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UNIVERSIDAD NACIONAL
MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERA
ELECTRNICA Y ELCTRICA
INFORME PREVIO N 2
configuracin darlington
Fecha: 05 - 05 - 2017
Datos Personales
Cdigo: 14190071
Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica
Configuracin Darlington
Introduccin
locon
picoque
diagrama
un
del se
diferentes
comportamiento
y ellas
proporciona
amplificador
circuito pretende
voltajes
para
calcular
asignado pico
en conocer
amplificador. Se
de la las
en la
En electrnica, el transistor Darlington o AMP es un dispositivo
semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tndem
(a veces llamado par Darlington) en un nico dispositivo.
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de
proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo
integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la
misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto
de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico
tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un
mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico
transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable.
La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas
tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.
La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de
los transistores individuales. La intensidad del colector se halla
multiplicando la intensidad de la base por la beta total.
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Configuracin Darlington
Objetivos
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Marco terico
Materiales y equipos
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01 fuente de poder
01 protoboard
01 condensadores Ci=100uf
02 condensadores CE=22uf
01 alicate de punta
01 osciloscopio
01 generador de audio
02 Sondas de osciloscopio
02 R=12k
01 R=100k
01 R=1k
01 R=7.5k
01 R=1.5k
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Control de selenoides.
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R1 7.5K
R2 12K
R3 100K
Re 1.5k
Ci1= Ci3 22F
Ci2 100F
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Configuracin Darlington
ANALISIS EN CC
1=2=75
Circuito equivalente
7.5 K .12 K
Rbb=( R 1 R 2 ) + R 3= +100 K=104.6 K
7.5 K +12 K
Vcc . R2 15 V .12 K
Vbb= = =9.23 V
R 1+ R 2 7.5 K +12 K
IC 1
Vbb=Rbb . +2. Vce 1+ . Ie 2 PERO Ie1=Ic2
1
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Vbb2.Vce 1
I1 Ic 2= =5.94 mA
Vbb=Rbb . +2. Vce 1+ . Ic 2 ENTONCES Rbb
1 +
1. 2
Ic 2 5.94 mA
Ic1= = =0.792
2 75
Vcc=Vce 1+ Vbe 2+ Ie 2. LUEGO DESPEJAMOS Vce1
ANALISIS EN AC
SE TIENE QUE
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Ie 1 Ic 1+ Ib 1=Ib 1+ Ib 1 ( +1 ) Ib 1
Ie 1 Ic 1 Ib 1.
Ie 2 Ic 2 Ib 2.
26 mV 26 mV
1= = .
Ic1 Ic 2
1=Re 2=375
2=4.99
I 3. R 3=Ib 1. 1
I 3. R 3=Ib 1. Re 1. + Ib 2. 2.
I 3. R 3=2. Ib 1. . . 2
2. Ib 1. . . 2
I 3=
R3
HALLANDO Ii=if
if =I 3+ Ib 1
2. Ib 1. . . 2
if = + Ib 1
R3
2. Ib 1. . . 2
if =Ib 1.( + 1)
R3
2. 2 1
if =Ib 1. . ( + )
R3 .
2. Ib 1. . . 2
I 3+ Ic 2= + .2 Ib 2
R3
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2. Ib 1. . . 2
I 3+ Ic 2= + . . Ib 1
R3
2. 2
I 3+ Ic 2= . . Ib 1.( +1)
R3
Vg=if . Rf + Ib 1. 1 + Ib 2 2 + ( I 3+ Ic 2 ) .( R 2 R 1 Rl )
Vg=if . Rf + Ib 1. 2. . + Ib 1 2 + ( I 3+ Ic 2 ) .( R 2 R 1 Rl )
Ib 1. ( 22 1
+
R3 . ) (
. Rf +2. 2. . + . . Ib 1
2. 2
(R3 ))
+1 .(R 2 R 1 Rl)
Vg=
5. Medir
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V0 ( R 2+ R 1+ )
Av= =
Vg
. . Ib 1 ( 2R23 +1) .( R 2 R 1 RL )
I0 Rl .(R 2+ R 1+ )
Av = =
If 2. 2 1
Ib 1. . ( + )
R3 .
Hallando io
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( I 3+ Ic2 ) . ( R 2 R 1 )
Io=
( R 2+ R 1+ + Rl)
Io=
. . Ib 1 ( 2R23 + 1) . ( R 2 R 1 RL )
Rl .(R 2+ R 1+ )
Io=
. . Ib 1 ( 2R23 + 1) . ( R 2 R 1 RL )
Rl .(R 2+ R 1+ )
Vo=Io . Rl
Vo=
. . Ib 1 ( 2R23 +1) .( R 2 R 1 RL ) . Rl
Rl .(R 2+ R1+ )
Vo=
. . Ib 1 ( 2R23 +1) .( R 2 R 1 RL )
(R 2+ R 1+ )
Vo
Zo=
Io
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Simulaciones
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Conclusiones
Bibliografa
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Configuracin Darlington
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlington
https://www.youtube.com/results?
search_query=problemas+resueltos+con+darlington
http://www.monografias.com/trabajos82/configuracion-
darlington/configuracion-darlington2.shtml
http://roble.cnice.mecd.es/~jsaa0039/cucabot/darlington-intro.html
http://www.dialelec.com/112.html
http://www.pwrx.com/pages/poductos/diamond.html
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