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III. CUESTIONARIO
Resistencias Semiconductoras
Abstract This document is the final report for the experience
N0 Semiconductor Resistors in charge of Eng. Fernando
Lopez Arambur, in which is presented the obtained data, the
characteristic curves and we answer the questions of the guide.
Its also calculated and presented the relative error committed
while measuring with the instruments. We used LDR and NTC
thermistors as semiconductor resistors.
Index Terms Light Dependent Resistor (LDR), Negative
Temperature Coefficient (NTC).
I. INTRODUCCIN
E L estudio de las resistencias semiconductoras es muy
importante ya que constituyen un tipo de resistencia no
lineal, lo cual genera efectos diferentes en los
circuitos. Estas resistencias dependen de algunas variables
como temperatura o luminosidad.
II. DATOS OBTENIDOS
A continuacin se mostraran los valores medidos para los
diferentes circuitos:
Para el foco de Filamento:
Fig.1 Tabla de datos Foco de filamento
Para el termistor NTC:
Fig2. Tabla de datos termistor NTC
Para el LDR:
Fig.3 Tabla de datos LDR
su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que
proporciona la estructura molecular cristalina
caracterstica de esos tomos en estado puro no les
permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los
tomos de los elementos semiconductores se unen
formando enlaces covalentes y no permiten que la
corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando
se les aplica una diferencia de potencial o corriente
elctrica. En esas condiciones, al no presentar
conductividad elctrica alguna, se comportan de forma
similar a un material aislante.
B. Explicar la variacin de la resistencia
del filamento conductor en el foquito
incandescente
El Filamentodetungstenodeunfocoincandescenteest
formadoporunalambreextremadamentefino,muchomsque
eldeuncablecualquiera.Porejemplo,enunalmparade60
watt,elfilamentopuedellegaramediralrededorde2metros
delongitudydegruesosolamente3x103=0,003mm.Para
que la longitud total del filamento ocupe el menor espacio
posible,elalambresereducepormediodeundobleenrollado.
Elfilamentodetungstenopresentaunproblemayesqueel
metalseevaporaalalcanzartemperaturastanaltascomola
queproducelaincandescencia.Eneseestado,algunostomos
detungstenoseexcitantanviolentamentequesaltanalvaco
dentrodelabombillaysedepositanenlaparedinternadel
cristal,ennegreciendoyvolvindoloopacoamedidaquems
se utiliza la lmpara.
Debidoalpropioprocesodeevaporacin,elfilamentode
tungstenosevadesintegrandoconlashorasdeusoylavida
tildelalmparasereduce.Cuandoeseprocesollegaasu
lmite,elfilamentoseparteporelpuntomsdbilydejade
alumbrar. Decimos entonces que la lampara se ha fundido.
C. Enumerar las resistencias
semiconductoras y sus aplicaciones en
electrnica/electricidad.
Termistor
Los termistores son sensores de temperatura resistivos
donde la el elemento sensor cambia su resistencia de acuerdo
con las variaciones de temperatura. La desventaja principal es
que no son lineales, lo que dificulta la adquisicin de datos y
son complicados de calibrar.
Termistor NTC. Aumenta la temperatura y disminuye la
resistencia, termistor de coeficiente negativo.
Termistor PTC. Cuando aumenta la temperatura tambin
aumenta la resistencia, termistor de coeficiente positivo.
A. Hacer una introduccin terica del fundamento
de conduccin de los semiconductores.
Los primeros semiconductores utilizados para fines
tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados
a principios del siglo 20 en los primitivos
radiorreceptores, que se conocan como de galena.
Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea
piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la
funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar
las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena
moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la
superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible
seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca
calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio
encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios
Bell, descubri que si a ciertos cristales se le aada una
pequea cantidad de impurezas su conductividad
elctrica variaba cuando el material se expona a una
fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo
de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente,
en 1947 William Shockley, investigador tambin de los
Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden,
desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de
germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se
convertira en la base del desarrollo de la electrnica
moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio
(Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen
elementos que poseen caractersticas intermedias entre
los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se
consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo
determinadas condiciones esos mismos elementos
permiten la circulacin de la corriente elctrica en un
sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad
se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar
seales de radio, amplificar seales de corriente
elctrica, funcionar como interruptores o compuertas
utilizadas en electrnica digital, etc.
Fig4. Conduccin en un semiconductor
Los tomos de los elementos semiconductores pueden
poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima
rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que
pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados
por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el
germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en
Fig5. Variacin de resistencia en un termistor
Aplicaciones de los termistores:
Termostatos de estufas, aire acondicionado, etc.
Detectores de alarmas contra incendios.
Compensacin del valor hmico ce circuitos al variar la
temperatura.
LDR
Es una resistencia dependiente de la luz o tambin
fotoclula, es una resistencia que vara su resistencia en
funcin de la luz que incide sobre su superficie.
Fig.6 Variacin resistencia vs Intensidad de Luz
Aplicaciones
Se emplean en iluminacin, apagado y encendido de
alumbrado (interruptores crepusculares), en alarmas, en
cmaras fotogrficas, en medidores de luz. Las de la gama
infrarroja en control de mquinas y procesos de conteo y
deteccin de objetos.
D. Dibujar las curvas de cada elemento y explicar
la dependencia. Utilizar el eje horizontal con el
voltaje del foco para todos los casos y poder
comparar las variaciones con la tensin,
proporcional a la temperatura y a la luz.
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Para el foco de filamento:

Fig 7. Circuito para el foco de filamento

Fig.10 Curva termistor NTC
Variando la tensin de la fuente se obtienen los datos de la
Fig. 1. Vf es proporcional a la temperatura.
Para el LDR:

Fig.11 Circuito LDR

Variando la tensin de la fuente se obtienen los datos de la

Fig.8 Curva de foco Filamento Fig. 3

Para el termistor NTC:

Fig.9 Circuito termistor NTC Fig.12 Curva termistor LDR

Variando la tensin de la fuente se obtienen los datos de la E. Dar algunas apreciaciones y conclusiones de la
Fig. 2. RT disminuye a medida que aumenta VT. experiencia realizada.

1) Fue necesario cerrar las cortinas del ambiente para que la

luz solar no interfiriera demasiado en la seal captada por el
LDR.
2) Es preferible medir antes de realizar la experiencia la
tensin de la fuente sin conectarla al circuito para no incluir la
cada de tensin debida a este.

3) Al montar el circuito con el termistor NTC se aprovech
el calor emitido por el foco, debido al efecto Joule, para ser
usado como parmetro por el primero, ya que a la temperatura
ambiente la dependencia de la temperatura es una de las ms
notables.
4) Es recomendable tambin medir las resistencias antes de
ser usadas para no incluir las pequeas variaciones
presentadas durante el funcionamiento del circuito.
F. Investigar sobre circuitos integrados MOC y
Optoelectrnicos.
Un MOC es un optoacoplador. Dentro de su encapsulado
tiene un led infrarrojo y un fototransistor, la finalidad de esto
es aislar el circuito de control de el de carga.
Un optoacoplador u optoaislador o dispositivo de
acoplamiento ptico, basa su funcionamiento en el empleo de
un haz de radiacin luminosa para pasar seales de un circuito
a otro sin conexin elctrica. Estos son muy tiles cuando se
utilizan por ejemplo, Microcontroladores PICs si queremos
proteger nuestro microcontrolador este dispositivo es una
buena opcin. En general pueden sustituir los rels ya que
tienen una velocidad de conmutacin mayor, as como, la
ausencia de rebotes.
Fig.12 Integrado MOC
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Ahora hablaremos de los dispositivos optoelectrnicos, que
son aquellos que trabajan conjuntamente con seales
electrnicas y pticas. Ms concretamente son capaces de
transformar seales electrnicas en pticas o viceversa. Como
ejemplo tenemos la lmpara incandescente, ms comnmente
conocida como bombillo o tambin un fluorescente, ambos
transforman una seal elctrica o electrnica en luz, es decir,
transforman electrones en fotones. En el otro lado tenemos,
por ejemplo, una clula solar que hace la funcin contraria
transforma fotones en electrones. El rango de energas
interesante desde el punto de vista de los dispositivos
optoelectrnicos va a estar entre el infrarrojo medio y el
ultravioleta cercano, casualmente de todo el rango de
frecuencias, longitudes de onda y energas hemos ido a
quedarnos con los alrededores del visible.
G. Indique sus observaciones y
conclusiones
1)Las resistencias semiconductoras no siguen un
comportamiento lineal como las resistencias comunes, sino
que tienen un compotamiento exponencial. Tales resistencias
como el NTC, PTC Y LDR; que dependen de ciertos
parmetros como temperatura o intensidad luminosa.
2)Para poder lograr ver grandes efectos de variacin de las
resistencias semiconductoras se tiene que experimentar un
gran cambio en la variable que depende la resistencia de tal;
de otra forma la variacin de su resistencia ser
mnima.Debido a la poca variacin de los parmetros; en la
experiencia del laboratorio no se pudo apreciar cambios
relativamente altos como para ser visualizados correctamente.
3)Estas resistencias semiconductoras (NTC, PTC, LDR)
pueden ser utlizadas como sensores en las distintas
aplicaciones de la electrnica. Hoy podemos verlas en accin
en proyectos de domtica, drones, entre otros.
REFERENCIAS
[1] Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky, Electroni devices and circuit
theory, 10th edition.
[2] Circuitos y dispositivos electrnicos: Fundamento de electrnica, Llus
Prat Vias, pg. 355
[3] Fuente del navegador
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap08.htm
[4] Navegador http://moc3021.blogspot.pe/