez pode ser observado que Q1 estar em corte e Q2 conduzir toda a
corrente Ie O emissor dos transistores ter - 0,7V, implicando polarizao reversa
da juno base-emissor de Q1 em 0,3V. As tenses de coletor sero Vc1 = Vcc e
Vc2 = vcc ICQ.Rc. Portanto, Vo=ICQ.Rc
Pelos resultados obtidos, notamos que o par diferencial certamente responde
no modo de diferena ou modo diferencial. Realmente, com diferenas de
potenciais relativamente pequenas, somos capazes de controlar a corrente de
polarizao total de um lado do par para o outro. Essa propriedade permite us-lo
at em circuitos lgicos, embora quase todas as aplicaes sejam circuitos
lineares integrados.
Para o par com sada desequilibrada, todos os valores das correntes
permanecem os mesmos e a anlise matemtica inteiramente anloga. A
diferena essencial que sempre a sada V0 retirada do resistor Rc de Q2
Transistores PNP
Temos dado preferncia gratuita ao transistor NPN sem nenhuma justificativa
plausvel. A questo da utilizao prtica no influenciou nossa deciso, pois
ambos (NPN e PNP) so igualmente empregados. At mesmo os autores de
livros fazem o estudo de um transistor e depois introduzem o outro como
extenso natural. Nosso caminho ser o mesmo.
Polarizao do transistor PNP
Lembre-se que nosso interesse primordial operar o transistor na regio ativa
ou linear, porque estamos prontos para introduzir os circuitos amplificadores.
Nessa regio a juno base-coletor deve ser polarizada diretamente, enquanto a
juno baseemissor deve estar reversamente polarizada. Como no transistor PNP
mudam-se todas as polaridades em relao ao NPN, a base deve estar 0,7V mais
negativa que o emissor e positiva em relao ao coletor, ou seja, o coletor deve
estar mais negativo que a base para reverter a polarizao do diodo coletor. A
seguir temos uma ilustrao mostrando os dois transistores. Sugerimos que voc
memorize uma polarizao e, sempre que precisar, inverta todas as polaridades
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Observao
No estranhe o desenho do transistor PNP de cabea para baixo. Em esquemas
eletrnicos ele normalmente aparece assim. A razo da inverso do transistor
PNP ser dada ainda nesta seo.
Outro detalhe que devemos avaliar o sentido convencional das correntes no
transistor PNP. Obviamente, so todas ao revs das correntes do transistor NPN.
Observe as figuras mostrando todos os sentidos nos dois transistores:
Deslocando o terra
No h misticismo envolvendo o smbolo de terra em esquemas de circuitos
eletrnicos. Ele apenas um referencial no qual so ligadas muitas conexes em
comum, normalmente plos de fontes (mais comumente o negativo). Desde que
um e apenas um dos plos de uma fonte seja conectado ao terra, podemos
desloc-lo de um lado para o outro sem comprometer o funcionamento do circuito
(se se conectam os dois plos de uma mesma fonte ao terra, fica caracterizado
um curto-circuito). Vamos elucidar essa questo com exemplos.
Exemplo
Redesenhar a polarizao universal com o positivo da fonte V 00 ligado ao terra,
em vez do negativo.
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Observao
Na etapa 1, desenha-se o circuito mostrando a fonte e qual plo est ligado ao
terra. Na etapa seguinte, desloca-se o terra para o outro plo, deixando sem
referencial o plo que possua o terra. Por ltimo, mostra-se o novo referencial
aterrado, omite-se o plo onde est ligado o terra e troca-se o sinal da fonte de
tensao.
Circuitos polarizadores com transistor PNP
polarizao da base.
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Da penltima para a ltima etapas, faz-se uma rotao de maneira que traga o
positivo da fonte Vcc para cima e o terra para baixo, como de costume. Isto pe
o transistor PNP com o emissor em cima ou de cabea para baixo.
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Reguladores de tenso
VL = Vz + VBE
Regulador srie
As caractersticas de uma regulador de tenso podem ser melhoradas
consideravelmente, usando-se dispositivos ativos tais como o transistor. Na figura
9.3 temos o regulador de tenso tipo srie a transistor mais simples possvel.
Nesta configurao podemos dizer que o transistor se comporta como um resistor
varivel cuja resistncia determinada pelas condies de operao.
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Equaes
VF = Vz + VBE
R1 R 2
VL .V F
R2
O transistor de passagem est em srie com a carga. por isso que o circuito
chamado de regulador srie. A principal desvantagem de um regulador srie a
dissipao de potncia no transistor de passagem.
PD VCE .I C
Quando a corrente de carga intensa, o transistor de passagem precisa
dissipar muita potncia. Isto implica maiores dissipadores de calor e uma fonte de
alimentao mais potente.
Limitao de corrente
A figura 9.5 mostra uma forma simples de limitar a corrente de carga em valores
seguros, mesmo que a sada seja curto-circuitada. O resistor R4 um sensor de
corrente. Esse resistor produz uma tenso que aplicada aos terminais base-
emissor do transistor Q3. Se a corrente de carga IL for menor que VBE/R4, a
tenso VR4 ser menor que VBE de Q3. Nesse caso, Q3 est em corte e o
regulador funciona normalmente. Quando a corrente de carga IL for maior que
VBE/R4, a tenso sobre o resistor R4 ser maior que VBE de Q3, fazendo, com
que este transistor entre em conduo. A corrente de coletor de 03 circula atravs
de R3, diminuindo a tenso na base de Q2 Isto faz com que haja diminuio de
tenso na carga. Na realidade temos uma realimentao negativa, pois o
aumento inicial de corrente na carga produz diminuio na tenso de carga. Essa
realimentao negativa se torna mais intensa para uma queda em R 4 entre 0,6 e
0,7V.
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Regulao de tenso
A qualidade dos circuitos reguladores depende basicamente da tenso de
carga, corrente de carga, regulao de carga e de linha, ondulao e outros
fatores. Veremos agora duas caractersticas muito importantes: regulao de
carga e regulao de linha.
Regulao de carga
Um regulador tem boa regulao de carga quando o valor da tenso de sada
sem carga o mais prximo possvel do valor da tenso de sada com carga
mxima. A regulao de carga pode ser expressa em porcentagem e calculada
conforme a equao:
Onde
LR - regulao de carga
VNL - tenso de carga sem corrente de carga
VFL- tenso de carga com corrente de carga mxima
Regulao de linha
A tenso da rede eltrica tem valor nominal em torno de 127V para alguns
locais e 220V para outros. Dependendo da demanda de energia, essa tenso da
rede pode assumir valores diferentes de 127V ou 220V. Variaes na tenso de
rede de at +/- 10% so admissveis, pois isto est previsto em contrato com a
concessionria de energia. A tenso de rede alimenta normalmente um
transformador, que, por sua vez, alimenta um retificador de onda completa. A
sada filtrada deste retificador tem seu valor de tenso proporcional ao valor de
tenso da rede e ser ligada entrada do regulador. Se houver alguma variao
na tenso de rede, provavelmente haver variao na tenso de entrada do
regulador, o que poder ocasionar variao na tenso de sada do regulador de
tenso. Quando houver variaes na tenso de rede e a tenso de sada regulada
permanecer praticamente inalterada, o regulador de tenso ter boa regulao de
linha. A regulao de linha pode ser calculada a partir da equao:
Onde
SR - regulao de linha
VHL - tenso de carga com tenso de linha alta
VLL - tenso de carga com tenso de linha baixa
Vnom - tens o de carga nominal
Reguladores monolticos
Os reguladores monolticos so reguladores de tenso sob a forma de circuitos
integrados disponveis em invlucros de trs terminais. O circuito interno
incorpora uma fonte de tenso de referncia com compensao de temperatura,
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Utilizando regulador fixo para obter tenso ajustvel - Apesar dos reguladores
das sries 78XX serem reguladores de tenso fixos, h uma forma de obtermos
tenso de sada ajustvel dentro de uma faixa que sempre acima da tenso fixa
estabelecida pelo fabricante. Acrescentando dois resistores externos R 1 e R2,
poderemos mudar o valor da tenso fixa de sada do regulador. Os reguladores
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Vreg
VO Vreg ( I Q ).R2
R1
Onde
Vo - tenso de sada
Vreg - tenso de sada fixa do regulador (dado do fabricante,)
IQ- corrente quiescente (dado do fabricante, aproximadamente 8mA)
Reforadores de corrente para reguladores monolticos
Os reguladores de tenso de trs terminais tm uma corrente mxima de
carga que eles so capazes de fornecer antes que o desligamento trmico ocorra.
Se necessitarmos de correntes mais elevadas nos reguladores, uma forma
eficiente de conseguir este acrscimo mostrada na figura 9.9. Veja que a
corrente de carga a soma da corrente do regulador com a corrente do coletor de
Q1.
A corrente mxima que ir circular pelo regulador determinada por R~, pois
quando a queda de tenso em Rs for de 0,6V o transistor Q1 entrar em
conduo, suprindo corrente extra para a carga. A equao para calcular Rs
demonstrada logo em seguida.
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Io = Is + Isc
VRS = VBE
VBE = Rs.IRs
Rs= VBE
IRS
Com a opo de colocar um transistor reforador de corrente, perdemos a
caracterstica de limitao de corrente mxima do regulador. Afigura 9.10 mostra
uma forma de termos um limitador de corrente para proteo do circuito
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Linha de carga CC
Vimos que, fazendo os capacitores anlogos a chaves abertas, o circuito
anterior reduzido ao seu equivalente CC, de onde podemos obter as equaes
dos pontos de saturao e corte da linha de carga CC. A figura 10.2 ilustra o que
foi descrito.
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VCC
I CSAt (Saturao)
Rc Re
Vce Vcc (corte)
O ponto de trabalho ou quiescente (Q) encontra-se plotado na linha de carga
CC, evidenciando a corrente quiescente de coletor (ICQ) e a tenso quiescente
de coletor
(VCEQ).
Linha de carga CA
Do ponto de vista da corrente alternada, fazemos os capacitores anlogos a
chaves fechadas e a fonte (Vcc) em curto, obtendo assim o circuito equivalente
CA, mostrado na figura 10.3, de onde equacionamos e traamos a linha de carga
CA.
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Base comum
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rc
PP =2ICQ.rC ou PP =2VCEQ
rc Re 1
Compliance mxima de sada
Em se tratando de amplificador para grande sinal, a localizao do ponto Q de
fundamental importncia para obtermos, na sada, a mxima compliance.
Conforme visto anteriormente, com o ponto Q no meio da reta de carga CC, no
podemos ter excurses iguais positivas e negativas do sinal, uma vez que o des-
locamento do ponto Q ao longo da linha de carga CA maior em direo
saturao do que em direo ao corte. O grfico 36 ilustra o que foi descrito.
Rc
Av (sem carga)
r' e
Como rc= Rc II RL, tem-se:
rc
Av (com carga)
r' e
ic
Ai
ib
Ganho de potncia (Ar)
O ganho de potncia a relao entre a potncia de sada (P 0) e a potncia
de entrada (Pin) de um amplificador, expresso matematcamente por:
Ap= P0 / Pin,
Sendo
Ap Av. Ai
Onde
Ap - ganho de potncia
Av- ganho de tenso
Ai - ganho de corrente
Vo - tenso de sada
Ic-- corrente de coletor
Vin- tenso de entrada
Ib- corrente de base
V 2 pp
PL
8RL
Considerando que o maior valor de tenso pico a pico no ceifado na sada de
um amplificador igual compliance do mesmo (PP), podemos rescrever a
equao anterior para a mxima potncia na carga (Plmx) Assim, teremos:
PP 2
PLMX
8RL
Para o transistor conduzir, deve-se ter uma tenso VBE acima de 0,5V (limiar
da conduo dos transistores de silcio).
Como no h polarizao CC de base, tem-se que o transistor s ir conduzir
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ICQ=0
VCEQ=Vcc
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Funcionamento
A1=
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RL
Av = 1
RL r ' e
PP Vcc
V 2 pp
PL
8RL
PP 2
PLMX
8RL
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A fim de tornar mais fcil e preciso o casamento das curvas VBE dos
transistores com as dos diodos de compensao trmica, pode-se utilizar
transistores iguais a Q1 e Q2 de tal forma que se comportem como diodos, ou
seja, com os terminais de base ecoletorem curto, conforme ilustrado na figura
10.13.
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Polarizao de um JFET
As ilustraes mostram as formas corretas de polarizao da juno porta-
canal para os dois tipos de JFET de depleo existentes.
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Observao
No JFET simtrico, a fonte e o dreno podem ser usados indistintamente, ou seja,
pode-se troclos de posio e o funcionamento permanecer inalterado.
Exemplos de JFET simtrico:
2SK30A, 2SK68A, 2SK72A etc.
No JFET assimtrico a ordem dreno-fonte deve ser preserva da, sob pena de
incorrer no funcionamento inadequado do componente. Exemplos de JFET
assimtrico: 2N5457, BF244, J11O, J2N3955, MPF38 19, B5R58 etc.
Curvas de dreno
JFET tem curvas caractersticas para o dreno bastante semelhantes quelas
estudadas para o coletor do transistor bipolar. Observe-as:
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BVDSs - mxima tenso que pode ser aplicada entre dreno e fonte.
Curva de transcondutncia
Grfico da corrente ID em funo da tenso VGS, para VDs maior que Vp.
Em eletrnica, o prefixo TRANS relaciona uma variedade de sadas por uma
variedade de entradas. Observe que, tivessemos dividido a corrente da porta
IGSS pela tenso VGS, obteramos uma condutncia. Porm, estamos avaliando
o comportamento de ID (sada) quando VGS (entrada) varia. O grfico da
transcondutncia um arco de parbola descrito por:
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2
VGS
I D I DSS 1
VGS OFF
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Multiplexao analgica
Uma aplicao bastante interessante til a multiplexao de sinais no
tempo. A idia consiste em transmitir vrios sinais eltricos analgicos em um
mesmo fio, mas em tempos diferentes.
Vamos analisar um Mux de trs canais (entradas) com JFET. Na verdade so
trs chaves srie com um terminal em comum. Atravs dos terminais de controle
VGs1,VGS2 e VGS3 permitimos ou no a passagem dos sinais pelos JFETs.
Lembramos que os sinais devem ter amplitudes menores que 100mV.
Observao
Um sinal analgico aquele que tem infinitos valores num intervalo de tempo
determinado.
no canal pode ser feito por VGS e por uma tenso negativa -VSuB (no caso do
MOSFET canal N) que torna o controle refinado.
Princpio de funcionamento
Juno porta-canal em curto (Vgs =0) - Circular uma corrente IDS atravs do
canal, diretamente proporcional tenso VDS aplicada. Como num JFET, esta
corrente provoca quedas de tenso ao longo do canal, entre dreno (D) e fonte (S),
forma um campo eltrico do canal para a porta (G) e ocorre a carga do capacitor
formado no Canal-Sio2-Metal (o capacitor real consiste em Metal-isolante-Metal),
com negativo dentro do canal. Para tenses VDS maiores que a tenso de pinch-
off, a corrente estabiliza-se em IDSS Observe os esquemas para os dois
MOSFETs: Tipo-P e Tipo-N. (Fig. 11.14)
Porta-canal com polarizao reversa- VGS <0 (canal N) ou VGS >0 (canal P)
Se o canal for do tipo N, a tenso reversa aplicada de porta a fonte deve ser
negativa, conforme a figura 11.15. Este potencial negativo, por induo, ir repelir
os eltrons livres do canal N, diminuindo o nmero de portadores majoritrios e,
conseqentemente, reduzindo a corrente no canal. Existe um valor de Vgs
reverso que obstrui o canal completa e irremediavelmente, chamado VGSOFF.
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Curva de transcondutncia
As definies para Vp, IDSS e rd desenvolvidas para JFET aplicam-se sem
restries ao MOSFET tipo depleo, com uma ressalva: a parte do primeiro
quadrante da curva ID x VDS permitida para este dispositivo. Portanto, a
equao da curva de transcondutncia permanece vlida:
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MOSFETs intensificao
MOS FEl tipo depleo era conhecido como MOSFET normalmente ligado
pelo fato do canal apresentar-se aberto para VGS=0V. Aqui, as coisas so
bastante diferentes. Observe a estrutura fsica de um MOSFET
intensificao:
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Observao
Os smbolos dos MOSFETs canal n e p so os mesmos adotados para o
convencional.
Equao da corrente de dreno - A fsica dos semicondutores prova que os
MOSFETs so dispositivos que obedecem a uma lei quadrtica. Se quadrtica,
a funo de ID x VGS uma parbola (ou um trecho) cujo vrtice situa-se em
VGSLLIMIAR Sem mais delongas, podemos escrev-la como:
ID=K(VGS - VGSLMAR)2
Onde
K - constante que depende da largura e do comprimento do canal e de
constantes cujo produto mCox e dado em ampre por volt ao quadrado.
Notoriamente, VGS deve ser maior do que ou igual a VGSLMAR, pois seno a
corrente de dreno cai num trecho da parbola fora das caractersticas reais do
dispositivo. Observe a curva de transcondutncia do VMOS:
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Essa curva muito til em aplicaes lineares com o MOSFET, mas no caso
chaveamento interessante conhecermos VGSLIMIAR e os valores de VGSMx
e IDMX.
Recomendamos o estudo do DMOS, referncia que pode ser obtida no livro
texto:
SEDRA/SMITH, MICROELETRONICA.
1. Do MOSFET:
2. Do TBJ:
Observao
Outras caractersticas se enquadram na comparao, porm so menos
influentes, no comprometendo nossa anlise.
A seguir, apresentamos a estrutura semicondutora do IGBT:
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Princpio de funcionamento
Por meio da estrutura interna verificamos que o controle da corrente se
processa pela tenso porta-emissor. Aplicando-se tenso negativa da porta ao
emissor, induzimos nos cantos superiores prximos porta; e vindos da regio p,
cargas positivas entre as regies n e n-, inibindo qualquer fluxo de corrente de
coletor ao emissor. Observe a ilustrao:
Smbolo
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Referncias Bibliogrficas
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