SEL 0450 SEMICONDUTORES

Prof. Emiliano R Martins

Exerccio complementar

Como veremos mais adiante no curso, existem dois tipos de

portadores de carga livres: eltrons e buracos. Buracos possuem ser
entendidos como portadores com carga igual do eltron, porm
positiva. Portanto, deslocamento de buracos para a direita resulta em
corrente para a direita (enquanto deslocamento de eltrons para a
esquerda resulta em corrente para a esquerda).
Considere o volume representado pela figura abaixo

Suponha que, na ausncia de corrente, existe uma concentrao

uniforme de buracos igual po no volume. Se passar uma corrente
no uniforme por um segmento do volume, como mostrado na figura
acima, haver uma variao na concentrao local de buracos.
Chamaremos o excesso de buracos de pe e a concentrao total de p:

p(x,t) = pe(x,t) + po

1 Utilizando a noo de conversao de cargas, mostre que o

excesso de buracos obedece relao:

pe x, t J x
q
t x
Onde |q| = 1.6x10-19 a carga fundamental do buraco.
2 Na realidade, a equao acima tem que ser corrigida, pois buracos
podem recombinar com eltrons, deixando de ser portadores livres de
carga. Como aps a recombinao o buraco no contribui mais para a
corrente, esse processo corresponde efetivamente perda da carga
livre. Em geral, a taxa de recombinao de portadores (tanto eltrons
como buracos) proporcional concentrao do excesso de
portadores. Assim, se tivermos um excesso p e de buracos livres, a
taxa de recombinao ser = p e/p, onde p chamado de tempo
de vida do portador (aqui, no caso, buracos). Note que a
quantidade de buracos que so perdidos por unidade de segundo por
unidade de volume.

Mostre que, se as perdas de portadores por recombinao forem

levadas em considerao, ento a relao provada no exerccio
anterior torna-se:

p e x, t J x p
q q e
t x p

3 Como mostrado nas notas de aula, a corrente de difuso

proporcional ao gradiente da concentrao de portadores:

p
J x q D p
x

Onde Dp o coeficiente de difuso. Assim, temos que:

pe x, t 2 pe pe
Dp
t x 2 p

Essa equao chamada de equao de difuso para buracos. Note

que ela expressa em termos do excesso de buracos. O mesmo
raciocnio poderia ser empregado para encontrar a equao de
difuso para o excesso de eltrons livres:

ne x, t 2 ne ne
Dp
t x 2 p

Mostre que, em regime estacionrio (concentrao de portadores no

varia no tempo), o excesso de buracos (ou eltrons livres) obedece
seguinte relao:

x
p e x p e 0 exp
Lp
Onde Lp = (DpP)1/2. Lp chamado de comprimento de difuso, e
expressa a distncia tpica que o portador percorre antes de sofrer
recombinao.