A FSICA NO BRASIL

NA PRXIMA DCADA

Fsica da Matria Condensada

Sociedade Brasileira de Fsica

1990
530.0981 Sociedade Brasileira de Fsica.
s678f A Fsica no Brasil na Prxima Dcada.
Sio Paulo, Sociedade Brasileira de Fsica,
Instituto de Fsica da LI SP, 1990.
pt. ilus.

Contedo: pt.1-Fsica da Matria Con -

densada.
Fsica - Histria - Brasil
Fsica - Investigaes
t
 PUBLICAO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE FSICA

Diretoria 1987/1989 Direto ria 1989/1991

Gil da Costa Marques Gil da Costa Marques Presidente
Nelson Studart Filho Nelson Studart Filho Vice-Presidente
1-Icnrrique Lins de Barros Jos D'Alhuquerque e Castro Secretrio Gerai
Adalberto Fazzio Adalberto Fazzio Secretrio
Wido 1-1. Scheiner Wido II. Schreiner Tesoureiro
Suzana de Souza Barros Ana Ma. Pessoa de Carvalho Secretria para Assuntos de Ensino

COMISSO COORDENADORA

Gil da Costa Marques (Coordenador Geral)

Sergio M. Rezende

Oscar Sala

Carlos O. Escobar

Ibere L Caldas

Cid B. Araujo

Paulo M. Bisch

Suzana de Souza Barros

Fernando C. Zawislak

Subvencionada por

Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico

L1 CNPq

Financiadora de Estudos e Projetos

PINEP

REVISO E DIAGIZAMAAO DATILOGRAFIA

Fernando Luiz C. S. Braga Maria da Graa Braga

Laura Junqueira CaIdas

CAPA

Marcelo R. Gussoni
 COMISSO DE MATRIA CONDENSADA

COORDENAO GERAL
Sergio M. Rezende - UFPE (COORDENADOR)
Eugenio Lerner - UFRJ
Oscar Hiplito - IFQSC

SEMICONDUTORES
Alaor S. Chaves - UFMG
Adalberto Fazzio - USP
Nelson Studart Filho - UFSCAR

MAGNETISMO E MATERIAIS MAGNTICOS

Sergio M. Rezende - UFPE
Affortso G. Gomes - CBPF

SUPERCONDMVIDADE
Eugenio Lerner - UFRJ
Oscar Ferreira lima - UNICAMP
Spero P. Morato - IPEN

CRISTAIS LfQUIDOS E POIJMEROS

Antonio M. Figueiredo Neto - USP
Alaide P. Mamara - UNICAMP
Celso P. de Melo - UFPE

VIDROS, CERMICAS E CRISTAIS

Michel Aegarter - IFQSC

FMSICA ESTATISTICA e TEORIA DE SLIDOS

Silvio R.A. Salinas - USP

CRISTALOGRAFIA E ESTRUTURA DE SLIDOS

Aldo Craievich - LNLS

RESSONNCIA MAGNTICA
Horo Panepucci - IFQSC
Gaston Barberis - UNICAMP
ESPECTROSCOPIA MSSBAUER E OUTRAS TCNICAS DE CARACTERIZAO DE
MATERIAIS
Carlos Alberto do Santos - UFRN
Adalberto Vasques - UFRS
Fernando C. Zawislak - UFRS
A FSICA DA MATRIA CONDENSADA NA PRXIMA DCADA

NDICE

1. A FSICA DA MATRIA CONDENSADA. 01

2. SEMICONDUTORES .21

3. MAGNETISMO E MATERIAIS MAGNTICOS S1

4. SUPERCONDUTIVIDADE 75

5. CRISTAIS LQUIDOS E POLMEROS 93

6. CERMICAS, VIDROS E CRISTAIS 124

7. FSICA ESTATSTICA E TEORIA DE SLIDOS 145

S. CRISTALOGRAFIA E ESTRUTURA DE SLIDOS 166

9. RESSONNCIA MAGNTICA. 192

10. ESPECIROSCOPIA MSSBAUER E OUTRAS TCNICAS DE

CARACTERIZAO DE MATERIAIS 212
APRESENTAO

O projeto "A Fsica no Brasil na Prxima Dcada', cujo resultado agora tornado pblico, foi
concebido pela Diretoria da Sociedade Brasileira de Fsica em 1987. Ao longo de quase trs anos
promovemos amplas discusses com a comunidade cientfica tendo obtido, de uma parte aprecivel da
mesma, amplo apoio. Recebemos, de um grupo de mais de 50 fsicos atua nt es nas suas re as de pesquisa,
nao s apoio, mas eficiente colaboraao na elaborao dos textos depois de executarem o rduo trabalho
de coligir e analisar os dados referentes a Fsica Brasileira.
O documento contm um quadro atualizado da situao da Fsica no Brasil hoje, completando
assim, o documento anterior da 5BF'A Fsica no Brasil', publicado em 1987, e se prope a encerrar,
aci ma de tudo, uma orientao prospectiva Procura apresentar a Fsica que projetamos para o Brasil
amanha. Pretendeu-se assim, que a comunidade cientfica e a sociedade em geral tomasse conhecimento
e refletisse a respeito dos seguintes tpicos:
As direes que as diversas reas da Fsica devero tomar no Brasil e as justificativas para um tal
direcionamento.
- Os projetos de cada area, independentemente do custo, e que tenhamos competncia para realizar.
. As necessidades, em termos de recursos humanos, para a realizao deste projetos.
. O levantamento dos equipamentos existentes em nossos laboratrios, sua adequao, necessidades para
sua manutenao e aprimoramento dos mesmos.
. Os recursos financeiros para a execuo de projetos novos,dos existentes e para aqueles em andamento.
O levantamento dos recursos financeiros permite determinar quanto deveremos investir para o
cumprimento das metas de desenvolvimento da Fsica no Brasil.
Ao fornecer esses dados, acreditamos que a SBF est adicionando elementos importantes para a
formulao d: uma poltica cientifica e tecnolgica para o Pals. E tambm uma tentativa de buscar
caminhos para a atuao da Comunidade Cientifica em uma sociedade democrtica, e, antes de tudo, um
esforo coletivo no sentido de balizarmos o futuro da Fsica brasileira.
E importante ressaltar que o documento no pretende cercear o surgimento de novos projetos na
prxima dcada. A natureza dinmica da cincia far, inevitavelmente, com que surjam novas propostas.
Estas, como todas aqui apresentadas, devero ser analisadas no mrito e cm igualdade de condies com
as oferecidas neste documento.Alertamos ainda, e de forma mui especial aos rgos de fomento, para
eventuais omisses , apesar do nosso esforo e do esforo das diversas comisses, pois o presente
documento pode no conter todos os projetos relevantes da comunidade dos fsicos no Brasil.
 Finalmente, a Diretoria da SBF agradece aos diversos colaboradores que trabalharam na
elaboraao do documento e, de uma maneira especial, aos coordenadores das reas cujo trabalho e
dedicao queremos ressaltar e registrar. Agradecemos, tambm , o apoio financeiro obtido da Finep e
do CNPq sem os quais o documento mio teria se tornado vivel.

Gil da Costa Marques

Sao Paulo,24 de agosto de 1990
1. Fsica da Matria Condensada

1 .1 DESCRIO

A Fsi ca da Matria Condensada investiga os estados da matria em que os tomos constituintes estao
suficientemente prximos e interagem simultaneamente com muitos vizinhos. Ela 6 uma rea de
investigao bsica, que procura a explicaao detalhada de prop ri edades e fenmenos da matria
condensada a pa rt ir dos conceitos e das equaes fundamentais da mecnica quntica e da fsica
estatstica. So particularmente interessantes as propriedades eltricas, pticas, magnticas, mecnicas e
trmicas. Por outro lado, a Fsica da Matria Condensada tem uma enorme quantidade de aplicaes na
tecnologia moderna. Por exemplo, foi a partir de investigaes nesta rea que surgiram grandes
inovaes tecnolgicas como os transistores, os circuitos integrados, os microprocessadores, os fios
supercondutores e os lasers semicondutores que deram origem s comunicaes pticas.

Esta rea da Fsica comeou a adqui ri r caractersticas prprias apenas a partir de 1948, ini ci almente
sob o nome de Fsica do Estado S lido. At aquela poca as prop ri edades da fsica dos slidos eram
objeto de estudo como exemplo de aplicao da mectnica quntica, estabelecida cer ca de vinte anos
antes. Foi a descoberta do transistor naquele ano que deu um enorme impulso pesquisa da Fsica de
Slidos.

Na dcada de 50 os trabalhos nesta rea estavam concentrados nos slidos cristalinos, cujos ons
formam um a rr anjo ordenado peridico. Ne ss es slidos ocorrem fenmenos que no existem em
mate ri ais amorfos. Alm disso, como eles tm estrutura cristalina com propriedades de simetria bem
definidas, os fenmenos podem ser interpretados pelas leis da Fsica com mais facilidade. Com o
progresso das tcnicas experimentais e tericas de investigaao, esta rea se estendeu a mate ri ais
desordenados como os vidros, as cermicas, os polmeros, as ligas amorfas e at mesmo aos lquidos,
passando a ser conhecida como Fsica da Matria Condensada. Nesta rea da fsica trabalham
atualmente mais de 40% dos fsicos de todo o mundo e a cada ano surgem novas linhas de pesquisa,
impulsionadas pela descoberta de novos fenmenos e de novos materiais artificiais. Estas linhas por sua
vez abrem o poten ci al para o desenvolvimento de novos dispositivos que encontram aplicaes nos mais
vari ados segmentos tecnolgicos, o que realimenta o interesse pela pesquisa bsica

Entretanto, no foi apenas por causa de sua importncia tecnolgica que a nova rea se desenvolveu
rapidamente. A enorme v ariedade de fenmenos que os eltrons e os ncleos apresentam coletivamente
em slidos deu origem a descobertas fundamentais e excitantes. Esta uma das razes para que ce rca de
50% dos Prmios Nobel dos ltimos 18 anos tenham sido dados a fsicos que trabalham nesta rea.
Foram eles J. Bardeen, LN. Cooper e J.R. Schrieffer (1972 - teo ri a de supercondutividade), LEsaki, I.
Giaever e B. Josephson (1973 - efeitos de tunelamento em slidos), P.W. Anderson, N.F. Mott e J.H.
Van Vleck (1977 - estudos de slidos amorfos e propriedades magnticas da matria), P. Kapitza (1978 -
estudas em baixas temperaturas), N. Bloembergen, A.L Shalow e KM. Siegbahn (1981 - espectroscopia

-1-
com lasers e a fotoeltrons), K.G. Wilson (1982. teoria de grupo de renormalizao e transies de fase),
Kvon Klitzing (1985 - efeito Hall quntico), G. Binning, II. Rohrer e E. Ruska (1986 - inveno do
microscpio de tunelamento e do microscpio eletrnico) e K.A. Miller e J.G. Bednorz (1987 -
supercondutividade em alias temperaturas).

A Fsica da Matria Condensada atualmente uma das reas mais estimulantes da cincia,
co ntribuindo continuamente para a descoberta de novos fenmenos fundamentais e de novos materiais
avanados. Apenas nos ltimos dez anos pode-se destacar: a descoberta do efeito Hall quntico; o
desenvolvimento de materiais semicondutores fabricados pela deposio sucessiva de monocamadas
atmicas formando super-redes, hetero-estruturas ou poos qunticos; a descobe rt a de efeitos
magnticos e eletrnicos em sistemas de dimensionalidade menor que 3; a identi fi cao e compreenso
de fenmenos crticos e transies de fase cm sistemas complexos, a formulao terica e a observao
experimental de fenmenos de turbulncia c caos em uma grande variedade de sistemas; a descoberta de
processos de conduo por ondas de densidade de carga e mais recentemente a sntese de materiais
supercondutores a temperaturas mais altas.

A interpretao dos novos fenmenos na matria condensada tem reque ri do a utilizao cada vez mais
frequente de tcnicas originadas na teoria de campos e no estudo de partculas elementares, como a
teoria de grupo de renormalizao. Este fato tem atrado para esta rea o co ncu rs o de fsicos tericos do
mais alto calibre, que por sua vez desenvolvem tcnicas novas, que encontram aplicaes nas outras
reas. O rpido progresso nas tcnicas de computao eletrnica permitiu ainda o clculo semi-
quantitativo de inmeras prop ri edades dos slidos. Do ponto dc vista fundamental, en co ntramos na
Fsica da Matria Condensada uma variedade muito grande de sistemas de muitas pa rt culas. A
invcsitgao destes sistemas, ou de modelos propostos para descrev-los, tem evidenciado aspectos
fundamentais da Fsica de Muitos Corpos, constituindo um imenso laboratrio' para o estudo da
Termodinmica e da Mecnica Estatstica. A compreeenso de propriedades termodinmicas de
equilbrio e de no-equilbrio dos sistemas mais simples tem fornecido informaes valiosas para a
descrio de sistemas mais complexos de muitas pa rt culas, como (mire em Astrofsica ou no domnio
biolgico.

Do ponto de vista experimental, uma caracterstica importante da Fsica da Matria Condensada seu
carter descentralizador, pois ela po ss ibilita a investigao de um problema fsico de fronteira co mpleto,
com laborat ri os de custos e dimenses pequenos comparados aos das grandes mquinas utilizadas na
Fsica Nuclear e de Partculas Elementares. Alm disso, ela utiliza uma grande variedade de tcnicas
experimentais baseadas em instrumentao eletrnica. ptica e criognica (veja a Tabela 1-2) fazendo
com que se torne muito propcia para a formao de tcnicos e pesquisadores. A instrumentao tpica
usada nesta rea encontra aplicaes em outros campos da ci ncia, como a Qumica, Biofsica, Geofsica,
Cincia de Materiais, Cincias Agrrias, assim como em Engenharia e Medicina. Um dos exemplos mais
notveis a tomografia de ressonncia magntica nuclear, que est causando um enorme impa ct o na
Medicina.

-2-
12 A FiSICA DA MATRIA CONDENSADA NO BRASIL

A. Breve Histrico

O precursor da Fsica da Matria Condensada no Brasil foi Bernard Gross, fsico alemo que imigrou
em 1933. Gro ss foi trabalhar no Instituto Nacional de Tecnologia fundado no Rio de Janeiro naquele
ano, onde montou um laboratrio para estudar propriedades eltricas de materiais dieltricos. Um de
seus p ri meiros discpulos foi Joaquim Costa Ribeiro, que em 1944 descobriu o efeito termo-dieltnco
que ocorre no processo de solidificao de diettricos - o efeito Costa Ribeiro. Apesar deste inicio
promisso r a Fsica dos Slidos custou a se estabelecer no Brasil. Dez anos aps a descoberta do
transistor, quando o laser j estava sendo investigado, no havia mais do que meia dzia de fsicas de
slidos rio Pals, concentrados em trs grupos: dois acadmicos, no Rio de Janeiro e em So Carlos, este
ltimo criado por Srgio Mascarenhas, discpulo de Gross e Costa Ribeiro, e um terceiro formado a
partir de 1953 no Cl'A cm So Jos dos Campas. Enquanto os dois primeiros grupos se voltavam para os
aspectos acadmicos e para a formao de pessoal, o ento denominado "Projeta Germnio" do CTA se
dedicava 3 extrao e purificao do Germanio. a partir, inter alia, dos resduos dos fornos de carvo de
Tubaro em Santa Cata ri na. Esse "Projeto Germnio" se lanava a pa rt ir da viso tecnolgica a
fabricao dos velhos "diodos e transistores de ponta' para uso cm eletrnica compactada. A presena
desse Projeto em So Jos dos Campos teve um pape! fundamental no desenvolvimento subseqente e
imediato dos Laboratrios de Fisica dos Slidos em So Paulo e em Campinas, j que na poca passaram
pelo ITA como professores, Sergio Porto, Newton Bernardes e o suo Walter Baltensperger, e como
alunos, Rogrio Cerqueira Leite e Jos Ripper Filho entre outros.

O primeiro grande investimento tanto em termos de pessoal como em equipamentos foi realizado no
incio da dcada de 60 nu antigo Departamento de Fsica da Faculdade de Filosofia Cincias e Letras da
Universidade de So Paulo. Por iniciativa do fsico terico, Mario Schnberg, e sob a orientao do fsico
de Estado Slido e Baixas Temperaturas, Newton Bernardes, organizou-se em So Paulo o primeiro
grande grupo de Fsica de Slidos e Baixas Temperaturas. Seu laboratrio de Baixas Temperaturas se
tornou operacional em 1962 e atraiu para So Paulo inmeros estudantes e professores de outras
Universidades brasileiras e tambm do exterior.

No resto do Pais o crescimento continuou muito lento na dcada de 60, perodo em que foram c ri ados
pequenos grupos nas Universidades Federais de Minas Gerais, Rio Grande do Sul c do Cear, na PUC e
no CBPF do Rio de Janeird. A pa rt ir dos anos 70 no entanto, este quadro comeou a mudar
rapidamente, com a criao de grupos em vrias universidades brasileiras, como na UNICAMP em
Campinas e na Federal de Pernambuco. Para isto foi fundamental a c ri ao da FINEP com a viso de
seu primeiro presidente, Jos Pelcin Ferreira, que entendia que o desenvolvimento tecnolgico no
poderia existir sem uma cincia bsica forte. Tambm foram importantes a ambio e a ousadia trazidas
para a UNICAMP pelo grupo que era do Laboratrio da Bell. Srgio Porto, Rogrio Cerqueira Leite e
Jos Ripper Filho. Eles conseguiram levar para o lnstituto de Fsica recm criado naquela Universidade

-5-
dezenas de pesquisadores experimentais com doutorado, apoiados por muitos milhes de dlares para a
montagem de seus laboratrios. A rpida expanso da Fsica na UNICAMP provocou p ro fundas
mudanas no quadro brasileiro e, a despeito de certos problemas, teve o mrito de alter ar a escala dos
investimentos na Fsica da Matria Condensada no Pal s.

Na dcada de 70 o nmero de pesquisadores em Matria Condensada se multiplicou no Pats,

propiciando a cri ao de novos grupos em vrias regies e a expanso daqueles que j existiam. No h
dados muito precisos, mas sabe-se que em 1969 o nmero de doutores nesta rea era em torno de 50.
Naquele ano, o primeiro encontro nacional de fsicos do Estado Slido realizado em So Carlos reuniu a
totalidade dos doutores da rea e no leve mais que 70 participantes. J em 1981 o levantamento
realizado para o documento de Avaliao e Pe rs pectivas do CNPq constatou a existncia de cerca de 300
doutores em Fsica da Matria Condensada, o que representa um crescimento por um fator 6 em 12
anos. De 13 para c o cres ci mento foi bem menor, porm contnuo. Os detalhes especficos do
desenvolvimento das diversas sub-Areas de pesquisa nas instituies esto apresentados nos captulos
seguintes.

Os fsicos da Matria Condensada se reunem anualmente numa das 'cidades das guas', no Sul de
Minas Gerais, no Encontro Na ci onal de Fsica da Matria Condensada. O primeiro Encontro em
Cambuquira em 1977 reuniu pouco mais de cem pessoas e foi caracte ri zado por uma grande
informalidade nas apresentaes e nas troes de informaes sobre trabalhos em andamento. Depois ele
circulou por Sao Loureno, Poos de Caldas e nos ltimos anos tem sido realizado em Caxamb. Nos
anos recentes o Encontro tem tido cerca de 700 parti ci pantes. Atualmente ele tem uma organizao
formal de apresentaes de trabalhos, porm o clima de informalidade e espontaneidade de formao de
grupos de trabalho dos primeiros anos tem sido mantido.

B. Situao Atual

Dentro da fsica, e mesmo de outros ramos da cin ci a, a Fsica da Matria Condensada uma das Areas
mais desenvolvidas no Brasil atualmente. Seu progresso ocorreu a despeito da crise econmica que freou
a cincia no Pais a pa rt ir de 1980 e da perda prematura de seus lderes mais experientes, alguns
faleceram (Costa Ribeiro e Po rt o), outros mudaram de campo na cincia e vrios buscaram ocupaes
diversas em outros ramos. Nesta rea trabalham cerca de 60% dos 1.000 fsicos ativos com doutorado no
Pas, publicando amigos cientficos nos melhores peridicos internacionais em linhas de fronteira, tais
como: super-redes de semicondutores; efeito Hall quntico; He superfluido; sistemas magnticos
desordenados; fenmenos crticos e transies de fase; turbuln ci a e caos; supercondutividade em altas
temperaturas, etc.

Par a elaborao deste documento foi escolhida uma diviso da Fsica da Matria Condensada em nove
sub-Areas, das quais cinco correspondem a importantes classes de mate ri ais e quatro representam
t cn icas de aplicao ampla. Como qualquer outra diviso, a que foi adotada no perfeita. Procuramos

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o menor nmero de sub-reas que minimizasse as superposies de pesquisadores entre as sub-reas e se
aproximasse daquelas resultantes do agrupamento espontneo nos Encontros de Caxamb. A
distribuio percentual dos doutores nessas sub-reas a seguinte:

Semicondutores 23%
Magnetismo e Materiais Magnticos 12%
Supercondutividade 7%
Cristais Lquidos e Polmeros 4%
Vidros, Cermicas e Cristais 6%
Fsica Estatstica e Teoria dos Slidos 24%
Cristalografia e Estrutura de Slidos 8%
Ressonncia Magntica 9%
Mscbauer e Outras Tcnicas dc Caracterizao 6%

l importante notar que as tcnicas pticas, que tambm tem grande aplicao em Matria Condensada,
esto agrupadas com Fsica Atmica e Molecular. No entanto, como quase todos os grupos de pesquisa
que usam tcnicas pticas trabalham com os mate ri ais da diviso acima, eles esto incluidos no presente
documento.

Com a experincia acumulada na construo e utilizao de instrumentos cientficos, os fsicos da

Matria Condensada no Pals tm dado significativas contribuies em Areas aplicadas, tais como em
biofsica, gentica (melhoramento do milho com ressmncia magntica), arqueologia (datao por vrias
tcnicas), agricultura (instrumentao de anlise. tcnicas crioginicas). fsica mdica (bisturis criognico
e a laser; tcnicas diversas com lasers magnetocardigrafo; tomografia de RMN), entre outras. Mais
recntmorasugieftocnrsdaeficntolgavd,cmon
microeletrnica e nas comunicaes pticas atravs dc um fenmeno de transbordamento de
conhecimento acumulado nas universidades para as indstrias nacionais. Este fenmeno tem sido
possvel cm pa rt e devido a proteo dada indstria nacional pela Lei da Reserva da Informtica.
aprovada em 1984. A necessidade de copiar, adaptar e desenvolver tecnologia av an ada tem levado
indstrias nacionais a contratarem pesquisadores em fsica, procurando uma maior interao com as
universidades. Este fato est abrindo grandes perspectivas para o papel da Fsica da Matria Condensada
no desenvolvimento tecnolgico do Pals.

A Tabela 1-1 apresenta dados relativos ao pessoal cientfico e a produtividade em termos de

publicaes em Fsica da Matria Condensada no Pafs. Cabe notar que a superposio de pesquisadores
nas diversas sub-reas pequena, no mximo 15%. Na verdade os nmeros subestimam a quantidade de
pesquisadores ativos nesta Area porque nem todos responderam ao questionrio da SBF. Isto ocorreu
principalmente entre os fsicos tericos, que talvez no tenham respondido por conta da natural falta de
motivao p ar a prever investimentos. Acredita-se que o nmero de doutores ativos em Fsica da Matria
Condensada em 1988 seja de aproximadamente 600, sendo cerca de 60% experimentais. Este nmero
representa um aumento por um fator dois na dcada de 80. Pelos dados da Tabela 1.1 possvel estimar

-5-
que nos ltimos dez anos, 70% dos doutores adicionais foram formados no Pa t's. o que corresponde a
uma taxa de formao de quase um doutor por orientador com doutorado em dez anos. Esta taxa muito
baixa em relao ao potencial de formao dos grupos.

A distribuio dos fsicos com doutorado nas diversas sub-arcas pelas instituies do Pars est mostrada
na Tabela 1.2. Os dados demonstram o carter descentralizador da Fsica da Matria Condensada.
Apesar de haver uma maior concentrao de doutores na Regio Sudeste, h3 bons grupos de pesquisa
espalhados por todo o Pars.

A Tabela 1.3 mostra uma listagem de tcnicas utilizadas cm Fsica da Matria Condensada, seu custo
aproximado, bem como os grupos no Pafs que delas dispem. importante chamar a ateno para
dive rs os aspectos desta Tabela. Em p rimeiro lugar, como foi ressaltado anteriormente, ela mostra
enorme vari edade de tcnicas utilizadas em Matria Condensada c portanto o grande poder de formao
de recursos humanos nesta rea. Nela v-se tambm a grande gama de custo das diversas tcnicas.
Finalmente na Tabela 1.3 v-se que h muitas tcnicas importantes de custo mdio que so inexistentes
ou pouco difundidas no Pafs.

O atual quadro relativamente favorvel da Fsica da Matria Condensada no Brasil resultado da

politico da formao de pessoal empreendida a partir de 1970 e dos investimentos realizados durante a
dcada de 70. preciso ressaltar, entretanto, que os investimentos para montar novos laboratrios e para
expandir e modernizar os j existentes praticamente cessaram cm 1980. Este fato tem preocupado muito
a comunidade cientifica nos ltimos anos, pois ela est percebendo que nossos laboratrios esto ficando
obsoletos e perdendo a capacidade de competir cm linhas de fronteira. E importante fazer as autoridades
governamentais entenderem que os grupos experimentais no Brasil foram instalados - na dcada de 70
com equipamentos de custo inferior a cem mil dlares, como aparelhos etetrnicos, lasers,
espectrmetros analgicos, etc, como a Tabela 1-3 demonstra. Por outro lado, os modernos laboratrios
de pesquisa em Matria Condensada dispem, alm dos equipamentos pequenos, de outros de po rt e
mdio de maior custo. Estes equipamentos de porte mdio, que so essenciais para produzir e
caracterizar inmeros materiais artificiais usados para pesquisa avanada c para aplicaes tecnolgicas,
so quase inexistentes no Brasil.

Alm de impedir a expanso e a modernizao dos laboratrios existentes, a falta de recursos tem
inibido a c ri ao de novos grupos experimentais e mesmo a elaborao de projetos mais ambiciosos. Na
dcada de 80 h apenas duas iniciativas de porte dignas de registro. A primeira foi a criao em 1986 do
Laboratrio Nacional de Luz Sfncroton (LNLS), em Campinas, e a outra a criao neste ano do Centro
Internacional de Fsica da Matria Condensada, na Universidade de Braslia. Com relao ao LNLS
houve uma preocupao na comunidade com o custo do projeto, uma vez que os grupos universitrios,
que so os centros formadores de recursos humanos, h5 anos no tm sido adequadamente financiados.
Atualmente o LNLS tem grande apoio entre os fsicos, pois eles entenderam que a construo de uma
mquina como a fbrica de ftons ser de grande importncia par a Fsica da Matria Condensada no
Pars. Entretanto, importante enfatizar que a revitalizao da cincia experimental no Brasil no ser

-6-
alcanada sem a estahilizao e o financiamento pleno dos bons grupos universitrios de pesquisa. Isto
pode ser feito no formato de atendimento de halco, mas tambm atravs de programas especfficos
abrangendo vrios grupos, como por exemplo nas sub-areas de semicondutores. mate ri ais
supercondutores, materiais magnticos, cristais lquidos, polmeros, etc.

C. Carncias e Dificuldades

A Tabela 1.4 mostra que historicamente foram investidos nos grupos de pesquisa (que responderam aos
questionrios) a quantia equivalente hoje a USS 51.000.000,00 (cinquenta e um milhes de dlares) para
compra de equipamentos. Adicionando a este nmero USS 15.000.000.00 (quinze milhes de dlares)
referentes a equipamentos de infraestrutura (liquefatores de He e N 2, oficinas mecnica e eletrnica,
computadores e bibliografia) e USS 4.000.000,00 (quatro milhes de dlares) referentes aos grupos que
no responderam. chega-se a um total de USS 70.000.000,00 (setenta milhes de dlares). Considerando
um nmero mdio de 350 doutores em 15 anus, chegamos a um valor mdio de investimento/Dr/ano de
cerca de USS 13.000,00(treze mil dlares). Este valor muito baixo comparado com o que investido
nesta rea da fsica nos pases industrializados. Ele atesta de forma inequvoca um fato facilmente
constatvel por aqueles que visitam nossas universidades. H muitos mestres e doutores, formados com
grande esforo individual e do Pas, que no dispem de equipamentos c infraestrutura mnima para
desenvolver atividades de pesquisa para as quais esto capacitados. A falta de recursos adequados e a
irregularidade nos fluxos de financiamento das agncias de fomento constituem a grande dificuldade
desta e de outras reas da fsica no Pars.

1.3 A FSICA DA MATRIA CONDENSADA NA PRXIMA DCADA - RECOMENDAES

A. Projees

A evoluo da Fsica da Matria Condensada no Pas mostra que, a exemplo do que ocorre nos pases
industrializados, este ramo da cincia pode contribuir decisivamente para nosso desenvolvimento
cientfica, tecnolgico e industrial. Isto se dar atravs dos resultados das pesquisas obtidas nos
laboratrios universitrios e dos centros de pesquisa, hem como da alta qualidade dos recursos humanos
preparados para as empre sas.

Estimulados pelo projeto "A Fsica na Prxima Dcada", os grupos de pesquisa do Pas elaboraram
pianos e projees para suas linhas de pesquisa. investimentos e recursos humanos necessrios c
capacidade de formao. Os captulos seguintes apresentam o detalhamento referente a cada sub-rea da
Matria Condensada. As Tahela.1.4 e 1.5 resumem os dados quantitativos das diversas sub-reas.

A Tabela 1.4 apresenta os investimentos propostos para aquisio de equipamentos nos prximos 5
anos nas diversas sub-reas. Os maiores equipamentos e as tcnicas que seriam implantadas nos grupos

7-
de pesquisa do Pals esto detalhados nos captulos seguintes. As propostas de investimento foram feitas
pelos grupos com duas hipteses de trabalho: nas condies atuais de financiamento e de disponibilidade
de pessoal; nas condies prximas das ideais, supondo uma melhoria significativa na poltica de Cincia
e Tecnologia do Pals.

Nas condies atuais, os grupos de pesquisa em Matria Condensada prope investimentos de cerca de
USS 50.000.000 (cinquenta milhes de dlares). Como mostrado nas tabelas dos captulos seguintes esses
investimentos mantero o carter de pequeno porte da grande maioria dos laboratrios de pesquisa do
Pafs. Nenhum salto qualitativo ser dado nessas condies. Como mostra a Tabela 1.5 os grupos prevem
formar apenas 577 mestres e 311 doutores nos prximos 5 anos nas condies atuais de trabalho, que so
nmeros totalmente insuficientes par a. uma evoluo adequada da Matria Condensada no Pals.

Por outro lado, em condies prximas das ideais, vrios laboratrios daro um salto qualitativo que
possibilitar aumentar a competitividade da Fsica da Matria Condensada e. consequentemente,
melhorar a formao de recursos humanos e a gerao de tecnologia no Pas. Nestas condies os grupos
podero formar 889 mestres e 512 doutores em cinco anos, o que representa um claro aumento na taxa
de formao de ps-graduados no Pais (nos ltimos 10 anos foram formados 652 mestres e 251 doutores
nas diversas sub-reas).

Para as condies ideais ser preciso investir USS 100.000.000,00 (cem milhes de dlares) na aquisio
de equipamentos nos prximos 5 anos. O custeio correspondente, scm incluir pessoal permanente,
estimado em USS 70.000.000,00 (setenta milhes de dlares) em 5 anos. Este nmero corresponde a 70%
do total em investimentos de capital, sendo 30% para manuteno (10% ao ano em 3 anos) e o restante
para insumos, servios e outros encargos. Considerando os investimentos em infraestrutura e em outros
grupos de pesquisa, a quantia total necessria para financiar a Matria Condensada no Pas de USS
200.000.000,00 (duzentos milhes de dlares) nos prximos 5 anos (130 para capital c 70 para custeio) e
cerca de USS 300.000.000,00 (trezentos milhes de dlares) nos 5 anus seguintes (1511 para capital e 150
para custeio).

E importante notar que nas condies ideais de trabalho os grupos dc pesquisa do Pas se consideram
aptos a formar em torno de 500 doutores nos prximos 5 anos. A extrapolao deste nmero para os 5
anos seguintes possibilitaria atingir no ano 2000 at 1500 doutores em Fsica da Matria Condensada.
Este nmero pelo menos dez vezes menor do que o nmero existente nos Estados Unidos atualmente e
tambm menor do que o nmero existente nos laboratrios de pelo menos duas empresas, a IBM c a
Bell Laboratories. E preciso ento fazer um esforo dc formao de pessoal maior do que aquele feito
at hoje, quer seja com o envio de maior nmero de bolsistas ao Exterior, quer seja estimulando os
grupos nacionais a aumntarem sua capacidade de formao.

Com relao ao mercado de trabalho, os grupos atuais prevem uma absoro de cerca de doutores
nos prximos 5 anos. E razovel supor que 100 doutores sero absorvidos por outros grupos acadmicos

-8-
e que o setor produtivo possa abso rver pelo menos 50. Apesar destes nmeros serem modestos, eles
esto alm da capacidade de formao prevista pelos atuais grupos do Pais.

O montante do financiamento proposto para a Fsica da Matria Condensada, de USS 200.000,00

(duzentos milhties de dlares) nos prximos 5 anos, possibilitar aos grupos de pesquisa do Pals
embarcarem em projetos mais ambiciosos. Alm de formar pesquisadores em maior quantidade e melhor
qualidade e de melhorar o nvel de pesquisa bsica nesta rea, os grupos de pesquisa contribuiro de
maneira decisiva para o domnio de vrias tcnicas e processos de grande importncia tecnolgica.
Dentre elas cabe destacar nas diversas sub-reas:

Semicondutores:

Nanolitografia para preparaio de circuitos de altssima integrao.

Fabricao de multicsmadas e heteroestruturas de semicondutores.
Tcnicas de integrao opto-eletrnica ultra-rpida.
Fabricao de novos dispositivos semicondutores.

Supercondutividade:

Preparao de monocristais e filmes finos de xidos supercondutores.

Integrao de super e semicondutores em circuitos eletrnicos.

Nateriais Magnticos:

Preparao de ligas amorfas de alta permeabilidade e para Ima permanentes.

Preparao de meios e processos de gravao magneto-ptim

Cristais Lquidos e Polmeros'

Desenvolvimento de painis de LCD de grande rea.

Desenvolvimento de mostradores coloridos e televisores de LCD.
Preparao de baterias de dispositivos eletro-pticos de polmeros.

admicas. Yi tros e SPiS

^ajs:

Preparao de monocristais de Si e semicondutores Ill-V para circuitos integrados.

Preparao de monocristais para lase rs e dispositivos eletro-pticos.
Preparao de cermicas avanadas e vidros especiais.

-9-
 Tcniraide AnAlise e Caracterizaglo de Materiais

Utilizao de fontes dc luz sfncrotron para anlise de materiais.

Implantao de tcnicas de ressonncia magntica dc alta resoluo.
Disseminao de tcnicas microscpicas de anlise fsico-qumica.

B. Recomendaes

As recomendaes dos grupos de pesquisa que so comuns s diversas sob-reas da Fsica da Matria
Condensada, bem como aquelas p ropostas pela comisso responsvel pelo presente relat ri o, esto
apresentadas a seguir. As argumentaes relativas as recomendaes esto apresentadas ao longo deste
documento.

B.l Recomendaes ao Gove rno Federal e Agncias de Fomento

B.1.1. Recursos Financeiros

A Fsica da Matria Condensada pode dar contribuio decisiva para o desenvolvimento de tecnologia
de ponta no Pas. Para tal ela precisa ser adequadamente financiada para que seja possvel repor
equipamentos obsoletos, implantar novas tcnicas de pesquisa, adquirir bibliografia, acessrios, insumos
e custear a manuteno dos laboratrios. Os grupos dc pesquisa desta area tm planos concretos para
aplicar hem, nos prximos 5 anos, USS 130.000.000.00 (cento e trinta milhes de dlares) em
investimentos de capital e USS 70.000.000,00 (setenta milhes de dlares) para custeio. Nos 5 anos
seguintes eles podero aplicar USS 150.000.000.00 (cento e cinquenta milhes de dlares) em
investimentos e USS 150.000.000 (cento e cinquenta milhes de dlares para custeio.

B.1.2. Programas Especiais

HA vrias atividades em Matria Condensada que formam a base para o desenvolvimento de te cnologia
de ponta. Este o caso da pesquisa em preparao, caracterizao e estudo de fenmenos em materiais
avanados, tais como: semicondutores, materiais magnticos, cristais lquidos, polmeros no
convencionais, vidros, cermicas e materiais amorfos.
O Governo deve estimular o crescimento da pesquisa envolvendo estes materiais, criando programas
especiais para o apoio financeiro dos grupos de pesquisa c priorizando esta rea na concesso de bolsas
de estudo no Pafs e no Exterior, tanto em nvel dc doutorado quanto de ps-doutorado.

B.1.3. Laboratrios de Novos Materiais

Uma forma efetiva de estmulo pesquisa em novos materiais a criao de laboratrios de mdio
porte nas instituies j existentes, com carcter interdisciplinar e com instalaes para a preparao e

-10-
caracterizao de materiais. E fundamental que estes laboratrios disponham de tcnicos e recursos
especficos para atenderem a usurios de outras instituies visando otimizar os recursos empregados.

A mdio prazo, com a maior disponibilidade de pessoal especializado, deve-se estudar a criao de
novas instituies de pesquisa, visando desenvolver pesquisas tecnolgicas em mate riais estratgicos.

8.1.4. Importaes

As importaes de equipamentos cientficos sofisticados, insumos especiais, partes e peas de reposio

so absolutamente essenciais para o andamento da pesquisa cientfica e tecnolgica. Considerando que
elas representam menos que 1% do total das importaes do Pas e que vo ter um impacto decisivo para
nosso desenvolvimento cientifico e tecnolgico. fundamental que o Governo Federal tome medidas
urgentes para que as importaes de material cientifico sejam agilizadas.

B.1.5. Pessoal Tcnico

As agncias de fomento devem criar programas especiais de formao e aperfeioamento, inclusive no

Exte rior. de tcnicos altamente qualificados para apoiar as atividades de pesquisa de ponta. hem como
mecanismos que assegurem a eles remunerao adequada.

B.2 Recomendaes ii Prpria Comunidade de Fsicos

B2.1. Aos Programas de Ps-Graduao

E importante aumentar a taxa de formao de doutores em Fsica da Matria Condensada, estimulando

as Areas experimentais. O ritmo atual, que coincide com o proposto pelos grupos para os prximos 5
anos, de I doutor formado por ano para cada 10 pesquisadores experimentais totalmente insuficiente
para as necessidades do Pas.

822. Aos Fsicas Tericos da Matria Condensada

da maior importncia para o desenvolvimento da Fsica da Matria Condensada que os fsicos

tericos procurem trabalhar em problemas mais prsimo s daqueles encontrados em mate riais reais. Isto
particularmente importante na formao de novos doutores nas reas em que os laboratrios do Pafs
esto produzindo cientificamente.

82.3. Aos Fsicos Experimentais

Enquanto que o nmero de doutores em Fsica no Pas da ordem de 1000, os doutores em areas de
ponta da engenharia no chegam a 200. A Fsica da Matria Condensada pode e deve catalizar um
esforo de seus pesquisadores para influir no desenvolvimento tecnolgico do Pafs. Isto decorrer
naturalmente se os fsi ca s experimentais da Area se interessarem por problemas em Areas de interface
com a tecnologia de ponta (dispositivos. instrumentao, etc.) c formando neles estudantes de graduao
e ps-graduao.

_12_
 TABELA 1.1
PESSOAL C1ENTfFIL9 E PRODUTIVIDADE EN PISICA DA NATttR1A CONDENSADA (Dado d 1988 1

5U9-AREAS NoIlERO DE D00TO2E3 MESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS EN

GRUPOS ATUAIS FORMADOS REVISTAS
T E 1TOTAL T E IC N D 177 -881 78-82 83-87
N D

5tcondutorr 30 54 78 239 11 46 68 52 37 123 49 411 703

Nagnttro
1a1 %agn4ttcoa 14 14 53 121 9 46 31 31 78 34 197 249

Suprconduttv3dad 10 6 37 7% 5 25 16 4 12 3 18 61P

Crtrta u Ltqutdo
10 4 18 49 7 38 30 14 78 14 44 150RR
Polfurds

Vtdroa. Crtiatca
Crtrtat 13 2 39 7% -- 16 55 38 31 62 15 51 163RR

FfatCa Eatatrattc
t Taorta doa Slido, 32 128 6 231 13 9 69 59 60 132 67 447 805
mb
M
Crtatalogrrfta
Eatrutur doa Shctdoa 15 5 43 8% 3 17 22 24 20 56 16 117 221

t Nagn4ttca 16 50 9% 1 4 29 30 22 82 40 185 191

Nossdaur Outran -
Tcntcaa d Caractrtzacio 11 4 33 6% 7 22 16 10 29 13 137 158

TOTAL 151 218 357 29 120 374 296 229 652 251 1607 2701

.Inclui arttgoa pubIt udor .. 88

..Inclui arttgo publicada 00 918 89
TABELA 1.2
DOUTORES I'OH SUB-AREA NAS 1USTITUIES

w
w c
a
8

7
^ w
0
^
INST1TUIAU ^ ^
K
^ l^

UF AFUSONAS 2 - - - 2
UF CtARA 9 - 8 2 6 25
UF R]O GRANDE DO UDHTE 5 3 - 1 5 1 15
UF PARAIBA - - 4 4

UF PERriAl.93l1C0 4 5 3 2 7 - 5 26
UF ALAGOAS - - 1 8 2 11
UF SERGIPE - - 1 1

UF TIA} n n 8 - - f 4 - 18

Un BRASLIA 4 1 - 5 3 - 13
UF GOIAS - - 3 3 6
UF MINAS GERAIS 12 6 5 2 - 12 2 7 5 51
UF ESPIRITO SANTO 3 1 - 1 1 4 10
UF RIO DE JANEIRO 3 7 4 7 1 3 25
PUG/R1 6 1 3 9 1 1 - 21
CBPF 6 9 - 2 3 1 4 5 30
INrr, - _ - - - 2 2
UF FLLMINENSE 6 4 - - 5 2 - 17
USPSAO PAU]A 15 10 6 3 4 8 8 6 2 62
IPEN - - S - 4 - 1 10
IN'E 8 - - 8

11I1CA14P 26 7 3 3 25 7 S 5 81
Ca'gD- TELEBRAS 9 - - - 9
lsP-EAO CAI1LDS 6 - 5 11 8 11 6 47

UF SO cARLl]S 9 G 1 2 6 - 2 26
UF PARANA - - 1 3 4
UF SANTA CATARINA - 7 2 4 - - 2 15
UF RIO GRANDE CO SUL 9 3 1 2 8 7 30
UF SAITA MARIA - - - 2 - 2
TOTAL 132 57 43 21 41 137 47 46 37 568

-14-
TABELA I.]
TlCN[CAS DE PREYARAC=0 DE MATERIAIS. CARACTERIZACiO E ESTUDO DE FENExESOS OA xATtRIA CONDENSADA

CUSTO TCNICA UT[LIZACIO GRUPOS NO BRASIL

US.

Re. u tivldad. tun)amento. Proprldada de tranwport )itrico fatal.. UIICAKP. CBPF.UFRS.

feito Hell. Sagntoreietivldad semi supercondutor.e) UFEG. PUC. OFF. UTRH

Fotocondutividad. OLTS Proprled.d opto -elLrOnlca f..ieondutore) UHICARP. UFRN

e.g pia. susceptibilidade Proprl.dade apnties UFRS. CBPF. IFUSP. PUC

hi gn.tic. UNICANP. UFKG. UFES

Calor pcfflco dilated* tirmlda Proprldda trmica.. transide d fame UFRJ. UFSC. UFKG. PUC

Anel utrmodlfr.nclal Propridads termlcae. diagr am. d fase UNiCAAP, UFNO. UFSC. UFRN
qr wimtric. (DEC. TGA. OTA1

P1zoletricldad. hi Ilatica Propri.dade. l tica., trn.icCs d f7. IFUSP. UFSCAR. UFKG

20 -100 aasorcao propag.cio de ultra -som
lI
Kdida trmo1trica Propriedade. I.trOnlcaw Infv.l de Ferm1)
tr.orlitrlces

Ilicro.capaa dptice CafaCLriZalO d utriaio proprided. IF45P. UFSC, UEx. UFPR

Optic Icri.tei Ifgvfdo.)

Ewpectro.cople 11Oe.beuer Propriedade. aQnetice. etraturl.. CBPF, UFRS. IFUSP. UFRJ.

intr.cOe hiprflna.. caractrizacBo d UFC5. UFRN. UFKG. UFES.
m lai USN. UFSC

xetodoe qYlmlco litroqulw)cos Preparado d polfmro cristais IIquldo IFUSP. UHICARP. [WPC. OFSC.
UFF

U.taturqi do pd. ol - ge1. Prepara do d i para fabricado de IFCSC. UFRx, UFES

carbonizeGBa. gr fitizacBo crfatal/, eidr0, etc.
TABELA 1.3 ConLlnnaCla
TtCNICAS OE PREPARACIO OE MATERIAIS. CARACTERIZACZO E ESTVOO OE FERENIIft OA SIiTiRIA CONOERSAQA

CUSTO TCCNICAS UTILIZAM GRUPOS NO BRASIL

USO

SlnttliaClo, CarbonlmaCiO. Prp.raClo d crialcae [euprcondutor O. UNICANP, !PEN, OFES, CTA.

trata.IItO traCo .ltam alto T c ) dIvraos aatr11 011dos PUC. CBPF. UFRN, FTS
temperatures

Resfriamento r^pldo Prparaclo da Ilgas amortise. vldroa UNICANP, CBPF, urns.

quasi-crustals UFSC

20-100 Epltarl ie na ti.. 1lquuda ILFE1 Proper.Cie d caned., wnoCrlatal lne UNICANP
all
Espctrototoatrla Opticai abaorlo Proprlsdad Opticaml tranalce 1LrOnlces UFAJ, CBPF, UNICANP,IFUSP
rflxlo luUIn.SCinCi fvlafvl, lbr.clanal, .agntic.s. Ofeltos IFCSC. UFRJ. PUC, UFPE
UV. IV)

EspcLro.copla foto-ecdStlC Propruedadss Optical. ONICANP. CHAT. UFSCAR

f ato-t rale UFR.Y-
Rot.Clo O. rar.dey. blrrfrlgsncl Proprl.d.ds. agn/Llces aagnto-dptlCa OFPE. UFNO
dlCroleso

Fotolltogr.fl. do ]ta rsolucio ConfecClo O. dispositivo. e Cf1

Idrd.cOplcaa

Cruclanto d crlsLne+ Brldgn.n Prpar.Cio da .onocrlt n IFCSC. UFLU. UIICAIIP.

Czochrels1111 .todo d fluno )PEN

Evaporado S. alto-vacuo. puttering Prpar.Clo d file. fino. IFCSC. URICAKP. UFNG,

PUC. CEPF

Empo pia Optics do alL. rsoludo Propri.d.ds Optics.. trannale UNiCANP. IFQSC, UFPE,
cos I 1 vu.fvl InfravrSalho 1crdnica. solculars UFF, MFRS

100-300 Esp. ctroscopl resolvida na tempo cos Propriedades Optical. rapid q1 .1St.... fora UBICANP, UFPE. IFCSC.
1l lamer. d pico f aguado do qullfbrlor .c.nI..os O. rlaaaio PUC, UFAL

E.p.ctroecopl Optics nlo-linear Proprld.d. Optics. u sits potncla de UFPE. IFCSC. USICAKP.
aduaCio PUC. UFAL
 TABELA 1.3 Contlnuscto
TICRICAS QE PREPARA(,IO DE MATERIAIS, CARACTERIZACIIb E ESTUDO DE FEPDNE3ma DA NATlRIA CONDERSADA

CUSTG TECRICAS UTILIZACID GRUPOS RO BRASIL

CS.

Espalhamn4o d luz, Raman, Brillouln Eaeltace.a 1mnta rep, renen.. mignon.. URICARP, UFP. U171G. UTCE
Rayleigh plaaaon., ,ces lar4n,eas

Tdcnlca. criogaliea., nitroganio Resfriar amestrae ate cerca d 77k Queue todo.
liquido

100-300 Ngntomatri coa. SQUID Proprided. aagnet,cas PUC/RJ. UFRJ

mil
R 14 c,clotren,c oac,lacD.1 Pfoprldad. ltrenlCJ., nlv1 do Fermi
agD.LO-Lr.lca

Rs/OnAnc, aagnet,ca RIIP ROR Anglia. qulalca, snail.. .truturmli IFOSP, CBPF, UNICANP,
Psoriases, doa,strisi LomograF i 'UFPE. IFQSC. OFF

R.s.ontnc,a Magnetic. - RPE, ENDOR, Proprldad. agnet,cam, agnon., analls. IF057. CRPF, UNICANP.
FBR. ab.orcto d microonda. .trutural, Marotta.. b,erl.lc UFpE,,IRE,IFQSC, UFMG,
UFAJ. UFGO. PUC

V Difr taastr u d e raie.-II D1ru nacto d mlruturu. uractrisacie 1rUSP, UFSC. CT'. 1FQSC.
d matrl u, erintacao d cr1.tai URB. UNESP, URICABP,
PUC, UFPE. UfBA. UFCE.
UF71G, CBPF

Espelhaanio d raias -X.. SAIS Tran.,ce. d r a11, 101100. IFUSP. DRICAIIP. UFPR
htrogAnos

Topografia d raios-E, dlrrecto d Dr.,to. crl.tallne 1111SP, URICAPP, DFPR

d cr1.1s1 duplo dltlplo

Tdcnlcas cr,og.n,e u, hello liquido Resfriar uostrsr ate c.rca d 25 1FUSP, CBPF. UF'RJ. UFRS.
IFQSC. UNICARP, UFSG.
UFPE. PUC. rTI
300 ,I-
2 iiha. Elatro-fotom,uIo, IPS. UPS
TASELA 1.3 Contlnuaio
TCCNICAffi DE PREPARA(',IO DE RATERIAIS. CARACTE>QIZACEO E ESTUDO DE Fd1ORENOS DA RATCIIIA CONDENSADA

CUSTO TCCRICAS UTILIZACID GRUPOS BO BRASIL

US.

Espctreacop,a coa 1 uqr, Anal u qufi,ca ,crescdp,ca, anal u do UNICANP. UFBC

LEED. ESCA, SIRS. HEED auprffcl

Rfr,garaCie da dllulCBe Rafrlar a.Omtraa ata FraBo d [ VSP. UFRJ

Eapctroecepla Inf lha coa DtralnaCio da nrglae do vlErscBe d UFRG

Fourier rode do .olOCulass ansl u qula,ca

RI s ILrOn,ca- varredura Anal u quant,tmt.tv d I UNICARP. IMP

tranaauasso aorrologra, a,croanallp aatrutural

ROCVD. RUE CBE Prpsraio d ault,ca-ada atealcaa DNICARP. UPRG. PUC

cristalinas

N lcroscep, d tunI unto Nacroacop, nvel atea,co .o1cular

D.3- 2 TAcn,ca eaoclada a felines d Ea aprontemos scataC aagnticae

llhUs naulrona, dlfraBo empalhamento

TOcn,cas uaociadas luz slncretrenada, Eatrutura 1 ,ca do velum* uprffc+s -

apctroacopiae do r eto-a,ssio. E3AFS. strdt ur atea,Ca d volume. upmrrfcl
LINES. apalhaanto *lattice lntarfac, rfa,ca atoelc a molecular
snelastsco

TOcnlca ,croscdp,cas coo prticulas - Amnia* qufa,cae anal / ,crostrutural

aniquilado d pd sot . rotaCio do
*pin do auon

implantacie !anted ]aplantaclo d fona d fora controlada para UTRS

aod,rlC Cae do propridadm acan,Ca
1crOn,cas d aatr,r,s

Dope! ctroacopia coa (Oise. CO fona, RBS Anal u d Iantos MRS

channI,ng

1- 50 Font do f,x do neutrons Produio do f,xa do nautron pars aplicados IPEN

,lhOa di

Fonts. d Oat sincrotrdn,ca ProduCio d fi xes do lu: do grande 1ntnm,ded

oa largo apctro do frqusncla Iv,afvel ate Ea conatruio no L]lLS
raio. -X/
TABELA 1 .4
1 W LiST t eHSU J1 Et]U I PABERTOS PAGA !' f E 1 CA DA BATlG I A CORO)718ADA

SUB-AREA INVESTIMENTO INV./DR/AND (2) IRVESTIBpiTU PROPOV7U 13)

REALIZADO (1) . US* 111 PROEMS 5 A NOS MSS allhbs1
luar r11h}o) Cond. Atuais Cond. Ideals

Semicondutores 20.0 16.0 11.0 30,0

Bagn.c)so 5.0 8.0 4,5 8.0

Suprcondutiv)dad. 4.5 12,0 6.5 10,0

Cristal Liquidas
Polfrror 1.0 104 3.0 6,0

Vidro.. C.rhslcas
Cristal. 5,5 18.0 5.5 10.0

Plaic Estatf.tic.
Tori doa Shcidos 2,0 0,6 4.0 6,0

Criateloprafla
Estrutura dou Shcidou 5.0 10.0 6.0 10.0

Rsananci Magntica 5,0 10.0 3.5 8,0

B0..baur Outras Tcnicas

d. Corbetri:scfo 3.0 5.3 6.0 10.0

TOTAL 51.0 50.0 48,0

(1) Mato atual d r.posicio por equipamentos quivalent.a

(21 Valor mdio obtido ..
prfodo que varia d u.. sub-Sr ea para outra
(3) Rio inclui custeio, cujo valor estimado 4 702 do i iarnte para 5 enes au. pudal).
 TABELA 1. 5
RECURSOS HUMANOS EN FSSICA DA NATl81A CONDNSADA PARA OS PROIINOS 5 ANDS

CAPACIDADE DE FORNAC3O ER 5 ANOS EIPANSIO EM 5 ANOS

SUB-AREA DOUTORES CONDIOES ATOAIS COIIDICBES IDEAIS CONDICES ATOAIS CONOICOE IDEAIS
ATUAIS N D B D N 0 N D

Saleendutora 132 87 47 146 77 8 33 44 66

Nagntlao 67 65 34 98 56 7 20 12 41

Suprcondutloldad 43 24 11 37 20 4 17 24 29

Cr1at1 Liquidei
Poll 22 45 14 66 39 6 11 12 21

Vldroa. CraalCaa
Crustal, 41 48 38 88 72 28 31 43 52

Ffalca Eatatlatle
Torla doa Shcldoa 134 139 87 201 124 3 24 5 58

Crutaloqrafla
1 Eatrutura d 5011do 48 44 26 74 38 10 25 27 51
N
7 R ancla NapnI.le 51 70 34 107 53 9 t3 18 41

NOaaEaur Outran T/emea 37 47 20 72 33 2 9 14 21

TOTAL 575 577 311 889 512 77 183 169 380

2. Semicondutores

2.1 DESCRIO

A Fsica de Semicondutores (FS) E uma das p ri ncipais reas de pesquisa em Fsica da Matria
Condensada. Este fato decorre da enorme variedade de fenmenos fsicos observados nestes materiais e
que tm atrado a ateno tanto pelo interesse cientfico quanto pelas aplicaes tecnolgicas.
A pesquisa bsica em semicondutores iniciou-se ainda no sculo XIX com a observao por M. Faraday
de que, diferentemente dos metais, sua resistncia eltrica diminuia com o aumento da temperatura.
Fenmostaic fndutivae,lponctrm-eia,ontprdescag
positiva e retificao de corrente obtida pela juno de semicondutores diferentes foram observados a
seguir. Estes fenmenos constituiam um grande mistrio at que na dcada de 30 uma teoria de bandas
foi estabelecida a partir da Mcvmca Quntica.

Semicondutores tpicos so slidos cristalinos, predominantemente com ligao covalente, que possuem
um gap de energia Eg entre as bandas de valncia e conduo pequeno quando comparado aos valores
de Eg dos isolantes. Semicondutores suficientemente puros no conduzem corrente eltrica a T = 01.
enquanto que ocorre co nduo eletrnica (eltrons ou buracos) fortemente dependente da temperatura
devido a impurezas, ativao trmica ou influncias externas, como radiao. Exemplos clssicos de
semicondutores so silcio, germnio e compostos dos grupos [II-V (GaAs, AIAS, InP, InAs, GaSb, GaP,
etc. e suas ligas), dos grupos 11-VI (CdTe, HgTE, etc. e suas ligas) e dos grupos 1V-VI (PbTe, SnTe, etc. e
suas ligas). O gap de energia varia na faixa de 0-2 eV. Prop ri edades semicondutoras podem ainda ser
observadas em uma gama enorme de materiais, incluindo slidos amorfos e cristais orgnicos.

Os objetivos principais de pesquisa nesta rea so a compreenso dos fenmenos fsicos fundamentais
bem como a descoberta de novos materiais semicondutores, o desenvolvimento de sofisticadas tcnicas
de crescimento e caracterizao de estruturas a rt ificiais semicondutoras, e a fabricao e aprimoramento
de novos dispositivos microeletrnicos.

Algumas sub-areas da FS so bem estabelecidas, enquanto que outras esto crescendo rapidamente em
importncia Sem dvida, os desenvolvimentos de novas tcnicas de crescimento epitaxial, especialmente
MBE (molecular beam epitaxy) e MOCVI (metal-organic chemical vapor deposition) tm tido
fundamental importdncia pois possibilitam a fabricao de novas estruturas com propriedades fsicas
extremamente interessantes. A revoluo que se seguiu iA construo de novos dispositivos
microeletrnicos com dimenses fsicas ca da vez menores. Isto ab ri u um novo campo da Fsica,
denominado genericamente de sistemas mesoscpicos, que trata de estruturas grandes na escala atmica
mas suficientemente pequenas de modo que a coerncia quntica das ondas eletrnicas domina os
efeitos microscpicos. Fenmenos fsicos fascinantes co mo o efeito Hall quantizado e localizao de
Anderson tm sido observados em sistemas de semicondutores de reduzida dimensional idade.

-21-
 As propriedades fsicas de interesse em materiais semicondutores so estudadas usando uma grande
variedade de tcnicas experimentais como fotoluminescncia e absoro ptica (bandas de energia,
excitons, impurezas); magneto-resistncia (efeito Hall); espectroscopia Raman (excitaes coletivas,
fnons); espectroscopia infravermelha (plsmons, eltrons quentes); calor especfico (densidade de
estados); espectroscopias de lase rs de pico e femto segundo (termalizao dos eltrons c fnons);
ressonncia ciclotrnica (polarons, massa efetiva); espectroscopia Auger, RIIEED, microscopia
eletrnica (anlise de interface); DLTS (defeitos).

Vrias cont ri buies fundamentais Fisica neste campo de pesquisa foram reconhecidas pela
comunidade cientifica atravs da concesso do Prmio Nobel a J. Bardeen, W. Shockley e W.H. Brattain
(1956- descobe rt a do transistor), L Esaki (1973 - tunelamento em semicondutores), N. Mott (1977 -
semicondutores desordenados) e K. Von Klitzing (1985 - descoberta do efeito Hall quantidado).

A pujana das atividades de pesquisa em FS pode ser avaliada pela enorme quantidade de conferncias
internacionais com grande participao de cientistas. A principal delas a Conferncia Internacional de
Fsica de Semicondutores (em sua 19a. edio) que realiza-se bienalmente e promovida pela IUPAP.
Outras agregam tpicos mais especificos como defeitos em semicondutores, propriedades eletrnicas de
sitemabdnois,uper-dmcostura,e smicondutre lasc.No
Brasil, realiza-se a cada dois anos, a Escola Brasileira de Fsica de Semicondutores com a presena de
renomados conferencistas do exterior.

Os dispositivos eletrnicos e optoeletrnicos se baseiam nas propriedades pticas e eltricas (mais

especificamente, de transpo rte eltrico) dos semicondutores. Portanto, a pesquisa fundamental nesses
materiais se concentra fortemente nos fenmenos pticos. eletro-pticos e de transporte eltrico.
Entretanto, as impurezas adicionadas ou naturalmente encontradas em semicondutores determinam a
densidade e o tipo de portadores de carga e afetam suas mobilidades eltricas. Decorre dai um interesse
muito grande no estudo da produo de cristais ultra-puros. Paralelamente h interesse na investigao
de defeitos em semicondutores, no intuito de de se compreender sua difusibilidade, estrutura eletrnica e
espectro de energia. Pelo fato de muitos dispositivos conterem interfaces entre materiais distintos e
tambm pela crescente miniaturalizao dos dispositivos h um grande interesse na fsica de interfaces e
superfcies.

Os dispositivos microeletrnicos, at uma dcada atrs, eram baseados no Ge e principalmente no Si.

Monoaistais destes elementos so obtidos com altssima pureza. Alm do mais o gap de ambos os
mate ri ais, 0,7ev para o Ge e 1,1ev para o Si, est numa faixa excelente para aplicaes eletrnicas. No
caso do Si, h uma vantagem adicional de que o SiO2, que se forma facilmente na superfcie do Si por
aquecimento em atmosfera de oxignio, resulta numa interface excelente para urn importante e
amplamente utilizado transistor de efeito de campo (MC)SFET - metal-oxide-semicondutor field effect
transistor). O Si tornou-se por isso o material principal para a microeletrnica. Entretanto, Ge e Si so
materiais que possuem gap indireto e portanto as transies puramente pticas com energia E g no so
possveis (ocorre criao ou aniquilao de fnons). Tal fato limita severamente as aplicaes destes

-22 -
materiais em optoeletrnica. Esta se baseia principalmente em alguns semicondutores compostos de gap
direto dos grupos HI V, 11 VI e IV VI.
- - -

Na explorao dos semicondutores compostos, um acontecimento extraordinariamente inovador foi a

concepo e realizao de heteroestruturas (exemplo: super-redes. poos qunticos, etc) de compostos
superpostos ocor ri da nos an os 70. Tcnicas de crescimento epitaxial permitem crescimento de pelculas
cristalinas de tima qualidade com controle de espessura at da ordem do parmetro de rede do cristal.
Isto permite um controle externo do perfil de bandas da heteroestrutura. O sistema mais amplamente
investigado GaAs/AtxGaI_xAs. A Figura 2.1 abaixo ilustra uma super-rede desses materiais.

A - GaAs
B - At x Ga 1-x As, X<O,4

BC FIGURA 2.1 SUPER-REDE E SEU

PERFIL DE BANDAS.
BV

Como se v na figura, nas regies do composto de menor gap (GaAs) forma-se um poo de potencial
tanto para o eltron como para o bura co . A largura do poo est na faixa dos 10 nm, mas larguras to
pequenas como 1 nm (10 -9 m) so obtidas. Em poos to estreitos o movimento dos portadores na
direo perpendicular s pelculas quantizado. Portadores capturados pelo poo tm portanto um
co mportamento quase bidimensional, j que no hd, ignorando-se tunelamento de um poo para outro,
movimento perpendicul ar s pelculas.
Poos que permitem a quantizao dos nveis so denominados poos qunticos. A obteno de poos
qunticos em heteroestruturas semicondutoras levou descoberta de fenmenos novos, a um grande
avano nas aplicaes convencionais de semicondutores e concepo de novas aplicaes. Se doparmos
o material de gap maior com impurezas doadoras de portadores, tais portadores migraro para dentro do
poo. Pode-se assim obter gases de eltrons ou buracos altamente densos. Como os portadores ficam
espacialmente separados dos Ions que os o riginaram, a sua mobilidade eltrica no plano das camadas
muito elevada. No caso especfico do GaAs, epsrs de eltrons de densidade 10 11 - 10 12,, -2 so obtidas
co m mobilidade de 106cm2/volt.seg, a temperaturas de hlio liquido; o recorde 5x10 6cm2/volt.seg, o
que significa velocidade de arrastamento de 5 Km/seg para campo eltrico de 0,1 volt/cm! A alta
mobilidade desses eltrons deu origem a tipos de FET (field effect transistors) denominados HEMT
(high eletron mobility transistor) que constituem os transistores de mais alta frequncia de operao j
obtidos. A mobilidade do gs de eltrons em poos qunticos de GaAs temperatura ambiente de
103cm2/volt.seg, ou seja, somente cerca de trs vezes maior que a do gs confinado na interface Si-SiO2
em um MOSFET. Entretanto, no MOSFET no se obtm melhoria muito significativa com o
r es friamento, opostamente ao que ocorre com o HEMT de GaAs. Computadores ultra-rpidos baseados
em GaAs esto sendo projetados para operar sob refrigerao com nitrognio lquido, situao em que a

-2$-
mobilidade du gs de eltrons j 102 vezes maior que a temperatura ambiente. O super-computador
CRAY fII que j est sendo comercializado, se baseia em GaAs resfriado.

Alm da adequaeo para a mierotictrniea, as estruturas GaAs/AIGaAs so tambm

excepcionalmente eficazes em dispositivos optoeletrnicos. Resultou disto o desenvolvimento de
circuitos optoeletrnicos embutidos na mesma pastilha. Outros tipos de estruturas com qualidades
eltricas e pticas comparveis as do GaAs/AIGuAs so InP /InGaAs e InP/InaAsP. Os lasers de
GaAs/A]GaAs emitem luz com comprimento de onda de cerca de 0,8nm ao passo que com as duas
outras estruturas acima consegue-se emisso "sintonizvel", atravs da composio da liga, na faixa 1,3nm
- 1,5nm, que a fa ixa ideal para comunicaes pticas. Circuitas integrados optoeletrnicos para
comunicaes pticas bastados nas estruturas inP/lnGaAsP esto sendo amplamente utilizados.

A produo de heteroestruturas semicondutoras por epitaxia levou a invenes de novos dispositivos

eletrnicos baseados em transporte ve rt ical, ou seja, transporte de carga perpendicular s pelculas. Tais
dispositivos so essencialmente distintos dos convencionais. Existe, sobretudo, um enorme esforo atual
em desenvolver osciladores baseados em tunelamento ressonante em barreiras duplas de GaAs/AIGaAs.

A obteno de gas de eltrons ou buracos bidimencional de alta mobilidade em poos qunticos de

estruturas semicondutoras levou investigao e descoberta de fenmenos interessantes. O mais
impo rt ante desses fenmenos o efeito Hall quantizado (EHO). O EHQ resulta do fato de que quando
se aplica um campo magntico intenso perpendicularmente ao plano de um gs bidimensiona] de
portadores, o espectro de energia desses portadores totalmente discreto. Observa-se ento que a
variao da resistncia Hall do sistema com campo magntico B passa por plates em que seu valor R H
2 , onde j =1,2,3..., em flagrante contradio com a previso clssica RH = B/nec, onde n a =h/je
densidade eletrnica, ou seja, RH cresce linearmente com B. O EHQ e um fenmeno bem entendido
teoricamente. Surpreendentemente, porm, verifi co u-se que em amostras de altssima mobilidade e a
temperaturas abaixo de 1 K, o nmero quntico j pode tambm assumir valores fracionrios. Tal
fenmeno denominado efeito Hall quantizado fracionrio (EHQF). A compreenso de EHOF ainda
um dos grandes desafios para a fsica terica.

Com o uso de litografia por feixe eletrnico ou mesmo por artifcios de crescimento possvel a
obteno de fins qunticos (sistemas unidimensionais) ou pontos qunticos (sistemas zero dimensionais).
Esses sistemas so atualmente alvo de intensa curiosidade, e pesquisa nessa Area certamente levar a
interessantes descobertas e provavelmente tambm a importantes aplicaes. Essas e outras novidades e
expectativas no campo das heteroestruturas levam a se prever que a atividade na Area sera crescente nos
prximos anos. Por outro lado tm surgido novas tcnicas de epitaxia por levitao em gs (VLE) que
tero progresso, seja na gama de mate ri ais utilizados para heteroestruturas, seja na qualidade ou custo
dessas amostras. O mais impo rt ante, porm, que a existncia de um elenco maior de tcnicas de
epitaxia dar mais chance de sucesso a um projeto realmente grandioso na direo da integrao
t ri dimensional de circuitos. Nas tcnicas de epitaxia controla-se o perfil das estruturas somente em uma
direo, que a de crescimento, e a estrutura homognea no plano normal a essa direo. Os circuitos

-24-
integrados so posteriormente confeccionados nesse plano por litografia e por processos
complementares. O grande desafio controlar o crescimento epitaxial tambm no pl an o da amostra. Por
exemplo, um fe ixe fino dc ions ou de eltrons seria utilizado, seja como pa rt e da seco ou como agente
catalizador. O crescimento ocorreria somente nos pontos de incidncia do feixe. Desta m aneira a
litografia, que um processo de corte, seria substituida pela estruturao da mesa do circuito no prprio
processo de crescimento. Processos de implantao fnica "in situ", por exemplo, completariam a
confeco do circuito planar. Uma camada isolante e homognea a menos de ce rt os dutos condutores,
seria ento depositada sobre o circuito, em cima dela outro circuito, e assim por diante. Os dutos
condutores conectariam os circuitos superpostos. Enfim, uma verdadeira engenharia em escala atmica.
O resultado poderia ser um supercomputador em um nico bloco cristalino!

Uma outra classe de semicondutores tem atraido bastante interesse, os semicondutores

semimagnticos, constitudos de uma liga de urn semicondutor ordinrio e um composto ou elemento
magntico. Os compostos mais investigados so do tipo I1-VI, por exemplo Hg 1 _5 Mn5Te, Hg l-
X Mr1xSe,Hg 1 _ 5MnS e as variaes em que o Hg substituido pelo Cd e/ou o Mn substituido pelo Fe.
Vrios fenmenos interessantes so observados nesses materiais, tais como estados de vidro de spin.
transio vidro de spin-antiferromagntica, transio semimetal-semicondutor magntico. Super-redes
compostas pelo semicondutor ordinrio e a liga semimagntica tm tambm sido produzidas e
investigadas, por exemplo CdTe/Cd i ,5 MnJe. Fenmenos magnticos especiais tais como fator
giromagntico gigante, na faixa de at 10 2-103, rotao de Faraday excepcionalmente alta, na faixa de
at 104-105/cm.tesla, etc..., tm sido observados. Os semicondutores semimagnticos e as super-redes a
eles relacionadas so uma rea promissora tanto do ponto de vista da pesquisa bsica em magnetismo e
mecnica estatstica quanto do ponto de vista de aplicaes tecnolgicas.

Na rea de slidos amorfos existem duas grandes categorias de semicondutores: os vidros calcogneos e
os dc coordenao tetradrica. S estes ltimos podem ser preparados como materiais eletrnicos no
sentido de que a condutividade pode ser modulada por impurezas. Os calcogneos so usados em outras
aplicaes, em particular o selnio o material clssico de eletrofotografia. Dentre os semicondutores
amorfos da segunda categoria, alm do silcio amorfo hidrogenado (a-Si:tf), muita ateno tem sido dada
ao estudo de ligas tais como silcio-carbono, silicio-nitrognio, silicio-germanio, etc., que tm aplicaes
interessantes na micro e optoeletrnica.

Os semicondutores de gap muito estreito, na fa ix a 0,05-0.5eV, tm sido intensamente utilizados em

aplicaes optoeletrnicas tais como sensores de infra vemelho e lasers de baixa frequncia, com
comprimento de onda na faixa 2-20am. Exemplos de tais semi co ndutores so Hg 1_xCd,Te e Pb l _XSrtxTe.
Tais dispositivos optoeletrnicos tm ampla aplicao em astronomia, espectroscopia de infravermelho,
sensoriamento remoto, viso noturna e diagnstico mdico.

Finalizando, o interesse cientfico e tecnolgico dos semicondutores tm causado nas ltimas dcadas
uma verdadeira revoluo na tecnologia e na prpria sociedade. O progresso na informtica, na
automao de equipamentos e processos industriais, nas telecomunicaes, em tcnicas de diagnstico

-25-
medico, especialmente tomografias, em equipamentos eletrodomstico, em clulas fotovoltaicas, e em
vrias outras reas, se a ss enta basicamente na cincia e tecnologia dos materiais semicondutores. O
avano dessa tecnologia se d a uma velocidade espantosa. Numa pequena pastilha de Si ou GaAs j
possvel incorporar a capacidade de processamento de um grande computador de duas dcadas atrs.
Um disco compacto digital com leitura por um laser de GaAs, j to utilizado na gravao musical e cujo
custo de produo inferior a um dlar, tem capacidade de memria para se gravar a enciclopdia
Britnicq O desempenho dos componentes c equipamentos cresce rapidamente enquanto seu custo cai a
uma velocidade igual ou maior. Apesar da queda de preos, entretanto, o faturamento da indstria
eletrnica, incluindo a informtica, ir na prxima dcada superar a da indstria automobilstica em
vrios pases, inclusive provavelmente no Brasil. A revoluo eletrnica-optoeletrnica-informtica no
um processo em vias de exausto. Ao contrrio, tal revoluo tent mpeto e velocidade crescentes.
Qualquer previso do futuro baseada em informaes atualmente disponveis ser porisso quase
certamente suplantada pela velocidade. Certas projees mais baseadas em conjecturas e intuies
podem no se concretizar, mas no conjunto os fatos podero suplantar expectativas supostamente
otimistas. Muitas dessas expectativas esto ligadas a computadores que dispensam programao pelo
usurio e s denominadas inteligncias artificiais, ou seja, computadores que aprendem. provvel que
boa pa rt e da revoluo futura em informtica decorra mais de inovaes no campo da lgica, com a
possvel substituio da lgica binria do que do aprimoramento de dispositivos. Sem dvida, entretanto,
o progr ess o dos dispositivos eletrnicos e principalmente optoeletrnicos tero um papel vital nesse
processo e presume-se que os materiais semicondutores continuaro no centro da ce na. A pesquisa em
FS dever po rt anto se intensi fi car na prxima dcada.

2.2 SITUAO DA AREA NO PAIS

A. Breve Histrico

A primeira atividade em FS no Pas ocorreu no IFUSP em 1963, com trabalhos experimentais em

efeitos magneto-oscilatrios. Entretanto, a pesquisa em FS naquele instituto s adquiriu dimenso
significativa aps 1978 e desde ento predominantemente terica.

A FS adquiriu um bom impulso em 1970-1971, quando se criou na UNICAMP um grande grupo de

pesquisa na rea, constituido de brasileiros recm-chegados do Exterior e de estrangeiros. Apesar de a
UNICAMP ter diminuido a nfase o ri ginal em FS e ser hoje mais diversificada, o maior grupo de
pesquisadores trabalhando em FS no Pais ainda se encontra naquela universidade. A pesquisa bsica em
FS na UNICAMP se enfraqueceu nos ltimos anos. Entretanto, ainda existe l intensa atividade em
crescimento de cristais, caracterizao e desenvolvimento de dispositivos optoeletrnicos. Alm do mais,
a pesquisa em dispositivos na UNICAMP resultou, no Centro de Pesquisa e Desenvolvimento (CPqD) da
Telebrs, no projeto laser para comunicaes pticas.

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 Na presente dcada surgiram vrios grupos de FS no Pals, em So Carlos (USP e Federal), 1NPE,
PUC/RJ, UFF, UnB, COPPE, UFRN, UFRJ e UFMG. Grupos de Pesquisa esto tambm sendo criados
na UFCE, UFPE, UFBA e FUA. Nos setores de engenharia e indstria houve grande expanso dos
laboratrios LME-EPUSP e LS1-EPUSP e o surgimento de algumas indstrias com laboratrios de
pesquisa em dispositivos, tais como a SID-Microeletrnica, a Elebra e a Itaucom. Deve-se ressalt ar,
entretanto, que a expanso da pesquisa bsica em FS no Pas tem se baseado essencialmente em
trabalhos tericos. Tal fato se deve, em grande parte. 3 diminuio de recursos disponveis para
investimento e custeio em laboratrios nesta dcada. A pesquisa experimental em FS relativamente
dispendiosa, talvez a mais dispendiosa dentro da Fsica da Matria Condensada. Alm disso, e ssa rea
sofreu notveis mudanas na presente dcada, o que resultou na obsolescncia de grande pa rte da
capacidade de pesquisa instalada.

Apesar da precariedade dos recursos, a comunidade que se dedica h FS tem crescido e esta a maior
rea da Fsica no Pas em nmero de pesquisadores. Tal fato se deve talvez principalmente ao apelo
exercido pelo notvel progresso da rea nos pases desenvolvidos. A Escola Brasileira de Fsica de
Semicondutores, que se realiza bienalmente desde 1983. tem tambm contribuido para atrair
pesquisadores para a rea.

B. Situao Atual e Perspectives

A FS no Brasil a maior rea da matria condensada em nmero de pesquisadores. O nmero de

pessoas com doutorado que exercem alguma atividade em FS da ordem de 160, dos quais
aproximadamente 50% so experimentais. Na tentativa de reequipar os grupos j existentes e instalar
novos grupos e linhas de pesquisa foi feito um Projeto Nacional de Semicondutores (PNFS), coordenado
pela Comisso de Semicondutores da Sociedade Brasileira de Fsica.

As Tabelas 2.1 a 2.6 do uma viso global das atividades j existentes e das que se pretende implantar
pelo PNFS, diferenciando aquelas que j possuem os recursos assegurados. Nos pargrafos seguintes
faremos uma descrio suscinta da situao atual e das perspectivas para os prximos cinco anos de cada
instituio participante do PNFS.

Universidade do Amazonas

Trata-se de um grupo em formao que no momento conta com um doutor expe ri mental especialista na
rea. H um programa de formao de pessoal em FS em outras instituies do Pais; trs pe ssoas
concluiro o doutorado brevemente. O futuro do grupo depende criticamente de apoio financeiro,
principalmente atravs do PNFS, e do sucesso do programa de formao de pessoal. As atividades
existentes, de forma incipiente no momento, e planejadas, envolvem transpo rte eltrico, inclusive
fotocondutividade, estudos de contatos eltricos e teoria de estados eletrnicos em heterojunes e
super-redes.

-27-
Unive rs idade Federal do Cear (UFCE)

A pesquisa em FS na UFCE ainda incipiente. Est sendo criado um grupo de pesquisa baseado
fortemente na reorientao da atividade de pesquisadores de outras areas e na adaptao de seus
laboratrios. Por exemplo, fsicos que atualmente usam tcnicas de ptica e medidas dieltricas no
estudo de transio de fases estruturais pretendem utilizar as mesmas tcnicas, com alguma sofisticao
adicional tal como lasers sintonizveis, lase rs de pulso ultra-rpido, para investigao de mate ri ais
semicondutores. Existem elementos jovens com formao terica em estrutura eletrnica de
semicondutores e termalizao de eltrons quentes. O sucesso dos programas do grupo de FS depender
do envolvimento efetivo dos pesquisadores que esto reoricntando suas atividades, do apoio financeiro
necessrio para adaptao dos laboratrios j existentes, implantao de liquefator de He, equipamento
para produo de filmes finos por sputtering, etc..., e de intercmbio com outros centros.

Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)

O grupo conta atualmente com seis doutores com formao em FS. dos quais cinco so tericos. Os
tericos tem apresentado uma boa produo cientifica na area de estrutura eletrnica, interfaces e
superfcies. O grupo experimental pretende produzir compostos e heteroestruturas de classe I1-VI por
MOCVD, fazer caracterizao por resistividade e efeito Hall. fotoluminesccncia e espectroscopia de
fotoexcitao. Pretende tambm investigar portadores quentes por fotoluminescncia com resoluo
temporal. O futuro desse grupo depende criticamente de obteno urgente de apoio financeiro. O grupo
tem formao adequada e conta com excelente apoio dos tericos locais. Com suporte financeiro
adequado certamente se concretizar um bom grupo integrado experimental-terico de FS na UFRN.

Universidade Federal de Pernambuco (UFPE)

O Departamento de Fsica (DF) da UFPE constitui um excelente centro de pesquisa em

semicondutores magnticos, mas a direo est voltada ao entendimento dos fenmenos magnticos
desses materiais e no suas propriedades semicondutoras. O projeto da UFPE est centrado
principalmente no Si cristalino e em estruturas MOS de Si, ao passo que no resto do Pats a ateno est
voltada quase que exclusivamente para semicondutores compostos das classes IIl-V e Ii-VI e para
semicondutores amorfos, inclusive Si. O plano da UFPE contratar jovens pesquisadores, ex-estudantes
daquela unive rs idade, atualmente em programas de doutorado c ps-doutorado no exte ri or, rerientar
parcialmente a atividade de pesquisadores experientes do DF e de seus respectivos laboratrios dc
pesquisa e instalar novos laboratrios, principalmente para processos e testes de mate ri ais e dispositivos.
H atualmente um pesquisador especialista em dispositivos MOS de Si. A necessidade de se dar mais
ateno ao Si no Pas j foi registrada inclusive no documento da SIIF "A Fsica no Brasil" e portanto
iniciativas nesta direo devem merecer apoio e estmulo especiais.

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Universidade Federal da Bahia (UFBa)

O Departamento de Fsica da UFBa est implantando um grupo terico na rea de propriedades

eletrnicas de sistemas desordenados e sistemas de baixa dimensionalidade. O grupo de cristalografia
tem planos de se dedicar ao estudo de cristais semicondutores com a suplementao de equipamentos do
laborat rio de raio-X. O projeto experimental prev ainda a utilizao da espectroscopia fotoacstica em
semicondutores.

Universidade de Brasilia (UnB)

A UnB conta com trs doutores tericos cuja atividade principal est na rea de estrutura eletrnica de
ligas e semicondutores dopados e dois doutores tericos com atividade parcial ria rea. Conta ainda com
um doutor experimental dedicado integralmente FS. H3 ainda a inteno de se contratar alguns
doutores experimentais para a rea. O DF conta co m algum equipamento eletrnico e ptico apropriado
para a pesquisa em FS. A atividade terica j vem de alguns anos, mas a atividade experimental est em
seu inicio. O sucesso do programa expe ri mental depender de alguns fatores, principalmente de apoio
financeiro e da contratao de pessoal. O projeto experimental envolve produo epitaxial de compostos
Ill-V, principalmente InP/InGaAs, por MOCVD e estudos pticos (fotoluminescncia, espectroscopia e
fotoexcitao c espalhamento Raman) e eltricos (resistividade, efeito Hall e fotocondutividade) desses e
outros compostos.

Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)

A pesquisa em FS na UFMG recente. O programa dc pesquisa na rea foi concebido em 1982 mas
como ele dependia crucialmente de formao de recursos humanos, todo o plano foi projetado numa
perspectiva de longo prazo. Atualmente o grupo dispe de seis doutores experimentais e trs te ricos
integralmente dedicados 3 rea. Cinco doutores experimentais e um terico esto se incorporando ao
grupo em dedicao parcial. Dez estudantes esto em programas de doutorado expe rimental no exte rior
em reas de interesse do grupo. Pretende-se absorver pelo menos metade desse contingente.

O grupo produz estruturas GaAs/AIGaAs pela tcnica MBE e faz caracterizao eltrica (resistividade
e efeito Hall) das mesmas e mantm intercmbio com outras instituies para uso de mtodos
complementares de caracterizao. Esto sendo adquiridos equipamentos para laboratrios de ptica
(Raman convencional e ressonante, fotoluminescncia, fotoexcitao e absoro), de transporte eltrico
sob campos magnticos intensos (at 13 Testa), anlise de superfcie (Auger, LEED, SIMS e XPS),
deteo ptica de ressonncia magntica (ODMR) e processos (fotolitografia, difuso, contatos).

As linhas de pesquisa do grupo para os prximos anos incluem crescimento de amostras e sua
investigao pelas tcnicas acima. O laboratrio de processos, relativamente modesto, ser utilizado p ara
a confeco de circuitos para medidas eltricas. Dentro de quatro au cinco anos haver pesquisa em

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dispositivos eletrnicos e optoeletrnicos baseados em GaAs/AIGaAs. Estudantes esto sendo enviados
ao exte ri or para treinamento na area de dispositivos.

O grupo conta com algumas dificuldades. A p ri ncipal a necessidade de impo rt ao de grande

quantidade de equipamento. Apesar dc dispor de mais de trs milhes de dlares j aprovados na
FINEP, a experincia brasileira mostra que nem sempre os recursos aprovados garantem efetivamente os
investimentos previstos, principalmente em equipamentos importados. O grupo terico tem se dedicado
quase que exclusivamente ao estudo de defeitos em Si e sua interao com os temas de interesse dos
experimentais desejavel. Ha tambm, no momento, muita dificuldade em se conseguir abertura de
concursos para a planejada expanso do grupo.

COPPE - Universidade Federal do Rio de Janeiro (COPPE)

O laboratrio de Estudos de Materiais e Interfaces (LEMI) do COPPE contm um grupo que se

dedi ca, desde 1982, ao estudo de clulas solares de filmes de a-Si:H. O grupo conta com trs doutores e
cinco mestres, todos experimentais, e dispe de equipamento para produo de filmes por sputtering,
glow discharge, para anlise (microssondas, espectrmetros Auger e SIMS, microscpio cictrnico) e
para processos (fotolitografia e metalizao). As linhas de pesquisa do grupo so produo de filmes
amorfos de Si, difuso de H, formao de silicetos metlicos. deposio de ramadas passivadoras e
isolantes e aplicaes em dispositivos, incluindo transistores de a-Si:H. O programa da COPPE prev um
forte intercambio com a PUC/RJ, principalmente para a caracterizao ptica e eltrica e por
"Rutherford Backscattering Spectroscopy" (RBS).

Pontifcia Universidade catlica do Rio de Janeiro (PUC/RJ)

A pesquisa em FS na PUC/RJ envolve trs departamentos: Fsica (DF), Cincia dos Materiais e
Metalurgia (DCMM) e Centro de Estudos em Telecomunicaes (CEETUC). Nos ltimos cinco anos o
DF tem realizado pesquisa em FS por tcnicas pticas. especialmente fotoluminescncia. Por outro lado
o DCMM tem utilizado uma microssonda eletrnica para analise de superfcies e para litografar por
feixe de eltrons e o CETUC tem trahalhado cm processos em filmes, parcialmente em colaborao com
o CPgD-Telebrs. O DF conta com equipamentos para RBS. Nasceu de tal co nfigurao um projeto
interdepartamental de produo de GaAs, AlAs, InAs e suas ligas heteroestruturas por MOCVD,
caracterizao (ptica, eltrica, superfcie) e confeco de circuitos de microondas e optocletrnicos. O
projeto ja conta com uma concesso de quase um milho e meio de dlares pela FINEP, para aquisio
do reator MOCVD e suplementos. Mais recursos sero necessarios para a aquisio de mais
equipamentos do laboratrio dc caracterizao. O OF conta com quatro doutores experimentais, um com
dedicao integral FS e trs co m dedicao parcial. um dos doutores coordena o projeto global da
PUC/RJ. O DF conta tambm com dois doutores tericos que truhalharn na area, com os quais uma
colaborao estreita est prevista.

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Universidade Federal Fluminense (UFF)

A UFF conta com onze doutores tericos trabalhando em FS, a maio ri a deles com dedicao integral
na rea. Conta tambm com quatro experimentais. As linhas de pesquisa do grupo so semicondutores
desordenados, heteroestruturas, transpo rt e, fenmenos magnticos, superfcies e interfaces, prop ri edades
pticas e clulas fotovoltaicas. No caso de fenmenos magnticos ha pesquisa expe ri mental c terica e no
caso de clula fotovoltica a pesquisa expe ri mental. Nos temas restantes o enfoque terico. O grupo
de FS da UFF inquestionavelmente produtivo e qualificado. H, entretanto, um enorme
desbalanceamento para o lado terico. H planos de investimento em infraestruiura experimental
(liquefao de He, laboratrios). Acredita-se que para maior sucesso do grupo deveria haver planos de
contratao de pesquisadores expe ri mentais.

Universidade de So Paulo (USP-SP)

O Instituto de Fsica da USP (IFUSP) conta com um grupo terico de FS composto de onze doutores. A
linha principal de pesquisa do grupo defeitos pontuais isolados em cristais semicondutores, mas os
trabalhos incluem tambm estrutura de bandas, termodinmica de ligas e super-redes, gs de poos
qunticos, reconstruo de superfcies livres e outros temas. O grupo tem sido muito produtivo. No
IFUSP trabalham tambm quatro experimentais em FS, utilizando raios-X, EPR e espectroscopia ptica
como tcnicas de anlise.

Na perspectiva futura o projeto de se criar um grupo de produo por MBE e caracterizao de

estruturas GaAs/AIGaAs. O projeto envolve o laboratrio de sub-sistemas integrveis (LSI) da EPUSP,
e a p ri ncipal destinao das amostras ser o desenvolvimento de transistores dc eltrons dc alta
mobilidade (HEMT-FI) e de circuitos integrados no LSI.

O projeto MBE do IFUSP envolver aplicao de cerca de quatro milhes de dlares, dos quais trs
milhes provenientes da FINEP e o restante do BID. Os recursos j foram concedidos. O projeto tem
mritos inquestionveis. O IFUSP representa um papel importante na Fsica Brasileira e o reforo da
fsica expe ri mental de semicondutores naquele instituto atravs de um projeto de impacto ter reflexos
positivos. Por outro lado o LSI o grupo brasileiro cm melhores condies para desenvolver disposi ti vos
microeletrnicos baseados em GaAs. A dificuldade atual a necessidade de maior envolvimento de
fsicos experimentais para o cumprimento das metas, j que as pessoas eventualmente disponveis esto
altamente disputadas pelo mercado. O prestgio da USP poder lhe dar significativa vantagem nesta
disputa.

Unive rs idade de Sao Paulo - So Carlos (USP-SC)

O DFCM da USP-SC dispe de um grupo terico em FS, pequeno e muito ativo. O grupo foi pioneiro,
no Pals, no estudo terico de gases de eltrons bidimensionais, tanto em semicondutores quanto na
superfcie de hlio. Atualmente trs doutores se dedicam FS naquele grupo. Tem havido tambm

-31-
naquele departamento, nos ltimos seis anos, pesquisa em crescimento de cristais volumtricos dc Si. O
grupo do Si composto por dois doutores. Em 1985 iniciou-se um esforo na direo de se produzir
sistemas GaAs por MBE no DF. l existe em operao ali uma cdmara de crescimento por MBE de
pequeno po rt e. Tres doutores experimentais esto envolvidos no crescimento. H um projeto de
ampliao das instalaes ligadas ao MBE, incluindo uma cmara de anlise equipada com SIMS e de
implantao de outros laboratrios de caracterizao ptica e eltrica (inclusive sob o efeito de campos
magnticos intensos). Ser tambm instalado um laboratrio de processos para confeco de circuitos de
prova eltrica Os investimentos previstos so cerca de um milho de dlares, metade dos quais j
co ncedidos pela FINE?.

Universidade Federal de So C ar los (UFSCar)

O DF-UFSCar possui um grupo terico dedicado i1 investigao de estados eletrnicos, transporte e

magnet o- transpo rt e (planar e ve rt ical), excitaes coletivas e fenmenos magnticos em heterojunes e
super-redes semicondutoras. Tres doutores do dedicao integral ao programa e um outro d dedicao
parcial. H colaborao com o grupo terico da USP-SC e os dois grupos formam o mais importante
polo de teoria em heterojunes e super-redes do Pals. Existe tambm na UFSCar um grupo
experimental dedicado ao estudo dc contatos eltricos em compostos HI-V utilizados na fabricao de
laser. O grupo conta com seis doutores, pelo menos dois em dedicao integral. Tal grupo bem re ce nte
e ainda est precariamente equipado, boa parte de seus trabalhos sendo por isso realizada em
co laborao com outros laboratrios. O grupo planeja melhor ar seus laboratrios de pro ce ssos e
caracterizao visando mais desempenho e autonomia no estudo de co ntatos. Planeja tambm inici ar
ri ng, de filmes de xido de silcio e nitrato de silcio e estudo de suas trablhosdep ,rsute
propriedades eltricas.

Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)

O grupo de FS do Instituto de Fsica da UNICAMP de longe o maior e mais equipado do Pafs. A

UNICAMP teve um papel hegemnico na histria da FS do Brasil. Com o aparecimento de outros
grupos e um decrscimo da nfase em FS na prpria UNICAMP, a importncia relativa daquela
instituio da FS do Pals decresceu nitidament, apesar de ainda ser muito gr ande. O pessoal docente
co m doutorado da UNICAMP dedicado FS se classifica em seis grupos:

Grupo de Prop ri edades pticas (4 experimentais)

Grupo de Espectroscopia (2 experimentais)
Grupo Terico de Estrutura Eletrnica e Fsica de Semicondutores (3 tericos)
Grupo de Pesquisa em Dispositivos (9 experimentais)
Grupo de Converso Fotovoltica (4 experimentais)
Grupo Terico de Processos Dinmicos em Semicondutores (4 tericos)
H ainda o Grupo de Cristalografia (2 experimentais) cujas atividades esto descritas na respec ti va sub-
rea deste trabalho.

-32-
 A UNICAMP tem um projeto visando reaparelhamento dos laboratrios no grupo de pesquisa em
dispositivos. Pretende-se instalar neste grupo um sistema de epitaxia por fe ixe qumico (CBE) para
produo de InP, InGaAs, InGaAsP, GaSb e AIAS e heteroestruturas desses compostos para pesquisa
bsica e produo de dispositivos eletrnicos e optoeletrnicos bem como ampliar o sistema atualmente
existente de MOCVD. Os novos laboratrios do grupo de pesquisa em dispositivos incluem sistema de
implantao de ons, SIMS, microscopia eletrnica de varredura de transmisso e evaporadora de metais
de alto vcuo. Os equipamentos e a instalao de rea limpa com infraestrutura para acomodadr o CBE
e o SIMS custaro USS 4.500.000,00 (quatro e meio milhes de dlares), sem contar o custo das obras
civis. Cerca de USS 3.000.000,00 Ores milhes de dlares j foram concedidos pela FINEP e sero
destinados A aquisio e instalao do CBE e do SIMS. O custo total de reequipamento dos outros
grupos de cerca de um milho e meio de dlares.

Os investimentos planejados pela UNICAMP so perfeitamente razoveis para o porte do grupo de FS

e muito provvel que os recursos sejam obtidos. No caso especifico do grupo de prop riedades pticas,
os investimentos planejados, menos de meio milho de dlares, so verdadeiramente modestos. O
projeto da UNICAMP levar a uma recuperao da competitividade em pesquisa bsica e A sua
consolidao como importante polo de produo de materiais semicondutores e sua utilizao em
dispositivos optoeletrnicos.

CPqD - Telebrs (CPqD)

A coordenadoria da rea de dispositivos optoeletrnicos (CADO) do CPqD faz pesquisa e

desenvolvimento de disposi tivos optoeletrnicos visando telecomunicaes pticas. A CADO com 26
pequisadores, sendo 9 doutores e 18 mestres.

Seus projetos atuais so: Lasers e LEDs de GaAs/AIGaAs e de InP/InGaAsP. No futuro prximo a
CADO planeja fazer Pesquisa e Desenvolvimento em optoeletrnica integrada, circuitos integrados de
GaAs. Planeja tambm expandir sua infraestrutura para epitaxia MOCVD e anlise de mate riais,
incorporando um espectrmetro Auger a seus equipamentos. Cerca de USS 2500.000,00 (dois e meio
milhes de dlares) sero investidos em laboratrios de epitaxia, anlise de superfcie (Auger),
implantador de tons e processos.

O CPqD uma entidade mpar na FS no Pas. Seu objetivo pesquisa e desenvolvimento em rea
muito bem definida e sua atuao constitui importante interface entre universidade e indstria. O CPqD
contribui tambm de modo expressivo para a formao de recursos humanos, abrindo seus laborat rios e
instalaes para estudantes em programas de tese.

-33-
Instituto de Pesquisas Espaciais (1NPE)

O Laboratrio Associado de Sensores e Materiais a unidade do INPE que exerce atividade de

pesquisa em materiais semicondutores e desenvolvimento de dispositivos. O grupo teve sua o rigem em
1978, com trabalhos tericos e a pa rt ir de 1980 se diversificou com atividade terica, experimental e de
desenvolvimento de dispositivos. O laboratrio conta atualmente com 5 doutores, dos quais um terico.

A linha de pesquisa terica do INPE inclui a difuso de tomos em superfcies, transporte de gs de

eltrons sob campo magntico intenso, transporte em sistemas MOS, estados de impurezas em poos
qunticos e espessura critica de camadas epitaxiais tensionadas. Na rea de produo de materiais h
pesquisa na produo de cristais volumtricos de Ph l-x 5nxTe, assim como filmes destes mate riais por
epitaxia (LPE e HWE). Planeja-se iniciar pesquisa na produo de outros compostos IV-VI (Pb l _
xCdxTe, Phi_x SexTe, Pb l _x MnxTe, etc), assim como compostos II-VI (Hg l-xCdxTe) e I11-V (InSb). Na
Area de dispositivos h pesquisa em clulas fotovolticas de qualificado espacial baseados em Si
(planeja-se tambm utilizar GaAs), detetores de infravermenlhn baseados em Pb l _xSnxTe ( no futuro
sero usados outros materiais produzidos no INPE) e microsensores mecnicos e trmicos baseados em
Si.

O INPE a instituio no Pais que se dedica A produo de semicondutores de gap estreito e

desenvolvimento de dispositivos baseados ne sses materiais. No caso de detetores de infravermelho
baseados em Pb 1-5 SnxTej h domnio completo du ciclo, da produo dos c ristais comercializao do
dispositivo.

C. Projeto Nacional de Fsica de Semiconduto re s

O PNFS um projeto envolvendo 17 instituies. O projeto visa reequipar os laboratrios existentes,

criar linhas de pesquisa e apoiar grupos emergentes na rea de FS. O custo do PNFS de ce rca de 30
milhes de dlares em material importado.

O PNFS surgiu a partir de ampla discusso de pesquisadores da area durante o X Encontro Nacional de
Fsica da Matria Condensada realizado em maio de 1987 em Caxamh. O PNFS uma iniciativa no
sentido de dar maior desenvolvimento A rea no Pals. O nmero de pesquisadores dedicados A FS no
Brasil tem aumentado signifivativamente nos anos recentes como reflexo do renovado interesse que os
semicondutores tm despertado no cenrio internacional. Por outro lado, a FS se enquadra de modo
privilegiado na poltica de desenvolvimento cientifico e tecnolgico da Secretaria Especial de Cincia e
Tecnologia, uma vez que esta Secretaria destacou as reas de novos materiais e informtica, alm de
outras, num programa especial de apoio.

A pesquisa experimental em FS relativamente dispendiosa. A produo e investigao dos materiais

semicondutores exigem um va riado acervo de equipamentos de mdio po rte, ou seja, na faixa de custo de

-34-
USS 300.000,00 - 1000.000,00, instalaes especiais, in cl usive rea limpa, e materiais de consumo de
grande pureza. Ficou ento evidente a necessidade de um projeto espe cial visando o reaparelhamento
dos laboratrios j existentes e a implantao do novos laboratrios para acomodar de modo produ tivo a
crescente comunidade de FS no Pals.

Julgamos que as intenes de se iniciar pesquisa em novos mate riais semicondutores esbarraro, alm
da barreira de recursos finan ce iros, na escassez de pessoal especializado. urgente iniciar-se um
programa de formao de pessoal especializado na produo de novos mate riais semicondutores, na sua
caracterizao. e no desenvolvimento de dispositivos eletrnicos e optoeletrnicos baseados em tais
materiais. Tal programa deve ria incluir o envio de grande nmero de pessoas p ara doutoramento e ps-
doutoramento no Exterior.

Foi criada, dentro da SBF, a Comisso Nacional de Semicondutores (CNS) com o fim de p romover a
rea e encaminhar a formulao do PNFS. O. Projeto envolve dezessete instituies e cerca de 150
doutores. A CNS ter as funes de negociar perante os rgos governamentais a alocao de verba
especial para o PNFS e far o acompanhamento da execuo do Projeto.

O PNFS poder dar enorme impulso FS no Pats. O nmero de pesquisadores na rea poder dup licar
em cinco anos como resultado da melhoria dos laboratrios e portanto da capa cidade de formao de
recursos humanos. O aumento dos pesquisadores ocorrer principalmente na rea expe rimental, o que
altamente desejvel em rea de tamanha interfa ce com e tecnologia de ponta. Os pesquisadores tericos
sero sem dvida beneficiados pelo desenvolvimento da rea expe ri mental, j que a disponibilidade de
fatos experimentais inditos um dos principais requisitos para a existncia de pesquisa terica de alto
nvel e originalidade.

-35-
TABELA 2.i
TtCNICAS DE CRESCIMENTO E PREPAAACYD

NATERIAL
INSTITUICIO III-V II-V1 IV-VI SI Aawrfo

FUA O O O O

UPC 0.5 0

UFRR O 0

OFPE O O

UFBA

UNS O

UFNG X 0

COPPE-UFRJ O.X O.Y

PUC-RJ

BFF 0

USP -SP

USP -SC Y Y

UFSCAR

UNICANP .X O.Y

CPgD-Tirbra +.X

fNPE O.X 0.1 0

UFRS

Y - Ja xutnti
a - A r implantado
O - Con4CO66. ioai
TABELA 2.2
TCNICAS DE CARACTERIZACIO

'revises Prapriodadu Propr udadu Suparffcrss Nitro Proprisdadss Proprlsdadaa Nodidu

do AnaJ u Eatruturaia tlieroacdpiaaa Loca u
InatiLVIQ7O dpticas
Transports

FUA 0,X 0 0 0
UFC I 0 0 0 0, a
0.
VFW O 0 0
UFPE X,R X 0 o 0
UFBA
UNO O O
um a R a o o
=PPE-UFRJ O X o,X 0.1 X
PUC-RJ X X X X X
UFF a X
USP -SP 0 I O O 0,X
USP-SC a,X I 0 0.1
UFSCAR X
UBICARP 0.X 0.1 R.X 0.1 0,2 X
CPgD-TeIeDras X I X X
INPE XI X
0 0 0.X X 0
UFRS

x - JAN .alat.nt..
R - A mar iaplantado-
0 - Cdadlca Ides..
TARDA 2.3
PROCESSOS

Toenica Fatalitogralia Dlfusle I.plsnt.cio N.cal/ Di.ltrico Corr R . Ce z i..nt0

In.titaicso ]Eniea S.ie SONIC

PUA o o
urc X
UFRH 0 O
urPE O 0 O O
urn
URR 0 O O
Um 0 O O
COPPE -RJ X I 1C 0.1
PUC -RJ X X X
OFF
0.1
USP -SP
USP -SC O 0.X 0 0 0 I
UFSCAR X X 0 X
UNICACP I % 0 X 0 I X
CP14O-T.I.6r4. 0.14 X I X a.I X
IMPE X 0 X 0 I I
UFRS X i X I I I I

I - J4 .xist.nt.s
- A . r iaplancatla
O - COntlicE.s 'tools
TABELA 2-4
DISPOSITIVOS
---
TIPO Dpte- Foto- Trana;ator Ultra- Gauge' Paaa7rO
INSTITUICID , EItrOniCO Voltauca D iode RApido Senaote

FOA I
uFc
UFRN
UFPE 0 O
UFBA
URI
UFHG
COPPE -RJ I 0 0,I
PUC-RJ X I X
UFF *
USP 0 0
U5P -SC * R * * O 0
UFSCAR
UH ICA1lP X I 0 0
CPgD-Telbrir 0,1 * '.-.
X I 0 0
E}-RS ' 0 O

X - JA Kiat
- A met laplantade
O - COndICOee id u
{
_TABELA 2.5
TEORIA
AREA D.f.tto. H D..ord.n.00e Sia... Propr. Prapr. Suprffet. Trana- Emit.
1HSTITLICXO .trutura. R..o.cOoleo. Opticaa Il.gnatc.. port. EI...

FLA O x x o 0 O
CFC O x x x
UFRH x r x X x x
UFPE O o X x o x
UFBA x x
uHe o o H
UFt.G x x
COPPE -RJ
Pue-R,: x x x x
UFF x x x x r x
USp -SP x x x x
USp -SC x x O x o r
UFSCAR x x
UH CAHP x
CPOO-T.Ibra.
IRPE x X x x
UFRS

X - .i.t.nt
- A . r iaolantaeo
O - Conal:8.. .tlai.
TABELA 2.6
QUADRO GERAL DAS ATIVIDADES

AREA Cracl CaraClsrizaOlo Diapon tivea Procuo Toaria

1NSTITUICIO Prpar 80e

FUA O O I O I
uFC 0.5 O.X 0 0,%
UFRN 0 0.X 0 X
UFPE 0 0.X 0 0 0
UPS 0 0 0 X
UFNG I 0.5 0 0 I
COPPE-RJ 0.5 0.5 0.1 0.5
PUC-RJ 0 I 0.I I 5
UFF 0.5 a.X O,I X
USP -SP X
USP -SC aX a.X I
UFSCAR X X X
UNiCANP .I .X 0.5 0.5
CPO-Tslbras .I a.X .X
1NPE R I I X
UFRS X .X I

I - Ja )Miatntaa
a - A ar laplantado
O - Condlr.bs 'denim
TABELA 2.7
GRUPOS DE PESQUISA ER SEIICONDUTORES

INSTITBICIO LINHAS DE PESQUISA ESTAGIO TdCNICAS MAIS CUSTO

RELEVANTES EST I MADO
(USS1

NORTE-NORDESTE

FUA Fne.no de transports. (E1 C FoLOCOndullvzd.d 30.000

Propriedades 1trpnica
d hatroatruluraa IT)

UFC Caractrizaoio de Niece

Finda (E l FotoieLroqufaica 50.000

Propriedades ItrdnlCaa (T1 C

UFRN Propriedade. flsnca d hatro-
acrutura suprffct (71 C
Propridad Elatrica d R.i.iivldadei Efeito
Mataria u (El Hall. DLTS1 Capacitinci. 200.000

UFFE SaIcondutoreC magmatic*. C. R inda magnetic. -

Propriedade Optic. nio-Ii C Eepccroacopia Optics
nio-linear 150.000
Ffuc. d Di.po.ic woa NOS Ceps. itencia. Raiatl vi dodo

UFBA Proprid.d lLrOn1c de

htrostrYluraa elrihae
dasordn.doa (T 1 C

CENTRO-OESTE

BNB Propriedade 1trdric

croodioSmicas d 1i9.. IT) C
 TABELA 2.7 Continued
GRUPOS DE PESQUISA F1i SEMICONDUTORES

IHSTITUICZO LINHAS DE PESQUISA ESTAGIO TtCHICAS MAIS CUSTO

RELEVANTES ESTIRADO
(USEI
SUDESTE
011O Creclmnto car aCtr made
d htrwtruturas I l l-V (El C MBE 500.000
Eat rutur ItrOnlCa de
def e ito . eT) C
Propri.dd. dpticu d. I FotoluminscOncia,
tranapert eE) Fotwiicltaczo. futo Hall S00.000
lnAlis d auperrlci I SIRS. LEES. IFS 1.000.000

COPPE/UFRJ Preclude d film.. acorroe d.

Si interface metal -S) (E) C/I Sputtering descarga
l Ii.i n.ccante
Propriedades dptlCas. IAtrlca Auger. SIRS, mlcrosonda
.truturaus d semi cendutor.. ucroscopu Itrbnica.
i Amorfos CE) C/1 condutlVldad. S/ O
cAlula solar
de clinical
^ -Si-FET CE) C/1 Procs.os biomes

PUC/RJ Propredad.m dpticas cE) C rotolumi.oc{ncia 200.000

AnAIIs de euprfrci (El C MSS ml 700.000
Crescimento epitome] de het.ro-
est I11 -Y CE) 1 ROC'S]) 400.000
Urr Proprl.dd. ItrOnicas
&gneticas d mi
cristalinos asorrea IT) C - 5/0
Cdiula fotovoltAieaa eE) I El.troqul.ie
USP -SP Estrutur. 1trOnlc d dfites
htro.truturas. llgu super-
?icier CT) C -
Carmctrizacle de &morros ses)-
condutorr. (E) CBelo.-I 200.000
Crmeimnto pitasial da hatre-
mtruturas Ili -V IC) 1 MBE 1.500.000
Caracteriza do Optic Ltrica I Fotoluunoc.ncia. MTS.
CE) ' feito Hall 500.000
 TA8ELA 2.7 Continua do
GRUPOS DE PESQUISA ER SEPICONDUTORES

INSTITUIGAO LINHAS DE PESQUISA EST[G10 TtCNICAS PAIS CUSTD

RELEVANTES ESTIMADO
CUSS)

USP -SC Crase,anto pitu(ial d htero-

etruturas Ill-V (V) C NBE. SINS, RHEED 500.000
Caracterizado dpt,c IOtr)ca 1 FOtelua, anc u. fove-
a) cow/mtg./idled(' 200.000
Propr,dads 1trOnices d haro-
atrutura (T) C -
COntato em aN,condutor coapoetos Proasss transport
let -V (E) C el/trice. CV. Hall 200.000
Propriedade IerOnicas d h
struturae (T ) -
Cretanto caracterizado d e
ilfcto amorfo (E1 Lueinestantte. foto-
1 condutividad 200 .(]00

UNICAPP Cr.e,.nto pltawtal do htro-

struturas III -V tEl C/I NOCVD. CBE. SINS
i
la 0t,postt,vos opto-ItrOnico (E) C P
AP Propriedades Optic., larica C Totoluetnescintte, DLTS
Df,to. (E) C PITTS. DLTS 1.000.000
S..,condutor.. *sierra. (E) C Sp inp, d.earpa
lu.,n cnt
Propridad magneto-dpt,ca Ha11 quint,co. Shubenihov.
d Haas oscillations.
spctro,cop,a modulada.
Eftto Raaan, fotocondu-
t,v,ded
Est ltrOn,c. procassos
dtnisicos e eatOOndutor s (T) C

CPqD- Fabricado da 1 . Leda foto-

TIbra detectores (E1
Crascunto pita>ttal d h
,Lrutur.s 111-V (E)
Circuitos intprado, de Gatts (E)
INPE Protlutio d co..eto 11-VI (E)
Clulas solar.. dtctora
inf lho (E)
Propridadas 1trOnicas d
haro..truture (T)
C Processas caractr ,ucio 5/D
-
C POCVD LPE
I Proc.sd. (implantado
tOntca)
C VLS. LPE HUE
C Procas.os carsctriz.tllo
C

UFSCAR Contato s .,.,Condutor.

Propriedade, 1trOnicas d
as, condutor co.po.to
 TAREIA 2.8
PESSOAL CIENTfFJCO PRODUTIVIDADE

1NBT1TU1C10 DOUTORES NESTREB ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS

FORMADOS REVISTAS C/
ARBITRO
GRUPO T E T E IC D R D 78-82 83-87

NORTE-NOROESTE

FUA 2 2 4 f - - 3 9

uFC
Prop. Opticas - 4 3 SO 8 2 10 10 15
raises Firms - 2 1 2 1 - 1 9 6
Prop. l.trnic.
a transport* 3 1 4 4- - 2 9 14

UFRN
T.Orics 3 - - 2 1 3 20 34
Eiip.ri 1 - 2 2 7 - - 5 5

. UFPE 1 3 - 4 1 - 1 3 13
UFBA 6. 2 1 2 1 - 2 1 25 45

CENTRO-OESTE

UNB 3 4 4 .- 1

SUDESTE

UFNG
Cr.cisnio 3 1 4 2 4 2 8
Dfito. 3_ - 2 2 - 6 3 25 21
Prop.bpiic..
14irica 6 1 2 3 12 4 34 29

COPPE-
UFRJ 3 5 2 2 3 5
TABELA 2.8 Continuado
PESSOAL c1ERTIrlW E PRODUTIVIDADE

1R571rUIC20 DOUTORES Nr3`lRES E9TUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS

FORUMS REVISTAS C/
ARBITRO
GRUPO T E 7 E IC N 0 N D 78-82 8 3- 87

PUG-R.7
DF 2 4

UrT 1 4 2 - 4 4 - 23 32
U5P -SP
TOrtco 11 - 4 9 7 30 14 99 149
Erpri I - 4 4 4 2 2 1 10
USP -SC 3 3 4

UFSCAR
Tsbra co 3 2 3 3 3 1 10 20
Experimental' 6 4 1 1 - 12 22
UNICANP
Prop. Opt)cu cE) 4 10 2 6 9 4 30 73
Espccroscopl4 IC) 2 - - 1 1 6 3 24 24
Procso
DInAO1Ca (T) 4 1 2 6 6 14 29
Etrutura
ElcrOnic (T) 3 ' - 9 4 3 40 38
Crpc=ato
Dtspoalt)YO. 9
Acorro (E) 2 2 5 1 120
CPgD-
TISorA 9 10

INPE
TOrico 3 2 - 4 15 90
C/Iula Selars - 1 4 5 10
S t - 8 6 - 40
 TABELA 2.5
PERSPECTIVAS PARA OS PHOIIROS 5 AHOSi TLCNICAS E 1IlVnSTtIlEHTOS EM SERICOND1RORES

IHSTITUICIO NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TLCNICAS INVESTIMENTOS

GRUPO cUSal

Norte-Nord..t

PUA Condtclf*l, Atual CondlcOS ALmp1 . 100.000

Cona011daCRO da atuais Ilnha.. FOLOCOndutivldad Ef.lto
Condlc0 Id*ale Hall
Car ' . 'CondICE. fdla 700.000
Fatoluslncinc'a.
fotocapacltAncta

UPC CondicO. Atual ondlca. Atual! 1.100.000

Car 'saca por adid. Optical, Fato1uain.cOncia,
dt1trecae. istror.f 1,.ctIncia,
Conti c5. Ideai. pi.sorfIctacle.
Propr "dad.. optics nap 13 Rasan r..onan t,
Condlcd.. IC..l.
E.p.ctroseopt. Optic. nao-linear.

. UFRH CpndtcOsi Atusi. opolcese Atual 300.000

v Cr.eGtio*nio e tanii _ HOCVO
e Candice*, Ideal. ondiCO., Ideais 500.000
Car.Ct.riRsc5o LustnsCincle, DLTS. Mded..
Temporal..

UFPE Ff..C4 d o di.posttevaa on 'scale Eltpaomtrle ep.ctreeeep.. 200.000

.uostcron Opttca
4ul4eCaeds d S' -G Ill-V Prom *y.o. d fahreeaeae no 1.000.000
Eetru4 uras as.'-supere saecaraa pastilhas 550.000
R.io. -X. OLTS

UFBA Catact.rlsscio Foiol,clotica, Raio. -]t 240.000

CENTRO-OESTE

UNB , Propri*dad*l, op4tCa. Rosen. Fte.ncitstao 250.000

TABELA 2.9 CantrnuaClo
PERSPECTIVAS PARA 0S PRX(NOS 7 ANOS, TCNICAS C INVESTINEBTOS EM SEMICONDUTORES

INSTITUICEO NOVAS LINHAS OE TRABALHO NOVAS TtCNICAS INVESTIMENTOS

GRUPO (US)

SUDESTE

UFNG COnsolydacie das 'twain Unhai

as implantale (ver Tab. 2.71 3.000.000

COPPE-RJ CenaolydaCAo da atrai s Unha s

as implantado (vir Tab. 2.7)

PUC-RJ

UFF Hitiroistrutura Sonic. (7) Espictroscopia Optic

Sasrc_-Sam. agnt(ces (7)
CaractsrizaClo di Sonic. (E)

USP -SP Consolidado dos atua is linhas

es implanted() (vir Tab. 2.7)

USP-SC Consolidado du atuar tinhas

ea oiplantuClo (vir lab. 2.7) Tecn,c u dptrcas ilatr,ces 1.000.000

UFSCAR Interfaces e fila fines Raman. p ing 445.000

UHICAIP Consolidado dai atuai tinha Condidas Atual! 700.000

Raman reumananti. magnete-
OpLrca.
CondiCOe 'dias 3.000.000

CPqD-TELEBRAS

IHPE Nanolrtogr frs Niereseep(a ilatrnica di 500.000

imago
TARE 2.10
PERSPECTIVAS PARA OS PROXINOS 5 ANOS. RECURSOS HUNANOS EM SEMICONDUTORES

INST ITUICRO CAPACIDADE OE FORNACXO EXPANSE, DO GRUPO

GRUPO CONDICDES ATUAIS G,NOICDES IDEAIS GOND1CaES ATUAIS CONDICBES IDEAIS
N O N O N D a O

FONTE - NORDeSTF,'

FUA 5 1 2 3

UFC
Prep. Optic. a 2 10 3 2 2 3
Niue Fino 3 i 5 2 1 2 2 4
Prop. I.trOniee
. Os Lr.nport. 4 2 6 4 3 4

UFRN
T.OrICo 6 12 1 2
Expel-mental 3 6 3 - 5

UFPE 2 5 2 1 4

UFA 5 - 3 3 - 3

CENTRO-OESTE

UND 5 15 3 - 3 - 5

ArDESrE

UFNG
Cr.sc t unta
O.t.ita
PYop. Optic. ,

COPPE-UFRJ

PUC-RJ
TABELA 2.10 COnIInuecl0
PERSPECTIVAS PARA OS PROBINOS 5 ANOS. RECURSOS RUHANOS Eli SENl::0NDUToNE5

INST1TUICSO CAPACIDADE DE FOREACAO E1IPANSEO DD GRUPO

GRUPO CONDICOES ATUAIS CONDICUES IDEAIS CONDICDES ATUAIS =maw IDEAIS
N D H D 11 0 R D

UFF 4 6 6 B - 2 - 4

USP-Sp
Terl C O 20 10 20 15
EKper)eental 5 2 10 5 - 4 6

USP-SC 3 3 4 5 3 3 4 5

UFSCAR
Tersco 5 5 10 B - 1 - 3
Expert 1 2 - 3 1 2 1 3 2

UHICANP
Prop. Optica R B 16 12 3 6
EepeCtrOeeapla 2 1 4 3 2
PrOC.]In/escoa IT)
Eetru4.E1etrOnlCaIT) _
2 3
5
2 3

Creac. e Dupeestwo
Abortion

CPo7
Te1a

INPE
3. Magnetismo e
Materiais Magnticos

1 1 Descri&o

O magnetismo um dos campos de pesquisa mais frteis e mais ativos da Fsica da Matria
Condensada, que atrai atualmente grande ateno de fsicos tericos e experimentais. Ele tem tambm
uma enorme variedade de aplicaes em tecnologia que ganham importncia com a descoberta de novos
materiais magnticos.

Os principais objetivos da pesquisa neste campo so a compreenso das origens microscpicas das
propriedades magnticas dos materiais, a descobe rt a de novos mate ri ais e fenmenos, o escudo das
propriedades termodinmicas e das excitaes dinamitas dos sistemas magnticos, bem como o
desenvolvimento de novas aplicaes tecnolgicas.

Na pesquisa bsica um dos tpicos fundamentais a origem do magnetismo em isolantes e metais. Isto
envolve dois aspectos, a origem dos momentos magnticos microscpicos e a natureza das interaes .
entre eles. Os momentos tem origem na estrutura eletrnica dos tomos ou Ions que formam o mate ri al e
tem, portanto, caractersticas bem distintas nos isolantes (ou semicondutores) e nos metais. Exemplos
clssicos de materiais magnticos isolantes so os xidos, sulfetos, cloretos ou fluoretos de elementos do
grupo de transio 3d (Fe, Ni, Co, Mn por exemplo) ou de terras raras df (Nd, Sm, Eu, Gd entre outros).
Nesses materiais os momentos magnticos so localizados nos Ions metlicos. Em contraposio, em
metais co mo Fe ou Ni puros, assim como em alguns compostos intermetlicos de transio, os momentos
no so localizados, so itinerantes. Os fundamentos do magnetismo em isolantes foram compreendidos
antes da dcada de 70. Por outro lado, vrias questes fundamentais do magnetismo itinerante ainda
hoje no tem resposta satisfatria.

Consideraes de estrutura eletrnica estabelecem tambm o mecanismo da interao entre os

momentos magnticos. Quando a interao fo rt e sufucienie para se sobrepor agitao trmica, os
momentos tendem a fic ar alinhados coletivamente resultando numa magnetizao. esta magnetizao
que determina a resposta macroscpica do material a campos exte rn os. Por outro lado, se a temperatura
aumentada a desordem trmica aumenta e a magnetizao diminui, tendendo bruscamente a zero
numa temperatura de transio T c. A Figura 3.1 mostra o comportamento tpico da magnetizao M em
funo da temperatura T num material magntico. A medida e a interpretao terica detalhadas deste
comportamento em mate ri ais constituem um tpico atual de pesquisa em magnetismo. Quando a
temperatura ultrapassa o valor critico T c o sistema passa da fase ordenada (momentos alinhados) para a
fase paramagntica, sofrendo uma transio de fase.

-51-
 Tc
FIGURA 3.1- VARIAO TPICA DA MAGNETIZA-
-00 COM A TEMPERATURA.

Os fenmenos crticos que ocorrem nas proximidades das transies de fase so de grande interesse da
Mecnica Estatstica. Como os sistemas magnticos podem ser representados por uma variedade de
modelos matemticos relativamente simples, o Magnetismo o campo da Fsica de maior aplicao da
Mecnica Estatstica. Foi principalmente neste campo que poderosas ferramentas desenvolvidas nas
Gltimas dcadas foram postas a prova. Este o caso das expanses em alta temperatura, da teoria de
grupos de renormalizao (que deu o Prmio Nobel a K.Wilson cm 1982) e dos mtodos de simulao
por computador.

At a dcada de 70 a pesquisa em magnetismo era voltada para materiais com interaes entre
momentos em trs dimenses (d=3) e com ordenamentos simples, ferr o- , fern- ou antiferromagntico. A
dcada de 70 presenciou uma enorme evoluo na sntese de materiais magnticos. Foram descobertos
materiais com interaes predominantemente em planos (d=2) ou em cadeias lineares (d=1) e com
ordenamentos mais complexos, co mo os sistemas modulados. Foram tambm produzidos mate ri ais com
desordem espacial dos momentos, como as ligas, os sistemas densos diludos e os vidros de spin que
estimularam o desenvolvimento de novas tcnicas de Mecnica Estatstica. Foi graas a contribuies
fundamentais 3 Fsica dadas neste campo que Louis Ne! cm 1470 c J.H.van Vleck e P.W. Anderson em
1977 receberam o Prernio Nobel. Os sistemas de baixa dimenso (d= 1,2) e os sistemas desordenados
constituem reas de grande atividade atualmente.

As propriedades de materiais e os fenmenos magnticos so investigados experimentalmente co m uma

grande variedade de tcnicas. As propriedades termodinmicas so medidas, por exemplo, atravs da
magnetizao, susceptibilidade dc e ac. calor especfico. resistividade, dilatao trmica, espalhamento
elstico de neutrons, ressonncia magntica, efeito Msshauer. etc. Por outro lado, com tcnicas de
rdio-frequncia e microondas, espalhamento Raman e Brillouin de luz, absoro e luminescncia ptica
e infravermelha, rotao de spin de muons, entre outras, possvel estudar as excitaes magnticas
elementares e os fenmenos dinmicos. Por esta razo, o magnetismo tambm uma excelente rea para
a formao de pesquisadores em tcnicas experimentais para atuarem em diversos campos da cincia e
da tecnologia.

-52-
 '75 '79 52 15
'V-
SISTEMAS DESORDENADOS
VIDROS DE SPIN % io - ll 'i
MATERIAIS AMORFOS
0 nH
TRANSIES DE FASE -
FENME
FENMENOS
4MEN08 CRTICOS
BAIXAS DIMENSES
LIGAS METLICAS3d
n
MAGNETISMO ITINERANTE

ANISOTROPIA MAGNTICA
-
H nI I f l
FILMES, PARTCULAS,
SUPERFCIES, DOMNIOS nnH
EFEITOS MAGNETO-PTICOS
EXCITAES, RESSONNCIA ^ n r
MAGNETISMO NUCLEAR
fi
LIGAS 4f II 51
VALENCIA MIXTA
` FERMIONSS PESADOS
`
[inn,/
T1^PICOS INTERDtSCIPLINARES -
- _ nnnrg ,
XIDOS ISOLANTES nI 1 n
- SEMICONDUTORES MAGNTICOS -
1I i1 Y'Pi1
MOMENTO LOCAL
TRANSPORTE y

nn_. .n

II6. 3 .2 - 9istrioio das srtigos Po3icedos sos

Assis da s ICM/76, I04/79. 1dl/a2
1CR/a5.

-53-
 A intensa atividade de pesquisa bsica em magnetismo refletida nas conferencias internacionais
peridicas que atraem cada uma cerca de 1000 pesquisadores. As mais importantes so a Conferencia
Anual de Magnetismo e Materiais Magnticos (MMM), realizada nos Estados Unidos, a Conferencia
Internacional de Magnetismo (1CM) realizada a cada trs anos em pases diferentes. As linhas de
pesquisa em Magnetismo na atualidade esto espelhadas na distribuio dc a rt igos apresentados nas
conferencias ICM dc 1976 a 1985 mostrada na Figura 3.2. A partir de 1986 ganhou importncia o estudo
da correlao entre, o magnetismo e a supercondutividade. Isto decorreu da constatao de que as
cermicas supercondutoras em altas temperaturas tem propriedades magnticas peculiares que no
ocorrem nos supercondutores tradicionais.

A importncia do magnetismo no est restrita apenas pesquisa bsica. Os materiais magnticos

desempenham um importante papel na tecnologia moderna, pois en co ntram um grande nmero de
aplicaes em produtos e processos industriais dos mais variados setores. As aplicaes vo desde
dispositivos com funes muito simples, co mo os pequenos ms permanentes usados para fechaduras de
portas de mveis e utenslios, a inmeros componentes sofisticados utilizados na indstria eletro-
eletrnica. Neste setor os mate ri ais magnticos somente so suplantados em volume de aplicao pelos
semicondutores, mas em termos econmicos eles tem uma importncia quase to grande quanto estes.
Muitas das aplicaes atuais dos materiais magnticos resultaram de avanos cientficos e tecnolgicos
obtidos nos ltimos 20 anos nas universidades, laboratrios industriais e centros de pesquisa do Japo.
Estados Unidos e Unio Sovitica.

Os materiais magnticos so classificados em trs grandes classes, de acordo co m sua aplicao: ms

permanentes, materiais de alta permeabilidade e materiais para gravao magntica. O que determina a
aplicao de cada material seu ciclo de histercsc, que representa o campo S resultante em funo do
campo H aplicado (por exemplo com unta corrente eltrica numa bobina) A Figura 3.3 mostra as
grandezas importantes no ciclo de histerese.

FlGURA3.3- CICLO DE HISTERESE CE UM

MATERIAL MAGNTICO.

Os ims permanentes co nstituem a aplicao mais antiga e mais facilmente identificvel dos materiais
magnticos. Sua funo criar um campo magntico externo. Para ser utilizado num bom im o mate ri al

-54 -
deve ter altos valores de magnetizao remanente M r e campo coer ci tivo Hc (Figura 33.), ou seja, um
alto valor do chamado produto-energia (BIl) , A Figura 3.4 mostra que a evoluo desta grandeza
nos materiais magnticos desenvolvidos durante este sculo foi formidvel, o que resultou de atividades
de pesquisa terica e expe ri mental combinadas. O grande salto dado na dcada de 50 com a utilizao de
aglomerados de partculas de um s domnio, por exemplo. foi fruto de estudos tericos de Nel e Kittel.
Por outro lado, a descoberta recente (1983) das excelentes propriedades das ligas de Nd-Fe-B resultou de
trabalhos empricos de indstrias japonesas e ame ri canas. Nestas ligas o papel da terra r ara produzir
uma grande anisotropia magntica, responsvel pelo alto valor de H, enquanto que a grande
magnetizao devida fo rt e interao ferromagntica entre os Ions de Fe.

e ALMt00
ALLDTS

2 FIGURA 3.4- Etlt) LtIG O DA QLJ

A1.1DA-
0 -- ' r=-- -OE DOS IMAS.
1900 1920 1940 soco 1880
ANO

Os Ims permanentes so empregados em dispositivos eletromagnticos (geradores e motores de

automveis, avies, eletrodomsticos, relgios, computadores. etc.), dispositivos eletroacsticos (alto-
falantes, fortes e microfones de telefones, agulhas magnticas de toca-discos, etc), instrumentos de
medida (gatvanmetros e balanas), dispositivos de torque (ultracentrifugas, medidores de potncia
eltrica, etc), equipamentos mdicos, componentes de microondas, instrumentos e equipamentos
cientficos diversos, etc. O mercado mundial de Ims permanentes da ordem de USS 1 bilho, mas o
mercado dos bens que deles dependem dezenas de vezes maior.

Os prin ci pais desafios da pesquisa em materiais para uso em Ims permanentes so: a compreenso da
origem e do papel das interaes nos materiais desenvolvidos empiricamente, suas prop ri edades

-55-
trmicas, magnticas e mecnicas, a sntese de novos materiais com maiores produtos (BH) max,
temperaturas de C u ri e mais elevadas, maior facilidade de fabricao em massa, melhores propriedades
metlnicas e, se possvel, baseados em insumos minerais abundantes.

Os materiais de alta permeabilidade so utilizados para criar um alto fluxo magntico gerado por uma
corrente eltrica ou para produzir uma grande induo magntica devido a um campo externo Fccas

ri ao no tempo e no espao, com um proiedasvmrlcnadsoequitvrsda

mnimo de di ss ipao de energia. Os materiais de alta permeabilidade (soft magnetic mate ri als) devem
ento ter um ciclo de histerese estreito (H c muito pequeno) e uma grande inclinao na parte da cu rv a B
x H.

Vrios mate ri ais de alta permeabilidade so usados atualmente dependendo da aplicao. Em

disposi ti vos de baixa frequncia (motores, geradores, transformadores e reatores, entre outros) os
mate ri ais mais comuns so: os chamados aos eltricos, feitos com laminas de ao com pouca
concentrao de carbono ou com silcio; ligas de ferro e nquel ou ferro e cobalto, na forma de material
bruto ou de liga amorfa preparada por esfriamento rpido sobre uma superfcie metlica f ri a.
Atualmente h uma grande atividade de pesquisa e desenvolvimento em ligas amorfas com o objetivo de
reduzir os mecanismos de perda de energia e melhorar os processos de produo de fitas em larga escala.

Em dispositivos de frequncia acima de 10kHz as perdas por correntes parasitas no permitem o uso
de aos e ligas metlicas. Sao ento utilizados ferrites diversos como hexagonais (estrutura do
BaFe 1 20 19), os espinlios (MFe20 4) e as granadas (Y3Fe50 2-YIG) nos quais ainda hoje h atividades
1
de pesquisa bsica As p ri ncipais aplicaes desses mate ri ais so em transformadores e indutores de alta
frequncia utilizados em equipamentos eletrnicos, dispositivos de microondas usados em
telecomunicaes e em radar e cabeas de gravao magntica. O mercado mundial de materiais de alta
permeabilidade da ordem de US% 1 bilho, mas do mesmo modo que com os ims permanentes, o
mercado de bens que dependem desses materiais muito maior.

A maior expanso na aplicao de materiais magnticos nos anos recentes foi na rea de gravao
magntica, onde eles tm oferecido um grande nmero dc alternativas h vrias dcadas. Por exemplo,
as memrias dos primeiros computadores eram feitas de tambores magnticos girantes. Posteriormente
eles deram lugar aos ncleos de fer ri te. Quando estes comearam a ser suplantados por dispositivos
semicondutores, apareceram as memrias de bolhas magnticas e os discos magnticos. As p ri ncipais
caractersticas dos meios magnticos para gravao so: a no volatilidade, o rpido acesso e a grande
capacidade.

Os meios magnticos atualmente usados na gravao so feitos pela deposio de uma emulso de
partculas magnticas sobre uma superfcie (de polietileno. por exemplo, no caso dc fitas), ou filmes finos
preparados por evaporao a vcuo ou 'sputtering". A informao gravada no meio em movimento
(disco ou fita) atravs de um sinal eltrico varivel no tempo, produzindo uma magnetizao que varia
no espao. A fidelidade da gravao de sinais em funo da frequncia e a capacidade de

-56-
armazenamento (em bits/polegada 2, por exemplo) dependem da qualidade do meio. Os materiais
adequados para a gravao tm campo coercitivo intermedirio entre os ims permanentes (milhares de
Ce) e os de alta permeabilidade (alguns Oe). Ele deve ser suficiente para manter a magnetizao
produzida durante a gravao e ao mesmo tempo possibilitar que a informao seja apagada, sendo
tipicamente da ordem de centenas de Oe.

As fitas de gravao de audio desenvolvidas na dcada de 30 pela BASF na Alemanha usavam

partculas de 7-Fe203. Isto aumenta a anisotropia magntica, dando o ri gem a uma maior coercividade, o
que resulta em maior resposta de frequncia (pois M pode va ri ar mais rapidamente no espao sem haver
desmagnetizao local). Este meio tambm utilizado em fitas de video e em discos flexveis de alta
capacidade. Uma melhoria maior na resposta de frequncia alcanada com partculas de Cr02, que so
cada vez mais utilizadas para todas aplicaes. Com a difuso de equipamentos de vide o- tape e a
informatizao da sociedade, o volume de materiais magnticos para gravao tem aumentado
consideravelmente. O mercado de equipamentos de gravao atualmente no mundo da ordem de USS
30 bilhes.

Atualmente h uma grande a ti vidade de pesquisa bsica e tecnolgica em meios c processos de

gravao magntica. Os principais objetivos so a obteno de meios com maior resposta em frequncia,
maior estabilidade trmica, maior capacidade de armazenamento, melhores propriedades mecnicas e
com maior contabilidade e facilidade de fabricao. H tambm uma intensa atividade de
desenvolvimento de memrias de bolhas magnticas e de meios magneto-pticos, que tem
potencialmente uma maior capacidade de armazenamento e rapidez de a ce sso.

3.2 SITUAO DA AREA NO PAIS

A. Breve Histrico

A evoluo do Magnetismo no Brasil pode ser atribuida a liderana exercida por diversas pessoas em
diferentes instituies do Pais. Em cada caso as tcnicas experimentais implantadas tiveram um papel
quase determinante nas linhas de pesquisa que vieram a se esboar nos anos seguintes.

Na Universidade Federal do Rio Grande do Sul foi Theodore Marls, um fsico nuclear terico, que
incentivou a implantao da tcnica de correlao angular no inicio da dcada de 60. A tcnica foi
utilizada inicialmente para estudos em Fsica Nuclear e posteriormente foi aplicada em matria
condensada por John Rogers. Foi sob a influncia positiva de John Rogers que o grupo de magnetismo
da UFRGS desenvolveu-se sendo conduzido posteriormente por Fernando Zawislak e Flvio Livi. Sendo
a correlao angular uma tcnica microscpica de caracterizao, ela influenciou para que outras
tcnicas do gnero fossem mais tarde desenvolvidas, corno a espectroscopia Mssbauer, levando o grupo
a uma linha de pesquisa de caracterizao de materiais, notadamente ligas intermetlicas.

-57-
 Na Universidade de Sao Paulo foi tambm um fsico terico que no incio dos anos 60 liderou a
formao de um grupo de Matria Condensada experimental. Trata-se de Ma rio Schonberg, que
juntamente com Newton Bernardes arregimentou Daunt, Quadros e Salinger para implantar
equipamentos de baixas temperaturas (nitrognio e hlio). As tcnicas de criogenia vi riam a ser, j nos
anos 70, a base para os trabalhos em transioes de fase magnticas liderados por Nei Oliveira e C arlos
Becerra. Desde cedo estes trabalhos tiveram a participao de fsicos tericos, inicialmente com Lus
Guimares Ferreira e poste riormente com Silvio Salinas. A linha de pesquisa em materiais magnticos
para aplicaes tecnolgicas s surgiu nos anos 140 sob a liderana de Frank Missell.

No Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas, no Rio de Janeiro, surgiram nos anos 60 duas linhas distintas
de pesquisa em magnetismo. No lado experiemental foi o qumico Jaques Danon que introduziu as
tcnicas de espeqroscopia Mssbauer e ressonncia magntica eletrnica no estudo de complexos
moleculares. A expanso para outros sistemas, alguns de natureza metlica foi o encaminhamento
natural. Obse rva-se a o reencontro de atividades iniciadas na UFRGS, em So Paulo e no Rio, no que
diz respeito a estudos em sistemas metlicos. No lado terico, foi com a colaborao de Ad ri an de Graaf,
na USP, que se desenvolveram as p ri meiras atividades. Ele orientou dois alunos, Affonso Gomes e
Roberto Luzzi, influenciando o primeiro a obter o doutorado em Pa ris. Em sua volta Gomes trouxe a
influncia da escola de Friedel e formou no CBPF vrios tericos na linha de magnetismo itinerante.

No final da dcada de 60 e incio dos anos 70 as atividades de pesquisa em magnetismo se espalh aram
mais no Pals. Na PUC do Rio de Janeiro Sergio Rezende e Nicim Zagury obtiveram importante
resultados na teoria quntica do magnetismo, como o conceito de estados coerentes de magnons. Na
UNICAMP, Robert o Luzzi e Jos Galvao Ramos iniciaram um grupo te ri co de magnetismo, enquanto
que Daltro Pinatti implantava as tcnicas de criogenia e formava o pessoal que mais tarde constitui ria
um grupo de materiais magnticos. Em 1972, Rezende foi para Recife levado por cinco recm-
mestrandos pernambucanos dando origem a um grupo terico e experimental na linha de fenmenos
dinmicos em magnetismo. A ampliao das reas de interesse do grupo levou mais tarde a uma
diversificao de atividades, com Maurcio Coutinho Filho e Ivon Fittipaldi liderando a formao de um
grupo de Mecanica Estatstica e Cid Arajo um grupo de ptica No Linear.

Pela descrio acima pode-se ver que a dcada de 60 foi caracterizada pela formao dos p ri meiros
fsicos do Pas na area de magnetismo e pela implantao de algumas tcnicas experimentais em poucos
centros de pesquisa.

A dcada de 70 poderia ser caracterizada pela implantao de mtodos pticos, micro-ondas (mais
sofisticao do que foi iniciado nos anos 60), assim como altos campos magnticos e baixas temperaturas.
Na dcada de 80 podemos assinalar: a implantao de ultras baixas temperatura (mK) na USP e na
UFRJ, o implantador de Ions da UFRGS, a tcnica de SQUID na PUC/RJ e na UFRJ e a disseminao
em vrios centros de altos campos magnticos obtidos com bobinas supercondutoras.

-58-
 No ponto de vista dos temas de pesquisa obse rva-se que as primeiras tcnicas implantadas estavam
voltadas para o estudo de interaes hiperfinas e medidas magnticas. Com a sofisticao das tcnicas
experimentais houve a passagem para estudos sugeridos pelos avanos da Mecnica Estatstica e da
teoria das transies de fase e a diversificao para linhas de fenmenos dinmicos.

B. Situao Atual

No Brasil, o Magnetismo uma das maiores sub-Areas da Matria Condensada em termos de nmero
de pesquisadores, refletindo o que tambm ocorre a nvel internacional. H cerca de 50 tericos e 50
expe ri mentais com doutorado em 14 instituies do Pais. Aqui preciso chamar a ateno de quc a
Tabela 3.2 mostra um nmero bem menor de tericos porque grande parte deles est relacionada na
rea de Mecnica Estatstica e Teoria de Slidos. isto reflete o fato anteriormente mencionado de que o
Magne ti smo 6 a rea de maior aplicao da Mecnica Estatstica. Se por um lado isto bom para o
Magnetismo, por outro lado a maior parte dos tericos no Brasil trabalha com modelos abstratos, muito
distantes daqueles que representam os materiais. O resultado uma interao relativamente pequena
entre fsicos tericos e expe ri mentais, o que no uma caracterstica apenas do magnetismo. Na verdade
esta situao ve ri ficada em todos os ramos da Fsica nos pases subdesenvolvidos e resulta tanto da
precariedade dos laboratrios e do pequeno volume de resultados experimentais locais quanto da nfase
dada is atividades tericas. Isto no bom para a Fsica, mas impo rt ante ressaltar que este problema j
foi mais grave no Brasil. Com a melhoria dos laboratrios da Fsica Expe ri mental no Pas e o aumento da
maturidade dos fsicos, a interao entre tericos e experimentais tem crescido gradualmente. Isto se
verifica tanto entre pesquisadores de uma mesma instituio, como de instituies diferentes, at mesmo
localizadas em regies distantes no Pafs.

A Tabela 3.1 mostra as linhas de pesquisas, as tcnicas disponveis e os recursos (convertidos em valor
atual de reposio) especficos investidos nos 12 laboratrios de pesquisa em magnetismo do Pais. O
total investido foi de cerca de USS 5.000.000,00 (cinco milhes de dlares). Considerando que nestes
laboratrios h3 50 doutores, esta quantia corresponde a USS 100.000.00/doutor investidos
historicamente. Estes laboratrios formaram nos ltimos dez anos 34 doutores e 78 mestres e publicaram
mais de trs ce ntenas de a rt igos originais de pesquisa em revistas internacionais com rbitros.

No ponto de vista das linhas de pesquisa constata-se que na grande maioria dos temas atualmente
investigados internacionalmente existem grupos brasileiros pesquisando. como pode ser visto pela
comparao da Figura 3.2 com a Tabela 3.i. Naturalmente o volume da pesquisa pequeno comparado
com o de pases industrializados, em consequncia do estgio inicial de nosso desenvolvimento cientfico.
Entretanto, possvel destacar vrias contribuies relevantes de nossos pesquisadores para o avano do
magnetismo. Na UFRGS por exemplo, vrias tcnicas de medidas de propriedades de transporte,
trmicas e magnticas. de efeito Mssbauer e de correlao angular tem sido usadas h5 dcadas para
caracterizar novas ligas intermetlicas. Em particular ganharam destaque resultados obtidos no inicio da
dcada de 80 em ligas de Heusler X2MnY (X = Ni, Cu, Pd, Y = Al, Sn).

-59-
 TABELA 3.1
GRUPOS DE PESQUISA ER MAGNETISMO

INSTITUII[O LINHAS DE PESQUISA EST1GlO TCCRICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTINAD0

Use

UFPE
Grupo do N.gnttm.o Dlnaalca d. ondas d pen C Abaorao d microonda.
Nagnto-Opttea Reasonancha .pn.thc Ltr0nie 200.000
Shmtmar I.olanLa D.mordnado C E.plha.nto Raman 100.000
5.a.eondutore Nagnatteo C Empalhamento Brlllouen 100.000
Fn0..no Ragnato-dpttco C Lgnatotrt [ u-vebr.nta 100.000
I RotaCllo Faraday Rtrr.rr.goncha
magnetic' 100.000
TOTAL 600.000

UFAG
Lab. Ep.ctroscopia lntr 8C3. heparftna. C Expect rscspia No.baur 150.000
Htp.rfhn Ffaeca Propriedades magnteca. I Ultra ]to-vaCUO 700.000
d Superffc. Ertrutural no volume 11hga 1 Nagn.toatr u 50.000
mochas durem. Co.poto d 1 Empctroscoph co. El.trons
t e Sup.rffch. LLEEO, SAES. SAN. SEA. 51N51 250.000
Int.rfae.s. I R Inc.. lagnt.c 200.000
O. C Rout.vedadr
O
TOTAL 1.150.000

UFES Nta. ligam tntr.talecar C BalanC d Faraday 15.000

CBPF Composts h IlCOS - T C Nagn e 100.000

Proorsedad. dm transport. C Re.ut.vhdad. .Tsirec. 50.000

lair. CO .
Sistemas demordnodo - vidro d C Fulo d ligam ma aleca 30.000
*pin.
Propriedades magmatic/is
rc rut ora tr
Intel-80e. Lipetfena amor- C AMR pulsada 0-100 lNz 200.000
.tilito. TOTAL 300.000

UFRJ Seat.maa agntecoa d.aordnados I Nagnto.trha com SQUIB 50.000

Laboratrio d Ba. aas d bae:. d.an n onalidad C Calor...ntr.a 60.000
T.peraturae C Rrregrader d Dhluello 200.000
TOTAL
AL 310. 000
 TABELA 3.1 Continu.cio
GRUPOS DE PESQUISA EM IIAGRET USED

UISTITUCC10 CIRNAS DE PESQUISA ESTAGIO TECMICAS MAIS REVEPAMTES CUSTO ESTIMADO

USO

UFRJ Frrita. C Rmesbau.r 40.000

LaboratOrio co fobs P I R.gntoaetrea [a.o.tra v ab ) 15.000
M agnetismo Matertat lntar.a Calicos de T.rra Raras I Susceptibilidade 30.000
Magnicico. Calcog.nto. I Preparo de Aao.tr. 50.000
TOTAL 135.000

UFF E.trvtvra IcrOnica de .n

Grupo Terico sagnitico
EooclLacD. aagneticas
Si 00000 d osi. dlsenelonalldade

PUC/RJ Compost. incer.calIeos - T 1 Su.ceciRo h dada o.gnat.c. 70.000

rara ac m nidao - slates.. de C R* I.t widsde 1crica Celts 70.000
race de Rondo alAtron pomade. prolesio'
1 Calor eppecfrico 60.000
1 Pr.oaralo de amostra 00.000
0+ TOTAL 280.000

USP Trans]c0m de fop. ea .qnatoes0 C Susceptibilidade MagneL i c 40.000

Grupo d iI.gntl so Sup.rc0ndutividad C Cspscictnci reso i 30.000
C Alcoa pompom aagnetUco 200.000
C Balm.. Taopr.turom-rerrigracbo
d11ulGAO 300.000
TOTAL 580.000

USP Lia amorfa s sits psraabili- C Magntooletrla [ss.v.b.) 155.000

Grupo de Materi ata demo Preparsclo de asterisks 300.000
K.gnaLICoS [aria pe terra. raras C M.gnerostriCC3o 40.000
Leopoates ontrastiI1co.
TOTAL 495.000

UFSCAR Pr.par.cie carscteriz.clo C' Ultra-sos puls.do contfnuo 70.000

Grupo d Preparado de cr u t n setaloeem
Ffau c. d Retain Proprodad ffslcas d. metai C Panduid de toro [elomticidade
relaiiaclol 15.000
Intar.ticlao ea d1ldes C Altos pompom magncicca 20.000
C Sumcbtibilidsde aegn/tica
C Re.i.tividad.
C Crescimento de cr utels 20.000
TOTAL 125.000
TABELA 3.1 Cent l nuacie
GRUPOS OE PESQUISA EN MAGNETISMO

INSTITUICIO LINHAS OE PESQISA ESTAGIO TLCNIGAS RA1S RELEVANTES CUSTO ESTIRA00

cuSfl

UNICARP D iagraa de ['see agnu .o C Rag I. fa.-vlbrantm/

Grupo d Bain u Ligam amorfas muscspcibilidad ac dc 1capo
Tapratura Suprcondutividad intneo. 80.000
C Ultr -.0 r.n ttvidad 40.000
C Prep. d Aaoetra ..talografla 300.000
C Calorraatr u condutivldad
tr.^c
TOTAL 420.000

UNICARP Situa de banal dunale

Grupo Tdrice Nvgntia.o sup dutividad
Yilrncla intr.doar u
Tranuc3.s d Fame feme..Mom
crft^os

UFRS Liga d Heusler C Rsr.tividad . bailee. vitae

Laberatdr:o de Lumpy 70.000
Rei.cividad Ligas binaria s diluda. C Megneto.Lrls .u.catibnlld.d 60.000
Slutaa. .gntico d.crdn.do
- vidro. d pin C Calor rpc[Flco 60.000
Magnetismo d coepo.to d
terra. r.ra. C RagnLorr i rtivi dad 15.000
Suprcoadut 1vidad C Dilato.trla agnto.tricclo 13.000.
C Traogravi.trn. 10.000
TOTAL 230.000

Oba., O. grupos da tabula sRo avenctalaM1t e.priaentrn.. Ha grupo* tdrico. trabalhando a egntl.ao tvr Fl.ic
EsiaM.ti ca e Teoria de Shcldo . UFCE, UFRH. UFPE, UFAL. UNB. CBPF. UTF, UFRJ, PUC/RJ, UNICANP. 115P-SP UFRGS. UFSR
UFSC. Ha t ub grupos experimental, inclp.nte no UFES na USP-Sio Carlos.
TABELA 3.2
PESSOAL CIENTIFICO E PRODUTIVIDADE Ell RAORETIEBOO

IRSTITUICRO =MRCS REBTHES ESTODANTES ESTUDANTES ARTIGOS

GROPO ' FORRADOS 78-88 REVISTAS C/ ARBITRO
E 7 E IC . D R 0 78-82 83-B7

07811 3 - -
2 3

UFPE 3 4 1 5 1 3 8 3 26 24

UFEO 6 2 8 3 13 34

OMB 3 2 1 6

CBPF 9 3 0 4 4 14 4 26 25

1 7
PUC /R.1

872.1 1 6 B 5 1 6 9

I 2 2 1 10 16
UFF

USP-Bagn.tl.ae 6 5 6 9 4 29 18

OSP -Rat. Bagnstico. 4 1 2 6 11 2 22 26

6 4 2 1 2 3 7 7
U7SCAR

ORICAISP 2 5 5 2 II II 13 31 40

UFRS-Ra.i.ttvidd. 6 5 I 7 3 18 24
7 6 10
arm-Int.ra.tlllces 3 3 4 3 2

14 53 9 46 31 31 78 34 197 249
TOTAL

OD..i 0. grupo. da Label. .410 s.nclalsnt. .xp.rla.nL.u.. 11A grupo L.drlte trabalhando .. agnatl.ao. Ivor Melt.
E.L4L1.L1ca 7orla do S611dosl can c4rc. 48 50 doutor...
 Na USP destacam-se os estudos de fenmenos crticos em transies de fase de sistemas magnticos
como a descoberta do ponto Lifshitz em MnP. Esses estudos evidenciaram os benefcios da interao
terico-experimental pois a participao de tericos da prpria USP e da UFPE foi decisiva para a
interpretao dos resultados. Ainda na USP importante ressaltar os recentes trabalhos do grupo de
mate riais magnticos tanto na tecnologia de preparao de ligas amorfas quanto no esclarecimento das
origens da coercividade de ms de NsFeB.

O CBPF tem dado contribuies significativas para a compreenso de sistemas metlicos e

intermetlicos de terras raras, tanto na caracterizao de amostras fab ri cadas localmente, quanto nos
aspectos tericos. O grupo de baixas temperaturas da UNICAMP tambm tem se dedicado ao estudo de
ligas intermetlicas, tendo nos ltimos anos dado vrias contribuies para a caracterizao de proce ss os
de relaxao da magnetizao em ligas amorfas.

Na UFPE a maior contribuio tem sido na linha de fenmenos em isolantes e semicondutores

magnticos, tais como o esclarecimento dos mecanismos microscpicos de relaxao da ressonncia
eletrnica, dc magnons e de modos localizados e mais recentemente os primeiros estudos de fenmenos
caticos associados a instabilidades de ondas dc spin. Os trabalhos em antiferromagnetos desordenados
que vem sendo realizados h quase uma dcada na UFPE levaram recentemente descoberta do
primeiro sistema que apresenta tanto caractersticas de vidros de spin quanto de campo aleatrio,
dependendo da concentrao dos componentes. Cabe ressaltar tambm recentes contribuies para a
compreenso do mecanismo de magnetizao do Fe puro, que como mencionado anteriormente um
dos problemas em aberto do magnetismo. Finalmente importante mencionar que de um professor da
UFPE, Jairo Rolim de Almeida, um dos nomes da famosa linha de instabilidade de vidros de spin. A
linha de Almeida-Thouless, prevista por Jairo em sua tese de doutoramento em Birmingham, h vrios
anos um dos aspectos mais investigados nos vidros de spin.

Alm das contribuies acima mencionadas, resultantes principalmente dos trabalhos de grupos de
magnetismo expe ri mental, impo rtante ressaltar que h inmeros resultados de pesquisadores e grupos
tericos nacionais que ganharam destaque. o caso dos resultados em fenmenos crticos da USP e da
UFPE, em sistemas desordenados e vidros de spin da UFF, UFPE e PUC-RJ, em sistemas de baixa
dimensionalidade da UFCE, UFPE, UFMG e USP, em magnetismo de superfcies e multicamadas dc
UFRGN, UFF, CBPF UFMG e UFSCAR e de magnetismo de ondas de spin em metais da UFPE,
,

CBPF e OFF.

Com relao indstria brasileira de materiais magnticos. seu (aturamento de aproximadamente

USS 100.000.000,00 (cem milhes de dlares) anuais. A produo principalmente de chapas de ao
silfcio fabricadas pela Acesita e de ims de ferrite de brio fabricados por 3 empresas, duas nacionais
(CEM e Supergauss) e uma multinacional (Constanta-Phillips). As 60.000 toneladas anuais de ao silcio
de gro orientado (GO) e gro no-orientado (GNO) so utilizadas nas indstrias de transformadores e
de motores, as ferrites de mangans-zinco so utilizadas em aplicaes de alta frequncia em aparelhos

-64-
TABELA 3.3
PRODBC,ID DE ILLTERIAH KAGNlTICOS NO BRASIL

PRODUTOS FABRICANTES PRDDUCIID ANUAL

BRASILEIRA EN'
TOIIELADAS

Ae SllIele GD,GNO ACESITA 60.000

Ao B.1wo C.rbono OSI11Ni5, 1ARGELS 7

Llg.. I. FN1, FCo ELETR(RIETAL, VILLABES 100

Ferrite* de N.ngsn.- CONSTANTA (PHILLIPS) 2.400

-Itnee THImHTD1

ALNICO ERIEZ 300

logs Or ientado. d CEP. CON5TANTA. 8.000

Ferrite SUPERGAUSS

l.i. Nie-Orisnt.de . MOM MAGO/A. R. SONTAG. 100

d Ferrite etc.

1.8. FI>Ir.f NULTIPLAST. SUPERGAOSS, 7

R. SOKTAG

(eeant.a.ento r.al ize d per F.P. K(.t1 (USP) F. L.ndgrsf (IPT-SP)

televisores, enquanto os ms so utilizados predominantemente em alto-falantes. Estes materiais
produzidos em l arga escala so competitivos no mercado internacional, sendo a metade da produo de
fm de ferri te de brio exportada

Tanto estes mate riais de grande volume de produo quanto os demais listados na Tabela 33 so
produzidos segundo tcnicas tradicionais de fabricao e pouco esforo despendido nas empresas com
o intuito de entender mais profundamente seu comportamento magntico: a conformidade de certas
propriedades magnticas com valores padronizados o suficiente para o controle de qualidade, uma vez
que os usurios de materiais magnticos no so muito exigentes.

Existe entretanto uma tendncia de mudana em curso: os fabricantes de grandes transformadores

pressionam a Acesita por chapas de melhor desempenho; o mercado demanda motores de
eletrodomsticos com menor consumo energtico; o crescimento do mercado de motores exige melhores
ms de ferrite de estrncio; o desenvolvimento da indstria de instrumentao pede materiais mais
sofisticados como [ms de terras raras ou ligas amorfas.

Refletindo isto, nos ltimos cinco anos tem sido crescente o interesse por materiais magnticos nos
centros de pesquisa de empresas metalrgicas importantes corno a Aos Villares, Eletrometal, Eriez,
assim como nas empresas usurias de materiais magnticos como Motores Weg e Embrace, dentre as
mais importantes. Este interesse repercute no interior da Universidade e com isso h hoje no meio
acadmico interesse nesses materiais por parte de fsicos, engenheiros de materiais e engenheiros
eltricos.

Na rea de materiais magnticos para gravao, muito pouco est sendo feito pelas indstrias. H
algumas empresas multinacionais (dentre as quais Basf e 3M) produzindo fi tas para gravao no Pats. No
entanto elas trazem do Exterior as emulses magnticas para deposio nas fitas e realizam no Pats
apenas os processos menus dispendiosos e menos sofisticados.

C. Carncias e Dificuldades

As dificuldades da rea de Magnetismo no Brasil decorrem de vrios fatores. No ponto de vista da

pesquisa bsica pode-se destacar quatro: o pequeno nmero de pesquisadores, a escolha dos temas de
pesquisa, a deficincia dos laboratrios e a falta de pessoal e equipamentos para preparao de materiais
magnticos. Estes pontos esto detalhados a seguir.

a. O nmero de pesquisadores e grupos de pesquisa ainda muito pequeno comparado com outros
pases. H vrias linhas de pesquisa e poucos pesquisadures, o que torna o intercmbio interno quase
inexistente, enquanto que outras linhas so praticamente inexploradas entre ns.

-66-
 b. A maioria dos pesquisadores na rea jovem e tem relativamente pouca experincia. Este um dos
fatores responsveis pela pouca interao terico-experimental. A maioria dos tericos em magnetismo
escolhe seus temas de pesquisa sem fazer muito esforo para tomar conhecimento das questes
levantadas nos trabalhos experimentais na literatura internacional. No h duvida de que impo rt ante
haver pesquisa em modelos abstratos mas o que preocupa que esta linha dominante no Brasil. O mais
grave a tendncia de perpetuao desta nfase, pois a maioria dos novos doutores na rea est sendo
formada na mesma linha.

c Os investimentos feitos nos laboratrios de magnetismo at o momento foram relativamente

pequenos. Conforme constatado anteriormente, foram apenas USS 5.000.000,00 (cinco milhes de
dlares) em 25 anos. Considerando que h 50 doutores experimentais, isto corresponde a uma quantia
histrica de USS 100.000,00/doutor. Levando em conta que a maior parte desse investimento foi feito na
dcada de 70, podemos considerar que o investimento mdio por doutor no mximo USS
8.000,00/doutor/ano, que uma quantia extremamente pequena.

A consequncia evidente do pouco investimento feito at agora e principalmente da ausncia de

maiores recursos na dcada de 80, que os grupos brasileiros no dispem de muitas tcnicas
experimentais sofisticadas desenvolvidas nas dcadas de 70 e 80. Este o caso de tcnicas de mdio e
alto custo que utilizam panfculas para medir propriedades microscpicas de slidos, como eltrons,
nutrons, positrons e muons. em pa rt icular as tcnicas de espalhamento elstico e inelstico de neutrons
so fundamentais para o estudo de estruturas e excitaes magnticas. Mas no somente da falta de
tcnicas mais dispendiosas que os grupos brasileiros se ressentem. A prpria magnetometria de SQUID.
que extremamente difundida no mundo, foi implantada pela p ri meira vez no Pals, na PUC, h 8 anos e
mais recentemente na UFRJ.

d. Um dos grandes problemas do magnetismo experimental no Pals a falta de recursos humanos e

laboratrios para a preparao de mate ri ais magnticos. Somente ligas amorfas e c ri stais muito simples
suo fabricados no Pafs. Isto cria uma dependncia de colaborao com os pases desenvolvidos que
dificulta muito o acesso a inmeras linhas de pesquisa.

No ponto de vista da pesquisa aplicada em magnetismo a constatao evidente de que muito pouco
est sendo feito em nossas universidades e centros de pesquisa. O mais impo rt ante esforo nesta direo
o do grupo de materiais magnticos da USP que est trabalhando na preparao c no estudo dos novos
fms permanentes de NdFeB e ao mesmo tempo tentando interessar empresrios brasileiros em absorver
a tecnologia desenvolvida. As razes deste problema esto nas prprias dificuldades dos grupos
universitrios anteriormente mencionadas e na natureza do parque industrial brasileiro.

-7-
3.3 PERSPECTIVAS PARA A PRXIMA DCADA

A. Pianos dos Gropes

Os onze grupos experimentais de magnetismo no Pais planejam para os prximos an os expandir suas
linhas de pesquisa de modo a cobrir vrios campos pouco explorados entre ns. A Ta be la 14 apresenta
as novas linhas de pesquisa, as novas tcnicas e os investimentos necessrios previstos com duas hipteses
de trabalho: nas condies atuais do Pais e em condies ideais.

O exame da Tabela 3.4 mostra que vrios grupos pretendem desenvolver capacitao no preparo de
mate ri ais, visando superar o que no momento um dos maiores entraves para a melhoria da qualidade
de pesquisa no Pafs. de se esperar que com o domnio da Fabricao de heteroestruturas magnticas,
agregados metlicos, ligas amorfas, cristais metlicos, isolantes e semicondutores e vidros de spin
diversos, vrios grupos possam competir na fronteira da pesquisa bsica e contribuir para a tecnologia de
ponta na rea de mate ri ais magnticos. Dentre os novos mtodos de caracterizao devem se ressaltadas
as sofisticadas tcnicas microscpicas utilizando partculas (aniquilao de psitrons, tempo de vida de
rotao de spin de muon, EXAFS e espalhamento de neutrons) planejados pelo grupo da UFMG. Numa
fase inicial algumas delas sero utilizadas em colaborao com instituies no Exterior, mas este ser um
passo essencial para sua futura implantao no Pals. Pode-se constatar tambm que vrios grupos
pretendem implantar tcnicas de magnetometria SQUID, que E uma tcnica bsica de diluio.

Ir interessante ve ri ficar tambm a preocupao de vrios grupos em desenvolver pesquisa aplicada e

tecnologia em vrios materiais magnticos e em gravao magneto-ptica. Caso os pl an os desses grupos
sejam concretizados, dever ser possvel ter no Pals o domnio tecnolgico de pro cess os de fabricao de
materiais e dispositivos de grande importncia para a indstria de alta tecnologia.

B. Recursos Humanos

Uma consequencia natural da expanso dos programas de pesquisa nas universidades ser a formao
de recursos humanos para apoiar os quadros essenciais para a pesquisa bsica e tecnolgica em
magnetismo. A Tabela 3.5 mostra que nos prximos 5 anos os grupos experimentais podero formar 65
mestres e 34 doutores nas condies atuais do Pas. Entretanto, estes nmeros podem passar para 98
mestres e 56 doutores caso as condies de financiamento e de trabalho se aproximen das ideais. ,Neste
caso ser possvel dobrar o nmero de doutores em magnetismo experimental em relao ao atual.

importante observar que se nas condies ideais o nmero de doutores poderia dobrar nos prximos
cinco anos, na melhor das hipteses ele tambm dobraria nos cinco anos seguintes atingindo cerca de 200
doutores experimentais na prxima dcada. Este nmero, sem dvida, possibilitaria sup ri r os quadros
universitrios (cuja expanso prevista pelos grupos atuais de apenas 25 doutores cm 5 an os) bem como
fornecer recursos humanos de alto nvel para centros de pesquisa e indstrias para a formao de novos
grupos universitrios

C. Investimentos Necessrios

Nos prximos 5 anos os grupos experimentais de magnetismo planejam investir USS 4500.000,00
(quatro milhes e quinhentos mil dlares) na aquisi lo de equipamentos, supondo a manuteno das
atuais condies de trabalho. Entretanto eles estilo preparados para absorver mais USS 3500.000,00 (trs
milhes e quinhentos mil dlares) caso o Pais adote uma poltica de cincia e tecnologia mais ambiciosa.
Cabe ressaltar que, considerando o nmero atual de 50 doutores expe ri mentais, um investimento de USS
4300.000,00(quatro milhes e quinhentos mil dlares) em 5 anos corresponde a uma mdia de USS
mil/ano/doutor. Esta cifra que realmente modesta, cai ainda mais se considerarmos que o nmero de
doutores na rea inevitavelmente aumentar nos prximos anos. importante chamar a ateno tambm
de que ce rca de 20% dos investimentos mencionados correspondem ao projeto de instalao das tcnicas
de mdio porte da UFMG. Considerando o estgio de desenvolvimento do Departamento de Fsica da
UFMG, esta iniciativa de implantao das tcnicas microscpicas sofis ti cadas deve ser apoiada.

Em resumo, pode-se afirmar que os grupos experimentais de magnetismo do Pais estilo em condies
de receber investimentos de USS 8.000.000.00 (oito milhes de dlares) nos prximos 5 anos e a mesma
quantia nos 5 anos seguintes, ou seja, USS 16.000.000,00 (dezesseis milhes de dlares) na prxima
dcada. Estes recursos se conjugados com uma poltica que possibilite a expanso dos quadros c o custeio
da pesquisa, permitiro ao Pafs no fim do sculo contar com cerca de 200 doutores para o domnio de
uma variedade de tcnicas cientificas em magnetismo e da tecnologia de materiais magnticos. '

-69-
TABELA 3.4
PF35PECT1VAS PANS OS PIId11505 5 AROS Ed MAGNETISM

INST ITOICIO NOVAS LINHAS DE TRABALBO NOVAS TdCIIICAS INVESTINEATO

CRUPO USA

UFPE COFDICC_i ATDA1$

Agregados eetdllcoe S Ibilidad ac es campos

Lilies morrow Intanmoa 40.000
QuameCrlmta u ROtalo de Faraday Iva rrfrl -
genela 30.000
Preparacllo d crlstal liga
smarten 30.000
TOTAL 100.000

ORDIaas IDEAIS
lluJtleasadas aagneticad Nagnstdaetrc SQUID 150.000
Semicondutores as usgndticros Baines T. ramp. dlluiio 200.000
Oravalo magneto-Optics Filmes finos 100.000
Calor eapclrico 50.000
lllcroacapie Eletrdnlca 600.000
TOTAL 1.100.000

HMG OIIDICOES ATUAI

N+sonAnCla Nagndtic Nagnst*aetra SQUID 150.000

Tdcnlc d Supsrflci LEED. SAES, SAN. SIRS, DCERS
Magnetoastrie de memoirs
vibrant 1.000.000

CO P OIC OES ID EA IS

1 lgaio de materiel* Cem Noises T1 rerrlg. dllulc>to

novae tdenicu TDPAC. NO. EYIFS, uSR
dapalhaeento de trono 1.000.000
TABELA 3.4 Contlnuacae
PERSPECTIVAS PARR OS PROXIROS 3 ANOS EN MAGNETISM

INSTITOIC20 NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TtCNICAS INVEST INCNTO

GRUPO US.

UPES Llge lnt lice. Napneto.etrla de amostra 40.000

Rtinre1 agnettcoe natural. vibrante de inducao

T

CBPP Disci !ntrmet4llc a Napntoeetri. copo. I 150.000

Si desordenados Rsnst.v.dede A.C. altas
temperatura. 50.000
Propriedade de novos 1A. N ag I.tividade 70.000
Suprcondutoreu de alt.. tmpraturae Nagnecometri SQUID t50.000
Ima P Ampliecbe raise de rrqulncla 100.000
Nonocrietai.
Isco com
91.taa. de baba dimenalonalidade
Rodeio. terico para. intrsLalico.
Ani.otropis.

OPRJ
Nagntumo
N atriai Napnetico Semicondutores SemimagneticoD Tecnica usillara de epnetl.mo 200.000
Rqntividad. 20.000
Crescimento de Cri.tal. 50.000
TOTAL 270.000

UFRJ CDNDICES ATUAIS

LaberatOrt o de
B usse Te.pretura. Pllas Fine. Nmpnetleo. Sputter RP 200.000
Rautividad 20.000
N egntorslitivIdade 20.000
Rudo Napnetico N apntoeetria coe SQUID DC 50.000
TOTAL 290.000

C9NDICaES i DER] S

RI opta de tunlamento
de ldtrone 150.000
Coples.nto dam tdcnica 150.000
Imp!
TOTAL 300.000
TABELA 3.4 Contlnuacle
PERSPECTIVAS PARA OS PRXIMOS S ANOS EM MAGNETISMO

INSTITUICR0 NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TICNICAS INVESTMENTO

PUC/RJ CORDICOES ATUAIS

Rslsttvtdade alacrica
Rostattvtdad 1trtca sob
p 7e ht [C
Suscpttbtltdad magnetics

ONDIC{}ES iOEAJy

Preparsc3o as ,nostrils 70.000

Ragnt[sacia e C upon Intnao 100.000
Reslativ cl d sob altos prossOs
[Bridgman method/ 50.000
Autoaattraclo C. MprIente 40.000
CaractrIzac3e por dtfrsc3o C. 120.000
-x
r al os
Crescimento d menocrlscals 50.000
TOTAL 460.000

USP oHD1CCS ATUAIS

Nagnattsso Nsgneu smo H. Nagnto dbt.tc !00.000

Fluidos quinttcos NMR 50.000
Ned[dos tarm[cos di 200.000
Trmograv[aeerte 100.000
450.000

uSP COHDICOL: ArJAIa

Matsrtat Magnticos Magner.' Dlfracle da rato,-X 250.000

Film., fine - puttsring 200.000
Napnstastro S0U10 170.000
TOTAL 600.000

CONDICOES IDEAIS

Gravac3e magneto-dotic Lab. de magna[.,-apttca 200.000

NagntlzaCto s Cosmos lntnao 150.000
TOTAL 350.000
 TABELA 3.4 Continuado
PERSPECTIVAS PARA OS PROIIROS 5 ANOS EM NAGRETISMO

IRS71TO1C17 NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS Ts1IICAS INVEST1RENTO

GRUPO WS.)

UrSCAB OND1CDES ATUAIS

Prepara d o d Cristais mtalico Difratomtrva fiuorl.cancla
- de r"loa - I 800.000
Caracterizado ea campos 1
pmuM.. T.

ONDICCES IDEAIS
Caracterizado d materials coo Prparacllo d amortra. por farto RF
raios-I
Propriedades mlgneticas d materiais Baixes temperaturas 100.000
Filma. finos de *stale de transido

UNICAMP ORDICCES ATUAIS

1
V SI -T Rem u Iw Ditsiaciie colori Li 50.000
HIdregneclo. ant.otropia, NsgntosiriCclo
d]n1.lC de lige. "sorre l.
graveclo ir.Q.sgnetIc. 30.000
poYOJcDFB IDEAIS

Novo matar,.,. agne ti co. com Mogn.ioostri. SQUID 300.000

potencial de "pecado M.gnt:za10 com pulos rapide

UNICANP ONOICGES ATUAI_S .

-
Teori. Cincica em Nagnti.eo Monte Carlo

CONDICDES IDEAIS

SlmulaMas numeric. es el
finitoa cos muprcexputedoer 10.000

UFRGS Ligas cor lement. 4r Magnto..tria SCU17 150.000

Vidro d ap1n reentrante. Medidar es cascos intnsor 50.000
:erra ror.. diluda. E.panslo da tcnicrs pars
tmprrscur.. mal. DEIMOS 200.000
Lega. N i -Mn TOTAL 400.000
Film.. fines implantados
 TABELA 3.5
PERSPECTIVAS PARA 09 PROXIROS S ANDS& RECURSOS BUIIAKOS Eh NAGNETISNO

IRSTITUICxO CAPACIDADE DE IORIIACRD EXPARSAO DO GRUPO

GRUPO CONDICBES ATUAIS CORDIOES IDEAIS COHDICBES ATUAIS CONDIOES IDEAIS
. N O II D fI D N D

UFRR 3 6 3 2
UFPE 5 5 5 B 2
- - 4
UFRG 0 4 13 7 1 1 2 3
CM' 8 6 14 8 3 3 3 7
UFRd 3 1 4 2 2 1 3 2
UFF 3 1 5 3 - 1 2

OSP-Naqnetlaw 12 3 15 6 3 6
USP-Nat. Rapn4tivaa 4 6 4 6 3
i
3
y
a UFSCAR 7 2 16 7 - 2
,

URICANP 5 3 4 4

UFRS-Rutwidadr S 1 B 3 1 5
UFRS-Int0004tA lICOa 2 2 4 2 2 I 2
TOTAL 6S 34 98 56 7 20 l2 41
4. Supercondutividade

4.1 Descrio

A supercondutividade um efeito fsico que ocorre em ce rt os materiais quando resfriados abaixo de

uma determinada temperatura crtica, caracterstica de cada material supercondutor. Este fenmeno
caracterizado pela total ausncia de resistncia ti uma corrente eltrica. A supercondu tividade foi
descoberta em 1911, cm Leiden, na Holanda, pelo fisics H. Kammerlingh Onnes, quando realizava
experincias com mercrio 4,2K_ Esta descoberta ocorreu trs anos aps o prprio Onnes ter
conseguido liquefazer o gs hlio pela primeira vez

Outros materiais metlicos, alm do mercrio, tais como o estanho e o chumbo, entre outros, tambm
apresentam o efeito da supercondutividade temperaturas abaixo de 10K e na presena de campos
magnticos menores do que 1KG. Esses materiais so chamados de supercondutores do tipo I e
apresentam correntes crticas baixas.

Um mate rial permanece no estado supercondutor enquanto estiver a uma temperatura infe rior A
c, na presena de um campo magntico infe ri or ao campo magntico critico, H c, e temprauci,T
pelo qual passa uma corrente eltrica inferior corrente critica, Jc.

Durante a dcada de 1950 novas famlias de materiais supercondutores foram desenvolvidadas,

mate riais esses baseados principalmente em ligas de nibio (NbTi, Nb3Sn, Nb3Zn, etc) que apresentam
valores relativamente elevados para Tc, Hc e.1 c, de tal ordem que possibilitaram mais tarde a confeco
de bobinas supercondutoras de alto campo magntico, viabilizando, desta forma, aplicaes industriais.
Tais ligas apresentam valores de Tc = 20K, Hc = 250KG e Jc = 106 Amp/cm2 e foram denominadas de
supercondutores do tipo II. interessante destacar que o nibio puro, um elemento, se comporta
tambm como um supercondutor do tipo II.

At 1950 praticamente nada foi realizado no que diz respeito te cn ologia, sendo que os
desenvolvimentos se resumiam pesquisa bsica em laboratrios. Com o aparecimento de liquefator
contnuo de hlio, realizado por Collins em 1950 no MIT, e do fio supercondutor, fab ricado do composto
intermetlioo Nb 3Sn, desenvolvido por Kunzler da Bell Labs, uma dcada depois, iniciaram-se projetos
de cunho tecnolgico, visando aplicaes as mais variadas como: magnetos para confinamento de plasma,
eletroims utilizados por exemplo em ressonncia magntica nuclear, magnetohidrodinmica,
armazenagem de energia, separao magntica, etc.

Com as descobertas da cincia bsica a tecnologia se beneficia delas para o seu desenvolvimento e
aprimoramento. As descobertas no campo da supercondutividade deram prmios Nobel, para o prprio
Kammerlingh Onnes, em 1913, pelos seus trabalhos da liquefao do hlio e sobre a resistncia eltrica
no merc rio; para J.Bardeen, LCooper e R. Schriffer, cm 1972, por terem formulado um modelo terico

-75-
que explicava o efeito da supercondutividade e para B. Josephson juntamente co m L Esaki e I. Giaever,
em 1973, pela descoberta em 1962 do efeito Josephson. e que implicou numa redefinio da metrologia
usada em Fsica, conduzindo a padres mais precisos a serem utilizados em eletrnica. Alm de se ter
um melhor entendimento do efeito da supercondutividade, pode-se tambm constituir dispositivos de
alta preciso, baseado no efeito Josephson, empregados, por exemplo, em prospeco geolgica e
biomagnetismo atravs desses instrumentos sensveis, como galvanmctros e magnetmetros (como por
exemplo o SQUID -'Superconducting Quantum Interference Device").

Outra aplicado prtica da supercondutividade, foi o desenvolvimento de um aparelho de ressonncia

magntica nuclear (RMN) para a produo dc imagens, com consequente diagnstico das mais variadas
enfermidades, de forma no invasora (cirurgia exploratria). Tal aparelho tende a substituir, com
vantagens, os de tomografia por raios-X, pois a radiao emitida, sendo dc radiofrequncia e, portanto
no ionizaste como os raios-X, no causa praticamente nenhum dano durante a espectrocopia do corpo
humano, para efeito de diagnstico.

Estas mquinas foram de enorme sucesso comercial, pois so uma componente significativa na
revoluo dos diagnsticos mdicos no exploratrios. Um aparelho deste encontra-se atualmente em
uso no Hospital Albert Einstein em Sao Paulo. Seu custo capital da ordem de USS 2.000.000,00 (dois
milhes de dlares) e tem que ser operado com hlio lquido. O custo mdio para manter o equipamento
resfriado da ordem de USS 60.000,00 (sessenta mil dlares) anuais.

Nos super co ndutores metlicos o nihio desempenha um papel importante. Os maiores consumidores
de nihio em dispositivos supercondutores so os grandes aceleradores dc partculas e os dois p ri ncipais
projetos mundiais, atualmente em discusso so o "Large Iladron Collider" no CERN e o
"Superconducting Supercollider" (SSC) nos Estados Unidos. Essas mquinas devero utilizar cavidades
supercondutoras de radiofrequncia co m uma previso de consumo de folhas de nihio ultra puro da
ordem de 120 toneladas. Na realidade, como as reservas mundiais de nihio conhecidas hoje so em
torno de 10 milhes de toneladas, e o Brasil tem mais de 90% destas rese rv as, no h preocupao
quanto a demanda do nihio. O que realmente se necessita, no Brasil, aperfeioarmos a tcnica da
produo de ligas para fios supercondutores utilizados em elctrorns e dispositivos dos mais va ri ados.

Os materiais supercondutores de alto T c, foram descobertos cm janeiro de 1986 por G. Bednorz e A.

Mller (na IBM de Zurich), que observaram indicaes dc que xidos de lantnio, brio e cobre
poderiam ter resistncias eltricas nulas a 35K. Desde ento, vrios grupos se lanaram em busca de
novos materiais desta familia de xidos ternrios que pudessem ter uma temperatura critica T c mais
elevada. Resultados independentes de pesquisadores dos USA, Japo e China revelaram temperaturas
em torno de 40K em xidos metlicos da classe estudada por Mller. Na Ultima semana de dezembro de
1986, o grupo de Chu reportou supercondutividade a 52K nos compostos de Ba-La-Cu-O sob presso.

A partir de janeiro de 1987 vrios grupos relataram terem obtido mate ri ais com temperaturas criticas
acima do ponto de ebulio do nitrognio lquido, que de 77K. Os pioneiros foram Paul Chu da

-76-
Universidade de Houston, Zhongxian da Universidade de Pequim c Bertram Batlogg da Bell Labs. Estes
grupos anunciaram Tc da ordem de 92K em compostos de YBa2Cu3O7. Os resultados destes grupos
foram reproduzidos por vrios laboratrios do mundo.

A pesquisa continuou de forma intensa quando, finalmente, cm 16 de fevereiro de 1987 a National

Science Foundation dos USA anunciou que grupos das Unive rs idades do Alabama e de Houston (Grupo
de Chu) observaram, independentemente, indicaes de supercondutividade a 92K.

Assim, a supercondutividade entre 90 e 100K parece ser agora, aos fsicos, um fenmeno muito comum
e consolidado. Na sesso da APS de 18 de maro de 1987, houve a apresentaao de resultados de
supercondutividade acima de 90K em compostos do tipo RBa2 Cu307 -x , onde R se ri a um elemento das
Terras Rar as. Com os compostos revelados e os procedimentos conhecidos, grupos de todo o mundo
iniciaram a pesquisa com estes materiais uma vez que tudo estava por medir e caracterizar, bem como
amplas possibilidades de aplicaes tecnolgicas se ab ri ram co m estas descobertas.

A pesquisa tecnolgica, com vistas a aplicaes indust ri ais, resultou logo de infcio em trabalhos como o
crescimento epitaxial de filmes do composto YBa2Cu3Ox e o crescimento de monocristais de
YBa2Cu30x. Estes trabalhos tm em comum o fato de apresentarem resultados altamente promissores
de correntes crticas da ordem de 10 6 Amp/cm2 a 4,2K, valores j simil ar es ou supe ri ores aos melhores
supercondutores metlicos existentes.

Tais trabalhos so um exemplo dos resultados obtidos quando se faz uma pesquisa dirigida, visando as
aplicaes tecnolgicas. No caso dos filmes finos, com resultados de altas correntes supercondutoras, o
horizonte de aplicaes abre-se de uma vez, pois a tecnologia de fi lmes permite, numa aproximao, a
conformao inicial do dispositivo super co ndutor que se quer construir.

No incio de 1988 duas novas famflias de xidos supercondutores co m Tc mais elevados foram
descobertas: a)'A familia do Bi-Sr-Ca-CU-0 co m Tc entre 80 e 110K; b) A familia do Tl-Ba-Ca-Cu-0
com Te j medido ate 130K. Apesar destes novos materiais tambm no suportarem ainda altas
densidades de co rrente eltrica, fica evidente a ampliao das possibilidades para uso tecnolgi co em
temperaturas cada vez mais elevadas.

A atividade de pesquisa, tanto fundamental quanto aplicada, co ntinua intensa em todo mundo, co m
destaque especial nos Estados Unidos e no Japo. O consenso geral dos pesquisadores de que muitas
novidades importantes ainda estio por aparecer, no sendo excluda a descoberta de novos materiais que
sejam super co ndutores at temperatura ambiente.

Algumas possibilidades de aplicao da supercondutividade de alto T c esto enumeradas na Tabela 4.1.

Nas co lunas procuramos, em funo da situao atual de Pesquisa e Desenvolvimento (P&D),
estabelecer um sentido de temporalidade que est dividido em alcances, condicionados tambm
viabilidade tecnolgica. O primeiro deles, a curto prazo, significa que as aplicaes sio imediatamente

-77-
TABELA 4.1

1
I
IMED IATO I

DEJI
O](S IA3lIdIJ3S
vI A8 1L IZAC AO
PRAZOS

DEP ENDE
D^
APLICACOES DOS
NOVOS SUPERCONDUTORES

I
I
1.INSTRUMENTACAO magnetmetros X
sensores X

2.ELETRONICA interconectores X
E
INFORMATICA chaveadores X

dispositivos x

3.RMN (aparelhos de imagers) x x

4.TRANSPORTE (MAGLEV) x x

5.SEPARACAO MAGNTICA X x

6.PESQU1SA magnetismo X X

aceleradores x x

cavidades X

synchrotons x x

7.E0UJPAMENTOS geradores X x
ENERGTICOS
linhas de transmisso X x

interruptores X X

cstabilitadores de rede X X

transformadores X x

motores X X

8.ARMAZENADORES DE ENERGIA X X

9. GERACAO DE ENERGIA MHD X X

10.FUSA0 NUCLEAR X X

-76-
viveis, ou seja, existem indicaes slidas de prottipos j operacionais ou cuja realizao j seria
possvel. Nota-se que concentram-se a as aplicaes no segmento de tecnologia de ponta. A partir de
prazos mdios (de 2 a 5 anos), a condicionante de viabilidade tecnolgica passa a representar um papel
importante, pois estaro envolvidos campos magnticos de alguns Tesla que vo depender de produtos
industrializados como fios, cabos e outros. Cabe ressaltar tambm que existe uma certa
complementaridade nas aplicaes dos supercondutores metlicos e cermicos (de alto T e).

Devido a descoberta dos supercondutores de alto T. A. Mller e G. Bednorz receberam o prmio

Nobel de Fsica em 1987, sendo que deste modo, esta descoberta na rea de supercondutividade resultou
em mais um Prmio Nobel. A credita-se que, co mo outras descobertas cientificas importantes transferidas
para o setor produtivo causaram impactos econmicos, esta tambm venha a contribuir para uma nova
revoluo tecnolgica. Podemos exemplificar algumas dessas descobertas de impacto, como o
desenvolvimento da mquina a vapor (revoluo industrial) e do transistor (informatizao), esperando-
se que co m o desenvolvimento de fios e folhas desses materiais super co ndutores se alcance uma
revoluo tecnolgica de grande vulto.

4.2 SITUAO DA REA NO PAIS

A. Breve Histrico

Antes da descobe rt a dos supercondutores de alto Tc, os grupos de pesquisa que trabalhavam em
supercondutividade, cram o do Instituto de Fsica da USP (Propriedades de Mate ri ais Amorfos), o do
CBPF (Propriedades de Transporte), do Instituto de Fsica da UFRGS (Prop ri edades de Transporte), do
Instituto de Fsica da UFRJ (Meta -e stabilidade Estrutural), Dep ar tamento de Fsica da PUC/R]
(Desenvolvimento de Transformadores de Fluxo) Fundao de Te cnologia Industrial-Diviso de
Materiais Refratrios (Cabos e Magnetos Supercondutores) e Instituto de Fsica da UNICAMP
(Propriedades de Transporte e Efeitos Irreversveis, principalmente de nibio e ligas).

A evoluo da supercondutividade co m alto Tc no Brasil algo indito, pois co m um ms de diferena

aps a publi ca o no Exterior da composio qumica destes xidos. foi po ss vel a reproduo dos
resultados obtidos nos laboratrios co m os materiais supercondutores. Apesar dos processos de
preparao no terem sido revelados em sua totalidade, a simples publicao da frmula qumica do
composto foi suficiente para que os grupos brasileiros reproduzissem os resultados inte rn acionais. Dadas
as co ndicionantes de competncia, infra -e strutura e disponibilidade de reagentes, o tempo mnimo para a
sntese de um co mposto supercondutor do tipo YBa,Cu 3Ox algo em torno de 30 horas.

No X Encontro Nacional de Fsica da Matria Condensada em Caxamb-MG, ocorrido de 4 a 7 de

maio de 1987, houve uma mesa redonda sobre supercondutividade a alto Tc, onde foram apresentados os
resultados e as respectivas pastilhas supercondutoras do grupo de Crescimento de Cristais do Instituto
de Fsica e Qumica de Sao Carlos-USP e do grupo de Crescimento de Cristais do Instituto de Pesquisas

-79-
Energticas e Nucleares - IPEN/SP. Foram tambm anunciados os resultados obtidos no Instituto de
Fsica Gleb Wathagin-UNICAMP. No laboratrio de baixas temperaturas do 1FUSP, foram realizadas
medidas de susceptibilidade magntica em materiais sintetizados pelas grupos de IFQSC e do IPEN,
indicando supercondutividade a 92K em compostos de YBa2C u3O x que estes dois grupos produziram.

Nas semanas que se seguiram a este encont ro , outros grupos do Pals se engajaram na maratona de
obter sua pastilha supercondutora, tendo sido anunciado resultados de supercondutividade ob ti dos pelos
grupos da Universidade Federal do Rio de Janeiro, da Universidade Federal de Pe rnambuco e da
Universidade Federal de Sao Carlos. Grupos da Pontifcia Universidade Catlica do Rio de Janeiro e do
Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas tambm iniciaram suas pesquisas nesta rea, formando grupos de
experimentais e de tericos, alm de tambm sintetizarem materiais supercondutores do tipo Y-Ba-Cu-
O. Posteriormente, o Instituto de Fsica da USP e outros grupos co mo o de cermicas avanadas do
IPEN e o de cermicas do Departamento de Fsica da UFMG, Belo Horizonte, tambm sinteti za ram
pastilhas supercondutoras. Na reunido anual da Associao Brasileira de Cm-arnica, realizada em Brasflia
em 25 de maio de 1987, foram apresentados os resultados do IPEN e do 1FQSC e feitas demonstraes
de levitao magntica.

Em maio de 1988, houve uma conferncia Latino Americana de Super co ndutividade no Rio de Janei ro,
onde vrios trabalhos foram apresentados pela co munidade. Outros foram apresentados na XI ENEMC
(Caxamb) resultando a caracterizao de novas cermicas, baseadas no Bi e nas p ri me iras aplicaes de
YBaCuO em SQUID de alto Tc Cerca de 40 trabalhos entre comunicaes orais e painis foram
apresentados.

B. Situao Mnai

H um longo caminho a pecorrer desde o estgio inicial, quando se reproduziram nos laborat ri os
brasileiros amostras do composto YBa2Cu3O x que apresentaram um efeito Meissner considervel, at a
produo de um fio que conduza co rrente eltrica co m alta densidade. A sntese do mate ri al
YBa2Cu3Ox j est razoavelmente dominada pelos grupos brasileiros restando ainda, o seu
aprimoramento. A fabricao de um fio, fita ou filme supercondutor apresenta um grau de dificuldade
muito maior. O p embebido em resina ou polmero e extrudado na forma de Co pode tornar-se flexvel
ou elstico e apresentar o efeito Meissner. Mas este mesmo fio deve apresent ar percolao de corrente
eltrica de alta densidade e sob campo magntico para ter alguma utilidade energtica.

A seguir apresentaremos uma matriz simplificada (Tabela 4.2), onde esto representados diversos
grupos nacionais e suas competncias especificas, a parir de comunicaes de resultados bem como de
seu potencial para execuo fa ce a p rojetos correlatos. Nas linhas desta matriz co locaremos os mtodos
de processamento e de caracterizao, e nas colunas os Institutos de Pesquisas e Universidades.

-80-
 I sINCFSEDE YBa ,Ou ,o_
FFRAcume ID DE TERRAS RARAS
1 FlilIE,SFI NDS ( E/B)SPUfFA1NG
[CRESCIMENTO DECRISTAIS
ISTNfFSE DE FIIJOR>:'IOS
I5i NTESEDE OXIFLIAREIUS
I MED IDAS MDJ;NE 1CA5
I MEDIDAS I RMICAS

ICARACPEJt I711U{DMIQ(ESIA[1lIRU.
IFQIUAm SIICA
IESPAi}WMIO DE LUZ
I MEDIDAS tIEIAICAS
I
IDiSPOSITIVOS
[TEOIRIA
II

MELT SPINNING
III

CARACTFRITACPO ANALTIICA
CARACIERIzAV0 FISICO/QUIMICA
F7CIR1JSAO DEFIOS
MFDIDA5
USO E APLICACpES

I
^
rn
r
A
OPr ICAS

4r

ENT IDApES
1
.
^

I
I
X ^ x tiuLH^1]N
i
X X X X X X X X X x X X X X X X X IPFN, SAO PAUTA

X X X X X X X X X IX X IFUSP, SAO PAULA

X x X X X X X X X IPT, SAO PAULA

X X X X X X X PUSP, SAO PAULO

X X X X IQUSP, SAO PAULO

1 X X X USP, RIO CAIRO-SP

X XI X X X X x X X X X x X X X X I X UNICAMP,CAFPINAS-SP

X X IA+IESP, ARARAQLLIRA -5P

X X X X X X X X X XX XX IFQSC -SUP,
SAO CARLOS -SP
X X X XX XX X X X X X `UFSCar,SAO CARIAS -SP

X X X X X X X X X X X X FT1, WREPIA. SP

x x x x X X x x x UFRJ, RIO DE JANEIRO

x X X X X X X X X X x PUC, RIO DE JANEIRO

X X X X CBPF, RIO DE JANEIRO

X X X X X x- x WEE, FORTAIEIA, CE

x x x x x x x x x UFPE, RECIFE PE

x X X X X XX XX X x UFPt',,BELO H3RI7DhTE, MG

x x x x CUIN,BEIA HAIiON1E, MG

X X X X X x x UFSC,FiARIAWPILIS, SC

X X X X X X X X X X X UFRGS,PORTO ALEGRE, RS

X UFF, RIO DE JANEIRO

-81-
 C. Carncias e Dificuldades

Se, por um lado, foi enorme o interesse despertado em todos os fsicos do mundo pela
supercondutividade a alto T c, por outro, apesar dos esforos dispendidos pelos fsicos brasileiros, as
condies existentes nos causam uma cena frustrao. D poderio tecnolgico dos pases mais avanados,
sua infra-estrutura laboratorial e o nmero de pesquisadores disponveis voltados para as pesquisas
mate ri ais j produziu um impressionante volume de resultados em alguns meses de trabalho.

Para ns , dadas nossas condicionantes, fica difcil competir inte rn acionalmente na rea acadmica,
apesar de termos demonstrado competncia e capacitao tecnolgica. No se faziam no Pats pesquisas
com estes xidos supercondutores at maro de 1987 e nossa experincia com os mesmos ainda
pequena. Como os grupos so em nmero reduzido e temos ainda muito por fazer tambm em outras
reas de importncia, diramos que a fase atual de cena cautela com relao ao que j foi dito
internacionalmente c de avaliao das nossas possibilidades no panorama nacional e inte rna ci onal.
Nossas limitaes, na rea de dispositivos, so ainda maiores, dados os vultosos investimentos que sero
necessrios.

As maiores dificuldades na rea de supercondutividade no Brasil decorrem de vrios fatores. A

pesquisa bsica dificultada pelo pequeno nmero de pesquisadores e grupos de pesquisas comparado
com outros pases. A deficincia crnica dos nossos laboratrios, ou seja, a falta de pessoal e de recursos
para aquisio de equipamentos ou a manuteno dos aparelhos j existentes nos laboratrios,
associados burocracia cartorial do Pats, so fatores impeditivos como em outras reas para que se faa
uma pesquisa competitiva_

Logo aps a obteno de materiais supercondutores de alto T c., por grupos de pesquisa nacionais.
rgos financiadores do gove rn o fizeram promessas de investimento na rea, mas que at o presente
momento no se mate ri alizaram. Continuamos numa forte dependncia de importao da matria prima
e da falta de verbas para o desenvolvimento dos projetos apresentados.

43 PERSPECIWAS PARA A PRXIMA DCADA

A. Planos dos Grupos

A descoberta dos supercondutores de alta temperatura crtica apresenta uma srie de desafios
fundamentais que s podero ser vencidos com um programa de pesquisa bem eleborado e continuo
realizado por grupos que alm de competncia tenham facilidades suficientes para alcanarem os
objetivos desejados. Inicialmente, algumas das questes mais fundamentais a serem atacadas e que
devem ser os objetivos dos grupos, so as seguintes:

a) qual o mecanismo responsvel pela supercondutividade de alta temperatura critica?

-R2-
 b) porque o contedo de oxignio e seu estado de ordem ou desordem tio importante?

c) como aumentar a corrente aftica?

d) qual o comportamento desses materiais na presena de campos magnticos?

e) quais so os efeitos devido i impurezas, danos fsicos e/ou qumicos?

Sabe-se que estes materiais, em seu estgio atual, so quebradios (cermicas), sensveis a dano,
degradam com a umidade e com a perda de oxignio e so supercondutores pobres na presena de
campos magnticos. A ss im, a plena caracterizao destes materiais uma tarefa essencial para sua futura
aplicao. A procura do entendimento dos processos da supercondutividade ce rtamente levar sntese
de materiais dopados ou de sistemas qumicos, inicialmente com substituies de elementos do mesmo
grupo da tabela peridica ou mesmo o emprego de istopos como sondas locais. Sabe-se hole que nos
sistemas Y-Ba-Cu-O:

a) remoo do oxignio destri a supercondutividade;

b) o oxignio removido preferencialmente das cadeias lineares nestes materiais;

c) a temperatura critica independente da dopagem com terras raras;

d) substitui tes de Cu diminuem a Tc sem correlao clara com su carga ou momento magntico;

f) o comprimento de correlao muito pequeno.

Para o Brasil, as concluses preliminares qu an to a dopagem foram muito atraentes. A subs ti tuio do
(trio por terras raras ou mesmo por uma mistura delas (ex. xenotima) para o caso dos sistemas Y-Ba-Cu-
O favoreceram o barateamento de um processo industrial de fracionamento de terras raras. Alm disso,
a composio R-Ba-Cu-O, onde R significa (trio ou terras raras, traz uma maior tranqui li dade inicial
quanto a estes ir>sumos uma vez que detemos reservas de ftrio e de terras raras re ti rados das areias
monaziticas c da xerotima.

Pesquisas devem ser desenvolvidas considerand o- se os novos supercondutores do tipo Nd2 -xCexCuO4,
y , por exemplo, onde os eltrons que permeiam em vez de buracos ou vazios, como nas descobertas
por Mller e Bednorz.

Quanto aos aspectos puramente tecnolgicos, uma outra vertente dever ser pesquisada paralelamente
aos aspectos apenas fundamentais. Para se fazer uso energtico dos supercondutores, e, portanto, para se
pensar em sua explorao econmica, a pesquisa tecnolgica deve ser dirigida no sentido de se obter

-133-
materiais flexveis com valores de densidade de corrente critica da mesma ordem ou melhores do que a
dos supercondutores metlicos. Estes valores so hoje os seguintes:

Ligas de Nidbio Titnio (NbT1)

Material Supercondutor 105 a 106 A/cm2
Fios Supercondutores 3 a 104 a i a 105 A/cm2

ligas Nlblo Estanho (Nb, Sn)

Material Supercondutor 105 a 107 A/cm2
Fios Supercondutores....... 3 a 104 a 3 x 106 A/crn2

YBa2Cu3O7-x
Policristalino no orientado (a 77K) 102 A/cm2
Policristalino Texturizado (a 4.2K)105 a 106 A/cm2
(a 77K) 105 A/cm2
Filmes Finos_.. (a 42K) 106 a/em2
(a 77K) 105 A/2
Moncristais. _ (a 4SK) 3 x 106 A/cm2

Como se pode ver, os supercondutores Y-Ba-Co-O na forma de filmes finos, monocristais ou

Texturizados' apresentam valores similares aos supercondutores j na forma de fios fab ri cados. Estes
dados por si s j representam um estmulo A pesquisa tecnolgica com estes novos mate ri ais e mostram
o caminho para onde o maior volume de investimentos em P&D deve ser direcionado: dispositivos, fios,
filmes fitas e monocristais.

Alguns desafios tecnolgicos para o sistema Y-Ba-Cu-O, por aplicao, poderiam ser listados da
seguinte forma:

Eletrnica
a) filmes finos com valores altos de densidade de corrente critica a 77K;
b) controle da quantidade de oxignio durante o processamento;
c) solucionar a questo da degradao devido umidade ou perda de oxignio;

Transmisso de Potncia
a) obteno de fios ou cabos com alta densidade de corrente critica a 77K.

Magas os
a) obteno de altas densidades de co rrente critica na presena de campos magnticos;
b) obteno de fios e fitas supercondutoras Qexivejs;
c) projetar e co nstruir estruturas de supo rt e.

-84-
TABELA 4.3
GRUPOS DE PESQUISA EN SUPERCONDUTIVIDADE (S1rystlo Atua))

INSTITUICAO LINHAS DE PESQUISA Estgio TtQIICAS SAIS REJ..EVANTES CUSTO ESTIRADO

GRUPO U5.

UNICANP Sup.rconduttutdatl C 5uscptibtlidd aagneL)cal a.ct d.ct

r.tsttvidd'Idtrtca teru u.
s.dlda d wrrsnt coupe, criLtco..
calortatrta. 500.000 '

IPEN Preparado C. aso.tr u C Cremes d crtstatm. Mom, flno.

C made de aaotra. I Espctroacopt Optic foLoacdstica 500.000
Prop-Iodides, Ulm-micas ) Dlfraclo d raios-l. ra utieldod
dlrysivtdad.

UFSCAR Suprcondutivtdad 1 Sucptibtltdsd, retlitioldade lLrtcs.

amp nteatrt.. calortatrt.. fll.. fInoe. 250.000

UPp Suprcondlttvtdad. now. R.tstivldad letrtcs. euscptlbIiIdd

tat. tn.truantaCtO s.c d.c. ..did.. de dope critico. 200.000
tanto d crtstrt.. aboarita d
micro- onda..

COPE 5uprcandutivldade P.1. Prparaclo d soo . .u.c.ptibtlidad

sago 11. rvoisttvtdad 111trtca. 1.000.000
dtfraclo d r.lo-11. sp.ctroscopta No.bsur
P.A.C. - SNR. ATO. ATD, icro.copt. Optics.
film fino

UFRJ Sup.rconduttvtdad splICaCea 1 Nagnte.trts coo SQUID, calor spciflco.

lLab. Rsixu (dISpon tivo.) I au.cpLtbIlidade a.C. rOmol.t)vidade. 400.000
Tespersturaa) sago ialeido d.. fila fina..

PUC/RJ Dipo.titvo. ooperconduiorse. C Co So I. SQUIDS transformadora d

tn .eru00000 do uprcondutora. fluxo. construCle de u.cptlatro, 500 .000
preparado d ..gntocardtdgr.fo. Icrofen suprcndutar.
carac uriz.Cto Susceptibilidade agntica. calor .pacifico.
rsmctIutdmd Itric sob prsaib, Til..
fino.. totoacd,tic..
TABELA 4.3
GRUPOS DE PESQUISA ER SUPERCONDUTIVIDADE CSICuaCIO Atual)
IHSCITUIC'IO LINHAS DE PESQUISA
GRUPO
USP Suprcondutivldedi Floe d NbTii
Supercondutividade da alto T c
UFRGS Propriedade aaqneticas dos
upercondutors carllaacos
FlutuaCNe crftica nos
uparcondutor crAeicos
UFRG Supercondutoras da alta
t . PrOduco
CarectarlZedo d a
ProduClo caractsrl2aC:0 de
carAsicas IP6 ultrafino) Cos
coe o DpCO. d colabrd
Oufsic do 10EX coo o CETEC)
Continuado
ESTAGIO TAG-MICAS R15 RELEVANTES CUSTO ESTIRADO
CUSS)
C (adida. d : C ticas
I Susceptibilidade agntis$Cf0, adlda 500.000
da propriedades de transporta.
C Reristivideda laCrice, aagntizaCllo
C SusOptibilidad a.c., sag letenCla. $50.000
uloriaantria, dilatecio taraica
Espctroseopi da corrC70 angular game-
gama. Espectroscopll d Iepdancia, RIcrO-
C ondas. RPE, Rauo -R. Mi pia Iatrdnica 1.000.000
de varredura CCOlaboraCio coe o CETEC).
GranulOStria por corrlacao de fton
(colaborado coa o CETEC).
 TABELA 4.4
PESSOAL CIENTIFICO E PRODUTIVIDADE - SUPERCONDUTIVIDADE

INSTITUIC70 DOUT08ES MESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIG05 EM

GRUPO IORnADDS 70/02 REVISTAS C/ARDITRO
T E I E IC 11. O S D 78/82 83/88

UNICANP 3 - - 1 1 2 8 2 11 10

1PEM 5 1 5 1

OFSCAR 1 1 I 1

UFPE 3 3 17

=PT- 3 6 - 6 3 1 1 - 10

al
V
UFRJ
(Lab. D E Ix4s
TssPOreAlr4s) - 4 1 3 - 1

PDC /RJ 3 1. 6 1 2 10

USA 5 2 1 1 5

UFRGS 3 4

UFRG 1 4 - 2 1

TOTAL 5 37 - 5 25 16 4 12 3 10 61
TABELA 4-S
PERSPECTIVAS PARA OS PRXIMOS 5 ANOS - TSCNICAS E INVESTIMENTOS - SUPERCONDUTIVIDADE

INSTITUICIo NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TCCNICAS E APARELIIOS IA VEST IIIENTO

GRUPO US.

USP Prspctiva. de transport. a. flow D.T.A. usc.ptpaatro. sgnt0.tro

.ult,f Il NbTI. produzido par forno tarso-gr.vl.tr ice. 400.000
sgrup . Propriodsds, d transports m
floe produ Idos polo mould 'Powder in
Tube" [rue rconOutor.. d alto T c ).

Propriedades magnetic.. C. transport.

d sup ercondutor. d alto Tc cos tons
.agntIcos. Supercondutores d alto Tc
preduzlde a partir d precursor.. etalIcoa_
Fita uprcondutora produzidas polo .todo
de 'Melt Spinning - .

UFROS FlutuadO.. crlticafo .onotr1ta,.. coa0o11to Crlestato co. bob,ns 1uprcondutor -

uprcondutors,. juncO.. S-N^S, films, Tinos. SQUID. voltI.tros sspr1.tro de

press io. 350.000

UF)IG Dispositivos de Estado Shcldei proj.to. l.plsntaio de .todo d quatro pantos.

producio padronizado. Dtr.Inedd.
d porcentsgm da fase uwrcondutors por
.ted. do cdnvnclon.I.. incluindo
.od.lag tratamento t.Orlco. Determina-
do rigorosa d cdrrns. campos critico.
co.prlonto d pntraclo.
d control. s,1. rigoroso da cpratura.
Auto.aclo d did. RL RCL.Auto.stlo das 500.000
..dIda. craca.snto d dodos e. r Istivi-
dad. susceptibilidade. Control rigoroso
dam Candled. d conformedio C Iao-
tat,ca) d sintrizaclo. Ampliado da
fol.. da frquencla t 13/91Z.

MIFF On,do uprcondutors,l szntLlzado s, Si 000000 ds evaporado co. SQUID, AT6 DTG 600.000
alts, prauabs, d. 02. monecrut.u f11- -
s,s finos. Dtrelnacle do ord.. magnetics
strive d mdida de SR.
 TABELA 4.5 Continuallo
PERSPECTIVAS PARA OS PRXIMOS 5 ANDS - TlCNICA9 E INVESFIEEATOS - SUPERCONDUTIVIDADE

1NSTITUICEO NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TCCNICAS E APARELHOS INVESTIMENTO

GRUPO USO

UNICANP Estudo da flutuaS. na tran.ic.o super- Nagntoaetri Cos SQUID. mu.c.ptowtro,

con S. gerador d onda., Soil sador de .pctro. 350.000
lock-in.

- !PEW Medids de calor pecffico Andllr t.raica dl f Isl.calor uetr u,

vapo . DT.A.. forno. crlo.tato. 600.000

UFECAR Sensor OSCllador d NKR, lock-in. puttering,

criotato. magneto. gerador d onda. 250.000

UFPE P11ses fihom. di.po.itivo .upercond Rasp is cos SQUID. .putter inq.
elute*. para DTA -TOA. specGrQm.trio 2.000.000
raio. -X. calorimetri.. i pis
01 el ICs.
t "

UFRJ Dipo.itivo uprcondutor.. cos JW10Eo Medidas de rudo s di.porIb vo. com
(Lab. Balsam Josephson. SQUID de slta.TC , film. SQUID d.c, slcro.copi de varredura por
Tempr.Wr Nl d apositivo. de alta T c . tunIsa.nto .l.tr5nico. Talons fino 800.000
litografia. rodernizacio dam tcnics.
x ISt.nt...

PUC/RJ SQUID transformador do fluxo com filmem Fits, tino.

Propr adade. .u.e.ptlbiltdad sob p 500.000
TIRELA 4.6
PERSPECTIVAS PARA OS PROS11105 5 ANOS - PESSOAL - SUPERCONDUTIVIDADE

INSTITUIIO CAPACIDADE DE FORNAIO EXPANSIO DO GRUPO

GRUPO CORDICDES ATUAIS CONDICES IDEAIS COHDIDES ATUAIS CONDICOES IDEAIS
N D 11 D R D N D

URIC l1P 2 2 3 2 - 1

!PEN 3 b 3

UFSCAR 2 1 3 1

UFPE 2 1 2 2 - 2 - 5

UFRJ
<Lab. RalMa Temp.) 3 2 4 3 1 2

PUC/RJ 2 1 3 1 3 4

USP 5 5 2 - S 6

UFRGS 3 1 5 2 3 2

UFRG 4 2 8 4 4 Lb 8

TOTAL 24 11 37 20 4 17 24 29
Cavidades
a) medir, compreender e controlar as propriedades supercondutoras de superfcie e o comportamento
em alta frequncia (RF).

A produo de fios supercondutores poder envolver, por exemplo, o desenvolvimento de fornos longos
que possam processar continuamente estes fios na medida em que vo sendo extrudados. Tais fios
devero ser flexveis o suficiente para que possam ser torcidos e formatados em cabos. Os cabos so
componentes principais dos enrolamentos de magnetos e das linhas de transmisso.

As tabelas que se seguem (43, 4.4, 43 e 4.6) fornecem dados referentes a situao atual dos grupos de
pesquisa, suas linhas de pesquisa e investimento estimado, j realizado; pessoal cientfico e
produtividade; perspectivas de tcnicas e investimentos para os prximos 5 anos; e perspectivas de
pessoal para os prximos 5 anos.

S. Comentrios Finais

Analisando as tabelas ve ri fica-se que o nmero de estudantes de doutorado por doutor est numa razo
de 0,1 (um dcimo), que muito pequena para as necessidades de formao de recursos humanos para a
rea. Um dos motivos desta razo ser baixa provavelmente devido ao fato de que a maioria dos
doutores no se dedica exclusivamente a area de supercondutividade, devendo ter orientandos em outras
reas.

O nmero de alunos de Iniciao Cientifica, 25 (vinte e cinco) no o ideal, mas razovel se levarmos
em conta a superposio de reas de atuao dos doutores. E de extrema importncia a formao de
alunos de Iniciao Cientfica, pois estes constituem o mate ri al humano a ser formado na ps-graduao.
Umas boa orientao destes alunos aumenta consideravelmente o potencial de se ter bons alunos nos
programas de pesquisa elevando o nvel dos recursos humanos. Os rgos governamentais de apoio a
bolsas devem levar em considerao a importncia da formao desses alunos, assim co mo as
Universidades e Institutos de Pesquisas devem incen ti var este ti po de atividade.

Das pe rspectivas para os prximos anos ve ri fica-se que a demanda ideal de 29 (vinte e nove) doutores
quando a capacidade de formao ideal de 20 (vinte) doutores, enquanto que nas condies atuais a
capacidade de formao de 11 (onze) doutores. Conclue-se que existe a necessidade de estimular uma
maior participao de alunos e orientadores na area. Como existem poucos grupos de pesquisa e alguns
ainda implantando linhas de pesquisa, a formao de pessoal dever ser realizada no s no Pas como
tambm no Exte ri or para que haja um maior intercmbio de idias e propostas de pesquisa. A formao
de pessoal no Exte ri or, nesta rea especfica, se ri a altamente desejada para reforar a formao de
recursos humanos no Pafs.

-91-
 E necessrio que haja um maior apoio por parte dos rgos financiadores para que se possa concretizar
a realizao dos projetos apresentados. Verifica-se que h uma grande tendncia dos grupos para o
desenvolvimento de dispositivos supercondutores, que certamente levar a projetos de construo e
testes de prottipos com aplicaes bem definidas. A rea sendo devidamente apoiada poder ab ri r um
mercado de trabalho para pesquisadores, mercado este inexistente no presente momento.

A formao de pessoal tcnico de nvel mdio e superior se faz essencial nesta rea de
supercondutividade, para que possam dar apoio aos projetos de pesquisa bsica e desenvolvimento
tecnolgico.

O governo deve se concientizar que somente o apoio formao de recursos humanos, cientficos e
tcnicos, no suficiente para o desenvolvimento de qualquer rea. Necessita-se de um plano objetivo de
absoro deste pessoal que formado, pois, sem a possibilidade de contratao, como ocorre no
momento, h um completo desistimulo para a formao desses recursos humanos. A demanda deve ser
suprida e os meios para tal devem ser providos.

Um investimento total estimado atual em equipamentos de grande e mdio portes de USS

4.600.000.00 (quatro milhes e seiscentos mil dlares), que na realidade engloba muitos equipamentos e
facilidades existentes, que so utilizados tambm em outras reas. O investimento total estimado para os
prximos cinco anos de USS 6.500.000,00 (seis milhes e quinhentos mil dlares) uma demanda realista
uma vez que se destina prioritariamente implantao de novas tcnicas, desenvolvimento de
dispositivos e aquisio de equipamentos inexistentes.

A realizao dos projetos propostos certamente levar o Pas a competir internacionalmente com o
desenvolvimento futuro da rea, a mdio prazo. permitindo a formao de pessoal cientifico e tcnico
necessrio Area, assim como o desenvolvimento cientifico e tecnolgico.

-92-
5. Cristais Lquidos e
Palimeroa

5.1 DESCRIO

A. Cristais Lquidos

A.1 Um Sculo de Existncia dos Cristais Lquidos

Os cristais lquidos representam um ce rt o nmero de estados particulares da matria, nos quais a

ordem de seus constituintes bsicos intermediria entre a ordem orientacional e posicional de longo
alcance dos slidos cristalinos e a desordem de longo alcan ce dos lquidos isotrpicos e gases.

A p ri meira observao expe ri menta] de um cristal liquido foi feita pelo botanico austraco F ri edrich
Reinitzer em 1888. Observou o chamado "fenmeno das cores", conhecido hoje como caracterstico de
muitos cristais lquidos colestricos, quando o acetato ou o benzoato de colesterila lquido era resfriado.
O colesterol j havia sido identificado em 1812. Esse mesmo fenmeno das cores, que consiste
basicamente em se observar a pa rt ir da incidncia em grandes ngulos da luz branca, a reflexo seletiva
de luz co m diferentes comp ri mentos de onda, foi observado em outras substncias de ri vadas do
colesterol. Alm dessa reflexo seletiva, Reinitzer observou que o benzoato de colesterila
cuidadosamente purificado fundia a 145,5C. apresentando uma fluidez opaca e, continuando o
aque ci mento, em 178,5 C se tomava subitamente transparente. Esse o chamado 'clearing point" dos
cristais lquidos. O resfriamento subsequente do material p roduzia o "fenmeno das co res".

Uma vez que a existncia dessas duas temperaturas de fuso pode ri a ser devida a existncia de
impurezas no mate ri al, Reinitzer solicitou ao prof. Otto Lehm an n de Aachen (RFA) a sntese,
purificao e observao desses mate ri ais para afastar a hiptese das impurezas. Aps uma criteriosa
srie de observaes, Lehmann confirmou as experincias de Reinitzer e denominou essas substncias
CRISTAIS LIOUIDOS uma vez que possuiam uma ce rta ri gidez, eram fluidos e tambm apresentavam
anisotropia ptica.

A contribuio francesa veio em 1922 com F ri edel. O pesquisador francs sistematizou as observaes
efetuadas at ento, criti co u o termo cristais lquidos e co ncluiu que se tratava de um novo estado da
matria, intermedirio entre o slido cristalino e o lquido isotrpico (ou amorfo). Prope, ento, o
termo MESOMRFICO para caracte ri zar essa nova fase (ou MESOFASE).

De l para til, depois de transcorridos ce m anos da p ri meira observao expe ri mental, os cristais
lquidos (como so usualmente conhecidos), tm se revelado um sistema extremamente interessante no
s pelas suas prop ri edades fsico-qumico, mas tambm pelas suas inmeras aplicaes de natureza
tecnolgica.

-93-
 Al Fluidos Anisotrpicos

As fases intermedirias entre o slido cristalino e o lquido isotrpico so definidas essencialmente por
meio de suas propri edades de simetria e grau de ordem.

As mesofases que apresentam um ordenamento tridimensional dos centros de massa de seus

constituintes bsicos, prprio de uma rede cristalina, no entanto com desordem rotacional. so
conhecidas como cri stais plsticos ou mesofases cristalinas desordenadas. A maioria dessas substncias
composta de molculas na forma de glbulos (forma aproximadamente esfrica), para os quais a barreira
rotao mais facilmente vencida com a elevao da temperatura, em comparao com a energia
necessria para a ruptura da rede cristalina.

No caso dos cristais Ifquidos, que se constituem num dos mais interessantes exemplos de fluidos
anisotrpicos supermoleculares, os seus constituintes bsicos apresentam graus de ordenamento
orientaciona] e em alguns casos mesmo posicional. A maioria das substncias que apresentam fases de
cristal lquido possuem molculas alongadas. Existem, no entanto, substncias com molculas com
formas de discos, que apresentam fases de cristal lquido, ditas colunares.

As substncias lquido-cristalinas sc dividem em duas grandes categorias, de acordo com os parmetros

mais relevantes nas transies de fase: os termotrpicos e os liotrpicos.

Mesofases Termotrpicas

As mesofases termotrpicas so obtidas por aquecimento de uma substncia slida, composta de

molculas de grande anisotropia de forma (molculas alongadas ou em forma de discos). Apresentam
uma fase isotrpica a alta temperatura. Os parmetros relevantes p ara as transies de fase so a
temperatura e a presso. Essas substncias so largamente utilizadas na confeco de dispositivos eletro-
pticos e sensores de temperatura e presso.

Mesofases Liotrpicas

Em determinadas condies de temperatura e concentraes relativas dos seus componentes, uma

mistura de molculas anfiiflicas e um solvente podem originar mesofases liquido-cristalinas denominadas
liotrpicas. Os pri ncipais parmetros responsveis pelas transies de fase so a temperatura, a presso e
as concentraes relativas dos componentes da mistura. As molculas anfifilicas, devido s suas
caractersticas diferenciadas eco termos de solubilizao em um solvente (polar ou apoiar), a partir de
uma determinada concentrao micelar crtica, formam aglomerados de molculas. Esses aglomerados
podem ter dimenses e formas diversas e, quando possuem uma anisotropia de forma no muito
acentuada, so denominados micclas. As miceias podem ser consideradas como os constituintes bsicos

-94 -
de um cristal liquido liotrpico. As substncias com caractersticas Iiotrpicas parti cipam de uma srie de
processos biolgicos vitais, tornando bastante interessante o estudo dessas mesofases.

A.3 Implicaes Tecnolgicas

Apesar dos cristais lquidos serem conhecidos desde o fim do sculo passado. o interesse em sua
utilizao na confeco de dispositivos (mostradores, sensores de temperatura e presso) s apareceu por
volta da dcada de 60. No caso dos mostradores (conhecidos como LCDs - "Liquid c rystal displays', a
possibilidade de controlar a transmisso ou reflexo da luz emitida por uma fonte externa, com muito
menor potn ci a do que a necessria para a emisso de luz por mate riais luminescentes, foi o p rincipal
incentivo para a pesquisa e o desenvolvimento dcsscs dispositivos.

Do ponto de vista tecnolgico a rea de cristais lquidos considerada estratgica pelas aplicaes que
estes materiais tm em dispositivos, em especial em dispositivos eletrnicos para exibio de informao
analgica e digital, os 'displays". O mercado desses dispositivos j chega a atingir 500 milhes de dlares
anuais, sendo que apenas em 1986 cerca de 1 milho de unidades forma foram fabricadas para aplicaes
cm eletrnica de consumo e profissional.

As caractersticas de baixo consumo de potncia, baixas tenses de operao, portabilidade,

simplicidade de fabricao, baixo custo, excelente leitura sob iluminao ambiental intensa e alta
confiabilidade conferem aos mostradores de cristal liquido uma posio destacada na corrida pelos
painis de grande rea. em relao a seus competidores, os tubos de raios catdicos - CRTs. os displays a
plasma - GPDs, os eletroluminescentes - ELDs e os fluorescentes - VFDs. As limitaes de faixas de
temperaturas de operao, angulo de visada, brilho, contraste e resoluo vm sendo superadas atravs
do desenvolvimento dc novos materiais e processos de obteno, bem como de novas alternativas de
endereamento, a exemplo das matrizes ativas dc dispositivos de filmes finos que acionam diretamente
cada ponto de imagem (pixel).

Pesquisas intensas vm sendo realizadas em cristais dc alta birrefringncia (n > 1,5), de resposta mais
rpida e operando em maiores intervalos de temperatura. O efeito da birrefrigncia supertorcida e os
cri stais lquidos ferroeltricos vem abrindo perspectivas importantes no sentido de contornar as
limitaes de elevadas taxas de multiplexagcm no angulo de visada, no brilho e no contraste.

As matrizes ativas dc dispositivos de filmes finos cleminam os problemas de contraste e angulo de

visada, enquanto que as iluminadores posteriores (backlighting') compensam a falta de b rilho, a um
sacrifcio de custo evidentemente. Diversos materiais semicondutores vm sendo utilizados para os
dispositivos de filmes finos, entre eles o seleneto de cdmio, o silcio policristalino e o silcio amorfo.
Filtros RGB vm tambm sendo intensamente investigados para aplicaes em televisores coloridos,
com expressivos resultados j oferecidos no mercado.

-95-
 A melhoria nas caractersticas pticas dos "displays", sua maior confiahilidade e maiores faixas de
temperatura de operao tem ampliado as aplicaes dos mostradores para condies mais rest ri tivas,
como o caso dos painis de veculos automotivos, aeronaves e mesmo nas aplicaes militares. Nesse
sentido foi importante a contribuio da tecnologia de solda do circuito integrado de acionamento
diretamente sobre o vidro (tecnologia do "chip on glass") usada tanto para matrizes ativas como nos
'displays" passivos, a qual reduz significativamente o nmero de conexes entre o LCD e a placa de
circuito impresso, conferindo maior confiahilidade ao sistema.

Novas aplicaes dos cristais lquidos alinhados homcotropicamente so apresentadas no mercado, em

"shutters" eletropticos para "displays" estercttscpicos dc CRTs, em janelas de edifcios e veculos, em
telas de grande projeo.

As pesquisas em novos cristais lquidos, em polarizadores e em processos de produo tm sido e

continuaro sendo fundamentais para reduzir os problemas do contraste, do tempo de resposta e da
dependncia dos parmetros pticos com a temperatura. Os avanos na tecnologia de fabricao de
matrizes de dispositivos ativos tm permitido alcanar maior rendimento de fabricao dos dispositivos, o
que abre perspectivas importantes para os "displays" de grande rea com elevado contraste e maiores
ngulos de visada. A tecnologia de solda do circuito integrado de acionamento sobre o vidro vem
garantindo, por sua vez, maior confiahilidade aos painis, alm dc reduzir dimenses finais.

Os desafios da tecnologia de LCDs na prxima dcada parecem estar em se alcanar grandes reas -
como indica o empenho do governo japons ("Japanese Ministry of International Trade and Indust ry -
MITI") no seu programa "display-on-a-wall" de muitos millt tes de dlares. A tecnologia de ferroeltricos
parece pronta para decolar com promessas de alta resoluo monocromtica sem necessitar das matrizes
ativas, estando ainda sem resposta questes como viabilidade de fabricao em grande escala, preo,
consumo dc potncia e confiahilidade.

A.4 Interao com a Indstria e a Sociedade

As relaes entre essa rea da Fsica, a indtria e a sociedade j so extremamente intensas em funo
do interesse tecnolgico que os cristais lquidos apresentam para a importante indstria j instalada a
nvel mundial. As relaes entre a pesquisa de novos materiais e de novos processos e a fabricao em si
j so to estreitas que os esforos de pesquisa e desenvolvimento so assumidos pelas prprias empresas
fabricantes, que mantm seus prprios laboratrios de pesquisa e desenvolvimento.

A tecnologia de mostradores no entanto uma tecnologia de ponta que abrange diversas reas do
conhecimento, do processamento fsico-qumico de materiais e insumos as tcnicas de confeco dos
dispositivos, sua caracterizao opto-eltrica, seu endereamento eletrnico, passando pelas ferramentas
para gerao automtica de m_scares. A rapacidade de projeto e construo de equipamentos, jigas de
teste e instrumentos de medida, bem como os processos de produo e automao da fabricao no

-96-
devem ser desprezados como linhas de grande interesse para o desenvolvimento de tecnologia como um
todo, tendo seu domnio se constitudo num trunfo importante da indstria japonesa, especialmente no
que se refere tecnologia de fabricao em grande escala.

Todavia, o desenvolvimento tecnolgico da rea depende de esforos contnuos de pesquisa para que
seja mantido seu ri tmo de evoluo, competitividade e inovao em face s suas concorrentes.

B. Polftaeros

B.1 Introduo

Polmeros so molculas com estrutura em cadeias longas, lineares nu ramificadas, e que resultam da
combinao qumica dc certo nmero (tipicamente milhares) de unidades mais simples repetidas dc
maneira regular ou aleatria. Enquanto que polmeros naturais como a borracha go conhecidos desde
tempos imemoriais, s no sculo XX, com a expanso da indstria qumica, se tornou possvel a
preparao em larga escala de polmeros sintticos, com as mais variadas propriedades. No apenas
alteraes na natureza qumica da unidades que se repetem (os monmeros), mas mesmo simples
diferenas estruturais no tipo de organizao da cadeia podem levar a molculas com propriedades
fsicas e qumicas profundamente distintas; isto cxplica a enorme diversidade de polmeros existentes.
Protenas, enzimas, e diversas outras molculas polimricas de interesse biolgico, so ainda exemplos da
grande variao possvel tanto na natureza quanto nas funes e propriedades dos polmeros.

Em 1987 foram produzidas a nvel mundial mais de 23 milhes de toneladas de plstico, fibras e
borracha sinttica. A importncia desses materiais na civilizao mode rn a torna fcil compreender o
grande interesse econmico pelo estudo das propriedades dos polmeros. A interdisciplinaridade uma
caracterstica desse esforo: alm dos diversos ramos da qumica necessrios sntese, carcterizao e
produo de polmeros cm escala industrial, cientistas e engenheiros de mate ri ais tm um papel
fundamental a desempenhar, por exemplo, na melhoria da processabilidade e da estabilidade mecnica e
ambiental do mate ri al obtido.

B.2 Polmeros Tradicionais

O comportamento dos polimeros determinado pela natureza qumica do monmeros bem como de
suas interaes e organizao ao longo da cadeia. As propriedades fsicas dos polmeros esto
tradicionalmente associadas a suas propriedades mecnicas especiais (por exemplo, plasticidade) e
rigidez dieltrica ( o que os torna material de escolha como isolantes na indstria eltrica/eletrnica, por
exemplo). Sendo essas caractersticas do material no geral hem entendidas do ponto dc vista da fsict
bsica envolvida, o controle das propriedades e dos processos de obteno dos polmeros convencionais
repousa quase que inteiramente nas mos da Qumica e da Engenharia de Materiais. Esta razo a

-97-
pri ncipal responsvel pelo fato de que o estudo de polmeros tradicionalmente visto como muito mais
ligado a essas Areas de trabalho que Fsica propriamente dita.

Recentemente, porm, uma fsica nova e de largo impacto industrial tem sido associada ao estudo das
propri edades de fluxo (ou reolgicas) de polmeros: efeitos como relaxao e memria de forma, visco-
elasticidade e n o- linea ri dade de fluxo tm sido estudados com o uso de tcnicas mais modernas da fsica
estatstica Teorias de fenmenos crticos tm sido aplicadas ao estudo das transies de fase e
estabilidade de solues e ligas polimricas. Ao mesmo tempo, sendo as propriedades mecnicas de um
polmero extremamente dependentes das orientaes relativas das fibras, o escudo da fsica do
crescimento, do ordenamento e da organizao espacial das cadeias polimricas experimenta hoje uma
grande expanso e crescente interesse tanto do ponto de vista bsico quanto aplicado.

11.3 Polmeros Nicaeonvenclonals

Nos ltimos 10 anos a nossa compreenso sobre a estrutura e propriedades de polmeros tem sido
revolucionada pela descoberta de propriedades no convencionais em termos de conduo eltrica e de
absoro ptica no-linear em certas classes de polmeros orgnicos. Essas propriedades, pelo que
apresentam de novo em termos de mecanismos bsicos, trouxeram para a esfera da Fsica o estudo das
propriedades desses mate ri ais e o desenvolvimento de dispositivos que explorem as caracterfsticas
especiais dessas novas class es de polmeros. No presente, a Fsica a cincia de fronteira para o estudo
dos polmeros no-convencionais.

Exemplo maior desses materiais no-convencionais o poliacetileno. Esse plstico, que consiste
essencialmente em fibrilas compostas por longas cadeias de carbono, cada um ligado a um Atomo de
hidrognio, foi pela primeira vez preparado sob forma de filmes de boa qualidade em finais da dcada de
70. Logo se descobriu que uma vez expostos a agentes dopantes (no caso, substncias qumicas doadoras
ou aceptoras de eltrons) esses filmes apresentam condutividade eltrica varivel, cheg ando a atingir
nveis comparveis a dos metais (de fato, amostras de poliacetileno altamente orientadas chegam a
apresentar menor resistividade por peso que a do cobre). A existncia de polmeros condutores veio
reforar a necessidade de melhor entendimento da fsica de materiais orgnicos desafiada ainda na
dcada de 60 pela descoberta de alta condutividade eltrica anisotrpica (essencialmente
unidimensionais) em certas classes de cristais orgnicos.

Do ponto de vista bsico, o principal desafio consiste cm se tentar entender os mecanismos

responsveis pelo fenmeno da condutividade orgnica. No caso de cadeias conjugadas (isto . aquelas
em que tomos de carbono consecutivos interagem atravs de ligaes simples e duplas alternadas), o
trabalho de W.P. Su, J.R. Schrieffer e AJ. Heeger no inicio da dcada de 80, foi de importncia
fundamental ao introduzir a idia de que defeitos conformacionais (resultantes essencialmente da quebra
do padro de alternncia das ligaes) pode riam ser deslocalizveis ao longo das cadeias polimricas.
Esse mecanismo da ria ento o rigem aos port adores de spin (ou carga, no caso de sistemas dopados)

.98-
capazes de responder pela va ri ada gama de inusitadas prop ri edades de transporte descobertas para o
poliacetileno. A semelhana do mecanismo proposto com a idia de excitaes no-dispersivas associou
o nome de slitons ao modelo. Embora slitons no pudessem servir como mecanismo universal para a
condutividade em polmeros (por razes associadas s exigncias de alta simet ri a no mate ri al) extenses
do modelo (plarons) pareciam explicar boa parte da fenomenologia conhecida para esses materiais.
Todavia, a descoberta de que a polianilina, um polmero orgnico de h muito conhecido, poderia atingir
alta condutividade por efeito da protonao da cadeia polimrica, remeteu o problema s suas origens,
pela dificuldade de enquadrar tais resultados dentro dos modelos adotados. assim, a o ri gem da
condutividade orgnica permanece no presente uma questo ainda em aberto.

Por outro lado, prop ri edades pticas no-lineares ultra-rpidas tm sido identificadas em diversas
molculas orgnicas. Ern regime de alta frequncia as contribuies induzidas por polarizao devem
dominar a resposta desses mate ri ais. Em sistemas orgnicos no-saturados (isto , aqueles em que
tomos de carbono interagem entre si via ligaes duplas ou t ri plas) eltrons desloalizveis do tipo pi
esto presentes. Polmeros orgnicos tto saturados aparecem ento como candidatos ideais a
manifestao de intensas respost as pticas no-lineares devido ao grande nmero de eltrons pi e a
natural anisotropia de sua dist ri buio ao longo da cadeia. O entendimento dos fatores que controlam a
distribuio desses eltrons e sua polarizablidade se encontra ainda em sua fase inicial.

Para a obteno de materiais de boa qualidade ptica, necessrio se faz que, tanto quanto possvel, seja
reduzido o nmero de defeitos. Polmeros ob ti dos por mtodos de sntese orgnica ou eletroqumicos so
em geral amorfos ou de baixa cristalinidade. Embora novas rot as de sntese (como a que utiliza matrizes
de c ri stais lquidos orientados por campos externos) que buscam aumentar o grau de anisotropia do
polmero obtido tenham sido desenvolvidas, uma tcnica promissora de carter mais geral e que permite
obter amostras de melhor qualidade 6 a da preparao dos chamados filmes de larngmuir-Blodgett.

Essa tcnica, que leva o nome de seus descob ri dores, foi desenvolvida j na dcada de 30 mas s
recentemente redescoberta como de extrema convenincia para a obteno de filmes polimtricos de
alta qualidade para a indstria ptica ou eletrnica. Ela se baseia no uso do monmero desejado ao qual
se prov terminais anfifflicos (isto , de natureza qumica oposta, um hidrfobo); uma vez dispersas na
superfcie de um solvente (usualmente gua ultra-pura), essas mol cu las se o ri entam naturalmente em
monocamadas de modo a minimizar a tenso superficial. A polimerizao ento induzida (por luz, por
exemplo) e d o ri gem a um filme polimrico altamente ordenado. Esses fi lmes podem ser
suce ss ivamente transferidos para um substrato conveniente de modo a formar multicamadas
praticamente isentas de defeitos. Assim, amostras de alta qualidade ptica ou com caractersticas que as
tornem adequadas ao uso em componentes eletrnicos tam sido obtidas.

Filmes de Lagmuir-Blodgett j foram utilizados para a obteno de estrutur as que simulam o

comportamento de molculas biolgicas na recepo e transporte de excitaes luminosas e eltricas.
Estes so talvez os exemplos mais promissores da chamada eletrnica a nvel molecular, tecnologia de
nova gerao em que o proce ssamento da informao se d3 pela mudana na conformao de molculas.

-99-
 B.4 Implicaes Tecnolgicas

Polmeros tm seu lugar assegurado na moderna tecnologia, seja como plsticos, resinas ou pigmentos.
Para a expanso desse ramo da indstria qumica tradicional devero cont ribuir desenvolvimentos que
levem a melhorias nas propriedades reolgicas, mecnicas e de estabilidade trmica de sses mate riais. O
uso de polmeros convencionais na indstria eletrnica, seja como fotoresistes, em cavidades pticas ou
como guias de onda, aparece como um segmento extremamente promissor.

Por outro lado, ainda que os mecanismos bsicos da condutividade orgnica no estejam
suficientemente esclarecidos, diversas aplicaes tecnolgicas dos polmeros condutores tm sido
aventadas, enquanto que os primeiros dispositivos base desses mate riais comeam a aparecer no
mercado. O carter renovvel e o baixo custo relativo de fabricao abrem para os polmeros orgnicos
condutores excelentes perspectivas na substituio de metais pela possibilidade de reunir alta
condutividade eltrica s convenientes propriedades mecnicas dos plsticos. Tal uso, porm, ainda no
alcanou seu pleno potencial at o presente devido aos problemas enfrentados na melho ria da
processabilidade c estabilidade ambiental dos polfmeros condutores. Cumpre not ar no entanto que a
descoberta dos polmeros condutores relativamente recente e que, po rtanto, grande progresso nessa
direo pode ser esperado 3 medida que maior nmero de materiais com essas prop ri edades venham a
ser produzidos e estudados.

A possibilidade de dopagem reversvel dos polmeros condutores torna possvel o uso desses mate ri ais
em dispositivos de armazenamento de carga e energia. Essas baterias teriam maior densidade de energia
acumulada e seriam especialmente adequadas em situaes em que consideraes de peso ou volume
(por exemplo na indstria espacial) se tornassem importantes. Desde finais de 1986 se encontram
disposio do mercado internacional baterias base de polianilina; o uso de materiais orgnicos levou a
concepes inovadoras na geomet ri a do dispositivo, tendo uma das bate rias comercializadas a forma e
dimenses tpicas de um carto de crdito.

Uma importante rea de aplicaes de polmeros condutores tem sido como elementos ativos em
sensores. A existncia de efetivos como o termo e o eletrocromismo em alguns desses mate riais, bem
como a alta especificidade de reaes qumicas que alterem a estrutura das cadeias, e portanto suas
propriedades, tm sido exploradas no desenvolvimento de variados dispositivos. Hoje, por exemplo, so
comercializados tanto sensores de temperatura para a indstria alimentcia (onde a mudana de
colorao do polmero usada p ara indicar variao de temperatura durante o armazenamento do
produto), quanto etiquetas de controle de estoque acionadas por radiao eletromagntica (em que o
circuito eletrnico s se torna ativo caso o polfmero haja sido exposto ao ambiente), alm de sistemas de
controle de processos para a indstria qumica com transistores base de polmeros condutores.

-100-
 Ao mesmo tempo, o uso de filmes de Langmuir-Blodgett base de polmeros orgnicos tem se
mostrado especialmente adequado na construo de sensores de radiao infravermelha, pela pequena
massa trmica das camadas que funcionam como componente ativo do circuito. Mais recentemente,
laboratrios industriais japoneses tm perseguido de modo ativo a idia do registro ptico de
informaes pela mudana conformacional induzida em molculas orgnicas depositadas em
multicamadas de Langmuir-Blodgett.

Tal como ocorreu h cerca de duas dcadas com os cristais lquidos, no presente, polmero orgnicos
no convencionais so objeto de crescente interesse industrial. H previses o ti mistas de que uma nova
revoluo tecnolgica baseada em dispositivos que explorem as inusitadas propriedades desses materiais
poderi a ocorrer a mdio prazo, chegando por fim aos limites da eletrnica a nvel molecular, apontada
como o 'grau ltimo' da miniaturizao de circuitos de processamento de informao. A viabilidade
dessa revoluo tecnolgica depende de que, no futuro prximo, dispositivos eficientes e confiveis
base desses materiais venham a ser produzidos a custos competitivos em relao s tecnologias
estabelecidas.

52 SITUAO DA AREA NO PAIS

A. Cristais Lquidos

A.1 Breve Histrico

As pesquisas em cristais lquidos no Brasil tm sua primeira referncia em 1939 com a vinda do
Professor Hans ZScher ao Departamento Nacional de Produo Mineral do Rio de Janeiro. Ministrou
aulas sobre coloides na Escola Nacional de Qumica e na Faculdade Nacional de Filosofia Essa linha, no
entanto, no teve continuidade. Em 1968 as pesquisas em cristais lquidos so efetivamente lanadas
quando o Professor Loenard W. Reeves, da Universidade de Waterloo - Canad, estabelece uma
colaborao permanente com o Instituto de Qumica da USP (IQUSP) na linha de cristais lquidos
liotrpicos. Surge ento o grupo de RMN do IQUSP, liderado por J.A.Vanin.

Em 1971, no Departamento de Fsica da UFSC-Florianpolis implantada a linha de pesquisa em

cristais lquidos termotrpicos, com a vinda dos EUA de J.D. Gault e T. Taylor.

Em 1974 a colaborao com o Professor Reeves se estende ao Instituto de Fsica da USP (IFUSP)
atravs do projeto de LQ. Amaral.

Em 1986 implantada a primeira linha aplicada, focalizada na confeco de mostradores de cristal

lquido por A.P. Mammana, no Cent ro Tecnolgico de Informtica - Instituto de Microeletrnica em
Campinas - SP.

-tot-
 Na dcada de 80 d-se a implantao de novos grupos de pesquisa com projetos de cooperao com o
"Laboratoire de Physique des Solides' - Orsay (Frana), o Grupo de ptica de Cristais lquidos do
IFUSP (1985) com A.M. Figueiredo Neto e o Grupo de ptica e Espalhamento de Luz - Cristais
Lquidos (1986), com M.B. Lacerda Santos.

AZ - Sitaao Atual

At o final de 1988 tnhamos 24 pesquisadores trabalhando na rea de cri stais lquidos, sendo 6 mestres
e 18 doutores (trs deles com formaao em fsico-qumica). O pessoal envolvido, incluindo apenas os
estudantes em programas de mestrado e doutourado, da ordem de 50 pessoas. Foram formados cerca
de 56 mestres e 7 doutores.

As pri ncipais tcnicas experimentais de medida e caracterizao utilizadas so a microscopia ptica de

luz polarizada, a difrao de raios-X, a ressonncia magntica nuclear e o espalhamento quase-elstico
de luz.

No tocante s principais linhas de pesquisa atualmente existentes no Brasil temos o estudo de

propriedades pticas e magnticas de cristais lquidas liotrpicos e estudo da estrutura e ordem.local
tambm dos liotrpicos. Os nicos laboratrios que atualmente investigam as propriedades fsico-
qumicas dos termotrpicos so o da UFSC e o do IFUSP (GOCL).

A quase totalidade dos grupos tem privilegiado o aspecto experimental da pesquisa em cristais lquidos
em especial os c ri stais lquidos liotrpicos.

Nesta rea h um forte desequilbrio entre o trabalho terico e expe rimental: apenas I dos doutores
essencialmente terico.

Entre os p ri ncipais resultados obtidos no Pafs em termos de pesquisa bsica podemos citar as
contribuies ao estabelecimento das propriedades magneto-pticas dos liotrpicos e o desenvolvimento
de novos cristais lquidos pelo grupo do IQUSP e os estudos da estrutura e ordem local dos liotrpicos
pelos grupos do IFUSP.

Apesar dessa rea possuir uma impo rtante caracterstica de rea aplicada, a interao com empresas
praticamente inexistente. O grupo do CTI/IM assume hoje no Brasil um importante papel no sentido de
superar tal situao. Visando dar suporte ao parque indust rial que aqui vai se instalar, foi proposto um
programa de pesquisa e desenvolvimento em tecnologia de mostradores, o qual conta com a colaborao
de instituies de pesquisa e ensino c empresas interessadas na rea. Sao resultados impo rtantes a nvel
de laboratrio:

-102-
I. Processos de obteno de mostradores nemtico-torcidos, a partir do vid ro comum, estticos e
multiplexados e de dispositivos de filmes finos para matrizes ativas de acionamento de painis de grande
rea e alta complexidade.

2. Processos de fabricao e tcnicas de automao da produo em clulas flexveis de manufatura

(IA/CTI) auxiliada por computador e confeco automtica de mscaras.

3. Implantao de uma linha piloto de fabricao para prototipagem rpida.

Em termos de investimento, o total instalado no Brasil (excetuando-se salrios, bolsas, material de

consumo e manuteno) da ordem de USS 1.000.000,00 (hum milho de dlares).

Comparand a situao atual brasileira com a dos grandes centros de pesquisa notamos um novo
desequilbrio: nesses centros a pesquisa com cristais lquidos termotrpicos altamente privilegiada em
relao aos liotrpioos. Esse fato se deve is inmeras aplicaes tecnolgicas dos termotrpicos. Os
grandes laboratrios na Exte ri or, como o 'Laboratoire de Physique des Solides" e o "Lquid Crystal
Institute tm uma interao bastante frutfera com a indstria local de modo que muitos temas de teses
versam sobre problemas de grande interesse no s Fsica ( e fsico-quimica) bsica como tambm As
aplicestnog.Pruladton-secvzmaiptnquesgrdmpao
esto investindo maciamente em estruturar seus prprios laboratrios de pesquisa (como nos EUA,
Japo e Alemanha).

B. Polimeroa

13.1 Brrve histrico

No Brasil, a maior a tividade na rea de polmeros esteve tradicionalmente associada a grupos de

qumica. Dentre esses merece destaque o Instituto de Macromolculas da UFRJ que tm uma longa
tradio de interao com a indstria qumica nacional. Mais recentemente, o grupo do Prof. Fernando
Gallembeck no Instituto de Qumica da UNICAMP teve um papel importante na formao de
pesquisadores com interesse nas propriedades fsico-qumicas de polmeros; nesse grupo foram pela
p ri meira vez obse rvadas interessantes propriedades de permeabilidade em membranas polimricas.

So poucos os exemplos de grupos de Fsica brasileiros co m interesse pelo escudo das prop riedades
Isicas de polmeros convencionais. O Grupo de Eletretos do instituto de Fsica e Qumica da USP-So
Carlos, por exemplo, evoluiu naturalmente seu interesse por polmeros dentro de um programa de
caracterizao eltrica de materiais, enquanto que uma das recentes linhas de trabalho do Grupo de
Implantao Tnica do Instituto de Fsica da UFRGS tem sido o da modificao da resistncia trmica de
resinas polimricas fotosensiveis pelo bombardeamento de Ions.

-103-
 A descoberta dos polmeros no-convencionais modificou esse panorama ao trazer a Fsica para a
fronteira do desenvolvimento desses materiais. Em 1981. no Departamento de Fsica da UFPE foi
iniciada uma linha de trabalho terica voltada para o estudo da estrutura eletrnica de polfmeros
condutores: como consequncia de uma poltica de formao e contratao de pessoal com horizonte de
mdio prazo, esse esforo evoluiu para a criao do Grupo de Polmeros No-Convencionais que tm
hoje linhas de trabalho tericas e experimentais na preparao, caracterizao e investigao das
propriedades pticas e de transporte de polmeros.

B.2 Situao Atuai

O fato de que diferentes tcnico tericas e experimentais podem ser aplicadas ao estudo da fsica de
polmeros faz com que no apenas pesquisadores isolados como tambm grupos de pesquisa tenham hoje
interesse nas prop ri edades mecdnicas, fsicas e ambientais desses materiais. Linhas de trabalho tericas
voltadas ao estudo das propriedades eletrnicas, estruturais e pticas de materiais polimricos existem
hoje, dentre outras instituies, nos Institutos de Fsica da USP e da UNICAMP, na PUC-RJ, na UFPE e
na UFRN. De um modo geral, porm, h no Pais necessidade de um maior desenvolvimento da
investigao expe ri mental de polmeros.

Um problema maior enfrentado pelos grupos experimentais da rea, e para o qual diferentes
encaminhamentos tem sido dados, reside na dificuldade dc preparao de amostras. Pela pouca
estabilidade ambiental da maioria dos polmeros de interesse, h a necessidade de produo local de
amostras com bom grau de reprodutibilidade. A associao entre grupos de fsica e de qumica, alm dc
pesquisadores na rea de cincia e engenharia de materiais, naturalmente encontrada em laboratrios
industriais ou instituies acadmicas estrangeiras, ainda no Brasil a exceo.

Dentre os grupos de Qumica com intere sse na Area, destaca-se o do Prof. Marco Aurlio de Paoli
(Departamento de Oufmica/UNICAMP) que lidera um grupo voltado sntese eletroqumica de
polmeros condutores e ao estudo das baterias plsticas. J no Departamento de Engenharia de
Materiais da UFSCAR h um grupo de 09 doutores com formao na rea de polmeros.

O Grupo de Polmeros No-Convencionais do DF-UFPE, alm da continuao de seus trabalhos

tericos na Area da estrutura eletrnica e propriedades pticas de polmeros, iniciou em 1987 um esforo
na preparao de polmeros condutores (inicialmente polianilina e polipirrol) por via eletroqufmica, no
estudo de suas propriedades pticas no-lineares e de transpo rt e (com interesse especial pela
determinao do fator de anisotropia na condutividade de filmes de polmricos e cm medidas do
coeficiente Hall, pelo que podem revelar sobre o me canismo de condutividade nesses mate riais).
Junes polmero-metal e determinao dos parmetros bsicos de operao de bate ri as polimricas
co mpletam as linhas de trabalho iniciais do grupo. Com a chegada de um equipamento tipo Langmuir-
Blodgett prevista para o segundo semestre de 1989, o Grupo dar incio a uma nova linha voltada

-104-
preparao, caracterizao e estudo terico e experimental das propriedades ptimos de multicamadas
polimricas.

J o Grupo . de Eletretos do IFQUSC-USP, alm da continuidade de seus trabalhos na caracterizao

eltrica de polmeros dever iniciar cm 1989 a preparao de filmes orientados de poliacetileno. Para os
prximos anos est previsto o incio de uma nova linha de trabalho dedicada A preparao de filmes de
Langmuir-Blodgett.

B.3 Carncias e Dificuldades

No momento apenas dois grupos brasileiros (UFPE e IFQUSP-So Carlos) se identificam como
dedicados ao estudo de polmeros. Considerando o crescimento explosivo a nvel internacional da rea
de polmeros especiais, em anos recentes surge de modo claro a necessidade urgente de aumentar de
maneira substancial o nmero de doutores em atividade no Brasil, atravs de um coerente e regular
programa de incentivo formao de pessoal qualificado na rea.

Por outro lado, a implantao de uma rea nova como a de polimerios no-convencionais, que requer
investimentos em equipamentos de sntese e caracterizao, tem sof ri do os efeitos da crise financeira por
que atravessa o Pais na dcada de 80. Dificuldades na importao de equipamentos, reagentes e mate ri al
de consumo em geral tm retardado o desenvolvimento dos trabalhos de consolidao dos grupos
envolvidos.

Por fim, restries financeiras tambm tm um impacto negativo importante ao dificultar o interembio
de pesquisadores, seja pela limitao ou proibido de viagens ao Exterior (mesmo em casos de
apresentao de trabalhos em congressos), seja pela falta de recursos para trazer visitantes internacionais
pra estadias de cu rt o ou longo perodo.

Estas dificuldades comuns a todas as Areas de pesquisa bsica ou aplicada adquirem carter mais
pe rv erso em se tratando de Areas de implantao, em que a massa crtica de pesquisadores nacionais no
foi ainda atingida.

5.3 PERSPECTIVAS PARA A PRXIMA DCADA

A. Cristais Lquidos

A.1 Pianos dos Grupos (Prximos 5 anos)

Nas novas linhas de trabalho com perspectiva de serem implantadas h ainda a tendncia dos grupos
em manter a nfase no estudo de cristais lquidos liotrpicos, com algumas poucas excees que

-105-
objetivam uma ampliao de seu universo de pesquisa. O investimento (excetuando salrios e bolsas) t
relativamente modesto, da ordem de USS 1.000.000,00 (hum milho de dlares).

Com relao s aplicaes tecnolgicas, o grupo do C I/1M prev a confeco de painis de LCD de
grande Area, mostradores coloridos e TV a cristal lquido, alm dos mostradores estticos e multiplexado.
Os mostradores supertorcidos e duplamente torcidos devem ser investigados em futuro imediato,
pretendendo-se iniciar a investigao em ferroeltricos. O investimento estimado nesse projeto t de USS
800.000,00 (oitocentos mil dlares). O laboratrio mantm projetos de cooperao com os Estados
Unidos, Japo e Alemanha no desenvolvimento de tcnicas de obteno, caracterizao e modelagem de
dispositivos e de matrizes ativas p ar a o acionamento de painis de grande Area, nas te cn ologias de Cd Se
e de Si-a.

Um aspecto fundamental quanto a novas tcnicas de pesquisa em cristais lquidos a po ss ibilidade de

se efetu ar estudos utilizando-se tcnicas de radiocristalografia com radiao sincrotrnica Muitos dos
grupos possuem hoje projetos de cooperao bilateral com a Frana e EUA para a realizao de
experincias utilizando radiao sincrotrnica.

A.2 Recursos Humanos (RH) (prximos S anos)

Em termos de RH, os grupos apresentem um potencial de formao de 54 mestres e 33 doutores sendo

que em termos de expanso dos grupos prev-se em condies ideais a absoro de 12 mestres e 18
doutores. Dessa forma, no final de 1993 contaramos com um contingente de 58 doutores na rea

4.3 Investimentos Necessrios (prximos 5 anos)

Levando-se em conta o total estimado de investimentos (de equipamentos) necessrios para lev ar a
cabo as projetos dos grupos, da ordem de USS 5.000.000.00 (cinco milhes de dlares) e o nmero de
doutores (mdia no perodo estimada em 25 doutores) temos um investimento da ordem de USS
20.000,00 (vinte mil dlares) por doutor/ano. Esses nmeros devem ser analisados com bastante cautela
pois pode existir uma grande discrepncia entre a presena de RH em um determinado grupo e o
investimento referente a esse grupo.

Sem a menor sombra de dvida o Laboratrio Nacional de Luz Slnerotron se constitui no mais
impo rt ante investimento enquanto gr an des equipamentos, para explorar o potencial da rea, tanto no
tocante as pesquisas bsicas quanto s aplicadas. E importante salientar que esse tipo de projeto, um
laboratrio na ci onal, no seja realizado s custas dos demais investimentos menores, fundamentais
consolidao e sobrevivncia dos atuais grupos de pesquisa.

-in6-
 O domnio da tecnologia de fabricao de mostradores de Cri stais Lquidos depende de investimentos
em materiais, equipamentos e em Recursos Humanos que permitam manter ncleos de excelncia em
pesquisa, desenvolvimento e formao de recursos humanos. Estes ncleos devem estar integrados de
forma a dar suporte a curto, mdio e longo prazos indstria nascente na rea, garantindo-lhe
competitividade e capacidade de inovao. As dificuldades enfrentadas em pases em desenvolvimento
implicam em esforos enormes junto a indstria local que permitam criar fornecedores de insumos e
matrias para o futuro parque indust ri al desses dispositivos.

AA Projees e Recomendaes para a Prxima Dcada

Levando-se em conta o p an orama da rea no mundo notamos o cres ce nte interesse pela investigao
cientfica dos c ri stais lquidos termotrpicos, em especial aqueles com aplicaes tecnolgicas j
existentes ou em fase de desenvolvimento. Ess e interesse envolve, tanto aspectos de fsica (e ffsico-
qufmica) bsica, quanto de natureza tecnolgica. Na ltima Conferncia Internacional de Cristais
Lquidos em Freiburg (RFA) em 1988, a nfase na investigao de termotrpicos representou cerca de
85% das comunicaes apresentadas.

Dentre as linhas de pesquisa com maior potencialidade e ainda pouco exploradas no Brasil podemos
citar os estudos de superfcie e interfaces, instabilidades, defeitos e o estudo de cristais lquidos
colestricas e os ferroeltricos. Estes ltimos, alm de apresentarem propriedades eletro-pticas bastante
interessantes esto despontando como excelentes para a confeco de L CD's. Alm desses materiais, a
rea de cristais lquidos polimricos tambm abre uma boa perspectiva de pesquisa bsica e aplicada.

A fsica dos cristais lquidos uma rea que possui uma grande interface com a qumica. Tanto no
Brasil quanto no Exte ri or o surgimento de grupos que estudam cristais lquidos tm, de alguma forma,
uma ligao com grupos de qumicos que tambm se dedicam ao estudo desses materiais. A experincia
internacional nos mostra que esses vnculos devem obrigatoriamente ser estreitados. Em particular a
sntese de novos (e mesmo os convencionais) cristais lquidos um ponto de estrangulamento no Brasil.
Torna-se, portanto, fundamental o apoio institucional consolidao de novos grupos dedicados em
especial 'engenharia molecular para a sntese de novos mate ri ais.

O contato internacional nos pare ce tambm fundamental ser incentivado, no apenas com a presena
de pesquisadores brasileiros nas diferentes conferncias internacionais mas, em especial, estabelecendo
projetos de cooperao bilateral que possibilitem tanto a estadia mais duradoura de pesquisadores
estrangeiros no Brasil. quanto de brasileiros em centros de excelncia no Exterior.

As interaes dentro do Brasil deveriam tambm ser incentivadas. Dessa forma pode ri am surgir
projetos que envolvessem de forma complementar diversos laboratrios com diferentes tcnicas de
medida.

-107-
 Muito embora os nmeros de doutores tericos e experimentais na rea evidenciem um desiquilfbrio
em favor dos experimentais, impo rt ante salientar que as perspectivas futuras da Area devem estar
aliceradas em um forte contingente de fsicos (e qumicos) experimentais. Esse fato, no entanto. no
exclui a necessidade de se dispor de um nmero suficiente de fsicos tericos doutorados na rea.

Dentro dessa perspectiva de pesquisas, seria vivel no final de 1999 atingirmos a cifra de 100 doutores
ativos na rea. Considerando-se um investimento (excetuando-se salrios e bolsas) mdio de USE
20.000,00 (vinte mil dlares) por doutor/ano e um nmero mdio de 65 doutores no segundo quinqunio
da prxima dcada, o investimento total (em equipamentos) no perodo de 1989 a 1999 seria da ordem
de USS 15.000.000,00 (quinze milhes de dlares). Levando-se cm conta as necessidades de mate rial de
co nsumo e servios, esse montante deveria ser acrescido de 70% do seu valor.

Do ponto de vista tecnolgico, o interesse na criao de um parque nacional para fabricao de

mostradores, aponta para a necessidade de uma maior integrao de esforos a nvel nacional
abrangendo a pesquisa, o desenvolvimento e a fabricao propriamente dita.

Neste sentido faz-se necess ri o um programa integrado de P&D envolvendo as Universidades e os

Centros de Pesquisa e Desenvolvimento, os quais devero trabalhar cm estreito contato com as empresas
interessadas na rea hem como com indstrias que potencialmente podero se converter em futuros
fornecedores de materiais, insumos e equipamentos para esse parque industrial.

A formao de recursos humanos em todos os nveis abrangendo desde o nvel tcnico mdio, at o
nvel de ps-graduao, em diferentes Areas do conhecimento (fsica, qumica. engenharias, computao,
etc) um ponto importante para a capacitao nacional na rea, envolvendo um volume substancial de
recursos.

Recomendaes especficas:

- intensificar o contato entre os diferentes grupos de fsicos e qumicos do Brasil talvez estabelecendo-se
um programa institucional de sntese e caracterizao de cristais lquidos. Esses resultados pode riam ser
utilizados tanto no desenvolvimento da pesquisa bsica quanto das aplicaes tecnolgicas. Poderiam,
por exemplo, ser constitudos agrupamentos de laboratrios associados ao CNPq;

- intensificar o contato com a comunidade internacional trazendo especialistas do Exterior para

participar de projetos de pesquisa em andamento no Pas;

- cri ar mecanismos que facilitem a importao de equipamentos e mate rial de consumo, por pa rte das
Universidades e entidades de financiamento 3 pesquisa;

-108-
- criao de um laboratrio nacional que Sc ocupasse da sntese de molculas para os diferentes grupos
de pesquisa. Esse fato no exclui a necessidade de pequenos laboratrios de qumica por grupo, teis nas
snteses j5 bem estabelecidas e mais simples;

- buscar meios de incentivar o contato entre o meio universitrio e o empresarial;

-estabelecimento de um programa de doutoramento no Exte rior.

B. Polmeros

B.1 Planos dos Grupos (prximos 5 anos)

Sendo a rea de polmeros relativamente nova na fsica brasileira, os planos bsicos dos grupos e
pesquisadores se voltam para a consolidao de suas atividades. Em particular, para as linhas de trabalho
experimentais h5 todo um programa de construo e importao de equipamentos destinados
preparao e caracterizao de materiais que precisa ser assegurado.

Polmeros condutores e polmeros piezoeltricos so materiais de interesse. Unhas de pesquisa que

esto em processo de implantao se referem s medidas de transporte (essenciais para o entendimento
dos mecanismos de condutividade orgnica) e determinao de propriedades pticas.

Uma linha de preparao de materiais em implantao na UFPE e planejada para o IFQSC-USP/ So

Carlos a da obteno dos filmes de Langmuir-Blodgett. Pelas grandes possibilidades em fsica bsica e
aplicada que esses filmes orientados oferecem, essa linha de trabalho pode ter um impacto significativo
sobre a rea de mate ri ais no Brasil na prxima dcada; o transbordamento para outras reas sera natural
j que o uso de molculas anlflicas de imponncia, por exemplo, na preparao de c ri stais lquidos
liotrpicos e na fsica de protenas.

Linhas de trabalho aplicadas contempladas para os prximos cinco anos envolvem o estudo de junes
polmero-metal. baterias, e materiais eletrocrmicos. A viabilidade da implantao e/ou extenso dessas
diversas linhas de trabalho repousar naturalmente na dependncia dc serem assegurados a formao de
pesquisadores qualificados em nmero suficiente e o financiamento de suas atividades a nveis
compatveis cum os planos elaborados.

B.2 Recursos Humanos

Mesmo se considerarmos os grupos que tem atividade apenas subsidiria na rea de polfmeros e
tambm aqueles pesquisadores isolados com interesse em aspectos especficos da fsica de polmeros

-109-
(como, por exemplo. polmeros condutores como realizao fsica de modelos de teoria de campo) fica
claro o pequeno tamanho da comunidade dc fsicos brasileiros dedicados ao estudo desses materiais.

A importncia crescente da fsica de polmeros a nvel mundial torna desejvel um programa nacional
diferenciado de investimento na formao de recursos humanos na Area. Com isso, poderamos
extrapolar a mera capacidade reprodutiva dos grupos j estabelecidos e melhorar tanto a
competitividade quanto a capacidade da comunidade de fsicos brasileiros em acomp an har os
desenvolvimentos mais recentes na rea bsica e aplicada.

De fundamental importncia para assegurar o desenvolvimento harmonioso da rea seria garantir aos
pesquisadores recm-formados, seja no f as ou no Exterior, a possibilidade de implantao de seus
laboratrios quando de seu retorno ou fixao em uma nova instituio; de outro modo, o investimento
realizado na formao do pesquisador correria o risco de ser desperdiado.

B.3 Investimentos Necessrios

Os grupos estabelecidos listam necessidades da ordem de USS 1.100.000,00 (hum milho de dlares)
para os prximos 5 anos. Esses recursos seriam basicamente destinados infraestrutura de laboratrios e
aquisio de equipamentos de preparao e caracterizao.

Sendo alguns desses equipamentos de caracterizao de uso comum para a investigao de outros tipos
de materiais, aparece como uma recomendao natural estimular, sempre que possvel, o trabalho na
rea de polmeros em centros ou laboratrios onde existam outros grupos com interesse na rea de
materiais: desse modo equipamentos e tcnicas de caracterizao (como por exemplo, microscopia
eletrnica) poderiam ser compartilhados. H propostas de criao de um programa de ps-graduao na
rea de materiais em So Carlos, e de um laboratrio de materiais avanados no Recife.

Para os cinco anos seguintes, considerando-se uma demanda mdia de USE 20.000,00 (vinte mil
dlares) por doutor/ano, a rea necessitaria dc um investimento em equipamentos da ordem de USS
6.000.000,00 (seis milhes de dlares). Levando-se cm conta as necessidades de material de consumo e
servios, esse montante dever ser acrescido em 70% de seu valor.

B.4 Projetos e Recomendaes para a Prximo Dcada

A rea de polmeros no convencionais tem experimentado crescimento explosivo em termos mundiais

na ltima dcada. Praticamente desconhecidos h cerca de 15 anos, esses polmeros encontram agora
aplicao comercial em baterias de baixo peso e alta densidade de energia acumulada, em dispositivos de
blindagem de radiao, sensores de alta especificidade para produtos qumicos e na substituio de
metais em aplicaes especializadas.

-110-
A possibilidade de respostas pticas de alta intensidade em tempos ultra-curtos faz antever o uso de
polmeros orgnicos em dispositivos de memria ptica e em sensores de radiao eletromagntica.
Existe a possibilidade concreta de que uma revoluo tecnolgica importante com base nesses mate ri ais
venha a ocorrer nas prximas dcadas. Se um sensato programa de financiamento e formao de
recursos humanos nessa rea ocorrer no Brasil, pesquisadores brasileiros podero acompanhar essa
evoluo mantendo um bom nvel de competitividade a nvel inte rn acional.

Recomendaes Especficas:

viabilizar a interao regular entre diferentes grupos de pesquisas dedicados ao estudo da fsica de
polmeros de modo a permitir a definio consensual de um programa de desenvolvimento da rea no
Brasil.

- estabelecer um programa especfico de formao de recursos humanos na rea de polmeros, de modo a

aumentar substancialmente dentro dos prximos dez anos o nmero de pesquisadores e grupos nacionais
trabalhando na rea.

- estabelecer uma poltica de financiamento que permita a consolidao dos grupos j em atividades na
rea e criao de mecanismos que permitam a pesquisadores recm-formados a instalao de seus
laboratrios quando de seu reto rn o ou fixao em novas instituies.

- na medida do possvel, estimular o desenvolvimento de centros integrados de pesquisa na rea de

materiais de modo a permitir o uso compartilhado de equipamentos e infra-estrutura de laboratrios.

Recomendaes de Carter Geral

- agilizar os procedimentos de importao de equipamentos e mate ri al de consumo por parte de

pesquisadores co m projetos de pesquisa j aprovados por rgos de financiamento.

- eliminar restries a sardas para o Exte ri or de pesquisadores e viabilizar a vinda de visitantes de curto e
longo perodo de modo a permitir a intensificao de contato com a comunidade cientfica internacional.
TABELAS

5.1 Pessoal Cientfico e Produtividade

5.2 Lanhas de Pesquisa e Tcnicas mais Relevantes

5.3 Perspectiva para os Prximos 5 anos - Recursos Humanos

5.4 Perspectiva para os Prximos 5 Anos - Novas Linhas de Trabalho e Novas Tcnicas

53 Perspectivas Futuras (Prximos 10 anos)

5.6 Dificuldades e Carncias

-112-
 TABELA 5.1
PESSOAL CIENTFICO E PRODUTIVIDADE

INSTITUICIO DOUTORES MESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS

GRUPO FORRADOS REVISTAS C/ ARBITRO
T E T E IC Il 0 N 0 78-82 03-87 B8-89

UFPE
Crispo de POI [proa
Rio Conuenclonala 12 12 5

UFIIO
Grupo F nesenos nio
L,neare es Cristais
Lfquldoa

UnB
Crum de Eroalhasento
de Luz C. Cr,.ta1
Lquldo 1 1 5

IFUSP
Grupo de Optic, de
Criat.e Ltqui0or 1 5 2 3 - 15 3
Lab. de Cristalografia
-D,fracio de Raios-I 1*1

=SP
Cristais Lfquldoe-
Ou.,ca 2 2 3 5 20 7 1

IFCSC/USP
Grupe de de El
Polfsros 2 3 6 8 6 21 6 25 8

CTI/n
Lab. de Iloatradores de
Cristo] Lquldo 1 13 1 5 2 9 3

DEB
Cristais Lfquldos 2 - 3

UFSC
Cristais liquido.
Crlstalograr,a 7 2 34 32 4

UFRGS
Ffa,co-Oufsu ca de
SuperfC,e-Qufsuc 1 5 14 22 15 3

A Oa dodos es encontrae na run - Area CrIOC4107.h a

TABELA 5.2
LINHAS DE PESQUISA E TLCNICAS MAIS RELEVANTES

INST1TUICXO INICIO LINHAS DE PESQUISA TCC!ICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIMADO

GRUPO USO

UFPE
Grupo de Pollaaro
Nae -C ions!. 1981 Estrutura ElatrCnic d Polfaro. Mdid d r..lftivid.a 100.000

Propriadad.. Optic.. de Polfmro Sfnta.. ftrogvlmic de Pollaeros

condutor
Propriedades d Transport C. Po-
II Condutor. Efeito Nall

JuncO Balriar
Praoaracie d Fila. de Langauir
Blodgett le! i.pfantaCi01
urn
fnaano. nip Li 1986 DinS.ica d traneicBe d fame es Esoalhaoento auas-elartic0 C. luzi
. Crisma Liquidou Cristais liquido. Cat. B8) corrlacio de fOtonu
fLuooratOria de Opticsl 64.70.lid

intrfaca de crssc unto n.atico BirrefrigMci

i sotrOpi co
61.30.-v E.palh Raman

61.30.By Diu.imetria

instrusentacio fat. 891 06.90.-v

IFOSP
Grupe de dotic d 1985 .:aaidas de conutant.0 lauticas Micro.copia Optic. d luz polarizada 100.000
Cristais Liquido. vucptioilid.d diam.gnlica
61.30.Cd COnescopia laser

Sdidq ee p pticor Difracla de raio. X cos font.. d oero-

64.70.Jd ironic conv.ncienai

Reid c dnaidad 61.30.-v

Andr..nto hidrodinamic d
Cristais liquidou
68.45.-v/68.10.-L

Estudo cs ord.. local estrutura

sicrO,Co,ica d cristais IfovidOa
61.30.=b61.10. -i

Eatuao e cristais Ifeuidds dopado

com frr,fiuido
75.50.Mn
TABELA 5.2 Contlnuscio
PESSOAL CIENTIFICO E PRODUTIVIDADE

INSTITUICXO INICIO LINHAS DE PESQUISA TCNICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIMADO

GRUPO USN

IFUSP
Lab. Crfstlograf u -
Dlfraclo de Ralo -X la)

1QUSP
Cruzei Lfquldos Estrutura d olsculas Comm R linen magninica
-Qulsac 1968 orientados 76.60.-F 200.000
Nterecopla dptic d lu z polr)zad

Solublllsaclo 61.30. -u

Anrlrrlice dutrados
76.60.-k

Propriedades Optics. sagn-

Cities d crimes'', liquido*
61.30.Cd

IFQSC/USP
Grupo d El 1970 Transports! d Cargo d Polfaro Acelerador d 1tron 25110f
P01f
Condutlrldad Induzida por Mdldas Ent rostaticaa
Radicle
Resposta Linear Potarizacle Corrnt termo-estimuladas

D ga Corona Crescimento d cristn a orginlco

Poll P uzo1tricos

1989 Dln101ca d trans)cl0 C. fame s Cerr 4 1 4 c10 C. Ftons (1nt4) 40.000

UnB
cristais Irqulde
(Ilnhs InIC)ada na UFNG)
 TABELA 5.2 ICantlnuaJol
LINNRS DE PESQUISA E '.CCNICAS MAIS RELEVANTES

1HSTITUIRO INICIO LINHAS OE PESQUISA TSCHICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIRADO

GR U PO USO

CTI/IM
Lab. de Mostradora s Processo fsico-qul.icos de Obtend o d filmier flnoa
de Cristo! Lfquldo 1982 confecia d sastradore a
cristais lquido 63.30. w Fotalhogra8 d alta rsotuIo
per via dole. por plasm

AcionaBnto direto Buttlplwado

61.30.-v Tcnicas d confee t J de clulas

Carac urizat3o ao mia.craaare Tcnicas de aclon.miente Itrico 150.000

61.30.-v

D u posltivo C file fenos Tcnicas de e.ract.rizaJo ouu ca

68.15.-e latrlce
Procsso d producio autoaalo Tcnicas d iCroanalu 4ulalea
Demnvoivi..nco a :ncru.antaJO Tcnlca de carmcurigacJo .-stru-
a e equip...onto. Dora caractrI- 1dlfrafo de RlI1
ih z.Jo rabriCaIIo

UDC
Cri ta^s L1au^do. 1988 TranaiE.m de f.a 64.70.NI Nicro.coola Optic. 20.000

UFSC
Cri.tals LfcUldo Escudo de cristal. :fculdos Ilo- 51croscopl Optic. d luz Dolarizada
Cr u talografia 1972 tropieos. ter.o:raolcos cr:s-
tslografia 61.30.-v Calorimetria 250.000

61.10. -I DlfraJo a ralo. -%

Tcnicos Optic..
UFRGS
Ffslto - QufAic. de Estudo de Bitola. cristais If- Tnstoetrla
Superflco-Qufamca :98D guidon, . 'orlco Experimental
61.30. -v Viscosimietri 30.000

E.o.e:roseopi. UV - vlsivI
 TABELA 5.3
PERSPECTIVAR PARA OS PRXII05 5 AROS

IRST ITUICIO CAPACIDADE DE FORtlACEO EXPANSE(' DO GRUPO

GRUPO COROICaES ATUAIS CCROICOES IDEJIIS COBOIC6ES ATUAIS CORD[CbFS IDEAIS
tl D tl D R D tl o

urre
Grupo d Poll 3 12 6 3
ABo-COnvncionala

UPtlC
Fn01no n10 Llnar
.a Crlstals Liquidou 1

UnB
Grupo d Eupa1R/.nLo
da Las a Crrst.i. Liquides 2 1 t

!FUR?
Grupo d dptrca d
Cr i sta s. Lfquldoa 3 6 4 2
1 Lab. du LYiscslografl
Orfraplo d Ra1o - A 1P 1
V
IQtISP
Cristal Liquido.
Qufaica 2 2 4 2

i TQSC/USP
Grupo do Eletretos
Polf

CT1/11
Lab. d e lloatrdor.
d. Cristais Llquldos 15 2 25 10 3 10 5

GEM
Cristais Llquidd 2 1 1 3 2 2

UTSC
Cristal Lquidos
Criacalografra 10 10 5 3 3

UFRGS
Flarca-QulsiCa d
Sup+rffci - Cursing! 5 2 5 5 2 1 2 3
TABELA 5.4
PERSPECTIVAS PARA OS PROXIN05 5 AMOS

INSTITU[CXO NOVAS LIANAS DE TRABALHO NOVAS itCMICAS INVESTIMENTO

GRUPO USa

UPPE
Grupo a. Po1(aro Filson U. Langauir-i91cGyat Esp.ctroscopia U. i nfra- Cho 600.000
Nio -Conv.nclonsl Optics Mie Linear a Pol(aro Ellpsosar u
Diapositives Elscro-dpcicos Pr e para d o d Juncoes MS
Astern. .

DFPG
Fno..no nlo Li CondlcC.. Attains (CAl COndlco Atua u ICAI
.a Cr is to's Lquidos
61.30.6y Tearless

Clculo d. nrgl de interface

66.:5...

CondiiWr [daal (C11 Condlco Ideals (Cl)

76.35..e Micrascaora OPtics 120.000

64.70.Ja. Prou u sa.nto d napes

Un6
Esplyu.nto de Luz .s
Crlstaua Lfduudo SOlucel. alc.lar.s, coldld.s. Corr.lacie d. FOton (Raylda) 60.000
Frrof toldos MlcroscopIa Optic,

]FUSP
Grupo d. Opt:e d (CA) (CAi
Crtulr Llaulda
Ancoras.nto U. cr u stI liq uido . Mlcroscopla ptica cos ooCari=aclo
.a up.rffcl Li- stodge 66.45, -v elcroastrlca 50.000

(C1) CC:I
Escudo de cristais lquidos trrae- Optics No linear 170.000
trOpico poll 61.30. -v Difrsclo d raios-i

Estudo de crutn lquidos frro-

Iltr cos 61.30. - v
E.tuao d frraf:uldos 75.50.I;n

Lab. e Cr u t.lografls
3ifracio de elos -K a1
TABELA S.N Conclnu.Cio
PERSPECTIVAS PARA OS PROXI.".OS S ANOS

INSTITUICAO NOVAS LINHAS 3E TRABALHO NOVAS TeCNICAS INVESTINENTOS

GRUPO USN

IMP
Cr,.eL . Lfqu(dos- (CA) (CA)
Qufalc
h.did.s d e denN,d.a., viNCON(do 7.n413toa.tri.
tn.NO .up.nc 4lal a er , t. , V,NCaa,n.ria
I(auld0. 6:.30.-v
TnNOeeere. .up.rflel.l

IC:I

Romaine!' e.pnoe:e. nuclear RtN A. aueroo 200.000

Ir2SC/'USP
Grupo de E:tr.to 'r.n.port . polar,zaCae e - Va,ds te d.o:ead e a carp. _
Pollero d I.INCrico poio pu(.o a. orN.ie 30.000
P ol(ero ConCYeaT
Flle.a de L.nq.ulr-9:odgoca
TABELA 5.4
PERSPECTIVAS PARA OS PROl1ROS S AROS Contlnu.Clo

lRsTlTU1C 1 O NOVAS CIRNAS DE TRABALHO NOVAS TSCNICAS INVESTIMENTO

GRUPO USO

cTl'lN ICAI 4 CAl

LaE- de Rortrvdoru Natrizu ativam de trans1
de Crtetel Liqu ido d f i lme f inos 68.15.0
Paine? de LCD de grand ere
61.30.-v
Noetradorss coloridom
61.30. - v
Televaeore a Cristel Lieuid0
61.30.-v
Stntse de crimtsi liquido
61.30.-v
Deooenclo d film finos, plasm
CVO, Coto CVD, sputtering RF. 800.000
magnetron sputtering. mvepOraClo
tansies por cenhlo. plamor
uisted deposition. etc.
Totolltogrefle esce (plasma etching?
C Lemale de caseates. Anger.
Eras. mac roseond de letrona. RBS.
sirs
CarectrizaCle dos dieplays,
CronOsetros. mera de po.Ic.enemento
d precnmllo. c am aras com controle d
temperatura. precato e unidade para
nevo d vide
Rodeligem dos trana motors d !limei
Fines e uulmclo Idglc letrlte
Co. computsder
Rodelegem do ceeportamento dinlmico
doe Crlt n a Ifouidos na clula.
Angule de pnclfneClo tordo Cem a
poi.Cto. per d.ferentes psriotros
Iconst Het?cs. vl+cos,dede.
tipo trstaento de superricie de
elinh cento, Angulo de encoriqee

Pr de preducio. tecaiCa de
mctDeeCto CAN e CIN. Cilul rleifvel
de anitstur. robot '. zacCo doa pro-
ULN
Crietel Lfquido 2.000
UFSC
Cricaie Ltquidoe
Cristalogreri e
urROS
Fin co-Qufatca de (CII
Superfhcie - Quln c
Es malh quase-eldetico de luz 60.000
 .TABELA 5.5
PERSPECTIVAS FUTURAS 011OZI508 10 AWJ31

INSTITUIZO SUGE5TEIES/LIBRAS DE PESQUISA

GRUPO

UFRG
r.ne .no nio LIn.rs am Cristal.
Liquido. !stam nu fOrmaIO de recurso. humanos. Implantado de cursos d reto
continuos Cocinte. clissica dtsctplina de p00-graduaClO. Exemplo.,
tpicos d riria condensada voltados par* a Area (Fluica doa crt.tats
liquido.. htdrodlnimicu).

IFUSP
Grupo d dpttca de cristais liquido. Implanter u ticnic de Investigado de ncoramento ia up.rrfci.
Implantar .tecs de trabalho de Optics d neio,s liquido co.
control. da teap.ratura com AT - 0.001C
Implantar tcnica de .did. m.gnit,cs eu cristais :rquitlo s cos caoo
present
Estudo de frrorlutdom
Estude d crt.tato liquido, ferroeltrico.
Soria n ar to pars area implant-add de us qraac 1eborat0rio de
qulsic (talvez ncionall para a mintage de mQ1icuIa..

ro LaboratOrto e Critalograrfa- DlrraClo d

raio. - 11 f,1

1QUSP
Cristat Lfqu,dos-Qutmica Estudo da satur'sa dad fords inure calares .. crtatat lfcu,OOs
col ice.

CTI/I it
Laboratrio de Bostrsdors de Cristal Lquido
Novo. mostrador com novas trutura novo satirist ., processo d
fabr,CaC$O. WLO.aCIO d processos, robotizaClo
bow. al iv.. pare o sCionsmnto letrico
Rada aqa tsica litric com recurso cosputacion.i s sup.rtoretdos
DSTN, f.rrQeILrIw..
TABELA 5.] Cent i nu acne
PERSPECTIVAS FUTURAS 1PROIL;5C5 :0 ANP5

INSTI:UICAC SUGE57OES /LINHAS 7E PESQUISA

GRUPO

uEti
Crist u LfCuidos Consolidado da linha da pasdurs torica aparisncal

UFSC
Cr catai Liquidou Cristalografia

'IF RG S
Ffsiee-lulaie. d 5uorffci - Cuialca Viaeil:zar o programa d doutorado s ngnhari d iai

une
Empalhamento d Lur. . Cristais LiCiido No neLnoi ianlanter disciplinas n Oradust30 di ptica CIAuafc
!.CSn4Ca cos Fluido
Na o.quiaai Estudos d ilesa IiotrOOicos por outras tscnicasi
lntraAO cristal-Ifduido/Frrorluido Bisando E pelhasinto d Luz/
TABELA 5.6
DIFICULDADES E CARtHCIAS

INSTI TUICIO AT! AGORA FUTURAS

GRUPO

USG
FnOa.no nio Li
. Cristais Liquido .dificuldad de importable . .dificuldade. d. iapercalo

Un8
E.pelna.nLo de Luz ea .apeie ticnlco dafic unt -app.) cicnice deficient.
Cristal. Liquida . .rcur.o. c...o

IFUSP
Grupo d optada d Cri.t.ie .dih culdsd. d aportado d .dificuldade d importable
Liquido. sa.r i al
.dificuldsd. na contratalo d .diflculd.do no contracaCio
promos' up.r u.nt.l idoutori da posses"
.diflculdade na obtnio de
aollcula. inovo. crit u s
lfquido./
Lab. d Cri.calografi.-Oifr.Cio
de r.io.-I Cal

/QUIP
Cristo]. Lquidos-Qui.ic. ...pert-solo d .stari.i rem- .di.ponibilidade de re
g .apoi0 ia.tlLUCional
. .quipaanco. de RNA
existence.
.fivaclo de p I na Univ.rsi-
dad.

cTi /ro
Lab. c Ho.tr.dore d. Cri.tal .aquiri o d o notarial inacion.l -red financeiro .p.co
Liquido i.portado .dispor de us quadro tAcniCo-
ci.ntafico pr..nn t

UE11
Cr utn . Liquido .quiile de quip...nto.
.fllc d p.ueal qualificado

UFSC
Cruzeis Liquide.
Cristalografia .i.00rtaCio de equip ...nco. .aquiaidlo de equip

UFRGS
Fi.icceuiaica de uprfici..- .ieeercalle d. equipas.nco .disponibilidade de recurso . par.
Qulsica r..gnt .quis+Sie de equips..ntos.r.sgeM1-a
par. anuc.nio
6. Cermicas Avanadas,
Vidros e Cristais

6.1 INTRODUO

O desenvolvimento das civilizaes tem sido, desde as eras mais remotas, limitado pela utilizao de
materiais ento disponveis. No por acaso que perodos de desenvolvimentos tm sido classificados
como idade da pedra, idade do bronze e de idade do ferro. Sir George Thomson, Prmio Nobel em 1937.
em sua poca afirmava que "o homem contemporneo est entre a idade do ferro e a idade dos novos
materiais'.

Acreditamos que atualmente estamos na idade dos novos materiais, uma vez que estes constituem o
fator limitante para o crescimento do desenvolvimento de nossa era. Metais como o titnio e o nibio
esto cada vez mais substituindo as ligas de ferro e competem com os compostos cermicos, plsticos e
compsitos em diversas aplicaes. A velocidade de inovao, atualmente, to rpida que torna-se
errneo afirmar que existe uma determinada idade. Entretanto, dependendo do ponto de vista e do
interesse pessoal de cada autor tem-se ainda rotulado a era contempornea como a idade atmica,
eletrnica, do computador, etc... O desenvolvimento dessas novas reas est, evidentemente,
condicionado ao progresso na preparao de novos materiais, principalmente no que concerne a sua
forma monocristalina.

O rpido desenvolvimento de novos materiais e a sua importncia tecnolgica levou a maioria das
universidades e institutos de pesquisa criao de uma nova rea de conhecimento denominada "cincia
dos materiais`. Essa nova rea congrega atualmente, em todo mundo, fsicos, qumicos, engenheiros e
tecnlogos das mais diversas formaes com o objetivo de se pesquisar novos materiais e aprimorar as
propriedades dos materiais conhecidos cujos requisitos para novas aplicaes tecnolgicas so crescentes.

A grande maioria destes materiais so produzidos artificialmente em laboratrios em forma dc cristais,

cermicas, materiais amorfos e vidros. Os cristais tm geralmente uma aparncia e forma externa
regulares devido repetio no espao de "blocos de construo" idnticos. Nos casos mais simples
(cristais de co bre, prata, etc.) estas unidades estruturais contm um s tomo mas em geral estas
estruturas podem conter mais tomos de diferentes elementos qumicos (NaCI por exemplo) ou grupos
de tomos idnti co s (H2 por exemplo). Por outro lado inmeros materiais slidos podem ser obtidos
numa forma no cristalina ou amorfa congelando a desordem estrutural de uma Fase lquida,
aproveitando o carter desordenado de uma Fase gasosa ou desorganizando uma fase cristalina. Estes
materiais conse rv am geralmente uma ordem a curta distncia (6-8 A) id ntica ou similar quela das fases
parentes cri stalinas (por exemplo o tetraedro SiO4 da silica vtrea) mas que se arranjam numa rede
espacial desordenada.

-124-
 As cermicas e vidros tradicionais so materiais cunhecidos pelo homem h milhares de anos.
Entretanto, somente nas ltimas dcadas que surgiram novas classes de materiais com propriedades
fsicas e qumicas panicularmente interessantes. Isto se deve interao estreita existente entre as
pesquisas cientficas e as pesquisas tecnolgicas que transformaram estes estudos em uma cincia de
verdade. Todos os mtodos da fsica e qumica esto sendo aplicados aos estudos das cermicas e vidros.
Ao lado das aplicaes clssicas que to rn am estes materiais indispensveis na economia moderna
(construo, transporte, indstria qumica, eliminao, etc) ns assistimos apario de novas aplicaes
que aproveitam as suas prop ri edades eltricas, mecnicas, trmicas, pticas e qumicas, onde estes
materiais trazem geralmente solues o riginais.

A existncia de uma grande quantidade de aplicaes torna a ss im muito difcil a classificao e a

definio destes mate riais.

De acordo com a Ame rican Ceramic Society, cermicas so mate ri ais inorgnicos, no metlicos,
processados atravs de calor e/ou presso. So materiais duros porm frgeis e tm um ponto de fuso
muito alto. Desta forma a grande maio ri a desses materiais produzido por sinterizao de p, ao invs
de resfriamento de um lquido.

No Brasil, a Associao Brasileira de Cermica define materiais cermicos como todos os mate ri ais de
emprego em engenharia ou produtos qumicos inorgnicos, exceto os metais e suas ligas, que so
utilizveis geralmente submetendo-se a tratamento em temperaturas elevadas. Desta forma, slidos no
cristalinos, como os vidros, podem ser considerados como materiais cermicos.

Na classe de cermicas de alta te cnologia silo considerados todos os materiais obtidos com matrias-
primas puras, normalmente sintticas e processadas em condies muito controladas a fim de fornecerem
propriedades superiores. Exemplos de matrias-primas utilizadas em cermicas de alta tecnologia
incluem: alumina, zircnia, carbeto de silfcio, nitrato de silcio, titanatos de brio, estrdncio, chumbo,
xidos de zinco, titnio, estanho. etc.

Pelas suas condies especiais de processamento alguns materiais possuem definies prprias:

Muitos materiais amorfos so slidos no cristalinos que apresentam o fenmeno de transio vtrea.
Os vidros, em particular, so materiais amorfos obtidos da solidificao de um lquido (G.W. Morey,
'Th e Propenues of Glass', 2nd ed. p.28. Reinhold Publ. Co. New York, 1954). Estabele ceu-se a
conveno de que os materiais com viscosidade de cisalhamento superior a 1014,6 poise so considerados
slidos. Esta marca divisria fui estabelecida arbitrariamente tomando-se por base a relaxao temporal
de um dia (EU. Cordon, Amer. J. Phys. 22, 43 (1984).

As vitro-cermicas so uma fase intermediria entre as definies acima mencionadas. Elas silo obtidas
atravs da cristalizao controlada de certos vidros e so a ss im mate riais inorgnicos policristalinos
contendo uma frao minoritria de fase vtrea.

-125-
 Uma maneira conveniente de classificar os materiais cermicos de alta tecnologia consider-los pelas
funes que exercem, como a seguir.

ClASSIFICAAO DE CERAMICAS DE ALTA TECNOLOGIA

Materiais Aplicaes

Funes Eltricas

1. Isolantes eltricos substratos de circuitos integrados.

(Al 2 0 3 ,Be0,14g0)
2. Ferroeltrlcos
(BaT103,Pb(Mg 113 Nb 2/3 )0
3)
3. Semicondutores incluindo
termLatores e eletrlitos
slidos (BaTiO3,SIC,ZnO,
Sn02 ,V 2 0 5 ,KoSi 3 )
4. Varistores (100.81 203 ,
Ti0 2 ,SiC)
5. Condutores inicos
(0-Al203,2r02-Y203)
6. Piezocletricos (PZT.
LiNb0 3 ,11aT10 3 )
substratos do interconexo eletrnica
cspacLtores coramicos
sensores de temperatura e calor,
elementos de aquecimento, sensores
do infrsvermelho, clulas solares
el1minadores de ruda e sobretehs5o,
Oro-rotas
medidores do pH, eletrlito slido,
sensores de 02 e CO
vibradores, osciladores, iltros,
transdutoras, geradores de faisca,
umidificadores, ultra-sbnicos, etc.

Funes Magnticas

I. Ferritas (YFo 2 0 3 MnO, magnetos, cabeas magnticas de

Sr0,Fe 20 3 ) gravedo, memdries, fitas, ncleos de
indutores o transformadores,
. dispositivos de microondas

-126-

1. Al 203 translcida
2. Magnesia e mulita translcida
3. Cermica itria-tdria
4. Titanato-zirconato de chumbo
e lantnio
1. Zircnia, alumina e silica
2. Sensores de umidade
(T10 2 ,Mg Cr 204 )
3. Suporte de catalizadores
(zelitos, cordierita,alumina)
4. Sensores do gases
(ZnO, Fe 2 O 3 21-02 ,Sn02 )
S. Eletrodos (titanatos, sulfetos,
berates)
1. Zircenia, titnia, carbeto de
alumnio, nitrato da alumnio
2. Alumina, sialon, nitrato da
oilicio
3. TiAl 2 Zr0 7
FUNES FTICAS
lmpadas de vapor de sdio
tubos de luz, transmissores do
infravermelho, etc.
materiais para laser
polarizadores. memrias pticas,
vlvulas de luz. sistemas de memria
o display
FUNES QUMICAS
reatores de alta temperatura
' elementos do controle do cozimento
em forno de microondas
controle de combusto da veculos.
suporte para enzimas
detectores de hidrocarbonetos, flor
carbonetos, vazamento de gases
processos fotoquimicos, produo do
C1 2
FUNES TRMICAS
radiadores de infra-vermelho
refratrios
isolantes trmicos pare fo rn os
industriais
-127-
 FUiiOES MECANICAS E TERMOpINAMICAS

1. Ferramentas de corte ferramenta s ceramicas, tesouras, etc.

(Al 203 ,TiC,71N,2r02 e VC)
2. Material. resistentes a
desgastes (Al20 3 ,Zr02 )
3. Materiais recistentea ao calor
(SIC,Al 20 3 ,Si3N4 B4 C)
selos mecanicos, esferas de rolimA,
guise- E lo. sensores de preeaao, etc.
motores ceramicos,laminas de turbina,
trocadores de calor, cadinhos, etc.

FUNES BIOt.IGICAS

1. Alumina, foafatos, biovidro implantes, dentes artificiai, casos

da hidroxiapattta articulaes

Ft1NOES NUCLEARES

1. UO2 , UO 2 Pu0 2 combustiveis nuclearea

2, SIC, C,B4 C, Al 2 0 3 materlaia para blindagem
3, 8102 material moderador de nutrona
4. C,SiC,B4C material para revestimento

de ].Varela, Brasil Cincia, Srie 5, MCT Brasilia.

-

O mercado mundial de cermicas avanadas foi avaliado em USS 5,5 bilhes em 1985 em crescimento
da ordem de 15 a 20% ao ano. A maior fatia do mercado de cermicas eletrnicas (substratos para
microeletrnica, capacitores cermicos, ferritas, etc.) Este grande mercado existente com um crescimento
atrativo t uma das razes para o interesse intensivo nes se s materiais.

O cr escimento de cristais uma rea relativamente pequena, entretanto importante na ci n ci a dos

materiais. E mais difcil preparar um monocristal do que um material policristalino e esse esforo s se
justifica se o monocristal apresentar vantagens relevantes para as aplicaes tecnolgicas. Essas
vantagens dos monocristais esto principalmente.relacionadas com a sua anisotropia, uniformidade na
composio e ausncia de contornos de gros, presentes inevitavelmente nas formas policristalinas, que
alteram muit a s de suas prop ri edades fsicas, como a sua absoro ptica ou espalhamento,
aprisionamento de eltrons de conduo, etc.. Os contornos de gros tambm esto ausentes nos
compostos amorfos como os vidros, mas a ausncia de uma estrutura ordenada de longo alcance
rest ri nge suas aplicaes tecnolgicas. Desse modo, diversas aplicaes tecnolgicas s so possveis com
a utilizao de monocristais e estes possuem fundamental importncia para o entendimento, e
determinao das propriedades dos compostos.

-128-
 A importncia tecnolgica dos monocristais est estreitamente relacionada com suas aplicaes
imediatas, tais como: circuitos integrados eletrnicos (Si;Ge;GaAs; etc), circuitos integrados pticos
(LiNbO3; etc.), memrias pticas (LiNb03 : Fe), lasers de estado slido (GaAs;Al203 : Cr;Y3A 1 50 12 :
Nd:YLiF4 : Nd; etc.), defletores pticos e guias de onda (LiNbO3), detetores de radiao visvel e UV
(TGS;LiTa03;InSb;Hg 1-xCddTe; etc.), detetores de radiao gama e X(Nal : TI;Bi4Ge3O12;BaF2, etc.),
dispositivos magnticos (Y3Fe5O 12), supercondutores (Y-Ba-C u-O;Bi-Sr-Ca-Cut-O, etc.) janelas para
infravermelho (KCI;NaCI,KBr.KRS-5,etc.), ferramentas para cone e usinagem de refratrios (diamante)
e gemas (safira-Al20 3 ; rubi-Al203 : Cr, alexandrita-BeAl2O4 : Cr; esmeralda-Be3Al2(SiO3)6; topzio-
Al2(SiO4); F ametista-Si02; etc.).

Para a grande maio ria das aplicaes tecnolgicas so necessrios monocristais homogneos, de alta
perfeio estrutural e baixa contaminao por impurezas incorporadas durante o processo de
preparao. Esses requisitos mnimos, dificilmente so encontrados em monocristais naturais, onde o
ambiente, a temperatura e outros importantes parmetros do processo no so controlados. Dessa forma,
a rea de crescimento de c ristais, a responsvel pela preparao de monocristais artificiais, onde os
principais parmetros envolvidos no processo so controlados. Portanto, a rea de crescimento de cristais
se reveste de uma enorme importncia para o desenvolvimento cientrftco-tecnolgico em todos os setores
onde a matria est presente em seu estado slido.

6,2 SITUAO DA AREA NO PAIS

6.2.1 Vidros e Cermicas

E ainda pequeno o nmero de ce ntros que dispe de capacitao razovel para o desenvolvimento das
cermicas avanadas e que possuem recursos humanos e laborato ri ais em condies de desenvolver
escudos para obteno e caracterizao de ps e o desenvolvimento de produtos de ponta A quase
totalidade destes centros ne cessitam de equipamentos mais adequados e raros so os projetos que
cobrem desde a pesquisa at a fase piloto ou semi-indust ri al, uma vez que h3 pouca interao entre
unive rsidades e centros de P&D com o setor produtivo.

Num levantamento feito h dois anos e que inclue os grupos que fazem pesquisa e desenvolvimento na
rea de preparao de materiais em Departamentos de Fsica verificou-se que existem somente duas
instituies que formam engenheiros de materiais com especializao em cermica em todo o Pas: o
DEMA/UFSCar e a Universidade Federal da Paraba. Em termos de ps-graduao apenas o
DEMA/UFSCar oferece cursos regul ares de mestrado e doutorado. Entretanto, em outros centros tem
ria ou temas correlatos como no IO/UNESP. sidoenvlat msrdoeutanm
DEQ/EPUSP, IPEN, IFQSC/USP, i'IA, UNICAMP, COPPE/UFRJ, PUC/RJ, DF/UFMG entre
outros.

-129
 Alm disto apenas oito instituies (universidades e centros de pesquisa) possuem capacitao e esto
diretamente envolvidos com a caracterizao, a preparao de ps e o processamento de cermicas
avanadas como a UFSCar, IPEN, UNESP, CTA, IP'r, IN'f, CETEC e1ME. Nestes centros, 90
pesquisadores (30 PHD, 30MSc e 30 MSc) esto diretamente envolvidos com pesquisas em cermicas
avanadas, mas muitos deles tambm esto envolvidos com outras atividades como ensino e prestao de
servios.

Na area de preparao e caracterizao de insumos cermicos avanados, outros 50 pesquisadores

(I5PhD, 25MSc) esto envolvidos em pesquisa em centros tais como CETEC, IFQSC/USP, FTI,
EPUSP, DF/UFSCar, e outros 40 pesquisadores (10PhD, 6 MSc) atuam na UNICAMP e no CETEC na
rea da tecnologia do quartzo. Mais 15 pesquisadores (SPhI), 8 MSc) desenvolvem projetos em
instituies como CPgD/TELEBRS, IPgM, INPe, CEPED e na Universidade Federal da Paraba.

Entretanto, devido 3 importncia que esses materiais vm assumindo no cenrio internacional

(principalmente com a descoberta das cermicas supercondutoras) vrios centros tradicionais de
metalurgia, fsica e qumica ligados as universidades tam-se envolvido cada vez mais com as cermicas.
Podemos assim estimar que hoje so cerca de 300 a 350 pesquisadores envolvidos em pesquisas na rea
de cermica avanada, quartzo e vidro nas instituies brasileiras. As tabelas 6.1 e 6.2 mostram alguns
dados sobre os grupos de pesquisa em cermica e vidro em Departamentos de Fsica. Os grupos que
usam tcnicas de rotina para preparar materiais usados em seus programas de pesquisa ou que atuam em
reas especificas no esto includos nestas tabelas, mas foram relacionados nos Captulos anteriores.

O nmero de empresas atuantes em cermicas avanadas cerca de 25, sendo que entre estas, 10 so
multinacionais, destacando-se que as empresas de tecnologia mais avanada so as multinacionais
atuando principalmente em cermica eletrnica. Em geral o nvel de tecnologia utilizado no Pafs no
de ponta. As fibras pticas provavelmente so a nica exceo. Na realidade os produtos se enquadram
mais na area de cermica tcnica e todos foram desenvolvidos ou descobertos no exterior e apenas
adaptados no Pas.

Entretanto, existe atualmente um movimento de diversificao ainda bastante lento, provavelmente em

funo de ince rt ezas a nvel da economia do pas, insegurana quanto ao mercado potencial e falta de
entrosamento entre cincia, tecnologia e setor industrial. carncia de pessoal tcnico e cientifico com
formao adequada e desconhecimento dos empresrios quanto as potencialidades das instituies de
pesquisas e dos projetos em desenvolvimento.

Num recente relatrio a Comisso de Cermica Avanada da Associao Brasileira de Cermica

ressalta a falta de informaes e de concientizao na formao dos tcnicos de nvel superior na Area
das cincias exatas em relao 3 Area de cermica avanada. O Brasil se encontra hoje muito defasado e
com poucas perspectivas a curto e mdio prazos para atingir o estagio dos pases mais desenvolvidos.

.150-
6.22 CRISTAIS

Nos ltimos 15 anos Grupos de Crescimento de Cristais tm se dedicado preparao de diversos

mate ri ais em sua forma monocristalina. Esta atividade tem permitido a pesquisadores brasileiros, de
outras reas de pesquisas, a publicao de vrios trabalhos cientificos, a formao de mo- de-obra
especializada, a elaborao de teses e dissertaes e o desenvolvimento de dispositivos onde os
monocristais so utilizados como elementos ativos e passivos.

Devido 3 enorme importncia que os monocristais xidos e suas solues slidas, preparados pelo
mtodo de fuso, representam para a tecnologia nacional em aplicaes corno: laser, detectores,
moduladores, filtros pticos, ptica integrada, memrias pticas, etc., grupos de pesquisas nacionais
(IFQSC e UFMG) vm se dedicando preparao destes compostos, com nfase nos niobatos e
tantalatos de lido e suas solues slidas. O sucesso obtido na preparao destes compostos na forma
monocristalina tem motivado diversos grupos de pesquisas nacionais a desenvolverem importantes
dispositivos pticos, acsticos, trmicas e eletrnicos, nos quais os substratos so utilizados como
elementos ativos.

Outro mtodo rotineiramente utilizado no Pa t' s para preparao de monocristais xidos o de soluo
em altas temperaturas - HTS. A principal vantagem deste mtodo que o crescimento do cristal ocorre a
uma temperatura menor que a utilizada no mtodo de fuso. Esta reduo na temperatura necessria
sempre que o mate ri al a ser obtido em sua forma monocristalina apresentar fuso incongruente,
transies de fase estruturais, altas presses de vapor na temperatura de fuso e constituintes volteis.
Outra vantagem deste mtodo est relacionada com o fato de que os cristais no so subme ti dos a fortes
ss o de preparao. evitando o aparecimento de tenses trmicas e gradientsmcouraep
favore ce ndo o desenvolvimento de faces naturais. Esses fatos, comhinados com a baixa temperatura de
crescimento, oferece, como resultado, cristais de melhor qualidade co m respeito a defeitos pontuais,
densidade de deslocaes e contornos de gro.

Atualmente grupos de crescimento de cristais nacionais (IFQSC. IPEN e IF-UNICMP) utilizam o

mtodo HTS para a preparao de monocristais supercondutores dos sistemas YBaCUO e BiSrCaCuO
co m relativo sucesso. Esses resultados, entretanto, so relevantes uma vez que os problemas de
crescimento desses compostos em dimenses razoveis e de alta perfeio estrutural ainda no esto
resolvidos quanto escolha conveniente do fluxo, da temperatura. da velocidade de crescimento e do
processo qumico de remoo dos monocristais.

Monocristais semicondutores de Silcio esto sendo preparados de forma rotineira em Sao Paulo
(IMEL-Poli. Heliodinmica) e os compostos semicondutores do grupo 111-V no 1F-UNICAMP, na
UFMG e no IFQSC (Laboratrio cm implantao). Entre estes compostos o GaAs . atualmente, o
mate ri al de maior uso em componentes que necessitam de alta velocidade e robustez. Na expectativa de
um rpido crescimento no mercado de utilizao desse material, proliferam, nos pases desenvolvidos,
indstrias voltadas para a preparao de monocristais e industrializao de dispositivos baseados neste

131-
 composto. Em suas aplicaes em'chips' lgicos e em dispositivos eletropticos estima-se que o mercado
americano em 1992 sera da ordem de 2 bilhes de dlares (Eletro Optics-may 1989-pg35). No Brasil,
desenvolvem-se atualmente diversos programas de crescimento epitaxial de GaAs por feixe molecular
(MBE), como no DF/UFMG, em Belo Horizonte, na UNICAMP-CPQd e na USP-So Paulo, partindo
de substratos impo rt ados, pois ainda no existe um programa nacional para preparao sistemtica
desses substratos.

Monocristais metlicos so atualmente preparados no Pas (IF-UFSCar) para estudos de suas

prop ri edades magnticas.

Monocristais de halogenetos alcalinos puros e dopados so preparados nos laborat ri os nacionais

(IFOSC, IPEN, 1F-UNICAMP) devido sua importncia cientfica e tecnolgica. A simplicidade
estrutura] des s es compostos permite que pesquisadores e estudantes desenvolvam, com facilidade,
modelos tericos simplificados para o entendimento de seu comportamento fsico e qumico. Esse fato
tem sido explorado, por estudantes de diversos centros de pesquisa brasileiros, na elaborao de dezenas
de teses de mestrado e doutorado e em trabalhos cientficos publicados em revistas internacionais nos
ltimos 15 anos. As aplicaes tecnolgicas destes compostos esto relacionadas com sua transmitncia
em uma larga regio do espe ctro , onde so usados como janelas, e quando dopados, so potencialmente
candidatos a aplicaes em lasers sintonizveis e comercialmente em detectores de raios X e.Gama.

Dados sobre os grupos de pesquisas dos Departamentos de Fsica encontram-se nas tabelas 6.1 e 6.2.
Nelas no esto includos os grupos que atuam nas areas especficas (semicondutores, cristais
. magnticos, cristais lquidos, polimeros, etc.) e que esto relacionados nos Captulos anteriores.

6.3 PERSPECTIVAS PARA A PRXIMA DCADA

6.3.1 Vidros e Cermicas

A comisso da ABC recomenda que seja criado um modelo para capacitao cientfica na rea das
cermicas de alta tecnologia que deve induzir il formao de uma base slida em termos de recursos
humanos e laboratoriais de qualidade. Por isso ser imprescindvel:

I. Integr ar os projetos de pesquisas entre os centros de P&D de forma a cobrir todos os aspectos bsicos
essenciais;

2. Procurar equipar as instituies em equipamentos considerados bsicos, alm dos especficos nas
respectivas reas de competencia. Os equipamentos de alto custo ou utilizao espordica pode ri am ser
distribudos regionalmente (consrcio de equipamentos);

132-
3. Adequar os currculos das universidades a nvel de graduao e ps-graduao a uma realidade, a fim
de fornecer pessoal para a pesquisa e desenvolvimento e para a indstria a fim de que esta possa
absorver e desenvolver as tecnologias e o controle dc qualidade:

4. Iniciar uma divulgao ampla usando a conscientizao da importncia das ceramicas avanadas
atravs de palestras, cursos, escolas, simpsios, etc.

As perspectivas dos grupos ligados a Departamentos de Fisica para os prximos 5 anos so mostradas
nas tabelas 6.3 e 6.4.

6.3.2 CRESCIMENTO DE CRISTAIS

A preservao dos Grupos de Crescimento de Cristais nacionais e criao de facilidades para os seus
desenvolvimentos, nos prximos anos, so fatores de fundamental importncia para a pesquisa na Area
do estado slido no Pafs, pois estes constituem a principal fonte nacional de fornecimento de amostras
monocristalinos para os pesquisadores brasileiros que atualmente as utilizam para as mais diversas
aplicaes cientificas e tecnolgicas. Os Grupos de Crescimento de Cristais, alm disso, mantem
pesquisas dirigidas na preparao e caracterizao de compostos monocristalinos atravs de convnios
internacionais, oferecimento de cursos a nvel de ps-graduao e desenvolvimento de teses de mestrado
e doutorado para a formao de novos pesquisadores na Area. Essa dinmica adotada pelos Grupos faz
com que a atividade de preparao de amostras, que de fundamental importncia para os
pesquisadores brasileiros, no seja um fato isolado, integrando o estudo das propriedades e das
aplicaes tecnolgicas s pesquisas na Area de preparao e caracterizao. Dentro dessa filosofia de
trabalho, as principais perspectivas para a prxima dcada so (ver tambm Tabelas 63 e 6.4):

Implantao definitiva de preparao de monocristais de Silcio para utilizao em micro-eletrnica;

- Otimizao dos processos de preparao dos monocristais de LiNbO3 e suas solues slidas pa ra
aplicesmdotvlerpicstoa;

- Otimizao dos processos de corte e polimento de substratos monocristalinos para aplicaes cientificas
e.tecnolgicas;

Preparao, de modo sistemtico, de monocristais de LiTaO3 e suas solues slidas;

- Preparao de monocristais de Y AG: Nd pelo mtodo CZ para aplicaes em lasers e mini-lasers de

estado slido;

-133-
- Otimizao dos processos de crescimento dc monocristais pelo mtodo de HTS, ser adotada na
preparao de moncristais como GdA1O 3 .NAB e as suas solues para aplicaes cientificas e
tecnolgicas;

Preparao de amostras monocristalinas de halogenetos alcalinos para aplicaes cientificas c

tecnolgicas;

- Otimizao dos processos de preparao, caracterizao e determinao de propriedades eltricas de

monocristais supercondutores dc alta Tc dos sistemas Y-fla-Cu-0 c Bi-Ca-Sr-Cu-O;

- Obteno de monocristais homogneos, de alta perfeio estrutural e de grandes dimenses pelo

mtodo de soluo aquosa, para aplicaes Aplicas e trmicas, atravs da modernizao dos
equipamentos de preparao;

- Preparao e caracterizao de monocristais semicondutores II1-V, direcionado para os compostos

GaAs e fnSb e preparao de seus substratos monocristalinos;

- Desenvolvimento de novos materiais de importncia tecnolgica.

6.3.3 CONSIDERAOES GERAIS

Sahe-se que a Cincia de Materiais desenvolver-se- no mundo inteiro com grande xito na prxima
dcada. O Brasil no pode ficar fora desta competio e precisa investir tanto em recursos humanos
como em equipamentos de preparao e caracterizao de novos materiais. Hoje ainda pequeno o
nmero de centros que dispe de capacitao razovel para estes desenvolvimentos; o nmero de
especialistas (tecnlugos, engenheiros, mestres e doutores) est crescendo mas insuficiente para seguir
os desenvolvimentos recentes. Por outro lado os grupos atuais sofrem da falta de equipamentos
modernos de caracterizao de rotina; alm (limo os equipamentos de porte maior c de alto custo so
praticamente inexistentes, o que prejudica muito o desenvolvimento das pesquisas e de prottipos. O
Brasil deveria urgentemente criar 5 a 6 centros de excelncia nas regies onde se manifestam as
melhores esperanas para o desenvolvimento da Cincia dc Materiais. Esses centros a serem localizados
por exemplo nas regies dc Sao Carlos. Sao Paulo. Campinas, Rio de Janeiro, Belo Horizonte, regio
Nordeste e Sul do Pais com investimentos financeiros da ordem dc USS 10 a 15 milhes cada um,
deveriam sup ri r as comunidades cientificas com tcnicas modernas de caracterizao e dar apoio tcno-
cientiftec de alto nvel profissional.

-134-
 TABELA 6.1
GRUPOS DE PESQUISA ER CERAMICAS, VIDROS E CRESCIMENTO DE CRISTAIS

INSTITUICIO L1NNAS DE PESQUISA ESTAGIO TCCNICAS 11115 RELEVANTES CUSTO ESTIRADO

GRUPO US.

UFCE Cracint0 1. Crista u C Espc-roscop u Raman 150.000

CarCtrlZaClO d Cristais
vtdro C Lusinclnci 60.000
S1nc earactriiaC1O ds pd. I Foto -capacitlnci 20.000
carlu Co, f ilm flui da g- Eap.ctrocopla MOShaur 70.000
nstico M41460 Idtrieu 50000
Mdida agnati[s 50 00 4
Balo -I 100.000
Evaporadora 40.000
TOTAL 500.000

UFRON Dnvolyi p , pcs I 1571 -10 120.000

cesponnt a bass C. c.rlmica Rs utividao Eltrica 15.000
mtata rfracario CapacitlnCia 10.000
TOTAL 145.000

tr 15.000
W UFES Propridadow Lucas O Retriall C Prparaclo d amor---- carat-
Ralaril. Carbonoso Carbonoso Solido. trizaclo com analisam fln ca
qufsiCas .I. uplr
I Rlotividad Ietrlcr 10.000
C/I Outra- tenuca a coopr 6 cl0
co outro laooratdrloa
TOTAL 25.000

1PEN/CNEN -SP Dsnvolvianto d Itrblitos C Sputtering 7.000

Divtal0 iau sOlidos 6 Paso d zircOnta tOrma BET 1.000
Crimicos Difr ia d Ralo -X 120.000
Prepridadaa itrnc-r d crlu ca I RiCreacopi Optica 20.000
vancads 1 MEV 120.000
IlnyalVlmnt0 de cospOitos CO. 1 MET 450.000
matriz crlu c Microssanda EItrOnics 200.000
Dwnvolv unto de whiskers En uioa Melnicos 150.000
para rford d csrlaics Condutividad Idtrics 30.000
TOTAL 1.098-000
TABELA 6.1 COntlnu. IO
GRUPO DE PESQUISA EM CERAIIICAS, VIDROS E CRESCIMENTO DE CRISTAIS

INSTITUICIO LIANAS DE PESQUISA ESTAGIO TeCNICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIMADO

ORUPO usa

:PE4/CHEN-SP SIntm d Cler.te. Fluortoe C Hidroclorin.CA Hidro-

Divrslo d Optic fluorinalo 50.000
Aplicada PuriticacRo e Refine d Clorco C Refine por Zona sob MCI HF 50.000

Lab. d. Cruel Crscl.nto C. .ono-crrscais d C Czocnralskl 80.000

de Crioula Haltos Alcalinos gera para C Bridgman Dinimico 20.000
oseui u, Jan.l u optic.. I Bridgman Estatieo 20.000

Crscl.nto da Crint.is d. fluo- C Czocnralskl 20.000

roto r d fu.Io congruence ILIF. C Bridgman Entitico 30.000
Cal l / para pliC.Cbes luar

Tr.t..ntos csr.icos progr I. C Control* Fino d T.r.tca 20.000

d .one-criatale

Crscr.nto d Fluortos d. Fella* C Czocllralski 50.000

Incongruent. tipo YLIF4, BaL:F3.
alfabtico por. .pllcaGR.a :rise.

Crescimento d. FluorOprova k it u Cnocnralsei 20.000

Crescimento d Cristii. mu:tipli- C/: SoluCMe a Baixa Tmperatures 50.000

nadarem de frdusnci. tipo 5DV.
NTP

Pr.oar.C.O d BaatC.s Laser C/I Corta. POlimnt0, Int.rfro.trl. 50.000

Luar

Sint... d Co.00stO. Suo.r- C RaCSO Cuf.iCl d estado 501100 20.000

Condutor. d. Alto Te

Crescimento d. Mono-Crlat.l C Fluxo/CiOCnralski 50.000

SVO.rcondutors d Alto Tc

Caractrrzalo Crrstalogr.fiea C ]ifracao d Ralos-11 150.000

TOTAI. 680.000
TABELA 6.1 6VATINDAIO
GRUPOS BC PESQUISA EN CERANICAS VIDROS E CRESCIMENTO DE CRISTAIS

INSTITUICIO LINHAS DE PESQUISA ESTAGIO TCNICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIRADO

GRUPO usa

1rQSCDSP De lei d vidro.. filme. C Cspec troacopi a. a.gn .to-apcie 120.000

Grupo da Hateri n s fines. pos crlsucas pelo pro- .pctrascopis fotoacdatice 30.000
co.o sol-gol Impdanc Ietr ue 50.000
Bei qut.tsorie 50.000
Poros .cria 70.000
Desenvolvi .nt earaetrizale Sadlgrafla 60.000
de vidres da fl 0TA-TO 120.000
P u cnoutr t a 8.000
DtfraCld d Ralos-I 120.000
SAIS 20.000
Auto[orralsCIa d fotos 70.000
Prrparoolo d Vidros (fornos. 100.000
ato.I
TOTAL 815.000

Preparaclo caractrtxaello dr C Czochralart 600.000

Grupe d Cr..ct.ento
sono-cristaia drudo sues o- 20.000
A. Cruteu Bridgman
10.000
IuCbo solidas Bf l no..nto por zone
115.000
Soluie alias taurstures
(flulrol
PrparaClo a caraccrizalo d C SoluClo balsas t.p.r.turam IS_000
ono -cru a au de halegntos lavaporacio do .Divan( . as-
ICelunoa fra lento/
Pr.paraclo caractruzsio de
sonocr utru via olucio misname C Laser probe 10.000
PraparsCio carsctrtzaio d C Raau.tuvidad ldtruca 17.000
Corrente tarso -strsulad 20.000
sonocrustst d InSb
PrparaCIO caractarizalo dm [ CzoclurelSYI para aucondutdras 500.000
monocrc.t.is d GaAs III-v
TOTAL 1.305.000
 TABELA 6.1 CONTINUACRO
GRUPOS DE PESQUISA E11 CERAMICAS, VIDROS E CRESCIMENTO DE CRISTAIS

INSTITUECIO LINHAS DE PESQUISA ESTAGIO T[CNICAS MAIS RELEVANTES 01570 ESTIMADO

GRUPO usa

IF-UFRGS Sfntee de ateriar auperduro+ C Clear.. de mite prendo pare 100.000

Grupo de Flmica d tdrasant CBS1. ratalino et* B0 Mbar 2000 C
altar Prem.aer policristalrno. por alta prudee Eapectroacopia Optics 30.000

Sintatizaclo C. ater ui super- Casar a, d o p tipo 'diamond

duros afia s nvil ce11' 30.000
Difreclo de ralo.-X. in si tu'
Cora da Cerrar 50.000
TranaforaacSo de face eaer C Cramografi. e Anll:ae d. 1.ege 10.000
crlsrcos a. alt os preso

Sfnte de diamante por CVD I Microdureza 10.000

Propridadar Fotoel.tic. d C
m 1a1
i TOTAL 230.000

m ir-U5P Etudo C. cin/tic de decaimento R i para.a gnetrc sitrenica 60.000

Grupo Centro. de Cor d di p gnetico Espectro copia optic.
arruado C. defeito. 1ntrI Re.mon/ncia de ouadrupolo nucl ea r
d upurezaa. induzido por ir-
red uclo de vidros alucino
C. Parlo dardo de rldnlo.

Estudo da recoabinaclo entre ell- C T.r.oic.in.ec/neta 5.000

trona e buracom e vidrar aluerno- R.manlncia p gnetico IetrSnica
barata de barro irradiadoe co.
raio-E.

Proprredade dieletrics em olu- C lmpenanei.etria 15.000

caos adlidos d trtanato de brra
mtrOncre.

Propriedades dpticae elatranrcem C Eepeetrorop1. Optrca 15.000

de earCondutore a.orfo calcoge- EmbctrO.cOpi de cef:xad fototereica
ntom de artisan's, io. Anlise tereic diferencial
TO TAL 95.000
 TABELA 6.2
PESSOAL CIENTIFICO E PRODUTIVIDADE EM CERAMICAS. VIM S E CRESCIBENTO DE CRISTAIS

INST ITUICIO DOUTORES MESTRES ESTUDARTES ESTUDANTES ARTIGOS EM

GRUPO FORMADOS 76-88 REVISTAS C/ ARBITRO
T E T E IC M D M D 78-82 83-89

UFCE a S 10 6 1 11 6 20

UFRGN 1 5 2 - - 5

UFES - 2 3 - 2

IPEN-CNEN -SP
D Wt.IO d Materials
C.r.alco. 3 1 6 4 0 5 0 S 10

IPEH/CNEN -SP
alvi.lO d. Optics
Aplicada - Lab. as
Cr..ct..nto O. Cr i.t.i, 2 2 3 2 2 2 2

IFQSC-USP
Grupo d Matrlat. 2 7 14 4 13 18 6 14 56
w
`a Grupe d Cr..ci.nto
d. Crl.taia - 2 5 2 4 24

DF-UFSCAR - 2 1 4 -
IF-UFRGS
Grupo d FI.1u d.
Altos Pr.8. 2 4 5 3 2

IF-OS?
Grupo C.ntro. d. Car 4 4 7 5 14 4 14 :4
TABELA 6.3
PERSPECTIVAS PARA OS PR0S11105 5 ANOS

INSTITUICIO NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TCNICAS INVEST IRENTO

GRUPO USe

UFCE Consolidado da Pqursa Atual Ricremcepo Eletrnica 200.000

Espctroscopi d R..oluclo
Temporal Espctro.copia Vis[vI Ultraviolet. 50.000
Medida. de Sucptlbittdad. Magntica 50.000
G.r.Clo d.t.ccio do pule*. rapidoe 250.000
TOTAL 550.000

UFRGR Estudo d Rodlos d $intr12m0e Lorne ..pci.i de Slntr12aQ16 50.000

Denvolvl.nt* de Capacitor..
Dtniaico r ptibilidad. R.gnilttca
- TOTAL 50.000

UFES C9RDICaES ATUAtS

Fil.e *op St d preparado d. amostras

trat..nto tr.ico Ilnforaattzacio.
t c.1 50.000

Termo-redutor .Ietredo Tcnicas d anil u. ffmica qui.ICS.

coma calorimetria. 011 ato.trio Outras 50.000
Outras tcnicas es c oope r-W . coa outro!
Iaboratbrio

CONDICDS I:EA1S

Mater... intercalados Sia. d preparado d amostres

trata.ntos tirl.co 70.000

Fibras d carbono cempdmite. Tcnicas de anilla. fisices quimicaa

ceve croa.togratis outras 150.000

Outra. tcnica. m cooperado coa outros

I abOretdr I Oe
TOTAL 320.000
TABELA 6.3 Continuedio
PERSPECTIVAS PARA OS PRXIMOS 5 ANOS

I IISTI TO ICIO NOVAS LINHAS DE PESQUISA NOVAS TLCNICAS INVESTI RESTO

USO
CHISPO

1PEN/CNEN -SP
Divido d Consolidado da P..qu ue Attie! Microscopic, EletrOnica d Varr.dur 350.000
R.tareae. Cera.ecoa Ditusivedade T.raec 250.000
t.p.dincea Co.pl.n. 60.000
Poro.t..tri d Hg 60.000
Amines. degrefic 80.000
Spray drier 25.000
TOTAL 025.000

d I.
1PEN/CNEN -SP
Con.oledacio de P.squeee Atual I nt.rf.roaetr 50.000
Deveaio de doteca
Aplecad Controle qualidade de Bistaes 100.000
L

L.. d. Cr.aci.ente CzocRr 1.ki com centro le de deaaStre

por Or.via,.trea 150.000
d. Criat.i

Cre.cL..nto de Renecr uta u doidos CzoclerelSke 250.000

pare Aplicados L.ser

O..nvely u.nLO d. Vidro. d.

Fluo reto.
Forno. para Sl _____ fu.to 250.000

.TOTAL 600.000

IFQSC-USP
Conselid.cio d Pequis. Atual Micro.copia E1atrOnec. 5.. 500.000
Grupo d. Rat.re.e.
llicre.end EDI - UDI
Escudos d Sup.rticle por Eace, 300.000
SIMS. etc.
Oe l.to..tris 120.000
Elip.e.etria 120.000
TOTAL 1.040.000
 TABELA 6,3
PERSPECTIVAS PARA OS PROXIROS S ANOS
CenunuaCllo

INSTIT9ICiO NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TrCH1CAS INVEST I REATO

GAUPO us.
I FQSC-tiSP PrparaClo caractrgca000 d 100.000
Grupo O. Crclento substrates monocriatltno Oxatle
O. Cristais eutrea componentes aILrodptacO.
. ILrecdLICO
PrparaClo C.ract.rizaClO O. mone- 500.000
Craat.n mlcondutora 111-V
Prparatlo d onocrtta Oxides 100.000
para apllCace m I
Caraccsri;aCio 1tric magnetics de 100.000
01adois aonocr ucalinea
TOTAL 000.000
DF-UFSCAR C.raatc *Intro-Optics. Rdtda O. potillnci do Campo solstice 20.000
COnpotea CrlmgCoa-polfmro
NDanvelvImnto d caeCOt ultra- Mope aant0 20.000
Onico P g quente 220.000
Ultra som placado A m.dtcana Caractriz Klo dt1trai 00.000
TOTAL 320.000
1F-UFNGS H.:.P 100.000

Grupe d fica d Ricreanall Ran 130.000
Alt.. PrC CA ----- C. alta pr.alo com grand. 200.000
volume
TE!. Institucional
SEM 100.000
TOTAL 730.000
TABELA 6.3 ContinueC7o
PERSPECTIVAS PARA OS 7RaxIEOS S ANDS

INST:TJICAO HOVAS LINHAS OE TRABALHO NOVAS TtCN:CAS IHYESi1NENT0

GwCPO US.

CNICAHP
Leboratdrio d Lultecusd u ordenadas d olsculme Netede de preparado
Cr istalografia nlef[leea O.00siese per doh nra>te 30.000

UNICARP
Grupo d Vidro Estudo prepar.co da vidros foto-
enafvees
Vidros iliesto fotocrnicos 100.000

1FG0-UN1CAEP
Grupo d Propr. Consolidado da Pequ:sa Atua! Ensaies en :mmparatar uaidade
tlee$nec.s controlada 70.000

IF-CS?
Grupo Centro d Cor Preoorac:to de vidros apiCiams para Fornd. especial 120.000
laser tOflCaotrodOr solar :umnm.entc. Iupndacisntris

Liaain.ecene:e resolvide no tempo d. Eeoectrofluorieetria resolvida no 200.000

u.coger.eto amorfo co antimnio e :cepo
LO C. vidros eueciai pars
laser concentrador solar ]urotSnta.

Rssonenc: nagnd u c. ou cement detected. Empctrp.to, u d rascnhms e 200.000

de eelcogenetO. amorfos d antimnio magnetics oteeanenta detectada
ars.neo d vidros espaciais Perm laser
concentrador solar !uei nescen t.

PrpracSo de film.. finos de calcogeneto TAcnices de deposicio an alto 50.000

amorfos sstLCOndutors. vscuo
TOTAL 670.000
 TABELA 6.4
PERSPECTIVAS PARA OS PR6IINOS 5 ANOSi RECURSOS HUMANOS ER CEAANICAS, VIDROS E CRESCIMENTO DE CRISTAIS

INSTITOI=0 CAPACIDADE DE FORMACIO E3PASSEO DO GRUPO

GRUPO CONDI.AE$ ATUAIS CONDIpAS IDEAIS mimosa ATUAIS CDNDIDE$ IDEAIS
N D e D e D N D

UTCE 10 4 19 6 5 3 B S

UFRGN 2 3 6 2 2 3 4

UFES - 5 2 2 1 2 3

IPEH/CNEN -SP
Divvalo d. llat.ruir 7 2 9 6 1 3 4 6
C.rAalco

IDEA/CUM-SP
Diu. d. Optics Aplicada
Lab.da Cr.acisantoa da 2 2 4 4 2 1 4 2
Cristai s,

IFQSC-USP
Grupo d e e 'aim 4 13 A 15 6 6 6 6

g IFQSC-USP
Grupo de C.ae u.nto de 4 3 7 IO 4 4 4 4
Cri Lau

DF -UFSCAR 5 2 7 2 1 3 2

IF-UFGRS
Grupo d Flsica d. Alt. 1 4 4 2 3 4
PrasaBes

IF-U5P
Grupe C.ntros d. Cor B 20 lO - 4 10
7. Fsica Estatstica e
Teoria de Slidos

7.1 DESCRIO

A fsica terica da matria condensada aborda urna grande variedade de problemas, utilizando idias
bsicas da mecnica quntica e da mecnica estatstica. A moderna teoria dos slidos se iniciou atravs
do estudo das propriedades eletrnicas dos cristais perfeitos, dotados de simet ri a translacional,
possibilitando uma compreenso bem fundamentada dos fenmenos de conduo, com enormes
repercusses tecnolgicas. Certos problemas tericos da fsica da matria condensada - como a
investigao dos estados eletrnicos e das propriedades de transporte de metais e semicondutores -
acabaram produzindo reas de estudo que esto descritas em captulos separados. Da mesma forma, o
estudo das prop riedades dos mate ri ais magnticos, de interesse bsico e aplicado, est descrito no
captulo referente ao magnetismo. Vamos, portanto, nos restringir p ri ncipalmente descrio de
problemas onde h poucas fronteiras entre a fsica estatstica e a fsica da materia condensada.

A fsica estatstica fornece os elementos para o estudo dos sistemas complexos, organizados, a par ti r de
seus componentes mais simples. A fsica do sculo XX se desenvolveu prioritariamente no sentido de
descobrir os componentes ltimos ou elementares da matria. A fsica estatstica, por outro lado,
representa uma tendencia complementar, que reconhece a necessidade da introduo de novas leis e
regularidades para explicar o comportamento dos sistemas complexos.

No final do sculo XIX, a termodinmica j se havia estabelecido . como a grande teo ria macroscpica,
capaz de explicar o compo rtamento trmico, 'visvel", da materia na presena de agentes externos. A
segunda lei da termodinmica, que define um sentido temporal inequvoco, representa um exemplo do
comportamento caracterstico da matria macroscpica (pois as leis da mecnica, que se aplicam s
partculas que constituem a matria, nunca distinguem entre o passado e o futuro). A mecnica
estatstica tem sua origem na formulao da chamada teo ria cintica, que procura explicar as
propriedades trmicas dos gases (lei de Boyle, calores especficos, coeficientes de transporte) atravs de
um modelo constituido por partculas em movimento, governadas pelas leis da mecnica clssica. A
equao de Boltzmann, proposta em 1872, que constitui o prottipo dos mtodos cinticos modernos,
representa uma tentativa de construir a funo entropia da termodinmica com base nas leis da
mecnica. Foi o prprio Botzmann quem percebeu a importncia da introduo de conceitos
probabilsticos e props a famosa definio estatstica de entropia, S = k log W, onde W o nmero de
estados microscpicos igualmente provveis. A moderna mecnica estatstica de equilbrio foi formulada
por Gibbs, no inicio do sculo, e praticamente no sofreu qualquer transformao com a necessidade de
reconhecer que o mundo microscpico na relidade governado pelas leis da mecnica quntica. A
formulao de uma termodinmica ou de uma mecnica estatstica para processos fora do equilbrio, no
entanto, ainda objeto depesquisa e continua sujeita a pontos de vista diferentes.

-145-
 No h fronteiras distintas entre a fsica estatstica e a fsica da matria condensada. Um dos p ri meiros
t ri unfos prticos da fsica estatstica foi a utilizao de dados espectroscpicos para calcular a entropia e
o calor especfico de um grande nmero de substancias. Fenmenos de tranportes em meios materiais
(condutividade trmica, condutividade eltrica, viscosidade) tambm foram amplamente estudados com
o auxilio de tcnicas cinticas. O estabelecimento das estatsticas qunticas (Fermi-Dirac e Bose-
Einstein) possibilitou uma enorme gama de aplicaes, desde o estudo de propriedades trmicas de
metais e de semicondutores at a proposta de uma explicao para a transio superfluida no hlio
lquido. As grandes teo ri as modernas sobre o comportamento trmico da matria condensada, entre as
quais se sob re ssaem as teo ri as do paramagnetismo e do diamagnetismo e a teoria da
supercondutividade, tm sido formuladas no mbito da mecnica estatstica quntica.

O estudo moderno das transies de fases constitui um exemplo do tipo caracterstico de abordagem da
flsica estatstica. Desde o incio do scolo so conhecidas teorias fenomenolgicas p ar a as transies em
fluidos (Van der Waals), materiais magnticos (Cu ri c-Weiss), ligas metlicas (Bragg-Williams) etc.
Cumpre mecnica estatstica estabelecer modelos microscpicos em termos dos quais seja possvel
expli ca r transies desta natureza. O modelo dc lsing, proposto inicialmente por Lenz para expli ca r o
ferromagnetismo , constitui o melhor exemplo no trivial de um empreendimento nesta direo. O estudo
das propriedades fsico-matemticas do modelo de Ising, principalmente na medida em que se constatou
o carter universal do comportamento crtico da matria, tem despertado o interesse de uma parcela
considervel de pesquisadores na rea da fsica estatsti ca nos ltimos t ri nta anos. Em pa rt icular, a
soluo exata do modelo de Ising bidimensiunal na ausncia de um campo, publicada por Onager em
1944, representa um dos grandes triunfos da fsica terica contempornea Embora a soluo exata do
modelo de Ising em trs dimenses continue representando um grande desafio, o estudo dc suas
conexes com a teo ri a de campos resultou na chamada teoria do grupo de renormatizao, proposta por
Wilson no inicio da dcada de setenta, que tem tido uma enorme repercusso na rea. Deve-se assinalar
que, apesar da natureza quntica das interaes a que esto sujeitos os co mponentes elementares da
matria, a utilizao de modelos clssicos de spins, abandonando quaisquer regras de comutao, tem
levado a um notvel avano na compreenso de transies de fases e fenmenos crticos em magnetismo.

Em meados da dcada de sessenta, tcnicas experimentais mais sofisticadas haviam possibilitado

medidas detalhadas de grandezas termodinmicas associadas il 'materia critica". Substncias
aparentemente muito diferentes, co mo fluidos, ferro e antiferromagnetos, ligas metlicas, pareciam se
comportar de maneira idntica nas vizinhanas da criticalidade. Por outro lado, ficava ca da vez mais
patente que as teorias clssicas (Van der Waals, Curie-Weiss, etc.) produziam resultados incorretos na
regio crtica Houve ento enorme interesse no estudo dos fenmenos crticos. Logo se formulam as
hipteses de universalidade (o co mpo rt amento critico depende de pouqussimos fatores, como a
dimensionalidade ou a simetria dos sistemas fsicos) e as equaes de escala. Tambm se reconhece a
grande relevncia de resultados e clculos rigorosos para modelos estatsticos simplificados. Finalmente.
a teo ri a do grupo de renormalizao produz resultados quantitativos, passveis de verificao
expe ri mental e justifica a universalidade e as leis de escala, constituindo um grande triunfo da moderna
mecnica estatstica.

-146-
 Vamos relacionar outros tpicos que tm despertado grande interesse nos ltimos anos:

I. Fenmenos multicrlticos e diagramas de lases de sistemas complexos, incluindo polmeros, colides,

micro-emulses e diversos tipos de cristais lquidos. Transies de fases em modelos de percolao e
sistemas definidos atravs de vnculos geomtricos. Cima variedade de pontos multicriticos, que no se
resumem ao "terminus' de uma linha de coexistncia dc fases, tem sido descoberta e estudada nos
ltimos anos. As tcnicas de grupo de renormatizao tem sido aplicadas, com grande sucesso.
principalmente para identificar as classes de universalidade e explicar o comportamento de escala nas
vizinhanas dos pontos tricrticos ou bicrfticos. H um grande interesse no estudo dc sistemas com
interaes ou perodos competitivos, dando origem a fases com modulaes espaciais e a fenmenos de
transio do tipo comensurvel - incomensurvel. Sistemas mais complexos - muitas vezes dc interesse
tecnolgico - tem sido abordados com tcnicas clssicas. do tipo campo mdio, que geralmente fornecem
os aspectos qualitativos dos diagramas de fases, ou com as tcnicas mais modernas de grupo de
renormalizao. Simulaes numricas tambm tam sido utilizadas na investigao das propriedades de
sistemas complexos.

2. Sistemas de haixa dimensionalidade. Fenmenos de superfcie (adsoro de gases em substratos

slidos transies superficiais) e propriedades de sistemas corn interaes extremamente fracas em uma
;

ou duas dimenses, efetivamente produzidos cm laboratrio. tm sido intensamente estudados atravs de

solues exatas, tcnicas tradicionais de muitos corpos, e diversas verses do grupo dc renormalizailo no
espao real. As teorias de fuso bidimencional - com a possibilidade do aparecimento de uma nova fase
da matria - tm despertado grande interesse. Tambm tm despertado grande ateno o efeito Hall
quntico. o comportamento de sistemas eletrnicus hidintensionais c o estudo de slitons e instabilidades
dinmicas em sistemas unidimensionais. Recentetnente se percebeu, na rea terica, a importncia de
certas idias de invarincia conforme, desenvolvidas inicialmente no mbito das teorias de campo -
atualmente j existe uma classificao c um catlogo dos expoentes crticos de praticamente iodos os
modelos estatsticos significativos em duas dimenses.

3. Sistemas desordenados. O sucesso inicial da fisica terica dos slidos se baseou na considerao de
cristais perfeitos, translacionalntente invariantes. Cumprida esta etapa, foi possvel estudar as
caractersticas de defeitos isolados, que desempenham um papel importante nos fenmenos de
transporte. Nos ltimos anos cresceu o interesse no estudo do comportamento tcrmodinmico de
sistemas na presena de impurezas furas. aleatoriamente distrihuidas. Por exemplo, houve grande
interesse no estudo das propriedades de um sistema aparentemente simples, constitudo por uma liga
metlica com impurezas magnticas, que se denomina vidro de spin. Modelos tericos para estes
sistemas, incluindo interaes magnticas competitivas. tem sido intensamente investigados. As solues
mais simples - que se reduzem ao clculo do efeito mdio ou efetivo das impurezas - envolvem uma srie
de sutilezas que ainda no esto totalmente controladas. Urn problema aparentemente ainda mais
simples, representado por um modelo de Ising ferromagntico na presena de um campo aleatrio, com
implicaes experimentais no estudo de antiferromagnetos diludos, tambm tem se mostrado

-147-
extremamente difcil. Recentemente foi possvel estabelecer um contato en tre os modelos de Ising para
vidros de spin e modelos para redes neuronais, de interesse cm neurobiologia e teoria de aprendizagem,
que talvez forneam as bases para o projeto de uma nova gerao de computadores.

4. Fsica computacional. Com o aperfeioamento e a maior disponibilidade dos computadores, tm sido

utilizados diversos mtodos numricos (Monte Carlo, dinmica molecular e suas variaes) para simular
o comportamento de modelos representativos de sistemas da fsica da matria condensada. Fenmenos
de agregao e crescimento tm sido nume ri camente estudados com base em modelos definidos atravs
de regras computacionais. Nos ltimos anos tornaram-se populares os chamados autmatos celulares,
que podem simular o co mportamento hidrodinmico de sistemas complexos. Simulaes de Monte
Carlo, acopladas a tcnicas de grupo de renormalizao, tm sido utilizadas com sucesso p ar a estimar
grandezas delicadas como os parmetros crticos dos modelos de transio de fases.

5. Fenmenos fora do equilbrio. Fenmenos ligeiramente fora do equilbrio ou propriedades de

transporte em fluidos suficientemente diluidos podem ser tratados atravs de mtodos convencionais.
Novas tcnicas de fsica estatstica tm sido desenvolvidas para tratar problemas de cintica qumica ou
de transporte em fluidos densos. No entanto, a prpria formulao geral da mecanica estatstica dos
processos fora do equilbrio constitui um tpico aberto, sujeito a diferentes abordagens. Instabilidades,
bifurcaes e a ocorrncia de estruturas fractais e de caos determinfstico tm sido estudadas em
diferentes circunstncias, atravs de tcnicas matemticas analticas e de recursos numricos
recentemente disponveis.

6. Sistemas eletrnicos fortemente correla ci onados. Novos fenmenos tm sido investigados em sistemas
eletrnicos desordenados (transio metal-isolante, problemas de localizao) ou altamente
correlacionados (que do origem aos frmions pesados). Tcnicas de muitos corpos, que j haviam sido
teis no estudo dos lquidos qunticos, so novamente empregadas no tratamento destes sistemas. Os
modelos para os problemas de localizao apresentam sutilezas similares aos modelos de vidros de spin.
Por outro lado, a descoberta recente dos compostos supercondutores a temperaturas altas esta exigindo
novos esforos na compreenso das propriedades de modelos qunticos. Neste sentido, pouco se avanou
alm das teorias clssicas de ondas de spin. H grande intere ss e no estudo das propriedades do modelo
de Hubb ard, que se refere a um sistema de eltrons itinerantes. Os novos supercondutores apresentam
uma estrutura de ca madas que conduz considerao de um modelo de Hubbard em duas dimenses -
no entanto, no se conhece nem o estado fundamental do modelo antiferromagntico de Heisenberg em
duas dimenses (correspondente ao limite de Hubbard para acoplamentos fortes).

-140-
7.2. SITUAAO DA AREA NO PAIS

A. Breve Histrico

A pesquisa em fsica terica dos slidos no Brasil se inicia na dcada de sessenta, nos grupos
estabelecidos na USP, em So Paulo e em So Carlos. O grupo de So Paulo foi organizado sob a
inspirao de Mario Schmberg, com o concurso de Newton Bernardes, que havia trabalhado em
lquidos qunticos no extetior. O grupo de So Carlos foi implantado por Srgio Mascarenhas. fsico
expe rimental que havia trabalhado com Gross e Costa Ribeiro no Rio de Janeiro, contando com a
liderana terica de Roberto Lobo, especialista na utilizao de tcnicas de muitos corpos para investigar
problemas de fsica da matria condensada. O grupo terico de Sao Paulo, mais tarde sob a liderana de
Luiz Guimardes Ferreira, proporcionou a formao de diversos pesquisadores que se dedicam
principalmente ao clculo de prop riedades eletrnicas de slidos. Robe rto Luzzi, que depois se fixa na
UNICAMP, estudando prop ri edades pticas de semicondutores, e Affonso Gomes, que se fixa no CBPF,
estudando propriedades de materiais magnticos, iniciaram os seus trabalhos de pesquisa em S ilo Paulo,
sob a o rientao de A. De Graaf, e foram responsveis pela formao de diversos pesquisadores nas suas
reas de trabalho.

Em meados da dcada de sessenta, surge um grande interesse no estudo das transies de fases e
fenmenos crticos. No Brasil, os primeiros trabalhos sobre transies de fases so fortemente
influenciados pelas pesquisas mais tradicionais em magnetismo. Analisam-se dados experimentais,
obtidos no Pals ou no Exterior, sobre transies de fases magnticas. O pessoal terico do grupo de
Recife (Mauricio D. Coutinho, lvon P. Fittipaldi, Marco A.G. de Moura) completa o doutoramento no
Pas estudando problemas de magnetismo, mas realiza estgios de ps-doutoramento no Exterior,
estudando transies de fases em sistemas magnticos. Sergio Rezende, especialista em magnetismo, tem
grande influncia nos trabalhos desenvolvidos em Recife. O grupo de Sido Paulo (Silvio R.A. Salinas e
Mari o J. de Oliveira) tem vrios contatos no Exterior, mas influenciado pelos trabalhos experimentais
em magnetismo realizados no Laborat rio de Baixas Temperaturas do IFUSP. Em Po rto Alegre, Claudio
Scherer trabalha com modelos magnticos. Em meados de setenta, Lindberg L Gonalves retorna para
Fortaleza, aps completar um doutoramento em sistemas magnticos de baixa dimensionalidade. Pascal
Lederer, especialista em magnetismo, visita o Brasil e d vrios seminrios sobre o grupo de
renormalizao, influenciando o trabalho de fsicos do CBPF e da PUC-RJ (Affonso Gomes e Carlos
Maurcio Chaves trabalham com Lederer). Em So Carlos, no entanto, as tcnicas de muitos corpos
aplicadas aos lquidos qunticos que influenciam os p ri meiros trabalhos na rea de mecnica estatstica
(Sylvio G. Rosa Jr., doutorado nos Estados Unidos, colabora com Roberto Lobo e Oscar Hiplito).
Posteriormente se estabelece em So Carlos uma linha de trabalho u ti lizando tcnicas de grupo de
renormalizaao para estudar o comportamento de modelos de mecnios estatstica e de teoria de
campos, sob a liderana de Roland Kberle; originrio da rea de partculas e campos, contando com o
apoio de Jorge A.Swieca, que havia se transferido para a Universidade Federal de So Carlos. Em Belo
Horizonte h um grande empenho no estudo, tanto expe ri mental quanto terico, de fenmenos de
transio de carter ferroeltrico (Francisco C.de S Barreto e Alaor Chaves, doutorados nos Estados

-149-
Unidos, lideram o grupo mineiro, que tambm contou, diversas vezes, com a colaborao do fsico
iugoslavo R.Blinc). Constantino Tsallis, doutorado na Frana, vem para Brasilia em 1975, trabalhando
com modelos magnticos e estruturais, mas depois se transfere para o CBPF, iniciando uma linha de
pesquisa sobre fenmenos de percolao e magnetismo aleatrio. Mais tarde, Walter e Alba Theumann,
formados em Nova York, se estabelecem em Porto Alegre. utilizando tcnicas de grupo de
renormalizao e teo ria de campos. As reas mais tradicionais da mecnica estatstica, que se
caracterizaram, no Exterior, por progressos menos espetaculares durante os ltimos anos. permanecem
muito pouco desenvolvidas no Brasil. Apesar de esforos isolados no estudo de fenmenos fora do
equilbrio, at recentemente apenas se destacavam os trabalhos sobre semicondutores do grupo da
UNICAMP, sob a liderana de Roberto Luzzi.

B. Situao Atual

Atualmente h grupos de pesquisa em fsica terica da matria condensada em praticamente todas as

univers idades brasileiras. Vrios estudantes dos ncleos mais antigos foram absorvidos nas suas
instituies de origem ou se fixaram em novos locais de trabalho.

No Nordeste, o grupo mais antigo, de Recife, teve um pequeno crescimento e continua muito ativo,
estimulado pelos trabalhos experimentais nas reas de magnetismo e ptica no linear. Em Recife
pesquisam-se propriedades de sistemas desordenados, semicondutores magnticos c o comportamento dc
modelos para explicar o magnetismo itinerante (em sistemas condutores). Pesquisam-se tambm
prop ri edades de sistemas com interaes competitivas, vidros de spin, fractais, caos e efeitos nn lineares.
Em Fortaleza, h trabalhos em sistemas magnticos de baixa dimensionalidade e fenmenos fora du
equilbrio. Na rea experimental, realizam-se medidas pticas que dato informaes sobre transies
estruturais. Em Natal, sob a liderana pioneira de Liacir Lucena, h trabalhos sobre modelos de
Perco lao e autmatos celulares (em colaborao com os grupos de Macei e do CBPF). H tambm
pesquisadores tericos investigando o espalhamento de luz em materiais magnticos. O grupo de Joo
Pessoa se dedica a estudos dc vidros de spin e sistemas desordenados. O grupo de Macei tem trabalhos
cm sistemas magnticos, fractais e autmatos celulares. O grupo de Salvador tem se dedicado an estudo
de efeitos no lineares, fsi ca estatstica fora do equilbrio e sistemas magnticos. Nos ltimos anos tem
se realizado, co m regularidade, um simpsio de fsi ca do Nordeste, possibilitando um intercmbio mais
expressivo entre os pesquisadores desta regio.

Em Belo Horizonte h pesquisas sobre fenmenos no lineares c propriedades estticas e dinmicas dc

modelos para sistemas de spins. Tm sido realizados clculos de relevncia experimental para a anlise
de efeitos no lineares em sistemas quase unidimensionais. Na UFMG h tambm grupos ativos nas
reas de fsica matemtica, com interesse em resultados rigorosos cm nnccnica estatstica. e de fsica de
semicondutores. O esforo anterior em ferroeletricidade cedeu lugar fsica dos semicondutores. Em
Brasilia h um grupo terico voltado para a fsica dos semicondutores e de modelos para sistemas

-150.
magnticos e ligas metlicas. A criao recente de um Centro Internacional de Ffsica da Matria
Condensada dever ter impacto considervel na ares

Na regio do Rio de Janeiro h pesquisa em fsica terica da matria condensada no CBPF, na PUC, na
UFRJ e na UFF. O grupo do CBPF tem vrios interesses, com atividades mais an tigas em transies de
fases e fenmenos crfticos em sistemas magnticos isolantes e modelos de percolao, e interesses mais
recentes em sistemas dinmicos no lineares, caos e faciais. No CBPF h tambm diversos pesquisadores
tericos com longa tradio no estudo das propriedades de modelos para o comportamento magntico de
metais e ligas metlicas. O grupo da PUC bastante diversificado - ha pesquisadores ativos no estudo de
sistemas magnticos com diluio, fenmenos de percolao e transies geomtricas, propriedades
eletrnicas de semicondutores, magnetismo itinerante e fenmenos de adsoro. Alguns pesquisadores
da PUC tam se dedicado a problemas de simulao numrica em modelos de teo ri a de campos e de
fsica da matria condensada. Na UFF, em Niteroi, o grupo terico conseguiu se expandir, dedicando-se
a diversos problemas - fsica de semicondutores, propriedades de superfcies e interfaces, propriedades
eletrnicas e magnticas de sistemas eletrnicos fortemente correlacionados, vidros de spin e sistemas
desordenados e autmatos celulares. Na UFRJ a atividade te rica reduzida (propriedades magnticas
de sistemas de terras raras), mas h um dos poucos grupos experimentais com trabalhos diretamente
relacionados com a fsica estatstica. O Laboratrio de Baixas Temperaturas, implantado por Eugenio
Le rner, se dedica ao estudo de fenmenos de adsoro e molhabilidade em sistemas de gases nobres
adsorvidos em grafite e propriedades de sistemas magnticos desordenados ou de baixa
dimensional idade.

Em So Paulo, h grupos tericos ativos nos dois "campus da USP. So Paulo e Sao Carlos, na
UNICAMP, e na Universidade Federal de S il o Carlos. No'campus" de So Paulo h laboratrios bem
estabelecidos, principalmente na rea de magnetismo em baixas temperaturas, com contribuies
significativas para o estudo de fenmenos crticos. Os pesquisadores do 1FUSP tem longa tradio no
estudo de p ropriedades eletrnicas de metais e semicondutores. Na rea de fsica estatstica, tam sido
abordados modelos para fenmenos multicrfticos. sistemas com interaes competitivas, vidros de spin e
sistemas desordenados, modelos estatsticos para transies em polmeros e cristais ferroeltricos. Tem
havido um certo grau de interao entre o grupo terico e os grupos experimentais (no estudo de
diagramas de fase de cristais antiferromagnticos isolantes e cristais lquidos termotrpicos). Em Sao
Paulo ha tambm um grupo ativo na rea de fsica matemtica, com interesse em resultados rigorosos
para sistemas desordenados. O grupo do Instituto de Fsica e Qumica de Sao Carlos tem longa tradio
na aplicao de tcnicas de muitos corpos para o estudo de problemas da fsica da matria condensada.
Alm dos trabalhos em semicondutores, atualmente h atividade expressiva na rea de sistemas
eletrnicos fortemente correlacionados, relevantes para a compreenso dos fenmenos de
supercondutividade nos novos materiais cermicos. A pesquisa em vidros de spin e sistemas
desordenados est dando origem em Sao Carlos a um grupo de trabalho em redes neuronais (em
cooperao com o grupo da UFRGS). No IFQSC-USP ainda se estudam diagramas de fase, fenmenos
multicrfticos e fractais, utilizando tcnicas de grupo de renormalizao e simulaes numricas. Na
Universidade Federal de So Carlos, cujo grupo sempre teve um grande contato com os pesquisadores da

-151-
USP, estudam-se prop ri edades eletrnicas de sistemas bidimensionais e heteroestruturas, bem como se
utilizam tcnicas numricas para estudar sistemas estatsticos bidimensionais d luz das teo ri as de
invarincia conforme. Finalmente, ainda no Estado de Sao Pauto. h vrios grupos tericos na
Universidade Estadual de Campinas. H atividades mais antigas e bem estabelecidas, na rea de fsica
estatstica fora do equilbrio, com aplicaes em fenmenos de transporte e propriedades pticas de
semicondutores, e no estudo de prop ri edades de mate ri ais magnticos. Tambm h atividades no clculo
de dinmica de redes cristalinas e em fsica de semicondutores. Mais recentemente, estabeleceu-se na
UNICAMP um grupo terico com interesses em problemas de dinmica quntica e caos, localizao,
metais e ligas e sistemas eletrnicos fortemente correlacionados.

Na regio Sul do Brasil, h pesquisas em fsica terica da matria condensada na UFRGS, na UFSM,
na UFSC e na UFPR. Em Po rt o Alegre, estudam-se fenmenos multicriticos, vidros de spin e sistemas
desordenados, problemas de localizao, propriedades de metais e ligas magnticas, fenmenos fora do
equilfbrio e, mais recentemente, em colaborao com o grupo de Sao Carlos, propriedadesde redes de
neurnios. O grupo de Santa Maria se dedica ao estudo de semicondutores e de propriedades magnticas
de metais e ligas metlicas. Na UFSC ha pesquisas tericas em transies de fases em modelos
magnticos e propriedades magnticas de superfcie. Em Curitiba. na Universidade Federal do Paran a,
humgrpoteicqulzansdetrmoica ntipraesudolhmnt
dc luzem fluidos.

C. Carlacias e Diflculdades

A rea de fsica estatstica teve um crescimento rpido nos ltimos dez anos, com uma produo
cientfica profi ss ionalmente aceita em nvel internacional. Atualmente h cerca de oitenta doutores
ativos na rea, distribuidos geograficamente por quase todo o pars, trabalhando em problemas suscitados
pela fsica da matria condensada. As atividades tericas so absolutamente preponderantes.

Os pesquisadores da Area tam tido uma participao ativa nus Encontros Nacionais de Fsica da
Matria Condensada e tm conseguido realizar algumas reunies especficas. H uma boa dose dc
intercmbio entre os grupos nacionais, dinamizado pelas reunies de trabalho. Neste ano dever estar
sendo realizada no Rio de Janeiro a XVII Conferncia Internacional de Termodinmica e Fsica
Estatstica, patrocinada pela IUPAP.

Apesar do progresso da rea no pas, podem-se apontar diversos problemas. Continuam muito fracos os
contatos entre os grupos experimentais c os grupos tericos. Na realidade, ao contrrio do que ocorre
nos Estados Unidos ou na Europa, ha pouqussimos grupos experimentais estudando novos problemas e
propondo questes aos tericos. Estas circunstncias obrigam muitas vezes os grupos tericos a se
dedicarem ao estudo de problemas mais abstratos, cuja prpria relevncia pode ser questionada. A
mdio prazo, o fortalecimento da rea no Brasil passa necessariamente por uma maior independncia na
gerao de p ro blemas e questes que possam ser estudados no Pals, tanto terica quanto

-152-
expe ri mentalmente. No momento j se nota uma cena diversidade nos problemas que tm sido
abordados pelos pesquisadores da rea. No entanto, as linhas de pesquisa em fsica terica da matria
condensada ainda precisam se ampliar, incluindo novos temas, como fenmenos fora do equilbrio.
processos de agregao e crescimento e modelos mecnico-estatsticos de novos materiais. E
absolutamente necessrio melhorar a nossa capacidade computacional e realizar um certo esforo no
desenvolvimento de tcnicas de simulao numrica.

Quase todos os grupos da rea tm sofrido com a falta crnica de recursos para material bibliogrfico,
intercmbio e aquisio de equipamentos. H vrios anos a atuao do CNPq vem sendo cri ticada. No
estgio atual de desenvolvimento da rea importante assegurar um nvel mnima de intercMthio com o
Exterior, tanto convidando pesquisadores estrangeiros quanto enviando delegaes expressivas s
pri ncipais conferncias internacionais. O fortalecimento da rea certamente depende de um apoio
decidido a todos os projetos experimentais. Os grupos tericos se ressentem de uma grande carncia de
recursos computacionais. Este fato particularmente grave na rea de fsica estatstica, em que o
computador tem desempenhado um papel central em muitos desenvolvimentos recentes. Dentro deste
quadro, o trabalho cientifico e o treinamento de pessoal nas novas tcnicas computacionais esto sendo
seriamente prejudicados.

7.3. PERSPECTVAS PARA A PRXIMA DCADA

A..Planos dos Grupos

Certamente muito difcil planejar a atividade de pesquisa cientfica, principalmente numa rea bsica,
de cunho eminentemente terico. Os grupos menores esto preocupados com a sua consolidao.
planejando atrair pessoal para reforar as atividades existentes. Os grupos ma is bem estabelecidos esto
preocupados em reforar certas reas de trabalho que, subitamente, se tornaram extremamente
importantes. H poucos anos era quase impossvel prever que as pesquisas em supercondutividade,
relegadas a poucos laboratrios, i ri am renascer com tamanha intensidade. Os grandes progressos na
compreenso dos fenmenos crticos em modelos de sistemas magnticos somente se verificaram na
medida em que as regras qunticas foram abandonadas, considerando-se os spins como entidades
clssicas. A supercondutividade, no entanto, um fenmeno eminentemente quntico. exigindo um
retorno As pesquisas sobre os modelos estatsticos qunticos. Vrios grupos tm condies para se
adaptar aos desafios desta pesquisa.

Os trabalhos em transies de fases e fenmenos crticos se desenvolveram em diversos centros do Pafs,

acompanhando o grande interesse suscitado por estes problemas em nvel internacional. No entanto,
reas mais tradicionais da fsica estatstica, caracterizadas por progressos menos espetaculares no
Exterior, permanecem quase inexploradas no Brasil. Os grupos experimentais tambm no
acompanharam o ritmo de crescimento dos ncleos tericos. Esta situao leva a distores srias. que se
constituem num reflexo do atual estgio de desenvolvimento do Pafs. A interao entre tericos e

-153-
experi mentais um processo absolutamente necessrio para uma prtica cientfica forte e com algum
grau de autonomia. No entanto, este 6 um processo complexo, que no vai ocorrer atravs de uma
simples manifestao de intenes. preciso fortalecer os grupos expe rimentais a fim de que a
produo, tanto quantitativa quanto qualitativamente, exija e estimule a participao dos tericos. Por
outro lado, nas condies brasileiras, atingida uma certa competncia terica em certas areas, preciso a
todo custo manter o que j existe. A falta de apoio a grupos tericos de indiscutvel qualidade, muitas
vezes at trabalhando em problemas abstratos, poder acarretar um grande prejuzo 1 fsica brasileira.

Na rea te rica fundamental que todos os grupos se esforcem para manter um alto nvel de excelncia
na aplicao de tcnicas modernas da fsica estatstica em problemas relevantes da fsica da matria
condensada. Torna-se imprescindvel atrair o maior nmero possvel de bons estudantes de ps-
graduao e incrementar o intercmbio cientifico com outros grupos do Pals e do Exterior. Tambm
fundamental melhorar o nvel das facilidades computacionais.

Na rea experimental, fundamental que surjam novos grupos de pesquisa nos diversos ramos da fsica
da matria condensada. O apoio aos novos grupos, no entanto, deve levar em conta que os trabalhos
experimentais mais significativos em transies de fases e fenmenos crticos no Brasil vm sendo
realizados nos laboratrios de baixas temperaturas do IFUSP e da UFRJ. Em So Paulo, ha planos de
expanso em supercondutividade e fsica experimental de semicondutores. No Rio de Janeiro tambm se
planeja uma expanso na rea de supercondutividade, alm de desenvolvimentos em filmes finos , anlise
de superfcies e mtodos de calorimetria AC. Estes planos so bastante concretos e devem se realizar se
no houver absoluta falta de recursos. Os grupos experimentais reclamam de um excesso de burocracia
na obteno de verbas, das dificuldades de importao, e da falta de uma infraestrutura de apoio mais
adequada. Certamente seria pelo menos sensato atentar para que estes grupos obtivessem o apoio
suficiente para manter o seu nvel de atividade. Qualquer recuo neste apoio - em nome de atividades
mais aplicadas nu de supostas repercusses tecnolgicas - poderia ocasionar danos srios cincia
brasileira.

B. Recursos Humanos

Os grupos tericos tem condies de formar um nmero adequado de alunos, mantidos o valor c as
quotas das bolsas de estudo. Na rea terica, devido maior oferta no mercado de trabalho, as
instituies cientficas podero contratar docentes de um padro cada vez mais elevado. E fundamental,
no entanto, que se intensifiquem as atividades de intercmbio cientfico e ps-doutoramento no Exterior.
Alguns alunos de excepcional qualidade talvez ainda pudessem ser estimulados a fazer o doutoramento
em grandes centros do Exterior. Na rea experimental a situao completamente diferente - h uma
grande carncia de pessoal qualificado.

-154-
 C Investimentos Necessrios

Nos laboratrios existentes os investimentos necessrios certamente sio pequenos da ordem de uns
USS 5 milhes. Na rea computacional exigem-se investimentos maiores, principalmente se for possvel
pensar num centro de supercomputao cientfica e no aparelhamento mnimo dos grupos existentes.
Estes investimentos, no entanto, teriam repercusscs em todas as reas da fsica.

-155-
 TARELA 7.1
PESSOAL CIENTIFICO E PRC3UTIVIDA2E

DOUTORES MESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS

INST1 TUICRO
GRUPO FORRADOS REVISTAS C/ ARBITRO
E T E IC . D K 0 78-82 83-87

2 0 0 0 2 0 3 0 t0 20
UFC

UFRN
0 0 5 0 0 12 36
K.ctnlca Ertacfrcici 5

uFPB
Becfin,c EstaclstIc 0 0 0 0 3 0 a 10

UFPt:
Ffslca Escacfrc,ea .
T.or,a da Katar,s
0 0 0 7 6 2 15 9 34 51
Cend.nrada 7

2 5 8 0 0 30 120
C UFAL 8 -

UF.riE
megn.c ...0 o 1 0 2

UFBA
6 3 3 17
I. Ffsic T.or:ca 4 0 4 0
2. Ffsies G e
0 0 O 0 6
Suc.rffcia 2 0 0 0 2

[IMF
0 0 0 0 2 0 5 7 33 65
:is,ca Estatistica 3

PUC-RJ
0 0 14 3 3 12 52 63
Mac.rLe Condensada 9 0
 TABELA 7.1 Contlnuallo
PESSOAL CJENTIFICO E PRODUT:VEDADE

I115T1TUICAO DOUTORES MESTRSS ESTUDANTES EST4DANTiS ARTIGOS

GRUPO }'OphAD09 REVISTAS C/AR8IT1i0
T E T S IC M D M 0 7 8-82 83-87

OFF
F r. ca EatatI.tic. } O 2 0 2 0 5 3 0 25 46

OrRJ
I. Mat4ri Conden.ada 0 1 0 2
2. Bagmen Temp O1 6 0 2 7 5 1 a 19

OFMG
Franc. da Mr.eri.
Condensada 12 0 0 0 2 4 5 23 a 43 77

.Dia
Tor i da Mat.ri a 21
5 0 0 0 3 4 O 0
^^,r Candenaad.
si T --

USN -SP
1. rfauca EnatutIc. 7 0 0 0 3 3 6 4 19 30
2. T.oria da M.t4r{a
Cond.n.ada 1 O O O

ONICAMP
1. Ff.ica E.t.tl.tic 7 0 0 0 O o 2 6 6 14 27
2. Fl.ic `.OrICa 6 0 0 0 O 6 1 3 2 30
3. Fl.ic d Mat4ri
Condnaada 2. 0 0 0 1 0 0 RS 3
4. Propriedade. 14
EItrdnice. 3 0 0 0 0 i 7 S 19
5 . Propri.dad Ttr-
i ca e Maga4ltica. 2
6. 'firma Atbaica
Molecular 4
7. Eletroqufaica
TABELA 7 ,1 Cenc i nuaClb
PESSOAL CIENTIFICO E PRODUTIVIDADE

ANSTITUIC75 ODUTOBES MESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS

GRUPO FORRADOS REVISTAS C/ ARBITRO
T 1 7 E IC R D R D 7 8 -82 83 -87

USP-SBo Carlos 8 0 0 0 0 3 4 17 lO 63 66

UFSCAR
1. F!u ca E.cacft1C 1 0 0 0 I 2 1 0 1 12 22
2. Is C a 5 0 0 0 1 3 3 3 1 18 11

UFPR
F1,Ca doi Fluido 1 O 0 0 0 3 1 2 0 S

UFSC ^ 0 D 0 2 0 3 0

UFRGS
1. r1.,Ca E.tatl.cica
Torta doe S611do 2 0 0 0 1 1 6 5 I 13 14
2. Propr udad 910170 -
011C4. d .611do. 6 0 1 0 0 1 1 3 4 14 24

UFBR
F1.ie da- Nat.rta
Cond.naada 2 0 2 1 0 5

TOTAL 128 6 13 9 65 55 60 132 67 447 SOS

 TABELA 7.2
GRUPOS E LINHAS DE PESQUISA

INSTITUICiO INICIO LINHAS DE PESQUISA TACBICAS MAIS RELEVANTES CUSTD ESTIMADO

GRUPO USO

UFCE 1977 S1ataaa da bs ora d1.nl1O-

rialldsd
Fn0 Form do quilfbrlo

UFRN 1979 FnOSno crtico s trsnslcas

d fass caO/s eutasaLOs Clu-
Iarsi reds d nuranlose vldros
d epinl fractag

UFPB 1975 FenOano crftico

S ein lca Estatfatic Vidros d spvn

UFPE 1975 Transic0e d fames fnOane

Cr1LsCd
5 +t 4ordnadoa aagn/ttca
47 g ico.
^ Bagneuaao i t i
Snicondutore agnticos
Interacare coapecitbva, Ce
afeitos ri fo l i neara a uc.ae
agnat ICOO

UFAL :976 TransncOe I. fames fena.noe

cr ILseO
S . ce.a CsordrnadO
Maync u.e d suprffc1
Sistemas frctsir
AutOaco cluleram

UFSE 1985 Ffs,ca amtatlstic d imat.a

Magnetismo aagnticOa d 1 ' LI

U FBA 1964 S. tni.ico

Ffs: a Trdr:c Si .`rectala
Tranaie d fame.
Si fore do quiIfSrso
Fundamentos de .cin.C shimmies
quAntice
TABELA 7 -2 Centinuale
GRUPOS E LINHAS OE PESQUISA

1NSTITUIEO INICIO LIMAS DE PESQUISA TiCNICAS il1S RELSVANTCS CUSTO ESTIRADO

GRUPO Us.

2. Ffvica d 1986 Slcrorcopta tOnica d. campo

Suprffc u Ea trutur d uprffcta
faiee-qul.lc d catalizadores

CBPF 1977 SI .ginditleoV locvllsade

F1.Ica E.tatfat lea Prcol.e, Laurie d gr.fo
fractals, i Inaicom nb
lI caos
Rd o d nurdnio
S I egnu
AutOute clularr
Magnetismo itln.rvet super-
condutividade

PUC-RJ 1971 Transi0a d fame. fnO.uo

fat.rri Cenderisadia cr lL lca
Prnprldadu lcrOnrCVa d
dlide

UFF 1981 RcAnlc. atatfvtica Grupe da rnor.allraCie

FIrC. Eatatfatica Rd.s d lIurOnioa SimulacOes com computadores
Propriedades 1trOnlcaa
aagntitaa de laLao. co.
laio forte
Si tesaa daaordnadoa
AutOaatar cIularr
Supercondutividade

UFRJ 1985 Preprldadaa agnaticar d

t. is Condenada Mt.... de turma raras
2. Sai Temperatures 1972 Adaoro olhbl Ildad
Suites. agntieo. daordnado
d balsa diuen.ionelidad Medidor crtogniea. Refrige-
Inutruantaio elntffica rador d diluio 1.000.000
Calor .pclfIco de gave. Rdidar d ealer uocfficc.
adaoruion. aagncr2aie rurcocrbrlidd
SuperconCULivld.d a caer.- gntica. coneutividad car-mica
tuna. alto.. Itr:ca.
TieniCav de ad.orCao volu.tri u ,
.didar d. capaeitncia nrda
dtaltr:Caa.
TABELA 7.2
GRUPOS E LINHAS DE PESCUISA Cont,nuaSio

INSTITUICIO INICIO LINHAS D PESQUISA TSCNICAS EA19 RELEVANTES CUSTO ESTIRADO

GRUPO USs

UFF.G 1971 TranslCa. d. fames

Frolics da Rat.rl Fnaa.no nio II
Condensed Si tu1 'Mertes

UNO 1982 Semicondutores

Torls da fletiria ]f.1al 1198o
Condensed FIn Ica
1I n.c1 aro

USP-SP 1971 Tranrl0. de fames fndanoa

1. Fls,c. Estsc:IClcs
2. Tor,a de !interim
Condesa
cr1t,COS
lnL.r.Sal coapeticlvar, elm-
Lem desordan.d0., f l
1976 Estado, ,.trancos a proprl-
ded a.90408 Ice d 11ga
motile .aorfo.
51IC.aam supercondutor.

UNICARP 1970 F.naaa nos d. r.la Kio a .a, -

1. Prolog Estatracica condutores

Transport* ultra-rip,do .s .a, -

condutor.
Propr,.daau tlpt,us de aa,-
conducore
H,drodlnialca 9 I,sada
Tran.porto nio linger
R.todele9la ea aacLnlca .atat, -
t,Ca de n80 equ11fbr10
2. Plaice T.drlca 19 61 3 D,ni.Ica avint,c de sub si
D lnis,c euint ice de Caos
Local l2aCio
Espectro de el ------ cadt, ce
Emu-rut-urn ItrOnlc
Rotate ligas - proprld.dal
ltrdnlcam
TARED 7.2 Cenunu.Cb
GRUPOS C LINHAS DE PESQUISA

IRSTITUIEO IRfCiO LIBRAS OE PESQUISA TICNICaS SAIS RELEVANTES CUSTO ESTIMADO

GRUPO USG

UHICANP
3. F:.ics d. H.tirta
Condensed. 1970 Supercondutividade a !tu tempe-
ratures
Dlnllaica d rede as rLal
4. Fields da NaLIrLa
Condena.da 1970 Nagnetlaso fn..anes crftico
Su p dUttvldade
Valencia. Intersdler uI
Efeito Jahn -Teller

USP-Sio Carlo. 1960 Tranat0ba de faI/ tnEsnoI

Crfttco.
SIasa. doardnsdo
Redo. neLLron.l.
Filraton. pesados uprcondttt-
vid.d

DFSCAR 1901 TranslcEes de f f.nOs.noa

1. Nile' Eatatfa lca
2. Datiri. Condn..d.
critico.
SI l.Lrenico de bauaa
da .n tonalldad
Propriedades de n stssa de suite
carpo.
Dlnllstc. .olcular

UFPR 19R7 Trsodtna.tca. LaCrta ctntica

Ff.lca dom Flaldo .palhaanto d Iva fluido.

UFSC 1979 Dlagresa de fames d .I

nttf.rroaagnsttcol
Propriedade d sup.rffcl
 TABELA 7.2 ContlnuaCRO
LINHAS E GRUPOS DE PESQUISA

INSTITUICEO IHIC:D LINHAS DE PESQUISA TtCNICAS IIA IS REL.EVAHTES CUS77 ESTIRADO

GRUPO US.

UFRGS 1982 Fond Micas m *2 LL

1. rLSica Eatalstece ordenado dpordnados
Teoria doa Shcedde Aed. de n.urneo.
Localixaclo
Supercor.duttiuedad
2. Prdpredade EItr6- Valsncea Area.
nicas d Shcdos Lega e.tAleea. .mecondutora
Feraeon pesadoa suprconaut-
vedad
Aut6aatos celulares agregados
fraction!

UFSR :982 Seconautore

Flalca de Matria Magneti smo
Condenseda Valsncea e aria
Implantado am adldd
i.
M
M
TABELA 7.3
PERSPECT IVAS PARA OS PRXIXOS 5 ANOS

INSTITUICXO CAPACIDADE DE FORMAXO EXPANS>O DO GRUPO

GRUPO CONDICOES ATUAIS CONDIOES IDEAIS CONDIOES ATUAIS CONDIOES IDEAIS
U D N D d D 11 D

LIME* -

VFRd 3 0 10 0 0 0 2

UFPB

UFPE

UFAL* 5 20 2 - 4

UFSE*R 0 l 0 2 0 2 4"

UFBA 15 2 30 4 0 2 0 4

CBPF 6 10 6 10 0 0 0 2

PUC-RJ 20 10 20 10 0 1 0 3

UFF 10 10 5 0 2 0 2

UFRJ
(1)
121 6
- 3 10 6 0 2 2 0

UFMO IB 10 25 15 0 1 0 3

USU. 20 0 15 5 0 2 0 3
 TABELA 7.3 CantlnuscIO
PERSPECTIVAS PARA OS P114I1110S 5 ANOS

INSTITUIIO CAPACIDADE DE FURNACE EIPANSIO DO GRUPO
CORD:CUES ATUAIS WNDIC0ES IDEAIS 0011D1CLE5 ATUAIS comotoois IDEAIS
A 0 A P N 0 R D

USP -Sie Paula

(11 3 6 6 10 0 0 3
121 Q O 2

ONICARP
111 2 3 2 3 0 0 0
(2) -
131 - - - -
14) 2 5 3 6 0 i 0 2

USP-Slo Carlo 8 8 10 12 0 1 0 2

. UTSCAU
Q, r1) 4 2 6 3 0 0 0 2
V. 1 2) 5 5 10 8 0 1 0 3

UFPR 10 5 10 5 1 3 3 3

UFSCa

UFRGS
( 1) 2 7 6 10 0 1 0 3
7 3 12 6 0 0 0 3
(21

UF$Rea 3 2 0 5 0 2 0

TOTAL 135 07 201 124 3 24 5 58

s SO too progress d altrada

: Nip Lon programs I. po-greduaclo
- Ala hi rupaats -
8. Cristalografia e
Estrutura de Slidos

8.1 DESCRIO

A. Introduo

A Cristalografia considerada atualmente como uma disciplina bsica na Fsica da Matria

Condensada. Como rea de pesquisa, tem-se organizado desde a dcada de 40, agrupando uma
comunidade cientifica com identidade prpria que conta hoje com quase 9.000 cristalgrafos em todo o
mundo (cerca de 100 no Brasil). As contribuies da Cristalografia Mineralogia, Fsica, Qumica,
Biologia, Cincia e Engenharia de Materiais tem estabelecido ligaes estreitas entre os cientistas destas
diversas Areas de pesquisa. A criao, em 1944, da Unio Inte rn acional de Cristalografia, o aparecimento
da Acta Cristallographica em 1948 e a liderana e empenho de grandes cientistas como 01. Bragg, P.P.
Ewald e outros, mantiveram a Cristalografia como disciplina distinta dentro das diversas reas em que
ela atua.

O nascimento da Cristalogra fi a moderna marcado pela descoberta da difrao de raios-X por cristais
pelo grupo de Max von Laue em 1912 e a determinao da primeira estrutura cristalina por W.L Bragg
no mesmo ano. A nova tcnica de difrao de raios-X permitiu a verificao expe ri mental das teo ri as
existentes sobre estruturas cristalinas devidas ao Abade Ren Just Hauy (1743-1826), as teo ri as de
Navier, Cauchy e Poisson sobre deformao nos slidos, e abriu caminho para o desenvolvimento da
obra fundamental de Born sobre a dinmica de redes (Dinamik der Kristallgitter, 1914).

Devido intima interrelao entre as propriedades fsicas e o arranjo dos tomos nos lquidos e slidos,
o conhecimento estrutural da matria, incluindo os aspectos estticos e dinmicos, as estruturas mdias
atmicas e magnticas e as imperfeies (defeitos pontuais, deslocaes, interfaces), essencial para a
pesquisa em Fsica da Matria Condensada. A Cristalografia tem como finalidade p ri ncipal a
determinao da estrutura da matria, nos diferentes graus de ordenao que ela pode apresentar e nas
diferentes escalas (atmica e superatmica). As tcnicas experimentais de difrao e de espalhamento de
raios-X so, na maioria dos casos, as ferramentas principais em Cristalografia. A interao dos raios-X
com a matria d lugar tambm a outros fenmenos que originaram aplicaes, tambm importantes,
nos estudos estruturais, tais como as espectroscopias de emisso (fluorescncia) e absoro (EXAFS). A
difrao e o espalhamento de neutrons e de eltrons ocupam tambm um lugar relevante entre as
tcnicas usadas pelos cristalgrafos.

A anlise e interpretao dos resultados de difrao e espalhamento de raios-X exige conhecimentos

aprofundados da interao da radiao com a matria, de formalismos de Fsica e Matemtica tericas e
aplicadas (transformadas de Fou ri er e tcnicas computacionais de transformadas inversas) e de Fsica da
Matria Condensada. E necessrio um conhecimento especifico em Cristalografia para se poder extrair

-166-
das tcnicas cristalogrficas o contedo cientifico necessrio s pesquisas interdisciplinares. E este Fato
que define a necessidade dos pesquisadores formados em fsica bsica e interessados nestes temas, de
estarem diretamente vinculados aos laboratrios de Cristalografia.

B. Aplicaes em Pesquisa

A escolha da tcnica a ser utili zada para registrar a difrao de raios-X, nutrons ou eltrons, depende
do tipo de informao desejada. Os mtodos de cristal nico so os mais apropriados para a
determinao de estruturas mdias e para o estudo das imperfeies da rede cristalina.

Os estudos da estrutura mdia de cristais nicos visam a determinao do grupo de simetria, os

parmetros de rede e as posies atmicas da unidade assimtrica. Progressos importantes nesta Area
foram a introduo de novas tcnicas matemticas de resoluo estrutural (mtodos diretos) e o
desenvolvimento de diversos mtodos de determinao de fases das reflexes de Bragg, como os de
substituio isomrfica, espalhamento anmalo e difrao mltipla. O conhecimento parcial do conjunto
de fases facilita o processo de sntese de Fourier que conduz determinao da estrutura atmica dos
slidos cristalinos.

A utilizao de tcnicas dc p c ri stalino representa, muitas vezes, o nico cominho para obter
difratogramas no caso de amostras em que difcil obter monocristais ou para o estudo de mudanas de
estrutura e transies de fase em amostras submetidas a altas presses, campos magnticos, variaes de
temperatura, etc. Os avanos re ce ntes nos mtodos de anlise dos dados provenientes da difrao por p
cristalino (mtodo de Rietveld e outros) tem possibilitado a determinao de algumas estruturas com
preciso comparvel obtida nas experincias de cristal nico.

Muitas propriedades fsicas so mais sensveis s imperfeies da estrutura do que ao tipo de arranjo
atmico mdio. Por isso, alm de pesquisar as estruturas atmicas mdias dos cristais, os cristalgrafos
estudam as caractersticas dos defeitos de periodicidade estticos (associados a impurezas, vacncias,
superfcies externas, interfaces), e dinmicos (fnons). A deteco e anlise do espalhamento ineLlstico
de nut ro ns e, recentemente, de raios-X com fontes dc slncrotron (Peisl, 1988), so realizadas para a
determinao das funes de disperso de slidos c ri stalinos.

Os mtodos de difrao de nutrons, e recentemente tambm de raios-X, so tambm u ti lizados para a

determinao da estrutura magntica dos slidos cristalinos.

A difrao produzida por lquidos e slidos amorfos consiste em b an das difusas em contraposio com
as reflexes ntidas e estreitas dos materiais cristalinos. Um tratamento cuidadoso da intensidade
espalhada eliminando contribuies parasitas, permite obter dados estruturais a partir da funo de
distribuio radial (RDF). As distncias entre primeiros vizinhos e o nmero de coordenao podem ser
obtidos para slidos amorfos simples. No estudo de sistemas amorfos de vrios componentes, o uso do

-167-
mtodo de substituio isomrfica e do efeito dc disperso anmala utilizando o espalhamento obtido
oom feixes de dois comp ri mentos de onda diferentes, perto dos limiares de absoro das vrias espcies
atmicas e out ro afastado das mesmas, permite simplificar o tratamento analtico do problema para a
obteno das funes parciais (associadas a cada tipo de tomo) de distribuio radial. Atualmente o
estudo de estruturas amorfas com 3 ou mais componentes continua sendo tema em aberto.

Diversos mate ri ais moleculares apresentam fases cuja estrutura tem um ordenamento parcial, com um
grau intermedirio entre os dos slidos c ri stalinos e amorfos. Trata-se das mesofases dos cristais lquidos
(termotrpicos e liotrpicos), cujo ordenamento molecular pode ser apenas orientacional ou tambm
posicional em 1, 2, 3 dimenses. Estes tipos de estrutura so tambm observadas cm sistemas micelares e
membranas biolgicas. Os diagramas de difrao de raios X (ou neutrons) produzidos por estes materiais
-

so variados, podendo ser constituidos somente por domnios difusos ou incluir tambm reflexes bem
definidas, dependendo do grau e tipo de ordenamento. As experincias de difrao permitem em geral a
elaborao de modelos estruturais moleculares ou supermolcculares que permitem expli ca r diversas
propriedades fsico-qufmiuss e as anisotropias observadas nestes mate ri ais. Elas contribuem tambm
compreenso das funes das micelas e membranas biolgicas.

A estrutura dos polmeros se ca racteriza tambm por um grau de ordenamento intermedirio entre os
slidos cristalinos e amorfos. Estes materiais tem, em geral, estrutura heterognea com regies mais
ordenadas ('cristalinas") e desordenadas, sendo as fraes de ca da fase dependente do processo de
obteno. As fases cristalinas podem ter correlaes orientacionais. A difrao de raios-X d comumente
utilizada para a caracterizao estrutural dos polmeros (determinao da frao de fase cristalina,
orientao preferencial, etc).

As tcnicas espectroscpicas, EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure), XANES (X-ray
Absorption Near Edge Structure) e SEFAXS (Surface Sensitive Extended X-ray Absorption Fine
Structure) so baseadas na anlise da estrutura fina oscilatria que aparece no lado das alias energias
das deseontinuidades nos espectros de absoro de raios-X. A anlise se estende at vrias centenas de
eV a pa rt ir do limiar de absoro rio caso de EXAFS e SEFAX, ou se limi ta a alguns eV no caso do
Xanes. As aplicaes principais destas tcnicas tem sido as determinaes de estrutura atmica de
materiais amorfos, estruturas locais ao redor de impurezas em mate ri ais c ristalinos e estruturas de
catalizadores. Atualmente, a tcnica de SEXAFS, usando radiao de sncrotron, est sendo utilizada
para estudo de superfcies e interfaces em sistemas epitaxiais, adsoro fsica e qumica em superfcies,
etc.

O espalhamento central difuso de raios-X (SAXS, Small Angle X-ray Scatte ri ng) e o espalhamento de
neutrons a baixos Angulos (SANS. Small Angle Neutron Scattering) so tcnicas bem estabelecidas para
o estudo de slidos porosos ou com segregao de fases e de partculas em soluo. A determinao de
parmetros dimensionais e de forma das heterogeneidades nesses materiais (poros, agregados ou
partculas) feita a partir da anlise das curvas de intensidade, por mtodos de clculos apropriados a
cada sistema. Recentemente a tcnica de SAXS vem se aplicando com sucesso ao estudo de processos de

-168-
formao de estruturas fractais a partir de solues monumricas ou de colides. A tcnica de SAXS se
beneficia particularmente da radiao sfncrotron devido, em geral, is baix as intensidades do
espalhamento e s po ss ibilidades que oferece de se obter resultados experimentais livres de aberraes
pticas de se poder realizar experincias cinticas com unia resoluo at de milisegundos.

Finalmente, entre os temas de pesquisa de fronteira, devemos mencionar o estudo de fases quasi-
cristalinas (quasi-c ry stals), a determinao das caractersticas de fases incomensurveis, a cristalografia
de poucas camadas atmicas (eventualmente monocamadas) sobre superfcies slidas e a determinao
das estruturas de molculas biolgicas complexas. A disponibilidade da radiao de sfncrotron, junto com
o desenvolvimento de novos mtodos computacionais e complexos sistemas de coleta de dados, e o uso
de estaes grficas tem levado recentemente h resoluo da estrutura dos virus causantes de diversas
doenas como a gripe e a poliomielite. A determinao da estrutura dos centros de reao fotossinttica,
complexos de protenas e pigmentos responsveis pela fotossfntese, representou para os autores a
obteno do Prmio Nobel de Qumica em 1988. Este o 24o. Prmio Nobel em Fsica ou Qumica que
associado a pesquisas com tcnicas cristalogrficas.

C. Aplicaes Tecnolglca9

As tcnicas cristalogrficas e outras tcnicas experimentais utilizadas na fsi ca da matria condensada,

so imprescindveis em laboratrios dedicados pesquisa e desenvolvimento de novos materiais. Os
mtodos de difrao so co mumente utilizados em pesquisas tecnolgicas e at em processos industriais
de obteno e controle de qualidade de materiais. As aplicaes mais relevantes nas reas co m
implicaes tecnolgicas so: determinao de composio de fases cristalinas, anlise de textura,
determinao de tamanho de cristais, determinao de densidade de deslocaes (topografia), estudo de
defeitos pontuais em silcio livre de deslocaes, orientao de monocristais, anlise de tenses residuais
em peas, determinao de austenita retida em aos, mineralogia e petrologia de solos, caracterizao de
catalizadores. caracterizao de produtos naturais e frmacos, engenharia de protenas e outras.

D. Instrumentao

As possibilidades de aplicao das tcnicas cristalogrficas em estudos estruturais tam avanado

enormemente nas ltimas duas dcadas. Desde as primeiras experincias de difrao de raios-X, em
1912, at a dcada de 60, os progressos quanto aos meios disponveis para os estudos cristalogrficos
foram escassos, utilizando-se durante 50 anos fontes e detectores similares. A pa rt ir de fins da dcada de
60 os progressos tcnicos e metodolgicos foram dramticos. A disponibilidade de fontes mais potentes
(geradores de anodo rotatrio e fontes de luz sncrotron), computadores de grande porte e detectores
sensveis h posio, permitiram progressos enormes nas pesquisas de estrutura da matria condensada.

-169-
 A disponibilidade de computadores de grande po rt e possibilitou a aplicao de mtodos de resoluo
de estrutura, que haviam sido desenvolvidos no passado, mas que reque ri am complexos clculos. O
exemplo mais evidente o mtodo de Karle e Hauptmann, que foi desenvolvido na dcada de 50 mas
que somente comeou a se difundir com o uso de grandes computadores. Isto fez com que Karle e
Hauptmann recebessem o prmio Nobel pelo seu trabalho terico 30 anos depois de sua publicao.

As fontes de raios-X clssicas utilizam tubos selados de potncia nominal da ordem de 1 KW. A partir
da dcada de 60 comearam a ser u ti lizados os geradores de anodo ro tat ri o com uma potncia de 6 a
100 KW e, na dcada de 70, as fontes de luz sfncrotron. Estas fontes so constitudas por um anel de
acumulao de elt ro ns ou psitrons. Os anis com eltrons de energia da ordem de 2 GeV ou superior e
corrente da ordem de 100 mA, geram um espectro de radiao eletromagntica intenso que inclui ftons
com energia da ordem de 10 KeV, que so utilizados correntemente nas experincias de difrao e
espalhamento de raios-X. Estas fontes produzem um espectro continuo, pulsado e polarizado de
intensidade 104 vezes maior que a das linhas de emisso caractersticas das fontes de raios-X
convencionais e entre 102 e 103 vezes maior que as fontes de anodo rotatrio. Esse fator de acrscimo
bem maior se comp ararmos os espectros de emisso das fontes de luz sfncrotron com a regio continua
dos espectros das fontes convencionais. Isto fez com que as tcnicas que utilizam feixe branco como a de
Laue, EXAFS e XANES se desenvolvessem significativamente.

Os detectores de raios-X utilizados at a dcada de 60 eram filmes fotogrficos e detectores de gas

(Geiger-Muller, cameras de ionizao ou proporcionais). A partir da dcada de 60 comearam a ser
utilizados os detectores de estado slido Ge(Li) e Si(Li), permitindo uma resoluo em energia supe ri or
dos detectores a gs, e os detectores sensveis posio a gs ou de estado slido (CCD e Reticon). Os
detectores sensveis posio equivalem a aproximadamente 100 detectores clssicos em paralelo.

A associao de fontes de sfncrotron e detectores sensveis posio permitiram a realizao de

experincias impossveis antes da disponibilidade destes intrumentos. Citaremos dentre elas os estudos
de reconstruo de estrutura superfi ci al de semicondutores, estrutura de interfaces e de monocamadas
adsorvidas, cinticas de EXAFS (variaes estruturais rpidas), estruturas magnticas, espalhamento
inelastico, segregao superficial, dinmicas de deslocaes e de cristalizao. etc

A Cristalografia atravessa um momento de forte progresso j6 que a potncia das fontes e a eficincia e
resoluo dos novos detectores em construo, e em desenvolvimento, no cessam de aumentar. As
fontes de luz sincrotron de 3a. gerao e de alta emergia (E > 6 GeV) em construo na Frana, USA e
Japo, constitudas por onduladores inse ri dos em anis de acumulao, fornecero um ganho de
brilhncia adicional de no minimo 10 4 com respeito aos anis atualmente em uso. Estas fontes estaro
em operao a partir de 1993. Por outro lado, prev-se para um futuro prximo a produo comer ci al de
um detector que reune as condies ideais quanto resoluo espacial, eficincia e ao intervalo
dinmico. Trata-se das 'imaging plates' desenvolvidas recentemente no Japo e cuja difuso levar,
provavelmente, a substituir com vantagem a maior parte dos detectores atualmente cm uso.

-170-
 Os progressos tecnolgicos associados s fontes de raios-X (anodos rotatrios, sincrotron) e tambm de
neutrons, aos detectores e aos meios de clculo, fazem com que os laboratrios de C ristalografia possam
realizar pesquisas com maior resoludo espacial e temporal e estudos estruturais mais complexos.
Evidentemente os equipamentos necessrios para a realizao de muitos tipos de pesquisas de fronteira
na Cristalografia mode rn a, tm custo e complexidade bem maior que os convencionais. Isto faz com que
a implantaao de novos laborat ri os, ou a modernizao dos atuais, precise necessariamente de
investimentos relativamente importantes e de um maior esforo de formao de pessoal cientifico e
tcnico, assim como de uma infraestrutura de apoio mais completa.

8.2 SITUAO DA AREA NO PAIS

A. Breve Histrico

As pesquisas utilizando tcnicas de difrao de raios-X tiveram incio nos anos 50, quando E.Tvora,
aps doutoramento nos EUA com MJ. Buerger no MIT, retornou Faculdade Nacional de Filosofia do
Rio de Janeiro. As suas pesquisas contriburam formaao de fsicos e qumicos nesta rea. E o caso de
Y. P. Mascarenhas quem, aps formao no Rio e em Pittsburgh, EUA, deu incio em 1961 a instalaao
do Laboratrio de Cristalografia de Sao Carlos, com nfase em cristalografia estrutural de cristais nicos.
A partir das atividades desse laboratrio e dos contatos internacionais efetuados atravs dele, alguns
novos grupos se instalaram no Pais C.Cusatis, aps mestrado nos EUA (1969), doutoramento no IFQSC-
USP e ps-doutoramento em B ristol, Inglaterra, implantou a linha de ptica de raios-X na UFPr. A.
ara se fixar em Sao Carlos, onde iniciou Craievch,psdoutmneOray,Ffoicnvdp
pesquisas por espalhamento de raios-X em baixo angulo de slidos amorfos na inicio da dcada de 70.

No incio dos anos 70, dois laborat ri os comearam pesquisas em cristais naturais: o de Fsica dos
Cristais da UFGo (A. Ghirardi) e ode Cristalografia da UFBa, este com a vinda de Z. Baran da Polnia.

Em 1963 o 'EA (atual 1PEN) decidiu iniciar pesquisas na area de Fsica da Matria Condensada. Foi
assim implantado o grupo de difraao de nutrons (C. Parente) e, no final da dcada de 60, o grupo de
difrado de raios-X, com a vinda de S. Caticha-Ellis do exte rior, que comeou a investigar defeitos
produzidos por irradiao em monocristais.

A transferncia de S.Caticha-Ellis para Campinas, em 1971, definiu o incio do Laboratrio de

Cristalografia da UNICAMP, com atividades centradas, principalmente, em Cristalografia Fsica
defeitos em cristais e teoria da difrao. A incorporaio de S. Chang e 1. Torriani, chegados dos Estados
Unidos em 1974, marcou o comeo nesse grupo de diversas aplicaes da difraao mltipla de raios-X e
da difmdo e espalhamento de raios -X em baixo angulo.

-171-
 Em 1974, a part ir das atividades inicialmente desenvolvidas no 1EA, se formou o Laboratrio de
Cristalografia do IFUSP, com pesquisas sobre defeitos em cristais (C.A. Pimentel) e em cristais lquidos
(LQ. Amaral).

Na dcada de 1980 cerca de uma dezena de novos laboratrios de Cristalografia foram implantados, a
maior pane dos quais no atingiram um grau satisfatrio de desenvolvimento devido s dificuldades de
se obter financiamento para os projetos de pesquisa.

O Laboratrio Nacional de Luz Sfncrotron (LNLS) comeou as suas atividades em 1987 e prev a
construo de uma fonte e radiao de amplo espectro (ultra-violeta e raios-X) num prazo de 6 anos.
Esta fonte dever ser utilizada por pesquisadores de diversas reas de pesquisa em Fsica. Qumica.
Biologia e Cincia dos Materiais. Um nmero significativo de cristalgrafos j realizaram . experincias
con fontes de luz sfncrotron no exterior, o que permite prever um potencial significativo de aplicao
futura da fonte do LNLS na rea de Cristalografia.

B. Situao Atual

Existem atualmente vrias dezenas de laboratrios nas reas dc pesquisa de Fsica, Qumica. Biofsica,
Geologia e Cincia dos Materiais que dispem de laboratrios dc difrao de raios-X. Muitos deles
utilizam a difrao como tcnica experimental auxiliar, por exemplo na caracterizao de minerais.
obteno e desenvolvimento de novos materiais ou o estudo dc propriedades fsicas c qumicas vrias.
Dentre eles contam-se aproximadamente 20 laboratrios de Cristalografia cujos objetivos principais so
as pesquisas de estrutura dc slidos c ri stalinos e amorfos, imperfeies, etc., utilizando frequentemente
outras tcnicas auxiliares (espectrocopia. ATD. ATG, MET. MEV. SAD, microanlise dc raios-X) para a
elaborao de modelos estruturais e, s vezes, realizando medida'. fsicas ou correlacionando os estudos
estruturais com propriedades fsicas j estudadas.

No Quadro I. esto listados os 15 grupos que responderam o questionrio da Sociedade Brasileira de

Fsica, que pesquisam, principalmente, aspectos estruturais da matria condensada e as suas linhas de
pesquisa e tcnicas relevantes . Outros grupos que utilizam tcnicas de difrao, e que tambm
responderam o questionrio, no foram includos no quadro por serem as suas atividades associadas
Cri stalografia de interesse apenas parcial. Eles so: IPD/CTA (Materiais), UNESP-Araraquara
(Materiais), DEMA-UFSCar (Materiais polimeros e cermicos). UNESP-Rib Cl aro (Petrologia) e
UNICAMP (Grupo de Carvo e Combustveis Alternativos).

Dos 15 grupos da rea de Cristalogra fi a listados no quadro 1, 12 utilizam tcnicas de difrao e

espalhamento de raios-X, I (IPEN) dispe de facilidades para o escudo de difrao de neutrons e 2
(IFUSP, Propr. Mec., UFPr), utilizam a microscopia e/ou a difrao eletrnica. Vrios deles utilizam a
microscopia ptica e outras tcnicas auxiliares. A fonte de neutrons do IPEN, em funcionamento h mais
de 20 anos, a nica existente na Amrica do Sul destinada a estudos da estrutura da matria

-172-
 TABELA 0.1
GRUPOS.DE PESQUISA - SITUACAO ATUAL
1NSTITUICIO ESTAGIO LINHAS DE PESQUISA TCNICAS SAIS RELEVANTES CUSTO ESTIMADO
GRUPO USA

UFAL C DetrsinaClo do strutura EspCtrofote.etrl. /d

Quf.tca d sonocri;tsi Nicroscopi Optic.
CraclmentO d Cri.t.ta
Uinlsica molecular

UFBA 1 Teores da dlfralo d raios-I Dlfr to.etria d policri.tal

Flrica I Ntodptogls sxprt I e Topograrts de ratos-X 200.000
tcnicb d dtfraclo Tcnicas de L aue DaOy-SeT rrar
Notes esrsetertzacio d
derettos A cristais

UNA C Estrutura ds ntObio-tantalatos NtcrosCopis optics

Geologi Iafrlto pifratosocria d ra.os-I o/d
1 Cri.tslograft de gesso

UFGO I CristalOgrails por dtfracle de Dlrrato.trta da rstos-X

Flstea d ratos -I Espaetrorocometrta 140.000
I Cristaiograh Opttca Refrato.atr u
V
u ----------------_---.---.-...._.-.___---..'------------ ----------- --- -------------

UrnG Dter.tnaAe da acruturas d Dtfrsto..tria I. .onocrtstsi.

Qufmue .onocristais fClaar de DissesD.rgi s/d

UFNJ C Propriedades astrutursi de Dtfratoaatria da poliariscat

Ffaies CoamstOa a molecular*.
1 DetarrtnaAo de eatrutvrss Dlfrstosatrla d .onoariststs 450.000
Cristalina.
I Instrumentalo para dlfrsclo
d raios -I
I Ntodo Co.putaclOnata media-
doo A difraClo de r u o.-X

CBPF C TrnsicOsa da foss struturs Difr.tometrls d polies-late.' 250.000

d &lidos amorfos cristais SAIS IKratky]
aolcularss
In otrusntalo Clears d Gutntr

UNESP-Flsico-Qufmica I DatrsinaCio de .iruturas d

raraqusra aonOcristat a/d s/d
TABELA 0.1 Continualo
CRUPOS DEPESQOISA - SITUACIO ATUAL

1RSTITUICSO ESTAGIO LINHAS DE PESQUISA TCNICAS SAIS RELEVANTES CUSTO ESTIRADO

GRUPO us.

I FQSC - USP C Crlstalogr.fl d pquna. D )fratontrla d p011cri.t.ir

Ff.ica .i0 1io1. (monOcri.ta l SAIS
Cristalografia. .Lrutural D ifratoaatri d .onocrlatsla
(R(wld) (Cloar d Ura.nrg) 800.000
Carctric.cle A. .onocrl.tal Dl trio (auto.atics) d
C latri.0 amorfos olu . onocr i st r

UNI CAKP C Turim d spalhi..nto d Difratometria d policr uui

Fsico roer I. Laemr d raiom-Y D ifraclo adltipla imonocriet.aisi
C Espalhamento d rio.-X por SAYS
slido poroso acro.e- Topografia d r.io.-X 1.00.000
Iculaa . solulo
C DffraClo d ralo.-X por
pollsros mi iolgico
C D )fralo ad1U pl d raies-Y
C CoruCtaris.10 de stsr Ii10
sa.ICOOdutor.

[IDES - r(.iea c D ifrsclo adltlpl. Difr ia d nutron.

Dif. drrN.utron. C InAI u da teLUra cr utslins Tcnius d b.ias. tempo 400.000

IFUSP C Criatsi lquidos slat... Difratomtria d policruti

Cristalografia alc Iara SASS
C Dfitos n nicondutors Di f ia de Lave. monocromatica 400.000
C Amorfos Kicro.copi dpu ca
Polf DIfrato.tria A. duplo cri.tal
C Vidro. gola
Sombranu
C o ptic. da cristais lquido.

IrUSP C Transror.aOa. d fase a alta. Nicro.copla I.trnice d tranar solo

llcroreop u EItranica tempo> N lcro.copie 1trnic d v.rrdura 600.000
C Nuorl.ica Difratlo eletrnico d arem selecio-
nada (no SET)
Canalizacb eletrnicas
llcroonall. d roias -X
TABELA 0.1 ContiouaCie
GSUPcS Di PEppl51 - S1TUAc ATUAL

IKSTlTUIcBc CSTAG1c LINHAS OS PEqp151 T(CKICAS SAIS SCLtVAKTES CUSTO ESTIRADO

GSUPD U5.

UTPU C optics d. rue.-i Int.rfroaatria O. rue.-H

Tfa'ca .0 1 St .L... d e pr.ci.10 para orl.ntaGBe
Cr'sL.lograflo corte d. .On0erIat.l. 500.000
Dafr.to..traa d e duplo cristal
topografia

OTP4 C Adio de radioed.. a.plantaclo Sicro.eepla optic.

T nica-Proprl.dada O. fona Diapositivo pars sacred
A.clnle.a Cresci d. cruets' T para trata .antes tdr.ueas 34.000

.id' sae dado.

condensada Existem no Brasil outros laboratrios de microscopia e difrao de eltrons, mas eles no
esto, em geral, em Departamentos ou Institutos de Fsica

As pesquisas em Cristalografia de pequenas molculas (estrutura atmica de celas unitrias) continuam

recebendo o interesse principal no grupo do IFQSC, onde foram comeadas na dcada de 60. Alm deste
grupo vrios outros se interessam por estas pesquisas como o da UNESP (Araraquara), UFA] e UFMG.
Estes grupos trabalham em colaborado com o IFQSC utilizando o seu difratmetro automtico de
monocristais, que o nico em funcionamento no Brasil. Um segundo est atualmente sendo reativado
no Instituto de Fsica da UFRJ.

Os estudos de cristais naturais recebem interesse particular dos grupos da UFGo, UFBa e UnB.

As pesquisas de defeitos em cristais naturais mediante tcnicas de espalhamento de raios-X, so

realizadas nos grupos da UNICAMP e UFBa.

A tcnica de SAXS foi implantada no IFQSC, na UNICAMP e no IFUSP, para estudos estruturais de
separao de fases em vidros e protenas em soluo (IFQSC), protenas em soluo e membranas
biolgicas (UNICAMP), micelas e c ri stais lquidos liotrpicas (IFUSP).

Os mtodos de difrao de Laue monocromtico e de microscopia pti ca so utilizadas no IFUSP para

o estudo de cristais lquidos.

A difrao mltipla de raio-X (UNICAMP) e neutrons (IPEN) utilizada para pesquisas de defeitos
em slidos diversos.

Os defeitos em monocristais so estudados com tcnicas de topografia (IFQSC, UNICAMP, UFPr),

difrao rasante (UNICAMP), espalhamento difuso e perfil de reflexo (UNICAMP, IFUSP, UFPr). A
implantao de equipamentos para a obteno de semicondutores heterogneos (MBE, MOCVD) em
diversos laboratrios, fez crescer o interesse de vrios grupos de Cristalografia pela pesquisa desses
mate ri ais.

Recentemente o interesse generalizado pelos supercondutores de alta temperatura tambm se

manifestou nos laboratrios de C ri stalografia. Foram realizadas pesquisas cristalogrficas nestes
mate ri ais nos grupos do IFQSC, UNICAMP, UFRJ e CBPF.

O LME do IFUSP estuda as transformaes de fase em altas temperaturas (at 1500 0 C ) de minerais
no metlicos e materiais sintticos visando a obteno de novos mate ri ais.

A microscopa ptica u ti lizada como tcnica p ri ncipal para estudos de defeitos em slidos pela grupo
de Propriedades Mecnicas da UFPr e como mtodo complementar na maior parte dos laboratrios.

-176-
 Outras tcnicas e aplicaes importantes da difrao de raios-X foram implantadas ou esto em
processo de implantao. Elas so: interferometria de raios-X (UFPr), cristalografia de protenas
(IFQSC) e estrutura atmica de slidos amorfos (IFUSP).

A situao atual nos laboratrios de Cristalografia varia segundo o grau de desenvolvimento dos
mesmos. Se considerarmos como laboratrios 'consolidados' aqueles que dispem de um nmero
significativo de doutores (orientadores), uma infraesirutura experimental satisfatria, uma produtividade
cientfica relevante a nvel internacional, e um nmero importante de teses concludas, vemos a partir
dos dados dos Quadros I e 2, que somente os grupos de Cristalografia do IFQSC, UNICAMP e do
IFUSP atingiram esse nvel. Em cada um deles trabalham entre 5 e 11 doutores, foram formados na
ltima dcada entre 14 e 23 alunos de ps-graduao e publicaram nos cinco ltimos anos entre 40 e 62
artigos cientficos em revistas internacionais com rbitro.

Vrios grupos de Cristalografia implantados na dcada de 70 se encontram ainda 'cm consolidao' j

que eles no atingiram, at o presente, o tamanho critico quanto ao seu volume e produtividade. Eles so
os do IPEN, UFPr, UFGo, UNESP - Araraquara e UnB. Estes grupos tiveram maiores dificuldades que
os j consolidados par a instalao da infra-estruturai expe ri mental, contratao de recursos humanos e
formao de pesquisadores, por razes vrias.

Finalmente, existe um conjunto de grupos de Cristalografia 'em implantao`, que inclui os novos
laboratrios formados na presente dcada. Eles so os do CBPF, UFRJ, UFAI e UFMG. Aos acima
mencionados devemos adicionar os grupos incipientes que no responderam o questionrio e que esto
comeando a implantar laboratrios de C ristalografia em numerosas instituies. Eles so, em geral,
liderados por doutores ou mestres formados nos grupos consolidados. Existem laboratrios in cipientes na
UNESP-Presidente Prudente, UNESP-SJos do Rio Preto, U.E. Maring, USP-Ribeiro Preto, USP-
Baur, UFSC e outros.

A disponibilidade de fontes de radiao de sfncrotron em numerosos centro do Exterior e as

possibilidades singulares que elas oferecem, fizeram que um importante nmero de fsicos e qumicos em
geral, e cristalgrafos, em particular, se interessassem na utilizao deste equipamento expe rimental.
Pesquisadores do IFQSC, UNICAMP, IFUSP, UFBa, UFPr, UFGo e CBPF j realiza ram projetos
experimentais relacionados com Cristalografia em centros de radiao sncrotron de diversos pases.

Os dados do Quadro 2, referente a pessoal cientfico e produtividade, permitem conduir que existe uma
clara concentrao de pesquisa em Cristalografia no Estado de So Paulo, onde esto localizados os
grupos consolidados (IFQSC, UNICAMP, IFUSP). Nestes laboratrios foram realizadas as pesquisas que
correspondem a mais de 75% das publicaes cientficas na Area. Uma das razes responsveis poe esta
concentrao o auxilio da FAPESP, que contribuiu sensivelmente ao desenvolvimento dos diversos
grupos de Cri stalografia do Estado de So Paulo.

-177-
 TABELA 8.2
PCSScAL CIENTIFICO E 7RCDI:TIVIDADE

INSTITUICIO DOUTORES !(ESTPES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS OBSERVAES

GRUPO FORMADOS REVISTAS C/LRD!TR0
T E T E IC M D . M 0 70-82 83-87

UFAL 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 12 Grupo taplant.do

Qufa:ce a. 1983

UFBA 3 1 O 0 2 0 4 O 6 4
foi co

UNO 0 3 0 2 1 0 0 O O 3 2
Gaologl.

WOO 0 3 0 2 2 0 0 0 0 2 5
Fftca

UFKG 0 2 0 3 2 0 0 0 0 0 2 Grupo i.al.nt.ao

6rIr 1985
V Quf.tca
M .-- _- _"-----"__ ----"'---^---^..^^----- ., "^-"'-'-------^
UFR.I O 2 0 0 3 0 0 O 0 Grupo t.plant-ado
Fl.tca . 186

C9PF O . O 2 0 2 2 0 0 24 Grupo implant-Pao

a 1962
Ata 1986

UNESP 0 2 0 0 0 0 0 0 0 5 3
Ff.. -Quf.ic.
Araraquar

IFSC-USP. O 11 0 3 3 6 44 62
Ff.tca
u1.tc.

UN:CA!'.P 2 5 0 0 7 4 20 3 29 50
Ff.tca
TABELA B.2 Cencruoslo
PESSOAL CIEHTrFICO E PRODUTIVIDADE

IHST[TU]r,ap DOUTORES F.ESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS OBSERV.wCES

GRUPO FORMADOS REVISTAS C/ARDITRO
T E T E IC M D .. D 76-82 83-87

3PEN-Fraie4 0 0 2 1 3 0 0 7
Die. HOutron

I FUSP 0 5 0 0 S 3 4 B 6 8 40
Crut alogra-
rl.

1FUSP 0 3 0 2 2 3 3 1 17 10
Micraacopie
El.trOniC.

UFPR 0 . 0 3 2 0 0 0 2 2
Frue /Crua-
La l aqr a h

UFPR
F1.rca-Propr.
FacAnica O 0 3 4 0 4 0 4 3

TOTA IS 5 43 3 17 22 24 20 56 16 111 221

4B 20 66 72 338
 Todos os grupos mantm colaboraes vrias, tanto a nvel na cional como internacional. A
possibilidade de uso do difratmetro automtico do 1FQSC aproveitada por pesquisadores de vrios
grupos. A existncia no laboratrio da UFPr de facilidades para a fabrica9Ao de monocromadores e um
programa de instrumentao, permitiu colaboraes concretas com vrios outros grupos. Foram
realizados neste Laboratrio monocromadores para a UFBa, gonimetros de duplo eixo para o IFUSP,
IFQSC e Telbrs, mdulos eletrnicos p ara o 1FQSC e o LNLS. O grupo do CBPF colabo rou com o do
IFUSP na realizao de um detector sensvel posio. H urna colaborao entre o IFQSC e o LNLS
para o desenvolvimento e construo de um difratmetro de lquidos.

As interaes envolvem no somente os laboratrios de Cristalografia. Existem numerosas

colaboraes com laboratrios de outras reas da Fsica, Qumica, Biologia e Engenha ria de Mate riais.

Todos os grupos de Cristalografia mantm contatos com instituies estrangeiras, alguns deles mediante
convnios formais e outros num esquema informal. A maior parte tem contatos com laboratrios de
radiao sncrotron: IFQSC - Daresbury, UNICAMP - LURE e Daresbury, IFUSP-LURE e Brookhaven,
UFBa e UFPr - LURE.

O nico laboratrio que realiza uma colaborao direta com a indstria, em caracterizaes
sistemticas de matrias p rimas e mate riais cermicos. o de Microscopia Eletrnica do IFUSP. A
colaborao da maio ria dos grupos com a indstria , no presente, episdica e se reduz caracterizao
de mate riais (cerrtticas, catalizadores, frmacos) mediante tcnicas de difratometria de policristais. A
maior parte dos grupos manifesta interesse e menciona as aplicaes poten ciais das tcnicas de difrao
em problemas industriais. A pouca interao parece se dever falta de conhecimento reciproco quanto
aos problemas te cn olgicos que podem ser resolvidos e ao potencial das tcnicas cristalogrficas. Uma
colaborao concreta, efetiva e de vulto com a indstria precisa de contatos mais estreitos e de um
crescimento dos laboratrios de pesquisa (em equipamento e pessoal). Provavelmente outra razo que
reduz a colaborao a tendncia das grandes indstrias de dispor de laboratrios prprios para suas
necessidades. Existem equipamentos de difrao de raios-X em numerosos laboratrios industriais de
pesquisa, desenvolvimento e controle de qualidade. Citaremos dentre eles o CENPES (Petrobrs), Cia
Vale do Rio Doce, Rhodia (Santo Andr), ABC XTAL (Rio de Janeiro), Instituto de Pesquisas
Tecnolgicas (Sao Paulo), EMBRAPA (Rio de Janeiro). Telebrs (Campinas), FUI (Lorena), diversas
indstrias metalrgicas, etc.

C. Carncias e Dificuldades

A Cristalografia no Brasil cresceu significativamente nas ltimas duas dcadas, sendo o seu nvel atual
claramente superior ao dos outros pases da rea latin o-americana. O volume de atividades , porm,
inferior ao dos pases desenvolvidos. Na rea de C ri stalografia houve um aprecivel investimento em
formao de recursos humanos, no Exte rior e no Brasil, mas os recursos adicionais imprescindveis para

-180-
a manuteno e renovao de equipamentos e contratao de pessoal no foram suficientes para a
consolidao de uma frao aprecivel dos grupos formados.

O nmero de estudantes de ps-graduao de aproximadamente 2 por doutor nos laboratrios

consolidados. A dificuldade de contratao faz com que a maior parte dos formados no permanea nos
grupos. Eles se dirigem a outras instituies, geralmente de grau de desenvolvimento menor ou em
implantao e, em geral, sem a infra-estrutura necessria para realizar pesquisa a curto prazo.

As carncias e dificuldades mais apontadas pelos grupos consolidados so relacionadas com a

contratao de pessoal cientifico e tcnico, as demoras nas importaes e a impossibilidade de
renovado de equipamentos e reposio de acessrios.

Os grupos no consolidados apontam dificuldades vrias, tais como, falta de equipamentos de pesquisa,
exagerada burocracia, muito envolvimento em tarefas docentes, falta de recursos mnimos para
manuteno de equipamentos, escassez de bibliografia. impossibilidade de contrataes e, em alguns
casos, falta de apoio institucional para a realizao de pesquisas.

Os investimentos realizados nos laboratrios "consolidados" e 'em consolidao", incluindo os

equipamentos p ri ncipais e acessrios, vo de USS 300.000,00 (trezentos mil dlares) a pouco mais de
USS 1.000.000,00 (hum milho de dlares). A sofisticao crescente dos equipamentos expe ri mentais faz
com que a modernizao dos laboratrios necessite de investimentos relativamente importantes. Os
detectores sensfveis posio uni e hidimensionais, geradores de raios-X de anodo rotatrio de alta
potncia, computadores, "work-sta ti ons" e outros equipamentos, atualmente utilizados correntemente no
Exterior, so de custo relativamente elevado o que dificulta a sua aquisio nas condies financeiras
atuais dos organismos de apoio ii pesquisa.

8,3 PERSPECTIVAS PARA A PRXIMA DCADA

A. Pianos dos Grupos

A maior pane dos grupos de pesquisa inclui nos seus planos a consolidao dos programas em
andamento, o que reflete uma preocupao pela manuteno. nas circunstancias atuais de dificuldades
financeiras, do nvel presente de atividades. Quase todos os grupos manifestam, porm, a inteno clara
de expandir as suas atividades e ab ri r novas linhas de pesquisa.

As novas linhas de pesquisa dos diversos grupos esto listados no Ouadro 3. 0 projeto de implantao
de um programa de Cristalografi a de protenas no II QSC, de clara imponncia para a Biologia
Molecular. Os trabalhos tericos sobre laser de raios-X e fontes de raios-X inte rn as, a implantao de
novas tcnicas de imponncia para o estudo de semicondutores (ondas estacionrias) e os estudos de

-181-
 TABELA 0.3
PERSPECTIVAS PARA OS PROSIROS 3 ANOS - TeCNICU E INVSST2515T03

IHSTITUICIO NOVAS LINHAS DI TRABAI.NO MOVAS TICHICAS E APARELHOS INVESTIMENTOS

GRUPO USO

UFAL Estudos de argu] as tleadas

- Quilca ' Eetrrtura de pallmoros /d ./d

UFBA Finda Caram6.rlila d defaito. Utilizado de t ontas d. leas

lAice a mcilido. SIAM rotran
DinmNI d defeitor am tampo real Tcnic de faixe dieergnta 130.000
Aplicado da teoria dunlmuea d r n oa- Topografia da er utal duplo
I A difrala de lecron de fonte ea- tempo real
Lorna tau pia ltrOnitsl In-
terna <pcada 011do!

O HS Conalldelo de llnhmpAaliteata. Dlfratometrl auto.atuca d /d

Galogu a rmuor!

Urso Consolidado de tinham eal Topografia da raio. -!

Finca Difr.cla TI I. di 120.000
ruo.-S

urn /d r/d /d

UFRJ Tranaic8c d romps d cruet u s mole- Dufrccaatria de alto bauaa

Flu ca eulare alta. Saimaa tempo temperature sits presafo pare
Estudo d ~elites ea mono poli estudOS d defeito
criataia Eapalhaaento d rauoe-R Saban. 200.000
Estudo de monocrlstim e aliai prima/its angulas
por ditracRo de raiorl

CSAF Eatrutura d poifmror Detector d localizado unudlan - 30.000

uanal

URES, Consolidado da s linhas emist.ntem Dutrscaidda aueaaatica d. ralos-S 350.000

Fia. -Quielca
Ar ar aquae
TABELA S.7 Contlnu.Gio
PERSPECTIVAS PARA OS PROIIROS 5 ANOS - T CNlCA5 C INVESTIRMOS

INSTITUICID MOVAS LINHAS DE TRABALHO MOVAS TCCNICAS E APARELHOS INVESTIREMTCIS

GRUPO USa

IFOSC-USP Cristalografia d protein. 0lfraGMO cos gerador de anode

Ff.,ca Rflnalento de estrutura cr utallna rottdr lo
pelo ..Lede d. RItr.ld Uor r Ion gral{ca 1.150.000
Detector d iras
Fac llld.d.. pars preparado d

Ut1lizaUo de rontaa da lua

mincrQlrQas

UNICAAP Tori dlnlalca para font d ralo. -I TAcelca15 d fila. fino. por
Ffa ca ant dlrraGio ra ant.
Crlatal fine D. i aldtaenalonal So0.000
Rultleaaada fit... finos DtIll2aG10 de font de radlaGla
Ondas estacionaria. lncrotron
Luar de ralo.-I ,
Poll

IPEN-Ffa, ca Dtrelnaclo d ..trutur.. agnataca. 'mills* .trvtural pot dlfra<Bo

D.C. d Nautron TranrlGe de faros magmas-less adltlpla d
Dafratoa.trlS de neutron* coe 300.000
detector n.fvI A pondie

IFUSP CIanCIa dos atrlais Dlr tria do ralo.-I coe anode.

Crl.talogr.h a rfa,co - guf.ic de aluiu ..tran es 1 ratatdrao
n IncaEXAFSdoli.rct Detector a.n.rwl A palatal* uni 600. 000
Dafralo r por salcondutoru DI- dimensional
Utlllsadio d o font *, de radiado
es
 TABELA B.3 Contana.Cio
PERSPECTIVAR PARA OS PROI1NOS S ANOS - TCNICAS INVESTIMENTOS

INSTITUIi0 NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TCNICAS E APABLU(OS I NVESTIRENTOS

GRUPO USO

IFUSP Microscopic e difraC.0 glCrOnICS d e Ma pia analft.cs (microscopic

MI is novo aaterlal eletrnica d e transsassio assocls- 700.000
EletrOnlCs Modelos tgdriCOS de sstrUturas de s- d e Icro-anslias por raios -II
teraus aio aetl]icos

UFPR - Fsica C Ized b de novos utsr lal Esoectroscop u d ralos-I

Cr uulo0rafla derealo crust-aline. Utallzacio de radiado I 300.000
Olrratoatria d dltaplos giros
Ondas gLeClonrlll

. UFPR -Flsac Crs.eiaento d e Crlatai orginacoe hllGrOscQma de duplo fella.

Prop. Msc: Ma pia qu.ntIteL Na alta 40.000
Leap
filmes finos e multicamadas, indicam uma grande variedade de projetos na UNICAMP. No grupo de
Cristalografia do 1FUSP h duas direes para as atividades futuras: as pesquisas de materiais de
interesse biolgico (micelas e membranas) e a expanso das pesquisas de materiais inorgnicos
semicondutores e amorfos. Prev-se tambm no IFUSP a implantao de tcnicas de EXAFS. Os
projetos do grupo do 'PEN visam o estudo de estruturas e transies de fase em slidos magnticos, no
grupo dc Microscopia Eletrnica da USP haver uma focalizao dos estudos em novos materiais e na
UFBa h interesse em se estudar a dinmica de defeitos cristalinos em tempo real. No CBPF, na UFAI e
na UNICAMP, se projeta desenvolver pesquisas de estruturas de polmeros e, na UFRJ, h interesse na
estudo de defeitos e transies de fase em slidos a temperatura e presses variveis.

Os planos dos grupos para a prxima dcada visam, em consequnci a, consolidar as linhas de pesquisa
existentes e iniciar outras que requerem, em geral, instrumentao mais complexa.

As novas linhas de pesquisa so similares As que estio em processo de implantao, ou que foram
recentemente implantadas, em muitos laborat ri os de Cristalografia em pases avanados. H um claro
interesse em vrios grupos pelas pesquisas de 'novos materiais' de interesse tecnolgico (semicondutores,
cermicos), por sistemas orgnicos (protenas, bio-polmeros, membranas) e por diversas novas tcnicas
experimentais ainda no implantadas no Brasil.

Todos os laborat ri os "consolidados' e vrios 'em consolidao prevem comear ou continuar

pesquisas utilizando fontes de radiao sncrotron.

B. Recursos Humanos

Examinando os dados do Quad ro 4, correspondentes a 13 grupos que responderam esta parte do

questionrio, conclui-se que eles tm capacidade de formar um total de aproximadamente 30 novos
doutores e 40 mestres nos prximos 5 anos nas condies atuais.

A variedade e complexidade dos projetos e das novas tcnicas experimentais que se pretende implantar
na prxima dcada, exige um imcremento sensvel do nmero de pesquisadores em todos os grupos. A
estimativa da capacidade dos grupos nas condies ideais para os prximos 5 anos permitiria a formao
dc aproximadamente 100 novos pesquisadores. Considerando que h, nos 15 grupos que responderam o
questionrio. 64 pesquisadores contratados, conclui-se que a capacidade de formao estimada, em
condies ideais, permitiria pelo menos duplicar nos prximos 5 anos o nmero de pesquisadores que,
uma vez contratados, pode ri am contribuir em tarefas de responsabilidade e liderana para a execuo
dos projetos planejados.

-185-
TABELA 0. +
PERSPECTIVAS PARA OS PROXlAOS 5 ANOS - PESSOAL

INST ITUICEO CAPACIDADE DE FOR:IACIO E%PARS=O DD GRUPO 0BSEOVA8Fs

GRUPO COND:CDES A TUAIS CONDICOES IDEAIS CONDICOES ATUAIS CONDECEES IDEAIS
R D A D R D R D

DF AL
pur.aca o 0 2 0 0 0 0

UFBA
'Once 2 0 5 0 2 + 2

uxs
Oooloqi /d /d a/d .1d 0

uFGo
Ff.ICa 0 0 2 0 1 2 4

CFRG
quf.lca ./d ./d s/d s/d /d o/d /d s/d

IIFRJ
Fr.zca 0 3 2 0 0 2

CBPF ./d s/d ./d /d ./d o/d /d /d

UHESP Ff.tcO-Cur.ic.
A quara 0 0 2 0 0 0 3 2

IFCSC-USP
Ftasca B 0 12 12 0 0 10

DNICARP
Fraeca 7 10 6 0 7 2 l0

IPEN-Ffaiea
Dif. da NuLron 3 2 5 3 3
 TABELA 8.4 CQIILImsa4.O
PERSPECTIVAS PARA OS PROXI110S 5 ANOS - PESSOAL

IMSTI TUICXO CAPACIDADE DE FORXACRO EIPAHSIO DO GRUPO OBSERVACBES

GRUPO cODDIcaES ATUAIS COHDICDES ]PEAIS CONDICDES ATUAIS CORDICDES IDEAIS
11 D II D B D II D

IFUSP
Cri,tAlogr4fla 4 4 6 5 0 1 4 4 Rio inclui 45
perspective. do
do grupo de Op-
tics 4e Cri.U1s
Liquid,

IFUSP
HI pia Eletr. 4 4 6 6 2 2 4

UFPR -Ff41ca
CrI4Amlogrsfie 6 10 2 1 2

1 UFPR-F felca
Prop. Rod. :0 0 12 0 2 1 2 3
m
si

0 /d1 eea a4d0S

 C. Investimentos Necessrios

Os investimentos em equipamentos de po rte realizados at o presente pelos grupos de C ristalografia

foram indicados no Quadro 1. Adicionando uma estimativa dos investimentos realizados por grupos que
no forneceram esses dados, conclumos que o total investido de USS 5.O0O.000,00(cino milhes de
dlares). No Quadro 3 esto listadas as previses de 12 grupos para equipamentos. Apds uma anlise das
propostas e de valores estimativos para os grupos que no forneceram esses dados, conclumos que, em
condies atuais, seria necessrio investimentos da ordem de USS 6.000.000,00(seis milhes de dlares)
para os prximos cinco anos.

A necessidade de recursos para equipamentos em condies ideais foi estimada em USS 10.000.000,00
(dez milhes de dlares). Para realizar esta estimativa foram includos recu rsos necessrios para:

- equipamento dos vrios laboratrios incipientes que no foram inclufdos no levantamento por no
terem respondido o questionrio;

- aquisio do equipamento necessrio p ara atender o incremento do nmero de pesquisadores previstos

em condies ideais;

- implantao de novas tcnicas expe ri mentais de estudos estruturais no includos nas previses como
microscopia de tutelamento e microscopia eletrnica de alta resoluo;

- construo de estaes expe rimentais correspondentes a tcnicas cristalogrficas associadas luz

sincrotron.

Nos investimentos previstos no esto includos os relacionados com computao, j que os grupos
utilizam, em geral, as facilidades de clculo centrais dos Departamentos, Institutos e Universidades.

Diversos grupos manifestaram o interesse na existnia de centros interdisciplinares, com laboratrios e

facilidades de preparao e caracterizao de amostras. Os investimentos necessrios para a implantao
e a utilizao destes centros no foram quantificados.

D. Comentrios e Recomendaes

Nas respostas de diversos grupos ao questionrio da Sociedade Brasileira de Fsica, se percebe uma
certa falta de credibilidade quanto possibilidade real de se conseguir, a cu rto ou mdio prazo, os
recursos para renovao dos equipamentos existentes, aquisio de novos equipamentos e contratao de
pessoal cientfico c tcnico necessrios para os novos projetos.
 Os grupos manifestam tambm apreenso quanto possvel continuao das dificuldades atuais para as
importaes, incerteza quanto ao futuro e dificuldades no recrutamento de estudantes de bom nvel
interessados na pesquisa cientifica.

As p ri ncipais dificuldades previstas pelos grupos para a realizao dos projetos so o apoio insuficiente
dos rgos de financiamento e das prprias instituies, para renovao e instalao de equipamentos e
para contratao de pessoal cientfico e tcnico. Certamente uma repetio na dcada de 90 da situao
dos anos g0, invibializaria uma pa rt e significativa dos projetos de expanso.

O conjunto de propostas dos diferentes grupos levaro a C ri stalografia brasileira a uma situao bem
melhor do que a atuai, mas permanecendo ainda aqum do volume de atividade dos pases
desenvolvidos. Segundo levantamento realizado pela International Union of Crystallography (IUC)
existem nos pases desenvolvidos (USA, URSS, Japo, Alemanha, Inglaterra) mais de 500 pesquisadores
u ti lizando tcnicas cristalogrficas (nos EUA cerca de 2000). Pases em desenvolvimento como a China e
ndia tem da ordem de 300. Nos registros da IUC h apenas I30 cristalgrafos no Brasil.

Os planos para os p ri meiros S anos da prxima dcada foram elaborados numa poca de srias
dificuldades para a realizao de pesquisa, principalmente relacionadas com a escassez de recu rs os para
equipamentos e contrataes. Nessas condies o crescimento proposto pelos diversos grupos pode ser
considerado como modesto se se pretende que a Cristalografia brasileira atinja no ano 2000 nveis
comparveis aos de pases desenvolvidos. Deve-se notar que vrios temas, tcnicas e aplicaes
cristalogrficas, que j formam pa rt e das atividades correntes de laboratrios em pases desenvolvidos,
no esto includos nos projetos ou so de previso insuficiente no Brasil. Deve-se citar nesse particular a
rea terica de predio de estruturas moleculares e de diagramas de fase a partir de primeiros
princpios, aplicao das tcnicas de espalhamento anmalo determinao de estruturas cristalinas e
amorfas, pesquisas estruturais de quasi-cristais e fases incomensurveis, estudos de segregao em ligas
metlicas, estrutura de lquidos, etc.

As medidas que os rgos governamentais, instituies de auxlio pesquisa, Universidades e Institutos

de pesquisa deveriam tomar, para conseguir um desenvolvimento significativo da Cristalografia brasileira
na prxima dcada, so as seguintes:

- At ri buio de recursos para a renovao ou a substituio de equipamentos obsoletos.

- Possibilidade de contrataes para permitir o crescimento dos grupos.

- Atribuio de recursos financeiros para aquisio de equipamentos compatveis com os requeridos

pelos grupos.

- Simplificao e acelerao dos mecanismos para importao de equipamentos cientficos.

-189-
- Atualizao dos nveis salariais dos jovens pesquisadores para contribuir ao incremento do interesse dos
bons estudantes pelo trabalho de pesquisa.

- incentivo ao desenvolvimento local de instrumentao, incluindo novos detectores c moncrontadores de

raios-X e neutrons.

- Fornecimento de recursos para faci litar a colaborao entre os grupos de Cristalografia e coot
pesquisadores de outras reas (qumica, biologia mineralogia).
,

- Incentivo colaborao entre os grupos de Cristalografia e os laboratrios interessados no

desenvolvimento de novos materiais (semicondutores, materiais amorfos, cermicos supercondutores.
etc.)

Apoio implantao de facilidades para a preparao de amostras, anexas aos laboratrios de

Cristalografia_

Incentivo aos grupos para o desenvolvimento de pesquisas em reas ou com tcnicas de

desenvolvimento ainda insuficientes ou inexistentes no Brasil.

- Apoio aos grupos incipientes ou "emergentes" para a implantao da infra-estrutura necessria para a
pesquisa e para facilitar a interao e colaborao com grupos consolidados.

Apoio a iniciativas de utilizao por cristalgrafos de fontes de luz sfncrotron no Exterior.

- Apoio a propostas dc desenvolvimento de instrumentao e estaes experimentais para serem

instaladas no Laboratrio Nacional de Luz Sincrorron.

- Incentivo para a implantao de tcnicas de microscopia modernas, ainda no utilizadas no Brasil,

como a microscopia eletrnica de alta resoluo e a microscopia de tunelamento.

- Apoio 3 realizao de doutoramento no Exterior utilizando tcnicas cristalogrficas ainda pouco

desenvolvidas no Brasil.

- Apoio criao de centros interdisciplinares (fsica, qumica, biologia molecular, cincia dos materiais)
com equipamentos de difrao de raios-X, microscopias, facilidades para a preparao de amostras e
para estudos de materiais sob diversas condies de temperatura. presso e ambiente fsico-qumico.

Apoio s pesquisas de desenvolvimento de novos materiais em laboratrios existentes e, se for vivel.

criao de centros de pesquisa e desenvolvimento dc novos materiais especficos.

-19U-
 A eoncretizaao das propostas dos diversos grupos, permitir que a rea de C ri stalografia no Brasil
chegue ao fim da dcada de 90 em condies francamente superiores s atuais. Ter-se-ia 10 a 15 grupos
consolidados, modernos e em forte interao, 1 ou 2 laboratrios regionais interdisciplinares e uma
participalo aprecivel, junto com pesquisadores de outras reas, na utilizao do Laboratrio Nacional
de LUZ Sincrotron. Poder-se-ia chegar ao ano 2000 com um nmero de cristalgrafos com experincia, da
ordem de 200, o que implica ri a uma situao ainda modesta se comparada com os pases desenvolvidos,
mas bastante promissora. Atingindo-se os objetivos propostos para a dcada de 90, ter-se- dado um
passo importante para que a rea de Cristalografia possa aspirar, a mdio prazo e em condies
favorveis, um nvel de desenvolvimento comparvel aos dos pases do primeiro mundo.

-191-
9. Ressonncia Magntica

9.1 DESCRIO

Ressonncia Magntica no sentido usual denota ao mesmo tempo um fenAmeno e um grupo de tcnicas
espectroscpicas. O interesse bsico a observao de transies, induzidas por um campo magntico
dependente do tempo, entre os nveis de energia de dipolos magnticos que interagem com campo
magntico esttico. A origem dos dipolos pede ser eletrnica ou nuclear, enquanto que os campos
magnticos podem ser aplicados externamente ou gerados internamente. Quando os dipolos magnticos
so de origem eletrnica, tambm usual estabelecer urna diviso adicional entre sistemas
paramagnticos c sistemas magneticamente ordenados (ferromagnetos ou antiferromagnetos).

Podemos resumir as diferentes tcnicas experimentais que normalmente compem a sub-rea da

seguinte maneira:

Ressonncia Paramagntica Eletrnica (RPU)

Ressonncia Ferro e Antiferromagntica (REM. RAFM)

Rcstiunncia Magntica Nuclear (RMN)

Ressonncia Dupla Eletrnica - Nuclear (ENI) )R)

Ressonncia Quadrupolar (RON)

Esta subdivisn basicamente operacional, reunindo um conjunto de tcnicas espectrosepicas que

operam numa faixa definida do espectro eletromagntico que vai da regio de radiofrcqui:ncia at a
regio de microondas.

A excluso de tcnicas como a deteu ptica de ressonncia magntica motivada por este critrio.

Por outro lado, a Ressonncia Quadrupular Nuclear, que envolve transies entre nveis de energia
resultantes de urna interao eletrosttica e no propriamente magntica, normalmente includa no
grupo pelas suas semelhanas operacionais.

Ilisbricamente o fenmeno de Ressonncia Magntica teve sua origem nus experimentos de Rabi e
colaboradores com feixes atmicos e moleculares (1g37). A tcnica cresceu enormemente cm
importncia aps a deten do fenmeno na matria em seu estado normal. A primeira observao do
fenmeno de Ressonncia Magntica Nuclear, produzido pelos ncleos de Hidrognio num bloco de
parafina, teve lugar em 1945 cm Harvard, pelo grupo de E. Pu rcell e colaboradores. tio mesmo ano em

-192-
Stanford, F, Bloch e colaboradores observaram o fenmeno de RMN nos ncleos de hidrognio da gua
e, pouco antes (1944), E Zavoisky, na URSS, realizou a primeira observao do fenmeno de
Ressonncia P ar amagnetica Eletrnica.

A primeira vista, a nica diferena que existiria entre a Ressonncia Magntica e outras tcnicas
espectroscpicas, seria a regio do espectro eletromagntico em que ele opera. Sem dvida esta
diferena tem impo rt antes consequncias no que diz respeito ao tipo de processos fsicos que podem ser
estudados usando a tcnica. Entretanto, para fazer justia no aspecto histrico. necessrio apontar uma
outra diferena que colocou a Ressonncia Magntica numa posio de especial importncia sob o ponto
de vista conceitual. Esta importncia no co ntexto da fsica, decorreu do fato de que os experimentos de
Bloch e Pur ce ll ilustr ar am pela primeira vez a relao entre estados qunticos e precesso coerente. A
abordagem espectroscpica do grupo de Pur ce ll e a abordagem de Bloch, baseada em idias clssicas
como precesso e torques, pareciam inicialmente to diferentes que o reconhecimento de que se tratava
em ambos os casos do mesmo fenmeno, no foi muito generalizado. Posteriormente, a generalidade
destes conceitos (estados quanticos e precesso coerente) foi verificada em relao a outros fenmenos
em diversas faixas do espect ro eletromagntico.

Nos ltimos quarenta anos a Ressonncia Magntica tem se conve rt ido numa tcnica com aplicaes
em diversas areas do conhecimento, produzindo resultados importantes na Fsica, Qumica, Biologia e
outras cincias. As aplicaes so as mais diversas e vo desde o estudo da estrutura e das funes da
hemoglobina at a pesquisa das propriedades dos lquidos qunticos, co mo o Hlio 3, e da tomografia
co mputado ri zada at o estudo da fsica e qumica de superfcies. A simples enumerao de todas as reas
de atuao nos levaria a uma listagem bastante extensa.

Apesar do grande nmero de aplicaes j existentes, a Ressonncia Magntica tem conseguido manter
um grau bastante acentuado de renovao. Pode-se afirmar que a versatilidade das modernas tcnicas de
Ressonncia Magntica que existem na atualidade no tem sido ainda explorada em sua total
potencialidade.

Em aplicaes na Fsica da Matria Condensada uma parte dos resultados expe ri mentais envolve de
alguma forma a anlise de formas de linha, tempos de relaxao c deslocamentos da frequncia de
ressonncia. A maioria dos trabalhos de pesquisa realizados atualmente no Brasil, e em muitos outros
pases, envolve medides de alguns destes parmetros em sistemas fsicos sujeitos a condies diversas de
frequncia, temperatura, presso, tratamento trmi co , qumico, etc. Tcnicas modernas que permitem
atingir maior especificidade ou maior resoluo tem sido pouco exploradas. Citaremos alguns exemplos:

a) Transies Qunticas Mltiplas

Este mtodo est baseado na Ressonncia Magntica Nuclear Pulsada . As coerncias qunticas
mltiplas so sensveis ressonncia de ncleos acoplados dipolarmente com um ou mais vizinhos. A
tcnica permite estudar o tamanho mdio de agregados de spins e tem sido utilizada recentemente p ar a

-193-
determinar a nmero mdio de prtons em agregados de hidrognio em silcio amorfo. O mtodo parco&
ser potencialmente importante no estudo de diversos fenmenos relacionados com sistemas
desordenados.

b) Espectroscopia de Alta Resoluo em Slidos

Nos ltimos anos foram desenvolvidos vrios mtodos de RMN pulsada que permitem eliminar cm boa
parte o efeito da interao dipolar permitindo assim obter espectros de alta resoluo em slidos. Alm
das diversas sequncias de pulsos que foram desenvolvidas para este fim, existem duas outras tcnicas
que merecem ser destacadas peio crescente interesse criado em torno delas: I) Rotao Rpida no
"ngulo Mgico"; 2) RMN em Campo Nulo.

c) Espectroscopia Fourier em Ressonncia Paramagntica Eletrnica

Os mtodos de espectroscopia Fourier, amplamente difundidos em RMN, prometem ter uma expanso
semelhante no caso da RPE. com o aparecimento de conversores analgico/digital e acumuladores de
sinal suficientemente rpidos, possvel atualmente obter espectros de RPE pelo mtodo de pulsos com
maior sensitividade que com o mtodo de onda continua. Ao mesmo tempo, o mtodo de Fourier
permite adquirir uma maior va riedade e quantidade de parmetros fsicos que refletem diversos
fenmenos de relaxao ou processos coerentes.

d) Gerao de imagens Tomogrficas por RMN

A Ressonncia Magntica tem ganho um merecido espao como ferramenta dc pesquisa importante na
Fsica da Matria Condensada. Nos ltimos anos tem surgido tambm uma outra aplicao, que pela sua
importncia prtica, tem conseguido transceder os laboratrios de pesquisa para atingir o pblico. Trata-
se da Gerao de Imagens Tomogrficas por RMN, que por este motivo, merece ser especialmente
destacada. Apesar de que o grande impacto causado por esta tcnica ocorreu principalmente na
Medicina, sua rea de atuao est se tornando cada vez mais interdisciplinar com o aparecimento de
aplicaes em problemas muito diversos. O crescente nmero de aplicaes e a prpria evoluo desta
tcnica, tem gerado uma grande atividade na rea de instrumentao, com o aparecimento de tcnicas
sofisticadas de processamento de sinais para atender as necessidades criadas pelos variados objetivos.

9.2 SITUAO DA AREA NO PAIS

A. B re ve Histrico

A Ressonncia Magntica, como tcnica de pesquisa em Fsica da Matria Condensada, foi implantada
no Brasil em torno dc 1962. Neste ano foi instalado no Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas, um
espectrmetro de Ressonncia Paramagntica Eletrnica (RPE). tipo V-4502 fabricado pela Varian. que
foi utilizado nas primeiras pesquisas experimentais c na formao dos primeiros pesquisadores na rea.

194-
Um segundo espectrmetro dc RPE foi adquirido peta PUC do Rio de Janeiro, em to rn o de 1966, dando
origem a um grupo de pesquisa nesta instituio e cont ri buindo na formao de vrios pesquisadores,
cujos p ri meiros contatos com a fsica experimental foram estabelecidos atravs da ressonncia magntica.

Como aconteceu em algumas outras reas da Fsica, estes primeiros equipamentos foram adquiridos na
forma de espectrometrot completos o que facilitou o inicio das atividades de pesquisa, apesar da
modesta infra-estrutura de apoio tcnico existente na poca. Esta modalidade foi mudando gradualmente
na medida em que algumas instituies foram equipando seus laboratrios com equipamentos
eletrnicos de uso geral, e na medida em que seus pesquisadores adquiriam maior experincia e
familiaridade com a instrumentao eletrnica e com a tcnica de Ressonncia Magntica. Em torno de
1970, foram iniciadas as atividades de pesquisa no Departamento de Fisica da UFMG, co m um
espectrmetro de RPE/ENDOR superheterodino, montado na prpria instituio. Aproximadamente na
mesma poca (1971) foi construido, no Instituto de Fsica e Qumica de So Carlos (USP), um
espectrometro de RPE (banda X), utilizando componentes comprados individualmente, e no
Departamento de Fsica da UFPE (1972) foi montado, usando o mesmo critrio, um espectrmetro de
Ressonncia Ferromagntica (RFM) tambm de banda X. Estes exemplos constituram as primeiras
montagens experimentais na rea de Ressonncia Magntica com caracterstica modular. Os mdulos
eram adqui ri dos individualmente usando um critrio de versatilidade que permitisse uma grande
facilidade para fazer modificaes e melhorias suge ri das pelas necessidades dos prprios experimentos
ou por futuros avanos tecnolgicos. Paralelamente, tambm foram realizados na poca, investimentos
adicionais para a aquisio de novos espectrOmetros convencionais, fabricados comercialmente. Assim
foram instalados equipamentos de RPE no Instituto Militar de Engenharia (1971), Instituto de Pesquisas
Tecnolgicas (1972) e Universidade de Brasilia (1971). Estes equipamentos no s0 foram utilizados pelas
instituies que os adquiriram, mas tambm por pesquisadores das universidades que ainda no tinham
conseguido os recursos para equipar seus laboratrios. Assim, pesquisadores da UFRJ, por exemplo,
tiveram acesso aos equipamentos de RPE instalados na PUC e no IME e pesquisadores do IFUSP
utilizaram e ainda utilizam os espectrmetros do IPEN e IPT.

Em 1975 foi c ri ado na UNICAMP um grupo dc pesquisa em RPE que utilizou um espectrmetro
Varian j existente na instituio e outro novo (E15) e um equipamento de ENDOR adquiridos nesta
data (1975) e em 1976, foi montado no Departamento de Fsica da UFPE um espectrmetro de
ressonncia magntica nuclear pulsada utilizando uma abordagem modular. Em 1979 foi adquirido pelo
Departamento de Fsica da UFRJ, um moderno espectrmetro de RPE fabricado pela Bruker (Mod.
ER-420) e no DF do Instituto de Fsica e Qumica de So Carlos, foi criado uni grupo de pesquisa em
RMN pulsada, concluindo-se a montagem de um espectrmetro de caractersticas modulares. Em 1980
foi adquirido pelo DF da UNICAMP. um espectrOmetro de RMN pulsada, de fabricao iuguslava c
pelo CBPF, um espectrmetro de RMN pulsada Bruker (SXP) dand o- se inicio a atividades de pesquisa
nesta rea em ambas as instituies.

AS drsticas restries nas importaes impostas a partir de 1980, aparentemente restringiram a c ri ao

de novos laboratrios e a expanso dos existentes. Apenas o grupo de Ressonncia Magntica da

-195-
Universidade Federal de So Carlos foi implantado recentemente (1983). com recursos modestos e com
equipamentos em grande parte construidos pelos membros do grupo.

As atividades de pesquisa em Ressonncia Magntica nos vrios laboratrios existentes no Pafs,

comearam com uma concentrao quase que exclusiva em problemas bsicos de interesse
principalmente cientfico. Foram desenvolvidos trabalhos de relevncia nas reas de mate ri ais
magnticos, materiais ferroeltricos, condutores superinicos, transies de fase, metais e ligas, sistemas
amorfos, sistemas de interesse biolgico e outras. A pa rt ir de 1980. o quadro comeou a mudar
gradualmente, notando-se uma maior preocupao no desenvolvimento paralelo de aplicaes de
interesse tecnolgico mais diretamente ligadas s atividades produtivas. Na UNICAMP, por exemplo, foi
elaborado um projeto de melhoramento gentico de sementes utilizando RMN para a determinao no
destrutiva do teor de leo, e na UFRJ foi implantado um programa de estudos sistemticos por RPE de
matria orgnica sedimentar, com nfase nos carves, turfas, xistos betuminosos e arenitos betuminosos
brasileiros.

Uma aplicao de Ressonncia Magntica que despertou grande interesse no Brasil a partir de 1983 foi
a gerao de imagens tomogrficas por RMN. O desafio tecnolgico da impl an tao da tcnica,
utilizando em grande parte recursos nacionais, foi enfrentado simultaneamente pelos grupos de RMN do
IFQSC e da UFPE. Valendo-se inicialmente da versatilidade dos equipamentos de pesquisa existentes
nestes laboratrios, foi possvel demonstrar a viabilidade de desenvolver esta tecnologia e aglutinar em
torno de um projeto de ressonncia magntica, engenheiros. tcnicos e profissionais da Area mdica. Este
acontecimento marcou uma nova fase no desenvolvimento de instrumentao para a ressonncia
magntica, j que a implementao da tcnica de gerao de imagens tomogrficas requereu o
desenvolvimento completo de novos instrumentos bastante especficos, como tambm um esforo
bast an te considervel na Area de 'softw are".

B. Situao Atual

O aspecto geral desta rea que pode-se classificar os grupos em duas variedades, que se
complementam e se ajudam. Estas duas variedades so: a) aqueles grupos que centralizam suas
atividades no estudo do fenmeno de ressonncia, seja nuclear, eletrnica, etc.: b) os que centram suas
tarefas em estudar sistemas fsicos usando a tcnica apenas como uma ferramenta. H alguns grupos que,
ainda que com mais nfase numa destas tarefas, fazem as duas. Naturalmente, isto acontece nos grupos
mais desenvolvidos, com nmero maior de pesquisadores, c com mais tradio.

Os estudiosos da tcnica, ou do fenmeno da Ressonncia Magntica desenvolvem equipamentos

nonos, que permitem implementar experincias no convencionais ou novas tcnicas. Os outros
aproveitam os resultados de experimentos cuidadosamente realizados para a interpretao das
propriedades de materiais ou a compreenso de novos fenmenos fsicos. Estes problemas abrangem
uma superfcie extremamente ampla, indo desde a fsi ca dos metais com seus problemas complexos como

-196
a supercondutividade, at a biofsica, rea por ela mesma imensa. Uma situao similar se encontra na
rea de ptica, onde paralelamente as aplicaes no estudos de materiais, se desenvolvem tcnicas
experimentais baseadas em novas manifestaes de fenmeno de interao da luz com a matria.

Do ponto de vista do seu estgio de desenvolvimento, achamos tambm dois tipos de grupos, e isto
constitui um problema, pois muitos dos grupos que no esto completamente desenvolvidos j tem vrios
anos de existncia. Estes grupos soo compostos principalmente por doutores que se formaram em
laboratrios mais antigos ou no Exte ri or; em muitos dos casos enviados especialmente para obter sua
formao; por vrios motivos no receberam apoio das instituies financiadoras de pesquisa Esta
parece ser uma dificuldade comum a todas as reas.

C. Carncias e Dificuldades

A atitude dos grupos no que diz respeito prxima dcada diferente, no caso dos grupos
desenvolvidos e os grupos novos, ou em desenvolvimento. No primeiro caso, as propostas dos grupos
devem ser analisadas tendo em conta a realidade econmica. o que parece ter sido considerado nas
propostas de desenvolvimento que sio em geral modestas. Os grupos pretendem, em geral,
complementar seus equipamentos, ou adicionar tcnicas complementares, tais como: magnetizao ou
calorimetria; em alguns casos, as propostas passam pela obteno de infra-estrutura (oficinas mecnicas,
ou sistemas criognicos). Os grupos em desenvolvimento, possivelmente pela situao econmica do Pats
nos ltimos anos, tem recebido muito pouco sem algum apoio das financiadoras. Estes grupos desejam,
como natural, serem atendidos nas suas propostas mnimas.

9.3 PERSPECTIVAS PARA A PRXIMA DCADA

A. Planos dos Grupos

Os grupos desenvolvidos apresentam propostas completamente de acordo com a realidade universal na

rea. Temos grupos desenvolvendo tcnicas (tais como as imagens por RMN, a alto e ba ix o campo,
espectroscopia de alta resoluo em slidos ou spin eco em RPE), e outros estudando sistemas to
complexos como protenas ou poltmeros. Os pequenos grupos emergentes, mais uma vez planejam obter
os elementos mlnimos das tcnicas para poder concorrer com outros pesquisadores, mesmo dentro do
Brasil.

B. Recursos Humanos

Nesta rea, a maior parte dos cientistas que constituem os grupos de pesquisa soo doutores formados, e
como pode-se ver na Tabela 9.1, expe ri mentais. A nosso ver, o primeiro significa uma maturidade dos

197
grupos, u rn indicativo de consolidao. O segundo, o fato de muitos dos grupos serem altamente
experimentais uma caracterstica universal desta rea. Ao mesmo tempo pode-se observar que a
capacidade de absoro de novos profissionais da area, globalmente, incluindo os pequenos grupos em
desenvolvimento, muito menor que a capacidade dos grupos de formar mestres e doutores.

Comparando com a capacidade de formao de mestres (90) e doutores (38) para os prximos cinco
anos, com o nmero de estudantes existentes hoje em cada nfvel de estudos (25 e 26, respectivamente)
vemos que a capacidade de formao no est esgotada, e os grupos, nas condies atuais, podem aceitar
novos estudantes.

Aparentemente, est-se criando um engarrafamento para os futuros profissinais na rea. Nos prximos
cinco anos teremos um nmero de mestres formados da ordem de 50, c o nmero de novos doutores no
ser menor que 25. A capacidade dos grupos para absorver mestres no preocvpante, pois eles podem
continuar seus doutoramentos; no assim no caso dos doutores. A idealizao das condies permitiria
absorv-los. Nas condies atuais, ficariam desempregados. Este problema, que tudo indica ser comum a
todas as reas, deve merecer especial considerao na elaborao da poltica cientfica para a prxima
dcada.

Merece ser mencionado que a ressonncia magntica como rea de formao cm fsica muito
completa. Ela requer para os experimentos mais co mplicados, conhecimentos de tcnicas de vcuo,
criogenia, eletrnica, e outras, e exige uma boa formao terica. Com uma visa() otimista podemos
pensar que as possibilidades dos doutores experimentais formados na rea so amplas. No possumos
informaes suficientes no que diz respeito As possibilidades de serem absorvidos pela indstria, mas a
indstria qumica, notavelmente a petroqumica, tem necessidades que comportam um potencial
concreto de absoro.

A utilizao de ressonncia magntica para diagnstico por imagens na medicina, acaba de abrir uma
rea totalmente nova para a atuao de fsicos fora da Universidade.

C. Investimentos Necessrios

Uma estimativa superficial mais realista indica que o Brasil tem investido da ordem de USS
4.000.000,00 (quatro milhes de dlares) em equipamentos de ressonncia magntica para grupos de
fsica - exclumos os equipamentos adquiridos para grupos de qumica. Pode-se supor um investimento da
mesma ordem de grandeza para instalaes e infra-estrutura dos mesmos.

No levantamento relativo aos investimentos necessrios para atualizar os laboratrios e desenvolver os

projetos de pesquisa nos prximos cinco anos, os pesquisadores propem uma quantia de USS
6.200.000,00 (seis milhes e duzentos mil dlares) em condies ideais (Tabela 9.3). E razovel propor
ento uma quantia global de USS 8.000.000.00 (oito milhes de dlares), o que considerando os 53

-198-
pesquisadores dos grupos, equivale quantia de USS 33.000,00 (trinta e trs mil dlares por pesquisador
por an o. O investimento no parece exagerado, se esperarmos deste modo desenvolver completamente
uma rea. Equivale, numericamente, quantia que os pesquisadores re ce bem como salrio no mesmo
perodo.

D. Cartfnclas, Dificuldades e Recomendaes

A reclamao mais frequentemente exarada pelos pesquisadores da rea a grande dificuldade de

obter fundos das agncias financiadoras em quantias adequadas para o suporte de suas pesquisas. A
segunda queixa, quase unnime, a terrvel burocracia de importao, inclusive p ar a peas de reposio
de equipamentos que sem elas ficam inutilizados.

Vrios so os problemas que aparecem criados pela situao econmica atual. Quanto aos
equipamentos, esto passando obsolescncia, sem perspectivas sequer de obter as peas de reposio
necessrias para mant-los nas condies mnimas que os faam teis. No que diz respeito s tcnicas,
co m exceo de uns poucos grupos que souberam desenvolver partes de equipamentos, as novas tcnicas
que esperaramos fossem implantadas na prxima dcada, devem esperar melhores condies financeiras
da Unio.

Existe nas reunies cientificas no Brasil. um espao reservado para a ressonncia magntica. Achamos
importante discutir a finalidade destes espaos, equivalentes aos que existem em outras reunies
internacionais. Achamos que este o lugar para apresentao dos resultados de desenvolvimento das
tcnicas; o espao para que aprendamos e discutamos com os nossos co legas sobre os novos achados nos
desenvolvimentos e estudos do fenmeno. Mas no deve ser o nico lugar onde coaverjam todos os
trabalhos de ressonncia. Recomendamos que as reunies dedicadas Area de ressonncia magntica
co n ce ntrem de preferncia, aqueles trabalhos nos quais os aspectos tericos ou expe ri mentais de
interesse geral para a compreenso do fenmeno e a exemplificao das suas aplicaes seja o assunto
ce ntral, ou bem que apresentem contribuies nesse sentido. O esquema de reunies nos moldes das
Gordon Conferen ce s parece ser o ideal para esta rea.

Mais uma vez, devemos insistir que estamos frente ao f an tasma da obsolescncia. De dois pontos de
vista Os equipamentos que foram novos, passam a ser velhos, incapazes de concorrer tecnicamente com
as novas mquinas, mais sensveis, mais rpidas. E por outro lado, novas tecnologias, novos
desenvolvimentos, tais como as tcnicas pulsadas in co rporadas ressonncia paramagnetica eletrnica,
ou a tcnica de RMN de alta resoluo em slidos, devem ser incorporadas fsica no Brasil na prxima
dcada.

Como fi cou exposto na parte inicial deste documento, a Ressonncia Magntica uma tcnica
extremamente viva em co ntinuo e rpido desenvolvimento, tendo sido a precursora das tcnicas de
Espectrocopia com radiao coerente. Esta caracterstica fez com que as inovaes nos ltimos dez anos

199-
fossem tais que a sua incorporao ao nossos laboratrios est completamente atrasada. Tendo em vista
que estes desenvolvimentos tornam a Ressomincia Magntica cada vez mais necessria, especialmente na
rea de materiais, biologia e medicina, onde a interao entre fsicos, qumicos, bilogos e mdicos
fundamental, deve recomendar-se a formao de recu rs os humanos capazes de incorporar estas
inovaes tcnicas. Este tipo de atividade deve envolver um esforo razovel no projeto de
instrumentao moderna, a qual dever exigir tambm o concurso de especialistas em engenharia e
computao. cuja presena hoje cm laboratrios de fsica imprescindvel.

Em definitivo as recomendaes para esta rea podem ser resumidas a ss im:

INVESTIMENTOS devem ser orientados a:

a) Corrigir a obsolescncia, j que a Ressonncia Magntica foi uma das tcnicas pioneiras usadas no
Brasil em Matria Condensada e vrios laboratrios esto obsoletos. Este investimento deve
compreender em aproximadamente 30 a 50% do valor instalado ao longo dos ltimos 20 anos.

h) Incorporar novas tcnicas. As tcnicas mais poderosas de Espectroscopia coerente pulsada quase no
contam entre os fsicos do Brasil com especialistas e o gap em relao a outros pases enorme.

c) Custeio. E essencial prever recursos para custeio (operao e manuteno) dos laboratrios que para
esta rea devem ser estimados a razo de aproximadamente USS 20.000.00 (vinte mil dlares) por doutor,
por ano.

RECURSOS HUMANOS

Estimular a formao de Recursos Humanos nas reas dos modernos desenvolvimentos da tcnica e
suas aplicaes, visando aquelas que permitam a canalizao destes recursos a outra reas de pesquisa e
aplicao (qumica, biologia, medicina, etc.).

ENCONTROS

Estimular encontros bem especficos que focalizem tcnicas e aplicaes modernas, ao estilo das
Gordon Conferences.

200-
TASEJJ 9.1
GRUPOS DE PESQUISA EN RESSONSNClA NAGN[TICA

INSTITUICEO INICIO LINHAS DE PESQUISA TdCNICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIMADO '
GRUPO usa

HORT'E -NORDESTE
DFPE Tomegrafia por RMN ea campo. SIR 250.000
ultra baiiio FUR
LIMN . as aaaa m.gnatacole EPR
d.ordnado aaorfoa fame.. NQR
i

CENTRO-CERTTM9 OESTE
UF Cauda on fame de iaplantaciO fame de laplantaclo 300.000

SUDESTE
OHICAMP/Dpto. EItr0- Biologia. l,pureza. a car a. EPR Varian
nice Qli.ntica - Grupo Catalta. Polfaer.. Material tall Varian
Eapct.r'eacopia Foto- Ragnaticoa frromagnaticoa Conjunto para NRR 500.000
terf(ca R l E.pctraatro coaplta de
Ragntic f04OCdatic

ORICIRP/Dpto. Eltre- SalCndutor. motets. RIPE baoaaa i Q no rgilo 950.000

nic. Qualities - Grupo Grahta i lado. d 0.4 a 300 Y.
Proprfadda Magnaticaa R:N pulsada (32 SNAP
-acnica complment area
(SWIMSuacptibld
Rmu.tividad (4 ata 400 51

CSPF B i offal ca 70.000

Gocranoiogia
Grupo C. HSR EPR Varian (2). NMR Bruckor no 500.000_
tempo hiprflno (men fall

]natituto Ililitar d ldrea Mata ico Rme.onancia Magnetite 240.000

Engenharia/ Eng. Ma- Supercondutor Cartmlcoa
tar-Lain adido ceramic,

.
PVCFRJ Blofr,ica EPR Varian 9 GHz 35 GHz 70.000
TABELA 9.1 Conti nuacao
GRUPOS DE PESQUISA EM RESSOHANCIA MAGNSTICA

IHSTITUICAO INICIO LINHAS DE PESQUISA TICHICAS MAIS RELEVANTES CS76 ESTIMADO

GRUPO US.

UFF CdCr.`,S a RAH na fair de SO a 700 MHz

Polf.ro Tmprmturs a.b).nt. n)trog/nip 260.000
Ifqu)do
Crlo.tato d b/1(e liquid* perm
tr.belhar am ambient. ner. 4.2 K
ambient. (es via' d aquiu.cao)

UFMG Transicee de rms. .trgtu- EPR 9 CHz 75 ONz 460.000

rags
Trmn.ie8 de fame ineosen-
urawi.
Defeito. am.e.ucondutor.
F.d)d.s dtItrica
Cra.lcar ruorc
f.b.orclo de mi croond as )
ENOOR
Cpn.tants deI.tr,eas (0.1 100 Hz)
H.
Ba(r t.pr store' 11.5 300 K)
Alta. pr.sb - 10.000 bar

I:FRJ Deno. de R.d micro Erp. Brucker 275.000

Calculo Molculmres EPR
Itatria Organic. Sedimentar
InaruntscSO

USP /Dpto d Fleic Defeito. RCN RON 100.000

Export I (Grupo d
Cor)

USP/apto. d Flu.ca RPE de compactor de Ni. Mn. R..oM1anC4. Paramagnetic. EletrA- 200.000
E.oerimental (Grupo d Cu t - nica
Rrrpna (min Magnetic.) do diluidor agnt(ca.nte Ana11. t/rm i c
Calorimetria
TABELA 9.1 Conti
GRUPOS 0E PESQUISA EN RESSONANC:A MAGNTICA

INSTITUICRO INICIO LINHAS DE PESQUISA TCNICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIRADO

GRUPO USO

IFQSC-Sio Carlo. Torografl. por RNN Ra.onInci MagnetiCa Nuclear AO_o0o

Espectroscopia (WIN) pulsed 41 40 MHz)
.olant NgnatICO.-RNN To.Ograro ANN 12 Teel 0.5 TI 270.000
Condutor.. IOnico (RIM 120.000
RPE, Ispuezes Nagnitica RPE band R 100.000
Magneto-Optic, Ngnta-0ptl[a 80.000

USP-Rib. Prod 81orrrica RPE ANN (t.cni u dispon(veis 29.000

Do 1 atr va de cooperado ces'putro
Materiai grupo.
B idagnt i sso

UFSCAR Re.sonlnci NagnAtiCa ANN (ata 11210 91.700

Nagnti.so Su.Captibilidade RsgnstICa (ata
S esicondvtore N2L1 AE RF
Instruantacio E1ito Hall
Supere andu tora

ENBRAPA/UAPDIAS/ RPE RPE NNR ltacnic,. ol.pOnlvi.

Sio Carlo. VNR atraias da cooperado coa outros
grupos)
TABELA 9.2
PESSOAL CIENTIFICO E PRODUTIVIDADE EN RESSONANCIA RAGNATICA

INSTITUICEO DOUTOSES NESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS CONFERENCIAS

GRUPO FORRADOS REVISTAS C/ARBITRO INTERNACIONAIS
T E T E IC N D N D 70-82 83 - 07 78-82 83-87

NORTE-NORDESTE

UFPE i 4 - 1 1 9 2 9 16 2 9

CENTRO CENTRO-
OESTE

UFGO 3 - 3

SUDESTE

UNICARP/Dpt0. - 3 3 4 15 6 19 34 5 4
E1tr0nic Quali-
ties - Grupo d
Espsctroscepi
FOtet4rwtco
Roo. NegnstlC

UHICANP/Dpte. 0 2 0 0 0 3 4 6 6 30 10 1D 4
EItr4nIcs Quin-
tics - Grupo d
Propriddss
Ngntsc4s

CBPF O 4 0 0 1 1 2 0 4 6 S

PUC/RJ 0 - i - - 2 2 7 7

Instituto Nllltsr 0 2 0 O 2 0 0 5 3 22 24
d Engonharia
Eng. d Nstrfsi

OFF 0 2 0 1 O O O 1 9 0

UFRG 0 7 0 4 1 10 2 12 22 0
 TABELA 9.2 - Cent'nuaCio
PESSOAL CIENTfF1CO E PRODUTIVIDADE EM RESSONANCIA MAGNCTICA

1NSrITUICAD DOUTORES MESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS

GRUPO FORMADOS REVISTAS C/ARBITRO
E T E IC N D N A 7B-82 83-07

DFRJ 0 3 1 1 3 4 4 2 B 5

USP/Dspte. F hle O 3 O 0 O 13 4 17 8
Expari I cGru- '
Po Cantro d Con/

USP/Dapte.Flsaca 0 3 0 0 3 2 4 4 9 5
Experimental 1Gru-
pe de Rassonincla
Nagnllica

IFQSC -Sio Carlo 0 6 0 1 9 7 3 14 7 24 28

DSP Rib. Prato 0 2 0 O 0 5 0 O 0 3 14

UFSCAR 0 2 0 0 2 0 0 0 O 10
N
O
..... ENBRAPA/UAPDIA/ 0 2 0 0 0 0 0 0 0 2 7
Sio Carlos

TOTAL 1 49 1 4 29 30 22 02 40 185 191

TABELA 9.3
PERSPECTIVAS PARA OS PROXINOS S ANOS. TCNICAS E INVESTIMENTOS EM RESSONANCIA MAGNTICA

I NST: TU f CA'D NOVAS LINHAS O TRABALHO NOVAS TCNICAS INVEST I MENTOS

GRUPO USs

NORTE-NORDESTE

UFPE Cyti2iCOES ATOAIS. COND:COES ATUAIS. 100.000

Supercondutoras. Poi/mero condutores, Polar.xaclo Nuclear D.nislc
Si.,.... de 1- erelons pesados. Pequenos I0NP1
gregaoos aetNl.coa IEPR.NNR, NQR)

COND:CLES DESEJADAS. CONDICaES DESEJADAS, 600.000

CENTRO-CENTRO NNR de a]t reso]ucio

CESTS

CFOO

SUDESTE

CA:CAMP/Depto.E]etrO- C.7ND:CES ATUAIS. CONOICaES AT':AfSr

n,c Dusntics Seausncla das ]1nna ancariores, ae liga. per espeetreseepia foto- 25.000
Grupo Espectrosrop.a particular cos Ondas. na caracter.- teriu ca
Fe tatrrmr c e Reese- zaclo de protrins
nincla Magnetics
COND]CaES DESEJADAS,
D Iv.sente O. Imagens at rrves de
aep.ctromCo,1. fototlrslca

CNICAMP/napto. EletrE- COND:CoES ATUAIS. CONDIDES ATAIS. ---

nlc Zuintic Estude de pai lmeron condutor.
Grupo P regr.'agnitrca CONDISES DESEJADAS: 250.000
Sputtering de f11ee de am1-
condutor...
Tlcnlca de rerlstivldade e
termo-pwer

CBPF COHDICOES ATUAIS. CONDICOES ATUAIS. EAR 100.000

CCNDICOES DESEJADAS : CONDIOEL. DESEJADAS. ENDOR 700.000
Redorcer grupos JA existentes. Poss,v.l-
mante c0.ecsr pesqulsss en setals eats-
Ilzadore

PUC/R: CCND:OES ATAIS. CCNDIOES ATAIS.

COND:CDES DS EJADAS. COHDICOE.E DESEJADAS:
Ampliar pesquisa na mes. linha strove. Esoec:rOc.tro EPR/E''DCR, ser
de soectrO..tro mais pod.re.o ut:I.mado en colaooracao coa
CBPF
TABELA 9.3 Cantinuado
PERSPECTIVAS PARA OS PRXIMOS 5 ANDS. TdCNICAS E INVESTIMENTOS EM RESSONINCIA RAGNYTICA

INSTITUIIO -------------- NOVAS LINHAS DE TRABALHO - ------- __ NOVAS TYCNICAS I HYEST CMENTOS
GRUPO US,

Instituto Militar CONDICOES ATUAIS, --- CONDICCES ATUAIS, ---

de Engenhar. CONDICOES DESEJADAS. --- CON]ICOES DESEJADAS . 500.000
Eng. d Rstr,al Resaonlnci Tagnt,c

UFF CONDISES ATUAIS. CONDICdS ATUAIS.. 200.000

Medida d calor espclf loa s Calar espcfflco atudo
solide s em geral polfsroe d polfero-
s prticulsr
2- Catuaos d palicaroe cos Ions
.sol antanow atrevi da cues pro-
priedades Iftr,c u d Ruonan-
d 's agnt,c
CONDICES DESEJADAS. COHDICDES DESEJADAS. 150.000
I. Magri toatrim c dC 11agntoatr,
2. Prperedo d !gusas aaostras no Propr,eded d transporte
Ieboratdrlo
3. ifcnrCaa NnciOnedas seise 'candi
0 studio'

7FI1G CONDICOES ATUAIS. CONDICDES ATUAIS.

Dfeatos s semicondutores CEPR. ENOCH) Diuprelo diltrica sob 20.000
altas arHaRs
Supercondutor craslees, preclude Autosslo d aqulsrao d 40.000
caractrlEacae per bsorao de m,cro- dado d CPR
ondu
D.aparafo d,IStrlc d f Itrrcor
cob alta pru0

CONDICEES DESEJADAS. CONDIC2ES DESEJADAS.

Defeitos a sm.condutora CEPR.-ENDOR CONS lecoCtrOtro dpticol :50.000
por dtlo dpt,cal NNR cos transformada d Fourier
Nagnt,smo as acaua frauincis ~newel
Selanalo d .mpureaas

GFRJ CONDIOES ATUAIS, CONDICCES ATUAIS,

E.Dctro.caDl a d RPE d OI atuas d Ruonlncia P gnt,ca 400.000
ioportanc,s bloldgica, sal apcifida - Eltrdnl ca
aoule relacron$deu a fiaada d
d nitrognio solocular no solo.

CONDICOES 3:SEJADAS. CONDIC2ES DESEJADAS.

Espectroacouia MDR ELETROR SPIN ECHO Ruonanc, Eletrtn.ca Pc:sad 000.000
d slut IocuIs.ca El..rdn.ca Nuclear Duple
TABELA 9.3 CntlnYa 0O
PERSPECTIVAS PARA OS PROI1505 5 ANOS, TCNICAS E INVESTIMENTOS EM RESSONANCTA NAGNETICA

IIISTITUICIO NOVAS LIIT]LAS DE TRABALHO NOVAS TCNICAS INVESTIMENTOS

USP/D.pto. F(stc CONDICBES ATUAIS, CONDI[GE5 ATUAIS.

Enper, I (Grupo 5.., condutor. per RQN Luatnea c/neta 100.006
de Centres de Car)
CONDICaES DESEJADAS, CONDICeES DESEJADAS,
Salcondutor. por RQH/Lurinsc'ncS. Lustnocsnc, /RQN/Anal u da 260.000
Craa,e teentca por do da pro- lapendancla/Crtegni
proladodu dlaletrlcros rassonanel.

USP/Depto. Ff.tcr CONDICOES ATUAIS, CONDICCES ATUAIS, ---

Experimental fGrupo Eatndar as 'turn I,nnas de psqutma
d Rusonanct Nog- apuando -se para outros ..tans..
net sands nio I (gados

CONDICOES DESEJADAS. CONDICGES DESEJADAS,

Estender Lecalc d RAE par tem-
peratura do belie liquido cuins
faixas d tcroondum
Iapi untar a tecntc de calorreetrla
AC pira altos baixai temperaturas.
Informatizar qutalcao de dodos an-
perimentals

IFQSC-Sao Carlo CONDICOES ATUAIS. COND1COES AMASS., ---

Eapectroscop,a d alt reeoluclo es EPR pulsado
sol,doa Magneto de alta neegn.I- 150.000
Poi Isar*. Condutor. dade/..ta b, lidada
Datatlo 6ptic d RPE Probe. speclf,Co RAN 30.000
Fast Imaging Si lt.. d aqui.icao 30.000

US , - Rib. Prato CONDICOES ATUAIS, CONDICeES ATUAIS,

EPR aplicado A problems. blomed,cor Ruonancis Paramagnetic. 60.000
b, lair EletrdnI c

O campus da USP em Ribeirao Preto of.-

roe. condICOS de pasquts ea Grau d
frontais envelvnde a flmic as [,am-
nia. de stud'. Encontra -s as fase d
tnstalacao o centro de Pesquisas a Ma-
terial,*

CORD:CUES DESEJADAS, COND:CeES DESEJADAS,

B ,omagnec uso Magn.toestr,a Bleauscot ,-
b,l,Cada magnetics 100.000
TABELA 9.3 Contlnusllo
PERSPECTIVAS PARA OS PRXIBOS 5 ANDS , TCNICAS E IRVESTINENTOS ES RESSONNCIA NAGNETICA

1NsT1TUlCIO NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TCNICAS INVESTIMENTOS

UFSCAN CONDICBES ATUAIS. --- COHDICBES ATUAIS. ---

C NDICUES DESEJADAS , CDNDICaES DESEJADAS.

Estudo O. propr.edgda Optical sago- APE. Aboorllo Optic. Dlfr.-
tic.. O. miners. .a. posIbs1i- is d r.ios-X 600.000
dad de ap1IctcUaa tcnologscsa. bu.cs
d Inforsaba sobra propr.sdsd Hal-
o.. d .Inrim nature. brea.lsrda

ENBRAPA/UAPDIA/ CONDICCES ATUAIS. CONDICUES ATUAIS.

Sio Carlos - Conatruc.n d *spectra d ANN ANN d proton s .antes 50.000
Estudo de *stein sieronijtrAnts U.
olio. plants por APE

CONDICUES DESEJADAS. =moms DESEJADAS. 600.000

L ipp ctroa cepis de ERN in vivo' RAN de proton 31p 'In vivo'
Estudo d .taloprotfnss 40 .ia - RPE d Sn. Cu. F
NO es
toss foto...nl.St.co 4. plants. - solo. planta
 TABELA 9.4
PERSPECTIVAS PARA OS PROX INOS 5 ANOSL RECURSOS HUNAHDS EM RESSONANCIA NAGNRTICA

INSFI TUICIIO CAPACIDADE OE FORC4CiO EXPANStO DO CATO

GRUPO CONDICCES ATUAIS CORDICCES IDEAIS CONDICUES ATUAIS CONDIC8E5 IDEAIS
N D N O II O N O

NORTE-NORDESTE

UFPE 3 :1 5 3
CENTRO CENTRO-OESTE
UFGO

SCDESTE

UNICARP/Dpte Ei.crB- :6 S 16 5 6 3 10 4
nits Quantity, -Gruoo
E octrocoal Feet-
till-mice R Is
Nagn.0 c

^ UNICANP/D.ete.E:.cr O- S ] 7 4 0 0 2
O nits Qv6nt3cs- Grupo
Propr. Nagnt i ca

CBPF 3 3 5 4 0 0 2

PCC -RJ - -

InstItute Ni1itar C. 3 2 4 2 1
Eng . us/Eng. C.
N atrisu

UFF 3 5 2 2 2 1

UFNG 6 3 6 4 - - 2

UFRJ 4 4 6 6 2 3 3

USP/Dpto. F1.4Ca En- 5 2 10 5 - - 3

pari I (Grupe e
Centro d Car/
TABELA 9.4 Cent'nu afe
PERSPECTIVAS PARA OS PR4IIIEOS 5 ANDS, RECURSOS HL'RAHOS EH RESSOHANCIA RAGIICTICA

INSTITUICIO CAPACIDADE DE FORUACiO E7lPaNSiO DO GRUPO

.GRUPO COSDICdES ATUAIS CORDICaES IDEAIS COHDICDES ATUAIS COHDICES IDEAIS
8 D R D S O K D

USP/Dapte. Ffslca Ex- 10 5 16 0 2 B

par 1 IGrupo
Rassenanci.a Nagnstic

IFQSC -S:e Carlos 7 3 7 6 - I 3

USP otEair70 Prato 5 O 8 2 O 2

UFSCAR 4 0 8 a
EHBRAPA/UAPOIA
Sf0 Carlos

TOTAL 78 34 107 53 9 13 7 18 41
10. Espectroscopia Mossbauer e
Outras Tcnicas de Anlise e
Caracterizao de Mate riais

1 0.1 INTRODUO

Qualquer mate ri al caracterizado por uma grande diversidade de parmetros e propriedades, que no
podem ser determinados por uma nica tcnica. Por conseguinte, para a completa caracterizao de um
material necessrio utilizar vrias tcnicas complementarmente.

Em geral, as informaes obtidas com as vrias tcnicas de anlise so agrupadas em duas classes:
informaes sobre a estrutura fsica e informaes sobre a estrutura qumica. A estrutura fsi ca engloba a
cristalografia; tipo, forma e dimenso dos defeitos cristalinos; topografia e morfologia superficiais. A
estrutura qumica definida como a distribuio e concentrao de elementos e compostos qumicos.

Informaes sobre a estrutura fsica podem ser obtidas com difrao de raios-X, difrao de eltrons,
microscopia eletrnica, espectroscopia Massbauer, tcnicas de ressonncia de muon, aniquilao de
psitrons, correlao angular, etc..

Informaes sobre a estrutura qumica podem ser obtidas com espectrosoopia Msshauer, fluoresencia
de raios-X. tcnicas de ressonncia magntica, espectroscopia Auger, espectroscopia ESCA,
espectroscopia de eltrons de baixa energia, etc..

Em outros captulos deste livro so apresentadas destacadamente algumas tcnicas de mdio po rt e.

Nesta seo sero apresentadas outras tcnicas de caracterizao microscpica cuja utilizao em anlise
de materiais vem crescendo consideravelmente. No sendo possvel apresentar todas as tcnicas
disponveis, selecionamos algumas das mais importantes que apesar de existentes no Pals ainda no so
suficientemente difundidas. O destaque dado a espectroscopia Mssbauer no decorre de sua maior
importncia atual em relao as outras tcnicas, mas sim de sua maior difuso e importncia histrica no
Pas. As tcnicas apresentadas so as seguintes:

. Espectrocopia Mssbauer

. Tcnicas com aceleradores de pa rt culas de baixa energia

Retrocspalhamento Rutherford (RBS)

Channeling

-212-
 Anlise por reaes nucleares

Emisso de raios-X induzida por bombardeamento inico (PI XE)

. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry)

. XPS/ESCA (X-Rays Photoelectron Spectroscopy/Electron Spectroscopys for Chemical Analysis)

. AES (Auger Electron Spectroscopy)

. EELS (Electron Energy Loss Spectroscopy)

. LEED (Low Energy Electron Difraction)

. Microscopia Eletrnica

10.2 DESCRIO DAS TCNICAS

A. Espectroseopis MSssbauer

. Desde sua descoberta por volta de 1958, o efeito Mssbauer tem sido progressivamente utilizado no
estudo de uma grande diversidade de materiais. Conforme ser detalhado mais adiante, o efeito
Mssbauer apresentava uma aparente contradio, despertando o interesse de inmeros pesquisadores
da poca. O impacto da descoberta pode ser avaliado pelo fato do seu autor. Rudolf L Mssbauer, ter
ganho o prmio Nobel aos 33 anos, em 1961, quatro anos aps a publicao do primeiro trabalho.

Foi necessrio um ano para que a comunidade cientfica aceitasse e compreendesse a potencialidade do
efeito. A partir de ento, com as contribuies de fsicos tericos e experimentais, o entendimento do
fenmeno e as potencialidades de aplicao cresceram exponencialmente. ! em 1959 R.V. Pound e G.
A. Rebka propunham o uso do efeito Mssbauer para medir o efeito do campo gravitacoona] sobre a
frequncia de uma radiao elet romagnti ca (gravitational redshift) predito por Einstein em 1907. Logo
depoisaxrncfelizadomsucprT.FCanshw,JPSciferAB.Whtad(1960)
interessante chamar a ateno para a importncia histrica dessa experincia. De um lado, ela
constitui a p rimeira incontestvel confirmao da previso de Einstein. Por ou tro lado, a primeira
aplicao da espectroscopia Mssbauer (EM).

Para se ter uma idia do interesse despe rt ado pelo fenmeno e pela tcnica, basta lembrar que j em
1961 haviam sido publicados 17 a rtigos de reviso, 130 artigos de pesquisas e um livro (Frauenfelder).
Tambm haviam sido realizadas duas conferncias internacionais (Illinois, 1960 e Paris, 1961).

-213-
 Para descrever a EM. mesmo em poucas palavras, convm lembrar que tanto o tomo quanto o ncleo,
sofrem um recuo ao emitir (ou absorver) um fton. Tal fato implica que a absoro ressonante nuclear ,
em geral. e.strernamente difcil de ocorrer. Entretanto, Msshauer descobriu que em certos tomos
especiais ela facilmente observada. Para isso conveniente que a energia de transio nuclear seja
inferior a 100eV e que o ncleo esteja preso a uma estrutura cristalina. Msshauer descobriu que para
alguns ncleos existe uma possibilidade de emisso sem recuo. Nesses casos o fton ser emitido com a
energia de transio do estado nuclear, a menos das pequenas diferenas consequentes do principio da
incerteza.

Mostra-se que a probabilidade de ocorrincia do efeito Msshauer (tambm denominada fator f, frao
sem recuo, fator Dchye-Waller e fator Iamb-Msshauer) apresenta as seguintes caractersticas:

. tanto maior quanto menor a energia de transio;

. cresce com o inverso da temperatura;

. cresce com a temperatura de Dehye OD, que uma medida dc ligao entre os tomos e a rede
cristalina.

A realizao prtica da espectroscopia Mssbauer consiste essencialmente numa ionic com ncleos
excitados emitindo raios-1, os quais sero ressonantemente absorvidos por ncleos idnticos contidos na
amostra (absorvedor). Na forma mais usual, o que se detecta so os raiosq que atravessam a amostra
sem sofrer absoro ressonante. Tem-se o que se denomina espectroscopia Msshauer dc transmisso.

Por outro lado, possvel detectar os eltrons dc converso interna produzidos na superfcie de
ahsorvedor, o que leva chamada espectroscopia Miisshaucr de eltrons de converso,
internacionalmente conhecida pela sigla CEMS (Convertion Electron Mssbauer Spectrucopy). Essa
forma de realizao experimental bastante conveniente quando se deseja estudar fenmenos dc
superfcie, visto que na quase totalidade dos materiais o alcance dos eltrons suficientemente pequeno
de modo a garantir a eliminao natural de efeitos do volume. Assim, CEMS tem sido usada em estudos
de desgaste, corroso e oxidao superficial dos mais diversos tipos de materiais; no estudo dc materiais
submetidos a processos de implantao inica e no estudo de filmes magnticos e semicondutores. Mais
adiante sero apresentadas outra aplicaes de CEMS.

A deteco dos ftons ou dos eltrons de converso emergentes do absorvedor permitir a investigao
das interaes hiperfinas ali existentes. Essas interaes (interao de monopolo eltrico, interao de
quadrupolo eltrico e interao de dipolo magntico) podem fornecer informaes sobre a natureza
qumica, estrutura cristalogrfica e ordenamento magntico de amostras contendo um ou mais istopos
de Mssbauer.

-214-
 As po ss ibilidades de aplicao da EM so to numerosas que seria impossvel detalh-las aqui. P ar a se
ter uma idia basta observar a Figura 1, onde so mostrados os ncleos que apresentam o efeito
Mssbauer. Ento, desde que se tenha a fonte radioativa correspondente, qualquer mate ri al contendo
um ou mais desses istopos pode ser analisado pela EM.

No Item 10.3 so discutidas as linhas de pesquisa mais recentes usando efeito Mssbauer.

B. Tcnicas com aceleradores de partculas de baixa energia

1. Introduo

Os aceleradores de partculas, que contriburam significativamente para o atual conhecimento da fsica

nuclear, tm sido usados, principalmente nas ltimas duas dcadas, nas reas de caracterizao,
desenvolvimento e modificao de materiais e de suas propriedades.

Na medida em que a fsica nuclear necessita de aceleradores de mais alta energia, os de menor energia
esto sendo ocupados principalmente na caracterizao dos materiais via tcnicas como o
retroespalhamento Rutherford (RBS), channeling, reaes nucleares, PIXE e outra~.

Os feixes de ions permitem uma analise sistemtica de propriedades dos slidos a nvel atmico. O
processo de penetrao do Ion na matria e a profundidade alcanada dependem da energia inicial e da
espcie de Ion, de modo que ambas podem ser escolhidas para a desejada aplicao. A penetrao dos
Ions depende da massa, carga e posio na rede dos tomos constituintes do material, fornecendo assim
informaes que usualmente no so obtidas por outros meios. ons com energia de at alguns M e V
cobrem uma regio de anlise entre a examinada por tcnicas pticas e eletrnicas prximo a superfcie
e a regio "b ulk" estudada, por exempla por nutrons (de 10 2 pm at 1mm). Esta 6 uma regio
importante para muitas propriedades dos materiais.

O uso de aceleradores no campo dos materiais deve ser dividido em duas grandes reas. Uma em que
feixes de ions leves (p,a,d, 15N,...) so utilizados na anlise e na caracterizao das estruturas dos slidos.
A outra, chamada de implantao inica, refere-se 3 modificao dos materiais por fe ix es de ons. Nesta
segunda rea usam-se aceleradores especiais, de energia menor que 1 MeV, com fontes de Ions que
permitem cobrir toda a tabela peridica. A seguir discute-se brevemente as tcnicas mais usadas de
caracterizao de mat ri as com feixes de Ions.

-215-
 2. Retroespalhamento Rutherford (RBS)
(Rutherford Back-Scattering)

RBS uma tcnica de anlise superficial baseada, conforme sugere o nome, no retroespalhamento
Rutherford. A idia simples: Partculas energticas (geralmente Ions de 4 1-le) ao incidirem na matria
so retroespalhadas e detectadas por um sistema que discrimina suas energias. Todavia, entre a
incidncia e a deteco ocorrem alguns fenmenos que devem ser compreendidos para a correta
interpretao dos dados.

Pode-se mostrar que um fon com energia E0 passa a ter uma energia KE 0 como resultado de sua
interao eltica com um ncleo do mate ri al. Nas condies experimentais atuais, nas quais o detector
liixo, o fator cinerntico k depende apenas das massas do Ion incidente e do ncleo-alvo. Alm disso, a
medida que o fon penetra na mat ri a ele perde energia de modo contnuo ao longo da trajetria via
colises inelsticas com eltrons, significando que ncleos mais profundos interagem com Inns menos
energticos. A coliso elstica do fon com um ncleo do alvo provoca uma perda discreta de energia.
Essa perda de energia proporcional ao poder de freamento do material.

Portanto, conhecendo-se a energia e massa do fon incidente e o poder de freamento do material

possvel realizar discriminao de massa e estabelecer o perfil em profundidade da discriminao
atmica. part icularmente quando se tem elementos pesados em substratos leves. E importante salientar
que o poder de discriminao de massa depende do poder de discriminao em energia do sistema de
deteco dos toas retroespaihados.

A sensibilidade da tcnica de RBS deteco de impurezas com feixe de partculas alfa da ordem de
10 13at/cm2. Com feixes de Ions mais pesados, como N, ela pode ser aumentada para l0 12at/cm2 . RBS
uma tcnica no destrutiva.

3. Channeling

A tcnica de RBS conforme discutida no Item pre cedente supe alvos policristalinos ou amorfos. No
entanto, ela tambm usada para estud ar a ordem estrutural e cristalina via channeling ('canalizao").
O efeito de ch an neling surge quando o fon (em geral uma partcula a) penetra em um canal de
monocristal sendo `guiado dentro do canal por uma srie de colises de pequeno Angulo, para dentro do
cristal. Se o fon incidente colide com uma impureza intersticial, perde energia, retroespaihado e
detectado.

Esta tcnica permite determin ar a posio de impurezas intersticiais com preciso de at 0,2A.
Observando channeling em 2 ou 3 eixos cristalinos faz-se um mapeamento do slido. Inclusive impurezas
substitucionais afetam o channeling do fon incidente.

-216-
 As medidas de channeling tem 3 aplicaes maiores na anlise por retroespalhamento: 1) determina-se
a quan ti dade e a profundidade de desordem na rede, 2) localizam-se tomos de impurezas nos stios de
rede, e 3) mede-se a co mposio e espessu ra de camadas amorfas superficiais.

4. AnAlise por reaes nucleares

Reaes nucleares com p, a, d de baixa energia so usadas para identificar principalmente impurezas de
elementos leves. A tcnica tambm no destrutiva e utiliza reaes nucleares bem co nhe ci das para
estudar alvos desconhecidos (o contrrio da fsica nuclear). Por exemplo a determinao de um perfil de
Nitrognio pode ser efetuado co m um feixe de prtons de energia menor que 1 MeV via a reao
15 N(p,7) 160. Atravs da reao inve rsa
1H(15N;a,y)12C a uma energia de tons de N de 8MeV estuda-
se o perfil de H na amostra.

5. PIXE: Emisso de ralos-X Induzidos por bombardeamento lnlco (Particle Induced X-ray
Emission)

A coliso inelstica de prtons ou partfculas alfa no inte rv alo de energia entre 0,5 e 10 MeV/UAM
produz no alvo raios-X caractersticos do elemento. Desta maneira todos os elementos com Z > 11
podem ser analisados em concentraes da ordem de ppm. Utilizando este mtodo podemos determin ar
qualitven mtasipurezxntsmualvo.PIXEtcniaodesruv
muito utilizada em estudos de poluio, permitindo medir a presena de minsculas quantidades de
elementos poluentes na atmosfera bem como em amostras geolgicas, mdicas e biolgicas.

C. SIMS (Secondary Ion Spectrometry)

SIMS uma tcnica bastante usada na caracterizao de elementos qumicos presentes nas superfcies
dos materiais, e sua realizao prtica consiste basicamente no seguinte: Um feixe inico (Ions
.primrios), em geral de gs nobre e de baixa energia (da ordem de KeV), ao incidir sobre a superfcie a
ser analisada, p rovoca a sua pulverizao (sputte ri ng). Os tons secundrios, de elementos da superficie
so analisados com o auxlio de um detetor eletrosttico e de um espectrmetro de massa.

A distribuio d e elementos na superfcie apresentada sob a forma de espectro de intensidade idnica

versus nmero de massa. Outra informao que se pode obter o perfil de concentrao de determinada
espcie atmica. Neste caso deve-se ter, um espectro de concentrao ve rsus profundidade. Todos os
elementos, incluindo hidrognio, podem ser analisados. Trata-se de uma tcnica destrutiva.

-217-
 D. XPS (ou ESCA)
(X-Rays Photoelectron Spectroscopy ou Eletron Spectroscopy for Chemical Analysis)

Juntamente com AES, EELS, 1.EED, apresentadas a seguir, XPS faz parte de uma classe de tcnicas
que se complementam, na medida que apresentam aspectos diferentes do compo rt amento microscpico
dos materiais, em regies prximas As superfcies (10-40 A).

No caso de XPS, eltrons so liberados em consequncia da interao de raios-X com a superfcie a ser
analisada. A energia com que o eltron liberado a diferena entre a energia depositada pelo raio-X, e
essencialmente a energia de ligao do eltron (incluindo-se a funo trabalho do material). Po rt anto,
medind o- se a energia do eltron, obtm-se a informao sobre seu estado de ligao ante ri or. Significa
que obtm-se informaes sobre a natureza qumica do material. Por exemplo, variaes no estado de
oxidao e na estrutura dos compostos pode alterar a energia de ligao dos eltrons de valncia.

impo rt ante destacar as vantagens de se usar espectroscopia dc eltrons na investigao de fenmenos

superficiais e filmes finos.

i) Eltrons podem ser facilmente focalizados defletidos e acelerados;

ii) Eltrons podem ser detectados eficientemente;

iii) Anlise em energia e distribuio angular podem ser realizadas com o auxlio de lentes
eletrostticas e sistemas de deflexo.

E. AES (Auger Electron Spectroscopy)

A espectroscopia AUGER guarda alguma semelhana com XPS. Em ambas, eltrons liberados pela
superfcie da amostra permitem a determinao de suas energias de ligao. Todavia a semelhana
apenas superficial. Na essncia elas so hastante diferentes. Na espectroscopia AUGER lacunas so
criadas nos nveis atmicos pele bombardeio com um feixe dc eltrons. Na sequncia a lacuna
preenchida por um eltron mais externo, ao mesmo tempo em que liberado outro eltron. Em outras
palavras, uma transio AUGER WXY significa uma lacuna na camada W sendo preenchida por um
eltron proveniente da camada X, e a liberao de um eltron da camada Y, com energia EWXY=EW -
EX - E. onde EW, E x e E y representam as energias de ligao dos nveis W,X e Y.

A aplicado que mais distingue AES das outras especnroseopias de eltrons a perflagem
composicional em profundidade. Essa vantagem torna se mais relevante quando se leva em conta a
-

sensibilidade de AES a impurezas de baixo nmero atmico, como carbono e oxignio, dois dos
principais contaminantes de superf ci es e interfaces.

-21R-
 F. EELS (Electron Energy Loss Spectroscopy)

Grande parte das informaes que temos da natureza resulta da interao de algum tipos de radiao
com a matria. No caso de percepo visual a radiao a luz visvel. Outros tipos de radiao
largamente usados so: raios-X, raios-7, nutrons e eltrons. O uso de eltrons forma, como j
mencionado, uma classe de tcnicas denominada espectroscopia de eltrons.

No caso especifico de EELS a investigao dos materiais realizada atravs da anlise da perda de
energia dos eltrons que atravessam a amostra (filmes finos) ou que so refletidos na superfcie. Os
eltrons incidentes possuem energia entre I eV e 100 KeV. A fa ix a de baixa energia usada em estudos
de superfcie, onde so investigadas as energias dos estados vibracionais associados a molculas
absorvidas. Na faixa de alta energia, o pico dominante do espectro corresponde excitao coletiva dos
eltrons de conduo, a qual denomina-se plasmon.

G. LEED (Low Energy Diffraction)

Difrao de eltrons de baixa energia (10-500 e V) fundamentalmente semelhante difrao de luz e

difrao de raios-X. As diferenas entre esses trs tipos de difrao limitam-se essencialmente
natureza e s dimenses do objeto que difrata. No caso de LEED o fenmeno produzido pelo arranjo
bidimensional dos tomos superficiais.

Os difratogramas devem ser obtidos em condies de ultra alto vcuo, pois basta uma monocamada de
contaminante superficial para afetar seriamente a qualidade do padro de difrao. Em geral, variaes
na periodicidade da superfcie resultam em mudanas no padro de difrao. Isso ocorre, por exemplo,
quando gases so abso rvidos nas superfcies cristalinas.

H. Microscopia Eletrnica

A dimenso de detalhes de forma que podem ser revelados por microscopia ptica limitada pelo
comprimento de onda da luz visvel, que da ordem de 10 -6m. Na microscopia eletrnica o elemento de
prova uma onda de eltron, cujo comprimento de onda pode ser at 10 3 vezes menor. possibilitando
observar detalhes muito menores que a microscopia ptica. Na microscopia eletrnica um feixe de
eltrons refletidos (microscopia eletrnico de varredura - MEV/SEM - scanning electron micros copy) ou
os transmitidos (microscopia eletrnica de transmisso . MET/TEM - transmission electron microscopy).

Microscopia eletrnica, tanto de transmisso (MET) como de varredura (MEV) constitui-se hoje em
dia em tcnica extremamente importante para caracterizao e anlise de amostras. Isto especialmente
importante em Fsica do Estado Slido e Cincia dos Materiais, onde a caracte rizao do sistema fsi co

-219-
estudado, com relao 3s faces presentes, suas estruturas, composio qumica, etc., fundamental para o
correto entendimento de um grande ntmero de propriedades.

Alm desta importncia como tcnica auxiliar, de caracterizao de microestrutura, recentes avanos
em MET, tanto a nvel de resoluo como a nvel de tcnicas anallticts associadas, tornam a MET uma
importante ferramenta dc investigao em diferentes problemas dc Fsica da Matria Condensada. A
imagem quase direta de arranjos atmicos obtidos por equipamentos modernos com resoluo a nvel de
Angstrons, aliada 3 possibilidade de anlise elementar. via Iluorescncia de raios-X e anlise estrutural
via difrao de eltrons, em regides de alguns nanmctros, constitui-se em ferramenta essencial no
estudo de defeitos em slidos, estrutura de fases finamente dispersas, filmes finos, estruturas de
fronteiras e interfaces, etc.. Recentemente, a incorporao de espectroscopia de perda de energia de
eltrons (EELS) vem permitindo anlises de elementos leves, alm de viabilizar o escudo de ligaes
qumicas entre tomos, via estrutura fi na do espectro de perda de energia_ Cabe ressaltar tambm a
conjugao de mieroanlise com imagem de alta resoluo, via processamento de imagem, que
recentemente tem sido viabilizada, peta disponibilidade de grande capacidade computacional. Pode-se
ter um mapeamento qumico e estrutural da amostra, com grande resoluo e detalhe morfolgico, com
a possibilidade de escolha de diferentes tipos de contraste.

O rpido desenvolvimento observado na recm criada tcnica de microscopia eletrnica de tutelamento

(MET) permite antever que seu uso ser bastante amplo na prxima dcada. Equipamentos
relativamente pequenos e baratos j sio disponveis comercialmente. tendo sido usados cm vrios tipos
de pesquisa em fsica de superfcie, cum resoluo vertical de dcimos de Angstronc, permitindo a
imagem direta de tomos individuais, com diferentes tcnicas de contraste.

10.3 DESCRIO DA AREA DE ESPECTROSCOPIA MSSBAUER

Ser apresentada nesta seo apenas a situao da espectroscopia Mdssbauer, pois entre as tcnicas
apresentadas na seo anterior tem sido ela a mais extensivamente utilizada no Pals. As outras tcnicas,
quando instaladas, s o foram em poucos laboratrios. Assim, KBS e anlise por reaes nucleares s
existem na PUC/RJ, na USP e na UFRS; PIXE na USP; Channeling na UFRS; SIMS na UFRJ e na
USP/So Carlos; AES na UFRJ. UNICAMP e Instituto de Pesquisas Tecnolgicas de So Paulo; XPS na
UNICAMP e no CENPES (Petrobrs).

A. Breve Histrico

Tres an os aps a publicao do a rt igo de R.L Mdssbauer, relatando sua descoberta, Jacques Danon
iniciava no CBPF a instalao do primeiro laboratrio brasileiro de espectroscopia MSssbauer. E
importante destacar aqui as enormes e naturais dificuldades tcnicas daquele empreendimento, enfim
superadas com engenhosidade e perspiccia. Quem hoje trabalha na rea com analisador multicanal e

-220-
transdutor comercial, pode imaginar o que representa obter espectros com um analisador monocanal e
um transdutor de velocidade consistindo de um pisto que se movimentava pela presso do fluxo de lea
vindo de uma ja rr a colocada a uma certa altura.

A despeito da precariedade experimental, vrios compostos dc fer ro foram estudados e o grupo do

CBPF adquiriu respeito internacional. J por volta de 1963. este grupo inicia a construo de um
transdutor de acelerao constante, a partir do acoplamento de dois altos-falantes, concepo at hoje
adotada nos transdutores comerciais.

Um aspecto relevante na implantao e consolidao dos laboratrios de espearoscopia Mssbauer no

Brasil, refere-se ao esforo do desenvolvimento instrumental. Alm da economia de recursos financeiros,
tais iniciativas tem contribudo significativamente para a formao dc pessoal tcnico qualificado. Isso
muito claro no apenas no caso do CBPF, como tambm nos grupos que se seguiram.

Assim, o grupo da UFRS tem inicio par volta de 1965 j com forte tendncia ao desenvolvimento
instrumental, como resultado da experincia acumulada pelo grupo de correlao angular do qual
emergiram os p ri meiros componentes do laboratrio Mssbauer. No incio dos anos 70, construdo na
UFRS um transdutor eletromec'dnico de velocidade, e um sistema de aquisio de dados a partir de um
pequeno computador PDP-11/05. A partir de 1980 tem inicio ali a construo de analisadores multicana]
baseados em microprocessadores. Ao lado desses equipamentos, a equipe tcnica da UFRS tem
construdo pr-amplificadores e fontes de alta tenso, adquirindo experincia na manuteno de
equipamamentos comerciais.

Outro grupo que tem investido no desenvolvimento instrumental o da UFMG, instalado por volta de
1968. Alm de um transdutor de velocidade e de um sistema de aquisio de dados, destaca-se neste
grupo a iniciativa de construir um detector de eltrons para a realizao da espectroscopia Mdssbauer de
eltrons de conversio. Enfim, excetuando-se os grupos da UFES, da USP e da UFRN, todos os outros
desenvolveram, em maior ou menor grau, algum tipo de equipamento.

No que se refere evoluo hist ri ca das linhas de pesquisa, podemos dizer que os pesquisadores da
rea tam investido nas mais diversas possibilidades de aplicao tcnica. Todavia inegvel a
preponderncia dos estudos de minerais ferrosos no inicio das atividades dos diversos grupos de
pesquisa. Ao lado disso, destacam-se os estudos de compostos orgnicos e inorgnicos, ligas metlicas e
meteoritos. A situao atual apresenta um padro diferente, o que ser discutido a seguir.

B. Situao Atual

No que se segue faremos uma anlise qualitativa e quantitativa da situao atual. Para facilitar a
sistematizao dividiremos a anlise em trs tpicos: pessoa] envolvido, infraeslvutura disponvel e
atividades de pesquisa.

-221-
 No item "Pessoal Envolvido" sero considerados os pesquisadores, os estudantes de mestrado e
doutorado formados, hem como os atuais estudantes de iniciao cientfica, mestrado e doutorado. No
item "Infraestrutura Disponvel" sero considerados os equipamentos prprios dos laboratrios de
espectroscopia Mbsshauer, hem como aqueles que de uma forma ou de outra so colocados disposio
do grupo. Finalmente, em "Atividades de Pesquisa" sero apresentadas as atuais linhas de pesquisa, ser
discutida a relao entre trabalhos tericos e experimentais e. a interao com o meio empresarial.

A Tabela 10.1 mostra dados sobre os grupos de pesquisa cm espectroscopia Mssbauer no Pafs.
Existem atualmente I 1 laboratrios, dos quais uno est temporariamente desativado. Trata-se do
laboratrio da UNB. cujos pesquisadores esto envolvidos em outras atividades. Todos os grupos tm a
tcnica de EM como principal instrumento de caracterizao, mas a maio ri a deles j implantou outras
tcnicas complementares c planeja expanso nos prximos anos.

Conto mostra a Tabela 10.2. h atualmente 37 doutores e 08 mestres diretamente envolvidos com EM,
os quais so responsveis pela talentan de 22 estudantes de E.C., 16 de mestrado e 10 de doutorado.
Esses nmeros esto abaixo da capacidade de formao nos prximos S anos, o que em condies ideais
representa 72 es tu dantes de mestrado e 33 de doutorado. l la uma expectativa de expanso dos grupos
com a absoro, nos prximos 5 anos, de 14 mestres e 21 doutores.

Pelo nmero de artigos publicados em 1988 (29) poderamos ser levados a concluir que a comunidade
de EM pouco produtiva, pois apresentou tinta mdia anual de aproximadamente 0.8 artigo por doutor.
Todavia, a avaliao deve ser mais cuidadosa. Ent primeiro lugar o binio 87/88 foi particularmente
difcil para quem trabalha em EM. A grave crise econmica do Pars tem dificultado a importao de
fontes radioativas, sem as quais torna-se impossvel a utilizao de EM.

Por outro lado, considerando-se que grande parte da p ro duo cientfica est vinculada aos programas
de ps-graduao, e que o total de estudantes de mestrado e doutorado chega a 26. podemos concluir
que a produtividade da rea reflete a dimenso quantitativa do seu envolvimento nos programas de ps-
graduao.

Um detalhe que chama a ateno e merece um cuidado especial o nmero de estudantes de I.C., que
poderia perfeitamente passar dos atuais 22/ano para no mnimo 40. As atividades tpicas de um
laboratrio de EM favorecem sobremaneira o crescimento intelectual de estudantes de graduao. co rn
tcnico-cientifico dto Pals. Podemos, apenas a [mulo de exempla. inegvsbfcoadenlvimt
dizer que bastante comum o co ntato desses estudantes com tcnicas de alto vcuo, com criogenia e
termogenia com sistemas sofisticados de computao e com sistemas eletrnicos em geral. E portanto
uma rara oportunidade de se ter uma experincia razoavelmente ecltica, e uma viso interdisciplinar de
atividade cientfica. Alias, este ltimo aspecto favorece o recrutamento de estudantes de I.C. nos mais
diversos cursos universitrios (Engenharia, Fsica, Geologia, Qumica, etc.).

-222-
 EM uma tcnica consideravelmente barata. Com um pequeno investimento E possvel a realizao de
relevantes trabalhos. Um espectrmetro bsico custa da ordem de USS 15.000,00 (quinze mil dlares).
Todavia, a demanda por anlise em um laboratrio de EM requer equipamentos complementares, entre
os quais destacam-se criostato com temperatura varivel, ms supercondutores, micro-computadores,
etc..

E tambm desejvel, e dependendo do caso imprescindvel, a disponibilidade de outras tcnicas de

anlise, como difrao e fluorescncia de raios-X, microscopia eletrnica (varredura de transmi ss o),
anlise trmica diferencial, bem como de sistemas para preparao de amostras (fornos diversos,
evaporadores de filmes finos, implantador de Ions, etc.

De acordo com os dados apresentados na tabela 10.i, existem no Pas 25 espectrmctros Mssbauer,
com um investimento estimado at 1990 da ordem de USE 2.000.000,00 (dois milhes de dlares).
Relativamente s dimenses fsicas da base instalada, e s amplas possibilidades de aplicao, quer em
estudos bsicos, quer em pesquisa aplicada, o investimento sensivelmente inferior s outras tcnicas de
anlise.

Na Tabela 10.1 so apresentadas vrias linhas de pesquisa dos diversos laboratrios. Obse rv a-se um
amplo espectro de aplicao da EM. E interessante verificar a relao entre os resultados dessas
pesquisas, e a produo internacional. Na Figura 10.1 so apresentados valores percentuais relativos aos
trabalhos apresentados nos seis Encontros Nacionais de Espectroscopia Mossbauer (ENEM), realizados
entre 1982 e 1987, nos trs ltimos Encontros Nacionais de Fsica da Matria Condensada (ENFMC),
realizados entre 1986 e 1988, e na International Conference on the Applications of the Mssbauer
Effect' (1CAME), realizada em Leuven (Blgica), em 1985.

A escolha das reas de aplicao foi inspirada no ENFMC. Essa definio no trivial, h vrios
trabalhos que tanto podem pertencer a uma rea quanto a outra Em pa rt icular, enquanto no ENEM h
uma seo para estudos de minerais, no ENFMC esses trabalhos podem ser apresentados em
Magnetismo, Metais e Ligas e Cincia dos Mate ri ais. Foi feito um esforo para separar esses trabalhos a
fim de compatibilizar as estruturas dos eventos considerados. Alm disso, na seo Metais e Ligas foram
includos os trabalhos de Cincia dos Materiais do ENFMC. Os percentuais so relativos ao total de
trabalhos das seis reas consideradas, em cada evento. Portanto, a figura reflete a distribuio de
trabalhos por rea e por evento.

Dois fatos destacam-se na Figura 10.1. O p ri meiro a absoluta falta de trabalhos dos pesquisadores
nacionais na rea de Biofsica, contrastando com a comunidade internacional (aproximadamente 7% dos
trabalhos apresentados no ICAME esto nesta rea). O segundo destaque refere-se ausncia de
trabalhos sobre instrumentao nos dois ltimos ENFMC.

Outra diferena entre a participao da co munidade nacional no ENEM e no ENFMC e a comunidade

internacional, refere-se aos trabalhos com minerais. Aproximadamente 30% dos trabalhos apresentados

-225-
MI
50 r
El
ENEM
2
ENFMC
El
ICAME

40

30

20

t0

1MORF03 MAGNETISMO INSTRUMENT. METAIS S

LIGAS

-224-
nos ENEM pertencem a essa rea, enquanto essa proporo cai para aproximadamente 1D% nos
ENFMC e ICAME.

Claramente, o tipo de participao da comunidade nos encontros nacionais diferenciado. Talvez isso
possa ser explicado a pa rtir do fato de que no ENFMC no h uma seo sobre minerais.
rvados para oENEM. Aparentm,sblhore

A figura sugere perspectivas de estudos. Por exemplo, uma Area completamente em aberto a de
Biofsica Nesse sentido, poderia ser proveitoso um intercmbio com pesquisadores de Ressonncia
Magntica bastante ativos nessa Area.

A figura tambm sugere, e os Anais do ENFMC confirmam, que o pessoal de Espectroscopia

Mssbauer poderia aumentar consideravelmente sua participao nas reas de mate riais amorfos e
magnetismo, onde existem estudos tericos e experimentais (com outras tcnicas) em diversos sistemas
adequados EM.

Um fato que necessita maior reflexo refere-se aos trabalhos sobre Instrumentao. E difcil de
entender, por exemplo, a inexistncia deles nos ENFMC. Tambm deve ficar cl aro que a natureza desses
trabalhos no Pas deve necessariamente ser diferente daqueles desenvolvidos no Exterior. Apesar de que
a experincia acumulada nos laboratrios permite em principio desenvolver um espectrmetro nacional,
a transferncia desse conhecimento para a indstria ainda no foi possvel, consequncia talvez do
incipiente mercado consumidor. Nesse sentido, talvez uma parcela considervel dos trabalhos sobre
Instrumentao deva ser simples transferncia de tecnologia. Com o possvel aumento da EM, o
desenvolvimento de tecn ologia nacional ser de fundamental importncia. Por causa disso, possvel
justificar que a participao relativa dos trabalhos de Instrumentao nos ENEM seja o dob ro do
ICAME. No apenas isso, mas tambm que essa diferena venha a aumentar.

Alm dessas linhas de pesquisa, digamos assim, tradicionais, alguns laboratrios esto introduzindo
novas reas de aplicaes da EM.
No Centro Brasileiro de Pesquisas Fsica (CBPF) h uma intensa atividade no estudo de cermicas
supercondutoras dopadas com ferro. Tendo iniciado esses trabalhos em 1987, o grupo j apresentou at o
momento significativas contribuies para o entendimento das configuraes de oxignio em torno dos
tomos de cobre.

Na rea de Implantao Tnica destaca-se o laboratrio da UFRGS, inicialmente com o estudo de aos
implantados com nitrognio e estanho, e mais recentemente com o estudo de bolhas em metais e aos.

Digno de nota tambm o esforo dos pesquisadores da UFMG para a implantao da tcnica
DCEMS (Espectroscopia Mssbauer diferencial com eltrons de converso). Conforme discutido na

-225-
primeira seo. essa tcnica permite a abertura de uma sries de linhas de pesquisa relacionadas com
fenmenos de superfcie.

C. Carncias e Dflfcutdades

No Brasil carncias e dificuldades no so p ri vilgios de qualquer rea de pesquisa cientfica. Sao

problemas que afligem a todos. Alm da falta de recursos em geral, um problema srio a extrema
lentido nos processos de impo rt ao. Essa questo crtica no caso da EM, porque a fonte radioativa
indispensvel tcnica deve ser impo rt ada.

Alm di ss o, urna dificuldade enfrentada principalmente pelos laboratrios instalados em universidades

com pou ca tradio de pesquisa a falta de tcnicas complementares (raios-X, microscopia eletrnica,
etc.), de pessoal de apoio (tcnicos em eletrnica, mecanicos, etc.) e da prpria infraestrutura
(equipamentos para as oficinas, mate ri al bibliogrfico, facilidades de criogenia e termogenia, etc.). Fcva-s
difculaesoprtmnedaosprlbatiosdUFCE,S eUFRN.

10.4 PERSPECTIVAS PARA A PRXIMA DCADA

No que se segue tentaremos apresentar uma perspectiva para os prximos cinco anos e para os cinco
anos seguintes dos atuais grupos de Espectroscopia Mssbauer. Todavia, talvez motivados pela
instabilidade de financiamento da pesquisa cientifica, nenhum laborat ri o se arriscou a estabelecer um
plano objetivo de investimento para os ltimos cinco anos do perodo. Assim, cm termos objetivos,
apresentaremos de fato uma perspectiva para os prximos cinco anos.

A. Planos dos Grupos

Em termos de projetos de pesquisa, alm da continuidade das linhas implantadas, os grupos

manifestaram-se desejosos de implantarem novas linhas de trabalho e novas tcnicas, conforme tabela
103.

Verifica-se que, excetuando-se o laboratrio da USP, no h previso de implantao de qualquer linha

de pesquisa que possa ser caracterizada como uma novidade a nvel nacional. O que os laboratrios
pretendem implantar novas linhas que de uma forma ou de outra j estejam sendo abordadas por outro
laboratrio do Pais. Essa tendncia tem uma vantagem na medida em que favorece a formao de uma
massa critica, altamente desejvel para a elevao do nvel de trabalho da comunidade.

A situao diferente com relao implantao de novas tcnicas de pesquisa. Nesse caso podemos
distinguir dois grupos: no primeiro encontram-se os laboratrios que pretendem implantar tcnicas j

-226-
instaladas em outros laboratrios, favorecendo a formao de massa critica comentada acima; no
segundo esto os laboratrios da UFRGS, UFMG, UFRN, que pretendem implantar a cspectroscopia
DCEMS, no existente no Pais.

Alm disso, cabe mencionar a demanda por implantao ou melhoramento de tcnicas auxiliares, entre
as quais destacam-se: microscopia eletrnica de varredura e de transmisso, ressonncia magntica
nuclear, ressonncia paramagntica eletrnica, sistemas criognicos, TDPAC, aniquilao de psitrons,
LEED, AUGER, XPS, SIMS, difrao de raios-X a ngulo razante, sistema de preparao de filmes
finos, etc.

B. Recursos Humanos

Conforme se verifica na Tabela 10.4, os planos de expanso dos grupos de pesquisa nas condies
atuais so bastante modestos, frente capacidade dc formao, e at mesmo frente ao total de
estudantes de mestrado e doutorado. Para um total de 22 estudantes (Tabela 10.1), espera-se absorver
apenas 11. Esse fato, deve ser creditado s atuais restries governamentais para contratao de pessoal.
Tanto a ss im, que em condies ideais a comunidade espera abso rver 32 profissionais (14 mestres e 18
doutores).

A Tabela 10.4 apresenta um resultado que merece uma discusso mais detalhada Nas condies atuais,
a capacidade de formao dos diversos grupos totaliza 46 mestres e 17 doutores. Considerando-se a
expectativa de expanso (3 M e 8 D), verifica-se que h um excedente em potencial de pessoal. Isto
signi fi ca que a comunidade tem capacidade de formar pessoal para outras instituies, apresentando uma
salutar caracterstica exgena Todavia, frente realidade do Pals, onde o principal empregador em
Cincia e Tecnologia o gove rn o, o panorama acima descrito aponta uma enorme ca pacidade ociosa em
termos de formao de recursos humanos.

C. Investimentos Necessrios

Conforme dados da Tabela 10-3. os grupos de espectroscopia Mssbauer esperam, nas condies atuais,
realizar investimentos de aproximadamente USS 2.000.000,00 (dois milhes de dlares), e de USS
4600.000,00 (quatro milhes e quinhentos mil dlares) nas condies ideais.

Apesar de que em relao dimenso da comunidade esse investimento pode ser considerado grande ,
convmeslarqu ef,cmgrandpteisloumabedpious,
experimental de uso comum. Sao equipamentos necessrios a amplos setores de pesquisa, no apenas em
Fsica, como tambm em Areas afins.

-227-
 A quase totalidade da demanda refere-se a tcnicas de anlise correlatas, indispensveis em estudos de
mate ri ais. A falta dessas facilidades tem proporcionado graves consequncias na compe ti tividade dos
laboratrios. E impossvel imaginar um trabalho de qualidade inte rn acional, nas reas de aplicao da
EM, sem a utilizao de pelo menos difrao e fluorescncia de raios-X (ou eltrons) e microscopia
eletrnica

Alm disso, tendo em vista a importncia cada vez maior do papel desempenhado pela cincia dos
mate ri ais no atual estgio do desenvolvimento tecnolgico, lcito cham ar a ateno para a precria
base analtica instalada no Pals. No h, no momento, um nico laboratrio brasileiro que tenha
condies de realizar anlise de mate ri ais de forma integrada, segundo a concepo sinergtica
mencionada na primeira parte deste capitulo. Em termos nacionais, a instalao de uma base analtica
corresponde a pelo menos cinco laboratrios regionais, em condies favorveis de competio
internacional e nvolveria recursos da ordem de USS 20.000.000,00 (vinte milhes de dlares).

D. Comentrios Finals

Conforme demonstram os dados da Tabela 10.1, h um nmero bastante pequeno de estudantes por
doutor. Isso reflete em p arte a reduzida produtividade cm 87/88. Por outro lado, dado o carter
interdisciplinar da EM, recomenda-se uma poltica mais agressiva na husca de estudantes de IC. oriundos
das reas nas quais a tcnica tem aplicao significativa (biologia, fsica, geologia, metalurgia e qumica).
Aumentando-se o nmero desses bolsistas, torna-se mais fcil aumentar o nmero de estud an tes de PG.

Outro aspecto explorado pela comunidade a prestao de servios a laboratrios de anlise qumica e
a empresas de minerao e metalurgia. A literatura especializada est repleta de exemplos nessa rea de
atuao.

No que se refere s linhas de pesquisa, os dados apresentados mostram que a rea de biofisica ainda
no foi explorada pelos pesquisadores de EM. Recomenda-se, portanto, uma interao com os
pesquisadores especializados (biofsicos) bem como com fsicos atuantes na rea e que utilizam outras
tcnicas de ressonncia (NMR, EPR, ENDOR, etc.).

Finalmente, uma carncia claramente obse rv ada a falta de interao entre experimentais e tericos,
embora ela j exista em alguns grupos (CBPF, UFMG. UFRGS). No Brasil existem pelo menos duas
reas bastante propicias para esse tipo de integrao (magnetismo e materiais amorfos), tanto pela
quantidade de trabalhos tericos, como pela quantidade de estudos experientais com outras tcnicas, mas
.em sistemas apropriados para EM.

-228-
TABELA 10.1
GRUPOS DE PESQUISA NA AREA

INSTITUICiO INICIO LINHAS DE PESQUISA TCCNICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIRADO

GRUPO US

NORTE-NORDESTE

UTCE 1977 R)nrais Espctroscopia Bossbaur 64.000

Cesplsee Dtfratosstria d Ralas -Y
Poll Medidas d Suscptibilidad
Cristo's' Ragnatiea

OFRGN 1988 Nitrtalo )Onica Esp pis Rossbauer d 23.000

Sintu Mineral Trsnssisalo
Espsctroscopia Mossbaur C.
ELtrdns d Co ICEr,S)

SUDESTE

MCI 1968 Prop. Magnt.ica EIcrdnica Espec. Noaabaur (Trans. 193.000

L ab. MOsabaur d %tau Liga ITorta Esp.) CENS)
ClAnc u doe Nato- Minrie Solos Calor Dif ial (DSC)
rung Analisa TraoaClnica (TRA)
Rn tividad Eldtrica (AC)
Analls Taraogrsv utrica ITC
OTC/
Magntostr u Iss uplantalo) -

M)crodurza
ricrobaiana Msgntica
Lab. d Eapccros- 1987 Instruantalo Espc. !osbaur d Trans- 940.000
copia Hiprfina Rla.acl0 d spin w aste C'sMS MESS Coo toplan-
Fiasco d Super- T..tura d Spin taio)
cum Carroll RaonMCi Nag. Nuclaatr Ion is-
Prop. ffsicsa d sat. agnt:co plantaclol
Hidroganio is metals Espec. coo Eltron (LEED.SAES.
Til... fino.. interfaces aupr- SAM, SEM, S18S) cos isplancaiol
flci Msgntostri Is isplantsclol
Rsn stividads IaLr)ca latodo
d quatro pontas)

UFES 1981 Dinlalca d rede s coapor_or Espectroscopia Moasbauer 18.000

d ferre Balana d Farsday
Minerais
Mat*ri u s Carbonosos
Solo
TABELA 10.1 Continuado
GRUPOS DE PESQUISA HA AREA

I115TITU1F,i0 INICIO NOVAS LINHAS DE PESQUISA TCNICAS MAIS RELEVANTES CUSTO ESTIMADO
GRUPO USs

CHPF :96: Rtnr.t. Esprctrorcopia NO/Dv.r 200.000

M.t.erlte. Slrta d Evaporado a H. !r- :00.000
Lig.. Mtilte. outdo Co. bobina up.reondutors
I.purz .ailteas Fornos d e It. t..p.r . 15.000
Estudo d tinta s utrll2ada . St.taa CrtegOnlCe 185.000
..nu.crito. antigo.
C.rs.tea supercondutoras
Composites Organosetillco de ferre

UFRJ :974 Magna t..o es ..ptnrtr Eaoctrescopt. Nbsbur 50.000

Magn.tosso s ortof.rrtt.s Magntosarla
1nL.raCO1 htp.rfin.a es fe.fstes

USP 1979 osido C. F aaorfos cristalino. Eap.ctro.copta Mo..b.ur 35.000

Int illcos R - F R - FE - t
(Al trra Aural

UHICAMP

Lab. d. Prod- 197 5 Metats. Ligas ..tslt<a Foto.ntssio 300.000

raCle Carst. Seetconduterr Naoeasento d. fundo lho
d Nat.rtn Micro-sonda

L.o. Ffsita or
Suorrffcte 1975 Motels. Sestcondutor... Ligar. LEEO-AUGER. ESCA. sp.ctroscopi.
Catai izador. de sair. T05 600.000

CEN'RO-DESTE
GAB :970 Magnetismo .e I r-.as de o - EsDctroscopta Mosabauer 50.000
quena partfcula Su.c.ot+bl]ldad M.gnttca

SUL
UFSC 191113 Nttr.tacio tontcs E.p.etrecopta Mo.sb.u.r 30.000
Coaplevos bto-Inorgtnt<es de tr.nrstssie CENS (es ts-
Cespo.co t t.ltco plant.Clol

UFRGS 1966 Mineral Esp.etroseepta Messb.u.r de B5.000

:opi.niaCib ionic. de tran.st..ie CEMS
Nit. ar.sa0a.
Hidreto
Morei d .pt n
Mtalurgie de svarflei
CO.00.to piro-fosfato a. ferro
F.rroearbontl..
TABELA 10.2
PESSOAL CIENTIFICO E PRO3UTIVIOADE

INSTITDICIO DOUTORES MESTRES ESTUDANTES ESTUDANTES ARTIGOS

GRDPO FORHADOS REVISTAS C/aR81TR0
T E T E IC N D N 0 78-82 03 -87 88

NORTE- NORDESTE

UFCE 6 2 7 5 12 3

UFRGN 1 3 2 3 6

.SL'OESTY

UFM.G

Lab.Morrbaurr
Clncls dos !:ai.. 2 1 5 2 6 14 1

Lab. Eap.Hipor-
fine. 4 2 9 3 1 13 34 1

L'FES 3 - - 15 9 3

CBPF 4 3 1 4 5

UFRJ

US? 2 3 5 9 5

CN ICAYP
Lab. Matrtalr 1 3

FIa.Svnrf:c:a 1 3 2 2 7 2 40 35 8

CEHT:O-OESTE

UNS

S::L

UFSC 1 3 - 7 3

L'FRGS 7 - 2 5 S 2 46 32 5

4 33 7 22 16 10 29 :3 137 150 29
TABELA 10.3
PERSPECTIVAS PARA OS PROIINOS S ANOS

INSTITUICXO NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TCCNICAS INVEST I NENTO

GRUPO aSa

NORTE-NORDESTE

UFCE CONDICOES ATUAIS, CONDICOES ATDAISr

Completar o dlfrat0aetro de ra.erX
p a r s adldaa . t.prturs var. Wel.
completar alanCa da F

CONDICLES DESEJADAS, CONDICOES DESEJADAS,

Si dfordnadds, vidro Reaaonancla para.agndtic al.tron.ca
lain auOrfOS. ligas .taliCas
L'FAGR CONDICOES ATUAIS, CONDICOES ATUAIS,
Dlfraao d ralos-X 150.000

CONDICOES DESEJADAS. CONDI COES DESEJADAS,

Nlcroleopl EletrOn.ca, Analla d Super- 2.500.000
f lcle, Preparado d fila.. fino s

SUDESTE

UFNG
Lab. Aoaabausr CONDICOES ATUAIS. CONDICOES ATUAIS,
C.ancl dos
Natr.sla CONDICOES DESEJADAS. CONDICDES DESEJADAS,
N rcroacop, EletrOn.c de Varredura. 905.000
SuaeeptlGll.dad Nagndt.ca, Suprcoapu-
tador ACP

L.A. Espectro,
copia N.perfrna CONDICLES ATUAIS. CONDICOES ATUAIS,
NRR, Tdcnrcaa de Superflc.e, Re- NNR, Tdcnlcaa de auprffcla, DCENS 1.000.000
IaaCao min-min

COND:COES DESEJADAS. CDNDICOES DESEJADAS,

ITPAC, NO, aniquilado de pda,- Cr.oatsto d dllu,tlo, `Slov-fast 1.000.000
trens, ESAFS, SQ. apalhaanto d coincidence'. TDPAC, NO, EIAFS, SR.
nautrons. flsdlda h.perf^9aa co,^ 7 9 Aniquilado da pdertrona. sapal
tedtop o slam d F. Sn de neu tron

UFES COND:COES ATUAIS, CONDIGOES ATUAIS,

Solos aynetrcoa Dlfracao d. raro.-X 400.000
Laus ,ntatico Nagn.tr0.etro da asoatrar
V rr ante
!Its. ligas Ru uu v. dsde
Cr.oatato de circuito fechado
 TABELA 10.3 Continuado
PERSPECTIVAS PARA OS PRXIMOS S ANOS

INSTITUICIO NOVAS LINHAS DE TRABALHO NOVAS TCCNICAS INYESTINENTO

GRUPO USO

CBPF CONDIC6ES ATUAIS, CONDOCaES ATUAIS,

Catltae, fells per.enent... Espec. Liquefator de nitroginto 300.000
1O..ba,11r co. Isdtopoa C. T Slat..a d e vaporro coa um SQUID 150.000
Rara.

COxDICnES DESEJADAS, CDNDI(-0ES DESEJADAS,

Ultra baixou teap . SR Criostate aea refrigerder dllulcfe 200.000
N leroscep, .letrn'c da trana1aio
varredur

UFRJ MAO ENVIOU D005

USP CONDICOES ATUAIS, CONDICOES ATUAIS,

Moesbauer. Eapectr0metr0 no. 20.000

COHDICDES DESEJADAS, CONDICOES DESE.lADAS,

Espectroscopls NO..OSUer do 17 S0d Neeauaur Cr'ostato de bunho de 4 110 40.000
N
M
UNICANP
Lab. Nalco CONDICDES ATUAIS, CONDICOES ATUAIS,
Superticles Catalizador.. ESCA. Lk- ED-AUGER. ESPELT- MASSA, etc. 600.000

COND1CDES DESE_IADAS, CONDiCUES DESEJADAS,

Modeles de total' UPS. ESCA. LEE!) -AUGER. etc. Junta. 1spec- 250.000
treaetro sultitecniCai Microscopic tun. -
lasnto 100.000

CENTRO-OESTE

UNS NILO ENVIOU DADOS

SUL

UFSC CONDICOES ATUAIS' CONDICCES ATUAIS'

Spin crams ever em complexion de N.didaa Hotsbousr es altos tampar 30.000
ferro mist... de alto vcuo

COIDICOES DESEJADAS , CDNDCCOES DESEJADAS,

Nsdtdss NOSabauer s beixas te.eroturss, 20.000
DISPLEX

UFRCS CUND KaES ATUAIS, CONDICOES ATUAIS'

CEF.S am balk . DUE.".S 20.000

CONDCtES OESE.:ADAS, COND:COES DESEJADAS'

TABELA 10.4
PERSPECTIVAS PARA OS PROuINOS 5 ANOS

INST I TUICIO CAPACIDADE DE FORNACxO ENPANSxO DO GRL'PO

GRUPO CONDIOES ATUAIS CONDIOES IDEAIS CONDICES ATUAIS CONDIOES IDEAIS
N O N O ! O N D

NORTE-NORDESTE

UFCE 5 10 2
CFRCN 5 N 3 2

SUDESTE

UF!G
La c . ressbaur 7 3 10 S
L. Esp.Nioerf:ns 8 4 13 7 2 3

UFES RIO TEN PaS-GRADUASO

CBPF 5 3 5 5

;;FR.:

;;S? 3 5 2

UN 1CA!!?
Lab. de ?reoaraCAn
CaracL.C 'acer^ais - 2
:.ao. Fie. Scor!'lC =es 4 3 6 4

CENTRO-OESTE

UNS

Su:.

LFSC 2 3 - 2

CFHGS B 4 10 6 3

T,TAL 47 20 72 3] 2 9 14 21