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1.RESUMEN
2.INTRODUCCION
Ntese que, segn esta grfica, la regin de saturacin del JFET se identifica con
la regin activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la
corriente de colector slo depende de la de base, aqu la magnitud de control es la
tensin VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET en la regin lineal es muy
pequea puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de
JFET y de saturacin del BJT.
3.EXPERIMENTOS
Parte 3.1
Determinar la Transconductancia gm para el JFET 2N3819 o similar en fuente comn.
Luego dibuje el modelo incremental para pequeas seales con los valores obtenidos
de los clculos.
Colocar, VG = VS = 0. Colocar una fuente de voltaje variable (con valor inicial V DD=0)
entre Drenador y Fuente.
RD = 2[K] calcular en base al dato de IDSS del transistor, en forma aproximada.
LECTURA: IDSS, Vp
CALCULOS: gm =2*IDSS/Vp
Parte 3.2
4.RESULTADOS
Parte 4.1
Grafique el modelo incremental para pequeas seales con los valores obtenidos de
los clculos.
Av = -5
IDDS = 5.72 mA
Vp = 2.4
RD = 2k
En vacio
Av= -RD * gm
Gm = (-5 / -2k)
Gm = 2.5 * 10 ^-3
Parte 4.2
Medir la ganancia del amplificador para varios valores del voltaje de entrada (entre
10mV hasta 100mV, 5 valores).
5.CONCLUSIONES
6.CUESTIONARIO
7.REFERENCIAS
http://www.slideshare.net/jesusdaniel18/modelo-FET
http://es.wikipedia.org/wiki/Fuente-Comun
http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/ transistor.pdf