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La unin PN
P N
La regin de agotamiento
I a+ I d =0
x
El grfico muestra con claridad la forma en que se establecen las
concentraciones en la Unin PN.
Concentracin de huecos
aceptadores, N A , es decir:
p po=N A .
masas:
2
ni
pno=
NA
Concentracin de electrones
nno=N D .
masas:
n2i
n po=
ND
El potencial de contacto:
x 1(U 1 , P1)
x 2(U 2 , P2 )
Como la corriente de arrastre y la corriente de difusin son iguales y
opuestas para los huecos (por ejemplo) la relacin se establece as:
dU dp
pq p =q D p
dx dx
Dp K BT
= =V T
p q
dp
dU =V T
p
U2 P2
dp
dU =V T p
U1 P1
De donde se obtiene:
P1
U 21=V T ln ( )
P2
La diferencia de potencial solamente es funcin de la concentracin en
cada punto y la temperatura. Esta relacin es fundamental para el
anlisis del potencial de contacto en una unin PN.
x 1 ( U p , p po )
x 2 ( U n , pno )
Reemplazando se tiene:
p po
U np=V T ln ( )
pno
p po
U o=V T ln ( ) p no
Pero:
p po=N A
n2i
pno=
ND
Lo que permite obtener una frmula general y muy til para determinar
el potencial de contacto:
NDN A
U o=V T ln
( 2
ni )
Un anlisis adicional, permitir obtener la relacin entre las
concentraciones de huecos (o de electrones) del material P y del
material N. Se sabe que:
p po
U o=V T ln ( ) p no
Entonces:
Uo qU o
p po
=e V =e K
T BT
pno
U o=0,8258V
Ec Ec
EF
EF
EV EV
En una unin PN en equilibrio trmico el nivel de Fermi se mantiene
inalterable en cada una de las capas (P y N). El resultado se muestra en
el grfico siguiente:
P N
Uo
ECP
W=qUo
ECN
EFP EFN
EVP
EVN
p po Uo U
q K oT
e VT e B
pno
U EF EV p E F EVn
q K oT
e B
e K BT
e K BT
EV p EVn qU o
U o=0,8258V
W =qU o=0,8258 eV
Directamente.
en el material N es: xn
L=x n + x p
L
S P N
Con el siguiente grfico de ayuda se obtendr la relacin planteada:
-xp 0 xn
+
Q
+
Q
Q
q N D S x n=q N A S x p
N D x n=N A x p
Esta expresin nos dice que las distancias de las zonas de carga
espacial positiva y negativa son las mismas nicamente si ND = NA.
A medida que la concentracin de impurezas en una de estas zonas
aumente, la longitud de esta zona disminuye.
Como:
L=x n + x p
ND
x p= L
N D+ N A
NA
x n= L
N D+ N A
x
x
P x
L
E(0)
Potencial elctrico
Densidad de carga
2 U =
0
Donde
2
U
=
x
2
O simplemente
d 2U
dx 2
xn
La densidad de carga volumtrica es evidentemente:
A =q N A
D=q N D
-xp d 2U p qN A
dx 2
2
d Un qN
D
dx 2
d U n
= dx
dx
d U n
E ( x )= qNA
dx
E ( x )= dx
N
E ( x )= x +cte
0= x n+ cte
Por tanto:
cte= x
n
Uo
Por tanto, el campo elctrico (para la zona de carga espacial del
material N) ser:
E ( x )= x xn
Entonces el campo elctrico ser:
d 2V
E ( x )= ( xx n )
dx 2
O tambin:
q ND
E ( x )= ( xx n )
dV
la
De forma anloga el campo elctricoE para zona
dx de agotamiento
dx
correspondiente al material P es:
q NA
E ( x )= ( x px )
V E dx
qND
E ( 0 )= ( 0x n )
q N D
E ( 0 )= xn
Y de forma anloga:
q N A
E ( 0 )= xp
El potencial elctrico en la zona de carga espacial
q ND
E ( x )= ( xx n )
Entonces:
dU ( x ) q N D
dx
=
( xx n )
qND
U ( x ) = ( x xn ) dx
q N D x2
U ( x) =
2 (
x n x +cte)
O lo que es lo mismo:
qND x2
U ( x) =
(
x n x +cte
2 )
Cuando x=0, se tiene:
qND x2
U ( 0 )=
(
x n x
2 )
+cte=0
cte=0
Por tanto el potencial en el lado correspondiente al material n, es:
qND 2
U ( x) =
(
x n x
x
2 )
Y el potencial cuando x=xn
x 2n q N D x2n
U ( x n )=
q ND
(
x n x n =
2 )
2
q N D x2n
U ( x n )=
2
q N A x2
U ( x) =
2( x p x )
Y adems el valor del potencial en x=-xp ser:
q N A x 2p
U ( x p )=
2
U o=U (x n)U ( x p)
q N D x 2n q N A x 2p q 2 2
U o=
2
+
2 2
= ( N D xn + N A x p )
q 2 2
U o=
2
( N D xn+ N A x p)
q N D q N A
E ( 0 )= x n= xp
2 2
q N D xn q N A x p x x
U o= + =E ( 0 ) n E ( 0 ) p
2 2 2 2
E ( 0 ) E ( 0 )
U o= ( x n + x p )= L
2 2
E ( 0 )
U o= L
2
Sabiendo que:
q 2 2
U o=
2
( N D xn+ N A x p)
ND
x p= L
N D+ N A
ND 2 2
2
x =
p
(
N D+ N A
L
)
NA
x n= L
N D+ N A
2
NA
x 2n=
( N D+ N A )L2
2 2
U o=
q
2
ND
NA
( (
N D+ N A
L2 + N A
ND
)
N D+ N A
L2
( ) )
2
q L ND NA
U o= ( N + N A)
2 ( N D + N A )2 D
2
q L NDNA
U o=
2 ( N D+ N A )
Est claro que hay dos formas de polarizacin de una unin PN, a una
se denomina polarizacin directa a la otra polarizacin inversa.
Polarizacin inversa
En polarizacin inversa, como se ha indicado, el terminal positivo de la
fuente se conecta al material N y viceversa.
Esto ocasiona una corriente de arrastre ya que los huecos del material
P, se dirigen hacia el terminal positivo de la fuente y los electrones del
material N, se dirigen hacia el terminal negativo. Intuitivamente se
puede percibir que la longitud de la zona de carga espacial, aumentar
por el vaciamiento de portadores y la barrera de potencial tambin
aumentar.
U ' 'o =U o +V f
L=
2U O 1
q ( +
1
N A ND )
Tambin aumentar al aumentar la barrera de potencial de Uo a
Polarizacin directa
U 'o=U oV f
Tensin de ruptura
U
q( oV f )
qU 'o =
En polarizacin directa.
U
q( o+V f )
qU 'o' =
U
q( o+V f )
qU 'o' =
Ecuacin simplificada del diodo
qUo
p po
=e K BT
pno
U
( oV f )
q
KBT
p po (x p 0)
=e
p no ( x n 0 )
p p (x p 0 ) p po
qUo q V f
p po (x p 0) p po
= =e K T e K
B BT
p no ( x n 0 ) pno ( xn 0 )
Entonces fcilmente se puede hacer el siguiente reemplazo:
q V f
p po p
= po e K BT
p no ( x n 0 ) pno
qVf
KB T
pn ( xno ) = pno e
qVf
KB T
I d=I d , 0 e
I d ,0 =I a ,0
Cuando existe polarizacin la corriente no es nula:
I =I dI a
Reemplazando se tiene:
qVf
(
I =I o e KB T
1 )
Esta es la ecuacin bsica de la unin PN. Se la denomina ecuacin de
Shockley.
En esta ecuacin Io es la corriente de arrastre que se genera en el
dispositivo en equilibrio trmico. Tiene un valor muy pequeo.
De ahora en adelante se hablar del dispositivo que se ha creado en
funcin de la unin: el Diodo de Unin