Universidad Politcnica Salesiana. Inca Juan Amplificador de pequea seal JFET.

Amplificador de pequea seal JFET

Inca, Juan.
juan@inca.ec; jc.inca@hotmail.com; jinca@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana

El estudiante debe tener los conocimientos bsicos

Resumen: La presente prctica plantea que con el necesarios, as como los materiales (Grfico 3) para
objetivo principal de qu el estudiante se familiarice de una
realizarlo.
manera prctica con los equipos, instrumentacin y temas de
estudio (Amplificador de pequea seal JFET) vistos en la
materia de Electrnica analgica; se realice un pre laboratorio
y laboratorio; con los objetivos especficos de medir la
polarizacin del amplificador de pequea seal con JFET; as
como de observar y analizar las formas de onda en el
osciloscopio para dicho componente.

INTRODUCCIN
LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) 1
llamados as por cuanto durante su funcionamiento
la seal de entrada del transistor crea un campo Grfico 2: Circuito visto dese arriba
elctrico que controla el paso de la corriente.
Schockley en el ao de 1952 propuso los
TRANSISTORES DE EFECTO DE UNION
(JFET)2; cuyo funcionamiento consisten en
controlar el paso de la corriente por el campo
aplicado a la puerta, que est formada por una o
varias uniones p-n polarizadas al inverso.

ACTIVIDADES EN EL LABORATORIO
1. Construya el circuito de la prctica.

Grfico 3: Materiales para armar circuito requerido

El circuito original presentaba un transistor BFR30,

Grfico 1: Vista del circuito armado en proto board
El en Grfico 1 y Grfico 2 se puede observar el
correcto ensamblado del circuito planteado.
1
FET Field Effect Transistor
2
JFET Junction Field Effect Transistor
pero debido a la escases del mismo se opt por un
2N3819, como se muestra en el Grfico 3; que es
un transistor de caractersticas similares.
En el presente circuito se utiliza cuatro resistencias
que como se muestra en la imagen anterior son de
diferente rango de potencia; se recomienda que las
resistencias sean mnimo de 1 vatio de potencia ya
que se pueden calentar y como sabemos en un
circuito la emisin de calor es perdida de energa y
las respuestas, mediciones y/o graficas obtenidas
pueden variar de la realidad.
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medir el voltaje de polarizacin, entre VCC y

tierra; el voltaje en la Resistencia de compuerta
R3, el voltaje en drenaje-source; el voltaje
drenaje, el voltaje en source.

Grfico 4: Simulacin del circuito en Proteus. Tabla 2: Tabla de Valores Obtenidos

2. Mida con el multmetro los valores de todas las 4. Conecte el Canal 1 (CH1) del osciloscopio para
resistencias, tenga la precaucin de mantener medir voltaje de la seal de entrada V1 punto 1.
apagado la fuente de alimentacin y el
generador de seales.

Canal 1 (CH1)

Tabla 1: Valor real y medido de las resistencias.

De la medicin de valores de las resistencias (Tabla Grfico 5: Conexin punto 1

1), se puede observar en la mayora de los casos un
rango de error menor al 1% y en el mayor de los En el se puede observar conectado el Canal A del
casos del 1%; por lo tanto se deduce que el error en osciloscopio virtual, color amarillo, esto nos
general por las resistencias, no alterar de manera ayudara para distinguir y discernir de mejor forma
significativa el resultado de la presenta prctica y las ondas en la grfica posterior cuando se presente
que el rango de error presente en las mismas est las tres ondas juntas.
dentro del rango (5%) que establece el fabricante.
Se puede acotar tambin que dicho error se 5. Conecte el canal 2 (CH2) del osciloscopio y
presenta por diversos factores entre los cuales se observe la forma de onda en el drenaje punto 2
puede mencionar:
Canal 2 (CH2)
Resistencia ganada por estar conectada a
un elemento resistivo (proto board).
Compuesto del material.
Calentamiento de las resistencias y/o dems
componentes del circuito.
Multmetro.

3. Encienda la fuente de alimentacin y proceda a

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Grfico 6: Conexin punto 2
En el Grfico 6 se observa conectado el canal B
del osciloscopio virtual, color azul.
6. Conecte el canal 2 (CH2) del osciloscopio y
observe la forma de onda en la resistencia de
carga punto 3
Canal 2 (CH2)
Grfico 7: Conexin punto 3
En el Grfico 7 se observa conectado el canal c
del osciloscopio virtual, color azul.
ANALISIS.
Para el anlisis del amplificador de pequea seal
JFET, se presenta las grficas de onda resultante de
la presente prctica de laboratorio.
Grfico 8: Conexin Punto1 Punto2
3
Grfico 9 Conexin Punto1 Punto3
En este tipo de CONFIGURACIN EN COMPUERTA
COMN la seal que se obtiene se desfasa 180 grados como
se puede observar en el grfico6 y grafico 7.; esto debido al
transistor JFET tipo n que se emplea en el circuito.
Los resultados que se observan al lado derecho de las grficas
son el resultado de que el amplificar JFET tiene una
impedancia de entrada muy elevada a comparacin con un
transistor BJT.
A pesar de que el MOSFET tiene varias ventajas sobre el
transistor de efecto de campo (JFET), por ejemplo, la
Resistencia de entrada del MOSFET es notablemente ms alta
que la del JFET.
El JFET sigue siendo empleado especialmente en aplicaciones
analgicas, es por eso que el material de estudio del tema de
esta prctica es relativamente escaso. El modelo para seal
pequea del JFET se obtiene siguiendo los mismos
procedimientos utilizados para el MOSFET.
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Se puede concluir que el circuito se presenta en una
configuracin en compuerta comn, qu existen varias
configuraciones o arreglos ms para el estudio de amplificador
de pequea seal; a ttulo personal de mayor facilidad y
entendimiento para el estudiante.
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Debido a que la ganancia de un JEFT es menor se puede

observar distorsin.

Se ratifica que la seal de salida (CH2) para el Grfico 6 y 7

siempre se desfasan 180 grados.

El transistor que se present en el diagrama para el circuito

es escaso lo cual se puede solucionar fcilmente con un
transistor de caractersticas similares tipo JFET canal n.

Es primordial para la prctica realizar la correcta conexin

del circuito ya que de esto depende la correcta visualizacin
de las seales de onda, as como tener precaucin con el
manejo de los cables de osciloscopio que son los que nos
muestran las seales resultantes.

BIBLIOGRAFIA

[1] R. L. Boylestad, TEORIA DE CIRCUITOS Y

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, Dcima Edicin ed.,
Mxico: PEARSON, 2009.
[2] C. J. S. Jr, DISEO ELECTRONICO Circuitos y Sistemas,
Tercera Edicin ed., Mxico: Pearson Educacin, 2000, pp.
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