UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

FACULTAD DE INGENIERAS
CARRERA DE INGENIERA MECNICA
ELECTRONICA ANALOGICA Y DIGITAL

UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

ELECTRONICA ANALOGICA Y DIGITAL

Edizon Fabricio Varela Rosero

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

CARRERA DE INGENIERA MECNICA

CAMPUS KENNEDY

QUITO-ECUADOR

2017

Consulta:
MOSFET. Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica. La prctica totalidad de los circuitos integrados de uso
comercial estn basados en transistores MOSFET.

Ventajas del Transistor Mosfet

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja

potencia para llevar a cabo su propsito y la disipacin de la energa en
trminos de prdida es muy pequea, lo que hace que sea un componente
importante en los modernos ordenadores y dispositivos electrnicos como
los telfonos celulares, relojes digitales, pequeos juguetes de robot y
calculadoras.

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan

(PNPN) que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS),
estructura de la puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de
puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET
de canal n vertical de poder de la construccin, excepto la n se sustituye
con un drenaje + p + capa de colector, formando una lnea vertical del
transistor de unin bipolar de PNP.

Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los

transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada
FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un
solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la
figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con
tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).

Diferencias entre el JFET y el BJT

BJT

Controlado por corriente de base.

Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y
electrones.
IC es una funcin de IB.
(beta factor de amplificacin)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relacin lineal entre Ib e Ic.

JFET

Controlado por tensin entre puerta y fuente.

Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos
(canal p) electrones (canal n).
ID es una funcin de Vgs.
gm (factor de transconductancia).
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a
las de los BJT.
Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.

Ventajas del FET con respecto al BJT

 Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar ms dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de
almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.

Desventajas de los FET

Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta

capacidad de entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.
Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.

APLICACIN, PRINCIPAL VENTAJA Y USOS

Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de salida baja,

uso general, equipo de medida, receptores.
Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones.
Mezclador, baja distorsin de intermodulacin, receptores de FM y TV,
equipos para comunicaciones.
Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia receptores,
generadores de seales.
Amplificador cascodo, baja capacidad de entrada, instrumentos de
medicin, equipos de prueba.
Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores
operacionales, control de tono en rganos.
Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequea de acoplamiento,
audfonos para sordera, transductores inductivos.
Oscilador, mnima variacin de frecuencia, generadora de frecuencia patrn,
receptora.
Circuito MOS digital, pequeo tamao, integracin en gran escala,
computadores, memorias.
Bibliografa

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par
%C3%A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento

https://www.ecured.cu/Transistor_MOSFET

http://conocimientosfet.blogspot.com/2010/02/diferencias-entre-el-jfet-y-el-
bjt.html