Procesos forzados

Corresponde a aquellos que requieren de aplicaron de energa elctrica externa

para provocar transformaciones qumicas internas, no existe equilibrio elctrico ni
qumico.
La celda de electrolisis es la unidad bsica donde se desarrolla el proceso, los
elementos activos lo conforman los electrodos (nodo (ox), ctodo (red)). Los
electrodos de igual polaridad estn conectados en paralelo a un mismo punto de
tensin y las celdas estn conectadas en serie. La asociacin de varias celdas
corresponde a una seccin y las secciones pasan a agruparse en circuito.
La corriente ingresa al sistema por el borne positivo, los nodos ingresan la
corriente elctrica.

IMPUREZAS EN EL ELECTROLITO

Las impurezas del nodo pueden ser disueltas en el electrolito o pueden

permanecer como compuestos insolubles en el barro andico.
- Elementos menos nobles que el Cu como el Zn, Ni, y Fe se disuelven fcilmente
en el electrolito y permanecen en el electrolito hasta que sean removidos por el
electrolito de descarte.
- Los elementos mas electropositivos que el Cu, como el Se, Te, Ag, Au y otros
elementos insolubles en H2SO4 como el plomo, se concentran en los barros
andicos. El plomo precipita como sulfato de plomo.
- Las impurezas que tienen un potencial de disolucin semejante al Cu, como el
As, antimonio y Bi, se encuentran en las lamas o en el electrolito con un modelo
de distribucin fluctuante dependiendo de la composicin del nodo parmetros
operacionales.
Las lamas flotantes estn compuestas por arseniatos de antimonio y arseniatos de
Bi estos pueden ser incorporados al ctodo por medio de:
1) Presencia de barros andicos desplazados por conveccin hacia le ctodo
siendo ocluidos mecnicamente.
2) Formacin de precipitados como SbAsO4 en el electrolito incorporados por
oclusin mecnica.
3) Impurezas disueltas en el electrolito las cuales son atrapadas por microespacios
entre los cristales de Cu y la superficie del ctodo.
4) Impurezas en solucin las que pueden ser codepositados como el Cu
contaminando el producto final.

Algunos efectos dainos de las impurezas sobre las propiedades fsicas del Cu,
como son ablandamiento (Te, Se, Bi, Sb,As), destemple y efecto en la T de
recristalizacion.

La incorporacin de impurezas en el ctodo ocurre principalmente por

atrapamiento de electrolito en poros o estras, o por la inclusin de la partcula
slida en reas porosas o rugosas del depsito catdico. La inclusin del material
slido ocurre por transporte desde el nodo o por precipitacin de compuesto de la
solucin.
El atrapamiento de slido y del electrolito se puede minimizar limitando la agitacin
del electrolito, controlando la i , concentraciones apropiadas del nivel de orgnico
y agentes reductores de tamao de grano (depsitos lisos y compactos).

PASIVACION DEL ANODO

Las impurezas del nodo al disolverse en el electrolito, afectan la formacin de

lamas y la viscosidad de estos provocando pasivacion del nodo.
La pasivacion genera perdidas en la capacidad de produccin, aumentos
energticos menos calidad catdica. La pasivacion es causada por una capa
adherente y no porosa en la superficie del nodo. La formacin de esta capa esta
influenciada por: densidad de corriente, composicin del electrolito, T,
composicin del nodo, flujo del electrolito.
La pasivacion aumenta marcadamente con el O2 disuelto en el nodo, alta
densidad de corriente y grandes cantidades de O2 disueltos e impurezas en el
electrolito.
La forma mas comn de pasivacion es CuSo4 o Cu2O.
El CuSo4 precipita cuando la solubilidad esta excedida debido al limitante
transporte de Cu(2+) hacia el seno de la solucin. Un aumento de O2 en los
nodos, aumenta las cantidades de Cu2O en el cuerpo del nodo. La razn por la
que el Cu2O aumenta la pasivacion del nodo es que en H2SO4 se lixivia
aumentando la concentracin de Cu(2+) en la superficie del electrodo finalmente
precipitando como CuSO4.

CONTROL DE IMPUREZAS

- El control de impurezas, son de importancia el efecto de los parmetros de

operacin como la composicin del nodo, aditivos, purificaron del electrolito y la
densidad de corriente en la determinacin de cualquier tcnica de control de
impurezas adems, es necesario considerar factores tales como, la morfologa del
deposito del nodo y las caractersticas de las partculas de las lamas.

- La concentracin de impurezas en las lamas andicas podran aparecer en

mayor concentracin que las impurezas del nodo, aumentando la posibilidad de
impurezas en el ctodo por oclusin, considerando: la naturaleza compleja de los
tomos; las partculas que las componen y su naturaleza fsica; los efectos
conectivos del electrolito; la calidad de la superpie del ctodo.
- una baja razn de As/(Bi+Sb) y una alta concentracin de plomo produce
pasivacion, mientras que una baja concentracin de Pb menor tendencia a la
pasivacion.

ADITIVOS
- Permite una adecuada calidad en el deposito catdico, la adsorcion de estos
aditivos depende de la concentracin de impurezas en el ctodo, su naturaleza.

- una pequea adicin de aditivos altera radicalmente la estructura del deposito

catdico.

- la electrocristalizacion de pende de cada metal (natural, cbico, hexagonal,

tetragonal). La superficie catdica funciona como substrato del crecimiento para el
metal cristalizado, las imperfecciones aumentan el numero de sitios activos para la
nucleacin, cuando estas imperfecciones se controlan es posible producir Cu de
alta de calidad, incluso a altas densidades de operacin.

- las estructuras que cristalizan tienen caractersticas completamente diversas, la

cantidad de impurezas dependen gradualmente de las estructuras de la
deposicin del metal cuando mas densa y mas lisa sea la superpie del deposito,
menor es la cantidad de impurezas fijadas en el ctodo.

VARIABLES OPERACIONALES

(1) TEMPERATURA: un aumento en la t significa positivamente.

Aumento de los iones aumentando la conectividad de la solucin. Menor perdida
de energa

Aumento coeficiente de difusin Cu(2+), para una velocidad de reaccin la

sobretensin ser menor. Permite trabajar a mayores i, ya que i aumenta.
Aumento Kps de CuSO4, para una concentracin dada de Cu, diminuye los
riesgos de cristalizacin de sujeto o de pasivacion.

Por el contrario tenemos que un aumento en la t:

- mayor velocidad de perdida de energa por evaporizacion rpida del

electrolito.
- riesgo de deformar o romper materiales plsticos vinlicos que estn
presentes en la celda
- mayor disolucin qumica de los nodos aumentando el Cu(+) por ende la
concentracin de Cu(2+) y Cu fino.

La T de las celdas varia entre 55-70 C, la mas importante mantener una

T uniforme a travs de la celda, evitando zonas muertas del electrolito.

(2) FLUJOS DE CELDA: el movimiento del fluido debe evitar zonas muertas, la no
uniformidad de la T y la concentracin del electrolito en las celdas.

- Gradiente de T y concentracin generan dispersin de valores de

conductividades al tener dispersin en la conductividad tendremos dispersin en
valores de corriente, por lo que habr dispersin en el consumo de nodos y
formacin de ctodos.
 - Las zonas muertas producen empobrecimiento local en Cu creando o
depositndose en cristales gruesos aislados, originando condicione aceptables
para la formacin y crecimiento de desniveles que terminan con la formacin de
dendritas, permitiendo atrapamiento de lamas y electrolito, formando ndulos.

- partculas semiconductoras (Cu2O, Ag2Se, CuS) participan en la

formacin de ndulos, las lamas contaminan fcilmente el ctodo.