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Nanoqumica
Docente: Cristian Villa.
SEM:
El microscopio electrnico de barrido (MEB o SEM, por Scanning Electron Microscope) es una
tcnica de microscopa electrnica capaz de producir imgenes de alta resolucin de la superficie de
una muestra utilizando las interacciones electrn-materia. Utiliza un haz de electrones en lugar de un
haz de luz para formar una imagen. (1, 2)
El microscopio electrnico de barrido (MEB) tiene componentes comunes con el Microscopio
electrnico de Transmisin (MET) tales como el can de electrones, sistema de vaco, lentes
condensadora y objetivo. La diferencia principal entre ellos es la manera en que forman y magnifican
la imagen. Esto hace que la informacin que se obtiene de cada uno sea distinta. Mientras el MET
permite el estudio de la ultraestructura de muestras delgadas, el MEB posibilita conocer la morfologa
superficial. En el microscopio electrnico de barrido (MEB), el haz electrnico, atraviesa la columna y
llega a la muestra. Un generador de barrido es el responsable de producir el movimiento del haz, de
manera que barra la muestra punto a punto. De la interaccin entre los electrones incidentes con los
tomos que componen la muestra se generan seales, las cuales pueden ser captadas con detectores
especficos para cada una de ellas. El detector capta una seal y las convierte en una seal electrnica
que es proyectada en una pantalla (CRT). El barrido del haz est sincronizado con el barrido del CRT y
produce una relacin uno a uno entre puntos de la muestra y puntos en el CRT. (1, 2)
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la relacin entre la longitud barrida sobre la muestra (l) y la longitud del barrido sobre el tubo de rayos
catdicos.( TRC)(L): (1, 2)
La interaccin haz incidente-muestra produce una variedad de seales, las cuales brindan distinta
informacin sobre la superficie de la muestra. Dichas seales pueden ser captadas por sus
correspondientes detectores. Volumen de excitacin primaria: Cuando un haz de electrones choca
contra una muestra, los electrones incidentes penetran en el material una distancia que es directamente
dependiente de la energa del haz e inversamente dependiente del nmero atmico de los tomos que
componen la muestra. La regin en la cual los electrones penetran la muestra se conoce como volumen
de excitacin primaria. En la figura, se aprecian las variaciones de dispersin electrnica cuando se
utilizan bajos y altos voltajes de aceleracin en materiales de bajo y alto nmero atmico. La
profundidad de penetracin y el volumen de excitacin aumentan con el incremento de la energa del
haz incidente y decrece con el incremento del nmero atmico. Una muestra compuesta por tomos de
alto nmero atmico tendr ms partculas disponibles para detener la penetracin del haz, que un
material compuesto de elementos de bajo nmero atmico. Con el incremento de la energa del haz los
electrones pueden penetrar ms profundamente en la muestra por lo tanto, el volumen de excitacin
aumenta su dimetro y profundidad. Esto provocar una prdida del detalle de la estructura superficial
en la imagen debido al incremento de la generacin de seales adicionales (ruido). Esta es una de las
razones por las cuales el voltaje de aceleracin es uno de los elementos limitantes de la resolucin en el
MEB. (3)
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Naturaleza de la interaccin: En el volumen de excitacin primaria, ocurren interacciones que
generan seales tales como: electrones secundarios, electrones retrodifundidos, rayos x caractersticos,
electrones Auger, catodoluminiscencia. (3)
Electrones secundarios: son emitidos desde la muestra como consecuencia de las ionizaciones
surgidas de las interacciones inelsticas. Poseen baja energa (50 ev). Brindan una imagen de la
morfologa superficial de la muestra.
Electrones retrodifundidos: provienen de las interacciones elsticas y por lo tanto, tienen alta
energa. Estos electrones tienen energas cercanas a la del haz incidente. Pueden interactuar
con tomos de la muestra para generar electrones secundarios y los otros tipos de seales
nombradas anteriormente. Son empleados para obtener imgenes de contraste por nmero
atmico y contraste topogrfico.
Rayos x caractersticos: Este tipo de seal; se produce cuando un electrn de un orbital interno
de un tomo es desalojado por un electrn del haz incidente. La vacancia es llenada con un
electrn de un orbital ms externo. En este salto el exceso de energa es liberado en forma de
radiacin electromagntica (rayos x). Se sabe que cada orbital tiene una cantidad discreta de
energa que es caracterstica para cada elemento. Por lo tanto, la diferencia de energa entre
orbitales es tambin una cantidad discreta y caracterstica de un tomo en particular. La
espectroscopa de rayos x dispersiva en energa (EDX), brinda informacin sobre la
composicin elemental de la muestra.
Electrones Auger: Cuando un electrn de una capa externa llena una vacancia de una capa ms
interna, el exceso de energa puede inducir la eyeccin de un electrn de una rbita externa;
convirtiendo esta energa en energa cintica. Este electrn es llamado electrn Auger. La
energa de este electrn es aproximadamente igual a la diferencia de energa entre los orbitales
involucrados en la transicin. Esta tcnica es ms adecuada que la espectroscopa de rayos x
para los estudios de muestras de bajo nmero atmico. Por poseer baja energa los electrones
Auger pueden dar informacin precisa de las monocapas cercanas a la superficie. La emisin
Auger es ms alta en elementos de bajo nmero atmico debido a que los electrones estn
dbilmente ligados al ncleo.
Catodoluminiscencia: Es la emisin de fotones en longitudes de onda en los rangos del
ultravioleta, visible o infrarrojo, para disipar el exceso de energa que se genera en la transicin
electrnica entre orbitales. Esta tcnica permite realizar estudios de concentracin de
impurezas en un material. Adems de las seales anteriores, las cuales dan una informacin til
sobre la muestra, tambin se presenta un fenmeno no deseado cuando se realizan estudios con
rayos x. Esto ocurre cuando un electrn incidente interacta inelsticamente con el ncleo
atmico, como consecuencia de esto se desacelera y provoca la emisin de rayos x, que no son
caractersticos de ningn elemento. Se denomina: radiacin blanca (Bremsstrhlung) o rayos x
del continuo. (3)
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En la siguiente tabla se resumen lasFigura
principales seales
3. Volumen y su aplicacin:
de excitacin (3)
primaria
AFM
El microscopio de fuerza atmica (AFM, de sus siglas en ingls Atomic Force Microscope) es un
instrumento mecano-ptico capaz de detectar fuerzas del orden de los nanonewtons. Al rastrear una
muestra, es capaz de registrar continuamente su topografa mediante una sonda o punta afilada de
forma piramidal o cnica. La sonda va acoplada a un listn o palanca microscpica muy flexible de
slo unos 200 m. El microscopio de fuerza atmica ha sido esencial en el desarrollo de
la nanotecnologa, para la para la caracterizacin y visualizacin de muestras a dimensiones
nanomtricas. (5, 6)
Entonces, para resolver tomos individuales la distancia entre punta y muestra debe
mantenerse constante a menos de 1/100 de dimetro atmico o hasta 0.002 nm., por ello el
STM debe aislarse de las vibraciones.
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Debe tomarse en cuenta que el resultado es una visualizacin que permite conocer
caractersticas de la muestra.
No es una fotografa de los tomos en la superficie. Los tomos parecen tener superficies
slidas en las imgenes de STM, pero en realidad no las tienen.
Aun cuando no necesita alto vaco para su operacin, es deseable para eliminar contaminacin
y adems una cmara de vaco asla de vibraciones externas.
INSTRUMENTACIN
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MICROPALANCAS
Histricamente las primeras palancas tenan un tamao de varios mm y solan fabricarse con metal, por
ejemplo a partir de un hilo de tungsteno con un extremo afilado y doblado en ngulo recto para
producir la punta. Ms tarde se hizo necesario, para mejorar la velocidad de barrido sin perder
resolucin, que las palancas tuvieran masas cada vez menores y simultneamente frecuencias
de resonancia mayores. La solucin a este problema se hall en la microfabricacin de las palancas.
Las micropalancas se producen en la actualidad empleando mtodos de microfabricacin heredados
inicialmente de la industria microelectrnica como litografa de superficie y grabados reactivos de
plasma de iones (RIE y DRIE siglas en ingls de Reactive Ion Etching y Deep Reactive Ion Etching).
Las puntas suelen fabricarse a partir de deposiciones de vapor de algn material idneo sobre la
palanca ya fabricada, en cuyo caso el resultado suele ser una punta cnica o ms comnmente, cuando
el silicio es el material de eleccin, recurriendo a tcnicas de grabado anistropo. El grabado
anistropo involucra el uso de una solucin grabadora que excava el material slo o preferentemente
en ciertas direcciones cristalogrficas. De esta manera, es posible producir puntas piramidales limitadas
por planos cristalogrficos del material.
La fuerza de la micropalanca viene dada por el fabricante y se determina por la ley de Hooke. En este
caso, la ley de Hooke se representa por la ecuacin del resorte, donde se relaciona la fuerza F ejercida
por el resorte con la distancia adicional x producida por alargamiento, del siguiente modo: (5, 6, 7)
SENSORES DE FLEXIN
Existen actualmente distintos sistemas para medir la flexin del listn. El ms comn en instrumentos
comerciales es el llamado ptica en ste la flexin del listn se registra mediante un haz lser que se
refleja en la parte posterior de la micropalanca para luego alcanzar un fotodetector. A este efecto, la
mayor parte de las micropalancas (listones) de AFM se fabrican actualmente con una capa de oro de
unas decenas de nm de espesor en su parte posterior para optimizar su reflectancia al haz del lser. Sin
embargo histricamente el primer sistema de deteccin usado fue un microscopio de STM ( efecto
tnel). En este sistema una punta de STM era ajustada al listn siendo la flexin de este medida a
travs de la variacin en la corriente de tnel, ya que dicha corriente es sensible a cambios
subnanomtricos en la distancia entre punta de STM y listn. La razn de que se pensara inicialmente
en este sistema es que en su origen el microscopio de AFM se concibi como modificacin del
microscopio de STM para ser usado con muestras elctricamente aislantes ya que el microscopio de
STM slo funciona con conductores. Posteriormente se pas a sustituir este sistema de deteccin por
un interfermetro y finalmente se introdujo la palanca ptica. Ms recientemente se han incorporado
nuevos mtodos de deteccin basados en piezorresistividad o en medidas de capacitancia. Sin embargo
ninguno de estos mtodos "electrnicos" alcanza los niveles de resolucin tanto espacial como
temporal de la palanca ptica. (5, 6, 7)
Por otra parte la palanca ptica presenta un problema de calibracin que afecta especialmente a las
medidas de fuerza. Este se debe a la necesidad que se da en las medidas de fuerza de registrar de forma
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precisa la flexin de la palanca en su extremo libre. Ya que el fotodiodo solamente registra el
desplazamiento del punto de lser sobre su superficie es necesario calibrar este desplazamiento con una
flexin real de la palanca para poder obtener medidas de flexin. Este procedimiento conocido como
calibracin de la sensibilidad se lleva a cabo imprimiendo una flexin conocida al extremo de la
micropalanca mientras simultneamente se registra la seal del fotodiodo. La forma ms comn de
obtener una flexin conocida es presionar verticalmente el extremo de la palanca contra una superficie
rgida, asegurando as que el desplazamiento vertical de la palanca equivale a flexin en su extremo.
(5, 6, 7)
PUNTA
Unos de los aspectos ms importantes en la resolucin de las imgenes obtenidas por AFM es la
agudeza de la punta. Las primeras utilizadas por los precursores del AFM consistieron en pegar el
diamante sobre pedazos de papel de aluminio. Las mejores puntas con radio de curvatura se encuentran
alrededor de los 5nm.
Ensanchamiento
Compresin
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La resolucin vertical del instrumento es de menos de 1 nm, y permite distinguir detalles
tridimensionales en la superficie de la muestra con una amplificacin de varios millones de veces. (5,
6, 7)
En medidas de fuerza la punta se hace oscilar verticalmente mientras se registra la flexin del
listn. La medida se expresa entonces representando fuerza (F) frente a altura (Z) sobre la
muestra. Las medidas de fuerza son tiles en estudios de fuerzas de adhesin y permiten
estudiar a nivel de una sola molcula interacciones especficas entre molculas (ej: interaccin
antgeno-anticuerpo, interaccin entre hebras complementarias de ADN) o interacciones
estructurales de las biomolculas (plegado de protenas) as como caracterizar la elasticidad de
polmeros. Tambin es til en estudios de indentacin de materiales blandos (polmeros) que
permitan caracterizar propiedades elsticas de la muestra como el mdulo de elasticidad o
viscoelsticas. (5, 6, 7)
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
2. Volver arriba (en ingls) Hitachi breaks SEM resolution barrier, www. labtechnologist.com,
10 de marzo de 2005.
3. Viviana S. de Lozano, Mara Julia Yez AM. Principios y prctica de la Microscopa
Elecrnica. 1ra. Edici. 2/10/2014; 2014. 83 p.
4. [1] https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1986/
8
5. http://web.archive.org/web/http://www.tecnicaenlaboratorios.com/Agilent/modos_de_imagen.
htm
6. http://web.archive.org/web/http://www.tecnicaenlaboratorios.com/Agilent/que_es_afm.htm
7. http://www.icmm.csic.es/fis/espa/afm.html