27

2.11 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(IGBT):

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los

atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET Fig. # 3 (A) y
por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate se controla por voltaje
como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la Fig. # 3 (B)
Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura
secundario como el BJT Fig. # 3 (C).

Fig. # 3: Smbolo del IGBT

Como el IGBT es una combinacin de una estructura MOS y una bipolar, su

anlisis difiere de otros dispositivos de potencia. Para poder comprender su operacin
es necesario el conocimiento de la fsica de un transistor MOSFET de potencia y del
transistor bipolar de potencia.
 28

2.12 ESTRUCTURA DEL IGBT.

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT por sus siglas en ingles) es un

elemento semiconductor hbrido que puede verse como un MOSFET controlando a
un BJT, con el fin de aprovechar las ventajas de ambos. Posee un electrodo aislado
de control, como en el MOSFET y presenta una baja tensin de saturacin como en el
transistor bipolar.

Fig. # 4: Estructura interna del IGBT y Circuito Equivalente.

En la Fig. #4 puede observarse cmo la estructura del IGBT es idntica a la de

un MOSFET a la cual se le ha aadido en el drenado (colector) una unin pn que
inyecta portadores minoritarios en el canal cuando el IGBT conduce, lo que reduce
considerablemente la tensin de saturacin.

Los IGBT actuales se fabrican mediante dos tecnologas diferentes, la PT

(Punch Through) y la NPT (Non Punch Through). Los PT-IGBT se construyen con
un sustrato de tres capas P+ N+ y N-, tal y como muestra la Fig. # 4a, donde se han
 29

dibujado los componentes intrnsecos que permiten obtener su circuito equivalente

Fig. # 4b y 4 c.
Los NPT-IGBT tienen un sustrato P+ N-, lo que permite extender la regin de
carga espacial a toda la zona N-, obtenindose de esta forma dispositivos capaces de
soportar elevadas tensiones. En cualquiera de las dos tecnologas resalta la presencia
de un tiristor parsito interno entre el colector y emisor (formado por el transistor pnp
junto con el npn). El cebado de este tiristor provocara una prdida de control y la
posible destruccin del dispositivo.
En los IGBT comerciales se ha reducido la probabilidad de cebado de este
tiristor mediante una fuerte reduccin del valor de la resistencia Rp que podra
polarizar el transistor npn. Cada tecnologa emplea tcnicas diferentes para lograr
este propsito hasta el extremo actual en que los fabricantes ofertan los dispositivos
libres de este problema en rangos de corriente muy elevados con respecto a la
nominal.
Los fabricantes suelen producir dos tipos de dispositivos, uno sin diodo de
recuperacin otro con el diodo montado en el contenedor del IGBT, conectado entre
el drenador y la fuente.

COLLECTORE

NPN
GATE
SIN DIODO
EMITTER

EMITT
Fig. # 5:SmboloER
IGBT sin diodo

COLLECTORE
NPN
CON DIODO
GATE

EMITTER
 30

Fig. # 6: Smbolo IGBT con diodo

2.13 CARACTERSTICAS DE UTILIZACIN:

Un aspecto de principal relevancia que condiciona la evolucin de los

convertidores de potencia y de las posibilidades que ofrece su control, reside en el
avance sostenido de las caractersticas y variedad de los dispositivos semiconductores
de potencia durante las ltimas tres dcadas. Entre los dispositivos que han hecho
posible este desarrollo, resalta el IGBT como un componente que rene excelentes
caractersticas en un rango de trabajo que podemos denominar de media potencia. Los
lmites inferiores y superiores de dicho rango donde el IGBT es mayoritariamente
utilizado son difciles de definir, en concreto, se puede destacar en bajas potencias al
MOSFET como gran competidor y en altas al IGBT.

El IGBT es un semiconductor ampliamente utilizado hoy en da en la

electrnica de potencia, cuya tecnologa se encuentra en estos momentos en pleno
apogeo y, por tanto, en constante evolucin.

Normalmente los IGBT tienen excelentes caractersticas, tiempos de

recuperacin de decenas de nanosegundos y bajas corrientes inversas de decenas de
microamperios.

Todo ello contribuye a minimizar las prdidas por conmutacin. A diferencia

de los dispositivos bipolares los IGBT no estn afectados por el fenmeno de segunda
ruptura. Han resuelto los que en el pasado constituan los principales lmites a su uso,
es decir, alta saturacin y frecuencia de conmutacin relativamente alta. Adems,
visto que la ganancia del dispositivo bipolar de salida es baja, los IGBT no presentan
grandes problemas cuando estn en paralelo. Uno de los circuitos que es preciso
disear con atencin sigue siendo el de control.
 31

2.14 ESTADOS DEL IGBT:

El IGBT tiene dos estados fundamentales de funcionamiento estables que son

los de saturacin y el de corte. Para mantener el IGBT en conduccin se mantiene la
tensin puerta-emisor (VGE) por encima de la tensin umbral, o tensin umbral de

puerta (VGE (th)), valor cercano a los 5 V.

Cuando un IGBT entre en la zona de corte la conduccin entre colector y

emisor puede considerarse nula mientras que si el IGBT trabaja en la zona de
saturacin la conduccin entre colector y emisor es mxima.

Cuando el IGBT pasa de corte a saturacin, entre colector y emisor existe una
tensin inicialmente alta y una corriente nula, al terminar la conmutacin estos
niveles sern inversos es decir un voltaje nulo y una corriente mxima ver Fig. # 7
 32

Fig. # 7: Estados del IGBT

2.14.1 CAPACIDAD DE BLOQUEO
El IGBT no entra en conduccin cuando se le aplica una tensin negativa
entre el colector y el emisor, an teniendo una tensin positiva entre gate-emisor por
encima del valor limite.

2.14.2 CONDUCCIN DIRECTA

Para operar el IGBT en modo de conduccin directa (Forward Conduction), es
necesario aplicar simultneamente tensiones positivas entre gate-emisor y colector-
emisor. La tensin gate-emisor debe ser positiva y estar por encima de la tensin de
limite.

En conduccin, el IGBT se comporta como un transistor bipolar con una

tensin de saturacin, o tensin de saturacin colector a emisor V CESat, cuyo valor es

funcin de VGE, la corriente de colector IC y la temperatura. El IGBT se encuentra en

corte cuando, una vez terminado el proceso de apagado, la tensin V GE se mantiene

por debajo de la tensin umbral.

2.14.3 CAPACIDAD DE BLOQUEO DIRECTO

El bloqueo del IGBT, cuando esta en conduccin puede lograrse al
cortocircuitar los terminales gate y emisor, es decir, una tensin nula gate-emisor
implica el bloqueo del componente.
Una caracterstica importante del IGBT es su capacidad de bloquearse
aplicndole una tensin gate-emisor con un valor inferior al lmite, ya que la corriente
fluye por el canal MOS, el cual controla la caracterstica de salida del dispositivo. En
la prctica para realizar la conmutacin (pase a bloqueo) el gate que inicialmente
estaba sometido a una tensin, estar ligado a un circuito externo permitiendo as la
descarga de la capacitancia de entrada. Cuando los terminales gate-emisor son
 33

cortocircuitados, se utiliza para esto una resistencia muy baja, de esta manera la
tensin cae abruptamente anulndose. Como consecuencia de lo anterior la corriente
de colector tambin decrecer abruptamente hasta un cierto valor, finalmente de esta
manera la corriente del canal MOS se reduce a cero debido a los electrones.

La cada abrupta de corriente del colector causa derivadas de corriente de

colector con respecto al tiempo muy elevadas o, debido a las inductancias parsitas,
se provocan elevadas tensiones sobre el interruptor, muchas veces provocando su
destruccin. Esta cada abrupta puede alterarse controlando la tensin entre gate-
emisor durante el bloqueo. Tambin es posible percibir un decrecimiento de corriente
residual como incremento del valor de resistencia entre gate-emisor RGE.

2.14.4 TIEMPOS DE CONMUTACIN

En el transistor bipolar, los tiempos de conmutacin estn relacionados con las
formas de onda de corriente de base y de corriente de colector. En los IGBTs, el
tiempo de conmutacin esta relacionado con las formas de onda de la tensin de gate-
emisor VGE y de la corriente de colector IC. Estas formas de onda dependen de ciertos
parmetros de circuito, como son la resistencia de gate, inductancias parsitas del
propio dispositivo, capacitancias internas, resistencia interna, etc. Los valores
informados en los catlogos sirven slo como una simple orientacin. Los valores
exactos se miden y obtienen del circuito prctico. Es deseable que la resistencia de
gate sea lo menor posible para permitir una rpida carga y descarga de la capacitancia
de entrada Cies, y de esta manera reducir los tiempos de retardo y como resultado las
prdidas de conmutacin. De cualquier manera, es bastante importante mantener la
inductancia parsita del circuito de gate en un valor mnimo.

2.14.5 TIEMPO DE RETARDO Turn on Delay Time (tdon):

Tiempo que va desde la aplicacin de la orden de encendido hasta que la
corriente de colector IC llega al 10% de su valor nominal. Durante este intervalo, la
 34

tensin gate emisor VGE est al 10% de su valor final. Durante este tiempo como VGE
esta por debajo de le tensin umbral el IGBT permanece apagado. La duracin de este
tiempo depende de la capacidad parsita de entrada del IGBT C ies y de la resistencia

de gate RG.

2.14.6 TIEMPO DE SUBIDA Rise Time (tr):

Es el intervalo de tiempo siguiente al intervalo de tiempo de retardo tdon.

Tiempo que tarda corriente de colector I C en pasar del 10% al 90%

de su valor final. Su valor depende de las caractersticas del IGBT y

de RG.

2.14.7 TIEMPO DE ENCENDIDO Turn on time (ton):

Este intervalo de tiempo es denominado tiempo de entrada en conduccin. Es
igual a la suma del tiempo de retardo tdon y del tiempo de subida tr.

2.14.8 TIEMPO DE RETRASO Turn-off Delay Time (tdoff):

Tiempo que transcurre desde la aplicacin de la orden de apagado hasta que IC
disminuye hasta el 90% de su valor nominal Durante este periodo de tiempo, como
VGE es superior a la tensin umbral, el IGBT permanece encendido. La duracin de

este periodo, que depende de la capacidad parsita de entrada Cies y de RG, es

generalmente mucho mayor que el tiempo de retraso del encendido, debido a que C ies

presenta un fuerte valor cuando el IGBT conduce (VCE pequea). Durante este
intervalo se producen grandes prdidas al convivir nuevamente grandes valores de
tensin y corriente.

2.14.9 TIEMPO DE BAJADA fall time (tf):

 35

Tiempo que tarda la corriente en pasar del 90% al 10%. Este tiempo vara muy
poco con el valor de RG. En este caso, la cada de tensin en la inductancia de
embarrado se suma a la tensin de corte producindose una sobretensin en el IGBT,
siendo necesario minimizar la influencia de esta inductancia mediante un
condensador de desacoplo
2.14.10 TIEMPO DE BLOQUEO Turn off time(toff):
Este intervalo de tiempo es denominado como tiempo de bloqueo, es igual a
la suma de tiempo de retraso tdoff y el tiempo de bajada tf.
 36

Fig. # 8: Grfica de los Tiempos de Conmutacin

2.15 PARMETROS ELCTRICOS DEL DISPOSITIVO

2.15.1 CARACTERSTICA DE SALIDA

La curva caracterstica de salida es un grfico que representa la relacin entre

corriente de colector (IC) y la tensin de colector-emisor VCE, tomando como

parmetros la tensin gate-emisor VGE. En la prctica estas curvas son bastantes tiles
pues proporcionan al proyectista informacin del comportamiento de corriente de
colector y tensin colector-emisor. Como interruptor de potencia, el IGBT debe
operar en la regin de saturacin para presentar una baja cada de tensin en
conduccin directa VCESat. Esto se debe a las prdidas de conduccin, que son

proporcionales a la tensin colector-emisor VCE. Para poder operar en esta regin, la

tensin gate-emisor VCE debe ser mayor que 10V.

2.15.1.1 TENSIN DE SATURACIN:

La tensin de saturacin VCESat del IGBT, es aquella tensin que permanece
entre colector-emisor durante el estado de conduccin directo. Para un valor de
corriente de colector constante, la tensin colector-emisor VCE decrece cuando la

tensin VGE supera el valor limite, para as finalmente llegar a un valor de saturacin

VCESat. Un valor bajo de tensin de saturacin V CESat depende de la tensin gate-

emisor. Valores muy elevados entre gate-emisor (VG3E>20V) no surtirn efecto sobre

la tensin VCESat, constituyendo una especie de saturacin. La tensin de saturacin

puede tener coeficiente de temperatura negativo.
 37

2.15.1.2 COEFICIENTE DE TEMPERATURA NEGATIVO DE

(VCESat )
Se dice que el IGBT tiene un coeficiente negativo de VCESat cuando para un
incremento de temperatura de juntura de 25C hasta su temperatura mxima 125C
ocurre un decrecimiento de tensin de saturacin VCESat. Normalmente ocurre para
una corriente de colector menor igual a la corriente nominal especificada en l
catalogo (IC = ICnom). Como la caracterstica de salida del IGBT resulta de la
combinacin de las caractersticas del transistor bipolar y MOSFET, el coeficiente
negativo es por efecto del bipolar. En el GBT estas caractersticas son convenientes
debido a la reduccin de las prdidas de conduccin.

2.15.1.3 COEFICIENTE DE TEMPERATURA POSITIVO DE

(VCESat )
Se dice que el IGBT tiene un coeficiente positivo de VCESat cuando para un
incremento de temperatura de juntura de 25C hasta su temperatura mxima 125C
ocurre un incremento de tensin de saturacin. El coeficiente positivo de temperatura
ocurre normalmente para densidades de corriente de colector encima del valor
indicado en l catalogo (IC > IC nom).

Los IGBTs con caractersticas de coeficiente de temperatura positivo son

adecuados para la realizacin de paralelismo, pues provocan una buena distribucin
de corriente de colector. El IGBT puede ser adecuado para esto siempre que el
coeficiente de temperatura positivo sea dado desde corrientes de colector prximas a
cero.
 38

Es importante indicar que en la actualidad existen IGBT con ambos

coeficientes de temperatura. Existen tambin, tecnologas de fabricantes que solo
presentan coeficiente de temperatura positiva.
.
2.15.2 TENSIN DE GATE-EMISOR:

2.15.2.1 TENSIN DE GATE EMISOR LIMITE (VGE(th)):

La tensin limite (Threshold Voltaje) es la mnima tensin gate-emisor
positiva suficiente para iniciar la conduccin de corriente de colector del IGBT.
Cuando la tensin gate-emisor se incrementa desde cero, en cuanto la misma no
supera el valor de lmite, la corriente de colector no crece. Las tensiones de lmite en
los dispositivos IGBT estn dentro de los 2V hasta 5V.

2.15.2.2 TENSIN GATE-EMISOR POSITIVA (+VGE):

La tensin mxima gate-emisor positiva que debe ser aplicada al IGBT, es
especificada en la Data Shet del dispositivo como un parmetro mximo absoluto.
Una tensin gate-emisor positiva encima del valor de tensin de lmite VGEth, permite
una entrada en conduccin del dispositivo, la cual no debe ser baja para proporcionar
una tensin de saturacin VCESat reducida y como consecuencia, bajas prdidas de
conduccin. Usualmente, la mxima tensin es especificada en +20V. En la prctica,
normalmente la tensin positiva gate-emisor es asumida en +15V por
recomendaciones de muchos fabricantes debido a las limitaciones de corriente de
cortocircuito.

2.15.2.3 TENSIN GATE-EMISOR NEGATIVA(-VGE):

La tensin gate-emisor negativa, durante la etapa de bloqueo, no es necesaria,
porque, es recomendado por muchos fabricante. Si la tensin VGE, resultante de la
 39

carga, supera el valor lmite, el componente entra en conduccin, que es indeseable

en ese instante.

2.15.3 TENSIN DE SALIDA:

Esta tensin, junto con RG, es la que va a controlar las conmutaciones y los
estados de corte y conduccin del IGBT. En conduccin sta debe ser superior a 12 V
para asegurar la saturacin e inferior a 20 V para evitar la destruccin del
semiconductor (generalmente se utiliza 15 V). En el apagado, bastara con aplicar
cero voltios, aunque para que ste sea ms enrgico se suele aplicar una tensin
negativa de entre -8 V y -15 V. Para proteger la puerta es conveniente incluir zener
que limiten la tensin entre 20 V

2.15.4 TENSIN DE RUPTURA (VCES):

La mxima tensin que soporta un IGBT se denomina tensin de ruptura

colector-emisor VCES. Existen en el mercado IGBT que llegan a soportar 3,3 KV, y se
ha anunciado la aparicin de nuevos IGBT de tecnologa NPT con tensiones mximas
de 6,5 KV. La transicin entre estos dos estados se realiza durante las conmutaciones
de encendido y apagado.

Durante estas conmutaciones es necesario cargar y descargar las diferentes

capacidades parsitas del IGBT, por lo que dichas conmutaciones se vern
fuertemente influenciadas por estas capacidades y por la resistencia de puerta RG.

Antes de analizar estas conmutaciones, conviene sealar que en la mayora de

los convertidores, el encendido (apagado) del IGBT provoca el apagado (encendido)
 40

de un diodo complementario, lo que influye considerablemente en las formas de

onda de corriente y tensin.

2.15.5 POTENCIA MEDIA DE SALIDA:

Si bien el IGBT es un elemento controlado por tensin, durante las

conmutaciones se necesita una cierta energa para cargar y descargar sus capacidades.
Esta energa se disipa en RG y va a determinar la potencia media del circuito de

control. La variacin de Cies con la tensin VCE complica el clculo terico de esta
energa, utilizndose habitualmente las grficas que dan la carga de puerta necesaria.
Conociendo la variacin de tensin en Cies (variacin total de la tensin de puerta

VGE) se puede calcular la energa necesaria en cada conmutacin por medio de la

siguiente ecuacin.
1
W Cin V 2 GE
2
Como la capacidad de entrada se carga y descarga en el mismo periodo de
conmutacin, la potencia necesaria es la expresada en la ecuacin:

P f .Cin V 2 GE

2.16 TRANSCONDUCTANCIA:

Transconductancia es definida como la relacin entre la variacin de corriente

del colector y la tensin de gate-emisor.
La capacidad de conduccin de corriente de colector de un semiconductor esta
limitada por la transconductancia. En el IGBT la transconductancia sube hasta niveles
de corriente que estn por encima de su capacidad trmica y decrece en corrientes
muy elevadas. Por eso el coeficiente de temperatura negativo (que reduce la
 41

transconductancia con la temperatura) ayuda a proteger el IGBT en condiciones de

cortocircuito.

2.17 CIRCUITOS DE AYUDA A LA CONMUTACIN:

Los circuitos de ayuda a la conmutacin han sido empleados habitualmente en

los convertidores de potencia para asegurar el funcionamiento del semiconductor
dentro de las reas de seguridad. Adems, permiten disminuir las prdidas producidas
durante las conmutaciones.

En la actualidad, los IGBT presentan reas de seguridad prcticamente

rectangulares, adems de una capacidad de control desde la puerta de las derivadas de
la intensidad limitacin de la corriente inversa del diodo. Esto le permite, en
principio, funcionar sin circuitos de ayuda a la conmutacin. Sin embargo, en
determinadas estructuras y rangos de trabajo se siguen utilizando como mtodo de
disminucin de prdidas y sobretensiones.

Como circuito de ayuda a la conmutacin en el apagado se puede utilizar el

mostrado en la siguiente Fig. # 9.
 42

Fig. # 9: Circuito de ayuda a la conmutacin

Esta tcnica tiene el inconveniente de que se disipa una potencia mayor que la
que se disipara en el IGBT sin el circuito. En la actualidad se utiliza un condensador
de desacoplo colocado directamente en bornes de la clula de conmutacin para
limitar la sobretensiones durante el apagado, como se ve en dicha Fig. # 9.

En el caso del encendido, lo que se pretende con el circuito de ayuda a la

conmutacin es eliminar las prdidas en el encendido, a la vez que disminuir la
derivada de corriente y en consecuencia el sobre pico de intensidad que se genera.
Un valor caracterstico para L es el que hace que toda la tensin caiga en la
inductancia cuando la corriente en ella crece con la pendiente impuesta por el IGBT
(tiempo de subida igual a Tr) producindose as una conmutacin prcticamente sin
perdidas. Inductancias mayores provocan una disminucin de la derivada de
corriente y con ello del valor de la corriente inversa del diodo.

2.18 REA DE POTENCIA-FRECUENCIA PARA

APLICACIONES:

El transistor de potencia IGBT tiene un progreso acelerado tecnolgicamente,

pudiendo ser aplicado en potencias y frecuencias dentro de reas limitadas. Esta rea
en una referencia que simplemente indica la potencia que puede controlar un
dispositivo IGBT sin considerar la posibilidad de la tcnica del paralelismo. El
dispositivo puede sustituir sin restricciones una parte del rea ocupada por el
MOSFET de potencia ante una cierta frecuencia de operacin. Tambin puede
sustituir casi toda rea ocupada por los transistores bipolares BJTs.
 43

El dispositivo por sus caractersticas de rapidez, control por tensin, altas

corrientes y altas tensiones, puede ser aplicado en:
Conversores CA-CC. CC-CA, etc.
Inversores CC-CA.
Conversores Directos CA-CA.
Aplicaciones en general como interruptor de potencia.

2.19 REAS DE SEGURIDAD:

El IGBT es un dispositivo de conmutacin y no puede ser conducido a la zona

de amplificacin lineal o zona activa. No obstante, el IGBT se emplea como
interruptor y por lo tanto, como se ha visto anteriormente, la zona activa la atraviesa
de forma muy rpida y slo durante las conmutaciones. Esto puede provocar que en
alta tensin se produzcan sobrecalentamientos locales que pueden provocar la ruptura
del dispositivo, si no se respetan las condiciones dadas por el fabricante en las
diferentes reas de seguridad.

2.19.1 EL REA DE OPERACIN SEGURA Safe Operating Area

(SOA):
Muestra la zona de trabajo en condiciones de funcionamiento continuo o
pulsante sin problemas, siempre que se cumplan las condiciones de temperatura en las
que se realizan los ensayos. Cabe destacar que a las frecuencias de trabajo normales
del IGBT, el SOA pasa a ser rectangular, es decir que no presenta la limitacin de
segunda ruptura tpica de otros dispositivos.
 44

Limita la mxima corriente de colector IC y la tensin colector emisor VCE que

es posible aplicar al IGBT en ciertas condiciones de operacin para no provocar su
destruccin.

Proteger los IGBTs contra disturbios causados por sobrecorrientes y

sobretensiones es un tpico importante en el desenvolvimiento de circuitos de
potencia. En la prctica, se deben respetar tres condiciones de rea de operacin
segura, que son a continuacin descritas:

2.19.2 REA DE OPERACIN SEGURA DE POLARIZACIN

DIRECTA Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA):
Las curvas FBSOA limitan la mxima corriente de colector I C a travs del

dispositivo para un determinado valor de tensin colector-emisor VCE. El tiempo de

duracin de esa corriente mxima no debe exceder el valor indicado t p. Tambin

existe una curva para un flujo de corriente de colector continua CC, donde el tiempo

de duracin de los pulsos de corriente de colector es infinito (t p = ). Es importante

recalcar que los pulsos de corriente de colector con tiempo de duracin t p que fluye

por el dispositivo, son determinados por el valor de tensin colector-emisor V CE, no

son repetitivos.

2.19.3 REA DE OPERACIN SEGURA DE CONMUTACIN DE

BLOQUEO Turn-off Switching (SOA):
El rea de operacin segura de conmutacin de bloqueo es el rea delimitada
por la curva entre la corriente de colector IC y la tensin colector-emisor VCE durante
la conmutacin de bloqueo. La corriente de colector no debe superar los lmites por
motivo de disipacin de potencia. El tiempo de ocurrencia simultanea de corriente de
colector IC y la tensin colector-emisor VCE durante el bloqueo no es indicada por los
fabricantes, pues los tiempos de conmutacin son pequeos con relacin a los pulsos
 45

que el IGBT puede soportar en rea de operacin segura FBSOA. Esta es la principal
razn para que esta sea tipo rectangular.

2.19.4 REA DE OPERACIN SEGURA EN INVERSA Reversed

Biased Safe Operating Area (RBSOA):

El rea de seguridad en inversa (RBSOA) limita la zona dentro de la cual debe

permanecer el punto de funcionamiento durante la conmutacin de apagado, para un
funcionamiento repetitivo. Los IGBT fabricados segn la tcnica NPT poseen un
RBSOA perfectamente rectangular, mientras que los fabricados segn la tcnica PT
dicho rea se ve achatado a partir del 80% de la tensin mxima. Por esta razn los
PT-IGBT generalmente necesitan circuitos de ayuda a la conmutacin mientras que
los NPT-IGBT habitualmente trabajan sin ellos.

2.19.5 REA DE OPERACIN SEGURA DE CORTOCIRCUITO

Short Circuit Safe Operating Area(SCSOA):
Algunos fabricantes han dotado a sus dispositivos de un lmite intrnseco de
la corriente en caso de cortocircuito. El valor de este lmite depende de la V GE. Para el
caso tpico de una tensin de puerta de 15 V, este lmite puede ir desde 10 veces la
corriente nominal en el caso de IGBT de baja potencia hasta 3 veces los de gran
potencia. El IGBT es capaz de soportar este punto de funcionamiento durante un
tiempo limitado (generalmente 10 s para una VGE de 15 V). En caso de no conmutar
a corte dentro del tiempo mximo, el tiristor interno parsito entrar en conduccin
provocando la destruccin del dispositivo (efecto Latch up). Adems hay que
respetar la zona de funcionamiento indicada en el rea de seguridad de cortocircuito
(SCSOA, Short Circuit Safe Operating Area) si se desea aprovechar esta
caracterstica de Proteccin. Esta rea establece un lmite de corriente y otro de
tensin. El de corriente impone la VGE mxima que se puede dar durante el
 46

cortocircuito. El lmite de tensin en algunos casos es menor que la tensin nominal,

y por lo tanto puede limitar la tensin mxima de trabajo. A la hora de calcular sta,
hay que tener en cuenta la sobretensin producida en las inductancias parsitas
durante el corte. Nuevamente la tecnologa PT resulta ms crtica y requiere mayor
atencin a la hora de implementar la proteccin de cortocircuito.

El rea de operacin segura de cortocircuito no es generalmente mostrada por

los fabricantes de los dispositivos, pero existe un consenso generalizado de todos
ellos indicando que los dispositivos son capaces de soportar corrientes de colector de
cortocircuito del orden de seis veces la corriente nominal para clase de 600V y ocho
veces para clase de 1200V. La proteccin de cortocircuito debe ser ajustada para
actuar un tiempo menor al indicado. La proteccin utilizada para estas situaciones
debe ser activa, esto implica que el dispositivo debe ser bloqueado a travs del gate
del dispositivo aplicando una tensin nula.

2.20 FENMENO Latch-Up:

En el IGBT es posible observar la formacin de un tiristor parsito, la entrada

en conduccin de este tiristor provoca la prdida de control de corriente de colector a
travs del gate del dispositivo, este fenmeno se denomina Latch-Up. El tiristor
entra en conduccin cuando el transistor bipolar NPN se polariza, lo que es altamente
indeseable pues causa la destruccin del dispositivo IGBT por exceso de temperatura.
Si se diera el fenmeno Latch-Up es imposible realizar una proteccin activa del
gate. Solamente una reduccin de tensin de colector-emisor o la inversin de la
polaridad ambas difciles de realizar en la prctica- podran salvar al componente de
la destruccin.

El fenmeno Latch-Up puede ocurrir durante los modos de operacin

esttico y dinmico.
 47

El Latch-Up esttico: Ocurre por exceso de corriente de colector durante

el estado de conduccin. El fenmeno puede ocurrir tambin en situaciones de
corriente de cortocircuito.

El Latch-Up dinmico: Ocurre durante la conmutacin, por la presencia de

derivadas de corriente o tensin. Este fenmeno puede ocurrir a bajas densidades de
corriente. Es importante sealar que existe menor peligro de Latch-Up dinmico
cuando se ha incrementado el valor de la resistencia entre gate-emisor, lo que propicia
una descarga lenta de la capacitancia de entrada. En ambos casos aumenta el peligro
de Latch-Up con el aumento de temperatura.

2.21 AISLAMIENTO:

En muchas ocasiones, el emisor del IGBT se encuentra a un potencial

variable, siendo necesario aislar elctricamente la seal de control o bien darle un
potencial flotante.

Para el primero de los casos resulta necesaria la utilizacin de transformadores

de impulsos u optoacopladores. Actualmente sobre todo para optimar la gestin de los
componentes electrnicos se ha aumentado el uso de optoacopladores ya que
permiten una solucin que con un solo elemento asla los dos circuitos y excita la
potencia final. Estos dispositivos requieren una baja corriente de encendido del diodo
emisor interno, por lo que pueden ser encendidos y apagados por una sola puerta,
soportan grandes variaciones de tensin por unidad de tiempo y suministran
corrientes de chispa y de extincin capaces de controlar cargas ligeramente
capacitivas.

La eleccin de uno u otro sistema depende de las exigencias de aislamiento

necesarias. Tanto en el encendido como en el apagado del IGBT se producen
derivadas de tensin bruscas que pueden traducirse en corrientes que se deriven a
 48

travs de las capacidades parsitas del transformador u optoacoplador. Un

optocoplador posee una capacidad parsita mayor que la de un transformador, por lo
que su uso queda limitado a aplicaciones con tensiones inferiores a 850 V CC.
Recientemente, y sobre todo en equipos de altas potencias donde el nivel de
compatibilidad electromagntica es ms exigente, se debe considerar el mtodo de
transmisin de los disparos desde la unidad de control de convertidor a travs de fibra
ptica. Cada vez son ms los fabricantes de circuitos de control que estn
incorporando este sistema para aplicaciones de alta potencia donde el hardware de
control se encuentra alejado del de potencia.

2.22 CIRCUITOS DE CONTROL:

Los circuitos de control de los dispositivos de potencia forman parte de un

circuito muy importante, ya que deben abrir y cerrar los interruptores del puente de
salida en la secuencia correcta y adems aislar la electrnica de control conectada a
los circuitos a los que tiene acceso el usuario y la electrnica de potencia que est
conectada a la red. Es aqu donde se presenta la necesidad de implementar un
circuito el cual es el encargado de adecuar esta seal de control a las exigencias del
IGBT. Este circuito suele ser generalmente un componente comercial, aunque se
puede realizar un diseo propio.

2.22.1 CORRIENTE MXIMA DE CONTROL:

La corriente mxima que debe ser capaz de proporcionar el circuito de control

es igual a la variacin total de la tensin de puerta VGE dividida entre RG.
 49

Sobre estos circuitos trataremos mas adelante en el CAPTULO III sobre su

construccin y funcionamiento ms detalladamente.
.
2.23 CRITERIO DE ELECCIN DEL IGBT:

Cuando va a ser utilizado un IGBT en un conversor es necesario tener un cierto

criterio para escoger cual va a ser el dispositivo mas adecuado. Para esta finalidad el
criterio de eleccin esta basado principalmente en el conocimiento de la tensin y
corriente a travs del dispositivo en condiciones de operacin durante la conduccin
(modo esttico) y operacin durante la conmutacin (modo dinmico). Estos
parmetros deben encontrarse dentro de las reas de operacin segura (SOA) del
dispositivo que se pretende utilizar, porque ello garantizara un buen funcionamiento.
Si esto fuera posible no existir el peligro de su destruccin por exceso de tensin o
sobrecorriente (sobretemperatura), portando, el dispositivo IGBT escogido ser el
adecuado para la aplicacin. Este criterio puede ser aplicado para cualquier conversor
que utiliza IGBTs como interruptor.

2.24 ELECCIN DE LA RESISTENCIA DE PUERTA RG:

En un principio sera conveniente utilizar una resistencia de puerta de muy

bajo valor para obtener mayores velocidades de conmutacin y por lo tanto menores
prdidas. Sin embargo, una pequea RG durante el encendido provocara una fuerte
derivada de corriente durante el apagado del diodo, lo que implica un gran valor de
pico de la corriente inversa del diodo (proporcional a la raz cuadrada de dIC/dt). En

la prctica, el valor de RG durante el encendido viene impuesto por la limitacin de la

corriente inversa del diodo y no por la capacidad de conmutacin del propio IGBT,
que generalmente es mayor. En el apagado, la influencia de R G en tf es mucho menor,

lo que permite utilizar pequeos valores de R G para disminuir las prdidas y el tiempo
 50

de retraso sin aumentar considerablemente la dIC/dt. Por ello se suele optar por poner

una resistencia con un diodo en antiparalelo con RG, lo que permite disponer de

valores de RG diferentes en el encendido y el apagado. Incluso en bajas potencias se

coloca nicamente el diodo. Por tal, la resistencia debe disipar la potencia calculada
anteriormente.

2.25 PRDIDAS EN EL IGBT:

En todo semiconductor que funciona en conmutacin se dan dos tipos de

prdidas: estticas y dinmicas. Las prdidas estticas son las producidas durante los
estados de corte y conduccin. Las prdidas en corte son muy reducidas y por tanto
despreciables. Sin embargo, debido a la alta tensin de saturacin de los IGBT las
prdidas de conduccin Pcond pueden llegar a ser importantes, segn se seala en la
siguiente ecuacin.

tcond
Pcond VCEsat I C f tcond VCEsat I C
T

Donde: T: Es el perodo de conmutacin.

tcond: Es el tiempo de conduccin en cada perodo.
f: Es la frecuencia de conmutacin.
Ic: Corriente de colector.

VCESat: Tensin colector emisor de saturacin.

Las prdidas en conmutacin se originan durante el encendido P on y el

apagado Poff. Si bien estas conmutaciones se realizan de forma muy rpida, la energa
que se disipa durante ellas es muy grande al coincidir, como se ha visto
 51

anteriormente, grandes valores de corriente y tensin. Las prdidas de encendido son

generalmente mayores que las del apagado debido al pico de intensidad provocado
por la corriente inversa del diodo complementario.

En caso de corrientes no constantes intervienen elementos que exigen un

tratamiento delicado a la hora de calcular las prdidas producidas. Las prdidas en un
IGBT van a provocar una elevacin de su temperatura de unin (T j), la cual no puede
en ningn momento superar su valor mximo dado por el fabricante, actualmente
150C, salvo riesgo de destruccin del componente. Esta temperatura depende de las
prdidas en el semiconductor, de la temperatura ambiente (T a) y de las resistencias

trmicas unin-encapsulado (Rthjc), encapsulado-radiador (Rthcs) y radiador ambiente

(Rthsa). De estos factores, tanto la temperatura ambiente como las resistencias

trmicas Rthjc y Rthcs estn determinadas de antemano y no se pueden modificar. Por

ello, nicamente a travs de las prdidas y de la resistencia trmica R th se puede

controlar la temperatura de la unin.

Si se tienen unos requerimientos determinados de intensidad, tensin y

frecuencia de conmutacin para un IGBT, se pueden calcular las prdidas totales y,
teniendo en cuenta la temperatura mxima de la unin, se obtendr el valor mximo
de Rthha. Sin embargo, puede ocurrir que el radiador necesario no sea viable
tecnolgica y/o econmicamente. En este caso, el radiador elegido resulta ser un
requerimiento para el diseo trmico del IGBT y su valor de Rthha limita, para una
determinada temperatura mxima de la unin, las prdidas totales que pueden ser
evacuadas del IGBT.
 52

Una vez calculadas las prdidas totales mximas se pueden resolver de forma
iterativa la ecuacin de las prdidas totales y llegar a un compromiso entre intensidad
mxima y frecuencia de conmutacin.

2.26 PARMETROS INTERNOS DEL IGBT QUE HAY QUE

TENER EN CUENTA PARA LAS PROTECCIONES:

2.26.1 TRMICO DEL DISPOSITIVO:

El parmetro limitante de corriente de colector de un IGBT de potencia (como

la mayora de los semiconductores de potencia) es la mxima temperatura permisible
en la juntura Tj. Esta temperatura no debe traspasar los valores lmites indicados por
el fabricante, en caso contrario, provocara su destruccin. Para disipar el calor
generado por l dispositivo y mantener la temperatura de juntura dentro de los
limites, es necesario montarlo sobre un disipador de calor (Heat Sink) con
resistencia trmica Rthsa adecuada. Para determinar la resistencia trmica, es
imprescindible cuantificar la energa disipada en un periodo de conmutacin, que es
el prximo parmetro que deber ser calculado.

2.26.2 ENERGA DISIPADA:

Esta energa puede ser subdividida en; energa durante la conmutacin para
entrada en conduccin Won, energa en rgimen de conduccin Wcond y energa

durante la conmutacin en el bloqueo Woff.

Durante la conmutacin, pueden ocurrir tres formas de onda tpicas de corriente de
colector y tensin colector-emisor.

2.26.3 TEMPERATURA DE JUNTURA:

 53

En caso de la utilizacin del IGBT en bajas frecuencias de conmutacin

menor que 3KHz se debe considerar que en esta banda de frecuencia, la temperatura
de juntura Tj oscila con la frecuencia del pulso tanto mas cuanto menor sea la

frecuencia. En este caso es necesario calcular el valor mximo Tjmax de temperatura

de juntura para esta oscilacin.

2.26.4 RESISTENCIA TRMICA DEL DISIPADOR

Para determinar la resistencia trmica del disipador que esta unida a un
semiconductor, es necesario conocer la potencia media total disipada PTOTAV.
La temperatura mxima de juntura es un dato dado por el fabricante. La resistencia
trmica juntura-capsula es la resistencia trmica capsula-disipador que es dado por el
fabricante.

El IGBT no posee diodos inversos intrnsecos como acontece con el MOSFET

de potencia, ellos son ligados externamente a la pastilla, y posteriormente cubiertos
con una misma resina trmica. Los diodos son formados de chips discretos con
propiedades optimizadas, ligados en antiparalelo con los IGBTs.

2.27 PROTECCIONES:

Otro tema que se debe valorar a la hora de elegir un circuito de control son las
protecciones que incorpora. Las protecciones que suelen incorporar algunos circuitos
de control son contra cortocircuito, de tensin mnima y de apagado suave.

La proteccin contra cortocircuito y sobrecorriente acta cuando la tensin de

saturacin sube por encima de un determinado valor (generalmente ajustable)
cortando el disparo por puerta y enviando una seal de alarma.
 54

La proteccin por tensin de alimentacin mnima corta los disparos en caso

de detectar una tensin de control insuficiente para asegurar la saturacin del IGBT
(<12 V), lo que provocara su destruccin por sobrecalentamientos. Por ltimo,
algunos incorporan un sistema de apagado suave en caso de cortocircuito o de
sobrecorriente.

Cuando se da una de estas situaciones resulta conveniente apagar el IGBT de

forma suave para controlar la derivada de corriente y disminuir el pico de tensin en
el apagado. Para ello, en algunos circuitos de control se activa un transistor de forma
que pone en serie dos resistencias de apagado realizando el descenso de la intensidad.

2.28 FALLOS DE FUNCIONAMIENTO EN EL IGBT:

Los fallos en el funcionamiento de un IGBT pueden ser debidos tanto a fallos

del driver como del propio dispositivo. Cuando las causas del problema son debidas a
fallos en el driver, el IGBT puede quedar tanto en cortocircuito como en estado de
corte. Sin embargo, cuando por alguna causa externa el IGBT sufre algn dao o bien
el tiristor interno parsito se dispara, el estado natural en que quedar el dispositivo es
el de cortocircuito. Ahora bien, cuando el IGBT entra en cortocircuito (por cualquiera
de las dos causas), las sobrecorrientes que se producen provocan en la mayora de los
casos la fusin de los cableados internos del IGBT, dejando a ste en circuito abierto.
Por ello, habitualmente se dice que el IGBT en caso de ruptura queda en circuito
abierto.

2.29 CONEXIN DEL IGBT EN PARALELO:

La conexin paralelo de dos o ms IGBT responde habitualmente a dos

razones fundamentales: a la inexistencia de un nico dispositivo capaz de
 55

proporcionar la potencia necesaria en la aplicacin, o a una reduccin de coste, al

resultar en ocasiones el empleo de un nico dispositivo ms caro que varios de menor
potencia.
La implementacin paralela de IGBTs es una operacin delicada y debe
asegurar una reparticin equilibrada de la corriente y que las temperaturas de ambos
sean similares.

Los IGBT tipo PT no resultan adecuados para su colocacin en paralelo, sobre

todo debido a su coeficiente de temperatura negativo, siendo necesario realizar una
seleccin previa de los elementos y emplear tcnicas de fijacin fsica en los
radiadores que aseguren el equilibrado de temperaturas. Sin embargo, empleando
IGBT de tecnologa NPT no hace falta tener tanto cuidado ya que poseen coeficiente
de temperatura positivo que tiende a equilibrar la corriente que circula por ellos.