Captulo 4.

EL DIODO.
Diodo semiconductor.
En el captulo anterior se presentaron tanto los materiales tipo n como tipo p. El diodo semiconductor se forma con slo juntar
estos materiales (construidos en la misma base: Ge o Si ), segn se muestra en la figura.

En el momento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan,
dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin.

A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de agotamiento, debido al agotamiento de
portadores en esta regin.

Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales permite tres
posibilidades: sin polarizacin (VD = 0V), polarizacin directa (VD > 0V) y polarizacin inversa ( VD < 0V). Cada una es una
condicin quedar un resultado que el usuario deber comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma
efectiva.

Sin polarizacin aplicada (VD = 0V)

Bajo condiciones sin polarizacin, cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentren
dentro de la regin de agotamiento, pasarn directamente al material tipo p. Mientras ms cercano se encuentre el portador
minoritario a la unin, mayor ser la atraccin de la capa de iones negativos y menor la oposicin de los iones positivos en la
regin de agotamiento del material tipo n (En la figura se representan los iones con crculos).

Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n estn sometidos a las fuerzas de atraccin de la capa de iones
positivos del material tipo n, y a la capa de iones negativos en el material tipo p, debido a esta situacin son empujados hacia el
rea localizada ms all de la regin de agotamiento del material tipo p. Sin embargo, en el material tipo n el nmero de
portadores mayoritarios es tan grande que invariablemente habr un pequeo nmero de portadores mayoritarios con
suficiente energa cintica para pasar a travs de la regin de agotamiento hacia el material tipo
p. La misma consideracin se puede aplicar a los portadores mayoritarios (huecos) del material
tipo p. Las magnitudes de estas corrientes son tales que la corriente neta en cualquier direccin
es cero.

En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga (corriente) en

cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.

El smbolo para el diodo se presenta en la figura con las regiones tipo n y tipo p asociadas.
Observe que la flecha est asociada con el componente tipo p y la barra con la regin de tipo n.

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Condicin de polarizacin inversa (VD < 0V)

Si un potencial externo de V voltios se aplica a travs de la unin p-n de tal forma que la terminal positiva se encuentre
conectada con el material tipo n y la terminal negativa est conectada con el material tipo p como se muestra en la figura a
continuacin.

El nmero de iones positivos en la regin de agotamiento del material tipo n se incrementar debido al gran nmero de
electrones "libres" atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares, el nmero de iones negativos se
incrementar en el material tipo p. El efecto neto, por tanto, es una ampliacin de la regin de agotamiento. Dicha ampliacin
establecer una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios, adems de una
reduccin efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a cero.
Sin embargo, el numero de portadores minoritarios que estn entrando a la regin de agotamiento no cambiarn, y dan como
resultado vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud que sin voltaje aplicado, como lo indica la figura.

Existir sin embargo una pequea corriente debida a los portadores minoritarios a la corriente que existe bajo las
condiciones de polarizacin inversa se le llama corriente de saturacin inversa, y se representa mediante Is.

La corriente de saturacin inversa rara vez es mayor que unos cuantos microamperios, con
excepcin de los dispositivos de alta potencia. De hecho, en aos recientes se encontr que su
nivel est casi siempre en el rango de nanoamperios para dispositivos de silicio, y en el rango de
microamperios para el germanio. El trmino saturacin proviene del hecho de que alcanza su
mximo nivel con rapidez y no cambia de manera significativa con el incremento del potencial de
polarizacin inversa, como se muestra en las caractersticas de los diodos del grfico en la
siguiente pgina para VD < 0 V.

Las condiciones de polarizacin inversa se describen en la figura de la izquierda para el smbolo

de diodo y la unin p-n. Observe, en particular, que la direccin de Is es contra la flecha del
smbolo. A su vez, que el potencial negativo est conectado al material tipo p y el potencial
positivo al material tipo n, y que la diferencia en las literales subrayadas para cada regin revela
una condicin de polarizacin inversa.

Condicin de polarizacin directa (VD > 0 V)

Una condicin de polarizacin directa o "encendido" se establece al aplicar el potencial positivo al material tipo p y el potencial
negativo al material tipo n, como lo muestra la figura de la siguiente pgina.

Por tanto, para mayor referencia:

Un diodo semiconductor tiene polarizacin directa cuando se ha establecido la asociacin tipo p y positivo y tipo n y
negativo.

La aplicacin de un potencial de polarizacin directa V D "presionar" los electrones en el material tipo n y los huecos en el
material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos a la unin y reducir el ancho de la regin de agotamiento como
se indica en la figura (siguiente pgina). El flujo de electrones, portadores minoritarios, del material tipo p al material tipo n (y de
los huecos del material tipo n al material tipo p) no ha cambiado en magnitud (debido a que el nivel de conduccin se encuentra
controlado bsicamente por el nmero limitado de impurezas en el material), pero la reduccin en el ancho de la regin de
agotamiento ha generado un gran flujo de portadores mayoritarios a travs de la unin. Ahora, un electrn de material tipo n
"observa" una barrera muy reducida en la unin, debido a la pequea regin de agotamiento y a una fuerte atraccin del
potencial positivo aplicado al material tipo p. Mientras se incremente en magnitud la polarizacin aplicada, la regin de
agotamiento continuar disminuyendo su anchura hasta que un flujo de electrones pueda pasar a travs de la unin, lo que da
como resultado un incremento exponencial en la comente, como se muestra en la regin de polarizacin directa de las
caractersticas de la grfica en la siguiente pgina.

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Observe que la escala vertical de la grfica (pgina anterior) est en miliamperios (aunque algunos diodos semiconductores
tendrn una escala vertical en amperes), y la escala horizontal en la regin de polarizacin directa tiene un mximo de 1 V. Por
tanto, en general, el voltaje a travs de un diodo de polarizacin directa ser de menos de 1 V. Observe tambin la rapidez con
que se incrementa la corriente despus del punto de inflexin de la curva de respuesta.

Observe en la grfica que la unidad comercial disponible tiene caractersticas que se encuentran desplazadas a la derecha por
unas cuantas dcimas de un voltio. Esto se debe a la resistencia interna del "cuerpo" y a la
resistencia externa de "contacto" de un diodo. Cada una contribuye a un voltaje adicional
sobre el mismo nivel de corriente, como lo determina la ley de Ohm ( V=IR ). Con el tiempo,
mientras se mejoran los mtodos de produccin, esta diferencia disminuir.

Es importante observar el cambio en la escala para los ejes vertical y horizontal. Para los
valores positivos de ID, la escala se encuentra en miliamperios y la escala de la corriente
abajo del eje se calcula en microamperios (o posiblemente nanoamperios). Para VD la escala
para los valores positivos est en dcimas de voltios y para los valores negativos la escala
es en decenas de voltios.

Antes de dejar el tema del estado de polarizacin directa, las condiciones para la conduccin
(el estado "encendido") se repiten en la figura (a la izquierda) con los requerimientos de
polaridad y la direccin resultante del flujo de portadores mayoritarios. Observe en particular
cmo la direccin de la conduccin concuerda con la flecha en el smbolo.

Regin Zener
Aunque la escala de la grfica (en la pgina anterior) se encuentra en mltiplos de diez voltios en la regin negativa, existe un
punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar por resultado un agudo cambio en las caractersticas,
como lo muestra la siguiente figura.

La corriente se incrementa a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta a aquella de la regln de voltaje positivo.

El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este cambio muy drstico de las caractersticas se le llama
potencial Zener y se le da el smbolo Vz.

Mientras el voltaje a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la velocidad de los portadores
minoritarios responsables de la corriente de saturacin inversa Is tambin se incrementarn. Eventualmente, su velocidad y
energa cintica asociada (Wk = 0.5mv2) ser suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras
estructuras atmicas estables. Esto es, se generar un proceso de ionizacin por medio del cual los electrones de valencia
absorben suficiente energa para dejar su tomo. Dichos portadores adicionales pueden luego ayudar al proceso de ionizacin,
hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha que determina la regin de ruptura de avalancha.

La regin de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de dopado en los materiales Tipo p y
tipo n. Sin embargo, mientras Vz disminuye a niveles muy bajos, como -5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuir
con un cambio agudo en la caracterstica. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo elctrico en la regin de la unin
que puede superar las fuerzas de unin dentro del tomo y "generar" portadores. Aunque el mecanismo de ruptura Zener es un
contribuyente significativo slo en los niveles ms bajos de Vz, este cambio rpido en la caracterstica a cualquier nivel se
denomina regin Zener, y los diodos que utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una unin p-n son los diodos Zener.

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La regin Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un sistema no debe ser alterada
completamente por el severo cambio en las caractersticas de esta regin de voltaje inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la regin Zener se conoce como voltaje
pico inverso (referido simplemente como el valor PIV, por las iniciales en ingls de: Peak Inverso Voltage,) o PRV, por las
iniciales en ingles de: Peak Reverse Voltaje ).

Si una aplicacin requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad, se deben conectar en serie un nmero de diodos
de la misma caracterstica. Los diodos tambin se conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transporte de
corriente.

Silicio en funcin de germanio

Los diodos de silicio tienen, en general, un PIV y un valor de comente ms altos, y rangos ms amplios de temperatura que los
diodos de germanio. Los valores PIV para el silicio pueden encontrarse en la vecindad de 1000 V, mientras que el valor
mximo para el germanio est ms cerca de los 400 V. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura
puede aumentar a cerca de 200 C (400 F), mientras que el germanio tiene un valor mximo mucho menor (100 C). Sin
embargo, la desventaja del silicio, comparado con el germanio, segn se indica en la figura, es el mayor voltaje de polarizacin
directa que se requiere para alcanzar la regin de conduccin. Este suele ser del orden de 0,7 V de magnitud para los diodos
de silicio disponibles en el mercado, y 0.3 V para diodos de germanio cuando se redondea a la siguiente dcima.

El potencial por el cual ocurre este crecimiento se conoce como potencial de conduccin de umbral o de encendido. Con
frecuencia, la primera letra de un trmino que describe una cantidad en particular se usa en la notacin para dicha cantidad.
Sin embargo, para asegurar un mnimo de confusin con otros trminos, como el voltaje de salida (Vo, por las iniciales en
ingls de: output') y el voltaje de polarizacin directa (Vf, por la inicial en ingls de: forward ), la notacin V T ha sido adoptada
por la palabra "umbral" (por la inicial en ingls de: threshold).
En resumen:
VT = 0.7 ( Si )
VT = 0.3 ( Ge )
Obviamente, mientras ms cercana al eje vertical es la excursin, ms cerca de lo "ideal" est el dispositivo. Sin embargo, las
otras caractersticas del silicio comparadas con el germanio lo hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades
disponibles en el mercado.

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En la figura se muestran algunos diodos comerciales

Circuitos rectificadores.
Rectificacin de media onda
La red ms simple que se examinar con una seal variable en el tiempo aparece en la figura a continuacin.

Por el momento se utilizar el modelo ideal del diodo (se considerar el voltaje V T = 0), para asegurar que el sistema no se
dificulte por la complejidad matemtica adicional.

A travs de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura, el valor promedio (la suma algebraica de las reas arriba y
abajo del eje) es cero. El circuito de la figura, llamado rectificador de media onda, generar una forma de onda Vo, la cual
tendr un valor promedio de uso particular en el proceso de conversin de AC a DC. Cuando un diodo se usa en el proceso de
rectificacin, es comn que se le llame rectificador. Sus valores nominales de potencia y corriente son normalmente mucho
ms altos que los de los diodos que se usan en otras aplicaciones, como en computadoras o sistemas de comunicacin.

Durante el intervalo t = O > T / 2 en la figura, la polaridad del voltaje aplicado Vi es como para establecer "presin" en la
direccin que se indica, y encender el diodo con la polaridad indicada arriba del diodo. Al sustituir la equivalencia de circuito
cerrado por el diodo dar por resultado el circuito equivalente de la figura 1 de la siguiente pgina, donde parece muy obvio
que la seal de salida es una rplica exacta de la seal aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida estn
conectadas directamente a la seal aplicada mediante la equivalencia de corto circuito del diodo.

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figura 1

Para el periodo T / 2 > T, la polaridad de la entrada Vi es como se indica en la figura 2, y la polaridad resultante a travs del
diodo ideal produce un estado "apagado" con un equivalente de circuito abierto. El resultado es la ausencia de una trayectoria
para el flujo de carga y Vo = IR = (0) R = 0 V para el periodo T / 2 > T. La entrada Vi y la salida Vo se dibujaron juntas en la
figura 3 con el propsito de establecer una comparacin. Ahora, la seal de salida Vo tiene un rea neta positiva arriba del eje
sobre un periodo completo, y un valor promedio determinado por

VDC = 0.318 Vm

Al proceso de eliminacin de la mitad de la seal de entrada para establecer un nivel de se le llama rectificacin de media
onda.

El efecto del uso de un diodo de silicio con V T, = 0.7 V se seala en la figura 4 para la regin de polarizacin directa. La seal
aplicada debe ser ahora de por lo menos 0.7 V antes de que el diodo pueda "encender". Para los niveles de Vi menores que
0.7 V el diodo an est en estado de circuito abierto y Vo = 0V, como lo indica la misma figura. Cuando conduce, la diferencia
entre Vo y Vi se encuentra en un nivel fijo de V T = 0.7 V y Vo = V - V T segn se indica en la figura. El efecto neto es una
reduccin en el rea arriba del eje, la cual reduce de manera natural el nivel resultante de voltaje DC. Para las situaciones
donde Vm >> V T la ecuacin 2.8 puede aplicarse para determinar el valor promedio con un alto nivel de exactitud.

VDC = 0.318 ( Vm - V T )

S Vm es suficientemente ms grande que VT, la ecuacin 2.7 es a menudo aplicada como una primera aproximacin de V DC.

Ejemplo 2.18

a) Dibujar la salida vo y determinar el nivel dc de la salida de la red de la figura 2.48.

b) Repetir el inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.
c) Repetir los incisos a y b si Vm se incrementa a 200 V, y comparar las soluciones utilizando las ecuaciones
VDC = 0.318 Vm y VDC = 0.318 ( Vm - V T ).

Solucin

a) En esta situacin el diodo conducir durante la parte negativa de la entrada segn se muestra en la figura 2.49, y Vo
aparecer como se seala en la misma figura. Para el periodo completo, el nivel dc es:

El smbolo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida en la figura 2.48

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b) Utilizando un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura 2.50 y:

La cada resultante en el nivel dc es de 0.22 o cerca del 3.5%

la que es una diferencia que, en efecto, puede ignorarse para la mayor parte de las aplicaciones. Para el inciso c el desvo y la
cada en la amplitud debido a V T. no sera discernible en un osciloscopio tpico si se despliega el patrn completo.

Rectificacin de onda completa

Puente de diodos
El nivel de dc que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un proceso que se llama
rectificacin de onda completa. La red ms familiar para llevar a cabo tal funcin aparece en la figura 2.52 con sus cuatro
diodos en una configuracin en forma de puente. Durante el periodo t = 0 a T/2 la polaridad de la entrada se muestra en la
figura 2.53. Las polaridades resultantes a travs de los diodos ideales tambin se sealan en la figura 2.53 para mostrar que
D2 y D3 estn conduciendo, en tanto que D1, y D4 se hallan en estado "apagado". El resultado neto es la configuracin de la
figura 2.54, con su corriente y polaridad indicadas a travs de R. Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga vo =
vi, segn se muestra en la misma figura.

Para la regin negativa de la entrada los diodos conductores son D1 y D4 generando la configuracin de la figura 2.55. El
resultado importante es que la polaridad a travs de la resistencia de carga R es la misma que en la figura 2.53, estableciendo
un segundo pulso positivo, como se indica en la figura 2.55. Despus de un ciclo completo los voltajes de entrada y de salida
aparecern segn la figura 2.56.

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Debido a que el rea arriba del eje para un ciclo completo es ahora doble, en comparacin con la obtenida para un sistema de
media onda, el nivel de dc tambin ha sido duplicado y

Si se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indica en la figura 2.57, una aplicacin de la ley de voltaje de
Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conduccin resultara

el valor pico para el voltaje de salida V0 es, por tanto,

Para las situaciones donde Vm >> 2 V T puede aplicarse la ecuacin (2.11) para el valor promedio con un nivel relativamente
alto de precisin.

Transformacin con derivacin central

Un segundo rectificador de onda completa muy popular aparece en la figura 2,59 con solo dos diodos, pero requiere de un
transformador con derivacin central (CT, por las iniciales en ingls de: Center Tapped) para establecer la seal de entrada a
travs de cada seccin del secundario del transformador. Durante la porcin positiva de vi aplicada al primario del
transformador, la red aparece como se muestra en la figura 2.60. D1 asume el equivalente del corto circuito y D2 el
equivalente del circuito abierto, segn se determin por los voltajes secundarios y las direcciones de corriente resultantes. El
voltaje de salida aparece en la figura 2.60.

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Durante la porcin negativa de la entrada, la red aparece como lo indica la figura 2.61 invirtiendo los papeles de los diodos,
pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a travs de la resistencia de carga R. El efecto neto es una salida igual a
la que aparece en la figura 2,56 con los mismos niveles de dc.

Ejemplo 2.19

Determinar la forma de onda de salida para la red de la figura 2.63 y calcular el nivel dc de salida.

Solucin

La red aparecer como en la figura 2.64 para la regin positiva del voltaje de entrada. El redibujo de la red generar la
configuracin de la figura 2.65, donde VO = Vi o Vo max = Vi max = (10V)= 5 V, como lo indica la figura 2.65. Para la
parte negativa de la entrada la funcin de los diodos ser intercambiada y Vo aparecer segn la figura 2.66

El efecto de remover dos diodos de la configuracin puente fue, por tanto, reducir el
nivel de dc disponible al siguiente:
Vdc 0.636(5V ) 3.18

o al disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada.

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Filtro capacitor
Un circuito de filtro muy popular es el circuito de filtro de condensador mostrando en la figura 19.3. Se conecta un condensador
a la salida rectificada y se obtiene un voltaje de dc a travs del condensador. La figura 19.4a muestra el voltaje de salida de un
rectificador de onda resultantes de que la seal sea filtrada; en cambio, la figura 19.4b muestra la forma de onda resultante
despus de conectarse el condensador de filtro a la salida del rectificador. Obsrvese que la forma de onda filtrada es en
esencia un voltaje de dc con algo de rizo (o variacin de ac).

La figura 19.5a muestra un puente rectificador de onda completa y la forma de onda de salida que se obtuvo del circuito
cuando se conecta a una carga (RL). Si no estuviera conectada una carga a travs del condensador, la forma de onda de salida
sera idealmente un nivel de dc constante, igual en valor al voltaje pico ( Vm ) del circuito rectificador. Sin embargo, el propsito
de obtener un voltaje de es proporcionar este voltaje para que sea usado para diversos circuitos electrnicos, que entonces
constituyen una carga para la fuente de alimentacin.

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Forma de onda de salida

La figura 19.5b muestra la forma de onda a travs de un filtro de condensador. El tiempo T 1, es el tiempo durante el cual los
diodos de un rectificador de onda completa conducen, cargando al condensador hasta el voltaje pico del rectificador, Vm , El
tiempo T2 es el intervalo de tiempo durante el cual el voltaje del rectificador cae por abajo del voltaje pico y el condensador se
descarga a travs de la carga. Debido a que el ciclo carga-descarga sucede cada medio ciclo para un rectificador de onda
completa, el periodo de la forma de onda rectificada es T/2, la frecuencia de la seal de entrada. La forma de la onda del
voltaje de salida filtrado 19.6 muestra que la forma de onda de salida tiene un nivel de dc Vdc y un voltaje de rizo Vr (rms)
conforme el condensador se carga y descarga. A continuacin se consideran algunos detalles de estas formas de onda y los
elementos del circuito.

Voltaje de rizo, Vr (rms).

El voltaje de rizo puede calcularse a partir de

Donde Idc est en miliamperes, C est en microfarads y R L esta en kilohms.

Ejemplo.

Calcule el voltaje de rizo en un rectificador de onda completa con un condensador de filtro de 100uf conectado a una carga
que consume 50 mA.

Solucin: 2.4(50)
Vr (rms) 1.2V
Ecuacin ( 19.9 ): 100

Voltaje de dc, Vdc.

Podemos expresar el valor de dc de la forma de onda a travs del condensador del filtro como.

Ejemplo

Si el voltaje pico rectificado del circuito de filtro del ejemplo anterior es de 30 V, calcule el voltaje de dc del filtro

Solucin:

Rizo del condensador de filtro.

La expresin para la forma de onda de salida de un rectificador de onda completa, y un condensador de filtro es:
Donde:
Idc est en miliamperes.
C est en microfarads.
RL esta en Kilohms

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Circuitos multiplicadores de voltaje

Los circuitos multiplicadores de voltaje se utilizan para mantener el voltaje pico de un transformador relativamente bajo, ya que
elevan el voltaje de salida pico a dos, tres, cuatro o ms veces el voltaje pico rectificado.

Doblador de voltaje
La red de la figura 2.121 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el medio ciclo de voltaje positivo a travs del
transformador, el diodo del secundario D1. conduce (y el diodo D2 est en corte), cargando el capacitor C1, hasta el voltaje
pico rectificado (Vm ).El diodo D1 es idealmente un circuito cerrado durante este medio ciclo, y el voltaje de entrada carga al
capacitor C1, hasta Vm con la polaridad mostrada en la figura 2.122a. Durante el medio ciclo negativo del voltaje del
secundario, el diodo D1, est en corte y el diodo D2 conduce carga al capacitor C2. Dado que el diodo D2 acta como un corto
circuito durante el medio ciclo negativo (y el diodo D1, abierto), pueden sumarse los voltajes alrededor del lazo externo (vase
la figura 2.122b):

de lo cual:

En el siguiente medio ciclo positivo, el diodo D2 no est conduciendo y

el capacitor C2 se descargar a travs de la carga. Si ninguna carga
est conectada a travs del capacitor C2, ambos capacitores
permanecen cargados, C1 a Vm y C2 a 2Vm. Si, como pudiera
esperarse, existe una carga conectada a la salida del doblador de
voltaje, el voltaje a travs del capacitor C2 cae durante el medio ciclo
positivo (en la entrada), el capacitor se recarga hasta 2Vm durante el
medio ciclo negativo. La forma de onda de la salida a travs del
capacitor C2 es la de una seal de media onda filtrada por un filtro
capacitor. El voltaje pico inverso a travs de cada diodo es de 2Vm.

Otro circuito doblador es el doblador de onda completa de la figura

2.123. Durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del
transformador (vase la figura 2.124a), el diodo D1, conduce carga al
capacitor C1, hasta un voltaje pico Vm. El diodo D2 no est condu-
ciendo en este momento.

Durante el medio ciclo negativo (vase la figura 2.124b) el diodo D2

conduce carga al capacitor C2, en tanto que el diodo D1, no est conduciendo. Si no hay consumo de corriente en la carga del
circuito, el voltaje a travs de los capacitores C1, y C2 es 2Vm. Si hay consumo de corriente de carga en el circuito, el voltaje
en los capacitores C1 y C2 es el mismo que a travs de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda completa.
Una diferencia es la capacitancia efectiva de C1, y C2, en serie, que es menor a la capacitancia de C1, y C2 solos. El valor
menor del capacitor ofrecer una accin de filtrado ms pobre que el circuito de con un solo capacitor.

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El voltaje pico inverso a travs de cada diodo es 2V m, as como lo es para el circuito filtro con capacitor. En resumen, los
circuitos dobladores de voltaje de media onda y de onda completa ofrecen el doble del voltaje pico el pico del secundario del
transformador, y no se requiere un transformador con derivacin central sino nicamente un valor de voltaje pico inverso PIV
de 2Vm para los diodos.

Triplicador y cuadruplicador de voltaje

La figura 2.125 muestra una extensin del doblador de voltaje de media onda , el que desarrolla 3 y 4 veces el voltaje pico de
entrada. Resultar obvio para el patrn de la conexin del circuito la forma en que los diodos y los capacitores adicionales se
pueden conectar de tal forma que el voltaje de salida puede ser de cinco 6 y as sucesivamente, veces el voltaje pico bsico
(Vm).

Durante la operacin del capacitor C1 se carga a travs del diodo D1 a un voltaje pico Vm, durante el medio ciclo positivo del
voltaje del secundario del transformador. El capacitor C2 se carga al doble del voltaje pico 2Vm desarrollado por la suma de los
voltajes a travs del capacitor C1 y el transformador, durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario del
transformador.

Durante el medio ciclo positivo, el diodo D3 conduce y el voltaje a travs del capacitor C2 carga al capacitor C3 al mismo
voltaje pico de 2Vm. En el medio ciclo negativo los diodos D2 y D4 conducen con el capacitor C3, cargando C4 a 2Vm.

El voltaje a travs del capacitor C2 es 2Vm, a travs de C1 y C3 es de 3Vm, y a travs de C2 y C4 es de 4Vm. Si se utilizan
secciones adicionales de diodo y capacitor, cada capacitor ser cargado con 2Vm. La medicin desde la parte superior del
devanado del transformador (figura 2.125) ofrecer mltiplos nones de Vm en la salida, mientras que si la medicin es desde la
parte inferior del transformador el voltaje de salida ofrecer mltiplos pares del voltaje pico Vm.

El valor del voltaje nominal de salida del transformador es nicamente Vm, mximo y cada diodo en el circuito debe tener un
valor nominal de 2Vm para el voltaje pico inverso. Si la carga es pequea y los capacitores tienen poca fuga, pueden
desarrollarse de dc voltajes muy altos mediante este tipo de circuito, utilizando muchas secciones para aumentar el voltaje de
dc.

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