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ANALGICA
MOS~~T
Os HT do canal isolador so mais prticos f vfrstfis do qUf os df unio
possvel realizar um transistor de efeito de cam-
po (FET: Field Effet Transistor) tambm sem a unio
porta-canal caracterstica dos JFET.
Substrato o
Pode ser obtido isolando a porta do canal com um
leve estrato de bixido de silcio, um material de
grande resistncia.
1\
Drenagem
A figura mostra o smbolo genrico de um MOSFET,
no qual est indicado claramente o isolamento entre
Porta G B a porta e o canal: at mesmo no desenho no se to-
cam.
~ Para canal
~ n S
Existe ainda um quarto terminal, o do substrato (B,
body: corpo) no qual o dispositivo foi realizado: este
forma uma unio com o canal.
G B
Nas aplicaes normais est freqentemente ligado
origem, mas este fato muitas vezes nem sequer
~ Para canal
~ p S
est indicado; em alguns casos no se pode sequer
aceder a ele atravs de um contato, pelo menos
~ 22(((((" 2H"222H
neste tipo de MOSFET.
Alguns dos smbolos utilizados para os MOSFET de canal e
de canal p; direita est a verso que indica a ligao com
o substrato (8).
Devido ao fato de a porta estar isolada, a corrente requerida pelo MOSFET
neste terminal quase nula: nem sequer existe uma corrente mnima de
perda da unio dos JFET.
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ANALGICA
Vazamfnto f dfSfnvolvimfnto
Ixistfm dois tipos df MOSUT: um rfduI a corrfntf no canal f o outro aumfnta-a
Consideremos o JFET e o MOSFET j mostrados nu-
ma figura anterior, ambos do canal N: nos dois casos,
se aplicarmos uma tenso negativa porta, o canal
fica obstrudo e a corrente reduz-se.
-v~ +vA
No entanto, com o MOSFET pode-se aplicar uma ten- Si~ N~
+v~
A diferena que
este que est vedado aos JFET. existe entre o JFET
-V~ e o MOSFET que
Enquanto o JFET poderia fazer passar corrente pela este ltimo pode
unio da porta, o MOSFET no faz mais do que aplicar tenses
Sim~ Sim~
das duas polaridades
aumentar a corrente no canal: a porta mantm-se
na porta.
isolada.
o comportamento dos JFET e do tipo do MOSFET j necessrio aplicar tenso porta com polaridade
descrito chama-se vazamento: normalmente pelo ca- direta.
nal passa corrente, se
aplicarmos tenso inversa A figura mostra o smbolo usado para indicar explici-
D
porta, esta reduz-se. tamente um MOSFET deste tipo, de canal N: o canal
interrompe-se para demonstrar que, na ausncia da
Tambm existem MOS- G ~-8 tenso na porta, este permanece aberto.
FET do tipo desenvolvi- ~strato)
mento, pelos quais nor-
malmente no passa cor- S Nos MOSFET do tipo desenvolvimento, no passa corrente pelo
rente; para que passe canal se no se proporcionar tenso na porta.
SOMENTE UM DISPOSITIVO
Os MOSFET dos dois tipos so distintos, mas o com- com O V da porta, como nos JFET, e um comporta-
portamento similar, como se pode ver no grfico mento do tipo vazamento (prefere-se o termo pinch-
que aparece na figura, que mostra a corrente no canal oft ou cutoft para a tenso do limiar).
quando varia a tenso da porta.
Corrente
Os dois MOSFET diferem pela tenso do descarga-origem
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-----------------------------------------------------------------------------~-----,
MOS~(T de potinda
(m muitas aplica~fSr fStfS dispositivos OftrfCfm intfrfssantn vantaCJfns
rflativamfntf aos transisteres BJT
CAPACIDADE DA PORTA
Como acontece com os MOSFET nem sequer Carregar esta capacidade requer corrente
necessitam corrente da porta (se a tenso da e tempo: durante este tempo o canal par-
porta no variar), pareceriam comportar-se cialmente condutor, nos seus extremos
como interruptores perfeitos e quase privados existe tenso e no seu interior circula cor-
de dissipao. rente: o MOSFET dissipa potncia.
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ANALGICA
(MOS
A utiliIa~o de MOSnT complementares tem permitido a realiIa~o dos modernos integrados digitais
A figura mostra duas verses do clssico interruptor
+Vcc +Vcc de MOSFET do tipo aumento do canal N, comparvel
com um transistor NPN (ver a lio 10).
In0------.,1--111--'
o segundo interruptor perfeitamente simtrico: uti-
..----- J Out liza um MOSFET de canal P e tem a origem ligada
Out (junto ao substrato) alimentao positiva, em vez de
In o-........jl--ll ligado massa.
INTERRUPTORES COMPLEMENTARES
~
Os inversores de MOSFET complementar ou CMOS +vcc
(complementary MOS), so utilizados para realizar gran- Resistncia que
de parte dos circuitos integrados digitais, das simples / limita a corrente
portas lgicas aos complicados microprocessadores.
Perno de Para o
entrada circuito
So compactos, rpidos, facilmente integrveis em
quantidade, no necessitando de componentes passi-
vos e tendo uma dissipao bastante limitada (pratica-
mente nula, na ausncia de ligaes). Diodo
distribudo ao longo
do resistor
Necessitam, no entanto, nos contatos de entrada e de
sada de protees adequadas contra as cargas elec-
trostticas, como por exemplo as que se mostram na Protees tpicas anti-estticas da srie 74HC; diodos e
resistores so realizados com o mesmo silcio.
figura.
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~ ~L-_________________________________________ -------------------------------------- -----
DIGITAL
ROM f PROM
o contedo de alguns tipos de memria programado apenas uma vez e no pode ser modificado
Existem diferentes variantes de ROM ou memria
s de leitura (ver a lio 20) que diferem em fun-
o da tcnica utilizada para guardar os dados.
PROM DE FusVEIS
fusvel
Para programar ou "escrever" uma PROM (deste ou de
outro tipo) parte-se do contedo desejado; uma se-
qncia de dados, cada um dos quais ocupar uma
clula da memria.
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DIGITAL
~PROM f afins ~
As PROM qUl' f possVl'l apagar podl'm ser reutilhada
As PROM de fusveis tm, para alm da sua baixa densidade e do custo
relativamente elevado, o defeito de no serem reprogramveis: no
possvel recuperar as ligaes que esto queimadas.
EPROM: uma tenso elevada que empurra os eltrons para alm de uma barreira, da
qual no tm bastante energia para fugir.
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Dfntrodf uma ~PRON
As memrias reprogramveis podem ser realizadas se utilizarmos um MOSnT r
como acontece com muitos outros integrados digitais
Nas EPROM e E2PROM, cada bit armazenado por da carga na porta contro-
um transistor MOSFET de um tipo especial, dotado de la a corrente que passa
uma porta adicional totalmente isolada (ver figura). pelo canal que, portanto,
ser distinta conforme a
No interior destas portas intercala-se a carga eltri- presena ou ausncia
ca, aplicando tenso suficiente para a fazer superar o da carga intercalada.
isolador sem o danificar (aproveitam-se fenmenos
Segunda porta Vrias ROM programveis
fsicos bastante complexos). isolada utilizam um MOSFETde porta
dupl, um deles isolado do
Como acontece com todos os MOSFET, a presena resto do circuito.
~
Em qualquer tipo de memria necessrio selecionar
a clula desejada aplicando entrada o endereo
-
I O
Descodificao das colunas
1 2 3 4 5 6 7
I
correspondente da prpria clula.
O
11 eu 3
'O
o
o- o
Deste modo possvel utilizar decodificadores mais ~
a.>
leu
o-
eu
4
'O <.>
pequenos (no exemplo, dois de 3 bits no lugar de um c
UJ
<;::: 5
15
de 6) e minimizar o nmero de ligaes internas, para o
o 6 Clula
<J)
~
alm do comprimento relativo, to importante para a
velocidade.
o
a.>
7 -, :.; selecionada
As memrias so dispositivos digitais, mas no seu in- Deste modo, os sinais so alterados ao longo do per-
terior realmente so analgicas: por exemplo, os si- curso, como se tivessem atravessado filtros: o trabalho
nais lidos pelas clulas so muito fracos e so amplifi- dos projetistas de memrias, especialmente se so de
cados. grandes dimenses, no nada fcil.
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DIGITAL
1
endereo, o
Se associarmos um nmero para cada letra, como
acontece com o cdigo ASCII (A = 65, B = 66, etc.),
possvel tambm pr na ROM textos, por exemplo (Janeiro)
1
O
compartimento
selecionado
contm o seu
nmero de dias.
Salvat-Jackson Libri.
A----'
ROM de 8 compartimentos
Cada circuito combinatrio pode ser realizado com uma de i bit cada um
ROM que tenha suficientes entradas e sadas.
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COMPONENTES
LIMITES MXIMOS
A figura mostra os valores que no devem ser supe- Embora o dispositivo seja para 20 A mximos (lp),
rados para evitar danificaes; alguns deles, como a pode suportar durante alguns momentos at 80 A
tenso entre a drenagem e a fonte (Vos) a corrente (10M) de maneira que a durao no seja de tal forma
(Ip) ou a potncia (Ptot) so similares aos dos BJT. que aquea a unio para alm do seu limite (Tj).
tenso entre a porta e a fonte (V GS) que pode ser VOS Voltagem de drenagem-fonte (Vpo = O) 50 V
tanto positiva como negativa, no existindo VDR Voltagem de drenagem-porta (Rpo = 20 KQ 50 V
nenhuma unio com a excepo dos JFET. VGS Voltagem de porta-fonte +20 V
10 Corrente de drenagem (contnua) a Te=25 C 20 A
10M Corrente de drenagem (pulsada) 80 A
Ptot Dissipao total a Te = 25C 80 W
Valores mximos absolutos que podem ser tolerados pelo
Tstg Temperatura de armazenagem -65 to 175 C
BUZ10, dados essenciais que devem ser observados com
ateno em qualquer projeto. Tj Temperatura de unio operacional mxima 175 C
Dos dados informados na tabela v-se, por exem- muito importante a tenso do limiar VPO(um)
plo, que existe uma determinada corrente de perda alcanada. O MOSFET, quando se trata de um au-
com o interruptor aberto 1000 que depende bastante mento, comea a conduzir.
da temperatura.
Na conduo plena, a resistncia do
Smbolo Parmetro Condies do teste Min. Tip. Mx. Ud
canal ROS(on) de apenas 0,07 Q, neces-
IDss Corrente de drenagem VDO = Valor Mx. 1 /lA
da voltagem da porta VDO = Valor Mx. 10
sitando-se, no entanto, de 10 V na porta
/lA
zero (VOO= O) Tj = 125C para alcanar esta situao.
IGss Corrente de perda do VDO = 20 V 100 nA
corpo da porta (VOO= O)
VGS(th) Voltagem do limiar da porta VDO = Vpo ID = 1 mA 2.1 3 4 V Dados importantes na utilizao do MOSFETpara
o controle de cargas onjoff, ou seja,
RDs(on) Resistncia ligada da Vpo = 10V ID = 13 A 0.06 0.07 Q
drenagem-origem esttica ligadasj desligadas.
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COMPONENTES
Dados dinmicos
Quando o (anal do MOSHT no est totalmente na (ondu~o ou totalmente interrompido,
existem outros dados a serem (onsiderados
Cada uma das curvas da figura indica a corrente do
canal conforme a variao entre a drenagem e a fonte, ~VGS=10V
- -9V
para uma certa tenso da porta: acima de um determi- 8V
nado valor de Vos' a corrente quase constante.
TEMPOS DE COMUTAO
Um interruptor aberto no dissipa potncia porque no Deve-se observar, em particular, o tempo de atraso na
existe corrente, e um que est fechado no a dissipa abertura td(off): as capacidades internas devem ser
porque no existe tenso: somente nas etapas inter- descarregadas antes do canal poder deixar de con-
mdiarias esto ambas presentes. duzir.
Um MOSFET de potncia deve, portanto, co- Smliolo Parmetro Condies do teste Min. Tip. Mx. Unids
mutar rapidamente: na figura ficam indicados Td(on) Tempo de estar ligado VDD = 30 V ID = 3 A 45 65 nseg
os tempos do BUZ10 quando esto nas melho- 65 95 nseg
T, Tempo de subida RGS = 50 Q VGS= 10 V
res condies.
Td(off) Tempo de atraso no desligado 115 160 nseg
Tempos de comutao: o tempo de subida o do
encerramento e o de descida o da abertura. r, Tempo de descida 80 120 nseg
CAPACIDADE E CARGA
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Dados da (PROM
Vejamos a folha de dados de uma lPROM tpica, que poder ser apagada
com os ultravioletas e programvel eletricamente
A 27C2001 uma EPROM de 2 megabits, r -1
Vcc Vpp
organizada como 256K x 8, ou seja, 256K
compartimentos de 8 bits (um byte) cada
uma. Normalmente diz-se que de 256 18 8
Kbytes. AO-A17~ ;t::>QO-Q7
~
importante numa EPROM o tempo necessrio para desligado das sadas (tDF): se vrias EPROM estive-
ler o contedo de um compartimento (aqui um byte); rem ligadas ao mesmo barramento, as sadas devem
a figura mostra que a 27C2001 est disponvel em ser desligadas antes de se ativarem as outras sadas.
verses com diferente velocidade. M27C2001
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COMPONENTES
ProCJrama~o da (PROM
Os procedimentos de programa~o do contedo diferem de uma marca para a outra
Depois de apagada a EPROM com os raios ul-
travioletas, para que seja possvel escrever da-
Vlido
dos novos o dispositivo programador deve apli-
car uma seqncia exata de sinais, para tempos
QO-Q7 Sada de dados
definidos pelo construtor (ver figura).
Vpp
Normalmente necessria uma tenso relati-
tGLQV tGHQZ
vamente elevada, por exemplo de 12 V, embora
Vcc
alguns chips sejam capazes de produzir inter-
~---'+-tGHAX
namente partindo dos 5 V (ou menos) de ali-
mentao. Depois da programao efetua-se
sempre uma verificao para se ter a certeza
de que cada bit se encontra armazenado de
forma correta: deste fato encarrega-se, natural-
mente, o programador.
FORMAS DE FUNCIONAMENTO
A figura mostra as possveis formas em que se pode Modo E G P A9 Vpp QO-Q7
encontrar o 27C2001, em funo do estado das Leitura VIL VIL X X Vcc o VSS Sada de
dados
linhas de controle: no caso de que, tanto o E como o Inabilitao da sada VIL VIH X X Vcc o Vss Z Alta
G, estejam baixos (VIL' ou seja, L), est em leitura. Entrada de
Programao VIL VIH VIL Pulso X Vpp
dados
Verificao VIH X Vpp Sada de
interessante o estado da leitura da assinatura VIL VIL dados
eletrnica que permite ao programador reconhecer Inibio do programa VIH X X X Vpp Z Alta
o dispositivo que foi inserido na sua base. Baixo consumo VIH X X X Vcc o Vss Z Alta
Assinatura eletrnica VIL VIL VIH VID Vcc Cdigos
Este fato requer a aplicao de 12 V sobre A9 e per-
mite ler os bites (em funo do valor AO) que identi-
ficam, respectivamente, o construtor e o modelo. Formas de funcionamento do 27C2001: por exemplo, se o E
est alto, o chip entra em modo de baixo consumo.
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APLICAES
MICROPROCESSADOR E PROGRAMA
o centro de controle da injeo um microcomputa- As instrues do programa so escritas numa me-
dor tpico, no qual um microprocessador (CPU) mria ROM: algumas vezes numa EPROM, e fre-
executa as instrues de um programa: descrevem o qentemente numa EEPROM ou flash,que se pode
que se pode fazer em cada situao possvel. programar novamente para permitir atualizaes
sem substituir nenhum fragmento.
Este fato permite evitar o projeto de
um circuito lgico (hardware) comple-
xo e custoso, substituindo este por
um programa (software); o tema
tratado no curso de Digital.
Entradas
e sadas Para o
automvel
o programa do centro de controle,
que diz (S/E)
como se devem comportar, est armazenado
de fbrica numa memria especial.
2
85
APLICAES
APRENDIZAGEM E MEMRIA
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FERRAMENTAS
Limitfs do osciloscpio
Toda a ferramenta tem as suas limita~es; portanto, iimportan (onh Cf-
para que possam ser bem utlljil'lZIClH--;;--
As ferramentas so sempre teis, mas devem ser consi-
deradas pelo que so: ajudas. Em nenhum caso devem
substituir o bom senso. o
SLJ --. j\J Pelo mesmo motivo, uma frente da onda arredon-
~ --. ~
dada, ao passo que um impulso breve pode ser alar-
gado e enfraquecer, ou mesmo desaparecer total-
mente.
SINAL E INTERFERNCIA
Freqentemente, a sonda do osciloscpio capta (por
via capacitada ou indutiva) interferncias produzidas
por circuitos muito prximos, especialmente se a pina
da massa for ligada longe do ponto na qual medida.
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FERRAMENTAS
Artffatos
(m determinadas condi~es podem aparecer na tela acontecimentos que no existem no circuito
Quando a base de tempos rpida, os diferentes tra- interrupes horizontais ou ondas quadradas que no
os so desenhados alternativamente: em cada pas- tm nada que ver com o circuito que se est medindo.
sagem desenhado apenas um: este o modo alterno.
OSCILAO AMORTECIDA
No so somente os sinais digitais que empregam um
certo tempo para mudar de estado (ver lio 8 de
Digital), mas tambm porque tendem a ter uma breve
oscilao amortecida logo a seguir a cada transio.
OCORRNCIAS INViSVEIS
Trigger Trigger
Pelo contrrio, podem nem sequer aparecer na tela
ocorrncias que se vrificam no circuito, mesmo aque-
las que tm uma determinada importncia, especial-
mente se difcil utiliz-Ias para fazer saltar o sincro- ~
O perodo
nismo.
com a interferncia
<:
permanece fora
Um exemplo aparece na figura: se a ocorrncia se "-~-', da tela
/' I \
I \ I
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PROJETOS
Tfrmostato df 12 V
Um dispositivo para regular automaticamente a temperatura
As preocupaes por efeito do ar forte das serras, da altitude, da neve ou
de outras mudanas climticas, so devidas ao fato de bastarem poucos
graus a mais ou a menos para mudar radicalmente a vida na terra.
~
A palavra termostato indica um ambiente no qual a
temperatura (termo) se mantm constante e, portanto,
no regime esttico (stato), mas o termo utilizado com
freqncia para referir-se ao dispositivo de controle.
APLICAES
~_ ~22
85
PROJETOS
Montagfm do drculte
Todos os componentes, com a excepo da sonda tr- o integrado IC1 (para o qual se pode utilizar um so-
mica, o potencimetro para a configurao e a fonte de quete) pode estragar-se irremediavelmente se a mon-
energia de 9 a 12 Vcc. encontram o seu lugar na tagem estiver ao contrrio.
pequena placa que se pode ver na figura.
- +
Disposio dos componentes na placa do circuito 9/14 V
impresso do termos tato eletrnico.
86
Para verificar o funcionamento do termostato sufi-
ciente aplicar a alimentao e rodar lentamente o
comando de controle de um extremo para o outro do Ventilador
percurso. de 12 V
o dispositivopode ser montado numa pequena caixa se montar internamente a campainha, fazendo uns
ou encapsulamento de plstico, no sendo necess- orifcios para que possa passar o som.
ria nenhuma proteo especial ( parte, como j indi-
camos, sobre o fio do sensor).
HISTERESE
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PROJETOS
Fun(ionam,nto do circulte
o termistor (sonda) forma um divisor com o resistor gunda, a sada est alta: o Q1 conduz e o rel salta.
R1, produzindo nos extre-
mos de C3 uma tenso
+12 V0-...---_-----,
mais alta quanto mais ele-
vada a temperatura na +6 V RLl
LOl
qual se encontra. --
01
C4 ,,
Um segundo divisor, forma- Ri R2
do pelos R2 e R3, este lti-
rn
mo em srie com o poten- 1
cimetro RV1, produz uma R4 Ql
R6
tenso de referncia regu-
R7
ladora variando a posio
do prprio potencimetro. R5 R9 NC NA C
R3
+12 V
o IC1 funciona como com-
+9/14 vcco-- .......
- .......
---- ..
parador, ou seja, compara
(12 V)
as duas tenses: se a pri- +
meira que controlada pela RVl +6 V
7
temperatura inferior se-
Esquema eltrico do
termostato eletrnico.
HISTERESE E ESTABILIDADE
A histerese obtida com uma fraca realimentao estabilizado: faz de buffer para a tenso estabilizada
positiva: o R9 faz com que retroceda uma parte da produzida pelo diodo Zener DZ1 .
tenso da sada, deslocando ligeiramente o limiar de
comparao quando se produz uma ligao. Os capacitores C3 e C4 tm a funo de anti-interfe-
rncias: formam filtros passa-baixa que evitam liga-
Para assegurar uma alimentao estvel com os divi- es acidentais; no interferem com as variaes de
sares da entrada, o IC1 B funciona como alimentador temperatura, que so lentas.
LISTA DE COMPONENTES
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