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LITORAL
PRODUCCION
INFORME DE ELECTRICIDAD
INTEGRANTES:
PARALELO: 2
RESUMEN
En la prctica realizada se realizaron mediciones a distintas resistencias que varan con la temperatura,
luminosidad de la luz y con la posicin, se tomaron las medidas necesarias para realizar comparaciones y realizar
las grficas respectivas para llegar hasta la obtencin de sus ecuaciones empricas pertinentes de este modo se
tendr un conocimiento de cmo se comportan los distintos tipos de resistencias en sus respectivos medios de
trabajo.
Palabras clave:
Termistor, Fotocelda, Potencimetro, resistencia,
I. INTRODUCCIN
Resistencia elctrica es toda oposicin que encuentra la corriente a su paso por un circuito
elctrico cerrado, atenuando o frenando el libre flujo de circulacin de las cargas elctricas o
electrones. Cualquier dispositivo o consumidor conectado a un circuito elctrico representa
en s una carga, resistencia u obstculo para la circulacin de la corriente elctrica.
Normalmente los electrones tratan de circular por el circuito elctrico de una forma ms o menos
organizada, de acuerdo con la resistencia que encuentren a su paso. Mientras menor sea esa resistencia,
mayor ser el orden existente en el micromundo de los electrones; pero cuando la resistencia es elevada,
comienzan a chocar unos con otros y a liberar energa en forma de calor. Esa situacin hace que siempre
se eleve algo la temperatura del conductor y que, adems, adquiera valores ms altos en el punto donde
los electrones encuentren una mayor resistencia a su paso.
II. OBJETIVOS
Determinar la relacin emprica entre la Resistencia elctrica de un elemento resistivo y
la temperatura, luminosidad o posicin, utilizando un NTC, una resistencia de carbn,
un potencimetro y un LDR.
1 LDR de 5 mm de dimetro
1 potencimetro de 20 k/ 12 W
IV. PROCEDIMIENTO
Respuesta del NTC para cambios de T
1. Coloque la punta del cautn en contacto con una de las caras del NTC agarrado con la
prensa o la pinza.
2. Conecte las puntas del multmetro a los terminales del NTC para leer los valores de
resistencia.
1. Repita los pasos de la parte a desde el numeral 1 hasta el 4 pero sosteniendo la punta del
cautn a la resistencia de carbn.
1. Conecte el multmetro a los terminales del sensor de luz y tome el valor de resistencia
para los siguientes casos anotados en la tabla siguiente:
4. Marque con un lpiz una seal en el cursor que permite realizar un bosquejo de las distintas
posiciones que ocupa para 5 valores diferentes de resistencia al variar el cursor.
7. Marque 5 posiciones distintas del recorrido circular del cursor sobre el papel anotando los cinco
valores de resistencia que se obtienen paulatinamente.
8. Con ayuda del concepto de sector circular s = r establezca la relacin emprica R = f()
V. TABLA DE DATOS
T(C) 80 75 70 65 60 55 50 45 40 35
R() 68 86 109 130 166 197 253 311 398 470
T(C) 35 40 45 50 55 60
R() 1 1 1 1 1 1
0 30 45 60 75 90 130 180
R() 0 1,55 2,9 4,17 5,51 6,55 10,57 14
VII. GRFICAS
Temperatura(C)
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Existen resistencias que varan su valor con la temperatura, estas pueden ser de
coeficiente negativo o positivo, se denominan NTC y PTC respectivamente. En las NTC
la resistencia disminuye con el aumento de temperatura. En las PTC aumenta la
resistencia.
La fig.1 refleja el comportamiento del termistor (NTC) con la temperatura, all se puede
observar una disminucin de la resistencia al aumentar sta debido a la agitacin
trmica. Ms electrones son arrancados de los tomos y adquieren movilidad. En los
semiconductores a mayor temperatura mayor es la energa necesaria para que un electrn
salte de un nivel a otro.
IX. CONCLUSIONES
Existen resistencias que varan su valor con la temperatura, estas pueden ser de
coeficiente negativo o positivo, se denominan NTC y PTC respectivamente. En las NTC
la resistencia disminuye con el aumento de temperatura. En las PTC aumenta la
resistencia.
La fig.1 refleja el comportamiento del termistor (NTC) con la temperatura, all se puede
observar una disminucin de la resistencia al aumentar sta debido a la agitacin
trmica. Ms electrones son arrancados de los tomos y adquieren movilidad. En los
semiconductores a mayor temperatura mayor es la energa necesaria para que un electrn
salte de un nivel a otro.
X. BIBLIOGRAFIA