COMPONENTES ACTIVOS

Hacemos aqu una breve introduccin sobre componentes activos bsicos

centrndonos en los diodos y transistores, y un ligero repaso a otro dispositivo
muy imprtante como es el amplificador operacional.

EL DIODO SEMICONDUCTOR

El diodo semiconductor, o diodo de estado slido, es un dispositivo que resulta

de la unin de dos materiales semiconductores impurificados: P y N,
encapsulados en un recipiente de vidrio o de material plstico duro en el que
sobresales dos conexiones axiales (laterales).
Uno de los contactos es llamado nodo o placa y el restante el ctodo. Por lo
general, uno de los extremos del diodo est marcado con un punto, franja de
color o la letra K que indica la conexin del ctodo.

POLARIZACION DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Si una fuente de tensin DC, externa, es conectada al diodo, la amplitud de la

barrera de potencial aumenta o disminuye dependiendo de la polaridad de la
fuente externa.
Tpicamente, en un diodo de silicio; un voltaje Vo=0.7 V produce una corriente
de 1mA y para Vo=0.8v, la corriente es de 100mA. en un diodo de germanio,

- RC -
758-524

K A

FORMAS FISICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR

para producir una corriente de 1mA se requiere un Vo=0.2V.

CLASIFICACION DE LOS DIODOS

1. Por su fabricacin
1.1. Diodo por crecimiento de juntura
1.2. Diodo por aleacin
1.3. Diodo por difusin
1.4. Diodo por contacto puntual.
2. Por el tipo de material empleado
2.1. Diodo de silicio
1.1. Diodo de Germanio
1.- POR SU FABRICACION
1.1. Diodo por CRECIMIENTO DE JUNTURA
Los diodos de este tipo son formados durante el proceso de alargamiento del
cristal. Las impurezas de tipo P y tipo N son alternativamente agregadas al
material semiconductor fundido en el crisol resultando en una juntura PN.
Se extrae primero una oblea suficientemente grande y luego se corta en un
gran nmero de partes pequeas o diodos semiconductores.
El rea de los diodos por crecimiento de juntura es grande para soportar altas
corrientes y por lo tanto son diodos semiconductores.
El rea de los diodos por crecimiento de juntura es grande para soportar altas
corrientes y por lo tanto son diodos de potencia. La desventaja de esta rea
grande trae consigo la aparicin de una capacidad interelectrdica no deseada.

1.2. Diodo por ALEACION

El diodo por aleacin es formado colocando un semiconductor tipo P sobre un
semiconductor tipo N sometindola a una alta temperatura hasta que se
produzca la licuefaccin. De esta manera se logra la mezcla de los dos
materiales.
Este tipo de diodo tiene como caracterstica el permitir el paso de altas
corrientes as como el de soportar alto voltaje de poco inverso (PIV).

1.3. Diodo por DIFUSION

Este dispositivo puede fabricarse por medio de una difusin slida o gaseosa.
El proceso por difusin requiere ms tiempo que el proceso por aleacin pero
es relativamente econmico y puede ser controlado con mucha seguridad. La
difusin es un proceso por el cual , una alta concentracin de partculas se
"difunde" en los alrededores de una regin de poca concentracin. La
diferencia entre los procesos de difusin y aleacin es el hecho que, en el
proceso de difusin no se llega a la licuefaccin. El calor es aplicado, en el
proceso de difusin, solamente para aumentar la actividad de los elementos
adyacentes.

1.4. Diodo por CONTACTO PUNTUAL

El diodo de contacto puntual es construido, presionando un alambre de
bronce fosforoso ("llamado "bigote de gato") sobre un sustrato de tipo N. A
continuacin se le hace pasar una alta corriente a travs del "bigote de gato" y
el sustrato por un corto periodo de tiempo producindose un traslado de cargas
desde el alambre al material tipo N crendose una regin P en la cpsula.
2.- POR EL TIPO DE MATERIAL EMPLEADO
2.1. Diodo de SILICIO
Sus caractersticas son:
a. Soportan alto PIV, alrededor de 1000v.
b. Soportan alta corriente.
c. Requieren para su funcionamiento de por lo menos 0.7v, en
polarizacin directa.
d. Soportan alta temperatura; alrededor de 200C.
e. Su respuesta de frecuencia es baja.

2.2. Diodo de GERMANIO

Sus caractersticas son:
a. Bajo PIV; inferior a 400v.

b. Soportan poca corriente.

c. Soportan temperaturas inferiores a 100C.
d. Requieren, para su funcionamiento, de por lo menos 0.2 v en
polarizacin
e. Su respuesta de frecuencia es alta.
DIODOS DE POTENCIA.
Existen un nmero de diodos diseados especficamente para soportar
altas potencias y altas temperaturas.
El uso ms frecuente de los diodos de potencia es en el proceso de
rectificacin donde las tensiones alternas (AC) son convertidas a tensiones
continuas (DC) llamndoseles comnmente como diodos rectificadores.
La mayora de los diodos de potencia son construidos utilizando el silicio
por sus caracterstica de soportar alta corriente, alta temperatura y alto PIV.
Una gran corriente requiere que el rea de la juntura sea grande para
lograr que la resistencia interna del diodo, en polarizacin directa sea baja. Si
esta resistencia interna fuera de alto valor, la prdida de potencia sera
excesiva.
La capacidad de corriente de los diodos de potencia puede ser
aumentado colocando dos o ms diodos en paralelo; en cambio el PIV puede
ser aumentado colocando los diodos en serie.
Las altas temperaturas, resultante del gran flujo de corriente, requieren
en algunos casos la utilizacin de disipadores de calor. Si no tienen
disipadores, entonces los diodos estn diseados para ser atornillados
directamente al chasis, el cual acta como disipador
REEMPLAZO DEL DIODO
Para reemplazar un diodo se debe tener en cuenta dos aspectos:
1. El tipo de material. Es decir si el original es de silicio o de germanio, el
reemplazo deber ser de silicio o germanio respectivamente.
2. El reemplazo debe tener un PIV igual o mayor que el original. De igual modo
deber soportar una igual o mayor corriente directa que el original.

DIODOS ESPECIALES
Son diodos de silicio cuya caracterstica, de alta velocidad de
conmutacin, los hace esencialmente tiles en fuentes de alimentacin o
etapas amplificadoras de AF para proteger los transistores de potencias
mediante la estabilizacin de su polarizacin o en proteccin contra
cortocircuitos.

EL DIODO VARICAP O VARACTOR

Los diodos varicap son semiconductores de silicio de capacidad variable
dependiente del voltaje.
Al polarizarse inversamente se forma la barrera de potencial, que hace
las veces de dielctrico mientras que los semiconductores P y N conforman las
placas del condensador. Al aumentar el voltaje inverso aplicado, el ancho de la
barrera aumenta con lo que la capacidad disminuye y viceversa.

Empleo del Diodo Varicap

Algunas de las rea de aplicacin para el diodo Varicap son las
siguiente:
- Modulares de FM
- Filtros ajustables de paso bajo
- Control automtico de frecuencia
- Amplificadores paramtricos.
- Sintonizadores de receptores de radio y TV en las bandas AM, FM,
VHF y UHF respectivamente.
EL TRANSISTOR BIPOLAR O BJT

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras

con sus respectivos contactor llamados: colector (C), base(B) y emisor(E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una
doble circulacin de portadores de corriente: electrones y laguna o agujeros.

I. CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores bipolares se clasifican del siguiente modo.
1. Por la disposicin de sus capas.
a. Transistores PNP
b. Transistores NPN

2. Por el Material Semiconductor Empleado.

a. Transistores de silicio.
b. Transistores de germanio.

3. Por la disipacin de potencia.

a. Transistores de baja potencia
b. Transistores de mediana potencia. Transistores de alta potencia

I. POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Para que un transistores bipolar funciones adecuadamente, es necesario
polarizarlo correctamente. Para ello se debe cumplir que :
a. La juntura BASE-EMISOR est polarizada directamente, y
b. La juntura COLECTOR-BASE est polarizada inversamente.

III. CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES.

Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos
especifica la funcin que cumple y en otros casos indica su fabricacin.
 Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos:
europeos, japoneses y americanos

EL CIRCUITO INTEGRADO

El circuito integrado, ms comnmente conocido como IC, CI, o chip; es un

diminuto dispositivo electrnico que contiene una asombrosa cantidad de
elementos electrnicos. Todos estos elementos estn integrados o fabricados
al mismo tiempo sobre una pieza de material semiconductores, mayormente
silicio, que tiene 1/20 a 1/10 de pulgada cuadrada.
La invencin del CI resolvi numerosos problemas tales como alambres
sueltos, conexiones cruzadas, etc. El CI elimina la necesidad de masa para
transistores separados y una multitud de conexiones mecnicas en un sistema
electrnico.

CLASIFICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS

1. De acuerdo a su construccin
a. CI MONOLITICO
Como su nombre lo indica, es un pequeo monocristal de silicio (material
semiconductor) normalmente de 50x50 milsimas de milmetro (1270x1270
micras) dentro del cual se han fabricado los componentes electrnicos activos y
pasivos (excepto las bobinas), estando adems conectados entre s formando
un circuito.
b. CI HIBRIDO
Se llama as a la combinacin de dos o ms CI monolticos o bien a un
CI monoltico junto con elementos discretos (bobinas, condensadores,
resistores, etc).
Los CI hbridos son fabricados en pelcula gruesa y pelcula delgada
siendo ambos muy similares pero difieren en muchos aspectos con relacin al
CI monoltico.
Mediante la tcnica de la pelcula gruesa y delgada, solamente se
pueden construir elementos pasivos (resistores, condensadores). Los
elementos activos (diodos, transistores). Son incorporados como elementos
discretos a la superficie de la estructura despus que los elementos pasivos
han sido formados. Obviamente el uso de elementos discretos incrementa la
flexibilidad de diseo, resultando en un circuito ms grande y ms costoso que
un CI monoltico.
2. De acuerdo a su ENCAPSULADO
Dependiendo de su encapsulado, o sea la cubierta que encierra al CI, se
divide en:
- Tipo TO (TO-3, TO-5, TO-220)
- Tipo PLANO
- Tipo en lnea doble o DIP.
El CI tipo plano es anterior al CI de plstico moldeado o DIP. El CI de
doble lnea o DIP es el ms moderno y de reducido tamao. Existen dos
versiones: El MINIDIP con solamente ocho contactos y el DIP que posee ms
de ocho contactos o pines.
3. De acuerdo a su MODO DE TRABAJO
a. Lineales.
b. Digitales.
Los CI lineales ejecutan funciones analgicas. Ellos amplifican, regulan o
comparan seales elctrica y pueden ser utilizados como : Amplificadores de
Af, Amplificadores de video, Amplificadores de FI, reguladores de voltaje, etc.
4. De acuerdo a su COMPLEJIDAD
La complejidad es la cantidad de dispositivos y componentes
electrnicos que se pueden fabricar por el milmetro cuadrado en un chip. Por
la complejidad se clasifican en:
a. SSI: Integracin en pequea escala
b. MSI: Integracin en mediana escala
c. LSI: Integracin en gran escala.

VENTAJAS E INCONVENIENTES DEL USO DEL CI

El Esfuerzo de la industria electrnica en la miniaturizacin de sus equipos se
ha visto compensado ampliamente con el descubrimiento de los CI, en los que
se ha conseguido construir miles de componentes dentro de la misma cpsula,
cuyas dimensiones son similares a las de un simple transistor. Pero la enorme
reduccin de volumen no ha sido la nica ventaja por la que los CI, se ha
hecho indispensable en muchas industrias de vanguardia (Militar, Aeroespacial,
medicina, etc.), sino que las que se resean a continuacin tienen tanta o
mayor importancia:
1. Reduccin de coste: Pues aunque el proyecto y los utillajes
necesarios para fabricar un CI son muchos mas costosos que los de
un elemento clsico, como consecuencia del alto numero de unidades
que se hacen de cada tipo, el bajo precio del material base y la
automatizacin del proceso, se tiene que algunos modelos de CI
resultan de un precio inferior al de un solo transistor.
2. Aumento considerable de la fiabilidad : Un CI tiene una fiabilidad en
cuanto a funcionamiento y duracin, mucho mayor que otro circuito
similar implementado con componentes discretos, no solo porque en
este ultimo caso la fiabilidad depende de cada uno de los
componentes que lo forman, sino tambin:
a. Debido al esmerado estudio que exige el proyecto de un CI.
b. A las modernas tcnicas de fabricacin.
c. A la reduccin de longitud en las interconexiones.
d. A la menor influencia de la temperatura sobre los diversos
componentes, por estar todos contenidos en una misma
superficie y afectarles por igual.
e. Al encapsulado total de los componentes, que aumentan su
proteccin.
3. La respuesta de un CI es mucho mas rpida, pues el paso de la
corriente depende de la longitudes de las interconexiones, que
son mnimas.
4. Reduccin importante de las capacidades parsitas que existen entre
los componentes, a causa de su proximidad.
5. Reduccin de tiempo en la localizacin de averas, puesto que el
sistema que ha de usarse es el de la sustitucin de los CI
 defectuosos, ya que es imposible su reparacin. Esta caracterstica
lleva aparejada una formacin mas completa y terica de los tcnicos
electrnicos, as como el uso de instrumentos mas complejos.
6. Reduccin de stock para las reparaciones y montajes.
7. Eliminacin de los posibles errores en el montaje e interconexin de
componentes.
8. Dado el bajo coste que en un CI supone la fabricacin de transistores
y diodos, estos se pueden utilizar con gran profusin, mejorando las
especificaciones tcnicas de los circuitos. Tambin hay que tener en
cuenta al emplear los CI que existen ciertas limitaciones e
inconvenientes, entre los que se citan:
1. Los valores de las resistencias y condensadores, integrados no
pueden superar ciertos mximos y adems, con tolerancias
importantes y coeficientes de temperatura pequeos; por este motivo,
este tipo de componentes suelen quedar en el exterior del CI, aunque
con las mejoras en los procesos de fabricacin constantemente se
estn superando estas limitaciones.
2. Dadas sus dimensiones, la potencia mxima que pueden disipar
los CI es reducida.
3. Las grandes dificultades en la construccin de bobinas e
inductancias en el CI hacen que no sean integradas en la mayora de
los casos.
4. No es conveniente, dado el bajo rendimiento, integrar en el mismo
chip los dos tipos de transistores: PNP, NPN.
5. En pases como Espaa, en los que se fabrica pocos CI, y estn
en la fase inicial de produccin (La mayora deben ser importados), es
preciso escoger con cuidado los modelos con que se ha de trabajar,
procurando que existan diferentes fuentes de suministro.
6. La manipulacin de CI exige instrumental y herramientas
adecuadas. As, los soldadores especiales de punta fina, las pinzas
extractoras, los desoldadores, los zcalos, las placas especificas de
circuito impreso, osciloscopio de doble trazo, polmetro digital,
generador de funciones y sondas lgicas, deben ser, entre otros, los
nuevos elementos que han de incorporarse al taller electrnico.
PRECAUCIONES ESPECIAL QUE DEBEN OBSERVARSE AL UTILIZAR
TRANSISTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS.

Al manejar los transistores y C.I. es preciso tener en cuenta, una serie

de precauciones especiales, que si no se observan pueden ocasionar la
inutilizacin total o parcial del dispositivo, con el consiguiente perjuicio
tcnico y econmico.
La mayor parte de estas precauciones estn encaminadas a evitar uno o
varios de los tres peligros ms generalizados, los cuales son, la
elevacin excesiva de la temperatura, la aplicacin de una tensin mas
alta que la que puede soportar o la aplicacin de tensin con polaridad
invertida.
En vista de ello, se sugiere los siguientes consejos prcticos:
Con el fin de evitar un exceso de temperatura que pudiesen
daar al transistor o a los IC, cuando se efecten soldaduras en
terminales, deben ser sujetados, entre el cautn y el transistor o
IC, con pinzas, alicates o cualquier objeto metlico que no disipe
calor
No deben utilizarse cautines de alto vatiaje para soldar o
desmontar los terminales de los transistores o ICs.
No deben utilizarse tampoco un cautn del tipo pistola, ni
acercarse al transistor o IC ya que el campo electromagntico
desarrollado puede destruir al transistor al inducir en ellas
corrientes alternas
Son especialmente indicados los cautines tipos lapicero de unos
30 watts aproximadamente.