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Prctica #2
Transistores BJT
Docente: Bachilleres:
Ing. Dayana Perez -Jos Contreras
Lab. Electrnica I CI:26.316.074
-Daniel Hernndez
CI:24.528.614
-Mariannella Snchez
CI:26.684.421
-Carlos Barco
CI:26.457.028
E-51
Conclusiones
Con respecto al primer ejercicio, se puede observar un transistor BJT
(transistor de unin bipolar) del tipo npn, que tambin se debe resaltar es Emisor
comn ya que el emisor est conectado a tierra. Para el clculo se colocaron
sondas medidoras de corriente en serie con el circuito y sondas de tensin en
paralelo. Se procedi a colocar la simulacin dc, porque slo tenemos fuentes de
tensin dc, y slo necesitbamos tabular los datos. Una vez simulado el circuito se
obtiene una tabla. Al realizar los clculos de manera terica, se concluye que se
tienen valores aproximados a los proporcionados por el simulador QUCS. A
continuacin se especifica el procedimiento realizado.
Se realiz una malla para calcula Ib
5 v+ ( 10000 )( Ib )+ 0.7 v=0
5 v0,7 v 4,3 v
Ib= = =0,43 mA
10000 10000
Malla Ic
10 v+ 220 ( Ic ) +Vce=0
Ic
=
Ib
Sustituyendo Ic
Vce=10 v220 ( 43 mA ) =10 V 9,46 V =0,54 v
V TH 0,7 v 3,125 v 0 ,7 v
I B= = =1,53 x 105 A
RTH + ( +1 ) R E 6875 +( 150+ 1)(1000 )
5
I E =I B+ I C =1,53 x 10 A+ 2,30 mA=2,31 mA
Ib Ic Ie Vce
QUCS 1,48x10-5A 2,21mA 2,23mA 2,9v
TERICO 1,53x10-5A 2,30mA 2,31mA 2,64v
Como se puede apreciar existen pequeas diferencias entre los valores obtenidos.