Cuando se aade suficiente energa, por cualquier medio, a un
material, los electrones de valencia escapan de sus tomos y se convierten en electrones libres. Por definicin, un hueco es la ausencia de un electrn; por lo tanto, por cada electrn libre que se crea, se crea tambin un hueco libre. La energa necesaria para ello es del orden entre 0.2 y 3 eV. dependiendo del material (Tabla 1), por lo tanto, una radiacin de longitud de onda entre 400 y 6,000 nm es adecuada. Este fenmeno es la base del funcionamiento de todos los fotoconductores de una pieza como se representa en la Fig. 3(a). Se observar que no es necesaria ninguna unin entre estos dispositivos, basta con una capa de material fotoconductor, cuya resistencia decrece (o cuya conductancia aumenta) proporcionalmente a la intensidad de la luz. El campo aplicado es necesario para que los electrones circulen a travs del detector y el circuito exterior, recombinndose con los huecos que existen en el extremo negativo del fotoconductor. Realmente, la idea bsica de todo fotodetector de una pieza, o de unin, es convertir la luz en una seal elctrica, o recoger los fotones incidentes en el detector con la menor reflexin posible y extraer de un modo eficiente los electrones libres resultantes. Para conseguir esto, el fototransductor debe hacerse de un material prcticamente transparente a las longitudes de onda que interesen, con un intervalo de energa menor que la energa del fotn. Es necesario un potencial exterior (o interno, autogenerado) para extraer la corriente inducida por la luz.
Figura 3. (a) Esquema de un fotoconductor de una pieza.
El proceso es algo ms complicado que el indicado en la Fig. 3, debido a los mecanismos de captacin de electrones y huecos, y a los efectos trmicos. Realmente, algunos fotoconductores de una pieza han sido fabricados con un alto nivel de imperfecciones cristalinas, en cuyo caso, varios electrones adicionales pueden penetrar desde el terminal negativo de la batera para neutralizar los huecos atrapados en la estructura cristalina. Esto origina un rendimiento cuntico (electrones de salida por fotn incidente) mayor que la unidad, lo cual no es posible ms que en los fotodetectores de unin, que se analizan en la seccin siguiente. Otros refinamientos en la fabricacin conducen a fotoconductores de una pieza de una sensibilidad extremadamente alta. En la Figura 4 el smbolo una fotografa y el corte de un fotoconductor tpico (o fotorresistor). El dispositivo est fabricado depositando, por evaporacin, el material fotoconductor sobre un sustrato de cermica. Para completar el dispositivo se aaden electrodos metlicos y se encierra en una cpsula con una ventana transparente. Los materiales que se comportan con estas caractersticas son: - En el espectro visible. + Sulfuro de Cadmio - CdS. + Seleniuro de Cadmio - CdSe. - En los Infrarrojos. + Silicio - Si . + Sulfuro de Plomo - PbS. + Seleniuro de Plomo - PbSe.
La variacin de la resistencia de un fotoconductor con la radiacin es
casi exponencial como se muestra en el ltimo dato, siendo la relacin entre las resistencias en oscuridad y con luz, del orden de 1,000: Figura 4. Smbolo, fotografa y un corte de una fotorresistencia tpica.
La respuesta espectral de varios materiales fotoconductores
intrnsecos se muestra en la Fig. 5 (Para poder establecer una comparacin, el espectro de salida de una lmpara incandescente se seala con una x). La respuesta de cualquier material cae a mayor longitud de onda porque la energa de los fotones se hace menor que la energa del intervalo de energa del material, con lo cual la energa no es adecuada para excitar los electrones de valencia hasta elevarlos a la banda de conduccin. La respuesta en la zona de longitud de onda menor (ultravioleta) es ms baja porque la absorcin tiene lugar ms cerca de la superficie. La respuesta puede desplazarse dopando el cristal. La Figura 6 muestra el tiempo de subida y el tiempo de cada de un fotoconductor de una pieza tpico. Se recordar que la resistencia de un fotoconductor de una pieza disminuye con la luz, de ah la apariencia contraria en la figura entre los tiempos de subida y de cada. El tiempo de cada es considerablemente ms largo porque lleva ms tiempo a los electrones en volver a la banda de valencia, debido a las imperfecciones cristalinas.