Tema 1

TEMA 1
Caractersticas del transistor bipolar y
FET: Polarizacin

1.1.- Introduccin

El transistor es un dispositivo que ha originado una evolucin en el campo electrnico. En este tema se
introducen las principales caractersticas bsicas del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos bsicos
de estos dispositivos y su utilizacin en el anlisis los circuitos de polarizacin. Polarizar un transistor es
una condicin previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y
tensiones en
continua que van a circular por el dispositivo.

C
E
VCB IC
VEB IE

B VCE
B VEC
IB
IB
VBE IE
VBC IC
E
a) b)
Figura 1.1. Smbolos y sentidos de referencia para un transistor bipolar a) NPN y b ) PNP.

1.2.- Corrientes en un transistor de unin o BJT

Un transistor bipolar de unin est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el transistor
est constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la regin de base muy delgada
(< 1m). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las
corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en
la figura 1.1.b a un PNP. En ambos casos se verifica que

I E IB IC
(1.1)
y

VCE VCB VBE en transistores NPN

VEC VEB VBC en transistores PNP
(1.2)

Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del
transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que,

I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depsito Legal: SA-138-2001 1

para un transistor NPN, son:

I E I ES e VBE / VT

1 R I CS e V BC / VT

1 (1.3)

I C F I ES e VBE / VT

1 I CS e V BC / VT

1
donde IES y ICS representan las corrientes de saturacin para las uniones emisor y colector, respectivamente,
F el factor de defecto y R la fraccin de inyeccin de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP,
las ecuaciones de Ebers-Moll son:

I E I ES e VEB / VT

1 R I CS e V CB / VT
1
I C F I ES e VEB / VT
1 I CS e
V CB / VT
1
(1.4)

Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parmetros estn relacionados mediante el teorema de
reciprocidad
F I ES R I CS
(1.5)

Valores tpicos de estos parmetros son: F =0.99, R=0.66, IES=10-15A y ICS=10-15A .

IC
SATURACION

REGION DIRECTA

VCB0 V
RUPTURA

IB4

IB3
LINEAL
IB2

IB1

CORTE
VCE

Figura 1.2. Zonas de operacin de un transistor en la regin directa.

Unin de emisor Unin colector Modo de operacin

Directa Inversa Activa directa
Inversa Directa Activa inversa
Inversa Inversa Corte
Directa Directa Saturacin
Tabla 1.1. Principales modos de operacin de un transistor bipolar.

1.3.- Modos de operacin de un transistor bipolar

 En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn operando en la regin activa
directa. En esta regin existe cuatro zonas de operacin definidas por el estado de las uniones del transistor
(Tabla 1.1): saturacin, lineal, corte y ruptura; estas zonas se indican claramente en la figura 1.2 que representa las
zonas de operacin de un transistor. A continuacin se describe las caractersticas del transistor en estos modos
de operacin considerando el transistor NPN nicamente; similar resultado puede ser aplicado a transistores
PNP.

Regin activa lineal

En la regin activa lineal, la unin emisor-base est directamente polarizada y la unin base-colector
inversamente polarizada; la VBE est comprendida entre 0.4 V y 0.8 V (valor tpico de 0.7 V) y la VBC > 100mV.
En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll se pueden aproximar a

I E I ESe
VBE / VT
R
I CS
(1.6)
I C F I ESe
VBE / VT

I CS

Operando con estas ecuaciones, se obtiene una relacin entre ambas intensidades de forma que
IC F IE
(1.7)
I CO
donde
I CO I CS 1 F R
(1.8)

Sustituyendo la ecuacin 1.1 en 1.7, resulta
I C F I B F
(1.9)
1I CO
siendo
F
F
1 (1.10)
F

F , es la ganancia en corriente en continua del transistor que en las hojas de caractersticas del fabricante se
representa por hFE. Este parmetro es muy importante en un transistor de unin y define la relacin entre las
corrientes de colector y base. Al ser ICO una corriente muy baja, el segundo trmino de la ecuacin (1.9) puede
ser despreciado frente al primero. Como resultado, se obtiene una relacin muy utilizada para analizar transistores
que operen en esta regin

I
F h FE C
IB
(1.11)

La ecuacin (1.11) indica que en la regin activa lineal la relacin entre las corrientes de colector y base es
constante. Sin embargo, en la prctica la hFE de los transistores vara hasta en un 500% debido principalmente a
tres factores:

1) Proceso de fabricacin. Los transistores sufren variaciones en el proceso de fabricacin que modifican sus
caractersticas. El fabricante asigna un valor tpico (typ) a ese transistor con un rango de valores comprendido
entre un mximo (max) y un mnimo (min). Por ejemplo, el BC547B tiene, para una IC=2mA, una hFE(min)=200,
hFE(typ)=290 y hFE(max)=450.

2) Corriente de colector. La hFE vara tambin con la corriente de colector. El fabricante proporciona curvas
de caractersticas que permiten obtener la hFE para diferentes IC. En la figura 1.3 se muestra una de estas curvas
 Figura 1.3. Variacin de hFE con IC.

Figura 1.4. Variacin de hFE con la temperatura.

que incluye el valor tpico de la hFE con un rango de valores mximo y mnimo.

3) Temperatura. La dependencia de la hF E con la temperatura se puede observar en las grficas que

proporciona el fabricante para tal fin. En la figura 1.4 se describe diferentes curvas normalizadas a 25 de
hFE para temperaturas de -55C y 175C.

Regin de corte

En la regin de corte las uniones de emisor y colector estn polarizadas

en inversa; la VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a 100mV. En estas
condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll pueden ser simplificadas a:

I E I ES R
I CS
(1.12)
I C F I ES
I CS

Estas corrientes son extremadamente bajas y pueden ser despreciadas; a

efectos prcticos se puede considerar al transistor como si no existiese. Sin
embargo, en muchos circuitos resulta interesante establecer cuando se
dan las condiciones de conduccin de un transistor, es decir, fijar la
frontera entre la regin de corte y lineal. Esta frontera no es clara y el
transistor pasa de una regin a otra de una manera gradual. Es decir, el
transistor est en la regin lineal cuando tiene corrientes significativas en
Figura 1.5. Curva de IC con VBE.
sus terminales y est
en corte cuando esas corrientes son muy bajas. Normalmente, se asigna una VBE umbral (VBE ) a partir de la cual
las corrientes tienen un valor suficientemente alto; esta VBE suele estar comprendida entre 0.4 y 0.5 V. En la
figura 1.5 se muestra grficamente la relacin entre la VBE y la IC en donde se puede observar como por debajo
de 0.58 V (typ) la corriente de colector es de bajo valor (<100)

Regin de saturacin

En la regin de saturacin las uniones de emisor y colector estn polarizadas en directa; la VBE y la VBC
tienen tensiones superiores 100mV. En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll quedan reducidas a

I E I ESe R I CSe
VBE / VT VBC /

VT

(1.13)
I C F I ESe I CSe
VBE / VT VBC /

VT

La cada de tensin entre el colector y emisor es muy baja debido a que ambas uniones pn se encuentran
directamente polarizadas. De esta manera, se verifica que

VCE (sat) VBE (sat) VBC

(sat) (1.14)

siendo, de 1.13,
1 IC 1
I
V (sat) V Rln B R
CE T IC 1
1
IB F

I
I B C 1 R
VBE (sat) VT ln
I ES 1 R F

I F B IC 1 F
VBC (sat) VT ln
I CS 1 R R (1.15)

Los valores tpicos de la VCE(sat) estn prximos a 0.1 o 0.2 V y la

VBE(sat) es ligeramente superior a la de la regin lineal (0.8 V). El
transistor est operando con una relacin F (sat)=IC/IB variable
e inferior a la F de la regin lineal. En la figura 1.6 aparece una
curva tpica que proporciona el fabricante relacionando la VCE(sat)
con la IC realizada con una F(sat)=20. La VCE(sat) est comprendida
entre 70mV Figura 1.6. Curva de VCE(sat) con IC.
y 200mV, y por ello, en muchos circuitos se considera prcticamente 0
V. En esta regin el transistor se comporta de una manera no lineal.

Regin de ruptura

Las tensiones mximas que pueden soportar las uniones pn inversamente polarizadas se denominan
tensiones de ruptura. Cuando se alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del transistor debido a dos
fenmenos: ruptura por avalancha y ruptura por perforacin. El fabricante proporciona dos tensiones mximas
(VCEO, VCES) que limitan de alguna manera las tensiones mximas de polarizacin en continua los transistores.
La VCEO define la tensin mxima entre el colector y emisor, estando la base en circuito abierto, antes de que se
produzca fenmenos de multiplicacin de avalancha que incrementa exponencialmente la ICO a travs de la unin
de colector. La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en cortocircuitada al emisor, antes de
que la anchura de la regin de transicin alcance el emisor perforando la regin de base. Grficamente, en
la figura 1.7 se muestra la definicin de ambas tensiones. Por ejemplo, el transistor BC547 tiene VCES=50
V y VCEO=45 V, y son stas tensiones las que limitan las propias tensiones mximas de alimentacin.

VCEO VCES

Figura 1.7. Definicin de VCEO y VCES.

Zona inversa

En la regin inversa los terminales colector y emisor se intercambian, es decir, el emisor hace la funcin de
colector y viceversa. Las curvas elctricas son muy similares a las indicadas en la figura 1.2 aunque
las prestaciones del transistor sufren una gran disminucin al carecer de simetra; el colector est menos
dopado y tiene mayor tamao que el emisor. El efecto ms importante es la disminucin de la ganancia en
corriente en
continua que pasa a tener valores altos (p.e., F =200) en la regin directa lineal a valores bajos (p.e., I=2) en la
regin inversa lineal.

1.4- Concepto de punto de trabajo y recta de carga esttica

El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas lineales que son
utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de entrada son amplificadas a la salida y,
por consiguiente, hay un aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas
fuentes de alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos:
proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la regin lineal y
suministrar energa
al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores de corrientes
y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por
la letra Q (Quiescent operating point).

En transistor del circuito de la figura 1.8.a est polarizado con dos resistencias y una fuente de tensin en
continua VCC. En este circuito se verifica que

VCC VBE
IB
RB
(1.16)

Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces se puede relacionar las
intensidades de base y colector a travs de la hFE y asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7 V. El clculo de
las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido
por las siguientes ecuaciones:
 I V 0.7V
BQ CC
RB
I CQ h FE I BQ
V VCC I CQ R C
CEQ
(1.17)

recta de carga esttica

IC
curva de potencia mxima
VCC
VCC RC

RB RC
Q
ICQ IBQ
IC
IB
Pmax=I CVCE

VCEQ VCC VCE

a) b)
Figura 1.8. a) Circuito de polarizacin; b ) Representacin grfica del punto de trabajo Q.

En la figura 1.8.b se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a
travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada
recta de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite
inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del
circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura
1.8.b, corresponde a una recta. La tercera ecuacin de (1.17) define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al
circuito de polarizacin, de forma que

VCC VCE
(1.18)
ICRC

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a)
VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura1.8.b
y representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas.

Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar la situacin
del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para que la corriente
de colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica.
Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurar el mximo margen del punto Q a incrementos de
cualquier signo
de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que exige un
desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situacin del punto Q estar definida por las
diferentes restricciones.

1.4.1- Potencia de disipacin esttica mxima (PCMAX)

Un transistor de unin polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus terminales que le hacen disipar
energa. Esta potencia de disipacin se puede obtener aplicando la definicin de potencia absorbida por un
elemento tri-terminal, que en caso del transistor, se expresa como
 PC I BVBE I C VCE
(1.19)

Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer trmino de esta ecuacin es despreciable
frente al segundo, resultando que

PC I C VCE
(1.20)
Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (VCE, IC) de las curvas caractersticas del transistor. El
fabricante proporciona como dato la potencia de disipacin mxima de un transistor; como ejemplo, el BC547
tiene una PCMAX=500mW. En la figura 1.8.b se representa la hiprbola de potencia mxima de un transistor.
Es preciso que el punto del trabajo Q est por debajo de esa curva ya que sino el transistor se daara por
efecto Joule.

1.5.- Circuitos de polarizacin de transistores bipolares

La seleccin del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de polarizacin
que fijen sus tensiones y corrientes. En la siguiente hoja, la figura 1.9 incluye con los circuitos de polarizacin
ms tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin; adems, se indican las ecuaciones que permiten
obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos
importantes. Por ejemplo, el circuito de la figura 1.8.a es poco recomendable por carecer de
estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva trmica que autodestruye el transistor. La
polarizacin de corriente de base
de la figura 1.9 es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes discretos es el circuito de
autopolarizacin. La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener
su tensin colector-base positiva.

1.6- Transistores de efecto de campo

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes en
circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor
de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una
alta impedancia de entrada (101 2). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos
como amplificador o como conmutador. Sus caractersitcas elctricas son similares aunque su tecnologa y
estructura fsica son totalmente diferentes.

Ventajas del FET:

1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 101 2).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms
dispositivos en un C1.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin
drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir
 CIRCUITOS DE POLARIZACION DE TRANSISTORES DE UNION

Polarizacin de corriente de base

VCC VBE
IB
R 1 h FE R E
I hB
C FE
IB
VCC 1 h FE
VCE VCC IC RC RE
h FE
RB
RC Si I B I C (h FE 1)
V VBE
I B CC
RE R B h FE R E
VCE VCC I C R C R E

Polarizacin de tensin de base constante

VCC
VBB VBE
VBB IB
RC R B 1 hFE R E
RB I C h FE I B


VCE VCC I C R C 1 h FER E

RE
h FE

Autopolarizacin
VCC VCC
Indnticas frmulas al caso anterior, siendo
VBB
R R R B1R B2
RB2 RC RC B B1 || R B2
RB R B1 R B2
R B1 R B1
RE RE VBB R VCC
B1 R B2

Polarizacin de colector-base
VCC
VCC VBE
RC I B R 1 h R R
RB B FE C E
I C h FE
IB
I BR B VBE
V
CE
RE
El transistor nunca entra en saturacin

Figura 1.9. Algunos circuitos de polarizacin tpicos con transistores bipolares.

su utilizacin como elementos de almacenamiento.

7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:

 1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente
a sus aplicaciones analgicas.

1.7.- Caractersticas elctricas del JFET

El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos
regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 1.10.a se describe un esquema de un
JFET de canal n, en la 1.10.b el smbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el smbolo de un JFET de canal P.

Drenador

n Drenador Drenador
Puerta
p p
Puerta Puerta

Fuente Fuente Fuente

a) b) c)
Figura 1.10. a ) JFET de canal n. b ) Smbolo de un JFET de canal n. c ) Smbolo de un JFET de canal p.

La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En un JFET de canal
n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a
travs de canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se
encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 1.11.

ID
LINEAL

SATURACION

VGS =0
IDSS
Drenador
RUPTURA

VGS =-1V

n + VGS =-2 V
Puerta VDS
p p VGS =-3 V
+
V GS
CORTE
Fuente BVDS0 VDS
Figura 1.11. Caractersticas de un NJFET.

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores
bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son
dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a
source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A
continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

Regin de corte

En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensin entre puerta y
fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversin bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente
entre drenador y fuente. En las hojas tcnicas se denomina a esta tensin como de estrangulamiento o pinch-off y
se representa por VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una
VGS(off)=-2V.

Regin lineal

En esta regin, el JFET se comporta como una resistencia no

lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una
resistencia variable controlada por tensin. El fabricante
proporciona
curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes
valores de VGS tal como se muestra en la figura 1.12. En esta regin
el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:

3/2
1 2 VDS V GS VGS 3 / 2
rDS (on) V 1/ 2
I D DS 3 Vp 1 / 2 Vp
Figura 1.12. Resistencia drenador-fuentede

VGS Vp un transistor NJFET en la regin lineal.

VGS Vp
(1.21)
VDS

Regin de saturacin

En esta regin, de similares caractersticas que un BJT enla regin lineal, el JFET tiene unas caractersticas
lineales que son utilizadas en amplificacin. Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la
tensin VGS cuya ID es prcticamente independiente de la tensin VDS. La ecuacin que relaciona la ID con
la VGS se conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de Schockley que viene dada por

2
V
ID I DSS 1 GS
Vp
VGS Vp
VDS VGS Vp
(1.22)

donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturacin. Esta corriente se define

como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta caracterstica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de
corriente de valor constante (IDSS). La ecuacin 1.22 en el plano ID y VGS representa una parbola desplazada en
Vp. Esta relacin junto a las caractersticas del JFET de la figura 1.11 permiten obtener grficamente el punto de
trabajo Q del transistor en la regin de saturacin. La figura 1.13 muestra la representacin grfica de este punto
Q y la relacin existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacin de un transistor
utilizando mtodos grficos.

ID
recta de carga esttica

IDSS
VGS =0

IDQ

Q
VGSQ

VGS Vp VGSQ VDSQ VDS

Figura 1.13. Curvas caractersticas de un JFET.

Regin de ruptura

Una tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a travs de la unin de
puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensin de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta
cortocircuitada con la fuente; esta tensin se designa por BVDSS y su valor est comprendido entra 20 y 50 V.
Las tensiones de polarizacin nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore.

Por ltimo, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas
anteriormente para el JFET son vlidas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla
1.2.

N-JFET P-JFET
VGS<0 VGS>0
VDS>0 VDS<0
ID>0 ID<0
Vp<0 Vp>0

Tabla 1.2. Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NJFET y PJFET.

N Drenador Drenador Drenador Drenador

M Puerta
Puerta Puerta Puerta
O Substrato
S
Fuente Fuente Fuente Fuente

P Drenador Drenador Drenador Drenador

Puerta Puerta Puerta Puerta

O Substrato
S
Fuente Fuente Fuente Fuente
 Figura 1.14. Smbolos de transistores NMOS y PMOS.

1.8. Transistores MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que
utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET
ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS. Existen
dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez,
estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los
segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos los MOS de acumulacin
tambin conocidos como de enriquecimiento. La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados para
describir los transistores MOS.
En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales:
puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La puerta, cuya
dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las
placas de un condensador. Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de
inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente.
La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold (VT) y es
un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de
esta tensin son de de 0.5 V a 3 V.

puerta

L
W

DIFUSION-N DIFUSION-N

SUBSTRATO-P

Figura 1.15. Estructura fsica de un transistor NMOS

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus ecuaciones analticas
son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de operacin: corte,
lineal, saturacin y ruptura. En la figura 1.16 se muestran las curvas de caractersticas elctricas de un transistor
NMOS con las diferentes regiones de operacin que son descritas brevemente a continuacin.

Regin de corte

Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula.

Regin lineal

El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensin. Verifica las siguientes
ecuaciones:
 2
V
I D VGS VT VDS DS
2

0 VDS VGS VT y VGS VT
(1.23)
siendo
W
k
L (1.24)

un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a travs de la constante k y del tamao de la
puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).

ID LINEAL
SATURACIN +5

+4
SATURACIN
+3
VGS =+2

CORTE
+VGS VT VDS

Figura 1.16. Curvas de caractersticas de un NMOS.

Regin saturacin

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin VGS. Verifica las siguientes
ecuaciones:

2
ID
2
VGS VT

0 VGS VT VDS y VGS VT

(1.25)

siendo el parmetro descrito en la ecuacin 1.24. En esta regin, la relacin cuadrtica entre VGS e ID se
representa en la grfica de la izquierda de la figura 1.16, y de una manera similar a los transistores JFET, puede
ser utilizada para determinar por mtodos grficos el punto de polarizacin de los transistores aunque rara vez se
recurre a ellos.

Regin de ruptura

Un transistor MOS puede verse afectado por fenmenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y
roturas en la capa de xido fino de la puerta que pueden daar irreversiblemente al dispositivo.
 NMOS PMOS

VGS>0 VGS<0
VDS>0 VDS<0
ID>0 ID<0
VT>0 VT<0
Tabla 1.3. Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NMOS y PMOS.

Por ltimo, sealar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y
tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.

1.9. Polarizacin de los FET

Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET
tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige
unos circuitos de polarizacin caractersticos para este tipo de dispositivos. En este apartado nicamente
se presentan dos de los circuitos ms utilizados: polarizacin simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de
tensin
externa para generar una VGS<0, y autopolarizacin (figura 1.18), la cada de tensin en la resistencia RS debida a
ID permite generar una VGS<0.

VCC

RL 2

ID I DSS 1 VGS
Vp

NJF
ET VGS VGG
RG

VDD I D R L VDS


VGG
a) b)

ID
VCC=IDR L+VDS

IDSS VGS =0

IDSQ

Q
VGSQ=VGG

VGS Vp -V GG VDSQ VDS

c)

Figura 1.17. Circuito de polarizacin simple de un NJFET. a) Diagrama circuital. b ) Ecuaciones analticas. c )

Representacin grfica del punto de trabajo.

 VCC

RL 2
VGS
I D I DSS 1
NJFET
Vp

VGS I D R S
RG RS VDD I D(R L RS ) VDS


a) b)

ID
VCC=ID(R L+RS)+VDS

IDSS VGS =0

IDQ
1/RS
Q
VGSQ

VGS Vp -V GSQ VDSQ VDS

c)
Figura 1.18. Autopolarizacin de un NJFET. a) Diagrama circuital. b ) Ecuaciones analticas. c ) Representacin grfica del
punto de trabajo.
 Problemas

P1.1 En la figura P1.1.a se muestra las caractersticas VBE=0.6 V.

elctricas del diodo BA222. Para este diodo, se VCC
R C=6k
pide: R B=540k
a) Obtener el modelo ideal, modelo VCC=12 V RC
de fuente de tensin y modelo de fuente
de tensin con resistencia.
b) Para el circuito de la figura P1.1.b, RB
determinar el punto de trabajo del diodo
BA222 utilizando mtodos grficos.
Figura P1.2.a

VCC

RC
VBB

R C=6k
R B=800k
VBB=5V RB
VCC=10 V

Figura P1.2.b

V CC
R B1 RC

R C=RE=1k
R B1 =RB2 =200k
VCC=10 V
R B2 RE

Figura P1.1.a. Caractersticas del diodo B A22 2

Figura P1.2.c

VCC=2 V
R transistores de las figuras P1.3.a, P1.3.b y
R=20
+

VCC
= 0.8 V, VBE(lin)=0.7, VBE =0.6 V
PNP: =100, VBE(sat)=-0.2 V, VBE(sat)
Figura P1.1.b
= -0.8 V, VBE(lin)=-0.7, VBE =-0.6 V
P1.2 Calcular el punto de operacin de los circuitos
d e las figuras P1.2.a, PI2.b y P1.2.c
suponiendo q u e los transistores estn
trabajando en la regin lineal. Datos: =200,
 VCC R C=1k transistor se encuentre entre la frontera
RC R E=4k de corte y lineal.
R B1
R B1 =RB2 =12k b) Calcular IC, IB y VCE para Vi=0, 2, 4, 10
R L=2k
V
VCC=10 V
Datos: VBE=0.6 V, VBE(lin)=0.7V, VBE(sat)
RL
=0.8V, VCE(sat)=0.2V, hFE=50.
R B2 RE

P1.5 Calcular el punto de trabajo del transistor de la

figura P1.5 para hFE=50, 100 y 200.
Figura P1.3.a Datos: VCE(sat)=-0.2 V, VBE(sat)=-0.8 V,
VBE=-0.6 V.
VCC

RC VCC

Vo
RE
RB
Vi R C=12k
R B=200k VCC=-15 V
VCC=12 V R E=2k
RB
R B=200k
Figura P1.3.b
Figura P1.5
VCC
P1.6 El circuito de la figura P1.6 es una fuente de
RE corriente (IC es independiente del valor de RL).
Si =200, calcular:
VCC=-15 V
R E=2k a) Valor de IC.
RB
R B=200k b) Rango de RL para que el circuito
funcione correctamente como fuente de
Figura P1.3.c corriente.

VCC VCC

VCC=12 V VCC=12 V
RL RL
VBB=2 V VBB=2 V
R E=430 R E=430

+ RE + RE
VBB VBB

Figura P1.4 Figura P1.6

P1.4 Para el circuito de la figura P1.4, se pide:
a) Calcular IC, IB y Vi que hacen que el
transistor se encuentre entre la frontera
de saturacin y lineal.
b) Calcular IC, IB y Vi que hacen que el
P1.7 Calcular el punto de trabajo de los transistores
de los circuitos de lsa figuras P1.7.a y P1.7.b
Datos: Transistor: VBE =0.6 V, VBE(lin)=0.7V,
VBE(sat)=0.8V, VCE(sat)=0.2V, =50; Diodos:
Vd=0.7 V y Vz=3.6 V.
 P1.8 Calcular el valor de las resistencias que
VCC
R B1 =100k polarizan a los transistores en el punto de
R B2 =1k RC trabajo indicado en las figuras P1.8.a y P1.8.b.
R B1
R C=100
R E=1k
VCC=10 V VCC

D1 RC

D2 RE RB IC=2.01mA
IB=40.1A
VCE =14 V
R B2 VCC=20 V
=50 RE

Figura P1.7.a
Figura P1.8.a
VCC

RC VCC

R B1 RC
RB R B=47k
R C=RE=1k IC=0.85mA
VCC=10 V
VCC=22 V IB=6.05A
D1 VCE =12.22 V
RE =140
R B2 RE

Figura P1.7.b
Figura P1.8.b

Figura P1.9.a. Curvas caractersticas del transistor NJFET BF245A.

P1.9 El BF245A es un transistor JFET de canal N
15 V
para aplicaciones d e amplificacin en
ID=0.6mA RD
VHF/UHF. Las caractersticas DC de este JFET VGS =1 V
se muestran en la figura P1.9.a. Con VDS =6V
esta informacin determinar el punto de BF245A
trabajo de los transistores de las figuras
RS
P1.9.b, P1.9.c y P1.9.d. RG

VCC
VCC=15 V
R D=1.6k RD Figura P1.10.a
R S =600
R G=5M 15 V
BF245A
R G1 RD
RS
RG ID=1 mA
VGS =1,2 V BF245A
VDS =7 V
RS
Figura P1.9.b R G2

VCC
RD Figura P1.10.b
R G1
VCC=15 V
R G1=75k
P1.11 Determinar el punto de trabajo de los
R G2=11k BF245A transistores NMOS indicados en la
R D=1k5 RS
figuraa P1.11.a y P1.11.b.
R S =1k R G2 Datos: k=33A/V 2 , VT=1 V.

VCC
Figura P1.9.c R G1 RD

VCC VCC=15V W=10m

L=2m
R G=1k
BF245A R L=1k VCC=10V
VGG=1 V R G2 R G1=RG2=10k
R D=2k

RL
Figura P1.11.a
RG BF245A

VCC

VGG W=24m
L=2m
Figura P1.9.d R G1

P1.10 Polarizar a los transistores de las figuras

P1.10.a y P1.10.b en el punto de operacin RL
W=5m
sealado. Comprobar e l resultado por L=2m

mtodos grficos. R G2 VCC=10V

R G1=RG2=20k
R L=20k
Figura P1.11.b