ELETRNICA

ANALGICA
CEL099

Prof. Pedro S. Almeida

pedro.almeida@ufjf.edu.br
Captulo 6

Transistores Bipolares
de Juno
(TBJ ou BJT)

2
Contedo
O TBJ
Esquema de construo simplificado
Analogia com diodos
Modos de Operao
Fluxos de Corrente no Modo Ativo
Direto
Parmetros Construtivos
Concentrao de Portadores
Deduo da Relao v-i
As correntes terminais
O Ganho de Corrente, b
Modelos de Grandes Sinais
Modo Ativo Reverso
Modelo de Ebers-Moll (EM)
Aplicao EM: A Saturao do
Transistor
No idealidades
Caractersticas Grficas v-i
Caracterstica Base Comum
Caracterstica Emissor Comum
Efeito Early e Resistncia de Sada
Finita
Rupturas no Transistor
Operao na Saturao, Modelos e b
Forado
Operao como Interruptor Esttico
O Amplificador TBJ em Grandes Sinais
Mxima Excurso de Sinal e Ponto Q
3
O TBJ ou BJT
Transistor Bipolar de Juno (TBJ ou BJT, do ingls: bipolar
junction transistor).
Formado por duas junes pn.
Duas possibilidades bsica: NPN e PNP.
O terminal central, denominado base, controla a corrente que
circula pelos dois terminais principais, emissor e coletor.
O transistor de ponto de contato (primeiro transistor, precursor
do BJT) foi desenvolvido no final da II Guerra Mundial
(1947/1948) por duas equipes da Bell Labs: 1) Walter Brattain e
John Bardeen e 2) William Shockley. Os trs foram premiados
com o Nobel da Fsica pela inveno do transistor.
O transistor foi considerada uma das mais importantes
invenes do sculo XX.

4
Transistor de ponto de contato

Coletor injeta lacunas na base

Corrente de coletor para base
Emissor controla corrente
Ganho base comum: = 2 a 3
5
TBJ NPN e PNP
(Estrutura Simplificada)

Simbologias:

6
Analogia com diodos
iC (C) (C) iC

(B) (B)

(E) (E)

Concluso: O modelo com diodos um tanto impreciso e no

permite compreender como possvel haver corrente
circulando de coletor para emissor. Serve para lembrar das duas
junes semicondutoras que compem o BJT
7
Modos de Operao
Caractersticas:

Corrente 0.
Amplificao.
Sem fins prticos
Tenso 0.

Caracterstica v-i:

Obs.: inversa = ativa

reversa

8
Polarizao das junes
No BJT NPN: No BJT PNP:

JBE JCB

9
Fluxo de Corrente NPN no Modo
Ativo Direto
Fluxo de eltrons Corrente
(portadores minoritrios da base) (sentido convencional)

10
 Fluxo de Corrente PNP no Modo
Ativo Direto Fluxo de eltrons
(portadores majoritrios da base)
Polarizao reversa de juno PN:
fluxo de portadores majoritrios
nulo s h fluxo de minoritrios

Corrente
(sentido convencional)

alargamento
da depleo 11
Parmetros Construtivos
O emissor a regio mais fortemente dopada (n+).
O coletor a regio que possui a maior rea, sendo
menos dopado que o emissor (n).
A base muito estreita e fracamente dopada (p).

substrato
12
13
Concentrao de Portadores (*)

(*) portadores minoritrios em excesso.

14
Deduo da Relao v i

A corrente de difuso, In

15
 As correntes de Coletor e Base
A corrente de coletor pode ser aproximada
por In:

|iC | |In|
Logo:

(*)

(*) Note a inverso de sinal.

16
Deduo do Ganho de Corrente

Obs.: tb o tempo de vida dos portadores minoritrios

(eltrons para o transistor NPN) na base.

17
O Ganho de Corrente, b
uma constante para um dado transistor.
Para transistores modernos 50 < b < 200.
Para transistores especiais, tipo Darlington, b > 1.000 A/A.
O ganho b depende inversamente:
1) da largura da base, W.
2) da razo de dopagem das regies de base
e emissor (NA/ND).
Para ganhos elevados, o que desejvel, a base deve ser estreita
e fracamente dopada.
Na prtica, b varia com diversos fatores, mesmo considerando um
nico transistor. As variaes principais se devem temperatura e
ao valor da corrente de coletor.

18
Comportamento de b

Obs.: b costuma ser

denominado hFE, devido
a uma representao de
parmetros hbridos
(quadripolos) na
configurao emissor-
comum.

escala horizontal logartmica:

Note que b varia, entre outros fatores, com o valor da corrente de coletor e
muito influenciado pela temperatura. Neste curso, vamos considerar faixas
pequenas de variao de IC, com temperatura fixa, de modo que b ser admitido
constante para a maioria das anlises e projetos.

19
A Corrente de Emissor
A corrente de emissor a soma das correntes
de coletor e base. Logo, iE = iC + iB.
Usando as expresses anteriores, possvel (C) iC
encontrar: iB
iE = iC + iC/b = iC (b +1)/b.
(B)
Ou seja
iE = [(b+1)/b ] IS e vBE/VT. (E) iE
Que permite escrever:
iC = a iE.
Onde a = b/(b + 1).
De modo que a corrente de emissor
tambm pode ser expressa por: iE = (IS /a ) e vBE/VT.
Note que b tambm pode ser expressa
em funo de alfa: b = a /(1 - a ).
O ganho a costuma ser chamado ganho
de corrente em base comum sendo
aproximadamente igual unidade.
20
Modelos de Grandes Sinais para
o BJT NPN no Modo Ativo Direto

<= Modelos T

<=Modelos p

21
Resumo

22
Exemplo h6.1
O transistor do circuito ao lado possui ganho +10 V
de corrente b = 100 e IS = 0,1 pA. Calcule os
valores das corrente terminais, da tenso de 47R iC
coletor e da constante a.
iB (C)
(B)
Soluo.
Para se calcular a corrente de coletor,
emprega-se a expresso exponencial. 0,7 V (E) iE
Assim, iC = IS e vBE/VT = 0,1p e 0,7/25m 0,1446 A
iC 144,6 mA.
Para se encontrar o valor da tenso no coletor,
basta aplicar a LKT:
vC = 10 0,047x144,6 = 3,2 V. Por fim, a corrente de emissor pode
O valor da corrente de base pode ser ser encontrada pela LKC aplicada ao
encontrado pela relao de ganho entre iC e iB. n formado pelo prprio transistor.
Assim, iB = iC /b = 144,6 / 100 = 1,45 mA. Neste caso, iE = iC + iB , que leva a:

iE = 144,6 + 1,45 = 146,05 mA

23
Exerccios
Ex. 5.1 (Sedra): Considere um
transistor npn com vBE = 0,7 V com iC =
1 mA. Calcule vBE para iC = 0,1 mA e 10
mA.
Soluo: Usando a equao
exponencial, possvel adotar as
manipulaes que foram usadas para
o diodo de juno no captulo 3:
V2 V1 = VT ln (I2 / I1). Dessa forma,
pode-se escrever V2 0,7 = 0,025 ln
(0,1 / 1), que resulta em V2 = 0,64 V.
De modo similar:
V2 0,7 = 0,025 ln (10 / 1) = 0,76 V.
Ex. 5.2 (Sedra): Medies em um TBJ
npn inserido em um dado circuito
mostram que a corrente de base de
14,46 mA, a corrente do emissor de
1,460 mA e a tenso emissor-base
de 0,7 V. Para essas condies calcule
a, b e IS.
Soluo: Sabe-se que iC = b iB e
iE = iC + iB. Logo, iB = [1 / (b +1)] iE .
Com isso, e com os valores do
enunciado possvel encontrar
b = 100. Mas a = b / (b +1) = 0,99.
Com estes dados possvel encontrar
iC = b iB = 1,446 mA. Finalmente, IS
pode ser encontrado pela equao
exponencial: iC = IS e vBE/VT. De modo
que 1,446m = IS e 0,7/0,025 , que leva a
IS = 1015 A.
24
O Modo Ativo Reverso
Consiste na polarizao direta da juno base-coletor e reversa
da juno base-emissor.
Devidos aos parmetros fsicos e particularidades de fabricao,
o ganho de corrente, bR, muito inferior ao observado no
modo ativo direto ( bF = b ), sendo normalmente menor que a
unidade, o que caracteriza uma atenuao e no um ganho.
Como no modo ativo direto, possvel calcular a constante a
para o modo reverso: aR = bR / (bR + 1).
Assim, numa notao mais rigorosa, tem-se para o modo ativo
direto, os parmetros aF e bF, que costumam ser simplificados
para a e b. J no modo ativo reverso, tem-se aR e bR.
Uma boa compreenso do modo reverso encontra interesse na
modelagem generalizada do comportamento do transistor,
como a empregada em determinados programas de simulao
computacional (como o Pspice ou Multisim).

25
Modelo TBJ npn no Modo Ativo Reverso

Visto que as reas das junes so

diferentes (JCB >> JEB), pode-se afirmar
que ISC >> ISE. Assim, possvel escrever:
aF ISE = aR ISC = IS.

26
Modelo Completo Melhorado
(Modelo de Ebers-Moll, ou Modelo EM)

Para o modo ativo direto

possvel obter:

27
Aplicao do Modelo EM:
Modo Saturao
JBE JBC

Proporcional
a: e vBC/VT

Obs.: Diferentemente do modo ativo, na saturao o perfil

de concentrao de portadores minoritrios na base no
chega a cair a zero nas proximidades de JBC.

28
Alterando vBC na Saturao

Saturao
aumenta
x
W

Concluso: Na saturao, a derivada da concentrao de portadores

(minoritrios em excesso) diminui, provocando a reduo de iC.

29
No idealidades
No estudo de diodos, sempre se empregou a constante n, que
definia o tipo de componente (integrado ou discreto), normalmente
adotada igual a 1 ou 2.
Para transistores modernos n prxima da unidade, com duas
excees tpicas: 1) para transistores de potncia, que operam
correntes elevadas, tem-se n prximo de 2; 2) em baixas correntes,
quando se tem n prxima da unidade. Neste curso se emprega n=1
invariavelmente, por simplicidade.
At aqui, desprezou-se a corrente reversa da juno coletor-base
devida a portadores minoritrios gerados termicamente, ICBO. Em
geral, esta corrente mesmo muito pequena e pode ser
desconsiderada. Contudo, esta corrente possui um componente
trmico significativo, dobrando de valor a cada 10oC, o que pode
implicar em alguma alterao nos valores ideais previstos para as
correntes em um transistor real.

30
Garantindo o Modo Ativo Direto

NPN PNP

Obs.: Polarizar com duas fontes cc no uma forma

usual, dado o exagero de recursos empregados.
Outros circuitos possveis sero apresentados neste
captulo.

31
Exemplo 5.1

32
Caractersticas v i
So obtidas por meio de
experimentos em laboratrio,
empregando os diferentes modos
de polarizao, circuitos tpicos e
medies dos parmetros fsicos
e variveis eltricas de interesse.
Eventualmente se pode fixar
alguma (s) das grandezas, que
neste caso tomada como
parmetro, enquanto se
observam (e se registram) as
demais variveis.

33
A Caracterstica iC vBE
iC = IS e v BE /VT

Efeito da Temperatura

34
Caractersticas Base Comum
<= Ideal

<= Real

(Leva em conta
operao com
vCB < 0, ruptura
direta e efeito Early
ver slide 34)

ruptura direta

35
Caracterstica Emissor Comum

Definem-se:

Obs.: Em geral,
bcc bca.

Regio de Corte

Obs.: As curvas incluem o fenmeno da ruptura direta,

fenmeno mais bem detalhado no slide seguinte.

36
Caracterstica Emissor Comum e
Efeito Early

iC
iB +

vCE
+
+ _
_
vBE
_

vCE

37
Incorporando o Efeito Early nos
Modelos

Obs.: O efeito Early representa a modulao

(variao) da largura da base, W.

38
Ruptura no Transistor
Fenmeno similar ao de avalanche observado em junes p-n.
Na configurao base-comum (caracterstica iC vCB), com iE = 0 a
ruptura ocorre com vCB = BVCB0. Para iE > 0 a ruptura ocorre com valores
menores que BVCB0.
BVCB0 tipicamente da ordem de 50 V.
Na configurao emissor-comum com iE = 0 a ruptura ocorre com
vCE = BVCE0. Para iE > 0 a ruptura ocorre com valores menores que BVCB0.
Neste caso (emissor-comum), o fenmeno um pouco mais complexo
que o de avalanche, ainda que continue sendo muito similar.
A ruptura (base-comum ou emissor-comum) no destrutiva, desde
que sejam respeitados os limites de dissipao de potncia do
componente.
A ruptura da juno base-emissor, que tambm pode ocorrer por
avalanche pode, por outro lado, ser destrutiva para o TBJ. A faixa tpica
de BVEB0 de 6 a 8 V.

39
Operao na Saturao

Obs.: A escala horizontal foi expandida em torno da origem para

destacar a regio de saturao.

40
Operao na Saturao (cont.)
Obs.: Com iB = IB constante.

Modelos:

41
O b Forado (b de Saturao)

Considerando:

Obtidas do modelo
de Ebers-Moll.

Obs.: Neste caso, b F = 100 e aR = 0,1.

O bforado , geralmente muito inferior ao b na ativa (bF).

42
 Modelos Grandes Sinais Simplificados

Corte:
(JBE e JBC reversas)

Ativa Direta:
(JBE direta e JBC reversa)

Saturao:
(JBE e JBC diretas)

43
Operao como Interruptor Esttico
O TBJ tambm pode ser empregado como interruptor esttico (chave).
Neste caso, evita-se a regio ativa e alterna-se entre o modo de saturao
(vCE pequeno) e corte (iC praticamente nula).
O circuito usado emprega tipicamente a topologia emissor-comum.
Operar o TBJ como interruptor resulta em perdas (em W) muito baixas, o
que uma vantagem desta aplicao.
Caso a comutao entre os modos de corte
e saturao ocorra a uma frequncia mais elevada
(> algumas dezenas de kHz) poder haver
Carga
perda no processo, devido dificuldade de se a ser
comutada
excursionar rapidamente entre as regies
extremas (corte e saturao).
A corrente de base, iB, e a tenso de base, iB
vBE, so usadas como variveis de controle
neste caso.

44
Exemplo h.6.2
Pretende-se empregar o circuito emissor-
comum para acionar uma carga que se
comporta com uma resistncia de 150 W
quando conectada a uma tenso de 15 V. Sabe-
se que o comando para se levar o transistor
saturao ser dado por um circuito lgico TTL
(VOH = 5 V) cuja mxima corrente de sada de
10 mA. Projete a resistncia de base e encontre
o valor mnimo de b para garantir operao na
saturao.
Soluo: Neste caso, vI = 5 V. Considerando vBE
= 0,7V, pode-se encontrar RB por: iC = (15 0,2) / 150 = 98,7 mA.
RB = (5 V 0,7 V) / 10 mA = 430 W. Com este valor de corrente
Pode-se usar um valor comercial igual a 470 W, possvel encontrar o ganho de
que resultar numa corrente de base um pouco corrente terico como sendo
menor (9,15 mA). 98,7mA/9,15mA = 10,7 A/A.
Pelo enunciado, VCC = 15 V. Considerando vCE Desta forma, se um transistor com
na saturao igual a 0,2 V, pode-se usar a LKT b > 10,7 for empregado, tem-se a
no circuito de sada: saturao garantida.

45
Exemplo 5.3
(Sedra)

46
 TBJ como Amplificador em
Grandes Sinais Caracterstica de Transferncia

vI = vO

Obs.: Por grandes sinais, se

entende poder operar o
transistor desde o corte (ponto
Y) at a saturao (ponto Z).
47
O Ganho do Amplificador, Av
semelhana com o MOSFET, o ganho pode ser calculado a partir da
expresso da corrente de coletor: iC = IS e v /VT .
BE

Aplicando a LKT no circuito do slide anterior obtm-se:

vCE = vO = VCC RC iC .

Assim, o ganho pode ser calculado por:

Av = (dvO/dvBE)|vBE = VI = (1/VT) IS e V /VT RC .
I

Ou seja, o ganho pode ser escrito como:

Av = IC RC / VT .

Por exemplo, com IC = 1mA, RC = 0,1k W e VT = 25 mV, o ganho de

tenso ser de |Av| = 40 V/V. Caso haja uma carga diferente,
conectada entre o coletor e o terra, o ganho poder se alterar.

48
Anlise Grfica

49
Anlise Grfica (cont.)

50
Mxima Excurso e Ponto Q

Obs.: Uma aplicao dessa anlise grfica ser acrescentada

soluo do Exemplo 5.4, nos prximos slides.

51
Anlises de
Circuitos CC

52
Exemplo 5.4 (cont.)

Complemento: Represente a caracterstica

iC vCE, a reta de carga e posicione o ponto
Q (ICQ, VCEQ) graficamente.

53
Anlise Grfica para o
Exemplo 5.4
Equao da reta de carga CC no circuito Emissor-Coletor:
vCE = VCC - RC iC - RE iE = VCC (RC + a RE) iC
Que pode ser aproximada (para b >> 1) para:
vCE VCC (RC + RE) iC
Cuja representao no plano cartesiano iC - vCE :
iC , A

1,25

1,0

0,75

0,50

0,25

2 4 6 8 10 vCE ,V
54
Exemplo 5.5

55
Exemplo 5.5 (cont.)

56
Operao em Pequenos Sinais
Neste caso, supe-se operao restrita Considere inicialmente a anlise CC, do circuito
regio ativa, com a amplitude do sinal vbe equivalente da Fig. 5.48 (b). Neste caso,
muito inferior amplitude da polarizao, possvel escrever:
VBB (por simplicidade feita igual a VBE),
como ilustra a Fig. 5.48.

Admitindo, agora, a presena do pequeno sinal,

conforme ilustra a Fig. 5.48 (b), tem-se:

que resulta em:

Fig. 5.48 (a) Circuito amplificador bsico.

(b) Circuito para anlise cc (sinal em repouso). .

57
A Transcondutncia do TBJ
Indicando a parcela cc da corrente de coletor tem-se:
Que pode ser reescrita como:

. .

Que pode ser aproximada pela Srie de Taylor-

MacLaurin truncada: Levando definio da transcondutncia do TBJ:

. .

Esta uma expresso vlida apenas se a amplitude de Note que a transcondutncia diretamente
vbe for muito inferior a nVT. Para VT = 25 mV e n = 1, proporcional ao valor de IC obtida da anlise cc.
pode-se considerar a condio de |vbe| < 5mV, que Desta forma, para garantir um valor previsvel e
denominada condio de pequenos sinais (ver Cap. 3, estvel para gm, importante garantir um
Diodos). A equao anterior pode ser reescrita como: valor o mais constante possvel para gm,
independente de diversas variaes e incertezas
. que possam ocorrer (e. g., temperatura). A
transcondutncia gm tambm pode ser definida
E separando apenas a parcela ca, pequenos sinais, da como:
corrente de coletor vem:
,
.
que leva interpretao grfica do prximo
slide.

58
Interpretao Grfica de gm

59
A Corrente de Base e a
Resistncia de Entrada da Base
Empregando equaes e parmetros anteriormente
definidos, e seguindo um procedimento similar ao
usado na anlise de corrente de coletor, possvel
escrever: Que propicia definir a resistncia vista da
base:

,
Associando as parcelas cc e ca (pequenos sinais):
. cuja expresso dada por:
Separando a parcela ca: .
.
Alternativamente, possvel escrever rp em
Assim, possvel representar a corrente de base em funo da corrente cc na base, IB:
pequenos sinais como:

60
A Corrente de Emissor e a
Resistncia de Entrada do Emissor
Seguindo procedimentos similares possvel escrever: Empregando expresses e parmetros
anteriormente definidos, possvel expressar re
. em funo de a e gm:
Associando as parcelas cc e ca:
.
.
Separando a parcela ca (pequenos sinais): possvel relacionar os dois parmetros
anteriores (resistncias da base e do emissor)
. por:
.
Assim, considerando a resistncia equivalente do diodo
base emissor, do ponto de vista da corrente de emissor,
possvel definir: Que leva a:
.
E expressando em funo da corrente cc no emissor, .
vem: E, finalmente:
.
.

61
O Ganho de Tenso de
Pequenos Sinais
Para o circuito do amplificador bsico:

Considerando apenas a parcela ca:

E definindo o ganho ca:

Lembrando que gm diretamente proporcional cor-

rente de coletor, o ganho ser to estvel quanto seja IC.
Expressando o ganho por essa corrente vem:
,
possvel aplicar a LKT na sada:
que uma expresso idntica ao que j foi deduzido
anteriormente (slide 45).

62
Modelo p-Hbrido de Pequenos
Sinais

: Circuito Equivalente de Pequenos Sinais

(fonte cc de polarizao em repouso)

(a) (b)
Duas variaes do modelo. (a) Com fonte de corrente controlada por
tenso. (b) Com fonte de corrente controlada por corrente.

63
Modelo T de Pequenos Sinais
As duas verses so:

Para o modelo da letra (a):

Se nesse modelo a corrente da fonte for

expressa em funo da correte do
emissor vem:
(a) (b)
As quais permitem obter equaes que descrevem
adequadamente o comportamento do Que leva fonte controlada do modelo T
transistor bipolar: da letra (b).

64
Modelos p e T Incluindo Efeito Early

65
 Exemplo 5.14

Figura 5.53. (a) Amplificador. (b) Circuito cc.

(c) Circuito equivalente ca p-hbrido.

66
O Amplificador TBJ Universal
+ VCC

Por simplicidade, C1 a C3
RC podem ser considerados
como possuindo
(C) (Z) reatncia nula na
frequncia do sinal.
C1 (B) C3

(X)
RB (E) (Y)
C2 Poderia ser fonte
de corrente ou outro
tipo de polarizao.
RE (Veja slide 59, Cap. 5)

VEE

Tipo X Y Z OBS.
Emissor-Comum (conv.) INP GND OUT Maior Ganho Av
Base-Comum GND INP OUT Altas Frequncias
Coletor-Comum INP OUT GND Menor Rout; Seguidor de Fonte
Emissor-Comum (var.) INP GND OUT Resistncia entre o emissor e o terra;
Reduz Ganho Av; Melhor estabilidade.

67
As Trs Configuraes Bsicas
(Circuito Equivalente CA)

Emissor-Comum Base-Comum

A mais
popular!

Coletor-Comum
68
Caracterizao como Bloco
Funcional Quaisquer das
configuraes do slide
anterior

: Bloco funcional tendo a

fonte de sinal como
entrada e a carga como
sada.

: Modelo Amplificador de
Tenso do Cap. 1.

: Circuito para avaliao da

resistncia de sada vista
da carga.

69
Amplificador Emissor-Comum (EC)

: Circuito Completo.

: Circuito equivalente
CA com o TBJ subs-
titudo por seu mo-
delo p-hbrido.

70
 Variante
do Amplificador
Emissor-Comum

Circuito Completo:

Circuito equivalente CA :
(com o TBJ substitudo
por seu modelo T)

71
Os Amplificadores BC e SE

: Amplificador Base-Comum (BC)

Amplificador Coletor-Comum:
(Seguidor de Emissor - SE)

72
 TABELA GERAL: Caractersticas dos amplificadores discretos de estgio simples a, b, c

Amplificador
EC

Amplificador
EC Variante

Amplificador
BC

Amplificador
SE

a Para interpretao de Rin, Avo e Ro, refira-se ao slide 65 (bloco funcional).

b A resistncia finita de sada do TBJ (Efeito Early), r0, foi desconsiderada. Isso pode ser adotado para amplificadores discretos,
mas nunca para amplificadores em circuitos integrados.
c Fazendo b ( a=1), trocando r por 1/g , R por R e R por R , resulta nas frmulas correspondentes para o MOSFET.
e m C D e s

73
Polarizao de Amplificadores
Tal como anunciado no estudo dos MOSFETs (Cap. 5):

A polarizao ajusta o ponto de operao na regio mais

linear do TBJ (ativa direta)
Deve prever a excurso mxima do sinal de modo a evitar as
regies no lineares (triodo e corte)
O tipo de polarizao est relacionado com a topologia
empregada
Considerando as variaes tpicas de parmetros do
componente, determinado tipo de polarizao pode resultar
em incerteza do ponto de trabalho (ponto Q)
As incertezas no ponto Q se referem, basicamente, variao
da corrente de coletor e de b, que decorrem da variao da
temperatura, troca de componentes, envelhecimento de
componentes etc.

74
 Algumas Opes bvias
(e no muito boas)
VCC

RC RC
VCC
IC VCE IC VCE
VBB
RB RB

IB IB
VBB

Obs.: Todas estas opes, apesar de estabelecerem as bases para a

polarizao no modo ativo direto, tm o ponto de trabalho (ponto Q:
VCEQ e ICQ) relativamente incerto, com grande dependncia de b (que,
por sua vez depende da temperatura, troca de componentes etc.).

75
O Arranjo Clssico (Fonte nica)

Neste caso, a corrente de

emissor (= IC /a) vale:

E para maior independn-

Circuito Original Circ. Equivalente cia de b:

76
Polarizao com Fonte Simtrica

Obs.: Resolvendo a LKT na

malha L, resulta na mesma
equao de IE do
slide anterior.

77
Polarizao com Realimentao
de Coletor
Neste caso, possvel escrever:

Que leva a:

Note que esta equao essencial-

mente idntica s equaes de IE
para as polarizaes anteriores.
Circuito Original Indicao das Observe, contudo, que RB limita a
tenses e corrente excurso CA, j que:
de interesse

78
Polarizao com Fonte de
Corrente Constante

Espelho de
Corrente

Obs.: Note que I uma fonte de corrente CC constante, sendo

implementada pelo circuito espelho de corrente, muito similar a um
circuito homnimo com MOSFET. Como naquele caso, Q1 e Q2
precisam ser casados (parmetros idnticos).
79