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Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una
tensión de polarización directa del emisor respecto a la base 1, los
portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal
de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal
P está fuertemente contaminado con impurezas y el N débilmente). Este
efecto produce una disminución repentina de la resistencia R1 y, con ella,
una reducción de la caída de tensión en la base 1 respecto del emisor, lo
que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.
Figura 1
Figura 2
Circuito 1
DISPARO PUT
Circuito
CÁLCULOS PREVIOS
FÓRMULAS A UTILIZAR
-Para el UJT
𝑅𝑏1
𝑛=
𝑅𝑏2
𝑉𝑝 = 𝑛 ∗ 𝑉𝑏𝑏 + 𝑉𝑑
𝜏1 = 𝑅 ∗ 𝐶
𝜏2 = 𝑅1 ∗ 𝐶
𝑇𝑔 = 𝑅1 ∗ 𝐶
1
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln( )
1−𝑛
-Para el PUT
𝑅2
𝑛=
𝑅1 + 𝑅2
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln(1 + 𝑅2/𝑅1)
𝑉𝑠
𝐼𝑔 = (1 − 𝑛) ∗
𝑅𝑔
𝑅1 = 𝑅𝑔/𝑛
CÁLCULOS EN EL UJT
-Asumiendo 𝐼𝑝 = 10𝑢𝐴, 𝐼𝑣 = 10𝑚𝐴,𝑉𝑣 = 3.5, 𝑇𝑔 = 50𝑢𝑠
Sabemos que:
𝑉𝑠 − 𝑉𝑣 𝑉𝑠 − 𝑉𝑝
< 𝑅𝑝1 + 2.2𝐾 <
𝐼𝑣 𝐼𝑝
1 1
= (2.2𝐾 + 𝑅𝑝) ∗ 𝐶 ∗ ln ( ) … (𝑎)
60 1−𝑛
𝒏 = 𝟎. 𝟕𝟔𝟔(𝑪𝒖𝒎𝒑𝒍𝒆)
Sabemos que n debe estar entre este rango de valores:
𝟎. 𝟒𝟓 < 𝒏 < 𝟎. 𝟖𝟐
𝑇𝑔
𝑅1 = ; 𝑅1 = 227.273(𝑛𝑜𝑐𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒)
𝐶
𝑇𝑔 50 ∗ 10−6
𝑅1 = < 100; < 100
𝐶 𝐶
𝟎. 𝟓𝒖𝑭 < 𝑪(𝑪𝒐𝒏𝒅𝒊𝒄𝒊ó𝒏)
CÁLCULOS EN EL PUT
-Se debe cumplir que Rs<100
-Asumiendo Tg=50us
Tg = Rs ∗ C
50us = Rs ∗ C
𝟎. 𝟓𝐮𝐅 < 𝐂(𝐂𝐨𝐧𝐝𝐢𝐜𝐢ó𝐧)
-Sabemos que:
𝑉𝑠
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln( )
𝑉𝑠 − 𝑉𝑝
El período es constante igual a 16.66 ms; por tanto, para valores fijos de R el
valor de n variará.
a) Disparo con C=1 Uf; R=Rp+2.2 K=52.2 K; Vs=24 V
1
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln( )
1−𝑛
1
16.6666𝑚𝑠 = 52.2𝐾 ∗ 1𝑢𝐹 ∗ ln( )
1−𝑛
𝒏 = 𝟎. 𝟐𝟕
-Asumiendo Ig=1 mA
𝐼𝑔 = (1 − 𝑛) ∗ 𝑉𝑠/𝑅𝑔
𝑅𝑔 = 17.52𝐾
𝑅𝑔
𝑅1 = = 65𝐾
𝑛
𝑅𝑔
𝑅2 = = 24𝐾
1 − 𝑛
SIMULACIÓN