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La conduccin en metales y resistencias est bien descrita por la Ley de Ohm, que establece que
la corriente es proporcional al campo elctrico aplicado. Se calcula laconductividad para
caracterizar la facilidad con la que aparece en un material una densidad de corriente (corriente por
unidad de rea) j, definida como:
j=E
o por su recproco la resistividad :
j=E/
La conduccin en dispositivos semiconductores puede darse debido a una combinacin de
campo elctrico (deriva) y de difusin. La densidad de corriente es entonces
j = E + D qn
siendo q la carga elctrica elemental y n la densidad de electrones. Los portadores se
mueven en la direccin de decrecimiento de la concentracin, de manera que para los
electrones una corriente positiva es resultado de una gradiente de densidad positivo.
Si los portadores son "huecos", cmbiese la densidad de electrones n por el negativo
de la densidad de huecos p.
Supone que el material contiene iones positivos inmviles y que un "gas de electrones" clsicos,
que no interactan entre si de densidad n, donde el movimiento de cada uno se encuentra
amortiguado por una fuerza de friccin producto de las colisiones de los electrones con los iones,
caracterizada por un tiempo de relajamiento .
Los electrones ligados estn sometidos a una fuerza elstica que los hace oscilar alrededor de los
iones de carga positiva, mientras que los electrones libres son los responsables de la
conductividad.
donde:
Se puede demostrar que el material satisface la ley de Ohm con una conductividad
elctrica en corriente elctrica continua .
El modelo de Drude permite tambin predecir la corriente como una respuesta a un campo
elctrico variable en el tiempo con una frecuencia angular , en cuyo caso:
Donde representa el valor medio del momento dipolar elctrico del electrn
ligado. El movimiento de los electrones ligados vendra dado por la siguiente
siguiente ecuacin:
Donde se ha introducido y .